TWI444802B - 電壓調節裝置 - Google Patents

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TWI444802B TW100107434A TW100107434A TWI444802B TW I444802 B TWI444802 B TW I444802B TW 100107434 A TW100107434 A TW 100107434A TW 100107434 A TW100107434 A TW 100107434A TW I444802 B TWI444802 B TW I444802B
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    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
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Description

電壓調節裝置
本發明係關於一種電壓調節裝置，特別是指一種具線性電壓調節功能的交換式電壓調節裝置。
穩壓器或電壓調節器用以將未經調節的電壓轉變為特定輸出電壓的穩定直流電壓，通常有二類電壓調節模式：線性電壓調節及交換式電壓調節；前者以低壓差(Low Drop Out,LDO)穩壓器為代表，後者則以脈衝寬度調變(Pulse-width modulation,PWM)穩壓器為代表。線性電壓調節器通常提供較小的輸出電流量，適合於輕負載或無負載的使用狀況，且在輕負載時效率較佳；而交換式電壓調節器則通常提供較大的輸出電流量，適用於重負載的需求，且在重負載時效率較佳。
此二類電壓調節器各有其適用的應用面，然而在量產以降低成本的產業趨勢下，生產業者開發出具有線性及交換式的雙模式電壓調節器，能以單一的積體電路晶片即可提供多樣而少量的利基產品之使用。然而，在成本的考量下，該技術領域的發展朝向新的電路設計及技術，以使此類電壓調節裝置能進一步共用或減少更多的電路構件，而達到製作成本降低的目的。
有鑑於此，在本發明的一方面，一實施例提供一種電壓調節裝置，其包含一線性調節單元、一交換調節單元、一選擇單元、及一第一及一第二功率電晶體。其中，該線性調節單元包括：一第一輸出級單元，其提供該電壓調節裝置的一第一輸出電壓，並產生該第一輸出電壓的一第一分壓；及一第一誤差放大器，比較該第一分壓及一第一參考電壓，並產生一第一誤差信號。該交換調節單元包括：一第二輸出級單元，其提供該電壓調節裝置的一第二輸出電壓，並產生該第二輸出電壓的一第二分壓；及一脈衝寬度調變單元，依據該第二電壓及一第二參考電壓，產生一第一及一第二脈衝寬度調變信號。該選擇單元耦接該線性調節單元及該交換調節單元，接收該第一誤差信號及該第二脈衝寬度調變信號，並輸出一調節信號選自：該第一誤差信號及該第二脈衝寬度調變信號。該第一功率電晶體耦接該交換調節單元，並接收該第一脈衝寬度調變信號；及該第二功率電晶體耦接該選擇單元、該第一功率電晶體及一接線點，該第二功率電晶體接收該調節信號；其中，該第一及第二功率電晶體的連接點又連接至該第二輸出級單元。其中若該電壓調節裝置的操作狀態為線性調節模式時，則該選擇單元選擇該第一誤差信號為該調節信號，且該接線點又連接至該第一輸出級單元；而若該電壓調節裝置為交換調節模式時，則該選擇單元選擇該第二脈衝寬度調變信號為該調節信號，且該接線點又連接至一接地端。
在本發明的另一方面，另一實施例提供一種電壓調節裝置，其包含一線性調節單元、一交換調節單元、一選擇單元、及一第一及一第二功率電晶體。其中，該線性調節單元包括：一第一輸出級單元，其提供該電壓調節裝置的一第一輸出電壓，並產生該第一輸出電壓的一第一分壓；及一第一誤差放大器，比較該第一分壓及一第一參考電壓，並產生一第一誤差信號。該交換調節單元包括：一第二輸出級單元，其提供該電壓調節裝置的一第二輸出電壓，並產生該第二輸出電壓的一第二分壓；及一脈衝寬度調變單元，依據該第二電壓及一第二參考電壓，產生一第一及一第二脈衝寬度調變信號。該選擇單元耦接該線性調節單元及該交換調節單元，接收該第一誤差信號及該第二脈衝寬度調變信號，並輸出一調節信號選自：該第一誤差信號及該第二脈衝寬度調變信號。該第一功率電晶體耦接該交換調節單元，並接收該第一脈衝寬度調變信號；及該第二功率電晶體耦接該選擇單元、該第一功率電晶體及一接地開關，該第二功率電晶體接收該調節信號；其中，該第一及第二功率電晶體的連接點又連接至該第二輸出級單元，且該接地開關及該第二功率電晶體的連接點又連接至該第一輸出級單元。其中，若該電壓調節裝置為線性調節模式，則該選擇單元選擇該第一誤差信號為該調節信號，且該接地開關為切斷(OFF)；而若該電壓調節裝置為交換調節模式，則該選擇單元選擇該第二脈衝寬度調變信號為該調節信號，且該接地開關為導通(ON)。
以下將參照隨附之圖式詳細描述及說明本發明之特徵、目的、功能，及其達成所使用的技術手段；但所列舉之實施例僅為輔助說明，以利對本發明有更進一步的認知與瞭解，並不因此限制本發明的範圍及技術手段。
請參照圖一，為根據本發明實施例之電壓調節裝置的電路示意圖。本實施例的電壓調節裝置100包含：一線性調節單元110、一交換調節單元120、一選擇單元130、及複數個功率電晶體140/150；該電壓調節裝置100係以交換式電壓調節模式為操作的主體，但亦可以依實際需求而提供線性電壓調節模式，其特徵在於：本實施例兩者模式的操作係共用功率電晶體，尤其當選用線性電壓調節模式時，無須外掛輸出電容，可節省成本及增加其應用性。
該線性調節單元110包括一第一輸出級單元112及一第一誤差放大器114。本實施例的第一輸出級單元112提供該電壓調節裝置100的一第一輸出電壓Vout1 ，其係由一分壓電路所構成，該分壓電路係由複數個電阻串接構成，而利用電阻分壓的方式產生該第一輸出電壓Vout1 的第一分壓Vd1 ，以提供予該第一誤差放大器114作為輸入電壓。該第一誤差放大器114，比較該第一分壓Vd1 及一第一參考電壓Vref1 ，以產生誤差信號並加以放大，而輸出一第一誤差信號VLDO ，以供本實施例操作於線性電壓調節模式。
該交換調節單元120包括一第二輸出級單元122及一脈衝寬度調變單元124。該第二輸出級單元122提供該電壓調節裝置100的一第二輸出電壓Vout2 ，其係由另一分壓電路及一低通濾波電路所構成，該分壓電路亦由複數個電阻串接構成，而利用電阻分壓的方式產生該第二輸出電壓Vout2 的第二分壓Vd2 ，以提供予交換式電壓調節模式的該脈衝寬度調變單元124作為輸入電壓。該低通濾波電路係由一電容C及一電感L構成。值得注意的是，構成該低通濾波電路的電容C及電感L，並未整合於該電壓調節裝置100本身的積體電路晶片中，而是屬於分離(Discrete)元件，該低通濾波電路的電容及/或電感依據設計規格而選用及安裝。該脈衝寬度調變單元124提供交換式電壓調節模式的電壓調節，本實施例係以一第二誤差放大器126、一比較器127、及一前置驅動器128串接而成。該第二誤差放大器126耦接該第二輸出級單元124，比較該第二分壓Vd2 及一第二參考電壓Vref2 ，以產生誤差信號並加以放大，而輸出一第二誤差信號；該比較器127耦接該第二誤差放大器126，比較該第二誤差信號及一三角波或鋸齒波的電壓信號Vtri ，並產生一比較信號；該前置驅動器128耦接該比較器127，對該比較信號進行驅動放大，並產生該第一及一第二脈衝寬度調變信號VPWM1 /VPWM2 ，以供本實施例操作於交換式電壓調節模式。
該選擇單元130用以提供該電壓調節裝置100選擇線性或交換式電壓調節模式，其耦接該線性調節單元110及該交換調節單元120，接收該第一誤差信號VLDO 及該第二脈衝寬度調變信號VPWM2 。若選擇線性調節模式，則該選擇單元130輸出的調節信號為該第一誤差信號VLDO ；若選擇交換調節模式，則該選擇單元130輸出的調節信號為該第二脈衝寬度調變信號VPWM2 。
另外，為了使該電壓調節裝置100能正常切換於線性或交換式電壓調節模式，在如圖三所示的實施例中，選擇單元130還負責控制一接地開關163的操作，該接地開關163連接該功率電晶體150與一接地端，此將說明於後文中。
考量交換式電壓調節模式的電路設計，本實施例的功率電晶體採用一對的P型及N型金氧半場效電晶體140/150所組成的互補式場效電晶體(CMOS)。該P型金氧半場效電晶體140的閘級耦接該交換調節單元120，並接收該第一脈衝寬度調變信號VPWM1 ，其源級連接至一直流電壓VDD ，且其汲級連接至該N型金氧半場效電晶體150。該N型金氧半場效電晶體150的閘級耦接該選擇單元130以接收該調節信號，且其汲級連接至該P型金氧半場效電晶體140。
為了使該電壓調節裝置100能正常操作及選用線性或交換式電壓調節模式，本實施例提供二種實施範例如下。範例1為如圖一所示電路圖的電壓調節裝置100，該N型金氧半場效電晶體150的源級連接至一接線點(Bonding pad)161或晶片封裝後的接腳，並藉由該接線點161，當該電壓調節裝置100選用交換調節的操作模式，則該調節信號為該第二脈衝寬度調變信號VPWM2 ，且該接線點161連接至一接地端；上述結果的電路圖重新繪示於圖二A；如圖所示，可實現交換式電壓調節器的操作。另一方面，若該電壓調節裝置100選擇線性調節的操作模式，則該調節信號為該第一誤差信號VLDO ，且該接線點161連接該第一輸出級單元112，而輸出該第一輸出電壓Vout1 ；上述結果的電路圖亦重新繪示於圖二B；如圖所示，可實現線性電 壓調節器的操作。
範例2則為如圖三所示電路圖的電壓調節裝置300，該N型金氧半場效電晶體150的源級連接至一接地開關163，該接地開關163又連接至一接地端，並受該選擇單元130的控制。藉由該接地開關163及該選擇單元130，當該電壓調節裝置300選擇交換式的電壓調節模式，則該調節信號為該第二脈衝寬度調變信號VPWM2 ，且該接地開關為導通(ON)，使該N型金氧半場效電晶體150的源級連接至接地端；上述結果的電路圖亦如圖二A所示，為交換式電壓調節器的操作。另一方面，當該電壓調節裝置300選擇線性的電壓調節模式，則該調節信號為該第一誤差信號VLDO ，且該接地開關為切斷(OFF)，使該N型金氧半場效電晶體150的源級連接至該第一輸出級單元112，而輸出該第一輸出電壓Vout1 ；上述結果的電路圖亦重新繪示如圖二B，為線性電壓調節器的操作。
請注意，習知技術的線性電壓調節器係採用P型金氧半場效電晶體作為輸出端的功率電晶體，其輸出阻抗大而通常需要加上具有低通濾波作用的電容(大約1μF或10μF)；而本實施例係以N型金氧半場效電晶體作為功率電晶體，其源級端的輸出阻抗小，故無須再外加濾波電容，而可節省元件成本。此外，線性電壓調節器通常提供較小的輸出電流量，適合於輕負載或無負載的使用狀況，且在輕負載時效率較佳；而交換式電壓調節器則通常提供較大的輸出電流量，適用於重負載的需求，且在重負載時效率較佳。在本實施例的線性及交換式電壓調節模式係共用該N型金氧半場效電晶體150，但二模式對該N型金氧半場效電晶體150的操作電流需求卻不一致；因此，本實施例的N型金氧半場效電晶體150可為電流可調式的電晶體。在其積體電路晶片設計上，該N型金氧半場效電晶體150係為複數個電晶體並聯所構成，也就是說，該等電晶體的源極彼此相連接，汲極亦彼此相連接，閘極則依據所需的輸出電流量，選用適當數量的閘極彼此相連接，藉由電晶體並聯的結構，使該N型金氧半場效電晶體150的操作電流可因實際需求而調整。
舉例來說，圖四為上述複數個電晶體151～158並聯的N型金氧半場效電晶體150的實施例，該等電晶體151～158的閘極各分別連接至一開關，該等開關的另一端皆耦接該選擇單元130以接收該調節電壓。在本實施例中，該等開關可以習知的積體電路技術所製作熔絲(fuse)開關來實現，而根據該電壓調節裝置100應用於線性或交換式調節模式、或其輸出級所需的操作電流，進行該等熔絲開關F1 ～F8 導通(On)或關閉(Off)的設定，藉此可選用適當數量的N型金氧半場效電晶體150彼此並聯，以提供該電壓調節裝置100輸出級適當的操作電流。例如，若該電壓調節裝置100為線性電壓調節模式，該N型金氧半場效電晶體150所需的操作電流較小，則可使熔絲開關F1 導通且F2 ～F8 切斷；另一方面，若該電壓調節裝置100為交換式電壓調節模式，該N型金氧半場效電晶體150所需的操作電流較大，則可使熔絲開關F1 ～F8 全部導通。如此即可達成具線性及交換式雙模式的電壓調節裝置可共用功率電晶體，又能解決兩者模式對操作電流需求不一致的問題；但不以此為限，該N型金氧半場效電晶體150亦可以選用其他電流可調式的電晶體。如上述說明可知，本實施例的電壓調節裝置100確能提供線性及交換式電壓調節模式的選擇、二者模式可共用相同的功率電晶體、且當選用線性的電壓調節模式時，無須外掛輸出電容，可進一步減少製作成本。
唯以上所述者，包含：特徵、結構、及其它類似的效果，僅為本發明之較佳實施例，當不能以之限制本發明的範圍。此外，上述各實施例所展示的特徵、結構、及其它類似的效果，亦可為該領域所屬的技藝人士在依本發明申請專利範圍進行均等變化及修飾，仍將不失本發明之要義所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故都應視為本發明的進一步實施狀況。
此外，上述各實施例所描述者只能算是實施範例，並不能因此限制本發明的範圍。例如，各實施例所使用的元件或單元，可為該領域所屬的技藝人士進行修改及實現，仍將不失本發明之要義。
100/300．．．電壓調節裝置
110．．．線性調節單元
112．．．第一輸出級單元
114．．．第一誤差放大器
120．．．交換調節單元
122．．．第二輸出級單元
124．．．脈衝寬度調變單元
126．．．第二誤差放大器
127．．．比較器
128．．．前置驅動器
130．．．選擇單元
140．．．P型功率電晶體
150．．．N型功率電晶體
151～158．．．電晶體
F1 ～F8 ．．．熔絲開關
161．．．接線點
163．．．接地開關
C．．．電容
L．．．電感
圖一　根據本發明實施例之電壓調節裝置的電路示意圖。
圖二A本實施例之電壓調節裝置操作於交換式調節模式時的電路示意圖。
圖二B本實施例之電壓調節裝置操作於線性調節模式時的電路示意圖。
圖三　本實施例範例2之電壓調節裝置的電路示意圖。
圖四　複數個電晶體搭配熔絲開關以實現電流可調式電晶體的實施範例之電路示意圖。
100．．．電壓調節裝置
110．．．線性調節單元
112．．．第一輸出級單元
114．．．第一誤差放大器
120．．．交換調節單元
122．．．第二輸出級單元
124．．．脈衝寬度調變單元
126．．．第二誤差放大器
127．．．比較器
128．．．前置驅動器
130．．．選擇單元
140．．．P型功率電晶體
150．．．N型功率電晶體
161．．．接線點
C．．．電容
L．．．電感

Claims (13)

  1. 一種電壓調節裝置，其包括：一線性調節單元，其包括一第一輸出級單元，其提供該電壓調節裝置的一第一輸出電壓，並產生該第一輸出電壓的一第一分壓；及一第一誤差放大器，耦接該第一輸出級單元，該第一誤差放大器比較該第一分壓及一第一參考電壓，並產生一第一誤差信號；一交換調節單元，其包括一第二輸出級單元，其提供該電壓調節裝置的一第二輸出電壓，並產生該第二輸出電壓的一第二分壓；及一脈衝寬度調變單元，耦接該第二輸出級單元，該脈衝寬度調變單元依據該第二分壓及一第二參考電壓，產生一第一及一第二脈衝寬度調變信號；一選擇單元，耦接該線性調節單元及該交換調節單元，接收該第一誤差信號及該第二脈衝寬度調變信號，並輸出一調節信號選自該第一誤差信號及該第二脈衝寬度調變信號二者其中之一；一第一功率電晶體，耦接該交換調節單元，並接收該第一脈衝寬度調變信號；及一第二功率電晶體，耦接該選擇單元及該第一功率電晶體，該第二功率電晶體接收該調節信號；其中，該第一及第二功率電晶體的連接點又連接至該第二輸出級單元；其中，該電壓調節裝置的操作狀態選自：一線性調節模式，則該選擇單元選擇該第一誤差信號為該調節信號；及一交換調節模式，則該選擇單元選擇該第二脈衝寬度調變信號為該調節信號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節裝置，更包括一接地開關，耦接該第二功率電晶體，且該接地開關及該第二功率電晶體的連接點又連接至該第一輸出級單元。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電壓調節裝置，其中該接地開關耦接一接地端，且若該電壓調節裝置的操作狀態為該線性調節模式時，則該接地開關為切斷(OFF)；而若該電壓調節裝置為該交換調節模式時，則該接地開關為導通(ON)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節裝置，更包括一接線點(Bonding pad)，耦接該第二功率電晶體；其中若該電壓調節裝置的操作狀態為該線性調節模式時，則該接線點又連接至該第一輸出級單元；而若該電壓調節裝置為該交換調節模式時，則該接線點又連接至一接地端。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節裝置，其中該第一功率電晶體為P型金氧半場效電晶體，其閘級連接至該第一脈衝寬度調變信號，其源級連接至一直流電壓，且其汲級連接至該第二功率電晶體。
  6. 如申請專利範圍第1項之電壓調節裝置，其中該第二功率電晶體為電流可調式的電晶體。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節裝置，其中該第二功率電晶體進一步包括：複數個並聯的N型金氧半場效電晶體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電壓調節裝置，其中該N型金氧半場效電晶體的閘級連接至該調節信號，且其汲級連接至該第一功率電晶體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節裝置，其中該脈衝寬度調變單元進一步包括：一第二誤差放大器，耦接該第二輸出級單元，比較該第二分壓及該第二參考電壓，並產生一第二誤差信號；一比較器，耦接該第二誤差放大器，比較該第二誤差信號及一電壓信號，並產生一比較信號；及一前置驅動器，耦接該比較器，放大該比較信號，並產生該第一及第二脈衝寬度調變信號。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節裝置，其中該第一輸出級單元係由複數個電阻串接的一第一分壓電路所組成。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節裝置，其中該第二輸出級單元係由一第二分壓電路及一低通濾波電路所組成。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電壓調節裝置，其中該第二分壓電路係由複數個電阻串接組成。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之電壓調節裝置，其中該低通濾波電路包括一電容及一電感。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8890493B2 (en) * 2010-12-29 2014-11-18 Tacettin Isik Highly simplified switching regulator which allows very high switching frequencies
US10698432B2 (en) * 2013-03-13 2020-06-30 Intel Corporation Dual loop digital low drop regulator and current sharing control apparatus for distributable voltage regulators
US9250694B1 (en) * 2013-05-10 2016-02-02 Sridhar Kotikalapoodi Method and apparatus for fast, efficient, low noise power supply
CN105700599A (zh) * 2014-11-24 2016-06-22 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 电子设备电压调节装置
US9735677B2 (en) 2015-06-05 2017-08-15 Endura IP Holdings Ltd. DC-DC converter having digital control and reference PWM generators
DE102020129614B3 (de) * 2020-11-10 2021-11-11 Infineon Technologies Ag Spannungsregelschaltkreis und Verfahren zum Betreiben eines Spannungsregelschaltkreises

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001211640A (ja) * 2000-01-20 2001-08-03 Hitachi Ltd 電子装置と半導体集積回路及び情報処理システム
CN101107581B (zh) * 2005-01-25 2010-08-18 松下电器产业株式会社 电源系统
US7064531B1 (en) 2005-03-31 2006-06-20 Micrel, Inc. PWM buck regulator with LDO standby mode
US20070290657A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-20 David John Cretella Circuit and method for regulating voltage
US7759916B2 (en) * 2008-05-12 2010-07-20 Microchip Technology Incorporated Regulator with device performance dynamic mode selection

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