JP4573681B2 - スイッチングレギュレータを用いる半導体装置およびスイッチングレギュレータの制御方法 - Google Patents
スイッチングレギュレータを用いる半導体装置およびスイッチングレギュレータの制御方法 Download PDFInfo
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Description
図7は、従来のカレントモード制御回路を備えた降圧型スイッチングレギュレータの構成例を示した図である。
直流電源7とアースの間にスイッチング素子8とダイオード9が直列接続され、スイッチング素子8とダイオード9の結合部分とアースの間にセンス抵抗10とチョークコイル11と平滑コンデンサ12の順に直列接続され、チョークコイル11と平滑コンデンサ12の結合部分である出力端から出力を負荷抵抗13に供給する構成となっている。
図8は、図7におけるSRラッチ回路5がリセット優先で構成され、かつ、オシレータ14が発生するパルスのハイ期間が小さい場合の説明図である。
入力電圧と出力電圧の差が小さい、すなわちDutyが大きいスイッチングの場合、セット信号であるオシレータ14が発生するパルスのハイ期間がリセット信号のハイ期間に覆われてスイッチング信号が現れず、出力電圧が制御不可能となる。すなわち、図8の誤スイッチングの部分ではスイッチングが行われなくなる。
図8と同様に、セット信号であるオシレータ14が発生するパルスのハイ期間がリセット信号のハイ期間に覆われて、オシレータ14が発生するパルスのハイ期間が終了後、直ちにスイッチングをOFFする信号が現れ、出力電圧が制御不可能となる。
図8,図9での問題点は、セット信号であるオシレータ14で発生するパルスのハイ期間をリセット信号のハイ期間よりも大きくすることで解消できる。
入力電圧と出力電圧の差が大きい、すなわちDutyが小さいスイッチングの場合、セット信号であるオシレータ14が発生するパルスのハイ期間中にリセット信号のハイ期間が終了してしまい、一旦スイッチングをOFFし、再度ONするという誤信号を発し、出力電圧が制御不可能となる。
図11は、図10において、SRラッチ回路5をリセット優先でなくセット優先で構成した場合の説明図である。
図10と同様に、セット信号であるオシレータ14が発生するパルスのハイ期間中にリセット信号のハイ期間が終了してしまい、スイッチングがONし続ける信号を発し、出力電圧が制御不可能となる。
図10,図11での問題点は、セット信号であるオシレータ14が発生するパルスのハイ期間をリセット信号のハイ期間よりも小さくすることで解消できる。
また、省スペースな回路を実現し、かつスイッチングレギュレータの性能向上を図ることが可能となる。
図1は、本発明の実施例1に係るスイッチングレギュレータのブロック図である。
図1の構成では、出力電圧を抵抗分割回路2a,2bで分圧した電圧と基準電圧1との差電圧を増幅するエラーアンプ3と、チョークコイル11に流れる電流を検出するセンス抵抗10と、エラーアンプ3とセンス抵抗10からの出力信号を比較するコンパレータ4と、ハイ期間の異なる数種類のパルスを発生するオシレータ(1)15,オシレータ(2)16,オシレータ(3)17と、あるDutyに基づきハイ期間の異なる数種類のパルスから1つのパルスを選択するパルス選択回路18と、このパルス選択回路18で選択されたパルスとコンパレータ4の出力信号とからスイッチング制御信号を出力するSRラッチ回路5と、複数の論理回路からなる出力制御回路6から構成されている。
図2に示すパルス選択回路18は、図1に示すEXTスイッチング信号19と、あるDutyに相当するハイ期間を持つオシレータ(3)17が発生するパルス(3)33とを入力に持つDtype-フリップフロップ20を有し、Dtype-フリップフロップ20の出力信号は、パルス(3)33のハイ期間が終る時点でEXTスイッチング信号19がローの場合、すなわち、入力電圧と出力電圧の差が小さくDutyが大きいスイッチングの場合、出力はローを示し、パルス(3)33のハイ期間が終わる時点でEXTスイッチング信号19がハイの場合、すなわち、入力電圧と出力電圧の差が大きくDutyが小さいスイッチングの場合、出力はハイを示している。
つまり、パルス(3)33のハイ期間が終わる時点でスイッチング素子がONしている場合(Dutyが大きいスイッチングの場合)はハイ期間の長いパルス(2)35を選択し、パルス(3)33のハイ期間が終わる時点でスイッチング素子がOFFしている場合(Dutyが小さいスイッチングの場合)はハイ期間の短いパルス(1)34を選択する。
これにより、Dutyが100%に近い、また0%に近いような場合でも、安定したDutyでスイッチングするスイッチングレギュレータを実現し、スイッチングレギュレータの性能向上を図ることが可能である。
なお、実施例2では、ハイ期間の異なる複数のパルス発生器から発生する複数のパルスのうちの1つを選択する例を説明したが、ハイ期間の異なる複数のパルス発生器のうちの1つの発生器を選択することも、勿論可能である。
図3は、本発明の応用例であるスイッチングレギュレータのブロック図である。
図3に示す回路と図1に示す回路との相違点は、図1の出力制御回路6の代りに同期整流制御回路30を設けたこと、および、ダイオード9の代りに同期整流制御回路30からの出力により制御されるスイッチング素子31を設けたことである。そして、スイッチング素子8がOFFしている期間には、ダイオード9の代りのスイッチング素子31をONさせる。スイッチング素子31を用いた場合、ダイオード9を用いる場合に比べて効率が良い。
これにより、Dutyが100%に近い、また0%に近いような場合でも、安定したDutyでスイッチングするスイッチングレギュレータを提供し、スイッチングレギュレータの性能向上を図ることができる。
図4は、本発明の実施例2に係るスイッチングレギュレータのブロック図である。
図4に示す回路は、図1の回路が有する機能、すなわち、Dutyが大きいスイッチングの場合には、オシレータが発生するパルスのハイ期間を長くし、Dutyが小さいスイッチングの場合には、オシレータが発生するパルスのハイ期間を短くする機能(ON期間調整回路)を1つのオシレータ32に内蔵したことである。オシレータ32は、オシレータが発生するパルスのハイ期間が終わる時点でスイッチング素子8がONしている場合(つまり、Dutyが大きいスイッチングの場合)にはパルスのハイ期間を長くするように動作し、一方、オシレータが発生するパルスのハイ期間が終わる時点でスイッチング素子8がOFFしている場合(つまり、Dutyが小さいスイッチングの場合)にはパルスのハイ期間を短くするように動作する。
これにより、Dutyが100%に近い、また0%に近いような場合でも、安定したDutyでスイッチングするスイッチングレギュレータを実現し、スイッチングレギュレータの性能向上を図ることが可能となる。
図1の実施例1の場合の動作を、さらに詳細に説明する。
図5は、Dutyが大きいスイッチングの場合の動作説明図であり、図6はDutyが小さいスイッチングの場合の動作説明図である。
図5に示すように、オシレータ(3),オシレータ(1),オシレータ(2)が発生するパルス(3),パルス(1),パルス(2)の各ハイ期間は、パルス(3),パルス(2),パルス(1)の順序で長い方から短くなっている。
一方、パルス(1)を選択した場合には、SRラッチ回路がセット優先ならばEXTスイッチング信号はパルス(1)信号のロー期間と同じ期間がハイ期間であるパルス信号となり、誤動作となる。また、リセット優先ならばセット信号がきかず、EXTスイッチング信号はハイ固定となる。
さらに、本実施例では、ピークカレントモードを例にとり説明をしたが、アベレージカレントモードのような、その他のカレントモードにも適用可能である。
ところで、スイッチング素子のON期間を第1状態、OFF期間を第2状態とすると、スイッチング素子を第1状態に維持するための第1信号(セット信号)を出力するパルス発生回路は第1信号出力手段となり、第1状態から第2状態へ維持するための第2信号(リセット信号)を出力するコンパレータは第2信号出力手段となる。
また、スイッチング素子のON,OFF期間の時間比率(Duty)の大小を決定する信号(EXT信号)を出力する手段(SRラッチ回路、出力制御回路)は、第1状態と第2状態の出現比率を検知する検知手段となる。
2a,2b 抵抗分割回路
3 エラーアンプ
4 コンパレータ
5 SRラッチ回路
6 出力制御回路
7 電源電圧
8,31 スイッチング素子
9 ダイオード
10 センス抵抗
11 チョークコイル
12 コンデンサ
13 負荷抵抗
14,15,16,17 オシレータ
18 パルス選択回路
19 EXTスイッチング信号
20 Dtype-フリップフロップ
21,23 AND回路
22 インバータ
24 OR回路
30 同期整流制御回路
32 オシレータON期間調整回路
33,34,35 パルス
Claims (5)
- スイッチングレギュレータのスイッチング素子を制御する半導体装置であって、
前記スイッチング素子を第1状態に維持するための第1信号を出力する第1信号出力手段と、
前記第1状態から第2状態へ維持するための第2信号を出力する第2信号出力手段と、
前記第1状態と第2状態の出現比率を検知する検知手段と、
前記検知手段の検知結果に基づいて、前記第1および第2信号出力手段の第1および第2信号の少なくとも一方の出力期間を、可変にする信号出力期間可変手段と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1信号出力手段は、スイッチング素子を制御するSRラッチ回路をセットする信号を出力するパルス発生回路であり、
前記第2信号出力手段は、スイッチングレギュレータの出力電圧および出力電流を帰還信号へ変換するとともに、前記SRラッチ回路をリセットする信号を出力する回路であり、
前記検知手段は、前記パルス発生回路の出力をセット信号、前記変換回路の出力をリセット信号とするSRラッチ回路と、該SRラッチ回路の出力に基づいて前記スイッチング素子を制御する出力制御回路であり、
前記信号出力期間可変手段は、前記第1信号出力手段の出力期間を可変にするため、前記スイッチング素子の第1の状態であるON期間、または第2の状態であるOFF期間の時間比率(以下、Duty)が小さいときはハイまたはロウ期間の短いパルスを、前記スイッチング素子のDutyが大きいときはハイまたはロウ期間の長いパルスを、それぞれ発生するパルス選択回路である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記信号出力期間可変手段は、前記第1信号出力手段の出力期間を可変にするため、前記検知手段の検知結果に基づいて、ハイまたはロウ期間の異なる数種類のパルスの中から1つのパルスを選択するか、あるいは、ハイまたはロウ期間の異なるパルスをそれぞれ発生する複数の発生回路のうちの1つの回路を選択する、複数の論理回路から構成されたパルス選択回路である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記信号出力期間可変手段は、前記第1信号出力手段の出力期間を可変にするため、前記検知手段の検知結果に基づいて、パルスのハイまたはロウ期間を変化させたパルスを発生させるパルス発生回路である
ことを特徴とする半導体装置。 - スイッチングレギュレータを制御する方法であって、
第1信号出力手段は、前記スイッチング素子を第1状態に維持するための第1信号を出力し、
第2信号出力手段は、前記第1状態から第2状態へ維持するための第2信号を出力し、
検知手段は、前記第1信号および前記第2信号を入力して、前記第1状態と第2状態の出現比率を検知し、
信号出力期間可変手段は、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記第1および第2信号出力手段の第1および第2信号の少なくとも一方の出力期間を、可変にすることを特徴とするスイッチングレギュレータの制御方法。
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