JP2001024083A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2001024083A
JP2001024083A JP11195635A JP19563599A JP2001024083A JP 2001024083 A JP2001024083 A JP 2001024083A JP 11195635 A JP11195635 A JP 11195635A JP 19563599 A JP19563599 A JP 19563599A JP 2001024083 A JP2001024083 A JP 2001024083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
land
frame
resin
semiconductor device
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11195635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3921880B2 (ja
Inventor
Masanori Nano
匡紀 南尾
Osamu Adachi
修 安達
Toru Nomura
徹 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP19563599A priority Critical patent/JP3921880B2/ja
Publication of JP2001024083A publication Critical patent/JP2001024083A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3921880B2 publication Critical patent/JP3921880B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のビーム状のリードによるリードフレー
ムでは、小型・薄型の樹脂封止型半導体装置は実現でき
ず、またＢＧＡ型半導体装置のような高密度パッケージ
は実現できなかった。 【解決手段】 フレーム本体２６の領域内に配設され、
半切断による薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続
し、かつフレーム本体２６よりも突出して形成されたラ
ンド構成体２８を有したターミナルランドフレームを用
い、素子搭載後、その上面を全面封止し、封止樹脂３２
の分離領域にブレード切断による溝部３５を形成し、そ
してその下方からランド構成体２８の底面に対して、押
圧力を印加することにより、ランド構成体２８とフレー
ム本体２６とを接続している薄厚部２７が破断されて個
々の樹脂封止型半導体装置を確実に分離できる。しかも
このターミナルランドフレームにより高密度パッケージ
が実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、外部端子とな
るランド体を備えたフレームであるターミナルランドフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
るもので、特に生産効率を向上させた樹脂封止型半導体
装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図２１は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２１に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図２１に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２２は、図２１に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図２２に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２３に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図２２
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図２３において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。
【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。
【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。さらに本発明は、
従来のようにリードカット工程やリードベンド工程をな
くし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ることができ、
樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できるものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れ、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数のラ
ンド構成体群とよりなり、前記ランド構成体群は前記フ
レーム本体から突出した方向への押圧力によってのみ、
前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群が前記フレ
ーム本体より分離される構成であるターミナルランドフ
レームを用意する工程と、前記ターミナルランドフレー
ムの前記ランド構成体群の一部のランド構成体の突出し
た側に半導体素子を搭載する工程と、搭載した半導体素
子とランド構成体とを金属細線により電気的に接続する
工程と、搭載した半導体素子の外囲であって、前記ター
ミナルランドフレームの上面側全面を封止樹脂により封
止する工程と、前記ターミナルランドフレームの前記フ
レーム本体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側
から前記ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加
し、ランド構成体群とフレーム本体とを接続している薄
厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導
体装置を分離する工程とを有する樹脂封止型半導体装置
の製造方法である。
【００１４】さらに具体的には本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、
前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により
前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体より
も突出して形成され、その底面の面積よりも上面の面積
が大きい複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド
構成体群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧
力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体群が前記フレーム本体より分離される構成であるタ
ーミナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミ
ナルランドフレームの前記ランド構成体群の一部のラン
ド構成体の突出した側に半導体素子を複数個搭載する工
程と、搭載した各半導体素子と各ランド構成体とを金属
細線により電気的に接続する工程と、搭載した複数の半
導体素子の外囲であって、前記ターミナルランドフレー
ムの上面側を封止樹脂により全面封止する工程と、その
上面を封止樹脂で全面封止したターミナルランドフレー
ムに対して、その上面の封止樹脂に対してブレードで切
断し、前記封止樹脂に対して切断による溝部を形成する
工程と、前記封止樹脂部に切断による溝部を形成した前
記ターミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定
した状態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド構
成体の底面側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群
とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、前
記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工
程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
【００１５】また、上面を封止樹脂で全面封止したター
ミナルランドフレームに対して、その上面の封止樹脂に
対してブレードで切断し、封止樹脂に対して切断による
溝部を形成する工程では、封止樹脂部に対して切断によ
る第１の溝部を形成するとともに、その第１の溝部に連
続してターミナルランドフレーム自体の上面にも前記第
１の溝部よりも段差の小さい第２の溝部を形成する樹脂
封止型半導体装置の製造方法である。
【００１６】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレー
ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複
数のランド構成体群とよりなり、前記ランド構成体群は
前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によって
のみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群が前
記フレーム本体より分離される構成であるターミナルラ
ンドフレームを用意する工程と、前記ターミナルランド
フレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成体の
突出した側に半導体素子を複数個搭載する工程と、搭載
した各半導体素子と各ランド構成体とを金属細線により
電気的に接続する工程と、搭載した複数の半導体素子の
外囲であって、前記ターミナルランドフレームの上面側
を封止樹脂により全面封止するとともに、前記封止樹脂
の表面に対して、個々の半導体素子ごとの分離領域を区
切る樹脂段差部を形成する工程と、その上面を封止樹脂
で全面封止したターミナルランドフレームに対して、そ
の上面の封止樹脂の前記樹脂段差部に対してブレードで
切断し、前記封止樹脂に対して切断による溝部を形成す
る工程と、前記封止樹脂部に切断による溝部を形成した
前記ターミナルランドフレームの前記フレーム本体を固
定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド
構成体の底面側に対して押圧力を印加し、ランド構成体
群とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、
前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する
工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法である。
【００１７】前記構成の通り、本発明のターミナルラン
ドフレームは、樹脂封止型半導体装置を構成した際、そ
の外部電極となるランド構成体を設けたものであり、そ
のランド構成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力
により、ランド構成体とフレーム本体とを接続している
部分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本
体から分離することができるので、リードカット工程や
リードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。これは比較的、精度
が要求された従来のリードフレームにおけるリードカッ
ト工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き
上げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分
離する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、
変形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止
型半導体装置を得ることができるものである。
【００１８】またランド構成体、またはランド構成体お
よびダイパッド部において、その突出した上面はコイニ
ングされてキノコ状を構成しているので、本発明のター
ミナルランドフレームに対して、半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際には、封止樹脂の食いつきを良好にし、
封止樹脂の密着性を向上させることができる。
【００１９】またターミナルランドフレームの製造方法
においては、パンチ部材により金属板の一部を打ち抜き
加工する際、完全に打ち抜かず、途中でパンチ部材の押
圧を停止させることで、半切断状態を形成し、金属板の
押圧された部分を切り離すことなく、金属板の本体に接
続させて残存させることができる。また、金属板のラン
ド構成体を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面
積はダイ部に設けた開口部の開口面積よりも小さく、そ
のパンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板か
ら突出したランド構成体を形成する工程においては、金
属板から突出したランド構成体の上面部分の面積が、金
属板側に接続したランド構成体の底面部分の面積よりも
大きく、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は
抜きダレによる曲面を有しているランド構成体を形成す
るものである。この構造により、形成されたランド構成
体は、それが突出した方向に対しての押圧力、すなわち
ランド構成体の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであり、またそれが突出した方向、すな
わちランド構成体の上面部分からの押圧力によっては分
離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離す
る構造となる。
【００２０】したがって本発明の樹脂封止型半導体装置
は、ランド構成体がその底面に配列され、またランド構
成体が封止樹脂の底面よりも突出して設けられ、基板実
装時のスタンドオフが形成されているものである。ここ
で樹脂封止型半導体装置のランド構成体の突出量は、フ
レーム本体の厚み量からランド構成体が突出した量を差
し引いた量となり、ランド構成体の外部ランド電極とし
てのスタンドオフが、ターミナルランドフレームを用い
ることにより、別工程によりスタンドオフを形成せずに
自己整合的に形成されるものである。
【００２１】また本発明のターミナルランドフレームを
用いることにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法においては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した
後、ランド構成体、ダイパッド部分の下方からの突き上
げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半
導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したラ
ンド電極を配列することができる。また、本発明のター
ミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する際、樹脂封止時において、ランド底面部分への
樹脂バリの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部
電極としてのスタンドオフが確保できるものである。
【００２２】さらに本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、上面を封止樹脂で全面封止したターミナル
ランドフレームに対して、その上面の封止樹脂に対して
回転ブレードで切削し、各樹脂封止型半導体装置ごとに
樹脂部に溝部を形成した後、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体の底面に対して、押圧力を印加
して、樹脂封止型半導体装置を分離できるため、ターミ
ナルランドフレームの上面を全面樹脂封止することによ
り、生産性を高めた樹脂封止型半導体装置の製造方法を
実現できるものである。また、樹脂部に第１の溝部を形
成し、さらにその下方のターミナルランドフレームのフ
レーム材に対しても第２の溝部を形成した後、ターミナ
ルランドフレームの下方からランド構成体の底面に対し
て、押圧力を印加して、樹脂封止型半導体装置を分離す
ることにより、樹脂残りを防止し、確実に分離できるも
のである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
【００２４】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の一部の断面を示している。図３は図２に
おけるランド構成体部分を拡大して示す断面図である。
【００２５】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
【００２６】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。
【００２７】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。
【００２８】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、その表面がメッキ処理されたものであり、必要に
応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）
および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキさ
れているものである。メッキ処理については、ランド構
成体１２を成形した後に行ってもよく、または金属板へ
のランド構成体の成形前に行ってもよい。またターミナ
ルランドフレームの表面粗さについては、極めて平坦で
あって、０．１［μｍ］以下であり、封止樹脂との剥離
性に影響するものであり、ランド構成体１２以外の部分
には無用な凹凸がないようにする必要がある。
【００２９】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。
【００３０】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。
【００３１】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。
【００３２】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。
【００３３】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。
【００３４】図４および図５は、ターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。
【００３５】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。
【００３６】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。
【００３７】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。
【００３８】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。
【００３９】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出した形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。
【００４０】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。
【００４１】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。ランド構成体１２の形成として
は、パンチ部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダ
レ部１８，せん断部１９，破断部２０の順に形成されて
いくものである。破断部２０となる部分は薄厚部１１で
あり、図面上はモデル的に示している関係上、相当の厚
みを有しているように示されているが、実質的には極め
て薄い状態である。また金属板１３の打ち抜き加工にお
いては、理想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パン
チ部材１７が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚み
の１／２を打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止さ
せ、打ち抜きを完了させるものであるが、その条件は適
宜、設定するものである。
【００４２】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。
【００４３】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示すのみ
であり省略する。
【００４４】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体２１の内、第１のランド構成体２
１ａ，２１ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２２、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２３と、その半導体素子２３の周辺に配置され、半導体
素子２３と金属細線２４により電気的に接続された第２
のランド構成体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆと、各
ランド構成体２１の底面を突出させて半導体素子２３の
外囲を封止した封止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体２１の封止樹脂２５からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２１
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。
【００４５】本実施形態では、ランド構成体２１の一部
を半導体素子２３を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体２１は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイを
構成しているものである。そして、搭載する半導体素子
の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の支持用のラン
ド構成体２１を適宜、設定することができる。また、従
来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置とは
異なり、ランド構成体２１の面積は、１００［μｍ］以
上のワイヤーボンドができる大きさであればよく、また
高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程度であるた
め、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
【００４６】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１の
上面の面積が、封止樹脂２５から露出、突出した側のラ
ンド構成体２１の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体２１の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体２１は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２５とラ
ンド構成体２１との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体２１と封止樹脂２５との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。
【００４７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【００４８】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とよりなり、ランド構成体２８はフレーム
本体２６からそれが突出した方向への押圧力によっての
み、薄厚部２７が破断されてランド構成体２８がフレー
ム本体２６より分離される構成を有するターミナルラン
ドフレームを用意する。
【００４９】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体２８が突出した面側であ
って、ランド構成体２８の内、所定の第１のランド構成
体２８ａ，２８ｂ上に導電性接着剤２９、または絶縁性
ペーストにより半導体素子３０を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着材２９の塗布、半導体素子３０の載置、加熱処
理により半導体素子３０を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体２８が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
２８の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体２８の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体２８は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。
【００５０】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド構
成体２８の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆとを金属細線３１に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体２８
は上面の金属細線３１が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体２８は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線３１をランド構成体２８の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
２８は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。
【００５１】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および電
気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３２
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面の
みが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体２８は突出
して設けられているため、封止樹脂３２がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂３２との密着性を得る
ことができる。
【００５２】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体２８の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体２８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体２６とが分離するも
のである。ランド構成体２８とフレーム本体２６とを接
続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体２８を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体２８を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き上げを
行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構成体２
８が分離できるものであればよく、例えばフレーム本体
２６に対してひねりを加えても分離させることができる
が、信頼性を考慮して行う。
【００５３】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体２
８とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部２７が
突き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３３を得ることができる。な
お、ここで封止樹脂３２とフレーム本体との剥離は、フ
レーム本体のランド構成体２８を形成した部分以外の領
域と封止樹脂との密着性が弱く、ランド構成体２８が分
離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り出す
ことができるものである。ランド構成体２８部分はその
凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せずに封
止樹脂３２内に形成されるものである。図示するよう
に、樹脂封止型半導体装置３３は、ランド構成体２８が
その底面に配列され、またランド構成体２８が封止樹脂
３２の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタ
ンドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止
型半導体装置３３のランド構成体２８の突出量は、フレ
ーム本体の厚み量からランド構成体２８が突出した量を
差し引いた量となり、ランド構成体２８の外部ランド電
極としてのスタンドオフが形成されるものである。本実
施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレーム本体に対
して、ランド構成体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
突出させているため、スタンドオフ高さの量は、２０
［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚みの１０
［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタンドオ
フを有したランド電極を得ることができる。
【００５４】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体２８部分に対する突き上げ法の他、フレーム本体自
体を引き剥がすことにより、分離できるものであるが、
製品の信頼性を考慮して分離方法を採用するものであ
る。
【００５５】さらに本実施形態で示したような半導体素
子を搭載するランド構成の代わりにランド構成体よりも
面積的に大きいダイパッド部を半切断で形成してターミ
ナルランドフレームを構成してもよい。そしてそのター
ミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を
形成してもよい。
【００５６】次に本発明のターミナルランドフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について、別の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００５７】まず本実施形態で用いるターミナルランド
フレームについて説明する。図１０は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法で用いるターミナルランド
フレームを示す平面図である。図１１は本実施形態のタ
ーミナルランドフレームを示す断面図であり、図１０に
おいて、Ｃ−Ｃ１箇所の一部の断面を示している。
【００５８】図１０，図１１に示すように、本実施形態
で用いるターミナルランドフレームは、図１，図２およ
び図３に示したターミナルランドフレームと同様の構成
を有するものであり、銅材または、４２−アロイ等の通
常のリードフレームに用いられている金属板よりなるフ
レーム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格
子状に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０
と接続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体１２とよりなるものである。す
なわち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄
厚部１１は同一の金属板より一体で形成されているもの
である。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０か
ら突出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断さ
れてランド構成体１２がフレーム本体１０より分離され
る構成を有するものである。そしてランド構成体１２の
配列は、図１０に示すようにフレーム全面の配列でもよ
い。
【００５９】なお、本実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法については、前記したようなプレス加工
を用いた半切断工法と同様である。
【００６０】次にターミナルランドフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。図１
２〜図１９は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【００６１】まず図１２に示すように、フレーム本体２
６と、そのフレーム本体２６の領域内に格子状に配設さ
れて、半切断による薄厚部２７によりフレーム本体２６
と接続し、かつフレーム本体２６よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体２８とよりなり、そのランド構
成体２８はフレーム本体２６から突出した方向への押圧
力によってのみ、薄厚部２７が破断されてランド構成体
２８がフレーム本体２６より分離される構成を有するタ
ーミナルランドフレームを用意する。
【００６２】次に図１３に示すように、ターミナルラン
ドフレームのランド構成体２８が突出した面側であっ
て、ランド構成体２８の内、半導体素子搭載用のランド
構成体上に導電性接着剤２９、または絶縁性ペーストに
より半導体素子３０を載置、接合する。この工程は半導
体装置の組立工程におけるダイボンド工程に相当する工
程であり、ターミナルランドフレームへの導電性接着材
２９の塗布、半導体素子３０の載置、加熱処理により半
導体素子３０を接合するものである。ここで、ターミナ
ルランドフレームは、ランド構成体２８が突出した方向
に対しての押圧力、すなわちランド構成体２８の底面部
分側からの押圧力により、容易に分離されるものである
が、それが突出した方向、すなわちランド構成体２８の
上面部分からの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造であるた
め、半導体素子３０を搭載する際、フレームに対して下
方の押圧力が作用しても、ランド構成体２８は分離せ
ず、安定してダイボンドできるものである。
【００６３】次に図１４に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド構成体
２８の内、外部ランド電極となるランド構成体とを金属
細線３１により電気的に接続する。したがって、ランド
構成体２８は上面の金属細線３１が接続される面の面積
は１００［μｍ］以上である。また、この工程において
も、ランド構成体２８は一方向からの押圧力にのみ分離
する構造であるため、金属細線３１をランド構成体２８
の上面に接続する際、下方に押圧力が作用しても、ラン
ド構成体２８は分離せず、安定してワイヤーボンドでき
るものである。
【００６４】次に図１５に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した半導体素子３０、および電気的
接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３２によ
りフレームの上面領域を全面封止する。通常は上下封止
金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止を
行う。ここではターミナルランドフレームの半導体素子
３０が搭載された面のみが封止樹脂３２により封止され
るものであり、片面封止構造となっている。そして各ラ
ンド構成体２８は突出して設けられているため、封止樹
脂３２がその段差構造に対して、食いつくため片面封止
構造であっても、ターミナルランドフレームと封止樹脂
３２との密着性を得ることができる。
【００６５】なお、この工程では封止樹脂３２の表面に
対して、個々の半導体素子３０の分離領域を示すマーキ
ング的な樹脂による樹脂段差部の凹凸を形成しておいて
もよく、後工程のブレードによる個別領域の樹脂分離の
位置精度を確保できる。すなわち、工程として搭載した
複数の半導体素子３０の外囲であって、ターミナルラン
ドフレームの上面側を封止樹脂３２により全面封止する
とともに、封止樹脂３２の表面に対して、個々の半導体
素子３０ごとの分離領域を区切る樹脂段差部を形成する
ものである。樹脂段差部の形成は、封止金型に個々に段
差形成されるような凹部、凸部を設けることにより可能
である。
【００６６】次に図１６に示すように、上面を封止樹脂
３２で全面封止したターミナルランドフレームに対し
て、その上面の封止樹脂３２に対して回転ブレード３４
で切削し、半導体素子３０と半導体素子３０との間の領
域、すなわち将来、樹脂封止型半導体装置を単体で構成
できる半導体素子３０ごとの分離領域の封止樹脂３２に
対して切断による溝部を形成する。ここでは封止樹脂３
２に形成する溝部は、封止樹脂３２のみを切削して形成
した溝部であり、ターミナルランドフレームのフレーム
材が残されているものである。また使用する回転ブレー
ド３４は、通常、半導体ウェハーのダイシングで使用す
るブレードと同様にダイアモンドブレードを用いる。そ
してブレード形状、ブレード幅、回転数、送り条件は適
宜、設定する。また封止樹脂３２のみの切断において
は、切り残し厚を設定することにより、容易に封止樹脂
３２のみを切削して溝部を形成できる。
【００６７】次に図１７に示すように、封止樹脂３２の
分離領域にブレード切断による溝部３５を形成したター
ミナルランドフレームを固定した状態、例えばターミナ
ルランドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止
した領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレ
ームの下方からランド構成体２８の底面に対して、押圧
力を印加する。この場合、ターミナルランドフレームの
端部を固定し、その下方から突き上げピンにより突き上
げて押圧力を印加することにより、ランド構成体２８と
ターミナルランドフレームのフレーム本体２６とが分離
するものである。ランド構成体２８とフレーム本体２６
とを接続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押
圧力で破断されることにより分離されるものである。ま
た、突き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導
体素子３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突
き上げてもよく、または周辺部のランド構成体２８を突
き上げてもよく、またはすべてのランド構成体２８を突
き上げてもよい。ただし、部分的な突き上げによりラン
ド構成体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き
上げを行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構
成体２８が分離できるものであればよく、例えばフレー
ム本体２６に対してひねりを加えても分離させることが
できるが、信頼性を考慮して行う。
【００６８】図１８に示すように、ランド構成体２８と
フレーム本体とを接続している極薄の薄厚部２７が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されて、
単体の樹脂封止型半導体装置３３を得ることができる。
なお、ここで封止樹脂３２とフレーム本体との剥離は、
フレーム本体のランド構成体２８を形成した部分以外の
領域と封止樹脂との密着性が弱く、ランド構成体２８が
分離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り出
すことができるものである。ランド構成体２８部分はそ
の凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せずに
封止樹脂３２内に形成されるものである。図示するよう
に、樹脂封止型半導体装置３３は、ランド構成体２８が
その底面に配列され、またランド構成体２８が封止樹脂
３２の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタ
ンドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止
型半導体装置３３のランド構成体２８の突出量は、フレ
ーム本体の厚み量からランド構成体２８が突出した量を
差し引いた量となり、ランド構成体２８の外部ランド電
極としてのスタンドオフが形成されるものである。本実
施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレーム本体に対
して、ランド構成体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
突出させているため、スタンドオフ高さの量は、２０
［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚みの１０
［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタンドオ
フを有したランド電極を得ることができる。
【００６９】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体２８部分に対する突き上げ法の他、フレーム本体自
体を引き剥がすことにより、分離できるものであるが、
製品の信頼性を考慮して分離方法を採用するものであ
る。
【００７０】さらに本実施形態で示したような半導体素
子を搭載するランド構成の代わりにランド構成体よりも
面積的に大きいダイパッド部を半切断で形成してターミ
ナルランドフレームを構成してもよい。そしてそのター
ミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を
形成してもよい。
【００７１】また本実施形態では、封止樹脂の分離領域
にのみブレード切断による溝部を形成した後、突き上げ
等により樹脂封止型半導体装置の単体を個々にフレーム
から分離したが、その溝部の形成においては、図１９の
断面図に示すように、上面を封止樹脂３２で全面封止し
たターミナルランドフレームに対して、その上面の封止
樹脂３２に対して回転ブレードで切削し、半導体素子３
０と半導体素子３０との間の領域、すなわち将来、樹脂
封止型半導体装置を単体で構成できる半導体素子３０ご
との分離領域の封止樹脂３２に対して切断による第１の
溝部３６を形成し、それに連続してさらに、ターミナル
ランドフレームのフレーム材に対しても第２の溝部３７
を形成してもよい。このように、ターミナルランドフレ
ームのフレーム材に対しても、若干の切り込み的な溝部
３７を形成することにより、上面の封止樹脂３２を確実
に分離できるので、後工程の突き上げ等による分離の際
には、確実に個々の樹脂封止型半導体装置に分離でき
る。フレーム材に対する第２の溝部としては、その表面
に２０〜３０［μｍ］の溝が形成される程度の段差でよ
い。
【００７２】また図２０の斜視断面図に示すように、樹
脂封止工程において、搭載した複数の半導体素子３０の
外囲であって、ターミナルランドフレームの上面側を封
止樹脂３２により全面封止するとともに、封止樹脂３２
の表面に対して、個々の半導体素子３０ごとの分離領域
を区切るマーキング的な樹脂段差部３８（凹凸）を形成
しておくことにより、封止樹脂３２の分離領域に回転ブ
レード３４による溝部を形成し、封止樹脂３２を切断す
る際、樹脂部切断における回転ブレード３４による個別
領域の樹脂分離の位置精度を確保できる。
【００７３】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体、ダイパッド部分
の下方からの突き上げによりフレーム自体を除去するだ
けで、樹脂封止型半導体装置の底面部分に半導体素子と
電気的に接続したランド電極を配列することができる。
その結果、面実装タイプの半導体装置が得られ、従来の
ようなリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼
性を向上させることができる。さらに樹脂封止型半導体
装置において、各ランド構成体の封止樹脂からの突出量
は、使用したターミナルランドフレーム本体の厚み量か
ら各ランド構成体自体がそのフレーム本体から突出した
量を差し引いた量であり、フレーム本体から製品を分離
した時点で基板実装時のスタンドオフが構成されるもの
であり、あえて別工程でランドのスタンドオフを形成す
る必要がないものである。
【００７４】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力を強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。
【００７５】また、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法のように、上面を封止樹脂で一括封止したタ
ーミナルランドフレームに対して、その上面の封止樹脂
に対して回転ブレードで切削し、各樹脂封止型半導体装
置ごとに樹脂部に溝部を形成した後、ターミナルランド
フレームの下方からランド構成体の底面に対して、押圧
力を印加して、樹脂封止型半導体装置を分離するため、
一括でターミナルランドフレームの上面を樹脂封止する
ことにより、個々に樹脂封止するよりも生産性を高めた
樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現できるものであ
る。また、樹脂部に第１の溝部を形成し、さらにその下
方のターミナルランドフレームのフレーム材に対しても
第２の溝部を形成した後、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体の底面に対して、押圧力を印加し
て、樹脂封止型半導体装置を分離することにより、樹脂
残りを防止し、確実に分離できるものである。
【００７６】
【発明の効果】以上、本発明のターミナルランドフレー
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した樹脂封止型半導体装置を実現す
ることができる。そして本発明により、樹脂封止型半導
体装置の底面のランド電極を基板等を用いることなく、
フレーム状態から形成でき、また自己整合的にランド電
極のスタンドオフを形成できるものであり、従来にない
フレーム構造、工法によりランド電極を有したリードレ
スパッケージ型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができるものである。
【００７７】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。
【００７８】さらに本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、上面を封止樹脂で一括封止したターミナル
ランドフレームに対して、その上面の封止樹脂に対して
回転ブレードで切削し、各樹脂封止型半導体装置ごとに
樹脂部に溝部を形成した後、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体の底面に対して、押圧力を印加
して、樹脂封止型半導体装置を分離できるため、一括で
ターミナルランドフレームの上面を樹脂封止することに
より、生産性を高めた樹脂封止型半導体装置の製造方法
を実現できるものである。また、樹脂部に第１の溝部を
形成し、さらにその下方のターミナルランドフレームの
フレーム材に対しても第２の溝部を形成した後、ターミ
ナルランドフレームの下方からランド構成体の底面に対
して、押圧力を印加して、樹脂封止型半導体装置を分離
することにより、樹脂残りを防止し、確実に分離できる
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図
【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
【図１１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す図
【図２１】従来のリードフレームを示す平面図
【図２２】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図
【符号の説明】
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ 薄厚部 １２ ランド構成体 １２ａ 底面部分 １２ｂ 上面部分 １３ 金属板 １４ ダイ部 １５ 押え金型 １６ 開口部 １７ パンチ部材 １８ 抜きダレ部 １９ せん断部 ２０ 破断部 ２１ ランド構成体 ２２ 導電性接着剤 ２３ 半導体素子 ２４ 金属細線 ２５ 封止樹脂 ２６ フレーム本体 ２７ 薄厚部 ２８ ランド構成体 ２９ 導電性接着剤 ３０ 半導体素子 ３１ 金属細線 ３２ 封止樹脂 ３３ 樹脂封止型半導体装置 ３４ 回転ブレード ３５ 溝部 ３６ 第１の溝部 ３７ 第２の溝部 ３８ 樹脂段差部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
    レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
    して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
    い複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド構成体
    群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によ
    ってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群
    が前記フレーム本体より分離される構成であるターミナ
    ルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナルラ
    ンドフレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成
    体の突出した側に半導体素子を複数個搭載する工程と、
    搭載した各半導体素子と各ランド構成体とを金属細線に
    より電気的に接続する工程と、搭載した複数の半導体素
    子の外囲であって、前記ターミナルランドフレームの上
    面側を封止樹脂により全面封止する工程と、その上面を
    封止樹脂で全面封止したターミナルランドフレームに対
    して、その上面の封止樹脂に対してブレードで切断し、
    前記封止樹脂に対して切断による溝部を形成する工程
    と、前記封止樹脂部に切断による溝部を形成した前記タ
    ーミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定した
    状態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド構成体
    の底面側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群とフ
    レーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記フ
    レーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程と
    を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 上面を封止樹脂で全面封止したターミナ
    ルランドフレームに対して、その上面の封止樹脂に対し
    てブレードで切断し、封止樹脂に対して切断による溝部
    を形成する工程では、封止樹脂部に対して切断による第
    １の溝部を形成するとともに、その第１の溝部に連続し
    てターミナルランドフレーム自体の上面にも前記第１の
    溝部よりも段差の小さい第２の溝部を形成することを特
    徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造
    方法。
  3. 【請求項３】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
    レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
    して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
    い複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド構成体
    群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によ
    ってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群
    が前記フレーム本体より分離される構成であるターミナ
    ルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナルラ
    ンドフレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成
    体の突出した側に半導体素子を複数個搭載する工程と、
    搭載した各半導体素子と各ランド構成体とを金属細線に
    より電気的に接続する工程と、搭載した複数の半導体素
    子の外囲であって、前記ターミナルランドフレームの上
    面側を封止樹脂により全面封止するとともに、前記封止
    樹脂の表面に対して、個々の半導体素子ごとの分離領域
    を区切る樹脂段差部を形成する工程と、その上面を封止
    樹脂で全面封止したターミナルランドフレームに対し
    て、その上面の封止樹脂の前記樹脂段差部に対してブレ
    ードで切断し、前記封止樹脂に対して切断による溝部を
    形成する工程と、前記封止樹脂部に切断による溝部を形
    成した前記ターミナルランドフレームの前記フレーム本
    体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記
    ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加し、ランド
    構成体群とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断
    させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分
    離する工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
JP19563599A 1999-07-09 1999-07-09 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3921880B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19563599A JP3921880B2 (ja) 1999-07-09 1999-07-09 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19563599A JP3921880B2 (ja) 1999-07-09 1999-07-09 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001024083A true JP2001024083A (ja) 2001-01-26
JP3921880B2 JP3921880B2 (ja) 2007-05-30

Family

ID=16344455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19563599A Expired - Fee Related JP3921880B2 (ja) 1999-07-09 1999-07-09 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3921880B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10148043A1 (de) * 2001-09-28 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung
WO2010150365A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN101937850A (zh) * 2009-06-30 2011-01-05 佳能株式会社 封装制造方法和半导体装置
JP2019041063A (ja) * 2017-08-28 2019-03-14 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板及びその製造方法
JP2019216265A (ja) * 2019-08-27 2019-12-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10148043A1 (de) * 2001-09-28 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung
WO2010150365A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5497030B2 (ja) * 2009-06-24 2014-05-21 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8866296B2 (en) 2009-06-24 2014-10-21 Aoi Electronics Co., Ltd. Semiconductor device comprising thin-film terminal with deformed portion
CN101937850A (zh) * 2009-06-30 2011-01-05 佳能株式会社 封装制造方法和半导体装置
CN101937850B (zh) * 2009-06-30 2012-08-22 佳能株式会社 封装制造方法和半导体装置
US8450153B2 (en) 2009-06-30 2013-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Package manufacturing method and semiconductor device
US8847379B2 (en) 2009-06-30 2014-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Package manufacturing method and semiconductor device
JP2019041063A (ja) * 2017-08-28 2019-03-14 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板及びその製造方法
JP2019216265A (ja) * 2019-08-27 2019-12-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7054008B2 (ja) 2019-08-27 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3921880B2 (ja) 2007-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100564006B1 (ko) 터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법
JP3062192B1 (ja) リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3460646B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3921880B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2986788B1 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2002246529A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2997255B1 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3921885B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3965813B2 (ja) ターミナルランドフレームの製造方法
JP3449266B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2986787B1 (ja) ターミナルランドフレームおよびその製造方法
JP4266429B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3890822B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4013452B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3449265B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3928284B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3928286B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3823651B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3422276B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3449267B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001077285A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4045718B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2001077273A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2000332149A (ja) ターミナルランドフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2002026181A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050317

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061114

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070212

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees