KR101143446B1 - 전압 발생 회로 - Google Patents
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Abstract
전압 발생 회로는 복수의 정류 회로, 및 복수의 정류 회로들 사이에 이전 단의 정류 회로의 출력을 증폭하여 다음 단의 정류 회로에 입력시키도록 구성된 하나 또는 그 이상의 증폭부를 포함하며, 복수의 정류 회로 중에서 최종 단의 정류 회로에서 전압이 생성되도록 구성된다.
Description
본 발명은, 반도체 회로에 관한 것으로서, 특히 전압 발생 회로에 관한 것이다.
종래의 기술에 따른 전압 발생 회로 특히 기준 전압을 생성하는 회로는 다양한 형태로 구성될 수 있다.
그 중 하나의 예로서, WIDLAR 방식의 기준 전압 발생 회로(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 트랜지스터(M1 ~ M10)와 복수의 저항(R1, R2)으로 구성된다.
기준 전압 발생 회로(1)는 트랜지스터들(M1 ~ M6)에 의한 커런트 미러링(Current Mirroring) 동작을 통해 생성한 전류를 전압으로 변환하여 기준 전압(VREF1)를 생성한다.
상술한 기준 전압 발생 회로(1)는 트랜지스터와 같은 기본적인 아날로그 회로 특성으로 인하여 전원 전압(VDDV)에 따른 기준 전압(VREF1)의 변동이 크게 발생하는 문제가 있다.
본 발명의 실시예는 전원 전압에 따른 기준 전압의 변동을 감소시킬 수 있도록 한 전압 발생 회로를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 복수의 정류 회로, 및 복수의 정류 회로들 사이에 이전 단의 정류 회로의 출력을 증폭하여 다음 단의 정류 회로에 입력시키도록 구성된 하나 또는 그 이상의 증폭부를 포함하며, 복수의 정류 회로 중에서 최종 단의 정류 회로에서 전압이 생성되도록 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예는 전원 전압을 정류하여 제 1 전압을 생성하도록 구성된 제 1 정류 회로, 제 1 전압을 증폭하여 제 2 전압을 생성하도록 구성된 증폭부, 제 2 전압을 정류하여 기준 전류를 생성하도록 구성된 제 2 정류 회로, 및 기준 전류를 전압으로 변환하여 기준 전압을 생성하도록 구성된 전류/전압 변환부를 포함함을 다른 특징으로 한다.
본 발명의 실시예는 적어도 둘 이상의 정류 동작을 통해 정류 특성을 향상시킬 수 있으므로 종래에 비해 전원 전압에 따른 변동이 감소된 기준 전압을 생성할 수 있다.
도 1은 WIDLAR 방식의 기준 전압 발생 회로(1)의 회로도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전압 발생 회로(100)의 블록도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전압 발생 회로(100)의 회로도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압과 종래 기술에 따른 기준 전압을 비교한 시뮬레이션 파형도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전압 발생 회로(100)의 블록도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전압 발생 회로(100)의 회로도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압과 종래 기술에 따른 기준 전압을 비교한 시뮬레이션 파형도이다.
본 발명의 실시예는 정류 동작을 수행하는 회로 블록을 복수의 스테이지(Stage)로 구성하고, 이전 정류 동작에 따른 전압을 일정 비로 증폭한 후 다시 정류함으로써 전원 전압에 따른 기준 전압의 변동을 지수적으로 감소시킬 수 있도록 한 것이다.
도 2에 따른 본 발명의 실시예는 정류 동작을 수행하는 회로 블록을 2-스테이지(2-Stage)로 구성한 예를 든 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전압 발생 회로(100)는 2-스테이지로 구성된 정류 회로 즉, 제 1 정류 회로(200)과 제 2 정류 회로(500)와 증폭부(300) 및 전류/전압 변환부(600)를 포함한다.
제 1 정류 회로(200)는 전원 전압(VDDV)을 정류하여 제 1 전압(VR0)을 생성하도록 구성된다.
증폭부(300)는 제 1 전압(VR0)을 증폭하여 제 2 전압(VDDR)을 생성하도록 구성된다.
증폭부(300)는 차동 증폭기(310) 및 분배 저항(320)을 포함한다.
증폭부(300)는 제 1 전압(VR0)을 차동 증폭기(310)를 이용하여 분배 저항(320)의 분배 비로 증폭하여 제 2 전압(VDDR)을 생성하도록 구성된다.
제 2 정류 회로(500)는 제 2 전압(VDDR)을 정류하여 기준 전류(IR)를 생성하도록 구성된다.
전류/전압 변환부(600)는 기준 전류(IR)를 전압으로 변환하여 기준 전압(VREF2)을 생성하도록 구성된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 정류 회로(200)는 복수의 트랜지스터(M11 ~ M16) 및 복수의 저항(R11, R12)를 포함한다.
제 1 정류 회로(200)는 다양한 방식의 기준 전압 발생 회로의 구성을 이용할 수 있으며, 도 3은 WIDLAR 방식에 따른 예를 든 것이다.
차동 증폭기(310)는 복수의 트랜지스터(M17 ~ M22)를 포함한다.
차동 증폭기(310)는 분배 저항(320)을 통해 자신의 출력 즉, 제 2 전압(VDDR)을 네가티브 피드백(Negative Feedback) 받도록 구성된다.
분배 저항(320)은 복수의 저항(R13, R14)을 포함한다.
제 2 정류 회로(500)는 복수의 트랜지스터(M23 ~ M28) 및 복수의 저항(R15, R16)를 포함한다.
제 2 정류 회로(500)는 제 1 정류 회로(200)와 동일하게 구성할 수 있다.
전류/전압 변환부(600)는 복수의 트랜지스터(M29 ~ M32)로 이루어진 복수의 다이오드를 포함한다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 전압 발생 회로(100)의 동작을 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
전원 전압(VDDV)이 상승하고 제 1 정류 회로(200)를 통해 정류되어 제 1 전압(VR0)이 생성된다.
제 1 전압(VR0)이 분배 저항(320)의 분배 비로 증폭되고, 차동 증폭기(310)로 네가티브 피드백됨으로써 제 2 전압(VDDR)이 생성된다.
이때 제 2 전압(VDDR)의 레벨은 VR0*(1 + R13/R14)이 된다.
이와 같이 생성된 제 2 전압(VDDR)이 제 2 정류 회로(500)를 통해 다시 정류되고, 그에 따라 제 3 전압(VR1)의 레벨이 제 1 전압(VR0)과 동일해진다.
커런트 미러링 동작에 의해 제 3 전압(VR1)에 따라 제 2 정류 회로(500)에 흐르는 전류와 동일한 양의 기준 전류(IR)가 전류/전압 변환부(600)를 통해 흐르게 된다.
전류/전압 변환부(600)의 복수의 트랜지스터(M29 ~ M32)로 이루어진 복수의 다이오드에 의해 기준 전류(IR)가 기준 전압(VREF2)으로 변환된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서 2-스테이지 구조의 정류 회로 즉, 2개의 정류 회로(200, 500)를 구성함에 따른 정류 특성은 아래의 정의와 같이 지수적으로 향상된다.
{(VREF2)2 / (VDDV)2} * (1+ R13/R14)
도 4의 시뮬레이션 파형도에 도시된 바와 같이, 도 1에 도시된 31 나노 공정에 따른 종래 기술의 회로는 VDDV가 1V 변함에 따라 VREF1가 11.46mV 변하는 것에 반하여, 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 회로는 VDDV가 1V 변함에 따라 VREF2가 0.22mV 변한다.
즉, 본 발명의 실시예는 종래 기술에 비하면 동일한 전원 전압 변화에 대하여 기준 전압의 변화량을 약 1/52로 줄일 수 있다.
결국, 본 발명의 실시예에 따른 전압 생성 회로(100)는 종래 기술에 비해 약 52배의 성능 향상을 기대할 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (5)
- 복수의 정류 회로; 및
상기 복수의 정류 회로들 사이에 이전 단의 정류 회로의 출력을 증폭하여 다음 단의 정류 회로의 전원 전압으로서 제공하도록 구성된 하나 또는 그 이상의 증폭부를 포함하며,
상기 복수의 정류 회로 중에서 최종 단의 정류 회로에서 전압이 생성되도록 구성된 전압 발생 회로. - 제 1 항에 있어서,
상기 증폭부는
상기 이전 단의 정류 회로의 출력을 증폭하여 출력하고, 자신의 출력을 네가티브 피드백(Negative Feedback) 받도록 구성되는 전압 발생 회로. - 제 1 전원 전압을 정류하여 제 1 전압을 생성하도록 구성된 제 1 정류 회로;
상기 제 1 전압을 증폭하여 제 2 전압을 생성하도록 구성된 증폭부;
상기 제 2 전압을 제 2 전원 전압으로서 입력 받고, 상기 제 2 전원 전압을 정류하여 기준 전류를 생성하도록 구성된 제 2 정류 회로; 및
상기 기준 전류를 전압으로 변환하여 기준 전압을 생성하도록 구성된 전류/전압 변환부를 포함하는 전압 발생 회로. - 제 3 항에 있어서,
상기 증폭부는 상기 제 1 전압을 차동 증폭기를 이용하여 분배 저항의 분배 비로 증폭하여 상기 제 2 전압을 생성하도록 구성된 전압 발생 회로. - 제 4 항에 있어서,
상기 증폭부는 상기 제 2 전압을 네가티브 피드백 받도록 구성된 전압 발생 회로.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100051324A KR101143446B1 (ko) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | 전압 발생 회로 |
US12/970,288 US8350618B2 (en) | 2010-05-31 | 2010-12-16 | Voltage generation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100051324A KR101143446B1 (ko) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | 전압 발생 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110131737A KR20110131737A (ko) | 2011-12-07 |
KR101143446B1 true KR101143446B1 (ko) | 2012-05-22 |
Family
ID=45021600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100051324A KR101143446B1 (ko) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | 전압 발생 회로 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8350618B2 (ko) |
KR (1) | KR101143446B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140145814A (ko) * | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 기준전압 생성기 및 그를 포함하는 저전압용 내부전원 생성장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2010
- 2010-05-31 KR KR1020100051324A patent/KR101143446B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-16 US US12/970,288 patent/US8350618B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8350618B2 (en) | 2013-01-08 |
KR20110131737A (ko) | 2011-12-07 |
US20110291747A1 (en) | 2011-12-01 |
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