JP2000332149A - ターミナルランドフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームを用いて半導体装置を構成し
た場合、リード配列による制限で多ピン化に対応できな
いという課題があった。 【解決手段】 ターミナルランドフレームは、金属板よ
りなるフレーム本体１０と、その領域内に配設されて、
突出して形成された複数の第１のランド構成体２７と、
その第１のランド構成体２７の上面領域内に第２のラン
ド構成体２９が形成され、二重ランド構成体を有してい
る。そして少なくとも第１のランド構成体２７は、その
突出した方向への押圧力により接続部分が破断されて分
離される構成を有するものである。このターミナルラン
ドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を構成した場
合、封止樹脂とランド構成体との密着力をさらに向上さ
せ、ランド構成体が実装時の半田を確実に保持し、実装
精度、実装信頼性を向上できるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、フレーム枠か
ら簡易に分離可能な外部端子となるランド体を備えたフ
レームであるターミナルランドフレームおよびその製造
方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。

【０００４】図２３は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２３に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。

【０００５】なお、リードフレームは、図２３に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。

【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２４は、図２３に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。

【０００７】図２４に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。

【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２５に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図２４
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図２５において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。

【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。

【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。

【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。さらに本発明は、
従来のようにリードカット工程やリードベンド工程をな
くし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ることができ、
樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できるものであ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のターミナルランドフレームは、金属
板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内
に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された複
数のランド構成体とよりなる半導体素子搭載用のターミ
ナルランドフレームであって、前記ランド構成体は、第
１の薄厚部で前記フレーム本体と接続した第１のランド
構成体と、その上面に第２の薄厚部で接続されて設けら
れた第２のランド構成体とよりなる二重ランド構成体で
あって、少なくとも前記第１のランド構成体の底面に対
して、前記フレーム本体から突出した方向への押圧力に
より、前記第１の薄厚部が破断されて前記二重ランド構
成体が前記フレーム本体より分離される構成であるター
ミナルランドフレームである。

【００１４】そして具体的には、第１のランド構成体の
フレーム本体からの突出量は、前記フレーム本体を構成
している金属板の厚みの７０［％］〜９０［％］であ
り、第２のランド構成体のフレーム本体からの突出量
は、前記フレーム本体を構成している金属板の厚みの４
０［％］〜５０［％］であるターミナルランドフレーム
である。

【００１５】また本発明のターミナルランドフレームの
製造方法は、打ち抜き金型のダイ部にフレーム本体とな
る金属板を載置し、前記金属板の上方から押え金型によ
り前記金属板を押さえる工程と、前記金属板の上方から
パンチ部材により前記金属板に対して押圧加工を行い、
前記金属板の一部を前記ダイ部側の開口部側に突出する
ように押圧して、前記金属板の一部を半切断状態とする
ことで、第２の薄厚部により前記金属板と接続され、か
つ前記金属板よりも突出して形成された第２のランド構
成体を形成する工程と、前記第２のランド構成体が形成
された金属板の上方から押え金型により前記金属板を押
さえた状態で、前記金属板の上方からパンチ部材により
前記金属板の前記第２のランド構成体を包囲する領域に
対して押圧加工を行い、前記金属板の一部を前記ダイ部
側の開口部側に突出するように押圧して、前記金属板の
一部を半切断状態とすることで、前記第２のランド構成
体をその上面に有し、第１の薄厚部により前記金属板と
接続され、かつ前記金属板よりも突出して形成された第
１のランド構成体を形成し、金属板に対して二重ランド
構成体を形成する工程とよりなる半導体素子搭載用のタ
ーミナルランドフレームの製造方法であって、前記第１
のランド構成体を形成する工程での半切断状態は、前記
第１のランド構成体と前記金属板を接続する第１の薄厚
部の厚さは、前記第２のランド構成体と前記金属板を接
続する第２の薄厚部の厚さよりも薄く構成する半切断状
態とするターミナルランドフレームの製造方法である。

【００１６】そして具体的には、第２のランド構成体を
形成する工程において、フレーム本体からの突出させる
量は、前記フレーム本体を構成している金属板の厚みの
４０［％］〜５０［％］突出させて第２のランド構成体
を形成し、第１のランド構成体を形成する工程において
は、半切断状態でフレーム本体からの突出させる量は、
前記フレーム本体を構成している金属板の厚みの７０
［％］〜９０［％］突出させて第１のランド構成体を形
成するターミナルランドフレームの製造方法である。

【００１７】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、金
属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域
内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された複
数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体は、第
１の薄厚部で前記フレーム本体と接続した第１のランド
構成体と、その上面に第２の薄厚部で接続されて設けら
れた第２のランド構成体とよりなる二重ランド構成体で
あって、前記第１のランド構成体の底面に対して、前記
フレーム本体から突出した方向への押圧力により、前記
第１の薄厚部が破断されて前記二重ランド構成体が前記
フレーム本体より分離される構成であるターミナルラン
ドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置で
あって、前記二重ランド構成体のうち、半導体素子用の
第１の二重ランド構成体上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の周辺に配置され、前記半導体素子と金
属細線により電気的に接続された第２の二重ランド構成
体と、各二重ランド構成体群の底面を突出させて前記半
導体素子の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記各
ランド構成体群の封止樹脂からの突出量は、前記フレー
ム本体の厚み量から前記ランド構成体群が前記フレーム
本体から突出した量を差し引いた量である樹脂封止型半
導体装置である。

【００１８】さらに本発明の樹脂封止型半導体装置は、
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領
域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接
続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された
複数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体は、
第１の薄厚部で前記フレーム本体と接続した第１のラン
ド構成体と、その上面に第２の薄厚部で接続されて設け
られた第２のランド構成体とよりなる二重ランド構成体
であって、前記第１のランド構成体の底面に対して、前
記フレーム本体から突出した方向への押圧力により、前
記第１の薄厚部が破断されて前記二重ランド構成体が前
記フレーム本体より分離される構成であるターミナルラ
ンドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置
であって、前記二重ランド構成体のうち、半導体素子用
の第１の二重ランド構成体上に搭載された半導体素子
と、前記半導体素子の周辺に配置され、前記半導体素子
と金属細線により電気的に接続された第２の二重ランド
構成体と、各二重ランド構成体群の底面を突出させて前
記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前
記二重ランド構成体の前記封止樹脂に封止された領域は
第２のランド構成体による段差を有し、前記二重ランド
構成体の前記封止樹脂から露出した底面は前記第２のラ
ンド構成体による凹部を有している樹脂封止型半導体装
置である。

【００１９】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体
は、第１の薄厚部で前記フレーム本体と接続した第１の
ランド構成体と、その上面に第２の薄厚部で接続されて
設けられた第２のランド構成体とよりなる二重ランド構
成体であって、前記第１のランド構成体の底面に対し
て、前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によ
り、前記第１の薄厚部が破断されて前記二重ランド構成
体が前記フレーム本体より分離される構成であるターミ
ナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナル
ランドフレームの二重ランド構成体群の一部の二重ラン
ド構成体の突出した側に半導体素子を搭載する工程と、
搭載した半導体素子とその周辺の二重ランド構成体とを
金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素
子の外囲であって、前記ターミナルランドフレームの上
面側のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止型半導体装
置を形成する工程と、前記ターミナルランドフレームの
前記フレーム本体を固定した状態で前記フレーム本体の
底面側から前記二重ランド構成体の少なくとも第１のラ
ンド構成体の底面側に対して押圧力を印加し、二重ラン
ド構成体の第１のランド構成体とフレーム本体とを接続
している第１の薄厚部を破断させ、前記フレーム本体か
ら樹脂封止型半導体装置を分離する樹脂封止型半導体装
置の製造方法である。

【００２０】前記構成の通り、本発明のターミナルラン
ドフレームは、樹脂封止型半導体装置を構成した際、そ
の外部電極となるランド構成体を設けたものであり、そ
のランド構成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力
により、ランド構成体とフレーム本体とを接続している
部分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本
体から分離することができるので、リードカット工程や
リードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。これは比較的、精度
が要求された従来のリードフレームにおけるリードカッ
ト工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き
上げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分
離する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、
変形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止
型半導体装置を得ることができるものである。

【００２１】さらに本発明のターミナルランドフレーム
では、二重ランド構成体の第１のランド構成体自体は表
面に第２のランド構成体による段差を有し、また底面に
は第２のランド構成体による凹部が形成されているもの
であり、このターミナルランドフレームを用いて樹脂封
止型半導体装置を構成した場合、封止樹脂とランド構成
体との密着力をさらに向上させ、信頼性を向上できると
ともに、ランド構成体の底面には凹部が形成されている
ため、実装基板との半田による接合時は、ランド底面が
その凹部により半田を確実に保持し、また半田のはみ出
しを抑制して実装精度、実装信頼性を向上できるもので
ある。

【００２２】またターミナルランドフレームの製造方法
においては、パンチ部材により金属板の一部を打ち抜き
加工する際、完全に打ち抜かず、途中でパンチ部材の押
圧を停止させることで、半切断状態を形成し、金属板の
押圧された部分を切り離すことなく、金属板の本体に接
続させて残存させることができる。また、金属板のラン
ド構成体を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面
積はダイ部に設けた開口部の開口面積よりも小さく、そ
のパンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板か
ら突出したランド構成体を形成する工程においては、金
属板から突出したランド構成体の上面部分の面積が、金
属板側に接続したランド構成体の底面部分の面積よりも
大きく、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は
抜きダレによる曲面を有しているランド構成体を形成す
るものである。この構造により、形成されたランド構成
体は、それが突出した方向に対しての押圧力、すなわち
ランド構成体の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであり、またそれが突出した方向、すな
わちランド構成体の上面部分からの押圧力によっては分
離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離す
る構造となる。特に第１のランド構成体の場合は第２の
ランド構成体よりも打ち抜きによる突出量を多くし、第
２のランド構成体は容易に分離しないように構成し、第
１のランド構成体は容易に分離できるように構成してい
るので、樹脂封止型半導体装置を製造する際も安定して
製造でき、またターミナルランドフレームを製造する際
も第２のランド構成体を形成した後、それを包囲する第
１のランド構成体を形成するので、第２のランド構成体
の分離、落下なく第１のランド構成体を形成して二重ラ
ンド構成体とし、ターミナルランドフレームを製造でき
る。

【００２３】樹脂封止型半導体装置としては、ランド構
成体がその底面に配列され、またランド構成体が封止樹
脂の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタン
ドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止型
半導体装置のランド構成体の突出量は、フレーム本体の
厚み量からランド構成体が突出した量を差し引いた量と
なり、ランド構成体の外部ランド電極としてのスタンド
オフが、ターミナルランドフレームを用いることによ
り、別工程によりスタンドオフを形成せずに自己整合的
に形成されるものである。

【００２４】また本発明のターミナルランドフレームを
用いることにより、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した後、ラン
ド構成体、ダイパッド部部分の下方からの突き上げによ
りフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半導体装
置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したランド電
極を配列することができる。また、本発明のターミナル
ランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る際、樹脂封止時において、ランド底面部分への樹脂バ
リの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部電極と
してのスタンドオフが確保できるものである。

【００２５】また本発明の樹脂封止型半導体装置におい
て、二重ランド構成体は、第１のランド構成体の上面に
第２のランド構成体が形成された二重ランド構成体であ
り、第２のランド構成体により、二重ランド構成体とし
ての底面には、凹部が設けられているものである。この
二重ランド構成体の構成により、封止樹脂と二重ランド
構成体の上面領域との密着力はさらに高まり、樹脂封止
型半導体装置としての信頼性を向上させることができる
ものである。すなわち、第２のランド構成体による段差
によって封止樹脂との食いつきを良好にし、密着性を向
上させることができるものである。また、樹脂封止型半
導体装置をプリント基板等の実装基板に半田実装する
際、二重ランド構成体の底面の凹部により、半田が凹部
に入り、強固な接合ができるとともに、半田のはみ出し
を抑制できるため、実装精度、実装信頼性が向上するも
のである。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。

【００２７】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。

【００２８】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。

【００２９】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。

【００３０】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。

【００３１】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、メッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、ランド構成体１２
を成形した後に行ってもよく、または金属板へのランド
構成体の成形前に行ってもよい。また本実施形態のター
ミナルランドフレームの表面粗さとしては、０．１［μ
ｍ］以下である。この表面粗さは、樹脂封止した際の樹
脂との剥離性の点で影響があるため、ランド構成体以外
の無用な凹凸をなくす必要がある。

【００３２】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。

【００３３】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。

【００３４】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。

【００３５】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。

【００３６】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。

【００３７】図４および図５は、ターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。

【００３８】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。

【００３９】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。

【００４０】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。

【００４１】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。

【００４２】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出して形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。

【００４３】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。

【００４４】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。

【００４５】ランド構成体１２の形成としては、パンチ
部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダレ部１８，
せん断部１９，破断部２０の順に形成されていくもので
ある。破断部２０となる部分は薄厚部１１であり、図面
上はモデル的に示している関係上、相当の厚みを有して
いるように示されているが、実質的には極めて薄い状態
である。また金属板１３の打ち抜き加工においては、理
想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パンチ部材１７
が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚みの１／２を
打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止させ、打ち抜き
を完了させるものであるが、その条件は適宜、設定する
ものである。

【００４６】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。

【００４７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を底面側を下にして示した図であり、また本実施形態の
樹脂封止型半導体装置を示す平面図については、いわゆ
る矩形状を示すのみであるため省略する。

【００４８】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体１２の内、第１のランド構成体１
２ａ，１２ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２１、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２２と、その半導体素子２２の周辺に配置され、半導体
素子２２と金属細線２３により電気的に接続された第２
のランド構成体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆと、各
ランド構成体１２の底面を突出させて半導体素子２２の
外囲を封止した封止樹脂２４とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体１２の封止樹脂２４からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体１２
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。

【００４９】本実施形態では、ランド構成体１２の一部
を半導体素子２２を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体１２は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイ
（ＬＧＡ）を構成しているものである。そして、搭載す
る半導体素子の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の
支持用のランド構成体１２を適宜、設定することができ
る。また、従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半
導体装置とは異なり、ランド構成体１２の面積は、１０
０［μｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであれ
ばよく、また高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程
度であるため、高密度な電極配列が可能であり、ピッチ
調整も可能であり、小型・薄型の樹脂封止型半導体装置
を実現できるものである。さらに本実施形態の構造によ
り、多ピン化に対応でき、高密度面実装型の樹脂封止型
半導体装置を実現できるものであり、半導体装置自体の
厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５００［μｍ］程度の
極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現できるもので
ある。

【００５０】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２４に封止された側のランド構成体１２の
上面の面積が、封止樹脂２４から露出、突出した側のラ
ンド構成体１２の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体１２の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体１２は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２４とラ
ンド構成体１２との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体１２と封止樹脂２４との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。

【００５１】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。

【００５２】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設され
て、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつ
フレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体１２とよりなり、ランド構成体１２はフレーム
本体１０からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部１１が破断されてランド構成体１２自体がフレーム
本体１０より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。

【００５３】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体１２が突出した面側であ
って、ランド構成体１２の内、所定の第１のランド構成
体１２ａ，１２ｂ上に導電性接着剤２１、または絶縁性
ペーストにより半導体素子２２を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤２１の塗布、半導体素子２２の載置、加熱処
理により半導体素子２２を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体１２が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
１２の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体１２の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子２２を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体１２は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。

【００５４】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２とランド構
成体１２の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆとを金属細線２３に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体１２
は上面の金属細線２３が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体１２は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線２３をランド構成体１２の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
１２は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。

【００５５】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２、および電
気的接続手段である金属細線２３の領域を封止樹脂２４
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子２２が搭載された面の
みが封止樹脂２４により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体１２は突出
して設けられているため、封止樹脂２４がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂２４との密着性を得る
ことができる。

【００５６】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂２４で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体１２の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体１２とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体１０とが分離するも
のである。ランド構成体１２とフレーム本体１０とを接
続している極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
２２の下方に位置するランド構成体１２のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体１２を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体１２を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体１２自体が封止樹脂２４から剥離して落下しない範囲
で突き上げを行う。勿論、突き上げ以外の手段で分離し
てもよく、フレーム本体に対してひねりを加えたり、封
止樹脂２４部分を吸着して引き上げても、ランド構成体
１２とターミナルランドフレームのフレーム本体２６と
を分離させることができる。

【００５７】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体１
２とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されて、
樹脂封止型半導体装置２５を得ることができる。なお、
ここでフレーム本体のランド構成体１２が形成されてい
ない領域と封止樹脂２４との密着性は弱く、ランド構成
体１２が分離することにより、フレーム本体から樹脂封
止型半導体装置２５を得ることができるものである。図
示するように、樹脂封止型半導体装置２５は、ランド構
成体１２がその底面に配列され、またランド構成体１２
が封止樹脂２４の底面よりも突出して設けられ、基板実
装時のスタンドオフが形成されているものである。ここ
で樹脂封止型半導体装置２５のランド構成体１２の突出
量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体１２が突
出した量を差し引いた量となり、ランド構成体１２の外
部ランド電極としてのスタンドオフが形成されるもので
ある。本実施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレー
ム本体に対して、ランド構成体１２を１４０［μｍ］〜
１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９
０［％］）突出させているため、スタンドオフ高さの量
は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタ
ンドオフを有したランド電極を得ることができる。

【００５８】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体１２部分に対する突き上げ法の他、樹脂封止型半導
体装置部分を固定した状態でフレーム本体自体を引き剥
がすことにより、分離できるものであるが、製品の信頼
性を考慮して分離方法を採用するものである。

【００５９】次に本発明のターミナルランドフレームの
別の実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００６０】図１０は本実施形態のターミナルランドフ
レームを示す平面図である。図１１は本実施形態のター
ミナルランドフレームを示す断面図であり、図１０にお
いて、Ｃ−Ｃ１箇所の断面を示している。また図１２は
本実施形態のターミナルランドフレームのランド構成体
部分を示す断面図である。なお、基本概念は前記した実
施形態のターミナルランドフレームと同様である。

【００６１】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設さ
れて、第１の薄厚部２６によりフレーム本体１０と接続
し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された複
数の第１のランド構成体２７と、その第１のランド構成
体２７の領域内に第２の薄厚部２８により第１のランド
構成体２７と接続した第２のランド構成体２９が形成さ
れたものである。すなわち、フレーム本体１０、第１の
ランド構成体２７、第２のランド構成体２９、第１の薄
厚部２６、第２の薄厚部２８は同一の金属板より一体で
形成されているものであり、２つの半切断部分を有する
二重ランド構造を有している。そして少なくとも第１の
ランド構成体２７はフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、第１の薄厚部２６が破断されて、第
２のランド構成体２９を含む第１のランド構成体２７が
フレーム本体１０より分離される構成を有するものであ
る。

【００６２】ここで本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、前述した図１，図２および図３に示したターミ
ナルランドフレームと同様な構成を有するものの、第１
のランド構成体２７の領域に対して、さらに半切断手段
により第２のランド構成体２９を設け、樹脂封止型半導
体装置を構成した際、外部電極となるランド構成体の表
裏面に段差を形成するものである。

【００６３】ここで、第１の薄厚部２６はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０の第１
のランド構成体２７を形成したい部分をパンチ部材を用
いて打ち抜き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ま
しくは半分程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれ
た部分がフレーム本体１０から突出し、その突出した部
分が第１のランド構成体２７を構成するとともに、フレ
ーム本体１０と切断されずに接続している繋ぎ部分が第
１の薄厚部２６を構成するものである。

【００６４】したがって、第１のランド構成体２７の底
面部分２７ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、第１の薄厚部２６が破断されることに
なり、フレーム本体１０から第１のランド構成体２７が
第２のランド構成体２９を有した状態で分離するもので
ある。ここで第２のランド構成体２９の底面２９ａに対
して押圧力を印加しても第２の薄厚部２８は破断せず、
第２のランド構成体２９は分離しないよう構成されてい
る。これは、第２のランド構成体２９の場合は、第１の
ランド構成体２７の場合と半切断手段による打ち抜き量
を変えているため、第２の薄厚部２８の厚みは第１の薄
厚部２６と異なるためである。

【００６５】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成された第１のランド構成体２７は、その突出量はフレ
ーム本体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有して
おり、例えば本実施形態では、ターミナルランドフレー
ム自体の厚み、すなわちフレーム本体１０の厚みを２０
０［μｍ］とし、第１のランド構成体２７の突出量を１
４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの
７０［％］〜９０［％］）としている。また、第２のラ
ンド構成体２９は、その突出量はフレーム本体１０自体
の厚みの半数以下の突出量を有しており、例えば本実施
形態では、ターミナルランドフレーム自体の厚み、すな
わちフレーム本体１０の厚みを２００［μｍ］とし、第
２のランド構成体２９の突出量を８０［μｍ］〜１００
［μｍ］（フレーム本体の厚みの４０［％］〜５０
［％］）としている。このように第１のランド構成体２
７を形成する場合と、第２のランド構成体２９を形成す
る場合との半切断の打ち抜き量に差異を設けることによ
り、第２のランド構成体２９が容易に分離することを防
止するものである。これは第２のランド構成体２９の上
面がワイヤーボンドされる部分であって、分離する必要
がない部分であり、ランド構成体自体の表面および底面
の段差形成を目的とした半切断部分だからである。

【００６６】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、必要に応じてメッキ処理されたものであり、ニッ
ケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）な
どの金属が積層されて適宜メッキされているものであ
る。

【００６７】なお、第１のランド構成体２７およびそれ
と一体の第２のランド構成体２９の数は、搭載する半導
体素子のピン数などにより、その数を適宜設定できるも
のである。そして図１０に示すように、第１のランド構
成体２７はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右
・上下に連続して形成できるものであり、従来のように
個々の分離は必要なく、またタイバーを設ける必要もな
い。また各ランド構成体の形状は円形としているが、角
形や長方形でもよく、また大きさは、ターミナルランド
フレーム内ですべて同一としてもよいし、樹脂封止型半
導体装置を構成し、ランド電極とした場合、基板実装の
際の応力緩和のために、周辺部に位置するランド構成体
を大きくするようにしてもよい。本実施形態では、第１
のランド構成体２７に形成される第２のランド構成体２
９の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしており、第１のランド構成体２７の大
きさは第２のランド構成体２９を包囲できる大きさであ
って、１２０［μｍ］φとしている。つまり第１のラン
ド構成体２７の大きさは、第２のランド構成体２９の１
０〜３０［％］大きく構成し、本実施形態では第２のラ
ンド構成体２９の大きさ（φ）より２０［％］大きな直
径で第１のランド構成体２７を構成している。ここで第
１のランド構成体２７があまりにも大きいと二重ランド
構成体自体が大きくなり、多ピン化に対応できなくな
り、また逆に第１のランド構成体２７の大きさ（φ）が
第２のランド構成体２９の大きさ（φ）と近接してしま
うと、その形成過程において、形成している第２のラン
ド構成体２９を破損させてしまう恐れがあるため、１０
〜３０［％］の範囲で一回り大きい第１のランド構成体
２７を形成するものである。

【００６８】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部を有さず、ランド電極（外部電極）としてラ
ンド構成体を有し、そのランド構成体を半導体素子が搭
載される面内に格子状、千鳥状に配列することにより、
このターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導
体装置を構成した場合、底面にランド電極を面配置で備
えた樹脂封止型半導体装置を実現することができる。ま
た従来のように電極となる構成が、ビーム状のリード構
成ではなく、ランド電極であるため、それらを面状に配
置することができ、ランド電極の配置の自由度が向上
し、多ピン化に対応することができる。

【００６９】さらに本実施形態のターミナルランドフレ
ームでは、第１のランド構成体２７自体は表面に第２の
ランド構成体２９による段差を有し、また底面には第２
のランド構成体２９による凹部が形成されているもので
あり、このターミナルランドフレームを用いて樹脂封止
型半導体装置を構成した場合、封止樹脂とランド構成体
との密着力をさらに向上させ、信頼性を向上できるとと
もに、ランド構成体の底面には凹部が形成されているた
め、実装基板との半田による接合時は、ランド底面がそ
の凹部により半田を確実に保持し、また半田のはみ出し
を抑制して実装精度、実装信頼性を向上できるものであ
る。

【００７０】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。製造方法についても前
述したターミナルランドフレームの製造方法とほぼ同様
の半切断手段であり、基本概念は前記した実施形態のタ
ーミナルランドフレームの製造方法と同様であるが、第
１のランド構成体と第２のランド構成体との二重ランド
構成体を形成するものである。

【００７１】図１３，図１４は本実施形態のターミナル
ランドフレームの製造方法を示す断面図である。

【００７２】まず図４，図５に示した方法により、打ち
抜き金型のダイ部上の所定の位置に固定した金属板に対
して、その上方からパンチ部材により押圧による打ち抜
き加工を行い、金属板の一部をダイ部側の開口部側に突
出するように押圧して、金属板の所定箇所を半切断状態
にし、第２のランド構成体２９を形成する。ここでは図
１３に示すように、第２の薄厚部によってフレーム本体
１０と接続されて残存し、かつフレーム本体１０の本体
部よりも突出して形成された第２のランド構成体２９を
形成するものである。また、フレーム本体１０の第２の
ランド構成体２９を形成する部分に接触するパンチ部材
の接触面積はダイ部に設けた開口部の各開口面積よりも
小さく、そのパンチ部材により、フレーム本体１０であ
る金属板の一部を押圧して金属板から突出した第２のラ
ンド構成体２９を形成する工程においては、フレーム本
体１０から突出した第２のランド構成体２９の上面部分
の面積が、フレーム本体１０側に接続した第２のランド
構成体２９の底面部分の面積よりも大きく、第２のラン
ド構成体２９の突出した側の上面のエッジ部は抜きダレ
による曲面を有している第２のランド構成体２９を形成
するものである。なお、この構造により形成された第２
のランド構成体２９は、それが突出した方向に対しての
押圧力、すなわち第２のランド構成体２９の底面部分側
からの押圧力により、容易に分離されない半切断状態を
構成しているものである。

【００７３】本実施形態では、金属板よりなるフレーム
本体１０に対して第２のランド構成体２９を形成する
際、突出させるその突出量については、金属板自体の厚
みの半数以下とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板の厚みに対して、８０［μｍ］〜１００［μｍ］
（金属板自体の厚みの４０［％］〜５０［％］）突出し
た第２のランド構成体２９を形成している。したがっ
て、突出した形成された第２のランド構成体２９は、金
属板であるフレーム本体１０に対して、第２の薄厚部２
８により接続されていることになる。本実施形態では、
第２の薄厚部２８の厚みとしては、１００［μｍ］〜１
２０［μｍ］（金属板自体の厚みの５［％］〜１５
［％］）であり、第２のランド構成体２９が突出した方
向に対しての押圧力により、容易に分離されない厚みで
ある。

【００７４】次に図１４に示すように、第２のランド構
成体２９が形成されたフレーム本体１０に対して、さら
に同様な半切断手段を適用し、第２のランド構成体２９
を包囲する領域に第１のランド構成体２７を形成し、第
１のランド構成体２７と第２のランド構成体２９との二
重ランド構成体３０を形成する。この場合、形成された
第１のランド構成体２７は、それが突出した方向に対し
ての押圧力、すなわち第１のランド構成体２７の底面部
分側からの押圧力により、容易に分離される構造であ
る。第１のランド構成体２７とフレーム本体１０とは、
第１の薄厚部２６により接続されているが、この第１の
薄厚部２７の厚みは、第２のランド構成体２９を第１の
ランド構成体２７に接続している第２の薄厚部２８より
も薄い構成になるような半切断状態とするものである。

【００７５】本実施形態の製造方法において、金属板よ
りなるフレーム本体１０に対して第１のランド構成体２
７を形成する際、突出させるその突出量については、金
属板自体の厚みの過半数以上とし、本実施形態では、２
００［μｍ］の金属板の厚みに対して、１４０［μｍ］
〜１８０［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９
０［％］）突出した第１のランド構成体２７を形成して
いる。したがって、突出した形成された第１のランド構
成体２７は、金属板であるフレーム本体１０に対して、
極めて薄い厚みの第１の薄厚部２６により接続されてい
ることになる。本実施形態では、第１の薄厚部２６の厚
みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（金属板自体
の厚みの１０［％］〜３０［％］）であり、第１のラン
ド構成体２７が突出した方向に対しての押圧力により、
容易に分離されるものである。

【００７６】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。図１５，図１６は本実施形態の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図１５は底面図であ
り、図１６は断面図である。なお、図１６の断面図は図
１５の底面図において、Ｄ−Ｄ１箇所の断面を底面を下
にして示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導
体装置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示す
のみであり省略する。また基本概念は前記した実施形態
のターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体
装置の構造と同様である。

【００７７】図１５，図１６に示すように、本実施形態
の樹脂封止型半導体装置は、前述したような図１０，図
１１および図１２に示したターミナルランドフレームを
用いて、半導体素子を搭載した半導体装置であり、二重
ランド構成体３０の内、半導体素子搭載用の二重ランド
構成体３０ａ，３０ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤
２１により搭載、接合された半導体素子２２と、その半
導体素子２２の周辺に配置され、半導体素子２２と金属
細線２３により電気的に接続された二重ランド構成体３
０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆと、各二重ランド構成体
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆの底
面を突出させて半導体素子２２の外囲を封止した封止樹
脂２４とよりなる樹脂封止型半導体装置である。そして
本実施形態において、二重ランド構成体３０の封止樹脂
２４からの突出量は、使用したターミナルランドフレー
ム本体の厚み量から二重ランド構成体３０がそのフレー
ム本体から突出した量を差し引いた量であり、基板実装
時のスタンドオフを有しているものである。そして二重
ランド構成体３０は電極として使用し、底面配列におい
ては、ランド・グリッド・アレイを構成しているもので
ある。

【００７８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、封
止樹脂２４に封止された側の二重ランド構成体３０の上
面の面積が、封止樹脂２４から露出、突出した側の二重
ランド構成体３０の底面の面積よりも大きく、封止され
た側の二重ランド構成体３０の上面のエッジ部は曲面を
有しているものである。この構造により、封止樹脂２４
と各二重ランド構成体３０との食いつきを良好にし、密
着性を向上させることができ、基板実装の際の接続の信
頼性を得ることができるものである。またこの構造によ
り、底面側で基板実装することができ、従来のようなビ
ーム状のリードによる基板実装に比べて、実装の信頼性
を向上させることができ、ＢＧＡ型半導体装置と同等以
上の信頼性を有するものである。

【００７９】さらに、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置において、二重ランド構成体３０は、第１のランド構
成体２７の上面に第２のランド構成体２９が形成された
二重ランド構成体３０であり、第２のランド構成体２９
により、二重ランド構成体３０としての底面には、凹部
３１が設けられているものである。この二重ランド構成
体３０の構成により、封止樹脂２４と二重ランド構成体
３０の上面領域との密着力はさらに高まり、樹脂封止型
半導体装置としての信頼性を向上させることができるも
のである。すなわち、第２のランド構成体２９による段
差によって封止樹脂２４との食いつきを良好にし、密着
性を向上させることができるものである。また、樹脂封
止型半導体装置をプリント基板等の実装基板に半田実装
する際、二重ランド構成体３０の底面の凹部３１によ
り、半田が凹部３１に入り、はみ出しを抑制できるた
め、実装精度、実装信頼性が向上するものである。

【００８０】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
本実施形態においても、基本概念は前記した実施形態の
ターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法と同様である。図１７〜図２２は本実施形
態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの
断面図である。

【００８１】まず図１７に示すようにターミナルランド
フレームとして、フレーム本体１０と、そのフレーム本
体１０の領域内に配設されて、第１の薄厚部２６により
フレーム本体１０と接続し、かつフレーム本体１０より
も突出して形成された半切断状態の第１のランド構成体
２７と、その第１のランド構成体２７の上面に設けら
れ、第２の薄厚部２８により第１のランド構成体２７と
接続し、突出して形成された第２のランド構成体２９と
の二重ランド構成体３０とよりなり、第２のランド構成
体２９はそれが突出した方向への押圧力によっても、第
２の薄厚部２８が破断されて第２のランド構成体２９が
第１のランド構成体２７（フレーム本体１０）より分離
されず、第１のランド構成体２７はフレーム本体１０か
らそれが突出した方向への押圧力により、第１の薄厚部
２６が破断されて第１のランド構成体２７がフレーム本
体１０より分離される構成を有するターミナルランドフ
レームを用意する。

【００８２】次に図１８に示すように、ターミナルラン
ドフレームの二重ランド構成体３０上に導電性接着剤２
１により半導体素子２２を載置、接合する。この工程は
半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に相当す
る工程であり、ターミナルランドフレームへの導電性接
着剤２１の塗布、半導体素子２２の載置、加熱処理によ
り半導体素子２２を接合するものである。ここでターミ
ナルランドフレームは、二重ランド構成体３０が突出し
た方向に対しての押圧力、すなわち二重ランド構成体３
０の底面部分側からの押圧力により、容易に分離される
ものであるが、それが突出した方向、すなわち二重ラン
ド構成体３０の上面部分からの押圧力によっては分離し
ないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構
造であるため、半導体素子２２を搭載する際、フレーム
に対して下方の押圧力が作用しても、二重ランド構成体
３０は分離せず、安定してダイボンドできるものであ
る。

【００８３】次に図１９に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した半導体素子２２と周辺の外部電
極となる二重ランド構成体３０とを金属細線２３により
電気的に接続する。ここで二重ランド構成体３０は上面
の金属細線２３が接続される面の面積は１００［μｍ］
以上である。また、この工程においても、二重ランド構
成体３０は一方向からの押圧力にのみ分離する構造であ
るため、金属細線２３を二重ランド構成体３０の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、二重ランド構
成体３０は分離せず、安定してワイヤーボンドできるも
のである。

【００８４】次に図２０に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した半導体素子２２、および電気的
接続手段である金属細線２３の領域を封止樹脂２４によ
り封止する。通常は上下封止金型を用いたトランスファ
ーモールドにより片面封止を行う。ここではターミナル
ランドフレームの半導体素子２２が搭載された面のみが
封止樹脂２４により封止されるものであり、片面封止構
造となっている。そして二重ランド構成体３０はフレー
ム本体１０から突出して設けられているため、封止樹脂
２４がその段差構造に対して食いつくため片面封止構造
であっても、ターミナルランドフレームと封止樹脂２４
との密着性を得ることができる。さらにそもそも二重ラ
ンド構成体３０自体は、第１のランド構成体２７とその
上面に第２のランド構成体２９とより構成され、第２の
ランド構成体２９による段差を有しているため、封止樹
脂２４がその段差構造に対して食いつくため片面封止構
造であっても、ターミナルランドフレームと封止樹脂２
４との密着性をさらに高めることができる。

【００８５】次に図２１に示すように、ターミナルラン
ドフレームを固定した状態、例えばターミナルランドフ
レームの端部を固定し、封止樹脂２４で封止した領域を
フリーにした状態で、ターミナルランドフレームの下方
から二重ランド構成体３０の底面、すなわち第１のラン
ド構成体２７の底面に対して押圧力を印加する。図中、
△印で押圧力を示している。この場合、ターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、その下方から突き上げピン
により突き上げて押圧力を印加することにより、二重ラ
ンド構成体３０とターミナルランドフレームのフレーム
本体１０とが分離するものである。これは二重ランド構
成体３０とフレーム本体１０とを接続している極薄の第
１の薄厚部２６が突き上げによる押圧力で破断されるこ
とにより分離されるものである。

【００８６】図２２に示すように、二重ランド構成体と
フレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突き上げ
による押圧力で破断されることにより分離されて、樹脂
封止型半導体装置３２を得ることができる。図示するよ
うに、樹脂封止型半導体装置３２は、二重ランド構成体
３０がその底面に配列され、またその二重ランド構成体
３０が封止樹脂２４の底面よりも突出して設けられ、基
板実装時のスタンドオフが形成されているものである。
ここで樹脂封止型半導体装置３２の二重ランド構成体３
０の突出量は、フレーム本体の厚み量から第１のランド
構成体２７が突出した量を差し引いた量となり、二重ラ
ンド構成体３０の外部ランド電極としてのスタンドオフ
が形成されるものである。本実施形態では、２００［μ
ｍ］の厚みのフレーム本体に対して、第１のランド構成
体２７を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本
体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出させているた
め、スタンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）
となり、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極
を得ることができる。

【００８７】本実施形態の樹脂封止型半導体装置におい
て、二重ランド構成体３０は、第１のランド構成体２７
の上面に第２のランド構成体２９が形成された二重ラン
ド構成体３０であり、第２のランド構成体２９により、
二重ランド構成体３０としての底面には、凹部３１が設
けられているものである。この二重ランド構成体３０の
構成により、封止樹脂２４と二重ランド構成体３０の上
面領域との密着力はさらに高まり、樹脂封止型半導体装
置としての信頼性を向上させることができるものであ
る。すなわち、第２のランド構成体２９による段差によ
って封止樹脂２４との食いつきを良好にし、密着性を向
上させることができるものである。また、樹脂封止型半
導体装置をプリント基板等の実装基板に半田実装する
際、二重ランド構成体３０の底面の凹部３１により、半
田が凹部３１に入り、強固な接合ができるとともに、半
田のはみ出しを抑制できるため、実装精度、実装信頼性
が向上するものである。

【００８８】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体の下方からの突き
上げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型
半導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続した
ランド電極を配列することができる。その結果、面実装
タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリード接合
による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上させるこ
とができる。さらに樹脂封止型半導体装置において、各
ランド構成体の封止樹脂からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量から各ランド構成体
自体がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量
であり、フレーム本体から製品を分離した時点で基板実
装時のスタンドオフが構成されるものであり、あえて別
工程でランドのスタンドオフを形成する必要がないもの
である。

【００８９】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力を強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。

【００９０】

【発明の効果】以上、本発明のターミナルランドフレー
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した樹脂封止型半導体装置を実現す
ることができる。そして本発明により、樹脂封止型半導
体装置の底面のランド電極を基板等を用いることなく、
フレーム状態から形成でき、また自己整合的にランド電
極のスタンドオフを形成できるものであり、従来にない
フレーム構造、工法によりランド電極を有したリードレ
スパッケージ型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができるものである。さらに二重ランド構成体により、
基板実装の強度と精度を高めて、実装精度、実装信頼性
を向上させることができるものである。

【００９１】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図

【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図

【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図

【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図

【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図

【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図

【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図

【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図

【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図

【図１０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図

【図１１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図

【図１２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図

【図１３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図

【図１４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図

【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す底面図

【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図

【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２３】従来のリードフレームを示す平面図

【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図

【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図

【符号の説明】

１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ 薄厚部 １２ ランド構成体 １２ａ 底面部分 １２ｂ 上面部分 １３ 金属板 １４ ダイ部 １５ 押え金型 １６ 開口部 １７ パンチ部材 １８ 抜きダレ部 １９ せん断部 ２０ 破断部 ２１ 導電性接着剤 ２２ 半導体素子 ２３ 金属細線 ２４ 封止樹脂 ２５ 樹脂封止型半導体装置 ２６ 第１の薄厚部 ２７ 第１のランド構成体 ２８ 第２の薄厚部 ２９ 第２のランド構成体 ３０ 二重ランド構成体 ３１ 凹部 ３２ 樹脂封止型半導体装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 徹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 松尾 隆広 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 DA10 DB02 FA04

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
   レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
   レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
   して形成された複数のランド構成体とよりなる半導体素
   子搭載用のターミナルランドフレームであって、前記ラ
   ンド構成体は、第１の薄厚部で前記フレーム本体と接続
   した第１のランド構成体と、その上面に第２の薄厚部で
   接続されて設けられた第２のランド構成体とよりなる二
   重ランド構成体であって、少なくとも前記第１のランド
   構成体の底面に対して、前記フレーム本体から突出した
   方向への押圧力により、前記第１の薄厚部が破断されて
   前記二重ランド構成体が前記フレーム本体より分離され
   る構成であることを特徴とするターミナルランドフレー
   ム。
2. 【請求項２】 第１のランド構成体のフレーム本体から
   の突出量は、前記フレーム本体を構成している金属板の
   厚みの７０［％］〜９０［％］であり、第２のランド構
   成体のフレーム本体からの突出量は、前記フレーム本体
   を構成している金属板の厚みの４０［％］〜５０［％］
   であることを特徴とする請求項１に記載のターミナルラ
   ンドフレーム。
3. 【請求項３】 打ち抜き金型のダイ部にフレーム本体と
   なる金属板を載置し、前記金属板の上方から押え金型に
   より前記金属板を押さえる工程と、前記金属板の上方か
   らパンチ部材により前記金属板に対して押圧加工を行
   い、前記金属板の一部を前記ダイ部側の開口部側に突出
   するように押圧して、前記金属板の一部を半切断状態と
   することで、第２の薄厚部により前記金属板と接続さ
   れ、かつ前記金属板よりも突出して形成された第２のラ
   ンド構成体を形成する工程と、前記第２のランド構成体
   が形成された金属板の上方から押え金型により前記金属
   板を押さえた状態で、前記金属板の上方からパンチ部材
   により前記金属板の前記第２のランド構成体を包囲する
   領域に対して押圧加工を行い、前記金属板の一部を前記
   ダイ部側の開口部側に突出するように押圧して、前記金
   属板の一部を半切断状態とすることで、前記第２のラン
   ド構成体をその上面に有し、第１の薄厚部により前記金
   属板と接続され、かつ前記金属板よりも突出して形成さ
   れた第１のランド構成体を形成し、金属板に対して二重
   ランド構成体を形成する工程とよりなる半導体素子搭載
   用のターミナルランドフレームの製造方法であって、前
   記第１のランド構成体を形成する工程での半切断状態
   は、前記第１のランド構成体と前記金属板を接続する第
   １の薄厚部の厚さは、前記第２のランド構成体と前記金
   属板を接続する第２の薄厚部の厚さよりも薄く構成する
   半切断状態とすることを特徴とするターミナルランドフ
   レームの製造方法。
4. 【請求項４】 第２のランド構成体を形成する工程にお
   いて、フレーム本体からの突出させる量は、前記フレー
   ム本体を構成している金属板の厚みの４０［％］〜５０
   ［％］突出させて第２のランド構成体を形成し、第１の
   ランド構成体を形成する工程においては、半切断状態で
   フレーム本体からの突出させる量は、前記フレーム本体
   を構成している金属板の厚みの７０［％］〜９０［％］
   突出させて第１のランド構成体を形成することを特徴と
   する請求項３に記載のターミナルランドフレームの製造
   方法。
5. 【請求項５】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
   レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
   レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
   して形成された複数のランド構成体とよりなり、前記ラ
   ンド構成体は、第１の薄厚部で前記フレーム本体と接続
   した第１のランド構成体と、その上面に第２の薄厚部で
   接続されて設けられた第２のランド構成体とよりなる二
   重ランド構成体であって、前記第１のランド構成体の底
   面に対して、前記フレーム本体から突出した方向への押
   圧力により、前記第１の薄厚部が破断されて前記二重ラ
   ンド構成体が前記フレーム本体より分離される構成であ
   るターミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封
   止型半導体装置であって、前記二重ランド構成体のう
   ち、半導体素子用の第１の二重ランド構成体上に搭載さ
   れた半導体素子と、前記半導体素子の周辺に配置され、
   前記半導体素子と金属細線により電気的に接続された第
   ２の二重ランド構成体と、各二重ランド構成体群の底面
   を突出させて前記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂
   とよりなり、前記各ランド構成体群の封止樹脂からの突
   出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記ランド構成
   体群が前記フレーム本体から突出した量を差し引いた量
   であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
6. 【請求項６】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
   レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
   レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
   して形成された複数のランド構成体とよりなり、前記ラ
   ンド構成体は、第１の薄厚部で前記フレーム本体と接続
   した第１のランド構成体と、その上面に第２の薄厚部で
   接続されて設けられた第２のランド構成体とよりなる二
   重ランド構成体であって、前記第１のランド構成体の底
   面に対して、前記フレーム本体から突出した方向への押
   圧力により、前記第１の薄厚部が破断されて前記二重ラ
   ンド構成体が前記フレーム本体より分離される構成であ
   るターミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封
   止型半導体装置であって、前記二重ランド構成体のう
   ち、半導体素子用の第１の二重ランド構成体上に搭載さ
   れた半導体素子と、前記半導体素子の周辺に配置され、
   前記半導体素子と金属細線により電気的に接続された第
   ２の二重ランド構成体と、各二重ランド構成体群の底面
   を突出させて前記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂
   とよりなり、前記二重ランド構成体の前記封止樹脂に封
   止された領域は第２のランド構成体による段差を有し、
   前記二重ランド構成体の前記封止樹脂から露出した底面
   は前記第２のランド構成体による凹部を有していること
   を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
7. 【請求項７】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
   レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
   レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
   して形成された複数のランド構成体とよりなり、前記ラ
   ンド構成体は、第１の薄厚部で前記フレーム本体と接続
   した第１のランド構成体と、その上面に第２の薄厚部で
   接続されて設けられた第２のランド構成体とよりなる二
   重ランド構成体であって、前記第１のランド構成体の底
   面に対して、前記フレーム本体から突出した方向への押
   圧力により、前記第１の薄厚部が破断されて前記二重ラ
   ンド構成体が前記フレーム本体より分離される構成であ
   るターミナルランドフレームを用意する工程と、前記タ
   ーミナルランドフレームの二重ランド構成体群の一部の
   二重ランド構成体の突出した側に半導体素子を搭載する
   工程と、搭載した半導体素子とその周辺の二重ランド構
   成体とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記
   半導体素子の外囲であって、前記ターミナルランドフレ
   ームの上面側のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止型
   半導体装置を形成する工程と、前記ターミナルランドフ
   レームの前記フレーム本体を固定した状態で前記フレー
   ム本体の底面側から前記二重ランド構成体の少なくとも
   第１のランド構成体の底面側に対して押圧力を印加し、
   二重ランド構成体の第１のランド構成体とフレーム本体
   とを接続している第１の薄厚部を破断させ、前記フレー
   ム本体から樹脂封止型半導体装置を分離することを特徴
   とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。