JP5512139B2 - 半導体集積回路装置及び電源供給回路 - Google Patents
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Description
<第1の実施例>
図1は、本発明の第1の実施例を示し、電源供給回路を含む全体構成を示している。半導体集積回路(LSI)装置20は、少なくとも1つの電源供給回路10を含むと共に、複数の機能回路としてI/O回路21と、ロジック回路22と、発振回路23とを含む。本図の例では、3つの機能回路21、22及び23が示されているが本発明にかかる限定はなく、半導体集積回路装置20は4つ以上の機能回路を含み得る。また、本実施例では、機能回路21、22及び23の各機能を例えばI/O、ロジック及び発振としたが、これはあくまでも例であって、電源電圧に応じて動作し得る多様な機能を奏する回路であり得る。
説明しているが、図1においては、電圧端子VDDHへ供給する電圧は電池電圧であることから電圧端子VDDと電圧端子VDDHは共通の端子であってもよい。
<第1の実施例の変形例>
図4は、第1の実施例の変形例を示している。本変形例の構成は、図1に示された構成とは異なり、定電圧回路VR2の入力端子VRIN2が電圧端子VDDに直接接続されている。
<第2の実施例>
図5は、本発明の第2の実施例を示し、電源供給回路を含む全体構成を示している。第2の実施例における電源供給回路10は、第1の実施例における構成に加えて、第2降圧回路13と、P型MOSFETである3つのトランジスタTr3、Tr4及びTr5をさらに含む。第2の実施例における電源供給回路10の構成について、第1の実施例における構成と異なる部分についてのみ以下説明する。
<第3の実施例>
図6は、本発明の第3の実施例を示し、電源供給回路を含む全体構成を示している。第3の実施例における電源供給回路10は、第2の実施例における構成とは異なり、2つのトランジスタTr1及びTr2が取り除かれた構成である。第3の実施例における電源供給回路10の構成について、第2の実施例における構成と異なる部分についてのみ以下説明する。
個別に電源電圧レベルを制御して与えるものである。かかる特徴により、機能回路毎に電源電圧を抑えることで低消費電流化が効果的に達成される。例えば、I/O回路に対しては、起動制御や外部インタフェース制御が必要なため降圧されていない電源電圧を与えられている。常時動作して消費電流の割合が大きい発振回路に対しては、1/4降圧電源が用いられ、低消費電流効果を大きくすることができる。
11 BLD内蔵制御回路
12 第1降圧回路
13 第2降圧回路
20 半導体集積回路装置
21 I/O回路
22 ロジック回路
23 発振回路
C1〜C4 コンデンサ
Eb 電池
GDD 接地端子
Tr1〜Tr5 トランジスタ
VDD、、VDDH、VDDL、VDDX 電圧端子
VR1、VR2 定電圧回路
VRIN1、VRIN2 入力端子
Claims (6)
- 外部電源端子と、前記外部電源端子に供給される外部電源電圧から内部電源電圧を生成し当該内部電源電圧を複数の機能回路に供給する電源供給回路と、含む半導体集積回路装置であって、
前記電源供給回路は、前記外部電源電圧から当該外部電源電圧よりも低い第1の降圧電圧及び当該第1の降圧電圧よりも低い第2の降圧電圧を生成する降圧回路と、
前記複数の機能回路のうちの第1の特定機能回路に対して前記外部電源電圧を内部電源電圧として供給すると共に、前記複数の機能回路のうちの第2及び第3の特定機能回路に対して互いに異なる内部電源電圧を供給する制御回路と、を含み、
前記制御回路は、
前記外部電源電圧及び前記第1の降圧電圧のうちから前記外部電源電圧と所定の比較電圧との比較結果に応じた1の電圧を選択しこれを内部電源電圧として前記第2の特定機能回路に供給すると共に、
前記外部電源電圧、前記第1及び第2の降圧電圧のうちから前記比較結果及び前記機能回路の負荷レベルに応じた1の電圧を選択しこれを内部電源電圧として前記第3の特定機能回路に供給することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記制御回路は、
前記外部電源電圧が前記比較電圧より高い場合には前記第1の降圧電圧を前記第2の特定機能回路に供給すると共に前記第2の降圧電圧を前記第3の特定機能回路に供給し、
前記外部電源電圧が前記比較電圧以下である場合には前記外部電源電圧を前記第2の特定機能回路に供給すると共に前記第1の降圧電圧を前記第3の特定機能回路に供給し、
前記外部電源電圧が前記比較電圧以下であり且つ前記第2の特定機能回路での負荷が所定のレベルより高い場合には前記外部電源電圧を前記第3の特定機能回路に供給することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 前記内部電源電圧として前記制御回路によって供給される電圧を定電圧に維持した上でこれを出力する少なくとも1つの定電圧回路をさらに含むことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体集積回路装置。
- 前記降圧回路は、スイッチドキャパシタ方式を用いた降圧回路であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路は、前記比較結果に応じてON/OFF動作する少なくとも2つのトランジスタを制御することによって、前記外部電源電圧及び前記第1及び第2の降圧電圧の各々を選択的に切り替えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の半導体集積回路装置。
- 外部電源端子に供給される外部電源電圧から内部電源電圧を生成し当該内部電源電圧を複数の機能回路に供給する電源供給回路であって、
前記外部電源電圧から当該外部電源電圧よりも低い第1の降圧電圧及び当該第1の降圧電圧よりも低い第2の降圧電圧を生成する降圧回路と、
前記複数の機能回路のうちの第1の特定機能回路に対して前記外部電源電圧を内部電源電圧として供給すると共に、前記複数の機能回路のうちの第2及び第3の特定機能回路に対して互いに異なる内部電源電圧を供給する制御回路と、を含み、
前記制御回路は、
前記外部電源電圧及び前記第1の降圧電圧のうちから前記外部電源電圧と所定の比較電圧との比較結果に応じた1の電圧を選択しこれを内部電源電圧として前記第2の特定機能回路に供給すると共に、
前記外部電源電圧、前記第1及び第2の降圧電圧のうちから前記比較結果及び前記機能回路の負荷レベルに応じた1の電圧を選択しこれを内部電源電圧として前記第3の特定機能回路に供給することを特徴とする電源供給回路。
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