JP2004047810A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】電圧降下回路の出力電圧Vcc1を不安定にすることなくLSIに内蔵する安定化容量が占める面積を削減し、LSIの面積を小さくすることが可能な半導体集積回路を得る。
【解決手段】電源電圧を降圧して取り出したVcc1を複数の機能ブロックに供給する電圧降下回路、Vcc1を安定化させる安定化容量、Vcc1とVssを選択的に切り替えてVcc2として取り出して対応する機能ブロックのそれぞれに供給する機能ブロック毎に設けられた複数の電圧切り替え回路を備え、機能ブロックのそれぞれが、Vcc1とVcc2により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力を安定化するための容量を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】電源電圧を降圧して取り出したVcc1を複数の機能ブロックに供給する電圧降下回路、Vcc1を安定化させる安定化容量、Vcc1とVssを選択的に切り替えてVcc2として取り出して対応する機能ブロックのそれぞれに供給する機能ブロック毎に設けられた複数の電圧切り替え回路を備え、機能ブロックのそれぞれが、Vcc1とVcc2により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力を安定化するための容量を形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は集積化された個別機能ブロックを複数個配置し、任意の個別機能ブロックをスタンバイ状態に制御できる電源供給手段を組み込んだ半導体集積回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路(以下LSIと称す)はプロセスの微細化によりトランジスタの耐圧や信頼性を維持するため、印加できる電源電圧が低くなっている。また、トランジスタで流れるサブスレッショルド電流も増加傾向にある。しかしながら、安価なシステムを構築する場合、LSI以外のデバイスの電源電圧を下げることができない場合が多く、LSI内部に電圧降下回路を内蔵するケースが多くなっている。電圧降下回路には電圧安定化の負荷容量が必要であるが、システムの部品点数削減および端子数の制約等によりこの負荷容量もLSI内部に内蔵する傾向にあり、プロセスを微細化してもLSIの面積縮小効果が小さくなっている。
【0003】
また、バッテリ駆動型の携帯型電子機器等で使用されるLSIに対して、スタンバイ時の低消費電力の要求が強くなっているが、電圧降下回路は内部にコンパレータを有するため電圧降下回路自身の消費電力が大きく、電圧降下回路を内蔵するLSIにおいて、スタンバイ時の低消費電力化が技術的な課題となっている。
【0004】
LSIの消費電力を削減する技術として、例えば、特開平6−232349号公報「半導体集積回路」(文献1)に開示されている技術がある。この技術は、使用しない機能ブロックの電源電圧Vccを電源切り替え回路において基準電圧Vssに切り替えて非アクティブ状態にすることにより消費電力を削減するものである。また、電圧降下回路を内蔵したLSIにおいて消費電力を削減する手法として、特開2002−49443号公報「内部降圧制御方式」(文献2)に開示されている技術がある。この技術は、機能ブロックごとに電圧降下回路を設けて機能ブロックごとに電圧を下げることによりLSI全体の消費電力を削減するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体集積回路は以上のように構成されているので、以下のような問題があった。文献1に示された技術を、電圧降下回路を内蔵するLSIに適用した場合、スタンバイ時に機能ブロックの電源を基準電圧Vss(接地電位)に切り替えると、機能ブロックのゲート寄生容量がなくなるため、あらかじめ電圧降下回路の安定化容量を大きい値を入れておく必要があり、その分LSIの面積を増大させてしまうことになる。また、文献2に示された技術は、電圧降下回路を機能ブロック毎に設けているため面積的に不利であるばかりでなく、各電圧降下回路で消費される消費電力の総量が大きくなってしまう。
【0006】
この発明は上記のような問題を解決するためになされたもので、電圧降下回路の出力電圧を不安定にすることなくLSIに内蔵する安定化容量が占める面積を削減し、LSIの面積を小さくすることが可能な半導体集積回路を得ることを目的とする。
また、この発明は内蔵する電圧降下回路の消費電力を削減してLSIのスタンバイ時の消費電力を削減することが可能な半導体集積回路を得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体集積回路は、複数の機能ブロックを備えた半導体集積回路において、外部から供給された電源電圧を降圧して取り出した第1の電圧を複数の機能ブロックに供給する電圧降下回路と、第1の電圧を安定化させる安定化容量と、第1の電圧と基準電圧を選択的に切り替えて第2の電圧として取り出して対応する機能ブロックのそれぞれに供給する機能ブロック毎に設けられた複数の電圧切り替え回路とを備え、機能ブロックのそれぞれが、第1の電圧と第2の電圧により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力を安定化するための容量を形成するようにしたものである。
【0008】
この発明に係る半導体集積回路は、各機能ブロックの半導体構造において、第2の電圧がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、第1の電圧がP型トランジスタ領域の素子分離ゲートに供給されるようにしたものである。
【0009】
この発明に係る半導体集積回路は、各機能ブロックの半導体構造において、第2の電圧がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、第1の電圧がP型トランジスタ領域の動作上機能しないゲートに供給されるようにしたものである。
【0010】
この発明に係る半導体集積回路は、電圧降下回路が、電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、参照電圧と第1の電圧とを比較して第1の電圧を所定値に保持するようドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータとを有し、第1の電圧の変動値に応じてコンパレータが切り替わるようにしたものである。
【0011】
この発明に係る半導体集積回路は、電圧降下回路が、電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、第1の参照電圧を発生する第1の参照電圧発生回路と、第1の参照電圧と第1の電圧を比較し、第1の電圧を所定値に保持するようドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータと、第1の参照電圧より低くかつ第1の電圧が供給されるトランジスタの動作下限電圧より高い第2の参照電圧を発生する第2の参照電圧発生回路と、第1の電圧と第2の参照電圧とを比較して比較結果を出力するアンダーシュート検出回路と、第1の電圧が第2の参照電圧より低い場合を表すアンダーシュート回路の比較結果に応じて複数のコンパレータの感度の高い方を動作状態にすると共に、残りのコンパレータを休止状態とし、また第1の電圧が第2の参照電圧より高い場合を表すアンダーシュート検出回路の比較結果に応じて複数のコンパレータの感度の低い方を動作状態にすると共に、残りのコンパレータを休止状態にするコンパレータ切り替え回路とを有したものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1乃至4による半導体集積回路の回路構成を示すブロック図である。図において、Vddは電源電圧、Vssは基準電圧(例えば、接地電位)、1は半導体集積回路、10は電源電圧Vddを降圧して電圧Vcc1(第1の電圧)を取り出す電圧降下回路、21,22,23は電圧Vcc1と基準電圧Vssを切り替えて電圧Vcc2(第2の電圧)として取り出す電圧切り替え回路である。30は電圧降下回路10の出力電圧Vcc1の電圧ライン、31は基準電圧Vssの電圧ライン、41,42,43は電圧切り替え回路21,22,23がそれぞれ出力する電圧Vcc2の電圧ラインである。51,52,53は電圧Vcc1および電圧Vcc2が供給される機能ブロックで、ロジック回路、メモリ、アナログセルなどの機能セルを搭載したものである。200は電圧降下回路10の安定化容量であり通常CMOS容量で構成される。
【0013】
図2は図1の機能ブロック51に配置されたインバータの概略構成を示す説明図、図3は図2のPch領域の断面構造を示す説明図である。図において511,513は素子分離ゲート、512はインバータを構成するトランジスタのPchゲートである。
図4は素子分離ゲート511の寄生容量について示す説明図である。図において71はドレインオーバラップ容量Cgdo、72はソースオーバラップ容量Cgso、73はゲートエリア容量Cs、74はソースおよびドレインのジャンクション容量Cj、75は周辺ジャンクション容量Cjswである。
【0014】
通常動作時は、ライン41,42,43の電圧Vcc2として電圧Vcc1と同一電圧が供給されており、各機能ブロック51,52,53は電圧Vcc1と基準電圧Vssの2電源で動作する。このとき、Nwell(以下、wellを「ウエル」とする)とインバータ(トランジスタ)のソースは電圧Vcc1と同電位であり、素子分離ゲート511,513において、素子のドレイン側が基準電圧Vssレベルの時だけ、ドレインオーバラップ容量71のみが電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。素子分離ゲート511,513は素子の分離に使用されるため、ゲートの両側がソースとなることはあまり無く、片側または両側にドレインが配置される。また、電圧Vcc2はソースにのみ接続されるため、ソースのジャンクション容量74および周辺ジャンクション容量75のみが電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。
【0015】
スタンバイ時に電圧切り替え回路21の出力電圧Vcc2を基準電圧Vssに切り替えると、Pch領域のウエルおよびソースは全て基準電圧Vssとなる。機能ブロック51はPch領域の素子分離ゲートを除いてウエル、ソース、ドレイン全てが基準電圧Vssとなる。これによりサブスレッショルド電流をカットすることができる。このとき、素子分離ゲートの寄生容量はゲートエリア容量73とソース/ドレインオーバラップ容量71,72の合計となり、これらのトータル容量が電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。そのため、機能ブロック51をオフ状態にしたときに寄生容量の減少が小さくなり、電圧降下回路10の安定化容量200を小さくすることができる。
【0016】
以上のように、この実施の形態1によれば、機能ブロック51,52,53のそれぞれが、電圧Vcc1と電圧Vcc2により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力電圧を安定にするための容量を形成するようにしたもので、そのために、電圧Vcc2をPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給し、電圧Vcc1をP型トランジスタ領域の素子分離ゲートに供給する構成を持つものである。したがって、機能ブロック51,52,53をスタンバイにした場合でも電圧Vcc1の寄生容量の縮小を小さくすることができ、電圧降下回路10の出力電圧Vcc1を不安定にすることもなくLSIに実際に内蔵させる安定化容量200を小さくすることができる効果がある。
【0017】
実施の形態2.
図5はこの発明の実施の形態2に係る論理ゲートの概略構成を示す説明図である。図において61,62は論理構成時に未使用であったPchおよびNchトランジスタのゲートである。ゲート61,62は電圧降下回路10の出力電圧Vcclのライン30に接続され、ソース/ドレインは基準電圧Vssの電圧ライン31に接続されている。
電圧Vcc2が電圧Vcc1と同電位の場合、ゲート61のフリンジ容量とゲート62のエリア容量およびフリンジ容量が電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。電圧Vcc2を基準電圧Vssに切り替えた場合、上記容量に加えてゲート61のエリア容量が安定化のための容量として機能するため、機能ブロック51,52,53をスタンバイにした時に電圧降下回路10の安定化のための容量が増加する。この効果によりマクロセルの機能素子の容量減少を補完することができる。
【0018】
以上のように、実施の形態2によれば、各機能ブロック51,52,53の半導体構造において、電圧Vcc2がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、電圧Vcc1がP型トランジスタ領域の動作上機能しないゲートに供給されるようにしているので、機能ブロック51,52,53をスタンバイにした場合でも、電圧降下回路10の出力電圧Vcc1を不安定にすることもなくLSIに実際に内蔵させる安定化容量200を小さくすることができる効果がある。
【0019】
実施の形態3.
図6はこの発明の実施の形態3に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。図において、102,103はコンパレータで、コンパレータ102はコンパレータ103よりも感度が高く、消費電流が大きいタイプである。105は電圧Vcc1を出力するドライバ、111は電圧Vcc1の所定値の参照電圧Vref1を発生する参照電圧発生回路である。
コンパレータ102,103は、参照電圧発生回路111が発生する参照電圧Vref1と出力電圧Vcc1とを比較し、電圧Vcc1が低下した場合、所定値に保たれるようにドライバ105を制御するが、その制御の分担は次のように行われる。
【0020】
機能ブロック51,52,53がすべて動作する通常動作時は出力電圧Vcc1の変動が大きいため、感度が高い方のコンパレータ102を使用し、感度が低い方のコンパレータ103を休止状態とする。一方、機能ブロック51,52,53のいずれかをスタンバイ状態にした場合には、スタンバイ状態の機能ブロックの数が多ければ、その分に応じて電圧Vcc1の変動が小さくなる。このような時には、感度が低い方のコンパレータ103に切り替え、感度が低い方のコンパレータ102を休止状態とする。コンパレータの切り替えは、機能ブロックのスタンバイ状態を制御する制御回路(図示せず)によって行われる。このことにより、電圧降下回路10の消費電流を削減することができる。この場合、従来の電圧降下回路の配置に対して、感度の異なるコンパレータのみを追加しているだけであるのでLSIの面積増加をほとんど伴うこと無く、消費電流の削減を可能としている。
【0021】
以上のように、実施の形態3によれば、電圧降下回路10が、感度が異なる複数のコンパレータ102,103を有し、電圧切り替え回路21,22,23により電圧Vcc2として基準電圧Vssが選択されている機能ブロック51,52,53の数に応じて電圧Vcc1が変化した場合、その変化に応じてコンパレータの感度を切り替えるようにしたので、スタンバイ時における電圧降下回路10の消費電流を削減する効果が得られる。
【0022】
実施の形態4.
図7はこの発明の実施の形態4に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。図において、図6と同じ部分は同一符号で示す。112は参照電圧発生回路111の参照電圧(第1の参照電圧)Verf1より低い参照電圧(第2の参照電圧)Verf2を発生する第2の参照電圧発生回路、113はコンパレータ切り替え回路、114はコンパレータからなるアンダーシュート検出回路である。
ドライバ105は、参照電圧発生回路111の参照電圧Vref1と同一電圧を電圧降下回路10の出力電圧Vcc1として電圧ライン30に供給しているが、コンパレータの能力が出力電圧Vcc1の変動に対して小さい場合、出力電圧Vcc1は、この電圧Vcc1を供給されて動作するトランジスタの動作限界電圧より低くなる。そこで、参照電圧Vref2を参照電圧Vref1より低くトランジスタの動作限界電圧より高い電圧値に設定し、アンダーシュート検出回路114で出力電圧Vcc1をモニタする。電圧低下が起こっても、アンダーシュート検出回路114において出力電圧Vcc1が参照電圧Vref2より低いことを検出した場合には、コンパレータ切り替え回路113は感度の高い方のコンパレータ102を動作状態に選択する。このとき、選択されていないコンパレータ103は休止状態となる。
【0023】
一方、電圧Vcc1が参照電圧Vref2より高い場合の変動に対しては、アンダーシュート検出回路114の出力はコンパレータ切り替え回路113に対して感度が低い方のコンパレータ103を選択し動作状態にすると共に、コンパレータ102を休止状態にする。このことにより、最適な感度のコンパレータを設定することができ、また電圧降下回路10の消費電力を最適化することができる。
上記説明では、参照電圧Vref1を用いるコンパレータが2つの場合について説明してきたが、その数を増やすことにより、より細かい調整が可能となる。その場合、アンダーシュート検出回路の出力により一つのコンパレータを動作状態に選択した場合、残りコンパレータを休止状態にする。
【0024】
以上のように、この実施の形態4によれば、ドライバ105を制御する感度の異なる複数のコンパレータ102,103に対し、第2の参照電圧発生回路112から第1の参照電圧Vref1より低く、かつトランジスタの動作下限電圧より高い第2の参照電圧Vref2を発生させ、アンダーシュート検出回路114により出力電圧Vcc1と第2の参照電圧Vref2とを比較して比較結果を出力し、その比較結果で、出力電圧Vcc1が第2の参照電圧Vref2より低い場合には感度の高い方のコンパレータ102を動作状態にすると共に、残りのコンパレータ103を休止状態とする。また出力電圧Vcc1が第2の参照電圧Vref2より高い場合には感度の低い方のコンパレータ103を動作状態とすると共に、残りのコンパレータ102を休止状態にするようコンパレータ切り替え回路113で制御するようにしたので、電圧降下回路10の出力電圧Vcc1の変動の状態に対して最適な感度のコンパレータを設定することができるため、スタンバイ時の電圧降下回路10の消費電流を削減し、スタンバイ時/通常動作時における消費電力を最適化する効果が得られる。
【0025】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、複数の機能ブロックを備えた半導体集積回路において、外部から供給された電源電圧を降圧して取り出した第1の電圧を複数の機能ブロックに供給する電圧降下回路と、第1の電圧を安定化させる安定化容量と、第1の電圧と基準電圧を選択的に切り替えて第2の電圧として取り出して対応する機能ブロックのそれぞれに供給する機能ブロック毎に設けられた複数の電圧切り替え回路とを備え、機能ブロックのそれぞれが、第1の電圧と第2の電圧により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力を安定化するための容量を形成するように構成したので、機能ブロックをスタンバイ状態にした場合も電圧降下回路の出力電圧(第1の電圧)の寄生容量の縮小を小さくすることができるため、電圧降下回路の出力を不安定にすることもなくLSIに内蔵させる電圧降下回路の安定化容量を小さくする効果がある。
【0026】
この発明によれば、電圧降下回路が、電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、参照電圧と第1の電圧とを比較して第1の電圧を所定値に保持するようドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータとを有し、第1の電圧の変動値に応じてコンパレータが切り替わるように構成したので、スタンバイ時の電圧降下回路の消費電流を削減し、スタンバイ時/通常動作時における電圧降下回路の消費電力を最適化する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1乃至4による半導体集積回路の回路構成を示すブロック図である。
【図2】同実施の形態1に係る機能ブロック内のインバータの概略構成を示す説明図である。
【図3】同実施の形態1に係るインバータのPch領域の断面構造を示す説明図である。
【図4】同実施の形態1に係る素子分離ゲートの寄生容量について示す説明図である。
【図5】同実施の形態2に係る論理ゲートの概略構成を示す説明図である。
【図6】同実施の形態3に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。
【図7】同実施の形態4に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1 半導体集積回路、10 電圧降下回路、21,22,23 電圧切り替え回路、30,31,41,42,43 電圧ライン、51,52,53 機能ブロック、71 ドレインオーバラップ容量、72 ソースオーバラップ容量、73 ゲートエリア容量、74 ジャンクション容量、75 周辺ジャンクション容量、102,103 コンパレータ、105 ドライバ、111 参照電圧発生回路、112 第2の参照電圧発生回路、113 コンパレータ切り替え回路、114 アンダーシュート検出回路、200 安定化容量、511,513 素子分離ゲート、512 Pchゲート。
【発明の属する技術分野】
この発明は集積化された個別機能ブロックを複数個配置し、任意の個別機能ブロックをスタンバイ状態に制御できる電源供給手段を組み込んだ半導体集積回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路(以下LSIと称す)はプロセスの微細化によりトランジスタの耐圧や信頼性を維持するため、印加できる電源電圧が低くなっている。また、トランジスタで流れるサブスレッショルド電流も増加傾向にある。しかしながら、安価なシステムを構築する場合、LSI以外のデバイスの電源電圧を下げることができない場合が多く、LSI内部に電圧降下回路を内蔵するケースが多くなっている。電圧降下回路には電圧安定化の負荷容量が必要であるが、システムの部品点数削減および端子数の制約等によりこの負荷容量もLSI内部に内蔵する傾向にあり、プロセスを微細化してもLSIの面積縮小効果が小さくなっている。
【0003】
また、バッテリ駆動型の携帯型電子機器等で使用されるLSIに対して、スタンバイ時の低消費電力の要求が強くなっているが、電圧降下回路は内部にコンパレータを有するため電圧降下回路自身の消費電力が大きく、電圧降下回路を内蔵するLSIにおいて、スタンバイ時の低消費電力化が技術的な課題となっている。
【0004】
LSIの消費電力を削減する技術として、例えば、特開平6−232349号公報「半導体集積回路」(文献1)に開示されている技術がある。この技術は、使用しない機能ブロックの電源電圧Vccを電源切り替え回路において基準電圧Vssに切り替えて非アクティブ状態にすることにより消費電力を削減するものである。また、電圧降下回路を内蔵したLSIにおいて消費電力を削減する手法として、特開2002−49443号公報「内部降圧制御方式」(文献2)に開示されている技術がある。この技術は、機能ブロックごとに電圧降下回路を設けて機能ブロックごとに電圧を下げることによりLSI全体の消費電力を削減するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体集積回路は以上のように構成されているので、以下のような問題があった。文献1に示された技術を、電圧降下回路を内蔵するLSIに適用した場合、スタンバイ時に機能ブロックの電源を基準電圧Vss(接地電位)に切り替えると、機能ブロックのゲート寄生容量がなくなるため、あらかじめ電圧降下回路の安定化容量を大きい値を入れておく必要があり、その分LSIの面積を増大させてしまうことになる。また、文献2に示された技術は、電圧降下回路を機能ブロック毎に設けているため面積的に不利であるばかりでなく、各電圧降下回路で消費される消費電力の総量が大きくなってしまう。
【0006】
この発明は上記のような問題を解決するためになされたもので、電圧降下回路の出力電圧を不安定にすることなくLSIに内蔵する安定化容量が占める面積を削減し、LSIの面積を小さくすることが可能な半導体集積回路を得ることを目的とする。
また、この発明は内蔵する電圧降下回路の消費電力を削減してLSIのスタンバイ時の消費電力を削減することが可能な半導体集積回路を得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体集積回路は、複数の機能ブロックを備えた半導体集積回路において、外部から供給された電源電圧を降圧して取り出した第1の電圧を複数の機能ブロックに供給する電圧降下回路と、第1の電圧を安定化させる安定化容量と、第1の電圧と基準電圧を選択的に切り替えて第2の電圧として取り出して対応する機能ブロックのそれぞれに供給する機能ブロック毎に設けられた複数の電圧切り替え回路とを備え、機能ブロックのそれぞれが、第1の電圧と第2の電圧により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力を安定化するための容量を形成するようにしたものである。
【0008】
この発明に係る半導体集積回路は、各機能ブロックの半導体構造において、第2の電圧がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、第1の電圧がP型トランジスタ領域の素子分離ゲートに供給されるようにしたものである。
【0009】
この発明に係る半導体集積回路は、各機能ブロックの半導体構造において、第2の電圧がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、第1の電圧がP型トランジスタ領域の動作上機能しないゲートに供給されるようにしたものである。
【0010】
この発明に係る半導体集積回路は、電圧降下回路が、電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、参照電圧と第1の電圧とを比較して第1の電圧を所定値に保持するようドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータとを有し、第1の電圧の変動値に応じてコンパレータが切り替わるようにしたものである。
【0011】
この発明に係る半導体集積回路は、電圧降下回路が、電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、第1の参照電圧を発生する第1の参照電圧発生回路と、第1の参照電圧と第1の電圧を比較し、第1の電圧を所定値に保持するようドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータと、第1の参照電圧より低くかつ第1の電圧が供給されるトランジスタの動作下限電圧より高い第2の参照電圧を発生する第2の参照電圧発生回路と、第1の電圧と第2の参照電圧とを比較して比較結果を出力するアンダーシュート検出回路と、第1の電圧が第2の参照電圧より低い場合を表すアンダーシュート回路の比較結果に応じて複数のコンパレータの感度の高い方を動作状態にすると共に、残りのコンパレータを休止状態とし、また第1の電圧が第2の参照電圧より高い場合を表すアンダーシュート検出回路の比較結果に応じて複数のコンパレータの感度の低い方を動作状態にすると共に、残りのコンパレータを休止状態にするコンパレータ切り替え回路とを有したものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1乃至4による半導体集積回路の回路構成を示すブロック図である。図において、Vddは電源電圧、Vssは基準電圧(例えば、接地電位)、1は半導体集積回路、10は電源電圧Vddを降圧して電圧Vcc1(第1の電圧)を取り出す電圧降下回路、21,22,23は電圧Vcc1と基準電圧Vssを切り替えて電圧Vcc2(第2の電圧)として取り出す電圧切り替え回路である。30は電圧降下回路10の出力電圧Vcc1の電圧ライン、31は基準電圧Vssの電圧ライン、41,42,43は電圧切り替え回路21,22,23がそれぞれ出力する電圧Vcc2の電圧ラインである。51,52,53は電圧Vcc1および電圧Vcc2が供給される機能ブロックで、ロジック回路、メモリ、アナログセルなどの機能セルを搭載したものである。200は電圧降下回路10の安定化容量であり通常CMOS容量で構成される。
【0013】
図2は図1の機能ブロック51に配置されたインバータの概略構成を示す説明図、図3は図2のPch領域の断面構造を示す説明図である。図において511,513は素子分離ゲート、512はインバータを構成するトランジスタのPchゲートである。
図4は素子分離ゲート511の寄生容量について示す説明図である。図において71はドレインオーバラップ容量Cgdo、72はソースオーバラップ容量Cgso、73はゲートエリア容量Cs、74はソースおよびドレインのジャンクション容量Cj、75は周辺ジャンクション容量Cjswである。
【0014】
通常動作時は、ライン41,42,43の電圧Vcc2として電圧Vcc1と同一電圧が供給されており、各機能ブロック51,52,53は電圧Vcc1と基準電圧Vssの2電源で動作する。このとき、Nwell(以下、wellを「ウエル」とする)とインバータ(トランジスタ)のソースは電圧Vcc1と同電位であり、素子分離ゲート511,513において、素子のドレイン側が基準電圧Vssレベルの時だけ、ドレインオーバラップ容量71のみが電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。素子分離ゲート511,513は素子の分離に使用されるため、ゲートの両側がソースとなることはあまり無く、片側または両側にドレインが配置される。また、電圧Vcc2はソースにのみ接続されるため、ソースのジャンクション容量74および周辺ジャンクション容量75のみが電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。
【0015】
スタンバイ時に電圧切り替え回路21の出力電圧Vcc2を基準電圧Vssに切り替えると、Pch領域のウエルおよびソースは全て基準電圧Vssとなる。機能ブロック51はPch領域の素子分離ゲートを除いてウエル、ソース、ドレイン全てが基準電圧Vssとなる。これによりサブスレッショルド電流をカットすることができる。このとき、素子分離ゲートの寄生容量はゲートエリア容量73とソース/ドレインオーバラップ容量71,72の合計となり、これらのトータル容量が電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。そのため、機能ブロック51をオフ状態にしたときに寄生容量の減少が小さくなり、電圧降下回路10の安定化容量200を小さくすることができる。
【0016】
以上のように、この実施の形態1によれば、機能ブロック51,52,53のそれぞれが、電圧Vcc1と電圧Vcc2により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力電圧を安定にするための容量を形成するようにしたもので、そのために、電圧Vcc2をPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給し、電圧Vcc1をP型トランジスタ領域の素子分離ゲートに供給する構成を持つものである。したがって、機能ブロック51,52,53をスタンバイにした場合でも電圧Vcc1の寄生容量の縮小を小さくすることができ、電圧降下回路10の出力電圧Vcc1を不安定にすることもなくLSIに実際に内蔵させる安定化容量200を小さくすることができる効果がある。
【0017】
実施の形態2.
図5はこの発明の実施の形態2に係る論理ゲートの概略構成を示す説明図である。図において61,62は論理構成時に未使用であったPchおよびNchトランジスタのゲートである。ゲート61,62は電圧降下回路10の出力電圧Vcclのライン30に接続され、ソース/ドレインは基準電圧Vssの電圧ライン31に接続されている。
電圧Vcc2が電圧Vcc1と同電位の場合、ゲート61のフリンジ容量とゲート62のエリア容量およびフリンジ容量が電圧降下回路10の安定化容量200に加わる容量として機能する。電圧Vcc2を基準電圧Vssに切り替えた場合、上記容量に加えてゲート61のエリア容量が安定化のための容量として機能するため、機能ブロック51,52,53をスタンバイにした時に電圧降下回路10の安定化のための容量が増加する。この効果によりマクロセルの機能素子の容量減少を補完することができる。
【0018】
以上のように、実施の形態2によれば、各機能ブロック51,52,53の半導体構造において、電圧Vcc2がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、電圧Vcc1がP型トランジスタ領域の動作上機能しないゲートに供給されるようにしているので、機能ブロック51,52,53をスタンバイにした場合でも、電圧降下回路10の出力電圧Vcc1を不安定にすることもなくLSIに実際に内蔵させる安定化容量200を小さくすることができる効果がある。
【0019】
実施の形態3.
図6はこの発明の実施の形態3に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。図において、102,103はコンパレータで、コンパレータ102はコンパレータ103よりも感度が高く、消費電流が大きいタイプである。105は電圧Vcc1を出力するドライバ、111は電圧Vcc1の所定値の参照電圧Vref1を発生する参照電圧発生回路である。
コンパレータ102,103は、参照電圧発生回路111が発生する参照電圧Vref1と出力電圧Vcc1とを比較し、電圧Vcc1が低下した場合、所定値に保たれるようにドライバ105を制御するが、その制御の分担は次のように行われる。
【0020】
機能ブロック51,52,53がすべて動作する通常動作時は出力電圧Vcc1の変動が大きいため、感度が高い方のコンパレータ102を使用し、感度が低い方のコンパレータ103を休止状態とする。一方、機能ブロック51,52,53のいずれかをスタンバイ状態にした場合には、スタンバイ状態の機能ブロックの数が多ければ、その分に応じて電圧Vcc1の変動が小さくなる。このような時には、感度が低い方のコンパレータ103に切り替え、感度が低い方のコンパレータ102を休止状態とする。コンパレータの切り替えは、機能ブロックのスタンバイ状態を制御する制御回路(図示せず)によって行われる。このことにより、電圧降下回路10の消費電流を削減することができる。この場合、従来の電圧降下回路の配置に対して、感度の異なるコンパレータのみを追加しているだけであるのでLSIの面積増加をほとんど伴うこと無く、消費電流の削減を可能としている。
【0021】
以上のように、実施の形態3によれば、電圧降下回路10が、感度が異なる複数のコンパレータ102,103を有し、電圧切り替え回路21,22,23により電圧Vcc2として基準電圧Vssが選択されている機能ブロック51,52,53の数に応じて電圧Vcc1が変化した場合、その変化に応じてコンパレータの感度を切り替えるようにしたので、スタンバイ時における電圧降下回路10の消費電流を削減する効果が得られる。
【0022】
実施の形態4.
図7はこの発明の実施の形態4に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。図において、図6と同じ部分は同一符号で示す。112は参照電圧発生回路111の参照電圧(第1の参照電圧)Verf1より低い参照電圧(第2の参照電圧)Verf2を発生する第2の参照電圧発生回路、113はコンパレータ切り替え回路、114はコンパレータからなるアンダーシュート検出回路である。
ドライバ105は、参照電圧発生回路111の参照電圧Vref1と同一電圧を電圧降下回路10の出力電圧Vcc1として電圧ライン30に供給しているが、コンパレータの能力が出力電圧Vcc1の変動に対して小さい場合、出力電圧Vcc1は、この電圧Vcc1を供給されて動作するトランジスタの動作限界電圧より低くなる。そこで、参照電圧Vref2を参照電圧Vref1より低くトランジスタの動作限界電圧より高い電圧値に設定し、アンダーシュート検出回路114で出力電圧Vcc1をモニタする。電圧低下が起こっても、アンダーシュート検出回路114において出力電圧Vcc1が参照電圧Vref2より低いことを検出した場合には、コンパレータ切り替え回路113は感度の高い方のコンパレータ102を動作状態に選択する。このとき、選択されていないコンパレータ103は休止状態となる。
【0023】
一方、電圧Vcc1が参照電圧Vref2より高い場合の変動に対しては、アンダーシュート検出回路114の出力はコンパレータ切り替え回路113に対して感度が低い方のコンパレータ103を選択し動作状態にすると共に、コンパレータ102を休止状態にする。このことにより、最適な感度のコンパレータを設定することができ、また電圧降下回路10の消費電力を最適化することができる。
上記説明では、参照電圧Vref1を用いるコンパレータが2つの場合について説明してきたが、その数を増やすことにより、より細かい調整が可能となる。その場合、アンダーシュート検出回路の出力により一つのコンパレータを動作状態に選択した場合、残りコンパレータを休止状態にする。
【0024】
以上のように、この実施の形態4によれば、ドライバ105を制御する感度の異なる複数のコンパレータ102,103に対し、第2の参照電圧発生回路112から第1の参照電圧Vref1より低く、かつトランジスタの動作下限電圧より高い第2の参照電圧Vref2を発生させ、アンダーシュート検出回路114により出力電圧Vcc1と第2の参照電圧Vref2とを比較して比較結果を出力し、その比較結果で、出力電圧Vcc1が第2の参照電圧Vref2より低い場合には感度の高い方のコンパレータ102を動作状態にすると共に、残りのコンパレータ103を休止状態とする。また出力電圧Vcc1が第2の参照電圧Vref2より高い場合には感度の低い方のコンパレータ103を動作状態とすると共に、残りのコンパレータ102を休止状態にするようコンパレータ切り替え回路113で制御するようにしたので、電圧降下回路10の出力電圧Vcc1の変動の状態に対して最適な感度のコンパレータを設定することができるため、スタンバイ時の電圧降下回路10の消費電流を削減し、スタンバイ時/通常動作時における消費電力を最適化する効果が得られる。
【0025】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、複数の機能ブロックを備えた半導体集積回路において、外部から供給された電源電圧を降圧して取り出した第1の電圧を複数の機能ブロックに供給する電圧降下回路と、第1の電圧を安定化させる安定化容量と、第1の電圧と基準電圧を選択的に切り替えて第2の電圧として取り出して対応する機能ブロックのそれぞれに供給する機能ブロック毎に設けられた複数の電圧切り替え回路とを備え、機能ブロックのそれぞれが、第1の電圧と第2の電圧により自己の半導体構造から電圧降下回路の出力を安定化するための容量を形成するように構成したので、機能ブロックをスタンバイ状態にした場合も電圧降下回路の出力電圧(第1の電圧)の寄生容量の縮小を小さくすることができるため、電圧降下回路の出力を不安定にすることもなくLSIに内蔵させる電圧降下回路の安定化容量を小さくする効果がある。
【0026】
この発明によれば、電圧降下回路が、電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、参照電圧と第1の電圧とを比較して第1の電圧を所定値に保持するようドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータとを有し、第1の電圧の変動値に応じてコンパレータが切り替わるように構成したので、スタンバイ時の電圧降下回路の消費電流を削減し、スタンバイ時/通常動作時における電圧降下回路の消費電力を最適化する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1乃至4による半導体集積回路の回路構成を示すブロック図である。
【図2】同実施の形態1に係る機能ブロック内のインバータの概略構成を示す説明図である。
【図3】同実施の形態1に係るインバータのPch領域の断面構造を示す説明図である。
【図4】同実施の形態1に係る素子分離ゲートの寄生容量について示す説明図である。
【図5】同実施の形態2に係る論理ゲートの概略構成を示す説明図である。
【図6】同実施の形態3に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。
【図7】同実施の形態4に係る電圧降下回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1 半導体集積回路、10 電圧降下回路、21,22,23 電圧切り替え回路、30,31,41,42,43 電圧ライン、51,52,53 機能ブロック、71 ドレインオーバラップ容量、72 ソースオーバラップ容量、73 ゲートエリア容量、74 ジャンクション容量、75 周辺ジャンクション容量、102,103 コンパレータ、105 ドライバ、111 参照電圧発生回路、112 第2の参照電圧発生回路、113 コンパレータ切り替え回路、114 アンダーシュート検出回路、200 安定化容量、511,513 素子分離ゲート、512 Pchゲート。
Claims (5)
- 複数の機能ブロックを備えた半導体集積回路において、
外部から供給された電源電圧を降圧して取り出した第1の電圧を前記複数の機能ブロックに供給する電圧降下回路と、
前記第1の電圧を安定化させる安定化容量と、
前記第1の電圧と基準電圧を選択的に切り替えて第2の電圧として取り出して対応する前記機能ブロックのそれぞれに供給する前記機能ブロック毎に設けられた複数の電圧切り替え回路とを備え、
前記機能ブロックのそれぞれが、前記第1の電圧と前記第2の電圧により自己の半導体構造から前記電圧降下回路の出力を安定化するための容量を形成するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。 - 各機能ブロックの半導体構造において、第2の電圧がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、第1の電圧がP型トランジスタ領域の素子分離ゲートに供給されるようにしたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 各機能ブロックの半導体構造において、第2の電圧がPウエルおよびP型トランジスタのソースに供給され、第1の電圧がP型トランジスタ領域の動作上機能しないゲートに供給されるようにしたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 電圧降下回路が、
電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、
参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、
参照電圧と前記第1の電圧とを比較して前記第1の電圧を所定値に保持するよう前記ドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータとを有し、
前記第1の電圧の変動値に応じて前記コンパレータが切り替わるようにしたことを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の半導体集積回路。 - 電圧降下回路が、
電源電圧から第1の電圧を得るドライバと、
第1の参照電圧を発生する第1の参照電圧発生回路と、
前記第1の参照電圧と前記第1の電圧を比較し、前記第1の電圧を所定値に保持するよう前記ドライバを制御する感度の異なる複数のコンパレータと、
前記第1の参照電圧より低くかつ前記第1の電圧が供給されるトランジスタの動作下限電圧より高い第2の参照電圧を発生する第2の参照電圧発生回路と、
前記第1の電圧と前記第2の参照電圧とを比較して比較結果を出力するアンダーシュート検出回路と、
前記第1の電圧が前記第2の参照電圧より低い場合を表す前記アンダーシュート回路の比較結果に応じて前記複数のコンパレータの感度の高い方を動作状態にすると共に、残りのコンパレータを休止状態とし、また前記第1の電圧が前記第2の参照電圧より高い場合を表す前記アンダーシュート検出回路の比較結果に応じて前記複数のコンパレータの感度の低い方を動作状態にすると共に、残りのコンパレータを休止状態にするコンパレータ切り替え回路とを有したことを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の半導体集積回路。
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