JP4459918B2 - スイッチングレギュレータ - Google Patents

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Description

本発明は,自然転流方式のスイッチングレギュレータに関し,特に,複数のスイッチングレギュレータを並列に設けて平行して動作させるスイッチングレギュレータに関する。
スイッチングレギュレータは,電源電圧を昇圧または降圧して昇圧電源または降圧電源を負荷に供給する。かかるスイッチングレギュレータは,入力電源電圧にコイル(インダクタ)を接続しコイルの電流を増加させてコイル内にエネルギーを蓄積させ,コイルを出力端子に接続し蓄積エネルギーにより電流を供給して出力端子に昇圧電源を生成する。例えば,車載用のスイッチングレギュレータでは,バッテリの電源電圧をスイッチングレギュレータで昇圧し,昇圧電源をエアバッグなどの負荷の駆動電圧として与えることが行われる。
従来のスイッチングレギュレータにおいて,スイッチング素子のスイッチング動作が,電圧印加状態または電流が流れている状態で行われるハードスイッチングの場合は,スイッチングによる損失が大きく,ヒートシンクを大型化する必要があり,小型化を阻害する要因となっている。
それに対して,スイッチング素子を電圧ゼロまたは電流ゼロの状態でスイッチング動作させるソフトスイッチングを実現するために,いわゆる,自然転流方式のスイッチングレギュレータが提案されている。例えば,特許文献1などである。
これによれば,ある制御された期間,電源電圧とグランド間にコイルを接続してコイルの電流を増加させエネルギーをコイルに蓄積し,その後コイルを出力端子に接続してコイルに蓄積されたエネルギーを出力端子に供給する。その時,コイルに流れる電流がLC定数に応じて減少しやがて負電流に転流するが,このコイルに流れる電流がゼロになるタイミングでスイッチング素子を切り替える。
特開2004−282835号公報
このように,自然転流方式のスイッチングレギュレータでは,コイルに流れる電流が正電流として増加し,ピーク電流から減少し負電流に切り替わる。ピーク電流の大きさによって昇圧エネルギーが異なるので,より高く昇圧するためには,ピーク電流をより大きくする必要がある。しかし,コイルのピーク電流をより大きくすると,コイルの損失が増大して,コイルサイズを大きくする必要がある。
そこで,複数のスイッチングレギュレータを並列に設け,各コイルのサイズを大きくすることなくより高い昇圧動作を可能にすると共に,位相をずらしてそれらを昇圧動作させることで,出力端子に一時的に大電流が流れることを防止してノイズの発生を抑えることも可能になる。
しかしながら,自然転流方式のソフトスイッチング動作のためのスイッチング素子の制御は複雑であり,特に,複数のスイッチングレギュレータを並列に接続して互いに位相をずらして昇圧動作させながら,出力電圧に応じてスイッチング動作させることは容易ではない。
そこで,本発明の目的は,並列に設けられた複数のスイッチングレギュレータを互いに位相をずらして昇圧動作させながら,出力電圧に応じてスイッチング動作させることができるスイッチングレギュレータを提供することにある。
上記の目的を達成するために,本発明の第1の側面によれば,
入力電源電圧に接続されたコイルと,前記コイルと接地電源との間に設けられた第1のスイッチング素子(LMOS)と,前記コイルと第1のスイッチング素子の接続点と出力端子との間に設けられた第2のスイッチング素子(HMOS)とをそれぞれ有し,前記出力端子が共通接続され,前記第1のスイッチング素子(LMOS)が導通開始後第1のタイミング(T1)で前記第1のスイッチング素子(LMOS)が非導通制御され,その後前記第2のスイッチング素子(HMOS)が導通開始後に前記コイルの電流がゼロになる第2のタイミング(T3)で前記第2のスイッチング素子(HMOS)が非導通制御され,その後第3のタイミング(T4)で前記第1のスイッチング素子(LMOS)が導通制御される第1及び第2のスイッチングレギュレータユニットと,
前記第1及び第2のスイッチングレギュレータユニットそれぞれに設けられ,互いに位相がずれた第1及び第2の制御パルス信号(PIN1,PIN2)をそれぞれ入力し,前記第3のタイミング(T4)が前記制御パルス信号の位相に同期するように,前記第1のスイッチング素子(LMOS)を非導通制御する第1のタイミング(T1)を制御する第1及び第2のPLL回路ユニットとを有し,
前記第1及び第2の制御パルス信号は,前記出力端子の昇圧レベルに応じた周波数に制御されていることを特徴とするスイッチングレギュレータが提供される。
上記第1の側面において好ましい態様によれば,前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,
前記制御パルス信号を基準パルスとして入力し,前記第1のタイミング(T1)に対応する信号を可変パルスとして入力し,前記基準パルスと可変パルスの位相差に応じた周波数のPLL出力パルスを生成するPLL回路と,前記PLL出力パルスによりリセットされ前記第3のタイミング(T4)でセットされるフリップフロップとを有し,前記フリップフロップの出力信号により前記第1のスイッチング素子(LMOS)のスイッチング制御を行い,
前記フリップフロップのリセットのタイミングが前記第1のスイッチング素子(LMOS)を非導通制御する第1のタイミング(T1)であり,前記フリップフロップのセットのタイミングが前記第1のスイッチング素子(LMOS)を導通制御する第4のタイミング(T4)であることを特徴とする。
上記の好ましい態様において,さらに,前記フリップフロップの出力信号を入力して第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子を駆動するバッファ回路を有し,前記第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子の信号(Gl)が,前記可変パルスとして前記PLL回路の入力にフィードバックされることを特徴とする。
上記の好ましい態様において,さらに,前記フリップフロップの出力信号を入力して第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子を駆動するバッファ回路とを有し,前記フリップフロップの出力信号が,前記可変パルスとして前記PLL回路の入力にフィードバックされることを特徴とする。
上記の好ましい態様において,さらに,前記フリップフロップの出力信号を入力して第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子を駆動するバッファ回路とを有し,前記フリップフロップのセット信号が,前記可変パルスとして前記PLL回路の入力にフィードバックされることを特徴とする。
上記の好ましい態様において,さらに,前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,前記入力電源電圧が起動する電源起動時モード期間では,前記第1及び第2の制御パルス信号により前記第1のスイッチング素子のゲート端子を駆動し,前記電源起動時モード期間後のソフトスイッチングモード期間では,前記フリップフロップの出力信号により前記第1のスイッチング素子のゲート端子を駆動してスイッチング制御を行う。
上記の好ましい態様において,さらに,前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,前記入力電源電圧が起動する電源起動時モード期間では,前記PLL回路のPLL出力パルスを前記可変パルスとして入力し,前記電源起動時モード期間後のソフトスイッチングモード期間では,前記第1のタイミングに対応する信号を可変パルスとして入力する。
上記の好ましい態様において,さらに,前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,
入力電源起動時の電源起動時モード期間後のソフトスイッチングモード期間では,前記制御パルス信号の第1のエッジの位相に前記第1のタイミングに対応する信号の第1のエッジの位相を同期させるよう動作し,
前記電源起動時モード期間では,前記制御パルス信号によって前記第1のスイッチング素子のゲート端子を駆動し,前記制御パルス信号の反転制御パルス信号を前記基準パルスとして入力し,前記PLL回路のPLL出力パルスを前記可変パルスとして入力して,前記制御パルス信号の第2のエッジの位相にPLL出力パルスの第1のエッジの位相を同期させるように動作し,
前記電源起動時モード期間とソフトスイッチングモード期間とで,前記動作状態を切り替えるスイッチ手段を有する。
上記の目的を達成するために,本発明の第2の側面によれば,
並列に設けられ出力が共通に接続され,供給される制御パルス信号に応答して前記共通出力を昇圧または降圧する第1,第2のスイッチングレギュレータと,
互いに位相がずれた第1,第2の制御パルス信号を生成する制御回路と,
前記第1,第2の制御パルス信号を供給され,当該制御パルス信号に位相同期した制御パルス信号を前記第1,第2のスイッチングレギュレータに供給する第1,第2のPLL回路ユニットとを有し,
前記制御回路は,前記第1,第2の制御パルス信号の位相ずれを維持しながら,前記スイッチングレギュレータの共通出力の電圧を監視し,当該監視電圧に応じて前記第1,第2の制御パルス信号の周波数を制御することを特徴とする。
PLL回路ユニットを利用して制御パルス信号による動作制御を行うので,複数のスイッチングレギュレータの動作を互いに位相をずらして動作させながら,出力電圧Voutに応じた制御パルス信号の周波数の可変制御を行うことができる。
以下,図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し,本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず,特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
図1は,自然転流方式のスイッチングレギュレータの回路及び動作波形を示す図である。入力電源Vin(例えば12V)にコイル(インダクタ)Lが接続され,コイルLとグランドとの間に第1のスイッチング素子としてN型MOSトランジスタLMOSが接続される。また,コイルLとトランジスタLMOSとの接続点Vdsと出力端子Voutとの間には第2のスイッチング素子としてN型MOSトランジスタHMOSが接続される。接続点Vdsには寄生容量が付随するが,それに加えて所定の容量のキャパシタCが接続される。さらに,出力端子Voutには平滑化コンデンサCLが設けられる。
図示しない制御回路は,出力電圧Voutと接続点の電圧Vdsとを監視し,トランジスタLMOS,HMOSのゲート端子を駆動するゲート制御信号Gl,Ghを生成する。図1(B)に示される動作波形には,ゲート制御信号Gl,Ghと,接続点の電圧Vdsと,コイルLに流れるコイル電流ILとが示される。図1(B)には1周期分の動作波形が示され,実際の動作ではこれが繰り返される。図中,Tはタイミングを示し,tは期間または時間長を示す。
まず,ゲート制御信号GlがHレベルになりトランジスタLMOSが導通し(T4),コイルLが入力電源Vinとグランド間に接続される。その結果,コイルLによる抵抗に対向してコイルLを流れる電流ILが徐々に上昇し,コイルLにエネルギーが蓄積される(期間t4+t0)。制御回路は,出力電圧Voutに応じてトランジスタLMOSの導通期間t4+t0を制御するため,トランジスタLMOSを非導通にするタイミングT1を制御する。つまり,タイミングT1でゲート制御信号GlをLレベルにしてトランジスタLMOSを非導通にする。その結果,接続点の電圧VdsがキャパシタCの容量に応じた傾きで上昇する(期間t1)。制御回路は,出力電圧Voutが規定電圧,例えば42Vより低いときは,タイミングT1を遅くするように制御し,規定電圧より高いときは,タイミングT1を早くするように制御する。それにより,トランジスタLMOSの導通期間(t4+t0)が長くまたは短くなり,蓄積されるエネルギーが多くまたは少なくなり,コイル電流ILのピーク値Imaxが高くまたは低くなり,出力電圧Voutは規定電圧に制御される。
接続点の電圧Vdsが出力電圧Voutと同等の電位になるタイミングT2で,第2のスイッチング素子のトランジスタHMOSが導通される。その結果,コイルLのエネルギーがトランジスタHMOSから出力端子側に放出され,出力電圧Vout側に電流が供給される(期間t2)。コイルLの電流ILは,エネルギーの放出によりLC定数に応じた曲線で低下する。制御回路は,タイミングT2からコイル電流IL=0になるタイミングT3を演算で求め,そのタイミングT3でゲート制御信号GhをLレベルにしてトランジスタHMOSを非導通にする。
タイミングT3後の期間t3では,コイル電流ILが負となりコイルLを電流ILが逆流し,接続点の電圧Vdsは低下を開始する。つまり,キャパシタCに蓄積された電荷が放電されて電圧Vdsが低下する。制御回路は,電圧Vdsを監視し,電圧Vds=0になるタイミングT4でゲート制御信号GlをHレベルにしてトランジスタLMOSを導通させる。その結果,コイル電流ILは反転して増加に向かい,期間t4+t0でピーク電流Imaxまで上昇する。
以上の動作を繰り返すことで,出力電圧Voutが規定電圧の42Vに制御される。そして,トランジスタLMOSを導通する期間t4+t0を制御することで,コイル電流ILの最大電流値Imaxを制御し,出力端子に供給するエネルギーを制御することができる。ただし,トランジスタLMOSがオフになるタイミングT1以降のタイミングT2,T3,T4は,回路定数や最大コイル電流ILなどその時の回路状況により所定のタイミングになる。これらのタイミングは以下のように演算することができる。
コイル電流IL=0でトランジスタHMOSがオフした後は,コイル電流ILはコイルのインダクタンスLとキャパシタの容量Cによる共振電流となるので,最低コイル電流Iminは,
Imin=(42V-12V)/√(L/C)
であり,コイル電流ILがIminになってから0になるまでの時間t4は,
t4=L*(Imin*0.9165)/12V
となる。
また,期間t0の間にコイル電流ILが上昇し,ピーク電流Imaxは,
Imax=12V*t0/L
となり,接続点の電圧Vdsが0Vから42Vまで上昇する時間t1は,
t1=C*42V/Imax
となる。そして,コイル電流ILがピーク電流Imaxから0になるまでの時間t2は,
t2=L*Imax/(42V−12V)
となる。また,接続点の電圧Vdsが42Vから0Vに下降する時間t3は,Vds=0を監視することにより検出可能である。
以上のように,時間t1〜t4は演算により求められ,時間t0は出力電圧Voutに応じて制御回路が決定する。そして,IL=0のタイミングT3でトランジスタHMOSをオフにし,Vds=0のタイミングT4でトランジスタLMOSをオンにするので,スイッチング時の損失を抑えることができる。
[マルチスイッチングレギュレータ]
次に,本実施の形態におけるスイッチングレギュレータについて説明する。図1のスイッチングレギュレータは,コイル電流ILが正負に変化することを利用してソフトスイッチング動作を行う。そして,昇圧レベルを上げるためにはピーク電流Imaxを高くする必要がある。しかし,それではコイルの損失が大きくなりコイルの大型化を招く。そこで,本実施の形態では,複数のスイッチングレギュレータを並列に設け,それぞれ位相をずらして動作させる。それにより,それぞれのコイルを小型化することができ,且つ出力電圧Voutへの昇圧に伴うノイズを抑制することができる。
図2は,本実施の形態におけるマルチスイッチングレギュレータの構成図である。複数,この例では2つのスイッチングレギュレータSR1,SRが並列に設けられ,それらの出力が出力端子Voutに共通に接続される。そして,それぞれのスイッチングレギュレータSR1,SR2には,PLL回路ユニットPU1,PU2が設けられる。制御回路100から互いに位相がずれた制御パルス信号PIN1,PIN2がPLL回路ユニットPU1,PU2に供給され,PLL回路ユニットPU1,PU2は,それぞれの制御パルス信号PIN1,PIN2に位相同期して,それぞれのスイッチングレギュレータSR1,SR2のトランジスタLMOSのゲート制御信号Glを制御する。
具体的には,制御パルス信号PIN1,PIN2の立ち上がりエッジとゲート制御信号Glの立ち上がりエッジの位相差に応じてトランジスタLMOSの非導通タイミングT1を制御し,電圧Vdsを監視してVds=0時のトランジスタLMOSの導通タイミングT4を制御する。これにより,2つのスイッチングレギュレータSR1,SR2は,制御パルス信号PIN1,PIN2それぞれの位相に同期してスイッチング動作を行う。
さらに,制御回路100は,出力電圧Voutを監視し,出力電圧Voutが高くなると制御パルス信号PIN1,PIN2の周波数を高くして,トランジスタLMOSの導通期間を短くしポンピングエネルギーを下げるように制御し,出力電圧Voutが低くなると同周波数を低くしてトランジスタLMOSの導通期間を長くしポンピングエネルギーを上げるように制御する。ただし,PLL回路ユニットPU1,PU2を設けたことで,2つのスイッチングレギュレータSR1,SR2の昇圧動作は,制御パルス信号PIN1,PIN2の位相に同期して,互いに位相が180度ずれた関係を維持する。
図3は,本実施の形態におけるPLL回路ユニットの動作を説明する図である。PLL回路ユニットPU1,PU2は,同じ構成であるので,図3にはPLL回路ユニットPU1のみが示されている。PLL回路ユニットPU1は,PLL回路PLLと,フリップフロップFFと,バッファ回路BUFと,シュミットトリガ回路STを有する。PLL回路ユニットPU1は,図示しないが,通常のPLLと同様に,正負入力端子のパルスの位相を比較する位相比較器と,位相比較器の出力を積分するフィルタ回路と,積分された電圧値に応じた周波数のパルスを発生する電圧制御発振器VCOとを有する。フリップフロップFFは,リセット端子RがHレベルになると出力QがLレベルになり,セット端子SがHレベルになると出力QがHレベルになる。
まず,PLL回路PLLでは,正負入力端子に,制御パルス信号PIN1が基準パルスとし,ゲート制御信号Glが可変パルスとして入力され,両信号PIN1,Glの位相差に応じた周波数のPLL出力PLLOUTが出力される。したがって,パルス信号PIN1とGlの立ち上がりエッジの位相が一致するようにPLL制御が行われる。
PLL出力PLLOUTは,フリップフロップFFのリセット端子に供給され,PLLOUTの立ち上がりエッジで出力QがLレベルにされる。出力Qは,バッファ回路BUFを介して,ゲート制御信号GlとしてトランジスタLMOSのゲート端子に供給され,ゲート制御信号GlがLレベルになるタイミングT1で,トランジスタLMOSがオフにされる。
その後,スイッチングレギュレータ回路の状況に応じた時間tf(=t1+t2+t3)後に,電圧Vdsが0VになるタイミングT4で,シュミットトリガ回路STの出力がセット端子SをHレベルにし,それに応答してフリップフロップ出力QがHレベル,ゲート制御信号GlがHレベルになる。
以上のように,PLL回路による位相同期制御により,制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジとゲート制御信号Glの立ち上がりエッジの位相差に応じて,PLL出力PLLOUTが立ち上がり,トランジスタLMOSをオフにするタイミングT1を制御する。そして,タイミングT1からタイミングT4までの期間tfは,回路の状況に応じた時間となる。即ち,スイッチングレギュレータSR1の動作タイミングT1,T4は,制御パルス信号PIN1の位相に同期して制御されることになる。
そして,制御回路100は,出力電圧Voutが高くなると,制御パルス信号PIN1の周波数を上げて,立ち上がりエッジのタイミングT14を早めようとする。それに応答して,ゲート制御信号Glの立ち上がりエッジのタイミングT4は遅れることになり,PLL回路は出力PLLOUTの立ち上がりエッジのタイミングT1を早めようと動作し,それによってゲート制御信号Glの立ち下がりエッジのタイミングT1が早まり,所定時間tf後のゲート制御信号Glの立ち上がりエッジのタイミングT4も早まり,制御パルス信号PIN1の位相に追従しようとする。逆に,制御回路100は,出力電圧Voutが低くなると,制御パルス信号PIN1の周波数を下げて,立ち上がりエッジのタイミングT14を遅らせようとする。それに応答して,ゲート制御信号Glの立ち上がりエッジのタイミングT4は早まることになり,PLL回路は出力PLLOUTの立ち上がりエッジのタイミングT1を遅らせようと動作し,それによってゲート制御信号Glの立ち下がりエッジのタイミングT1が遅れ,所定時間tf後のゲート制御信号Glの立ち上がりエッジのタイミングT4も遅れ,制御パルス信号PIN1の位相に追従しようとする。
上記のPLL回路の位相同期制御により,スイッチングレギュレータSR1は,制御パルス信号PIN1の周波数に追従して動作することになる。したがって,図2の制御回路100が出力電圧Voutに応じて制御パルス信号PIN1,PIN2の周波数を制御すると,それに追従して2つのスイッチングレギュレータSR1,SR2が動作する。よって,制御パルス信号PIN1,PIN2の180度位相ずれを維持したまま,周波数を制御することにより,2つのスイッチングレギュレータSR1,SR2の動作を位相を180度ずらした状態に維持しながら,それぞれで昇圧動作をさせて出力電圧Voutを規定電圧42Vに維持することができる。
なお,制御回路100は,前述の演算に基づいて,トランジスタHMOSのゲート制御信号Gh1,Gh2の立ち上がりタイミングT2と立ち下がりタイミングT3を制御する。
図4は,制御パルス信号の変化を示す波形図である。制御回路100は,制御パルス信号PIN1,PIN2の周波数を制御することで,立ち上がりエッジT14から立ち下がりエッジT11までの期間tcに対応したトランジスタLMOSの導通期間を制御する。一方,立ち下がりエッジT11から立ち上がりエッジT14までの期間tfは,前述の通り回路の状況により決まるので制御はされない。実線の状態から,周波数を上げると破線の状態になり,制御パルス信号PIN1,PIN2の立ち上がりエッジのタイミングT14が早まることになる。ただし,両制御パルス信号の180度の位相ずれは維持される。逆に,破線の状態から周波数を下げると実線の状態になり,タイミングT14は遅くなることになる。このように,制御回路100は,制御パルス信号PIN1,PIN2の位相関係を維持しながら,周波数を出力電圧Voutのレベルに応じて制御する。
以上のように,本実施の形態によれば,複数のスイッチングレギュレータの動作を,PLL回路ユニットを利用してそれぞれの制御パルス信号により制御することで,複数のスイッチングレギュレータの動作の位相関係を制御パルス信号の位相関係に追従させることができるので,複数のスイッチングレギュレータの動作を所望の位相関係に維持することができる。そして,出力電圧Voutを一定に維持する制御は,制御パルス信号の周波数を制御することで行うことができる。そして,それぞれのスイッチングレギュレータのピーク電流Imaxを小さくしても,並列に設けた複数のスイッチングレギュレータにより一定以上の昇圧能力を得ることができる。
[変形例(電源起動モード)]
前述のスイッチングレギュレータは,複数のスイッチングレギュレータがそれぞれのPLL回路ユニットにより制御動作される。各スイッチングレギュレータは,コイル電流ILを正,負に制御してソフトスイッチングを実現する。しかしながら,このソフトスイッチング動作を行うためには,出力電圧Voutが入力電源電圧Vinの約2倍より高い電位であることが前提条件である。したがって,電源起動時には,入力電源Vinは12Vとなるものの,出力電圧Voutの昇圧動作が完了していない間は,上記の2Vin<Voutの前提条件を満たすことができない。そのため,電源起動時に前記前提条件が満たされていない期間,制御パルス信号PIN1,PIN2に基づくPLL回路ユニットによる動作制御は正常に動作しない。そこで,本実施の形態の変形例では,電源起動時モードでの動作制御を通常時のソフトスイッチングモードとは異ならせる。
図5は,本実施の形態の変形例におけるPLL回路ユニットの構成を示す図である。このPLL回路ユニットPU1は,スイッチSW1,SW2を追加している。そして,通常時のソフトスイッチングモードでは,図示された方向にスイッチSW1,SW2を制御して,図3と同様の動作を実現する。そして,電源起動時モードでは,スイッチSW1,SW2を図示された方向とは反対側に制御して,後述するアイドル動作を行う。
図6は,本実施の形態の変形例における動作波形を示す図である。横軸が時間を示している。電源起動されると,入力電源電圧Vinは比較的短時間で立ち上がるが,出力電圧Voutは徐々に立ち上がっていく。そこで,2Vin<Voutの前提条件を満たせない電源起動時モードでは,図5のスイッチSW1,SW2は図示した方向と反対側に制御される。その結果,トランジスタLMOSのゲート制御信号Glは,制御パルス信号PIN1と同じになる。よって,トランジスタLMOSのオン,オフのタイミングT4,T1は,制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジT14,立ち下がりエッジT11と一致する。
さらに,PLL回路PLLのフィードバックループは,PLL回路出力PLLOUTがそのまま可変パルスとして負入力端子に入力される。したがって,制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジと出力PLLOUTの立ち上がりエッジとがPLL制御により位相同期される。さらに,出力PLLOUTはデューティ比50%のパルス信号になる。そして,電源起動時モードでは,PLL回路PLLがアイドリング動作してロック状態にされているので,ソフトスイッチングモードになってからPLL回路PLLを動作開始するよりも,モードの移行をスムーズに行うことができる。
次に,出力電圧Voutが十分に立ち上がり2Vin<Voutの前提条件を満たすタイミングで,電源起動時モードからソフトスイッチングモードに切り替えられ,図5のスイッチSW1,SW2は,図示した方向に制御され,前述の通常動作が行われる。ソフトスイッチングモードに切り替えられると,今度は,制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジとゲート制御信号Glの立ち上がりエッジとが位相同期するよう制御される。それに伴って,PLL回路の出力PLLOUTの位相が,PLL回路の位相同期制御により変動し,安定状態(ロック状態)では,出力PLLOUTの立ち上がりエッジとゲート制御信号Glの立ち下がりエッジ(T1)とが位相同期し,且つ制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジ(T14)とゲート制御信号Glの立ち上がりエッジ(T4)とが位相同期する。
なお,図5の回路構成では,図6に示されるとおり,電源起動時モードからソフトスイッチングモードに遷移した時に,PLL回路が一時的に不安定状態(アンロック状態)になる。すなわち,ソフトスイッチングモードに遷移すると,制御パルス信号PIN1とゲート制御信号GlとがPLL回路により位相同期制御される。これらの信号はモード遷移前は同じ信号だったため,モード遷移後の最初の立ち上がりエッジでは位相同期する。よって,それに応じて出力PLLOUTがデューティ比50%で立ち下がり,それに応答してゲート制御信号Glが立ち下がる(T1)。このタイミングT1はやや早いタイミングであり,コイルのピーク電流Imaxも不十分になる。そして,次のゲート制御信号Glの立ち上がりタイミングT4(図示せず)は,回路状況に応じた時間tf後になるので,制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジT14と位相同期せず,アンロック状態になる。
所定の期間にわたるPLL回路の位相同期動作により,図6の安定状態に示すように出力PLLOUTの位相が遅れるように制御されて,制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジのタイミングT14とゲート制御信号Glが立ち上がるタイミングT4とが位相同期して,ロック状態になる。
図7は,本実施の形態のさらなる変形例におけるPLL回路ユニットの構成を示す図である。また,図8は,その動作波形を示す図である。図7に示したPLL回路ユニットPU1では,図5と同様にスイッチSW1,SW2を設けると共に,インバータV1とスイッチSW5を設けている。そして,通常動作時のソフトスイッチモードでは,スイッチSW1,2,5は図示した方向に制御され,図3と同じ回路になる。一方,電源起動時モードでは,スイッチSW1,2,5は図示した方向とは逆に制御され,アイドル動作を行う。
図8の動作波形にしたがって説明すると,電源起動時モードでは,スイッチSW2,SW5により,PLL回路PLLの正入力端子には基準パルスとして制御パルス信号PIN1の反転信号/PIN1が入力され,負入力端子には変動パルスとして出力PLLOUTがそのまま入力される。また,スイッチSW1により制御パルス信号PIN1がゲート制御信号Glとして供給される。つまり,電源起動時モードのアイドル動作では,反転パルス/PIN1の立ち上がりエッジ(T11)と,出力PLLOUTの立ち上がりエッジとが位相同期し,さらに,PIN1=Glであるので,両信号PIN1,Glの立ち上がりエッジ,立ち下がりエッジはいずれも一致している(T14=T4,T11=T1)。その結果,アイドル動作では,PLL回路がロック状態になり,且つ,出力PLLOUTの立ち上がりエッジとゲート制御信号Glの立ち下がりエッジ(T1)とが位相同期した状態が維持される。
そこで,ソフトスイッチングモードに遷移すると,スイッチSW1,SW2,SW5が反対側に切り替えられ,制御パルス信号PIN1の立ち上がりエッジ(T14)と,ゲート制御信号Glの立ち上がりエッジ(T4)とが位相同期制御されるように切り替えられるが,アイドル動作ではPIN1=Glであったので,アイドル動作でのロック状態がそのまま維持される。しかも,アイドル動作で出力PLLOUTの立ち上がりエッジとゲート制御信号Glの立ち下がりエッジ(T1)とが位相同期していたため,モード遷移後もその位相同期状態によって,PLL回路のロック状態がはずれることはない。よって,図6で説明した,モード遷移時の短い期間においてPLL回路が一時的にアンロック状態になることが回避される。
[フィードバックループの変形例]
図9は,本実施の形態におけるPLL回路ユニットのフィードバックループの変形例を示す図である。図3では,PLL回路PLLの負入力端子(可変パルス入力端子)にゲート制御信号Glをフィードバックした。ただし,このゲート制御信号G1はフリップフロップFFの出力Qと同位相であり,さらに接続点の電圧Vdsの反転信号(セット信号S)とも同位相である。そこで,図9(A)の例では,フリップフロップFFの出力QがPLL回路の負入力端子にフィードバックされている。また,図9(B)の例では,電圧Vdsの反転信号(セット信号S)がPLL回路の負入力端子にフィードバックされている。3つのフィードバックループのいずれでも同様に動作可能である。
ただし,図3,図9(A)の例よりも,図9(B)の例のほうがPLL回路のジッタが小さいことが判明している。この理由は必ずしも明らかではないが,次のように推察される。つまり,図3の例では,フィードバックパスが,トランジスタLMOSのゲート端子から経路に加えて,ゲート制御信号GlによりトランジスタLMOSのオン,オフが制御されて,信号Glと位相が反転した接続点電圧Vdsが生成され,それが,シュミットトリガST,セット端子S,出力Q,ゲート制御信号Glを経る経路も存在する。この2つのフィードバックパスによりジッタが大きくなるものと考えられる。
同様に,図9(A)の例でも,フィードバックパスが,フリップフロップFFの出力Qから経路に加えて,ゲート制御信号GlによりトランジスタLMOSのオン,オフが制御されて,位相が反転した接続点電圧Vdsが生成され,それが,シュミットトリガST,セット端子S,出力Q,ゲート制御信号Glを経る経路も存在する。この2つのフィードバックパスによりジッタが大きくなるものと考えられる。
それに対して,図9(B)では,フィードバックパスが,ゲート制御信号GlによりトランジスタLMOSのオン,オフが制御されて,信号Glと位相が反転した接続点電圧Vdsが生成され,それが,シュミットトリガST,セット端子S,出力Q,ゲート制御信号Glを経る経路しか存在しない。そのため,ジッタが小さくなるものと考えられる。
以上説明したとおり,本実施の形態によれば,PLL回路ユニットを利用して制御パルス信号による動作制御を行うので,複数のスイッチングレギュレータの動作を互いに位相をずらして動作させながら,出力電圧Voutに応じた制御パルス信号の周波数の可変制御を行うことができる。
なお,上記の実施の形態では,2個のスイッチングレギュレータを例にしてい説明したが,3個またはそれ以上のスイッチングレギュレータであってもよい。その場合でも,制御パルス信号PINは,互いに位相がずれた状態で周波数制御される。
さらに,スイッチングレギュレータは昇圧回路を例にして説明したが,降圧回路であっても同様にPLL回路ユニットを利用して制御パルス信号に同期して制御することができる。
なお,本実施の形態に示したスイッチングレギュレータ回路は,車載用の制御機器として,急速霜取り器,電気ブレーキ,LEDヘッドライト,電磁駆動バルブ,シートヒータ,電動エアコン,電動パワーステアリング,モータジェネレータなどに適用可能である。
自然転流方式のスイッチングレギュレータの回路及び動作波形を示す図である。 本実施の形態におけるマルチスイッチングレギュレータの構成図である。 本実施の形態におけるPLL回路ユニットの動作を説明する図である。 制御パルス信号の変化を示す波形図である。 本実施の形態の変形例におけるPLL回路ユニットの構成を示す図である。 本実施の形態の変形例における動作波形を示す図である。 本実施の形態さらなる変形例におけるPLL回路ユニットの構成を示す図である。 本実施の形態さらなる変形例における動作波形を示す図である。 本実施の形態におけるPLL回路ユニットのフィードバックループの変形例を示す図である。
符号の説明
SR1,SR2:第1,第2のスイッチングレギュレータ
PU1,PU2:PLL回路ユニット
PLL:PLL回路 FF:フリップフロップ
BUF:バッファ回路 ST:シュミットトリガ回路
LMOS:第1のスイッチング素子 HMOS:第2のスイッチング素子
L:コイル(インダクタ) C:キャパシタ
CL:平滑化コンデンサ Vin:入力電源
Vout:出力電圧 IL:コイル電流

Claims (8)

  1. 入力電源電圧に接続されたコイルと,前記コイルと接地電源との間に設けられた第1のスイッチング素子(LMOS)と,前記コイルと第1のスイッチング素子の接続点と出力端子との間に設けられた第2のスイッチング素子(HMOS)とをそれぞれ有し,前記出力端子が共通接続され,前記第1のスイッチング素子(LMOS)が導通開始後第1のタイミング(T1)で前記第1のスイッチング素子(LMOS)が非導通制御され,その後前記第2のスイッチング素子(HMOS)が導通開始後に前記コイルの電流がゼロになる第2のタイミング(T3)で前記第2のスイッチング素子(HMOS)が非導通制御され,その後第3のタイミング(T4)で前記第1のスイッチング素子(LMOS)が導通制御される第1及び第2のスイッチングレギュレータユニットと,
    前記第1及び第2のスイッチングレギュレータユニットそれぞれに設けられ,互いに位相がずれた第1及び第2の制御パルス信号(PIN1,PIN2)をそれぞれ入力し,前記第3のタイミング(T4)が前記制御パルス信号の位相に同期するように,前記第1のスイッチング素子(LMOS)を非導通制御する第1のタイミング(T1)を制御する第1及び第2のPLL回路ユニットとを有し,
    前記第1及び第2の制御パルス信号は,前記出力端子の昇圧レベルに応じた周波数に制御されていることを特徴とするスイッチングレギュレータ。
  2. 請求項1において,
    前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,
    前記制御パルス信号を基準パルスとして入力し,前記第1のタイミング(T1)に対応する信号を可変パルスとして入力し,前記基準パルスと可変パルスの位相差に応じた周波数のPLL出力パルスを生成するPLL回路と,前記PLL出力パルスによりリセットされ前記第3のタイミング(T4)でセットされるフリップフロップとを有し,前記フリップフロップの出力信号により前記第1のスイッチング素子(LMOS)のスイッチング制御を行い,
    前記フリップフロップのリセットのタイミングが前記第1のスイッチング素子(LMOS)を非導通制御する第1のタイミング(T1)であり,前記フリップフロップのセットのタイミングが前記第1のスイッチング素子(LMOS)を導通制御する第4のタイミング(T4)であることを特徴とするスイッチングレギュレータ。
  3. 請求項2において,
    さらに,前記フリップフロップの出力信号を入力して第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子を駆動するバッファ回路を有し,
    前記第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子の信号(Gl)が,前記可変パルスとして前記PLL回路の入力にフィードバックされることを特徴とするスイッチングレギュレータ。
  4. 請求項2において,
    さらに,前記フリップフロップの出力信号を入力して第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子を駆動するバッファ回路とを有し,
    前記フリップフロップの出力信号が,前記可変パルスとして前記PLL回路の入力にフィードバックされることを特徴とするスイッチングレギュレータ。
  5. 請求項2において,
    さらに,前記フリップフロップの出力信号を入力して第1のスイッチング素子(LMOS)のゲート端子を駆動するバッファ回路とを有し,
    前記フリップフロップのセット信号が,前記可変パルスとして前記PLL回路の入力にフィードバックされることを特徴とするスイッチングレギュレータ。
  6. 請求項2において,
    前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,
    前記入力電源電圧が起動する電源起動時モード期間では,前記第1及び第2の制御パルス信号により前記第1のスイッチング素子のゲート端子を駆動し,
    前記電源起動時モード期間後のソフトスイッチングモード期間では,前記フリップフロップの出力信号により前記第1のスイッチング素子のゲート端子を駆動してスイッチング制御を行うことを特徴とするスイッチングレギュレータ。
  7. 請求項2において,
    前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,
    前記入力電源電圧が起動する電源起動時モード期間では,前記PLL回路のPLL出力パルスを前記可変パルスとして入力し,
    前記電源起動時モード期間後のソフトスイッチングモード期間では,前記第1のタイミングに対応する信号を可変パルスとして入力することを特徴とするスイッチングレギュレータ。
  8. 請求項2において,
    前記第1及び第2のPLL回路ユニットは,
    入力電源起動時の電源起動時モード期間後のソフトスイッチングモード期間では,前記制御パルス信号の第1のエッジの位相に前記第1のタイミングに対応する信号の第1のエッジの位相を同期させるよう動作し,
    前記電源起動時モード期間では,前記制御パルス信号によって前記第1のスイッチング素子のゲート端子を駆動し,前記制御パルス信号の反転制御パルス信号を前記基準パルスとして入力し,前記PLL回路のPLL出力パルスを前記可変パルスとして入力して,前記制御パルス信号の第2のエッジの位相にPLL出力パルスの第1のエッジの位相を同期させるように動作し,
    前記電源起動時モード期間とソフトスイッチングモード期間とで,前記動作状態を切り替えるスイッチ手段を有することを特徴とするスイッチングレギュレータ。
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