KR20010076324A - 전자장치와 반도체집적회로 및 정보처리 시스템 - Google Patents

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KR20010076324A
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Abstract

본 발명은 전자장치와 반도체집적회로 및 정보처리시스템에 관한 것으로서 제 1의 동작전류를 소비하는 제 1의 동작모드 및 상기 제 1의 동작전류보다도 작은 제 2의 동작전류를 소비하는 제 2의 동작모드를 구비한 내부회로에 대해서 입력전원전압으로부터 규정출력전원전압을 출력하고 상기 내부회로의 상기 제 1의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 1의 전원제어기 및 상기 제 2의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 2의 전원제어기를 조합시켜 전원제어부에 의해 상기 내부회로에 있어서 제 1의 동작모드를 지시하는 제 1의 제어신호에 응답하여 상기 제 1의 전원제어기를 동작시켜 상기 제 2의 동작모드를 지시하는 제 2의 제어신호에 응답하여 상기 제 2의 전원제어기를 동작시키는 동작시키면서 상기 내부회로 및 전원제어부를 하나의 반도체집적회로 장치에 설치하는 저소비전력화 소형화 및 소형화와 저소비전력화를 실현한 전자장치를 제공하는 기술이 제시된다.

Description

전자장치와 반도체집적회로 및 정보처리 시스템{ELECTRONIC DIVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND DATA PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 전자장치와 반도체 집적회로 및 정보처리 시스템에 관하여 주로 전지구동되는 휴대용전자장치의 전원공급기술에 이용하는 유효한 기술에 관한 것이다.
반도체 칩 사이의 인터페이스에는 표준적인 전원전압(예를들면 3.3V)가 사용되어지는 편으로 미세화가 진행에 따라서 트랜지터의 내압은 저압하고 있기 때문에 LSI(대규모 반도체집적회로장치)의 내부전원전압은 세대별로 저전압화되는 방향이다. 그러나 이와같은 LSI에서는 내부전원전압이 일반에 칩마다 다르므로 내부전원전압을 실장보드상의 전원으로부터 공급하는 칩의 수만큼 전원을 용의하는 것이 되고 시스템의 가격상승과 실장면적의 증대를 일으키는 문제가 있다.
본 문제를 해결하는 기술로서 하강압형의 스위칭제어기를인덕턴스(Inductance)와 커패시터(Capacitor)로 이루는 평활회로를 제거하여 온 칩화하고 반도체 칩에는 인터페이스용의 표준적인 전원전압(Vcc)만을 공급하고 각 칩위에서 하강압하여 내부전원전압(Vddi)를 발생시키는 방법이 알려져 있다. 이와 같은 기술에 관해서는 Proceeding of Custom Integrated Circuits Conference, May 1997, pp.587-590과 International Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers, Feb. 1999, pp156-157에 기재되어 있다.
상기 종래기술에서는 칩상의 내부회로가 준비상태(Stand-by)(예를들면 내장된 CPU의 클록이 정지한 상태)이고 그 부하전류가 매우 작아진 경우에는 전력변환효율이 극단으로 저하하고 내부회로에 매우 미소한 전력만 공급하는 필요가 없음에도 불구하고 스위칭제어기 자신만의 전력을 소비해버리는 문제가 있다. 이것은 스위칭제어기내의 출력펄스를 형성하는 출력MOSFET의 스위칭동작에 의해 소비되는 AC전력이 출력전압과 비교하여 무시할 수 없는 크기가 되기 때문이다. 특히 휴대용전자기기에서는 이와 같은 스탠바이시의 전력손실은 휴대기기의 중요한 성능지표인 밧데리수명을 단축하는 원인이 된다.
본 발명자등에 있어서는 본 발명을 이룬 후의 공지기술의 조사에 의해 일본국 특개평5-260727호공보 일본국특표평9-503120호 공보 미국우선출원번호 08/130, 092에 있어서 스위칭제어기와 직렬제어기를 조합시켜 출력전류에 의해 양자를 분리하여 전력손실을 작게하는 점의 전원장치가 개시되어 있는 것을 인식하고 있다. 그러나 상기의 전원장치에서는 출력전류를 모니터하여 상기 양자의 절환을 실행하는 것으로 한편으로 보면 합리적이지만 마이크로컴퓨터등과 같은 전자장치에서는CPU(중앙처리장치)등이 아무 동작도 실행하지 않는 스탠바이상태와 데이터처리를 실행하는 동작상태에서는 소비되는 전류가 크게 다르다. 특히, 스탠바이상태로부터 동작상태가 될 때에는 급격하게 전류가 커진다. 따라서, 상기와 같이 소비전류를 모니터하여 전원회로의 절환을 실행한 것은 CPU의 동작에 필요한 전압과 전류가 확보할 수 없이 오동작을 일으키는 문제가 생긴다.
본 발명자에 있어서는 상기 마이크로컴퓨터등과 같은 프로그램제어되는 전자장치에서는 그 자신이 동작모드를 설정하는 것에 착안하여 상기 내부에서 발생한 제어신호를 이용하여 전원장치의 고효율화를 도모하는 것을 고려했다. 또한, 전자장치에 있어서는 회로소자를 반도체집적회로장치의 내부에 취입하는 것에 의해 부품점수를 삭감하는 방향으로 향하고 있다. 그러나, 전원회로에서는 회로소자의 내장화가 반드시 유리한 것은 아닌 것을 발견하였다.
본 발명의 목적은 저소비전력화를 실현한 전자장치와 반도체집적회로 및 정보처리시스템을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 소형화를 실현한 전자장치와 정보처리시스템을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 소형화와 저소비전력화를 실현한 전자장치 및 정보처리시스템을 제공하는 것이다. 본 발명의 상기 및 상기 외의 목적과 신규특징은 본 명세성의 기술 및 첨부도면으로부터 명확하게 될 것이다.
본 원에 있어서 개시되는 발명 가운데 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다. 즉, 제 1의 동작전류를 소비하는 제 1의 동작모드 및 상기 제1의 동작전류보다도 작은 제 2의 동작전류를 소비하는 제 2의 동작모드를 구비한 내부회로에 대해서 입력전원전압으로부터 규정출력전원전압을 출력하고 상기 내부회로의 상기 제 1의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 가지는 제 1의 전압제어기 및 상기 제 2의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 가지는 제 2의 전원 제어기를 조합시켜 전원제어부에 의해 상기 내부회로에 있어서의 제 1의 동작모드를 지시하는 제 1의 제어신호에 응답하여 상기 제 1의 하강압형 제어기를 동작시켜 상기 제 2의 동작모드를 지시하는 제 2의 제어신호에 응답하여 상기 제 2의 하강압형 제어기를 동작시키면서 상기 내부회로 및 전원제어부를 하나의 반도체집적회로장치에 설치한다.
본 원에 있어서 개시되는 발명 가운데 다른 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다. 즉, 입력전원전압으로부터 규정출력전원전압을 출력하는 스위칭제어기와 상기의 스위칭제어기로부터의 급전에 의해 동작하는 내부회로를 구비한 반도체집적회로장치를 포함하는 전자장치에 있어서 상기 스위칭제어기를 상기 반도체집적회로장치에 형성된 드라이버제어회로와 상기 반도체집적회로장치의 외부에 설치되고 상기 드라이버제어회로에서 형성된 구동신호에 의해 출력펄스신호를 형성하는 출력회로와 상기 출력펄스신호를 평활하는 인덕턴스와 커패시터로 구성한다.
도 1 은 본 발명에 관한 전자장치의 한 실시예의 주요부 블록도이다.
도 2 는 본 발명을 설명하기위하여 하강압회로에 있어서의 출력전류-전력변환효율의 특성도이다.
도 3 은 본 발명을 설명하기 위한 하강압회로에 있어서의 출력전류-전력변환효율의 특성도이다.
도 4 는 본 발명에 관한 전자장치의 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 5 는 본 발명에 관한 전자장치의 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 6 은 본 발명에 관한 전자장치의 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 7 은 본 발명에 관한 전자장치의 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 8 은 본 발명에 관한 전자장치의 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 9 는 본원에 다른 발명을 설명하기 위한 설명도이다.
도 10 은 본원에 다른 발명을 설명하기 위한 설명도이다.
도 11 은 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 12 는 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 13 은 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 14 는 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 15 는 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예를 나타내는 주요부 블록도이다.
도 16 은 본 발명이 적용되는 이동통신기기의 한 실시예를 나타내는 전체블록도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : CPU 100 : 반도체집적회로장치
S101, S102, S105, S106, S107, S113, S114 : 제어신호
105 : 입출력회로 110 : 제어기회로
111 : 참조전압발생회로 113 : 전원제어부
120 : 스위칭제어기 121 : 드라이버제어회로
123, 133 : P채널형 MOSFET 124 : N채널형 MOSFET
130 : 직렬제어기 131 : 전압비교회로
135 : P채널형 스위치MOSFET 136 : 저항
137 : N채널형 스위치MOSFET Vcc : 전원전압
VddI : 내부전원전압 Vref : 참조전압
D1 : 다이오드 LI : 인덕턴스(Inductance)(코일)
C1 : 커패시터(Capacitor)(콘덴서)
도 1에는 본 발명에 있어서 전자장치의 한 실시예의 주요부 블럭도가 도시되어 있다. 본 실시예의 전자장치는 반도체집적회로장치(100)과 그 외부부품으로 구성된 다이오드(D) 인덕턴스(코일)(L1) 및 커패시터(콘덴서)(C1)으로 구성된 스위칭제어기용의 평활회로로 구성된다. 또한, 전원전압(Vcc)를 형성하는 전지등은 생략되어 있다.
본 원에 있어서 용어「MOS」는 본래는 메탈 옥시드 세미컨덕터(Metal Oxide Semiconductor)구성을 간략적으로 호칭하도록 된 것으로 이해된다. 그러나, 근년의 일반적 호칭에서의 MOS는 반도체장치의 본질부분 가운데 메탈을 폴리실리콘과 같은 비금속인 전기도전체로 바꾸거나 옥시드를 타절연체로 바꾸거나 하는 것이 포함되어 있다. CMOS도 또한 상기와 같은 MOS에 부가하여 파악방법의 변화에 응한 폭넓은 기술적의미를 갖는다고 이행되도록 되어 왔다. MOSFET도 또한 상기와 같이 좁은 의미로 이해되는 것은 아니고 실질상은 절연게이트전계효과 트랜지스터로서 파악되도록 광의의 구성도 포함하는 의미로 되어 오고 있다. 본 발명의 CMOS MOSFET등은 일반적 호칭으로 되어 있다.
한편 LSI의 사용환경에 따라서 MOS형 트랜지스터에 의해 구성되는 LSI뿐만 아니라 양극(Bipolar)형 트랜지스터에 의해 구성되는 LSI와 양극형과 MOS형의 양방의 트랜지스터에 의해 구성되는 Bi-CMOS형의 LSI등에도 적용가능하다. LSI기판으로서도 실리콘뿐만 아니라 GaAs등에 의해 구성되는 기판을 이용한 LSI에 있어서도 본 발명의 기술적인 적용은 가능하다.
반도체집적회로장치(100)의 외부로터는 칩 사이의 인터페이스에 사용되는 전원전압(Vcc)가 공급된다. 전원전압(Vcc)는 입출력회로(105)에 급전되는 것만으로 온칩의 제어기회호(110)에 의해 내부전원전압(Vddi)에 하강합되어 내부회로(예를들면CPU : 1칩 마이크로 컴퓨터를 포함)(101)에 급전된다. 제어기회로(110)은 스위칭제어기(120)과 직렬제어기(130)을 구비하고 있다.
상기 스위칭제어기(120)은 드라이버제어회로(121)과 상기에 의해 구동되는 P채널형 MOSFET(123) 및 N채널형 MOSFET(124)로 이루어지는 CMOS출력회로와 반도체집적회로장치(100)의 외부부품으로 구성된 다이오드(D) 인덕턴스(L1) 및 커패시터(C1)로 이루는 평활회로로 구성된다.
직렬제어기(130)은 전압비교회로(131)과 그 출력전압에 제어되어 가변저항으로서 동작하는 P채널형 MOSFET(133) 상기 P채널형 MOSFET(133)의 바이어스전류를 흐르는 저항(136) 및 N채널형의 스위치 MOSFET(137)과 P채널형의 스위치 MOSFET(135)로 구성된다. 상기 스위치MOSFET(135)와 (137)은 전원제어부(113)으로 형성된 신호(S114)가 로우레벨일때 N채널형의 스위치MOSFET(137)이 오프상태로 P채널형의 스위치MOSFET(135)가 온 상태로 되고 상기 P채널형 MOSFET(133)을 오프상태로하고 출력을 하이 임피던스 상태로 한다. 이 때 전압비교회로(131)도 상기 신호(S114)의 로우레벨에 의해 바이어스전류가 차단된다.
각 제어기(120)과 (130)의 출력전원전압(Vddi)는 내부회로(101)에서의제어신호(S101)에 응답하여 참조전압발생회로(111)이 발생하는 참조전압(Vref)에 거의 비등한 레벨로 제어된다. 전원제어부(113)은 내부회로(101)로부터 전해지는 제어신호(S102) 또는 반도체집적회로장치(100)의 외부로부터 입출력회로(105)를 매개로 전해지는 제어신호(S107)에 응답하여 반도체집적회로장치(100)의 동작모드를 검지하고 이것을 근거로 스위칭제어기(120) 및 직렬제어기(130)의 동작/정지를 절환한다.
정지상태에서의 각 제어기(120)과 (130)의 출력을 하이 임피던스가되도록 제어된다. 내부회로(101)이 통상의 동작상태(이하, 액티브상태로 칭함)일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 동작시키도록 제어를 실행한다. 한편, 내부회로(101)이 스탠바이상태(예를들면 내부회로(113)의 클록이 정지한 상태)일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 정지시키면 동시에 제어신호(S114)에 의해 직렬제어기(130)을 동작시키도록 제어를 실행한다.
일반적으로 직렬제어기(130)은 스위칭제어기(120)에 비하여 최대의 전력변환효율은 예를들면 도 2의 출력전류-전력변환효율의 특성도 A-A'부근과 같이 쇠화한다. 본도에 대하여 스탠바이상태와 같이 부하가 가벼운 상태에서는 직렬제어기(130)은 도 2의 B-B'부근과 같이 그다지 극단의 전력변환효율의 쇠화가 일어나지 않는다. 따라서, 스탠바이상태에 있어서 상대적으로 전력변환효율이 좋아지는 직렬제어기(130)을 상기 변환효율의 쇠화가 큰 스위칭제어기(120)을 대신하여 사용하는 것에 의해 스탠바이상태에서의 전력소비를 효과적으로 절약가능하다.
본 실시예에서는 반도체집적회로장치(100)의 동작모드에 따른 스위칭제어기(120) 및 직렬제어기(130)의 절환제어를 동작모드신호를 이용하여 전원제어부에서 실행하도록 하는 것이 특징이다. 즉 CPU등의 내부회로(101)이 스탠바이상태로부터 액티브상태로 절환 할 때 그 동작에 앞서서 충분한 부하전류 공급능력을 갖는 스위칭제어기(120)을 이용하는 것에 의해 상기 스탠바이 상태로부터액티브상태로 절환할 때의 큰 부하전류에 대응시키는 것이 가능하고 CPU등을 스탠바이 상태로부터 액티브상태로의 절환을 고속으로하고 또한 그 액티브상태로 절환할 때에서의 데이터처리등의 동작도 보증하는 것이 가능하다.
CPU의 상태 액티브 스탠바이 중단
스위칭 제어기직렬제어기 동작정지 정지동작 정지정지
상기 실시예에 있어서의 상기 전원제어부에 의한 스위칭제어기(120) 및 직렬제어기(130)의 절환제어를 총합하면 표 1과 같이된다. 상기 표 1에 있어서 액티브와 스탠바이상태에 부가하여 중단(shut-dpwn)상태(내부전원전압(Vddi)를 차단한 상태 레지스터등의 데이터는 우실됨)를 동작모드에 포함하는 경우가 있을 수 있으므로 그것도 포함시킨다. 상기 중단상태에서는 어느 쪽도 제어기도 동작시키는 필요가 없으므로 양방을 정지시켜두는 것에 의해 저소비전력화를 도모하는 것이 가능하다. 단, 전원제어부(113)과 입출력회로(105)는 상기 전원전압(Vcc)에 동작시키는 것에 의해 중단상태로부터 액티브 및 스탠바이(슬립)상태로 복귀시키는 것은 가능하다. 참조전압발생회로(111)은 그 소비전류가 극소하면 상기 전원전압(Vcc)에 의해 동작상태로 하여도 좋고 상기 전원제어부(113)에 의해 필요하면 전압비교회로등의 아날로그회로의 동작전류를 차단시키는 것으로도 좋다.
도 4에는 본 발명에 관하여 전자장치의 다른 한 실시예의 주요부의 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서는 하나의 스위치제어기에 의해 전원회로가 구성된다. 단, 반도체집적회로장치(100)과 그 외부부품으로 구성된 다이오드(D1) 인덕턴스(L1) 및 커패시터(C1)으로 구성된 스위칭제어기용의 평활회로에 대해서 2종류의 출력회로가 설치된다. MOSFET(123)과 (124)는 액티브용의 출력회로이고 MOSFET(123')과 (124')는 스탠바이용의 출력회로이고 이것이 상기 직렬제어기와 같은 동작을 실행한다.
상기도 2의 특성도에 있어서 스위칭 제어기의 전력변환효율이 출력전류(Iout)의 커다란 과부화일 때에 용이한 것은 인덕턴스(L1)과 커패시터(C1)을 이용한 평활회로에서의 전력손실분이 출력전력(Pout)에 비하여 극히 작기 때문이지만 출력전류(Iout)이 작은 경(輕)부화일 때에는 상기 평활회로에 펄스신호를 공급하는 출력MOSFET(123, 124)의 구동을 위하여 소비되는 전력이 상대적으로 크게 되기 때문이다. 따라서, 도 3의 특성도 a에 도시하는 바와 같이 상기 출력펄스를 형성하는 MOSFET의 사이즈를 작게하면 경부하의 효율을 높게하는 것이 가능하다. 본 경우에 착안하여 상기와 같이 2 종류의 출력회로를 설치하여 전원제어부(113)에 의해 절환하여 사용한다.
정지상태에서의 출력회로의 출력은 하이 임피던스가 되도록 제어된다. 내부회로(101)이 통상의 동작상태(이하 액티브상태로 칭함)일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)의 제 1의 상태에 의해 출력MOSFET(123)과(124)를 동작시키도록 제어를 실행한다(이 때 출력MOSFET(123' 과 124'는 오프상태). 한편 내부회로(101)이 스탠바이상태(예를들면 내부회로(113)의 클록이 정지한 상태)일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)의 제 2의 상태에 의해 상기 출력MOSFET(123)과(124)를 오프상태로하고 동시에 출력MOSFET(123')과(124')을 동작시키도록 제어를 실행한다. 본 실행에 의해 도 3의 특성 a 와 b의 부하상태에 따른 분류에 의해 상기와 같이 전력소비를 효과적으로 절약할 수 있다. 전원제어부(113)에 의한 제어는 상기 표 1과 같은 사양으로 실행하도록 하는 것이 가능하다.
도 5에는 본 발명에 관하여 전자장치의 다른 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서도 상기와 같은 사양으로 반도체집적회로장치(100) 외부로부터 칩사이의 인터페이스에 사용되는 전원전압(Vcc)가 공급된다. 전원전압(Vcc)는 입출력회로(105)에 급전되는 것으로 온 칩의 제어기회로(110)에 의해 내부전원전압(Vddi)에 하강압되어 내부회로(예를들면 CPU)(101)에 급전된다. 또한, 본 실시예에 있어서 상기 제어기회로(110)은 내부전원전압(Vddi)에 비등한 내부전원전압(Vddr)을 RAM(랜덤 엑세스 메모리)배열(102)에도 급전한다.
상기 제어기회로(110)은 스위칭 제어기(120)과 직렬제어기(130)을 구비하고 있다. 스위칭제어기(120)의 출력은 내부회로(101)의 전원선에 직접접속되어 있다. 또한, 직렬제어기(130)의 출력은 RAM배열(102)의 전원선에 직접접속되어 있다. 스위칭 제어기(120)의 출력과 직렬제어기(130)의 출력과의 사이에는 스위치(140)이 설치되어 있다. 각 제어기(120)과 (130)의 출력전원전압은 내부회로(101)로부터의제어신호(S101)에 응답하여 참조전압발생회로(111)이 발생하는 참조전압(Vref)에 거의 비등한 레벨로 제어된다.
전원제어부(113)은 내부회로(101)로부터 전해지는 제어신호(S102) 또는 반도체집적회로장치(100)의 외부로부터 입출력회로(105)를 매개로 전해지는제어신호(S107)에 응답하여 반도체집적회로장치(100)의 동작모드를 검지하고 이것을 근거로 스위칭제어기(120)과 직렬제어기(130)의 동작/정지 및 스위치(140)의 온/오프를 절환한다. 정지상태의 각 제어기(120)과 (130)의 출력은 하이임피던스가 되도록 제어된다.
내부회로(101)이 액티브상태 일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 스위칭제어기(120)을 동작시키도록 제어를 실행하면 동시에 제어신호(S115)에 의해 스위치(140)을 온으로 제어하고 스위칭제어기(120)의 출력전원전압(Vddi)을 스위치(140)을 매개로 RAM배열(102)에도 급전한다.
내부회로(101)이 스탠바이 상태일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 정지시키면 동시에 제어신호(S114)에 의해 직렬제어기(130)을 동작시키고 제어신호(S115)에 의해 스위치(140)을 온 시키도록 제어를 실행한다. 내부회로(101) 및 RAM배열(102)는 직렬제어기(130)으로부터 급전된다. 따라서 상기도 1의 실시예와 같은 사양으로 스탠바이상태에 있어서는 스위칭제어기(120)대신에 직렬제어기(130)을 사용하는 것에 의해 스탠바이상태에서의 전력소비를 효과적으로 절약가능하다.
또한, 본 실시예에서는 내부회로(101)의 전원을 차단하고 RAM배열(102)의 데이터지지만을 실행하는 동작모드(이하 RAM데이터 지지상태로 칭함)를 구비하고 있다. RAM데이터지지상태에서는 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 정지시키면 동시에 제어신호(S115)에 의해 스위치(140)을 오프로 제어하고 내부회로(101)의 전원을 차단한다. 한편 전원제어부(113)은 제어신호(114)에의해 직렬제어기(130)을 동작시키도록 제어를 실행한다.
따라서, 직렬제어기(130)은 RAM배열(102)가 데이터의 지지를 실행하기 위하여 필요로하는 전력을 공급한다. RAM데이터 지지상태에서는 내부회로(101)의 전원이 차단되어 있기 때문에 내부회로(101)의 누전전류를 완전하게 제로로하는 것이 가능하고 스탠바이상태보다도 더 한층 전력소비를 절약하는 것이 가능하다. 단, RAM데이터지지상태에서는 내부회로(101)내의 레지스터등에 기입되어 있던 정보는 사라져버리므로 필요하면 CPU 중단/RAM데이터 지지전으로 레지스터등의 정보를 RAM으로 전송하면 좋다. 중단상태에서는 스위칭제어기(120)과 직렬제어기(130)은 양방모두 정지시킨다. 본 실시예의 동작모드에 대응한 스위칭제어기(120) 직렬제어기(130) 및 스위치(140)의 절환제어를 다음의 표 2에 총합하였다.
CPU/RAM 상태 액티브 스탠바이 CPU 중단/RAM 데이터지지 중단
스위칭 제어기직렬제어기스위치 동작정지온 정지동작온 정지동작오프 정지정지온
도 6에는 본 발명에 관해서 전자장치의 다른 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서도 상기와 같은 사양으로 전원전압(Vcc)는 입출력회로(105)에 급전되는 것으로 온 칩의 제어기회로(110)에 의해 전원전압(Vddi)에 하강합되어 예를들면 CPU등의 내부회로(101)에 급전된다. 또한, 제어기회로(110)은 상기 내부전원전압(Vddi)에 비등한 내부전원전압(Vddr)을 RAM배열(102)에도 급전한다.
상기 제어기회로(710)은 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 및 제 2 직렬제어기(150)을 구비하고 있다. 스위칭제어기(120) 및 제 1 직렬제어기(130)의 출력은 내부회로(101)의 전원선에 직접접속되어 있다. 또한, 제 2 직렬제어기(150)의 출력은 RAM배역(102)의 전원선에 직접접속되어 있다. 스위칭제어기(120) 및 제 1 직렬제어기(130)의 출력과 제 2 직렬제어기(150)의 출력과의 사이에는 스위치(140)이 설치되어 있다.
상기 각 제어기(120, 130) 및 (150)의 출력전원전압은 내부회로(101)로부터의 제어신호(S101)에 응답하여 참조전압발생회로(111)이 발생하는 참조전압(Vref)에 거의 비등한 레벨로 제어된다. 전원제어부(113)은 내부회로(101)로부터 전해지는 제어신호(S102) 또는 반도체집적회로장치(100)의 외부로부터 입출력회로(105)를 매개로 전해지는 제어신호(S107)에 응답하여 반도체집적회로장치(100)의 동작모드를 검지하고 이것을 근거로 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 및 제 2 직렬제어기(150)의 동작/정지 또한 스위치(140)의 온/오프를 절환한다. 정지상태에서의 각 제어기(120, 130) 및 (150)의 출력은 하이임피던스가 되도록 제어된다.
내부회로(101)이 액티브상태일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 동작시키도록 제어를 실행하면 동시에 제어신호(S115)에 의해 스위치(140)을 온 상태로 제어하고 스위칭제어기(120)의 출력전원전압(Vddi)을 스위치(140)을 매개로 RAM배열(102)에도 급전한다.
내부회로(101)이 스탠바이상태일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 정지시키면 동시에 제어신호(S114)에 의해 제 1 직렬제어기(130)을 동작시키고 제어신호(S115)에 의해 스위치(140)을 온 시키도록 제어를 실행한다. 내부회로(101) 및 RAM배열(102)는 제 1 직렬제어기(130)으로부터 급전된다. 따라서, 상기 도 5의 실시예와 같은 사양으로 스탠바이상태에 있어서 스위칭제어기(120)대신에 제 1 직렬제어기(130)을 사용하는 것에 의해 스탠바이상태에서의 전력소비를 효과적으로 절약가능하다.
본 실시예에서는 상기 도 5의 실시예와 같은 사양으로 동작모드의 하나로서 RAM데이터지지상태를 구비하고 있다. RAM데이터지지상태에서는 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 정지시키고 제어신호(S114)에 의해 제 1 직렬제어기(130)을 정지시키면 동시에 제어신호(S115)에 의해 스위치(140)을 오프상태로 제어하고 내부회로(101)의 전원을 차단한다. 한편 전원제어부(113)은 제어신호(S116)에 의해 제 2의 직렬제어기(150)을 동작시키도록 제어를 실행한다
따라서 제 2 직렬제어기(150)은 RAM배열(102)가 데이터의 지지를 실행하기 위하여 필요로하는 전력을 공급한다. RAM데이터지지상태에서는 내부회로(101)의 전원이 차단되어 있기 때문에 내부회로(101)의 누전전류를 완전하게 제로로하는 것이 가능하고 스탠바이상태보다도 전력소비를 절약하는 것이 가능하다. 단, RAM데이터지지상태에서는 내부회로(101)내의 레지스터등에 기입되어 있던 정보는 사라져버린다. 본 레지스터등의 데이터가 필요하면 상기 동작모드가 되기 전에 RAM에 전송하면 된다.
본 실시예에서는 RAM데이터지지상태시만 사용하는 전용의 제 2직렬제어기(150)을 구비하고 있다. 따라서 제 2 직렬제어기(150)은 RAM 데이터지지에 필요한 최소한의 전류만 공급가능하도록 최적화 설계가 가능해지고 제 2 직렬제어기(150)자신으로 소비하는 전력은 스탠바이상태로 사용하는 제 1 직렬제어기(130) 보다도 작게할 수 있으므로 도 5의 실시예의 경우보다도 RAM데이터지지상태에서의 전력소비를 한층 절약하는 것이 가능하다.
중단상태에서는 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 제 2 직렬제어기(150)은 전부를 정지시킨다. 본 실시예의 동작모드에 응답한 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 제 2의 직렬제어기(150) 및 스위치(140)의 절환제어를 다음 표 3에 총합하였다.
CPU/RAM 상태 액티브 스탠바이 CPU중단/RAM데이터 지지 중단
스위칭 제어기제 1 직렬제어기제 2 직렬제어기스위치 동작정지정지온 정지동작정지온 정지정지동작오프 정지정지정지온
도 7에는 본 발명에 관한 전자장치의 다른 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서도 상기와 같은 사양으로 반도체집적회로장치(100)의 외부로부터 칩 사이의 인터페이스에 사용되는 전원전압(Vcc)가 공급된다. 전원전압(Vcc)는 입출력회로(105)에 급전되는 것으로 온 칩의 제어기회로(110)에 의해 내부전원전압(Vddi)에 하강압되어 예를들면 CPU등의 내부회로(101)에 급전된다. 또한 제어기회로(110)은 내부전원전압(Vddi)에 비등한 내부전원전압(Vdda)를 외부로부터 공급되는 클록신호에 동기한 클록신호등을 생성하는 PLL(Phase locked loop)회로등으로 이루는 아날로그 회로(103)에도 급전한다.
제어기회로(110)은 상기와 같은 사양으로 스위치제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 및 제 2 직렬제어기(150)을 구비하고 있다. 스위칭제어기(120) 및 제 1 직렬제어기(130)의 출력은 내부회로(101)의 전원선에 직접 접속되어 있다. 또한, 제 2 직렬제어기(150)의 출력은 아날로그회로(103)의 전원선에 직접 접속되어 있다. 각 제어기(120, 130) 및 (150)의 출력전원전압은 내부회로(101)로부터의 제어신호(S101)에 응답하여 참조전압 발생회로(111)이 발생하는 참조전압(Vref)에 거의 비등한 레벨로 제어된다.
전원제어부(113)은 내부회로(101)로부터 전해지는 제어신호(S102) 또는 반도체집적회로장치(100)의 외부로부터 입출력회로(105)를 매개로 전해지는 제어신호(S107)에 응답하여 반도체집적회로장치(100)의 동작모드를 검지하고 이것을 근거로 스위치제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 및 제 2 직렬제어기(150)의 동작/정지를 절환한다. 정지상태에서의 각 제어기(120, 130) 및 (150)의 출력은 하이임피던스로 이루도록 제어된다.
내부회로(101)이 액티브상태일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 동작시키도록 제어를 실행한다. 내부회로(101)이 스탠바이 상태일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 정지시키면 동시에 제어신호(S114)에 의해 제 1 직렬제어기(130)을 동작시킨다. 이 때내부회로(101)은 제 1 직렬제어기(130)으로부터 급전된다. 따라서 도 6의 실시예와 같은 사양으로 스탠바이상태에 있어서는 스위칭제어기(102)의 대신에 제 1 직렬제어기(130)을 사용하는 것에 의해 스탠바이상태에서의 전력소비를 효과적으로 절약가능하다.
본 실시예에서는 액티브상태 스탠바이상태의 어느쪽의 상태에 있어서도 제 2 직렬제어기(150)을 동작시키도록 전원제어부(113)은 제어신호(S116)에 의해 제어를 실행한다. 일반적으로 스위칭제어기는 스위칭잡음을 발생하므로 아날로그회로(103)의 동작에 악영향을 미치는 경우가 있을 수 있다. 본 실시예에서는 아날로그회로(103)은 자주 제 2 직렬제어기(150)으로부터 급전되므로 스위칭제어기에서의 스위칭잡음에 의한 악영향을 회피하는 것이 가능하다.
중단상태에서는 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 제 2 직렬제어기(150) 은 전부 정지시킨다. 본 실시예의 동작모드에 대응한 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 및 제 2 직렬제어기(150)의 절환 제어를 다음 표 4에 총합하였다.
CPU의 상태 액티브 스탠바이 중단
스위칭제어기제 1 직렬제어기제 2 직렬제어기 동작정지동작 정지동작동작 정지정지정지
도 8에는 본 발명에 관한 전자장치의 다른 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서도 상기와 같은 사양으로 반도체집적회로장치(100)의 외부로부터 칩 사이의 인터페이스에 사용되는 전원전압(Vcc)가 공급된다. 전원전압(Vcc)는 입출력회로(105)에 급전되는 것으로 온 칩의 제어기회로(110)에 의해 내부전원전압(Vddi)에 하강압되어 예를들면 CPU등의 내부회로(101)에 급전된다. 또한 스위칭제어기(120) 또는 제 1 직렬제어기(130)의 출력전압(Vddi)는 제 3 직렬제어기(160)에 의해 또한 내부전원전압(VddL)에 하강압된다.
제 3 직렬 제어기(160)의 출력은 부분회로(104)의 전원선에 직접 접속되어 있다. 스위칭제어기(120) 및 제 1 직렬제어기(130)의 출력전원전압(Vddi)는 내부회로(101)에서의 제어신호(S101)에 응답하여 참조전압발생회로(111)이 발생하는 참조전압(Vref)에 거의 비등한 레벨로 제어된다. 또한, 제 3 직렬제어기(160)의 출력전원전압(Vddl)은 내부회로(101)로부터의 제어신호(S101)에 응답하여 참조전압 발생회로(111)이 발생하는 참조전압(Vref)보다 낮은 참조전압(Vref)에 거의 비등한 레벨로 제어된다.
전원제어부(113)은 내부회로(101)로부터 전해지는 제어신호(S102) 또는 반도체집적회로장치(100)의 외부로부터 입출력회로(105)를 매개로 전해지는 제어신호(S107)에 응답하여 반도체집적회로장치(100)의 동작모드를 검지하고 이것을 근거로 스위치제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 및 제 2 직렬제어기(150)의 동작/정지를 절환한다. 상기와 같은 사양으로 정지상태에서의 각 제어기(120, 130) 및 (150)의 출력은 하이임피던스로 이루도록 제어된다.
내부회로(101)이 액티브상태일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해스위칭제어기(120)을 동작시키도록 제어를 실행한다. 내부회로(101)이 스탠바이 상태일 때 전원제어부(113)은 제어신호(S113)에 의해 스위칭제어기(120)을 정지시키면 동시에 제어신호(S114)에 의해 제 1 직렬제어기(130)을 동작시킨다. 이 때 내부회로(101)은 제 1 직렬제어기(130)으로부터 급전된다. 따라서 상기 실시예와 같은 사양으로 스탠바이상태에 있어서는 스위칭제어기(102)의 대신에 제 1 직렬제어기(130)을 사용하는 것에 의해 스탠바이상태에서의 전력소비를 효과적으로 절약가능하다.
본 실시예에서는 액티브상태 스탠바이상태의 어느쪽의 상태에 있어서도 제 2 직렬제어기(160)을 동작시키도록 전원제어부(113)은 제어신호(S116)에 의해 제어를 실행한다. 특히 부분회로(104)의 타이밍제약이 완화하여 부분회로(104)의 전원전압을 내부회로(101)의 전원전압보다 낮은 전압으로 낮추어도 동작상의 지장을 초래하지 않는 경우에는 본 실시예와 같은 제어기의 구성에 의해 부분회로(104)의 전원전압(VddL)을 내부회로(101)의 전원전압(Vddi)보다도 저전압화하는 것에 의해 한층 효과적으로 전력소비를 절약하는 것이 가능하다.
중단상태에서는 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 제 2 직렬제어기(160) 은 전부 정지시킨다. 본 실시예의 동작모드에 대응한 스위칭제어기(120) 제 1 직렬제어기(130) 및 제 2 직렬제어기(160)의 절환 제어를 다음 표 5에 총합하였다.
CPU의 상태 액티브 스탠바이 중단
스위칭 제어기제 1 직렬제어기제 3 직렬제어기 동작정지동작 정지동작동작 정지정지정지
도 9 및 도 10에는 본 원의 다른 발명을 설명하기 위하여 설명도가 도시되어 있다. 스위칭제어기로서 도 1의 실시예와 같이 반도체집적회로장치에 형성된 출력회로와 외부에 설치된 평활회로로 구성한 경우 출력전류(Iout)와 거의 동등의 전류가 도안의 전류경로(Ivx, Ivcc, Ivss)에 흐른다. 이들의 각 전류경로를 형성하기 위하여 3종류의 핀(Vx 핀, Vcc핀, Vss핀)이 필요해진다.
일반적으로 1개의 핀에 흐르는 전류의 크기에는 상한선이 (통상은 1개당 약 0.1A정도)있으므로 출력전류(Iout)가 이 상한을 상회한 경우에는 출력전류(Iout)비례하여 도 10과 같이 상기 3종류의 핀의 개수를 증가하지 않으면 안된다. 그러나 핀수의 증가는 칩 사이즈를 증대시키고 코스트의 상승을 일으키는 것이 되므로 허용가능한 핀수(따라서 상기에 의해 제한되는 최대출력전류)에는 실용상의 한계가 있다. 즉, 도 10에 도시하는 바와 같이 최대출력전류가 0.2A(암페어)이면 상기 3종류의 합계핀수는 대략 6개정도가 용이하지만 0.8A의 최대출력을 확보하기 위해서는 24개의 핀수가 필요하게 되버린다.
도 11에는 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예의 전자장치는 반도체집적회로장치(100)과 그 외부 부품으로 구성된 파워-MOSFETPM1, PM2로 이루는 펄스출력회로와 다이오드(D1)인덕턴스(코일)(L1) 및 커패시터(콘덴서)(C1)으로 구성된 평활회로로 구성된다. 또한, 전원전압(Vcc)를 형성하는 전지등은 생략되어 있다.
반도체집적회로장치(100)의 외부로부터는 칩 사이의 인터페이스에 사용되는 전원전압(Vcc)가 공급된다. 전원전압(Vcc)는 입출력회로(105)에 급전되는 것으로 온 칩의 제어기회로(110)에 의해 전원전압(Vddi)에 하강압되어 내부회로(101)에 급전된다. 제어기회로(110)은 스위칭제어기(120)에서 구성된다. 제어기의 출력정원전압(Vddi)는 내부회로(101)에서의 제어신호(S101)에 응답하여 참조전압발생회로(111)이 발생하는 참조전압(Vref)에 거의 비등한 레벨로 제어된다.
스위칭제어기(120)은 오프칩의 로우 패스 필터부(Low Pass Filter Unit)(용량(C1), 인덕턴스(L1), 다이오드(D1)) 오프칩의 파워-MOSFET을 사용한 출력회로(PM1 : P채널형 PM2 : N채널형) 및 출력회로의 MOSFET의 전도/비전도를 제어하는 온 칩의 드라이버제어부(121)에 의해 구성된다.
본 실시예에서는 출력회로를 오프칩의 출력 MOSFETPM1과 PM2로 구성하고 있기 때문에 스위칭제어기(120)에 사용하는 핀의 개수를 증가하지 않고 커다란 최대공급전류를 확보하는 것이 가능한 스위칭제어기를 실현가능하다. 즉, 반도체집적회로장치(100)은 상기 드라이버제어회로(121)에서 형성된 제어신호를 상기 출력회로의 P채널형 MOSFETPM1과 N채널형 MOSFETPM2의 게이트에 공급시키는 외부단자 2개만으로 용이하다. 이 결과 전자장치가 필요로 하는 최대전류가 커져도 상기 외부단자수를 증가시키는 필요 없이 핀 수의 증가에 의한 칩 사이즈의 증대와 상기에의한 코스트의 상승이 억제되고 전자장치의 소형화 저코스트화가 가능해진다.
일반적으로 전자장치에서는 그 부품점수의 삭감을 위하여 전자부품은 가능한 한 반도체집적회로장치에 내장시키는 방향으로 향하고 있다. 그러나 본 원 발명자에 있어서는 상기와 같은 스위칭제어기에 있어서는 대략 2개의 파워-MOSFET를 반도체집적회로장치에 형성하기 위하여 상기와 같이 핀수를 증대시켜버리는 커다란 폐해의 발생에 주목하였다.
한편 스위칭제어기로서는 파워-MOSFET와 그 제어를 실행하는 드라이버제어회로가 1 칩화 된 것이다. 그러나 이와 같은 반도체집적회로장치는 그 가격이 비교적 높고 사용편의가 나쁜 문제가 있다. 즉, 본 실시예와 같이 상기 드라이버제어회로(212)를 반도체집적회로장치(100)의 내부에 탑재하고 출력MOSFET와 평활회로를 구성하는 소자를 외부부품으로하는 것에 의해 대폭으로 낮아지고 더구나 필요한 최대출력전류에 응한 것을 사용하면 용이하기 때문에 범용성의 점에서도 유리해진다.
도 12에는 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예의 주요부
블록도가 도시되어 있다. 본 실시예의 전자장치에서는 도 11의 실시예로부터 하나의 출력트랜지스터(PM2 : N채널형)를 생략한 것이다. 도 11의 실시예에 비하여 스위칭제어기(120)의 전력변환효율은 쇠하지만 오프칩의 부품점수가 하나 모자라므로 코스트적으로는 유리하다. 즉, 상기도 9을 이용하여 설명한 바와 같이 전류(Ivss)는 다이오드(D1)에 의해 형성하는 것이 가능하다. 이 경우 다이오드(D1)에 의해 순차방향 전압(VF)만 전압로스가 생기므로 상기 전력변환효율이 약간 쇠하는 것이 저코스트를 필요로 하는 전자장치에서는 유리해 진다.
도 13에는 본 발명에 관한 전자장치의 다른 예의 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서는 도 11의 실시예의 구성에 대해서 오프칩의 정향(R1)과 온 칩의 보호회로(125)를 추가하고 출력에 과대한 전류가 흐르는 것을 방지하는 보호기능을 부가한 것이다. 즉 일정치 이상의 크기의 전류가 출력 MOSFET(PM1)에 흐르면 저항(R1)의 양단의 전위차가 일정치를 넘어선 것을 보호회로(125)에 포함되는 전위검출회로가 검출한다. 보호회로(125)는 제어신호(S125)에 의해 드라이버제어회로(121)을 제어하고 일시적으로 출력MOSFET(PM1)을 비전도한다. 이리하여, 본 실시예에서는 스위칭제어기(120)의 출력에 과대한 전류가 흐르는 것을 방지하는 것이 가능하고 스위칭제어기(120)의 신뢰성을 향상하는 것이 가능하다.
도 14에는 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서는 상기 도 11의 실시예와 같이 하강압 전원회로에 사용하는 핀수를 증가하지 않고 매우 큰 최대출력 전류를 확보하면서 상기 도 1의 실시예와 같이 내부회로가 스탠바이상태등의 경부하상태로 있어도 하강압전원회로의 전력변환효율을 그다지 저하시키지 않도록 하는 것이다. 즉, 도 1의 실시예의 스위칭제어기(120)의 출력회로를 구성하는 MOSFET(123)과 (124)을 오프 칩의 외부부품으로 구성하는 것이다.
본 실시예에 의해 상기 하강압 전원회로에 사용하는 핀수를 증가하지 않고 매우 큰 최대출력을 확보하면서 내부회로가 스탠바이상태등의 경부하상태이어도 하강압전원회로의 전력변환효율을 그다지 저하시키지 않도록 하는 것이 가능해 진다.상기에 의해 전자장치의 소형화와 저소비전력화가 가능해진다.
도 15에는 본 발명에 관한 전자장치의 또 다른 한 실시예의 주요부 블록도가 도시되어 있다. 본 실시예에서는 상기 도 11의 실시예와 같이 하강압 전원회로에 사용하는 핀수를 증가하지 않고 매우 큰 최대출력전류를 확보하면서 상기 도 4의 실시예와 같이 내부회로가 스탠바이상태등의 경부하상태이어도 하강압 전원회로의 전력변환효율을 그다지 저하시키지 않도록 하는 것이다. 즉 도 4의 실시예의 스위칭제어기(120)의 출력회로를 구성하는 MOSFET(123)과 (124)를 오프칩의 외부부품으로 구성하는 것이다.
본 실시예에 의해 상기 하강압 전원회로에 사용하는 핀수를 증가하지 않고 매우 큰 최대출력전류를 확보하면서 스위칭 제어기(120)만으로 내부회로가 스탠바이상태등의 경부하상태로 있어도 하강압 전원회로의 전력변환효율을 그다지 저하시키지 않도록 하는 것이 가능해진다. 상기에 의해 전자장치의 소형화와 저소비 전력화가 가능해진다.
상기와 같은 하강압 전원회로에 사용하는 핀수를 증가하지 않고 매우 큰 최대출력전류를 확보하기 위하여 스위칭제어기의 구성은 상기 도 5, 도 6, 도 7, 도 8에도 같은 사양으로 적용하는 것이 가능하다. 즉, 이들의 각 실시예에 있어서 스위칭제어기(120)의 출력MOSFET(123)과 (124)를 오프칩의 외부부품으로 구성하는 것에 의해 내부회로(101)등이 스탠바이상태등의 경부하상태일 때의 하강압 전원회로의 전력변환효율을 저하시키지 않고 저소비전력화를 도모하는 것이 가능하다.
도 16에는 본 발명이 적용되는 이동통신기기의 한 실시예의 전체블록도가 도시되어 있다. 상기 이동통신기기는 가장 대표적인 예가 상기와 같은 휴대전화기이다. 안테나로 수신된 수신신호는 수신프론트 엔드에 있어서 증폭되어 믹서에 의해 중간주파로 변환되고 중간신호처리회로IF-IC를 통하여 음성처리회로에 전달된다. 상기 수신신호에 주기적으로 포함되는 이득제어신호는 특히 제한되지 않지만 마이크로프로세서(CPU)에 있어서 디코드되어 여기서 전력증폭기(전력증폭기 모니터)에 공급되는 입력제어전압이 형성된다.
전력증폭기에서는 상기 입력제어전압에 따라서 이득제어가 실행되어 송신출력신호를 형성한다. 본 송신전력은 파워 커플러(Power Coupler)등을 매개로 그 일부가 상기 마이크로프로세서(CPU)에 귀환되어 상기 지정시킨 전력제어가 실행되도록 하는 것이다. 주파수 신시사이저는 기준발진회로(TCXO)와 전압제어발진회로(VCO) 및 PLL루프에 의해 수신 주파수에 대응한 발진신호를 형성하고 한편으로는 수신프론트 엔드의 믹서에 전달된다. 상기 발진신호는 다른 쪽에 있어서 변조기에 공급된다. 상기 음성처리회로에서는 수신신호는 리시버를 구동하여 음성신호가 출력된다. 송신음성은 마이크로폰으로 전기신호로 변환되어 음성처리회로와 변복조기를 통하여 변조기에 전달된다.
이와 같은 이동통신기기에서는 소형화를 위하여 CPU를 중심으로 하여 가능한 범위에서 1칩의 반도체 집적회로장치로 형성된다. 예를들면 메모리는 상기 RAM배열이 되고 아날로그회로는 주파수신시사이저가 된다. 이와 같은 전자장치에 있어서 전체의 전원전압(Vcc)를 약 3.3V와 같은 전압으로하고 CPU등을 포함한 반도체집적회로장치와 같이 동작전압이 낮아도 좋은 것은 상기와 같은 하강압 제어기를 이용하는 것에 의해 저소비전력화와 저코스트를 도모하는 것이 가능해진다.
이와 같은 메모리와 아날로그 회로의 쌍방을 갖는 경우 도 6 및 도 7에 상기 기재한 제 2 직렬제어기의 출력을 액티브 또는 스탠바이시는 아날로그 회로에 전원공급하고 CPU중단/RAM데이터지지시에는 메모리에 전원공급하도록 제어하는 것에 의해 아날로그회로로의 스위칭잡음의 전반방지와 RAM데이터지지시의 저소비전력화의 양쪽을 도모하는 것이 가능해진다.
상기의 실시예로부터 얻을 수 있는 작용효과는 하기와 같다.
(1) 제 1의 동작전류를 소비하는 제 1의 동작모드 및 상기 제 1의 동작전류보다도 작은 제 2의 동작전류를 소비하는 제 2의 동작모드를 구비한 내부회로에 대하여 입력전원전압으로부터 규정출력전원전압에 하강압하고 상기 내부회로의 상기 제 1의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 1의 전원제어기 및 상기 제 2의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 2의 전원제어기를 조합시켜 전원제어부에 의해 상기 내부회로에 있어서의 제 1의 동작모드를 지시하는 제 1의 제어신호에 응답하여 상기 제 1의 하강압형 제어기를 동작시켜 상기 제 2의 동작모드를 지시하는 제 2의 제어신호에 응답하여 상기 제 2의 하강압형 제어기를 동작시키면서 상기 내부회로 및 전원제어부를 하나의 반도체 집적회로장치에 구비하는 것에 의해 저소비전력화와 상기 동작모드에 대응한 전원 절환을 실행하는 것이 가능한 효과가 얻어진다.
(2) 상기에 부가하여 상기 제 1의 하강압형 제어기는 상기 반도체집적회로장치에 형성된 펄스출력회로와 상기 반도체집적회로장치의 외부에 설치된인덕턴스(Inductance)와 커패시터로 이루는 평활(平滑)회로를 포함하는 스위칭제어기로 구성하고 상기 제 2의 하강압형 제어기는 상기 반도체집적회로장치에 형성된 제 1의 직렬제어기(Series Regulator)로 구성하는 것에 의해 더 한층 저소비전력화를 도모하는 것이 가능한 효과가 얻어진다.
(3) 상기에 부가하여 상기 내부회로를 전원전압선이 스위치에 의해 분리된 신호처리부와 기억부로 구성하고 상기 내부회로의 제 2의 동작모드에서는 상기 스위치를 온상태로 하여 상기 제 1의 직렬제어기로부터 상기 신호처리부와 기억부에 전류를 공급하는 동작과 상기 스위치를 오프상태로 하여 상기 기억부만으로 전류를 공급하는 동작을 포함하는 것에 의해 필요한 데이터를 유지하면서 상기 신호처리부의 전류공급을 차단하는 것에 의해 보다 더 한층 저소비전력화를 도모하는 것이 가능한 효과를 구할 수 있다.
(4) 상기에 부가하여 상기 내부회로를 전원전압선이 스위치에 의해 분리된 신호처리부와 기억부로 구성하고 상기 입력전원전압으로부터 상기 규정출력전압으로 하는 제 2의 직렬제어기를 또한 구비하고 상기 내부회로의 제 2의 동작모드는 상기 스위치를 온 상태로 하여 상기 제 1의 직렬제어기로부터 상기 신호처리부와 기억부에 전류를 공급하는 것과 상기 제 1의 직렬제어기가 동작을 정지하고 또한 상기 스위치를 오프상태로 하여 상기 제 2의 직렬제어기가 동작을 실행하여 상기 기억부만으로 전류를 공급하는 동작을 하는 것에 의해 제 2의 직렬제어기에 의한 데이터지지를 위한 기억부의 급전을 필요 최소로 가능하다는 효과가 얻어진다.
(5) 상기에 부가하여 상기 입력전원전압으로부터 소정의 출력전원전압으로하는 제 2의 직렬제어기와 상기의 제 2의 직렬제어기에 의해 동작전압이 전해지는 아날로그회로를 또한 구비하고 상기 제 2의 직렬제어기는 상기의 스위칭 제어기와 직렬제어기가 동작을 정지시킬 때 동시에 동작을 정지시키도록 하는 것에 의해 저소비전력화를 도모하면서 아날로그회로에서의 전원노이즈를 저감가능하다는 효과가 얻어진다.
(6) 상기에 부가하여 상기 입력전원전압 또는 상기 규정출력전압을 받고 상기 규정출력전압 이하의 저전압을 출력하는 제 3의 직렬제어기와 상기의 제 3의 직렬제어기에 의해 동작전압이 전해지는 부분회로를 또한 구비하고 상기 제 3의 직렬제어기를 상기 스위치제어기와 직렬제어기가 동작을 정지시킬 때에 동시에 동작을 정지시키는 것에 의해 한층 저소비전화를 도모하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(7) 상기에 부가하여 상기 제 1의 하강압형 제어기를 상기 반도체집적회로장치에 형성된 상기 제 1의 동작전류에 대응한 커다란 사이즈의 출력MOSFET로 형성된 펄스출력회로와 상기 반도체집적회로장치의 외부에 설치된 인덕턴스와 커패시터로 이루는 평활회로를 포함하는 제 1의 스위칭제어기로 구성하고 상기 제 2의 하강압형 제어기를 상기 반도체집적회로장치에 형성된 상기 제 2의 동작전류에 대응한 작은 사이즈의 출력MOSFET로 형성된 펄스출력회로와 상기 평활회로를 포함하는 제 2의 스위칭제어기로 구성하는 것에 의해 회로의 간소화를 도모하면서 저소비전력화를 도모하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(8) 상기에 부가하여 상기 내부회로를 내장된 프로그램에 의해 신호처리를실행하는 마이크로컴퓨터기능을 갖는 데이터처리회로로하고 상기 프로그램에 따라서 상기 제 1 동작모드와 제 2 동작모드의 절환과 상기 제 1과 제 2의 제어신호를 형성하는 것에 의해 최적의 전원절환을 안정적으로 실행하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(9) 상기에 부가하여 상기 입력전원전압을 전지에 의해 형성하는 것에 의해 전지수명이 늘릴 수 있고 전자장치의 사용편의를 용이하게 하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(10) 입력전원전압으로부터 규정출력전원전압에 하강압 하는 스위치제어기와 상기의 스위칭제어기로부터의 급전에 의해 동작하는 내부회로를 구비한 반도체집적회로장치를 포함하는 전자장치에 있어서 상기 스위칭제어기를 상기 반도체집적회로장치에 형성된 드라이버제어회로와 상기 드라이버제어회로로 형성된 구동신호에 의해 출력펄스신호를 형성하는 출력회로와 상기 출력펄스신호를 평활하는 인덕턴스와 커패시터로 구성하는 것에 의해 최대전원전류에 무관계로 반도체집적회로장치의 핀수를 작게 할 수 있고 소형화 및 저코스트화에 부가하여 제어기회로의 범용성을 높게하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(11) 상기에 부가하여 상기 출력회로는 상기 구동신호가 게이트에 공급되어 소스에 상기 입력전원전압이 공급된 스위치 MOSFET와 상기 스위칭 MOSFET와 회로의 접지전위와의 사이에 설치된 역전류방지 다이오드로 구성하는 것에 의해 부품점수를 삭감하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(12) 상기에 부가하여 상기 출력회로의 전류검출저항과 상기의 검출저항에발생한 전압이 설정된 허용치를 넘어섰을 때에 상기 출력회로의 동작을 제한하는 보호회로를 설치하는 것에 의해 신뢰성을 확보하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(13) 상기에 부가하여 상기 내부회로를 제 1의 동작전류를 소비하는 제 1의 동작모드 및 상기 제 1의 동작전류보다도 작은 제 2의 동작전류를 소비하는 제 2의 동작모드를 가지는 것으로 하고 상기 스위칭제어기를 상기 내부회로의 상기 제 1의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 것으로 하고 상기 반도체집적회로장치에 내장되어 제 2의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 하강압(降壓)형 제어기와 상기 내부회로에 있어서의 제 1의 동작모드를 지시하는 제 1의 제어신호에 응답하여 상기 스위칭제어기를 동작시켜 상기 제 2의 동작모드를 지시하는 제 2의 제어신호에 응답하여 상기 강압형제어기를 동작시키는 전원제어부를 또한 부가하는 것에 의해 저소비전력화를 도모하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(14) 상기에 부가하여 상기 하강압형 제어기를 직렬제어기로 하는 것에 의해 제 2의 동작전류에 적응한 저소비전력으로 하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(15) 상기에 부가하여 상기 하강압형 제어기를 상기 반도체집적회로장치에 형성된 상기 제 2의 동작전류에 대응한 작은 사이즈의 출력MOSFET로 형성된 펄스출력회로와 상기 인덕턴스와 커패시터를 이용한 스위칭제어기로 하는 것에 의해 회로의 간소화를 도모하면서 제 2의 동작전류에 적응한 저소비전력화로 하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(16) 상기에 부가하여 상기 내부회로를 내장된 프로그램에 의해 신호처리를실행하는 마이크로컴퓨터기능을 갖는 데이터처리회로로 하고 상기 프로그램에 따라서 상기 제 1 동작모드와 제 2 동작모드의 절환과 상기 제 1과 제 2의 제어신호를 형성하는 것에 의해 최적의 전원절환을 안정적으로 실행하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
(17) 상기에 부가하여 상기 입력전원전압을 전지에 의해 형성하는 것에 의해 전지 수명을 늘릴 수 있고 전자장치의 사용편의를 용이하게 하는 것이 가능하다는 효과가 얻어진다.
이상 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예에 근거하여 구체적으로 설명하지만 본 원 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다종으로 변경가능한 것을 말할 필요도 없다. 예를들면 전원제어기는 상기읫 실시예와 같이 입력된 전원전압에 대해서 하강압전압된 내부전압을 형성하는 것 외에 반도체집적회로의 외부단자로부터 공급되는 전원전압과 거의 동등의 전압으로 있고 외부전원전압의 변동의 영향을 배제하기 위하여 안정화 된 내부전압을 형성하는 것과 외부전압에 대해서 승압전압된 전압을 형성하는 것도 용이하다. 상기와 같은 승압전압을 형성하는 경우 챠지 펌프((charge-pump)회로등과 같은 승압회로로 형성된 전압을 기초로 상기와 같은 전원제어기를 이용하는 것에 의해 챠지펌프동작에 대응한 전압변동과 부하전류에 대해서 안정화 된 내부전압을 형성하는 것이 가능하다.
상기 설명한 도 1의 실시예에 있어서 상기 13과 같은 보호회로를 설치하여도 용이하다. 반도체집적회로장치는 CPU와 RAM배열 아날로그회로 부분회로 및 입출력회로외에 데이터처리 혹은 신호처리를 위하여 필요가 되는 다른 회로가 조합되어 있는 것도 용이하다. 전자장치와 반도체집적회로 및 정보처리시스템은 상기와 같은 이동통신기외의 반도체집적회로장치의 내부회로가 하강압된 전압으로 동작하는 것을 포함하는 것이면 무엇이라도 좋다. 전자장치의 전원은 전지외에 적용전원을 이용하는 것 혹은 전지와 상용전원과를 병용하는 것도 용이하다. 본 발명은 내부회로가 하강압전압으로 동작하는 반도체집적회로를 구비한 전자장치와 반도체집적회로 및 정보처리시스템에 폭넓게 이용하는 것이 가능하다.
본 원에 있어서 개시되는 발명가운데 대표적인 것에 의해 구할 수 있는 효과를 간단하게 설명하며 하기와 같다. 즉, 제 1의 동작전류를 소비하는 제 1의 동작모드 및 상기 제 1의 동작전류보다도 작은 제 2의 동작전류를 소비하는 제 2의 동작모드를 구비한 내부회로에 대해서 입력전원전압으로부터 규정출력전원전압에 하강압하고 상기 내부회로의 상기 제 1의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 1의 하강압형 제어기 및 상기 제 2의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 2의 하강압형제어기를 조합시켜 전원제어부에 의해 상기 내부회로에 있어서의 제 1의 동작모드를 지시하는 제 1의 제어신호에 응답하여 상기 제 1의 하강압형 제어기를 동작시키고 상기 제 2의 동작모드를 지시하는 제 2의 제어신호에 응답하여 상기 제 2의 하강압형제어기를 동작시키면서 상기 내부회로 및 전원제어부를 하나의 반도체집적회로장치에 설치하는 것에 의해 저소비전력화와 상기 동작모드에 대응한 전원절환을 실행하는 것이 가능하다.
입력전원전압으로부터 규정출력전원전압에 하강압하는 스위칭제어기와 상기의 스위칭제어기로부터의 급전에 의해 동작하는 내부회로를 구비한 반도체집적회로장치를 포함하는 전자장치에 있어서 상기 스위칭제어기를 상기 반도체집적회로장치에 형성된 드라이버 제어회로와 상기 반도체집적회로장치의 외부에 설치되고 상기 드라이버제어회로에서 형성된 구동신호에 의해 출력펄스신호를 형성하는 출력회로와 상기 출력펄스신호를 평활하는 인덕턴스와 커패시터로 구성하는 것에 의해 최대전원전류에 무관계로 반도체집적회로장치의 핀수를 작게 할 수 있고 소형화 및 저 코스트에 부가하여 제어기회로의 범용성을 높게하는 것이 가능하다.

Claims (25)

  1. 제 1의 동작전류를 소비하는 제 1의 동작모드 및 상기 제 1의 동작전류보다도 작은 제 2의 동작전류를 소비하는 제 2의 동작모드를 구비한 내부회로와,
    입력전원전압으로부터 규정출력전원전압을 출력하고 상기 내부회로의 상기 제 1의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 1의 전원제어기 및 상기 제 2의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 제 2의 전원제어기와,
    상기 내부회로에 있어서의 제 1의 동작모드를 지시하는 제 1의 제어신호에 응답하여 상기 제 1의 전원제어기를 동작시켜 상기 제 2의 동작모드를 지시하는 제 2의 제어신호에 응답하여 상기 제 2의 전원제어기를 동작시키는 전원제어부를 포함하하고,
    상기 내부회로 및 전원제어부를 하나의 반도체 집적회로장치에 구비하여 이루는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1의 전원제어기는 상기 반도체집적회로장치에 형성된 펄스출력회로와 상기 반도체집적회로장치의 외부에 설치된 인덕턴스(Inductance)와 커패시터로 이루는 평활(平滑)회로를 포함하는 스위칭제어기이고,
    상기 제 2의 전원제어기는 상기 반도체집적회로장치에 형성된 제 1의 직렬제어기(Series Regulator)인 것을 특징으로 하는 전자장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 내부회로는 전원전압선이 스위치에 의해 분리된 신호처리부와 기억부로 이루어져 있고,
    상기 내부회로의 제 2의 동작모드에서는 상기 스위치를 온상태로 하여 상기 제 1의 직렬제어기로부터 상기 신호처리부와 기억부에 전류를 공급하는 동작과 상기 스위치를 오프상태로 하여 상기 기억부만으로 전류를 공급하는 동작을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 내부회로는 전원전압선이 스위치에 의해 분리된 신호처리부와 기억부로 이루어져 있고,
    상기 입력전원전압으로부터 상기 규정출력전압으로 하는 제 2의 직렬제어기를 또한 구비하고,
    상기 내부회로의 제 2의 동작모드는 상기 스위치를 온 상태로 하여 상기 제 1의 직렬제어기로부터 상기 신호처리부와 기억부에 전류를 공급하는 것과 상기 제 1의 직렬제어기가 동작을 정지하고 또한 상기 스위치를 오프상태로 하여 상기 제 2의 직렬제어기가 동작을 실행하여 상기 기억부만으로 전류를 공급하는 동작을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 입력전원전압으로부터 소정의 출력전원전압으로 하는 제 2의 직렬제어기와 상기의 제 2의 직렬제어기에 의해 동작전압이 전해지는 아날로그회로를 또한 구비하고,
    상기 제 2의 직렬제어기는 상기의 스위칭 제어기와 직렬제어기가 동작을 정지시킬 때 동시에 동작을 정지시키는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 입력전원전압 또는 상기 규정출력전압을 받고 상기 규정출력전압 이하의 저전압을 출력하는 제 3의 직렬제어기와 상기의 제 3의 직렬제어기에 의해 동작전압이 전해지는 부분회로를 또한 구비하고,
    상기 제 3의 직렬제어기는 상기 스위칭제어기와 직렬제어기가 동작을 정지시킬 때에 동시에 동작을 정지시키고 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 1의 전원제어기는 상기 반도체집적회로장치에 형성된 상기 제 1의 동작전류에 대응한 커다란 사이즈의 출력트랜지스터로 형성된 펄스출력회로와 상기 반도체집적회로장치의 외부에 설치된 인덕턴스와 커패시터로 이루는 평활회로를 포함하는 제 1의 스위칭제어기이고,
    상기 제 2의 전원제어기는 상기 반도체집적회로장치에 형성된 상기 제 2의동작전류에 대응한 작은 사이즈의 출력트랜지스터로 형성된 펄스출력회로와 상기 평활회로를 포함하는 제 2의 스위칭제어기인 것을 특징으로 하는 전자장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 내부회로는 내장된 프로그램에 의해 신호처리를 실행하는 마이크로컴퓨터기능을 갖는 데이터처리회로를 포함하고,
    상기 프로그램에 따라서 상기 제 1 동작모드와 제 2 동작모드의 절환과 상기 제 1과 제 2의 제어신호가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 입력전원전압은 전지에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  10. 입력전원전압으로부터 규정출력전원전압을 출력하는 스위칭제어기와,
    상기의 스위칭제어기로부터의 급전에 의해 동작하는 내부회로를 구비한 반도체집적회로장치를 포함하고,
    상기 스위칭제어기는,
    상기 반도체집적회로장치에 형성된 드라이버제어회로와,
    상기 드라이버제어회로로 형성된 구동신호에 의해 출력펄스신호를 형성하는 출력회로와,
    상기 출력펄스신호를 평활하는 인덕턴스와 커패시터와 상기 출력회로의 출력과 회로의 접지전위와의 사이에 설치된 역전류방지의 다이오드(Diode)로 이루는 평활회로로 구성되는 상기 출력회로와 상기 평활회로는 상기 반도체집적회로장치의 외부에 설치되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 출력회로는 상기 구동신호가 게이트에 공급되어 소스에 상기 입력전원전압이 공급된 스위치 MOSFET로 이루는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 출력회로의 전류검출저항과 상기의 검출저항에 발생한 전압이 설정된 허용치를 넘어섰을 때에 상기 출력회로의 동작을 제한하는 보호회로를 또한 구비하여 이루는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 내부회로는 제 1의 동작전류를 소비하는 제 1의 동작모드 및 상기 제 1의 동작전류보다도 작은 제 2의 동작전류를 소비하는 제 2의 동작모드를 갖고,
    상기 스위칭제어기는 상기 내부회로의 상기 제 1의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖도록 되고,
    상기 반도체집적회로장치에 내장되어 제 2의 동작전류에 대응한 전류공급능력을 갖는 하강압(降壓)형 제어기와 상기 내부회로에 있어서의 제 1의 동작모드를 지시하는 제 1의 제어신호에 응답하여 상기 스위칭제어기를 동작시켜 상기 제 2의 동작모드를 지시하는 제 2의 제어신호에 응답하여 상기 하강압형제어기를 동작시키는 전원제어부를 또한 구비하여 이루는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 하강압형 제어기는 직렬제어기인 것을 특징으로 하는 전자장치.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 하강압형 제어기는,
    상기 반도체집적회로장치에 형성된 상기 제 2의 동작전류에 대응한 작은 사이즈의 출력트랜지스터로 형성된 펄스출력회로와 상기 인덕턴스와 커패시터를 이용한 스위칭제어기인 것을 특징으로 하는 전자장치.
  16. 청구항 10에 있어서,
    상기 내부회로는 내장된 프로그램에 의해 신호처리를 실행하는 마이크로컴퓨터기능을 갖는 데이터처리회로를 포함하고,
    상기 프로그램에 따라서 상기 제 1 동작모드와 제 2 동작모드의 절환과 상기 제 1과 제 2의 제어신호가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 입력전원전압은 전지에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  18. 제 1의 동작모드와 제 2의 동작모드를 갖고 소정의 전압의 전력을 공급되는 전원단자와,
    상기 제 1의 동작모드시에 동작하고 상기 전원단자에 접속되어 제 1의 전압인 전원전력을 공급하는 제 1 전원부와,
    상기 제 2의 동작모드시에 동작하고 상기 전원단자에 접속되어 제 2의 전압인 전원전력을 공급하는 제 2 전원부를 갖고,
    동작모드신호에 따라서 상기 제 1의 동작모드와 제 2의 동작모드를 선택적으로 절환이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 동작모드신호에 접속되는 제어회로를 갖고,
    상기 제어회로는,
    상기 제 1 동작모드를 지시된 경우 상기 제 1 전원부를 동작시키고,
    상기 제 2 동작모드를 지시된 경우 상기 제 2 전원부를 동작시키는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 제 1 전원부에 접속되는 제 1 회로와,
    상기 제 1 전원부와 제 2 전원부에 접속되는 제 2 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 제 1의 동작모드는 동작상태이고 상기 제 2의 동작모드는 상태지지상태이고,
    상기 제 2회로는,
    상기 제 1의 동작모드에서는 소정의 동작을 실행하고 상기 제 2의 동작모드에서는 내부상태를 유지해가는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  22. 청구항 21에 있어서,
    또한 제 3의 동작모드를 갖고,
    상기 제 3의 동작모드를 지시된 경우 상기 제어회로는 상기 제 2 전원부를 동작시키고,
    상기 제 2 회로는 제 3 회로와 제 4 회로를 갖고,
    제 3회로는,
    상기 제 2의 동작모드를 지시된 경우 상기 제 1 전원부에 접속되고,
    상기 제 3의 동작모드를 지시된 경우 전원공급이 정지되는 제 4회로는,
    상기 제 2의 동작모드를 지시된 경우 상기 제 1 전원부에 접속되고 상기 제 3의 동작모드를 지시된경우 상기 제 2 전원부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 제 3 회로는,
    상기 제 3의 동작모드를 지시된경우 소정의 시간 제 1 전원으로부터 전원을 공급된 후 전원공급이 정지되어 있는 것이고,
    상기 제 3의 동작모드를 지시된 경우 상기 제 3 회로는 전원공급이 정지되기 전에 소정의 정보를 상기 제 4 회로에 전달하는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  24. 청구항 19에 있어서,
    상기 제 1 전원부에 접속되는 제 5 회로와,
    상기 제 2 전원부에 접속되는 제 6 회로를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  25. 제 1 동작모드와 제 2 동작모드를 갖고,
    전원단자와,
    상기 전원단자에 접속되고 제 1의 전압인 전원전력을 공급하는 제 1 전원부와,
    상기 제 2 전압인 전원전력을 공급하는 제 2 전원부와,
    상기 제 1 동작모드와 제 2 동작모드를 지시하는 동작모드신호와,
    데이터처리부와,
    상기 동작모드신호에 응하여 상기 데이터처리부에 상기 제 1 동작모드시에 상기 제 1 전원부로부터 전원전력을 공급하고 상기 제 2 동작모드시에 상기 제 2 전원부로부터 전원전력을 공급하는 공급전력선택부를 갖는 반도체집적회로와,
    상기 전원단자에 접속되는 전원부와 전원부에 접속되는 제 1 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 정보처리 시스템.
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