JP7231991B2 - クロック生成回路、スイッチング電源装置及び半導体装置 - Google Patents

クロック生成回路、スイッチング電源装置及び半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は、クロック生成回路、スイッチング電源装置及び半導体装置に関する。
図20は、従来のクロック生成回路901の構成ブロック図である。クロック生成回路901は、内部クロック生成部902及びPLL(phase locked loop)回路903を備える。そして、クロック生成回路901に対し外部クロックが供給されているときには、外部クロックに基づく出力クロックをPLL回路903にて生成して出力し、外部クロックが供給されていないときには内部クロック生成部902からの内部クロックに基づく出力クロックをPLL回路903にて生成して出力する。出力クロックは、例えば、スイッチング電源装置におけるスイッチング用クロックとして利用される。
特開2006-287736号公報
クロック生成回路901を搭載した電子機器の構成上の都合により外部クロックのデューティは様々となり得るが、出力クロックのデューティは、外部クロックのデューティに依らず、常に、所望のデューティに固定されることが要望されるケースも多い。例えば、マルチチャネル出力型のスイッチング電源装置では、複数チャネル分の出力段回路を互いに位相をずらした状態でスイッチング駆動することが要求されることもあり、その要求を応えるために、出力クロックのデューティを固定する必要が生じる(その理由については後述の説明からも明らかとなる)。マルチフェーズDC/DCコンバータなどにおいても、同様の事情が存在する。
図20に示すクロック生成回路901のようにPLL回路903を利用すれば、出力クロックのデューティを固定することが可能である。しかしながら、PLL回路の回路規模は比較的大きいことから、PLL回路を利用するとクロック生成回路が大型化する。PLL回路を用いることなく、出力クロックのデューティを所望のデューティにすることができれば有益である。
本発明は、小さな回路規模で所望デューティの出力クロックを生成可能なクロック生成回路、及び、それに関わるスイッチング電源装置及び半導体装置を提供することを目的とする。
本発明に係るクロック生成回路は、外部クロックが入力されているときに前記外部クロックを対象クロックとして用いて前記対象クロックから出力クロックを生成可能なクロック生成回路であって、前記対象クロックの所定レベル変化に同期して前記出力クロックのレベルを第1レベルから第2レベルに変化させるクロック出力回路と、前記対象クロックの隣接する前記所定レベル変化間の区間を周期にして、電圧値が変化する第1ランプ電圧を生成する第1ランプ電圧生成回路と、前記区間を前記周期にして、電圧値が変化する第2ランプ電圧を生成する第2ランプ電圧生成回路と、前記所定レベル変化が生じたときの前記第2ランプ電圧に応じた比較用電圧を保持する比較用電圧保持回路と、前記第1ランプ電圧と前記比較用電圧を比較する比較器と、を備え、前記クロック出力回路は、前記比較器の比較結果に基づき前記出力クロックのレベルを前記第2レベルから前記第1レベルに変化させることを特徴とする。
具体的には例えば、前記クロック生成回路において、前記対象クロックの前記所定レベル変化の後、前記第1ランプ電圧と前記対比用電圧の高低関係が逆転したことを示す信号が前記比較器から出力されたことに応答して、前記クロック出力回路は、前記出力クロックのレベルを前記第2レベルから前記第1レベルに変化させると良い。
また具体的には例えば、前記クロック生成回路において、前記第1ランプ電圧生成回路は、第1コンデンサと第1定電流を前記第1コンデンサに供給する第1定電流回路とを有し、各周期において、前記第1定電流の供給を受けて前記第1コンデンサの端子電圧を所定の第1初期電圧から変化させることを通じ前記第1コンデンサの端子電圧より前記第1ランプ電圧を生成し、前記第2ランプ電圧生成回路は、第2コンデンサと第2定電流を前記第2コンデンサに供給する第2定電流回路とを有し、各周期において、前記第2定電流の供給を受けて前記第2コンデンサの端子電圧を所定の第2初期電圧から変化させることを通じ前記第2コンデンサの端子電圧より前記第2ランプ電圧を生成し、前記比較用電圧保持回路は、第3コンデンサを有し、各周期において前記第3コンデンサの端子電圧を前記比較用電圧として保持し、前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサ間にスイッチが設けられ、前記対象クロックの前記所定レベル変化に応答して前記第2コンデンサの蓄積電荷の一部が前記スイッチを介し前記第3コンデンサに供給されることで、前記第3コンデンサに前記比較用電圧が生じると良い。
更に具体的には例えば、前記対象クロックの前記所定レベル変化に応答して第1パルス信号を出力する第1パルス出力回路と、前記対象クロックの前記所定レベル変化の後、前記第1ランプ電圧と前記対比用電圧の高低関係が逆転したことを示す信号を前記比較器から受けたときに、第2パルス信号を出力する第2パルス出力回路と、を更に前記クロック生成回路に設けておいても良く、前記第1ランプ電圧生成回路には、前記第1コンデンサを放電させることが可能な第1コンデンサ放電回路が設けられ、前記比較用電圧保持回路には、前記第3コンデンサを放電させることが可能な第3コンデンサ放電回路が設けられ、前記第1パルス信号の出力を受けて、前記第1コンデンサ放電回路により前記第1コンデンサが放電され、且つ、前記スイッチがオンとされることで前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサが前記スイッチを介して並列接続され、前記第2パルス信号の出力を受けて、前記第3コンデンサ放電回路により前記第3コンデンサが放電されると良い。
また例えば、前記クロック生成回路において、前記第1定電流及び前記第2定電流の電流値は、互いに比例関係にあると良い。
また例えば、前記クロック生成回路において、前記第1コンデンサ、前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサの静電容量値は、互いに比例関係にあると良い。
また例えば、前記クロック生成回路は、内部クロックを生成する内部クロック生成部を更に備え、前記外部クロックが非入力であるとき、前記内部クロックを前記対象クロックとして用いて前記出力クロックを生成可能であると良い。
この際例えば、前記クロック生成回路において、前記内部クロック生成部は、前記第1ランプ電圧を所定の基準電圧と比較し、比較結果を示す二値信号を前記内部クロックとして生成すると良い。
本発明に係るスイッチング電源装置は、前記クロック生成回路を備え、前記クロック生成回路にて生成された前記出力クロックを用いて、入力電圧をスイッチングすることで出力電圧を生成することを特徴とする。
具体的には例えば、前記スイッチング電源装置は、前記入力電圧をスイッチングする出力段回路を複数備えて複数の出力段回路を用いて1以上の出力電圧を生成し、前記出力クロックを用いて前記複数の出力段回路を互いに異なる位相で駆動すると良い。
本発明に係る半導体装置は、前記スイッチング電源装置を形成する半導体装置であって、集積回路を用いて形成されたことを特徴とする。
本発明によれば、小さな回路規模で所望デューティの出力クロックを生成可能なクロック生成回路、及び、それに関わるスイッチング電源装置及び半導体装置を提供することが可能となる。
本発明の実施形態に係るクロック生成回路の概略構成図である。 本発明の実施形態に係り、クロック生成回路の外部クロック及び出力クロック間の関係を示す図である。 本発明の実施形態に係り、外部クロック、出力クロック及びクロック選択信号間の関係を示す図である。 本発明の実施形態に係るクロック生成回路の詳細構成図である。 本発明の実施形態に係り、図4の回路における幾つかの信号波形を示す図である。 本発明の第1実施例にて想定されるクロック生成回路の動作条件を示す図である。 本発明の第1実施例に係るクロック生成回路のタイミングチャートである。 本発明の第2実施例にて想定されるクロック生成回路の動作条件を示す図である。 本発明の第2実施例に係るクロック生成回路のタイミングチャートである。 本発明の第3実施例にて想定されるクロック生成回路の動作条件を示す図である。 本発明の第3実施例に係るクロック生成回路のタイミングチャートである。 本発明の第5実施例に係るスイッチング電源装置の構成図である。 本発明の第5実施例に係るスイッチング電源装置のタイミングチャートである。 本発明の第6実施例に係るスイッチング電源装置の構成図である。 本発明の第7実施例に係り、クロック生成回路内に固定デューティ生成部が内包される様子を示す図である。 本発明の第7実施例に係り、2つの固定デューティ生成部が設けられたクロック生成回路の構成図である。 図16のクロック生成回路における、外部クロックと2つの出力クロックとの関係図である。 本発明の第8実施例に係るカーナビゲーション装置の外観図及び概略構成ブロック図である。 本発明の第9実施例に係る半導体装置の外観図である。 従来のクロック生成回路の構成図である。
以下、本発明の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量又は部材等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量又は部材等の名称を省略又は略記することがある。例えば、後述の“EX”によって参照される外部クロック入力端子は、外部クロック入力端子EXと表記されることもあるし、入力端子EXと略記されることもあり得るが、それらは全て同じものを指す。
まず、本実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明を設ける。
グランドとは、0V(ゼロボルト)の基準電位を有する導電部を指す又は基準電位そのものを指す。各実施形態において、特に基準を設けずに示される電圧は、グランドから見た電位を表す。
ラインは配線と同義である。
レベルとは電位のレベルを指し、任意の信号又は電圧についてハイレベルはローレベルよりも高い電位を有する。
任意の信号又は電圧において、ローレベルからハイレベルへの切り替わりをアップエッジと称し、ローレベルからハイレベルへの切り替わりのタイミングをアップエッジタイミングと称する。同様に、任意の信号又は電圧において、ハイレベルからローレベルへの切り替わりをダウンエッジと称し、ハイレベルからローレベルへの切り替わりのタイミングをダウンエッジタイミングと称する。
後述の外部クロック、内部クロック及び出力クロックを含む任意のクロックは、ハイレベル及びローレベルの何れかを周期的にとる矩形波信号であり、任意のクロックの各周期において、1周期分の区間の長さに対する、クロックのレベルがハイレベルとなっている区間の長さの割合を、デューティと称する。
FET(電界効果トランジスタ)として構成された任意のトランジスタについて、オン状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が導通状態となっていることを指し、オフ状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が非導通状態(遮断状態)となっていることを指す。
任意のスイッチは1以上のFET(電界効果トランジスタ)にて構成され、或るスイッチがオン状態のときには当該スイッチの両端子間が導通する一方で或るスイッチがオフ状態のときには当該スイッチの両端子間が非導通となる。以下、任意のトランジスタ又はスイッチについて、オン状態、オフ状態を、単に、オン、オフと表現することもある。
任意のトランジスタ又はスイッチについて、オフ状態からオン状態への切り替わりをターンオンと表現し、オン状態からオフ状態への切り替わりをターンオフと表現する。
図1は本発明の実施形態に係るクロック生成回路1の概略構成図である。クロック生成回路1は、固定されたデューティを有する出力クロックを生成するオシレータであり、内部クロック生成部2、選択回路3及び固定デューティ生成部4を有する。クロック生成回路1には、外部クロックの入力を受けるための外部クロック入力端子EXも備えられる。以下では、参照される図面を含め、外部クロックを記号“CK_EX”にて、出力クロックを記号“CLK”にて参照することがある。
図2(a)~(d)に、入力端子EXに外部クロックCK_EXが入力されているときの外部クロックCK_EX及び出力クロックCLKの関係の例を示す。入力端子EXに外部クロックCK_EXが入力されているとき、クロック生成回路1は、外部クロックCK_EXと同一の周波数を有するクロックであって、且つ、外部クロックCK_EXのデューティに依存することなく固定デューティを有するクロックを、出力クロックCLKとして生成及び出力する。固定デューティは、固定デューティ生成部4にて予め固定的に定められるデューティである。入力端子EXに外部クロックCK_EXが入力されていないとき、クロック生成回路1は、内部クロック生成部2により生成されるクロックであって且つ固定デューティを有するクロックを出力クロックCLKとして生成及び出力する。
図2(a)~(d)では、1MHz(メガヘルツ)又は0.5MHzの周波数を有し且つ25%又は75%のデューティを持つ外部クロックCK_EXが入力端子EXに入力されることが想定されていると共に、固定デューティが50%であることが想定されている。この想定の下、クロック生成回路1は、1MHzの周波数且つ25%又は75%のデューティを有する外部クロックCK_EXが入力端子EXに入力されたときには、1MHzの周波数且つ50%のデューティを有する出力クロックCLKを生成及び出力し、0.5MHzの周波数且つ25%又は75%のデューティを有する外部クロックCK_EXが入力端子EXに入力されたときには、0.5MHzの周波数且つ50%のデューティを有する出力クロックCLKを生成及び出力する。
図2(a)~(d)では、固定デューティが50%であることが想定されているが、固定デューティは0%より大きく且つ100%未満の任意の値に設定されて良い。また、外部クロックCK_EXのデューティも0%より大きく且つ100%未満の範囲内で任意である。更に、外部クロックCK_EXの周波数は1MHz又は0.5MHz以外であっても良い。但し、実際には、クロック生成回路1内の各回路の応答速度等を考慮すれば、外部クロックCK_EXの周波数は所定の周波数範囲内に限定される。
構成としては、選択回路3に設けられた2つの入力端子3a及び3bの内、入力端子3aに対し入力端子EXに接続され、且つ、入力端子3bに内部クロック生成部2にて生成される内部クロックが入力される。クロック生成回路1内の選択信号生成回路(不図示)にて生成されるクロック選択信号が選択回路3に入力され、選択回路3はクロック選択信号に応じて入力端子3a及び3bに供給されるクロックの何れか一方を選択して、選択したクロックを自身の出力端子3cから出力する。以下では、参照される図面を含め、クロック選択信号を記号“SEL”にて参照することがある。固定デューティ生成部4は、選択回路3から出力されるクロックと同一の周波数を有し且つ固定デューティを持つ出力クロックCLKを生成するように作用する。尚、図1はクロック生成回路1の構成を簡略化して示したものであり、実際には、固定デューティ生成部4と協働して出力クロックCLKを実際に出力する回路などもクロック生成回路1に設けられる(詳細は後述)。クロック選択信号SELは“1”又は“0”の値を持つ二値信号であり、クロック選択信号SELが“1”の値を持つとき、入力端子EXを介して入力端子3aに供給される外部クロックCK_EXが選択され、クロック選択信号SELが“0”の値を持つとき、入力端子3bに供給される内部クロックが選択される。
基本的に、入力端子EXに外部クロックCK_EXが入力されているときにはクロック選択信号SELが“1”の値を持ち、入力端子EXに外部クロックCK_EXが入力されていないときにはクロック選択信号SELが“0”の値を持つ。以下では、入力端子EXに外部クロックCK_EXが入力されている区間、入力されていない区間を、夫々、外部クロックCK_EXの入力区間、外部クロックCK_EXの非入力区間と称する(但し、記号“CK_EX”の表記は省略されることがある)。
より具体的には、図3に示す如く、クロック生成回路1の起動直後ではクロック選択信号SELが“0”となっていて、その後、入力端子EXへの外部クロックCK_EXの入力が認められるまではクロック選択信号SELが“0”に維持される。選択信号SELが“0”となっている区間では内部クロックに基づく出力クロックCLKの生成及び出力が行われる。そして、外部クロックCK_EXの非入力区間から外部クロックCK_EXの入力区間に遷移し、その外部クロックCK_EXの入力区間において4周期分の外部クロックCK_EXが入力されるとクロック選択信号SELが“0”から“1”に変化して外部クロックCK_EXに基づく出力クロックCLKの生成及び出力が開始される。その後、仮に、入力端子EXに対する外部クロックCK_EXの入力が所定時間以上途絶えると、クロック選択信号SELが“1”から“0”に変化する。尚、図3の例では、外部クロックCK_EXが1MHzの周波数及び25%のデューティを有しており、内部クロックが0.5MHzの周波数を有しており(内部クロックのデューティは任意)、且つ、固定デューティが50%に定められていることが想定されている。
図4に、クロック生成回路1の詳細回路図を示す。クロック生成回路1は、コンデンサC1~C3と、スイッチSW1~SW3と、定電流回路11及び12と、比較器13及び14と、選択回路15と、1ショットパルス回路16及び17と、RS型フリップフロップ18と、を備える。
定電流回路11は電源電圧VDDを元に定電流I1を生成し、定電流I1をラインLN1に向けて供給する。定電流回路12は電源電圧VDDを元に定電流I2を生成し、定電流I2をラインLN2に向けて供給する。定電流I1及びI2は正の所定の電流値を持つ。電源電圧VDD及び後述の基準電圧VREFは、クロック生成回路1の外部装置(不図示)から供給される直流電圧を元にレギュレータ回路(不図示)にて生成される。レギュレータ回路はクロック生成回路1内に設けられても良いし、クロック生成回路1を内包する装置(例えば後述のスイッチング電源装置)内に設けられていても良い。
コンデンサC1の第1端はラインLN1に接続され、コンデンサC1の第2端はグランドに接続される。また、スイッチSW1の第1端、第2端は、夫々、コンデンサC1の第1端、第2端に接続される。このため、スイッチSW1がオン状態であるとき、コンデンサC1の両端が短絡されてコンデンサC1の両端子間電圧はゼロボルトとなる。スイッチSW1がオフ状態であるとき、定電流I1の供給による電荷がコンデンサC1にて蓄積されてラインLN1の電圧が単調上昇してゆく。
コンデンサC2の第1端はラインLN2に接続され、コンデンサC2の第2端はグランドに接続される。コンデンサC3の第1端はラインLN3に接続され、コンデンサC3の第2端はグランドに接続される。スイッチSW2の第1端はラインLN2に接続され(従ってコンデンサC2の第1端に接続され)、スイッチSW2の第2端はラインLN3に接続される(従ってコンデンサC3の第1端に接続される)。また、スイッチSW3の第1端、第2端は、夫々、コンデンサC3の第1端、第2端に接続される。
このため、スイッチSW2がオフ状態とされている区間では、定電流I2の供給による電荷がコンデンサC2にて蓄積されてラインLN2の電圧が単調上昇してゆく。スイッチSW3がオン状態であるときには、コンデンサC3の両端が短絡されてC3の両端子間電圧はゼロボルトとなる。スイッチSW2がオン状態であるときにはスイッチSW2を介してラインLN2及びLN3が接続されると共にコンデンサC2及びC3が並列接続されることになる。クロック生成回路1の動作の中でスイッチSW2は周期的にターンオンされるが、スイッチSW2がオン状態とされる時間の長さは十分に短いため、以下では、スイッチSW2がオン状態のときにおける定電流I2によるコンデンサC3の充電を無視する。尚、コンデンサC1~C3の各第2端は、ゼロボルト以外の直流電位を有する電位端に接続されていても良い。
以下、ラインLN1、LN2、LN3の電圧を、夫々、Va、Vb、Vcにて表す。電圧Va及びVbは、スイッチSW1及びSW2がオフ状態であるときに、定電流I1及びI2によるコンデンサC1及びC2の蓄積電荷増加を通じて、所定の傾きにて上昇してゆく第1及び第2ランプ電圧である。
比較器13は、電圧Vaを所定の基準電圧VREFと比較し、比較結果を示す二値信号である信号CK_P1を出力する。基準電圧VREFは所定の正の直流電圧値を持つ。具体的には、比較器13の非反転入力端子はラインLN1に接続されて電圧Vaの供給を受け、比較器13の反転入力端子には基準電圧VREFが供給される。故に、比較器13は、電圧Vaが基準電圧VREFより高いときにはハイレベルの信号CK_P1を出力し、電圧Vaが基準電圧VREFより低いときにはローレベルの信号CK_P1を出力する。電圧Vaが基準電圧VREFとちょうど一致するとき、信号CK_P1のレベルは不定となりうるが、ここでは、信号CK_P1のレベルはハイレベルになるものとする。
比較器14は、電圧Vaを電圧Vcと比較し、比較結果を示す二値信号である信号CK_N1を出力する。具体的には、比較器14の非反転入力端子はラインLN1に接続されて電圧Vaの供給を受け、比較器14の反転入力端子はラインLN3に接続されて電圧Vcの供給を受ける。故に、比較器14は、電圧Vaが電圧Vcより高いときにはハイレベルの信号CK_N1を出力し、電圧Vaが電圧Vcより低いときにはローレベルの信号CK_N1を出力する。電圧Vaが電圧Vcとちょうど一致するとき、信号CK_N1のレベルは不定となりうるが、ここでは、信号CK_N1のレベルはハイレベルになるものとする。
選択回路15は、入力端子15a、入力端子15b及び出力端子15cを有する2入力のマルチプレクサにて構成される。選択回路15は図1の選択回路3に相当し、入力端子15a、入力端子15b、出力端子15cは、夫々、図1の入力端子3a、入力端子3b、出力端子3cに相当する。入力端子15aは外部クロック入力端子EXに接続される。このため、外部クロック入力端子EXに外部クロックCK_EXが供給されているときには、入力端子15aに外部クロックCK_EXが入力されることになる。入力端子15bには比較器13の出力信号CK_P1が入力される。比較器13の出力信号CK_P1は内部クロックに相当する。クロック選択信号SELが“1”の値を持つとき、選択回路15は、入力端子15aに加わる信号を選択して出力端子15cから出力する、即ち、入力端子EXを介して入力端子15aに供給される外部クロックCK_EXを出力端子15cから出力する。一方、クロック選択信号SELが“0”の値を持つとき、選択回路15は、入力端子15bに加わる信号を選択して出力端子15cから出力する、即ち、信号CK_P1として表現される内部クロックを出力端子15cから出力する。クロック選択信号SELがどのような条件下で“0”の値を持つのか、“1”の値を持つのかについては上述した通りである。
1ショットパルス回路16は選択回路15の出力信号CK_P1’に基づく信号CK_P2を出力する。信号CK_P2はローレベル及びハイレベルの何れかをとる二値信号であり、原則としてローレベルとなっている。図5(a)に示す如く、1ショットパルス回路16は、選択回路15の出力信号CK_P1’にアップエッジが生じたとき、そのアップエッジタイミングから所定の微小時間Δt1だけハイレベルとなるパルス信号を信号CK_P2に含める。このパルス信号の出力区間を除き、信号CK_P2はローレベルに維持される。微小時間Δt1は内部クロックの周期及び外部クロックCK_EXの周期に対して十分に短い。
1ショットパルス回路17は比較器14の出力信号CK_N1に基づく信号CK_N2を出力する。信号CK_N2はローレベル及びハイレベルの何れかをとる二値信号であり、原則としてローレベルとなっている。図5(b)に示す如く、1ショットパルス回路17は、比較器14の出力信号CK_N1にアップエッジが生じたとき、そのアップエッジタイミングから所定の微小時間Δt2だけハイレベルとなるパルス信号を信号CK_N2に含める。このパルス信号の出力区間を除き、信号CK_N2はローレベルに維持される。微小時間Δt2は内部クロックの周期及び外部クロックCK_EXの周期に対して十分に短い。微小時間Δt1及びΔt2の長さは互いに同じであるが、互いに異なっていても構わない。
RS型フリップフロップ18(以下、FF18と称する)は、セット端子(S)、リセット端子(R)及び出力端子(Q)を備え、セット端子、リセット端子に、夫々、信号CK_P2、CK_N2が入力される。FF18の出力端子(Q)からの出力信号18が、クロック生成回路1の出力クロックCLKに相当する。
信号CK_P2、CK_N2及び18において、ハイレベルに“1”の論理値が割り当てられ、ローレベルに“0”の論理値が割り当てられている。信号CK_P2及びCK_N2の論理値が夫々“1”、“0”であるとき、FF18は“1”の論理値をラッチし、ラッチした論理値“1”に対応して出力信号18をハイレベルとする。信号CK_P2及びCK_N2の論理値が夫々“0”、“1”であるとき、FF18は“0”の論理値をラッチし、ラッチした論理値 “0”に対応して出力信号18をローレベルとする。信号CK_P2及びCK_N2の論理値が共に“0”であるとき、FF18はラッチしている論理値に対応したレベルを出力信号18のレベルとする。実際の動作では、信号CK_P2のアップエッジと信号CK_N2のアップエッジが交互に生じ、出力クロックCLKのアップエッジは信号CK_P2のアップエッジに同期して生じ、出力クロックCLKのダウンエッジは信号CK_N2のアップエッジに同期して生じることになる。
スイッチSW1及びSW2は信号CK_P2に応じてオン、オフが制御される。具体的には、信号CK_P2がハイレベルであるときスイッチSW1及びSW2はオン状態とされ、信号CK_P2がローレベルであるときスイッチSW1及びSW2はオフ状態とされる。スイッチSW3は信号CK_N2に応じてオン、オフが制御される。具体的には、信号CK_N2がハイレベルであるときスイッチSW3はオン状態とされ、信号CK_N2がローレベルであるときスイッチSW3はオフ状態とされる。
本実施形態において上述した事項を、便宜上、基本実施例と称する。上述の構成及び動作を基本とするクロック生成回路1の動作例や応用例などを、以下の複数の実施例の中で説明する。基本実施例にて述べた事項は、特に記述無き限り且つ矛盾無き限り、以下の各実施例に適用され、各実施例において、基本実施例で述べた事項と矛盾する事項については各実施例での記載が優先される。矛盾無き限り、以下に述べる複数の実施例の内、任意の実施例に記載した事項を、他の任意の実施例に適用することもできる(即ち複数の実施例の内の任意の2以上の実施例を組み合わせることも可能である)。
<<第1実施例>>
第1実施例を説明する。第1実施例では、図6に示す如く、外部クロックCK_EXが入力端子EXに入力されていて選択信号SELが“1”であることを想定する。また、コンデンサC1、C2及びC3の静電容量値が互いに等しく且つ定電流I2の値が定電流I1の値の1/2倍であることを想定する。この場合、固定デューティは50%に設定されることになる(その理由は後述の説明から明らかとなる)。
図7は、第1実施例の想定の下における信号波形図である。外部クロックCK_EXの或る1周期に注目し、外部クロックCK_EXのアップエッジタイミングを起点にして、クロック生成回路1の動作を説明する。図7において、実線による折れ線510a、破線による折れ線510b、一点鎖線による折れ線510cは、夫々、電圧Va、Vb、Vcの波形を示している。
タイミングTA1にて、外部クロックCK_EXにアップエッジ(即ちローレベルからハイレベルへの切り替わり)が生じると、それに同期して1ショットパルス回路16により信号CK_P2にパルス信号が発生して信号CK_P2にアップエッジが生じ、更に信号CK_P2のアップエッジに同期してFF18により出力クロックCLKにもアップエッジが生じる(図7の丸で囲まれた番号1~3を参照)。
また、信号CK_P2のアップエッジが生じる直前において、電圧Va及びVbの電圧値は正の所定の電圧値VALとなっていて且つ電圧Vcはゼロとなっており、故に信号CK_N1はハイレベルであり、また信号CK_N2はローレベルとなっている。電圧値VALは外部クロックCK_EXの周期と定電流I1の値などに依存して決まる。タイミングTA1を起点にして、1ショットパルス回路16の出力パルス信号により信号CK_P2が微小時間Δt1(図5(a)参照)だけハイレベルとなるため、信号CK_P2がハイレベルとなっている間だけスイッチSW1及びSW2がオン状態となり、結果、タイミングTA1の直後において(実質的にタイミングTA1において)、コンデンサC1の蓄積電荷がスイッチSW1を介して放電されて電圧Vaはゼロへと低下し、コンデンサC2の蓄積電荷がスイッチSW2を通じてコンデンサC2及びC3間で分配されて電圧Vb及びVcの電圧値は共に“VAL/2”となる(図7の丸で囲まれた番号4を参照)。結果、比較器14の動作により信号CK_N1にダウンエッジが生じる。尚、このとき、信号CK_N2はローレベルとなっているためスイッチSW3はオフ状態である。
その後、タイミングTA2にて、信号CK_P2がローレベルに戻るとスイッチSW1及びSW2がターンオフするため、定電流I1によるコンデンサC1の充電を通じて電圧Vaが第1初期電圧であるゼロボルトから上昇開始し、且つ、定電流I2によるコンデンサC2の充電を通じて電圧Vbが第2初期電圧である“VAL/2”から上昇開始する(図7の丸で囲まれた番号5及び6を参照)。ここでは、“I2=I1/2”を想定しているため、電圧Vbの上昇の傾きは電圧Vaの上昇の傾きの1/2倍になる。尚、上記微小時間Δt1は十分に短いとして、信号CK_P2がハイレベルとなっている区間における定電流I2によるコンデンサC2及びC3の充電は無視する。そうすると、タイミングTA2以降において、コンデンサC3にて値“VAL/2”を持つ電圧Vcが保持される。この保持は後述のタイミングTA3まで維持される。
タイミングTA2の後、タイミングTA3に至るまでは、“Va<Vc”となっていて信号CK_N1はローレベルである。タイミングTA2を起点とする電圧Vaの上昇により、タイミングTA3にて、電圧Vaの値がコンデンサC3にて保持された電圧値“VAL/2”に達して、比較器14の動作により信号CK_N1にアップエッジが生じる(図7の丸で囲まれた番号7及び8を参照)。信号CK_N1のアップエッジに同期して1ショットパルス回路17により信号CK_N2にパルス信号が発生して信号CK_N2にアップエッジが生じ、信号CK_N2のアップエッジに同期してFF18のラッチがリセットされて出力クロックCLKにダウンエッジが生じる(図7の丸で囲まれた番号9及び10を参照)。また、ハイレベルの信号CK_N2を受けてスイッチSW3がターンオンされるので、コンデンサC3の蓄積電荷がスイッチSW3を介して放電され、電圧Vcはゼロに低下する(図7の丸で囲まれた番号11を参照)。その後、タイミングTA4にて、信号CK_N2がローレベルに戻ってスイッチSW3がターンオフする。
タイミングTA4の後、タイミングTA5に至る。タイミングTA1及びTA5間の長さは外部クロックCK_EXの周期と一致し、タイミングTA5にて、再度、外部クロックCK_EXにアップエッジが生じる。タイミングTA1より後であって且つタイミングTA5より前のタイミングにおいて外部クロックCK_EXにダウンエッジが生じるが、そのダウンエッジタイミングはクロック生成回路1の動作に影響を与えない。タイミングTA1から始まる外部クロックCK_EXの1周期中の動作と、タイミングTA5から始まる外部クロックCK_EXの1周期中の動作は同じであり、以後、同様の動作が繰り返される。
図7では、図示の便宜上、タイミングTA1及びTA2間の時間差が相応の長さを持つように示されているが、タイミングTA1及びTA2間の時間差は外部クロックCK_EXの周期に対して十分に短く、その時間差の存在を無視したならば(ここでは、そのように考える)、出力クロックCLKがハイレベルである区間(即ち、タイミングTA1及びTA3間の区間)の長さと、出力クロックCLKがローレベルである区間(即ち、タイミングTA3及びTA5間の区間)の長さは同じとなるため、出力クロックCLKのデューティは50%となる。上記時間差が無視できない程度に長い場合には、その時間差を考慮して、50%の固定デューティが達成されるよう定電流I2の値を調整すれば良い。
尚、クロック生成回路1の起動直後では、電圧Vbがゼロボルトから充電開始されることになるためスイッチSW2のターンオン直前の電圧Vbの値は“VAL”にならないが、クロック生成回路1を或る程度動作させると、スイッチSW2のターンオン直前の電圧Vbの値は“VAL”に収束することになる。図7を参照して上述した説明は、この収束後の動作に注目している。
<<第2実施例>>
第2実施例を説明する。第2実施例では、図8に示す如く、外部クロックCK_EXが入力端子EXに入力されておらず選択信号SELが“0”であることを想定する。また、コンデンサC1、C2及びC3の静電容量値が互いに等しく且つ定電流I2の値が定電流I1の値の1/2倍であることを想定する。この場合、第1実施例と同様、固定デューティは50%に設定されることになる。
図9は、第2実施例の想定の下における信号波形図である。外部クロックCK_EXが入力されていないとき、内部クロックとしての信号CK_P1に同期した出力クロックCLKが生成されることになる。信号CK_P1においてアップエッジが周期的に生じ、信号CK_P1におけるアップエッジの発生間隔が内部クロックの周期に相当する。内部クロックの或る1周期に注目し、内部クロックのアップエッジタイミングを起点にして、クロック生成回路1の動作を説明する。図9において、実線による折れ線520a、破線による折れ線520b、一点鎖線による折れ線520cは、夫々、電圧Va、Vb、Vcの波形を示している。
タイミングTB1から始まる内部クロックの1周期の直前の周期において、定電流I1によるコンデンサC1の充電を通じて電圧Vaが単調増加し、タイミングTB1の前において “Va<VREF”を満たしていた電圧Vaが、タイミングTB1にて基準電圧VREFに達する(図9の丸で囲まれた番号0を参照)。ここでは、基準電圧VREFの値を“VAL”にて表す。そうすると、タイミングTB1において、比較器13の動作により信号CK_P1にアップエッジが生じる(図9の丸で囲まれた番号1を参照)。信号CK_P1にアップエッジが生じると、それに同期して1ショットパルス回路16により信号CK_P2にパルス信号が発生して信号CK_P2にアップエッジが生じ、更に信号CK_P2のアップエッジに同期してFF18により出力クロックCLKにもアップエッジが生じる(図9の丸で囲まれた番号2及び3を参照)。
また、信号CK_P2のアップエッジが生じる直前において、電圧Va及びVbの電圧値は正の電圧値VALと一致していて且つ電圧Vcはゼロとなっており、故に信号CK_N1はハイレベルであり、また信号CK_N2はローレベルとなっている。タイミングTB1を起点にして、1ショットパルス回路16の出力パルス信号により信号CK_P2が微小時間Δt1(図5(a)参照)だけハイレベルとなるため、信号CK_P2がハイレベルとなっている間だけスイッチSW1及びSW2がオン状態となり、結果、タイミングTB1の直後において(実質的にタイミングTB1において)、コンデンサC1の蓄積電荷がスイッチSW1を介して放電されて電圧Vaはゼロへと低下し、コンデンサC2の蓄積電荷がスイッチSW2を通じてコンデンサC2及びC3間で分配されて電圧Vb及びVcの電圧値は共に“VAL/2”となる(図9の丸で囲まれた番号4を参照)。結果、比較器14の動作により信号CK_N1にダウンエッジが生じ、また信号CK_P1はローレベルに戻される。尚、このとき、信号CK_N2はローレベルとなっているためスイッチSW3はオフ状態である。
その後、タイミングTB2にて、信号CK_P2がローレベルに戻るとスイッチSW1及びSW2がターンオフするため、定電流I1によるコンデンサC1の充電を通じて電圧Vaが第1初期電圧であるゼロボルトから上昇開始し、且つ、定電流I2によるコンデンサC2の充電を通じて電圧Vbが第2初期電圧である“VAL/2”から上昇開始する(図9の丸で囲まれた番号5及び6を参照)。ここでは、“I2=I1/2”を想定しているため、電圧Vbの上昇の傾きは電圧Vaの上昇の傾きの1/2倍になる。尚、上記微小時間Δt1は十分に短いとして、信号CK_P2がハイレベルとなっている区間における定電流I2によるコンデンサC2及びC3の充電は無視する。そうすると、タイミングTB2以降において、コンデンサC3にて値“VAL/2”を持つ電圧Vcが保持される。この保持は後述のタイミングTB3まで維持される。
タイミングTB2の後、タイミングTB3に至るまでは、“Va<Vc”となっていて信号CK_N1はローレベルである。タイミングTB2を起点とする電圧Vaの上昇により、タイミングTB3にて、電圧Vaの値がコンデンサC3にて保持された電圧値“VAL/2”に達して、比較器14の動作により信号CK_N1にアップエッジが生じる(図9の丸で囲まれた番号7及び8を参照)。信号CK_N1のアップエッジに同期して1ショットパルス回路17により信号CK_N2にパルス信号が発生して信号CK_N2にアップエッジが生じ、信号CK_N2のアップエッジに同期してFF18のラッチがリセットされて出力クロックCLKにダウンエッジが生じる(図9の丸で囲まれた番号9及び10を参照)。また、ハイレベルの信号CK_N2を受けてスイッチSW3がターンオンされるので、コンデンサC3の蓄積電荷がスイッチSW3を介して放電され、電圧Vcはゼロに低下する(図9の丸で囲まれた番号11を参照)。その後、タイミングTB4にて、信号CK_N2がローレベルに戻ってスイッチSW3がターンオフする。
タイミングTB4の後、タイミングTB5に至る。タイミングTB1及びTB5間の長さは内部クロックの周期と一致し、タイミングTB5にて、再度、内部クロック(即ち信号CK_P1)にアップエッジが生じる。タイミングTB1から始まる内部クロックの1周期中の動作と、タイミングTB5から始まる内部クロックの1周期中の動作は同じであり、以後、同様の動作が繰り返される。
図9では、図示の便宜上、タイミングTB1及びTB2間の時間差が相応の長さを持つように示されているが、タイミングTB1及びTB2間の時間差は内部クロックの周期に対して十分に短く、その時間差の存在を無視したならば(ここでは、そのように考える)、出力クロックCLKがハイレベルである区間(即ち、タイミングTB1及びTB3間の区間)の長さと、出力クロックCLKがローレベルである区間(即ち、タイミングTB3及びTB5間の区間)の長さは同じとなるため、出力クロックCLKのデューティは50%となる。上記時間差が無視できない程度に長い場合には、その時間差を考慮して、50%の固定デューティが達成されるよう定電流I2の値を調整すれば良い。
尚、クロック生成回路1の起動直後では、電圧Vbがゼロボルトから充電開始されることになるためスイッチSW2のターンオン直前の電圧Vbの値は“VAL”にならないが、クロック生成回路1を或る程度動作させると、スイッチSW2のターンオン直前の電圧Vbの値は“VAL”に収束することになる。図9を参照して上述した説明は、この収束後の動作に注目している。
<<第3実施例>>
第3実施例を説明する。第3実施例では、図10に示す如く、外部クロックCK_EXが入力端子EXに入力されていて選択信号SELが“1”であることを想定する。また、コンデンサC1、C2及びC3の静電容量値が互いに等しく且つ定電流I2の値が定電流I1の値の1/3倍であることを想定する。この場合、固定デューティは1/3(約33%)に設定されることになる。
図11は、第3実施例の想定の下における信号波形図である。外部クロックCK_EXの或る1周期に注目し、外部クロックCK_EXのアップエッジタイミングを起点にして、クロック生成回路1の動作を説明する。図11において、実線による折れ線530a、破線による折れ線530b、一点鎖線による折れ線530cは、夫々、電圧Va、Vb、Vcの波形を示している。
タイミングTC1にて、外部クロックCK_EXにアップエッジ(即ちローレベルからハイレベルへの切り替わり)が生じると、それに同期して1ショットパルス回路16により信号CK_P2にパルス信号が発生して信号CK_P2にアップエッジが生じ、更に信号CK_P2のアップエッジに同期してFF18により出力クロックCLKにもアップエッジが生じる(図11の丸で囲まれた番号1~3を参照)。
また、信号CK_P2のアップエッジが生じる直前において、電圧Vaの電圧値は正の所定の電圧値VALとなっていると共に電圧Vbの電圧値は“VAL×2/3”且つ電圧Vcはゼロとなっており、故に信号CK_N1はハイレベルであり、また信号CK_N2はローレベルとなっている。電圧値VALは外部クロックCK_EXの周期と定電流I1の値などに依存して決まる。タイミングTC1を起点にして、1ショットパルス回路16の出力パルス信号により信号CK_P2が微小時間Δt1(図5(a)参照)だけハイレベルとなるため、信号CK_P2がハイレベルとなっている間だけスイッチSW1及びSW2がオン状態となり、結果、タイミングTC1の直後において(実質的にタイミングTC1において)、コンデンサC1の蓄積電荷がスイッチSW1を介して放電されて電圧Vaはゼロへと低下し、コンデンサC2の蓄積電荷がスイッチSW2を通じてコンデンサC2及びC3間で分配されて電圧Vb及びVcの電圧値は共に“VAL/3”となる(図11の丸で囲まれた番号4を参照)。結果、比較器14の動作により信号CK_N1にダウンエッジが生じる。尚、このとき、信号CK_N2はローレベルとなっているためスイッチSW3はオフ状態である。
その後、タイミングTC2にて、信号CK_P2がローレベルに戻るとスイッチSW1及びSW2がターンオフするため、定電流I1によるコンデンサC1の充電を通じて電圧Vaが第1初期電圧であるゼロボルトから上昇開始し、且つ、定電流I2によるコンデンサC2の充電を通じて電圧Vbが第2初期電圧である“VAL/3”から上昇開始する(図11の丸で囲まれた番号5及び6を参照)。ここでは、“I2=I1/3”を想定しているため、電圧Vbの上昇の傾きは電圧Vaの上昇の傾きの1/3倍になる。尚、上記微小時間Δt1は十分に短いとして、信号CK_P2がハイレベルとなっている区間における定電流I2によるコンデンサC2及びC3の充電は無視する。そうすると、タイミングTC2以降において、コンデンサC3にて値“VAL/3”を持つ電圧Vcが保持される。この保持は後述のタイミングTC3まで維持される。
タイミングTC2の後、タイミングTC3に至るまでは、“Va<Vc”となっていて信号CK_N1はローレベルである。タイミングTC2を起点とする電圧Vaの上昇により、タイミングTC3にて、電圧Vaの値がコンデンサC3にて保持された電圧値“VAL/3”に達して、比較器14の動作により信号CK_N1にアップエッジが生じる(図11の丸で囲まれた番号7及び8を参照)。信号CK_N1のアップエッジに同期して1ショットパルス回路17により信号CK_N2にパルス信号が発生して信号CK_N2にアップエッジが生じ、信号CK_N2のアップエッジに同期してFF18のラッチがリセットされて出力クロックCLKにダウンエッジが生じる(図11の丸で囲まれた番号9及び10を参照)。また、ハイレベルの信号CK_N2を受けてスイッチSW3がターンオンされるので、コンデンサC3の蓄積電荷がスイッチSW3を介して放電され、電圧Vcはゼロに低下する(図11の丸で囲まれた番号11を参照)。その後、タイミングTC4にて、信号CK_N2がローレベルに戻ってスイッチSW3がターンオフする。
タイミングTC4の後、タイミングTC5に至る。タイミングTC1及びTC5間の長さは外部クロックCK_EXの周期と一致し、タイミングTC5にて、再度、外部クロックCK_EXにアップエッジが生じる。タイミングTC1より後であって且つタイミングTC5より前のタイミングにおいて外部クロックCK_EXにダウンエッジが生じるが、そのダウンエッジタイミングはクロック生成回路1の動作に影響を与えない。タイミングTC1から始まる外部クロックCK_EXの1周期中の動作と、タイミングTC5から始まる外部クロックCK_EXの1周期中の動作は同じであり、以後、同様の動作が繰り返される。
図11では、図示の便宜上、タイミングTC1及びTC2間の時間差が相応の長さを持つように示されているが、タイミングTC1及びTC2間の時間差は外部クロックCK_EXの周期に対して十分に短く、その時間差の存在を無視したならば(ここでは、そのように考える)、出力クロックCLKがハイレベルである区間(即ち、タイミングTC1及びTC3間の区間)の長さと、出力クロックCLKがローレベルである区間(即ち、タイミングTC3及びTC5間の区間)の長さとの比は、1:2となるため、出力クロックCLKのデューティは1/3となる。上記時間差が無視できない程度に長い場合には、その時間差を考慮して、1/3の固定デューティが達成されるよう定電流I2の値を調整すれば良い。
尚、クロック生成回路1の起動直後では、電圧Vbがゼロボルトから充電開始されることになるためスイッチSW2のターンオン直前の電圧Vbの値は“VAL×2/3”にならないが、クロック生成回路1を或る程度動作させると、スイッチSW2のターンオン直前の電圧Vbの値は“VAL×2/3”に収束することになる。図11を参照して上述した説明は、この収束後の動作に注目している。
<<第4実施例>>
第4実施例を説明する。上述の第1実施例及び第3実施例間では定電流I1及びI2間の値の比が異なり、その比を変化させることで固定デューティを変化させることができる。同様に、第2実施例において、定電流I1及びI2間の比を調整することで、固定デューティを所望の値に設定することができる。
拡張して考えると以下のことがいえる。定電流I1の値VALI1と定電流I2の値VALI2との間に下記式(1)に示される比例関係を持たせ、比例係数kを調整することで固定デューティを所望の値に設定することができる(第1実施例から見た第3実施例への変形を参照)。
VALI1=k×VALI2 ・・・(1)
また、コンデンサC1の静電容量値VALC1と、コンデンサC2の静電容量値VALC2と、コンデンサC3の静電容量値VALC3との間に下記式(2)に示される比例関係を持たせ、比例係数kC1及びkC2を調整することでも固定デューティを所望の値に設定することができる。
VALC1=kC2×VALC2=kC3×VALC3 ・・・(2)
比例係数kC2及びkC3は、夫々に1であって良いが、1以外でもあり得る。比例係数kC2及びkC3は互いに一致し得るし、互いに不一致であり得る。第1~第3実施例では、比例係数kが1以外となっているが、比例係数kC2及びkC3の値によっては比例係数kは1であり得る。例えば、“kC2=kC3=2”であるときに固定デューティを50%に設定するには、“k=1”とすれば良い。
<<第5実施例>>
第5実施例を説明する。クロック生成回路1を用いて任意のスイッチング電源装置を構成することができる。即ち例えば、図12に示すようなスイッチング電源装置100を構成しても良い。スイッチング電源装置100は、入力電圧VINから2チャンネル分の出力電圧VOUT1及びVOUT2を生成するマルチチャネル出力型の電源装置である。入力電圧VIN並びに出力電圧VOUT1及びVOUT2は所定の正の直流電圧である(ここでは“VIN>VOUT1”且つ“VIN>VOUT2”)。出力電圧VOUT1及びVOUT2の値の一致、不一致は問わない。
スイッチング電源装置100は、第1チャネル用の回路と、第2チャネル用の回路と、クロック生成回路1であるクロック生成回路101を備える。第1チャネル用の回路は、出力段回路110、ドライバ111、PWM制御部112、コイル113、コンデンサ114及び分圧回路115を備える。第2チャネル用の回路は、出力段回路120、ドライバ121、PWM制御部122、コイル123、コンデンサ124及び分圧回路125を備える。“PWM”はパルス幅変調の略称である。出力段回路110及び120の夫々は、互いに直列接続されたハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタから成るハーフブリッジ回路を含み、ハイサイドトランジスタを高電圧側にローサイドトランジスタを低電圧側に配置した状態で当該ハーフブリッジ回路に入力電圧VINが印加される。出力段回路110におけるハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタは夫々トランジスタ110H及び110Lであり、出力段回路120におけるハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタは夫々トランジスタ120H及び120Lである。出力段回路110及び120において各トランジスタはMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field effect transistor)などで構成される。
第1チャネル用の回路の動作を説明する。PWM制御部112は、出力電圧VOUT1を分圧回路115にて分圧することで得た帰還電圧VFB1に基づき、出力電圧VOUT1を所望の目標電圧にて安定化させるためのPWM信号SPWM1を生成する。PWM信号SPWM1により、トランジスタ110Hをオン状態とするオン区間、トランジスタ110Hをオフ状態とするオフ区間が指定される。ここでは、PWM信号SPWM1がハイレベルである区間がトランジスタ110Hのオン区間に相当し、PWM信号SPWM1がローレベルである区間がトランジスタ110Hのオフ区間に相当するものとする。貫通電流の発生を抑止するためのデッドタイムの存在を無視すれば、トランジスタ110Hがオン状態とされるとき、トランジスタ110Lはオフ状態とされ、トランジスタ110Hがオフ状態とされるとき、トランジスタ110Lはオン状態とされる。ドライバ111は、PWM信号SPWM1に従ってトランジスタ110H及び110Lを交互にオン、オフすることで入力電圧VINをスイッチングする。出力段回路110を用いたスイッチングにより得られる矩形波状のスイッチング電圧(即ち、入力電圧VINをPWM信号SPWM1にてパルス幅変調した信号)が、トランジスタ110H及び110L間の接続ノードに現れる。このスイッチング電圧がコイル113及びコンデンサ114から成る整流平滑回路にて整流及び平滑化されることで出力電圧VOUT1が得られる。
第2チャネル用の回路の動作を説明する。PWM制御部122は、出力電圧VOUT2を分圧回路125にて分圧することで得た帰還電圧VFB2に基づき、出力電圧VOUT2を所望の目標電圧にて安定化させるためのPWM信号SPWM2を生成する。PWM信号SPWM2により、トランジスタ120Hをオン状態とするオン区間、トランジスタ120Hをオフ状態とするオフ区間が指定される。ここでは、PWM信号SPWM2がハイレベルである区間がトランジスタ120Hのオン区間に相当し、PWM信号SPWM2がローレベルである区間がトランジスタ120Hのオフ区間に相当するものとする。貫通電流の発生を抑止するためのデッドタイムの存在を無視すれば、トランジスタ120Hがオン状態とされるとき、トランジスタ120Lはオフ状態とされ、トランジスタ120Hがオフ状態とされるとき、トランジスタ120Lはオン状態とされる。ドライバ121は、PWM信号SPWM2に従ってトランジスタ120H及び120Lを交互にオン、オフすることで入力電圧VINをスイッチングする。出力段回路120を用いたスイッチングにより得られる矩形波状のスイッチング電圧(即ち、入力電圧VINをPWM信号SPWM2にてパルス幅変調した信号)が、トランジスタ120H及び120L間の接続ノードに現れる。このスイッチング電圧がコイル123及びコンデンサ124から成る整流平滑回路にて整流及び平滑化されることで出力電圧VOUT2が得られる。
PWM制御部112及び122にはクロック生成回路101の出力クロックCLKが供給され、PWM制御部112及び122の夫々は、出力クロックCLKの周波数と同じ周波数のPWM信号を生成する(即ち、各チャネルにおいて、出力クロックCLKの周波数にて入力電圧VINにパルス幅変調を施す)。但し、この際、PWM制御部112及び122はPWM信号SPWM1及びSPWM2間の位相がずれるようにPWM信号SPWM1及びSPWM2を生成する。
より具体的には例えば、図13に示す如く、50%の固定デューティを持つ出力クロックCLKが生成されるようクロック生成回路101を構成しておき、出力クロックCLKのアップエッジにてPWM信号SPWM1のアップエッジが生じるように(即ちトランジスタ110Hのオン区間が開始されるように)、且つ、出力クロックCLKのダウンエッジにてPWM信号SPWM2のアップエッジが生じるように(即ちトランジスタ120Hのオン区間が開始されるように)PWM制御部112及び122を構成しておく。これにより、PWM信号SPWM1及びSPWM2の位相が互いに180°ずれることになる(即ち、互いに位相が180°ずれた状態で出力段回路110及び120がPWM駆動されることになる)。PWM信号SPWM1、SPWM2がハイレベルとなる区間の長さは、夫々、帰還電圧VFB1、VFB2に基づいて制御される。
出力段回路110及び120のPWM駆動における位相を互いに180°ずらすことで、チャネル間の相互干渉の低減が図られる。即ち例えば、スイッチング電源装置1の全体から生じるノイズのピーク値の低減や、入力電圧VINのリプル低減などの効果を享受することができる。この際、本発明に係るクロック生成回路を用いるようにすることで、入力される外部クロックCK_EXのデューティの如何によらず、また外部クロックCK_EXが非入力であったとしても、上記効果を得ることが可能となる。
<<第6実施例>>
第6実施例を説明する。本発明に係るクロック生成回路1を用いてマルチフェーズDC/DCコンバータを構成することもできる。図14に、マルチフェーズDC/DCコンバータとしてのスイッチング電源装置150の構成を示す。スイッチング電源装置150は、入力電圧VINを降圧することで出力電圧VOUTを生成する。入力電圧VIN及び出力電圧VOUTは所定の正の直流電圧である(但し“VIN>VOUT”)。
スイッチング電源装置150は、第1フェーズ用の回路と、第2フェーズ用の回路と、それらの回路にPWM信号を供給するPWM制御部152と、クロック生成回路1であるクロック生成回路101と、コイル161及び162と、コンデンサ163と、分圧回路164と、を備える。第1フェーズ用の回路は出力段回路110及びドライバ111から成り、第2フェーズ用の回路は出力段回路120及びドライバ121から成る。出力段回路110及び120の構成は第5実施例で示したものと同じである。但し、スイッチング電源装置150においては、出力段回路110中のトランジスタ110H及び110L間の接続ノードはコイル161を介し、出力電圧VOUTが加わるライン165に接続され、出力段回路120中のトランジスタ120H及び120L間の接続ノードはコイル162を介してライン165に接続されるものとする。ライン165はコンデンサ163を介してグランドに接続される。
PWM制御部152は、出力電圧VOUTを分圧回路164にて分圧することで得た帰還電圧VFBに基づき、出力電圧VOUTを所望の目標電圧にて安定化させるためのPWM信号SPWM1及びSPWM2を生成する。PWM信号SPWM1及びSPWM2の意義は第5実施例にて示した通りであり、PWM信号SPWM1に基づくドライバ111及び出力段回路110の動作並びにPWM信号SPWM2に基づくドライバ121及び出力段回路120の動作も第5実施例にて示した通りである。故に、PWM信号SPWM1に基づく出力段回路110を用いたスイッチングによりトランジスタ110H及び110L間の接続ノードに矩形波状のスイッチング電圧(即ち、入力電圧VINをPWM信号SPWM1にてパルス幅変調した信号)が現れ、PWM信号SPWM2に基づく出力段回路120を用いたスイッチングによりトランジスタ120H及び120L間の接続ノードに矩形波状のスイッチング電圧(即ち、入力電圧VINをPWM信号SPWM2にてパルス幅変調した信号)が現れる。これらのスイッチング電圧が、コイル161、コイル162及びコンデンサ163から成る整流平滑回路にて整流及び平滑化されることで出力電圧VOUTが得られる。
PWM制御部152にはクロック生成回路101の出力クロックCLKが供給され、出力クロックCLKの周波数と同じ周波数のPWM信号SPWM1及びSPWM2を生成する。但し、この際、PWM制御部152はPWM信号SPWM1及びSPWM2間の位相がずれるようにPWM信号SPWM1及びSPWM2を生成する。
より具体的には例えば、第5実施例と同様に(図13参照)、50%の固定デューティを持つ出力クロックCLKが生成されるようクロック生成回路101を構成しておき、出力クロックCLKのアップエッジにてPWM信号SPWM1のアップエッジが生じるように(即ちトランジスタ110Hのオン区間が開始されるように)、且つ、出力クロックCLKのダウンエッジにてPWM信号SPWM2のアップエッジが生じるように(即ちトランジスタ120Hのオン区間が開始されるように)PWM制御部152を構成しておく。これにより、PWM信号SPWM1及びSPWM2の位相が互いに180°ずれることになる(即ち、互いに位相が180°ずれた状態で出力段回路110及び120がPWM駆動されることになる)。PWM信号SPWM1、SPWM2がハイレベルとなる区間の長さは帰還電圧VFBに基づいて制御される。
出力段回路110及び120のPWM駆動における位相を互いに180°ずらすことで、マルチフェーズ方式の採用による効果(引き出せる出力電流の増大や、出力電圧VOUTのリプル低減など)を適正に享受することができる。この際、本発明に係るクロック生成回路を用いるようにすることで、入力される外部クロックCK_EXのデューティの如何によらず、また外部クロックCK_EXが非入力であったとしても、上記効果を得ることが可能となる。
<<第7実施例>>
第7実施例を説明する。図4のクロック生成回路1には、図1の固定デューティ生成部4に相当する回路が内包されている。即ち、図15に示す如く、クロック生成回路1には、固定デューティ生成部4に相当する固定デューティ生成部40が内包されており、固定デューティ生成部40は、定電流回路12と、コンデンサC2及びC3と、スイッチSW2及びSW3と、比較器14と、1ショットパルス回路17と、を備えていると考えることができる。
固定デューティ生成部40とFF18の組を、複数組、クロック生成回路に設けておいても良い。図16に、固定デューティ生成部40とFF18の組を2組分設けたクロック生成回路1Aの構成を示す。クロック生成回路1Aは、定電流回路11、コンデンサC1、スイッチSW1、比較器13、選択回路15、1ショットパルス回路16及び外部クロック入力端子EXを含む共用回路部に加えて、固定デューティ生成部40及びFF18の2組分有する。1組目の固定デューティ生成部40及びFF18を特に固定デューティ生成部40[1]及びFF18[1]と称し、2組目の固定デューティ生成部40及びFF18を特に固定デューティ生成部40[2]及びFF18[2]と称する。また、FF18[1]、FF18[2]からの出力クロックCLKを特に夫々、記号“CLK[1]”、“CLK[2]”にて参照する。
共用回路部と固定デューティ生成部40[1]及びFF18[1]との接続関係、並びに、共用回路部と固定デューティ生成部40[1]及びFF18[1]を用いてFF18[1]から出力クロックCLK(CLK[1])を得る動作は、基本実施例及び第1~第4実施例にて示した通りであり、共用回路部と固定デューティ生成部40[2]及びFF18[2]との接続関係、並びに、共用回路部と固定デューティ生成部40[2]及びFF18[2]を用いてFF18[2]から出力クロックCLK(CLK[2])を得る動作も、基本実施例及び第1~第4実施例にて示した通りである。
従って例えば、共用回路部にて生成される電圧Vaは生成部40[1]及び40[2]の各比較器14の非反転入力端子に共通して入力され、共用回路部にて生成される信号CK_P2により生成部40[1]及び40[2]の各スイッチSW2のオン、オフが共通して制御される。
そして、共用回路部にて生成される信号CK_P2をFF18[1]及び18[2]のセット端子に共通入力する。これにより、出力クロックCLK[1]及びCLK[2]のアップエッジタイミングは共通となる。
一方で、生成部40[1]の1ショットパルス回路17の出力信号CK_N2をFF18[1]のリセット端子に入力し、且つ、生成部40[2]の1ショットパルス回路17の出力信号CK_N2をFF18[2]のリセット端子に入力する。そして例えば、共用回路部のコンデンサC1の静電容量値、並びに、生成部40[1]及び40[2]のコンデンサC2及びC3の各静電容量値を全て同じに設定した上で、定電流I2の値を生成部40[1]及び40[2]間で異ならせれば、出力クロックCLK[1]及びCLK[2]のデューティが互いに異なるものとなる。勿論、第4実施例で示したように、定電流I2の値ではなく、コンデンサC2及びC3の静電容量値の調整を通じても、出力クロックCLK[1]及びCLK[2]のデューティを個別に所望のデューティに設定することができる。
図17に、クロック生成回路1Aに対し外部クロックCK_EXが入力されているときにおける外部クロックCK_EXと出力クロックCLK[1]及びCLK[2]との関係例を示す。出力クロックCLK[1]及びCLK[2]は外部クロックCK_EXと同じ周波数を有するクロックであって、出力クロックCLK[1]及びCLK[2]のアップエッジタイミングは外部クロックCK_EXのアップエッジタイミングと共通であるが、図17の例において、出力クロックCLK[1]及びCLK[2]のデューティは、外部クロックCK_EXのデューティに依存せず、夫々、“1/3”、“2/3”となっている。これを実現するためには、例えば、共用回路部のコンデンサC1の静電容量値、並びに、生成部40[1]及び40[2]のコンデンサC2及びC3の各静電容量値を全て同じに設定した上で、生成部40[1]、40[2]の定電流I2の値を、夫々、定電流I1の値の1/3倍、2/3倍に設定すれば良い。
クロック生成回路1Aと第5実施例に示す方法を用いて、入力電圧VINから3チャンネル分の出力電圧VOUT1~VOUT3を生成するマルチチャネル出力型のスイッチング電源装置を構成することができる。この場合、図12のスイッチング電源装置100に対して、第1チャネル用の回路と同一の構成を有する第3チャネル用の回路を追加し、出力クロックCLK[1]のアップエッジにて第1チャネル用の回路におけるハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるように、且つ、出力クロックCLK[1]のダウンエッジにて第2チャネル用の回路におけるハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるように、且つ、出力クロックCLK[2]のダウンエッジにて第3チャネル用の回路におけるハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるようにすれば良い。これにより、第1~第3チャネルにおける出力段回路を互いに120°ずれた位相で駆動することができる(出力クロックCLK[1]、CLK[2]のデューティが夫々“1/3”、“2/3”であることを想定)。但し、図4のクロック生成回路1を単純に2つ設けて同様の駆動を実現することも可能である。各チャネルにおいて、ハイサイドトランジスタのオン区間の長さは、対応する帰還電圧に基づいて制御される。
また、クロック生成回路に固定デューティ生成部40及びFF18の組を3組以上設けることで、互いにデューティが異なる3以上の出力クロックを生成するようにしても良く、これをマルチチャネル出力型のスイッチング電源装置に適用すれば、4チャネル以上の出力段回路を互いに異なる位相で駆動して4チャネル以上の出力電圧を得ることも可能である。
クロック生成回路1Aと第6実施例に示す方法を用いて、入力電圧VINから3フェーズ分の出力を得るマルチフェーズDC/DCコンバータを構成しても良い。この場合、図14のスイッチング電源装置150に対して、第1フェーズ用の回路と同一の構成を有する第3フェーズ用の回路を追加し、出力クロックCLK[1]のアップエッジにて第1フェーズ用の回路におけるハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるように、且つ、出力クロックCLK[1]のダウンエッジにて第2フェーズ用の回路におけるハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるように、且つ、出力クロックCLK[2]のダウンエッジにて第3フェーズ用の回路におけるハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるようにすれば良い。これにより、第1~第3フェーズにおける出力段回路を互いに120°ずれた位相で駆動することができる(出力クロックCLK[1]、CLK[2]のデューティが夫々“1/3”、“2/3”であることを想定)。但し、図4のクロック生成回路1を単純に2つ設けて同様の駆動を実現することも可能である。各チャネルにおいて、ハイサイドトランジスタのオン区間の長さは、出力電圧VOUTに応じた帰還電圧VFBに基づいて制御される。
また、クロック生成回路に固定デューティ生成部40及びFF18の組を3組以上設けることで、互いにデューティが異なる3以上の出力クロックを生成するようにしても良く、これをマルチフェーズDC/DCコンバータに適用すれば、互いに異なる位相で駆動される4以上の出力段回路から出力電圧(VOUT)を生成することが可能となる。
<<第8実施例>>
第8実施例を説明する。図18(a)は、第8実施例に係るカーナビゲーション装置300の外観図であり、図18(b)は、カーナビゲーション装置300の概略構成ブロック図である。カーナビゲーション装置300は、スイッチング電源装置301と、DC/DCコンバータ302と、機能ブロック303と、を備える。スイッチング電源装置301として、図12及び図14のスイッチング電源装置100及び150を含む上述の任意のスイッチング電源装置を用いることができる。スイッチング電源装置301の入力電圧は、カーナビゲーション装置300が搭載される車両に設置されたバッテリから供給されて良い。DC/DCコンバータ302は、スイッチング電源装置301の出力電圧を所望の電圧値を有する1以上の直流電圧に変換し、得られた直流電圧を機能ブロック303に供給する。機能ブロック303は、DC/DCコンバータ302から供給される直流電圧に基づいて動作する。機能ブロック303は、カーナビゲーション装置300の各機能を実現する複数の構成要素を含み、表示装置、スピーカ、マイクロプロセッサ等を含む。尚、スイッチング電源装置301の出力電圧が、直接、機能ブロック303に供給されることもあり得る。
車載用途では、ノイズに関する性能を満たすべく、スイッチング電源装置のスイッチング周波数が車両側から指定されることも多い。この指定は、外部クロックの供給により実現されるが、この際、外部クロックのデューティに依らず出力クロックのデューティを所望のデューティにすることが必要となる。本発明に係るクロック生成回路及びスイッチング電源装置は、このような要請に応える。
カーナビゲーション装置300においては、DC/DCコンバータ302と機能ブロック303とが、スイッチング電源装置301の負荷であると考えることができる。勿論、スイッチング電源装置301は、カーナビゲーション装置に限らず、任意の負荷を内包する任意の機器に搭載されて良い。例えば、スイッチング電源装置301を、モータを負荷とするモータドライバに適用しても良いし、LED(発光ダイオード)を負荷とするLEDドライバに適用しても良い。
また、本発明に係るクロック生成回路の出力クロックを用いてPWM信号を生成するPWM出力回路を構成しても良い。図12のPWM制御部112及び122並びに図14のPWM制御部152はPWM出力回路に属すると考えることもできる。
<<第9実施例>>
第9実施例を説明する。
図12及び図14のスイッチング電源装置100及び150を含む上述の任意のスイッチング電源装置を、半導体集積回路(以下、ICと称する)を用いて形成することができる。当該半導体集積回路を、樹脂にて構成された筐体(パッケージ)内に封入することで半導体装置が構成される。この半導体装置の外観の例を図19に示す。但し、スイッチング電源装置の構成要素の一部の部品は、IC外に設けられ、ICに対して外付け接続されるディスクリート部品であっても良い。例えば、図12の構成においては、コイル113、コンデンサ114及び分圧回路115をディスクリート部品に含めることができ、出力段回路110及び120もディスクリート部品に含まれ得る。また例えば、図14の構成においては、コイル161、コイル162、コンデンサ163及び分圧回路164をディスクリート部品に含めることができ、出力段回路110及び120もディスクリート部品に含まれ得る。尚、クロック生成回路単体でICを構成することも可能である。
図12及び図14のスイッチング電源装置100及び150を含む上述の任意のスイッチング電源装置と演算処理装置とを備えた任意の電子機器では、以下のような利用形態も考えられる。即ち例えば、演算処理装置はスイッチング電源装置の出力電圧を元に駆動するものとされ、当該電子機器の起動直後では外部クロックがクロック生成回路を含むスイッチング電源装置に供給されておらずに内部クロックに基づく出力クロックにてスイッチング動作が行われる。このスイッチング動作を介して生成された出力電圧を用いて演算処理装置が起動すると、演算処理装置自体が又は演算処理装置の制御の下で外部クロックを生成する他の回路が外部クロックを、クロック生成回路を含むスイッチング電源装置に対して供給し、以後は、外部クロックに基づく出力クロックを用いてスイッチング動作が行われる。
任意の信号又は電圧に関して、上述の主旨を損なわない形で、それらのハイレベルとローレベルの関係を逆にしても良い。
<<本発明の考察>>
上述の実施形態にて具体化された本発明の構成について考察する。本発明に係るクロック生成回路は、外部クロックが入力されているときには外部クロックを用いて且つ外部クロックが入力されていないときには内部クロックを用いて出力クロックを生成可能であると言える。外部クロック及び内部クロックの内、出力クロックの生成に用いられるクロックを、便宜上、対象クロックと称する。
本発明に係るクロック生成回路Wは、外部クロックが入力されているときに前記外部クロックを対象クロックとして用いて前記対象クロックから出力クロックを生成可能なクロック生成回路であって、前記対象クロックの所定レベル変化(例えばローレベルからハイレベルへの変化)に同期して前記出力クロックのレベルを第1レベルから第2レベルに変化させるクロック出力回路と、前記対象クロックの隣接する前記所定レベル変化間の区間を周期にして、電圧値が変化する第1ランプ電圧(Va)を生成する第1ランプ電圧生成回路と、前記区間を前記周期にして、電圧値が変化する第2ランプ電圧(Vb)を生成する第2ランプ電圧生成回路と、前記所定レベル変化が生じたときの前記第2ランプ電圧に応じた比較用電圧(Vc)を保持する比較用電圧保持回路と、前記第1ランプ電圧と前記比較用電圧を比較する比較器(14)と、を備え、前記クロック出力回路は、前記比較器の比較結果に基づき前記出力クロックのレベルを前記第2レベルから前記第1レベルに変化させることを特徴とする。
これにより、外部クロックに同期しつつも、外部クロックのデューティの如何に依らず所望のデューティを有する出力クロックを生成することが可能となる。この際、PLL回路を設ける必要が無いため、回路規模の削減が期待される。
図4の構成において、FF18はクロック出力回路の例である。所定レベル変化は、上述の各実施例ではローレベルからハイレベルの変化であるが、その逆の変化であっても良い。同様に、出力クロックのレベルの第1レベルから第2レベルの変化は、上述の各実施例ではローレベルからハイレベルへの変化であるが、その逆の変化であっても良い。
第1ランプ電圧生成回路は、図4の構成では、定電流回路11及びコンデンサC1を含んで構成され、スイッチSW1を更に含み得る。
第2ランプ電圧生成回路は、図4の構成では、定電流回路12及びコンデンサC2を含んで構成され、スイッチSW2を更に含み得る。
比較用電圧保持回路は、図4の構成では、コンデンサC3を含んで構成され、スイッチSW3を更に含み得る。
“前記対象クロックの隣接する前記所定レベル変化間の区間”とは、対象クロックの1周期分の区間を指し、例えば、対象クロックにおけるアップエッジから次のアップエッジまでの区間に相当する(対象クロックにおけるダウンエッジから次のダウンエッジまでの区間に相当していても良い)。即ち、“前記対象クロックの隣接する前記所定レベル変化間の区間”の例は、図7ではタイミングTA1及びTA5間の区間である。
前記クロック生成回路Wにおいて、例えば、前記対象クロックの前記所定レベル変化の後(例えばタイミングTA1の後)、前記第1ランプ電圧と前記対比用電圧の高低関係が逆転したことを示す信号(例えば信号CK_N1のアップエッジに相当)が前記比較器から出力されたことに応答して、前記クロック出力回路は、前記出力クロックのレベルを前記第2レベルから前記第1レベルに変化させると良い。
より具体的には例えば、前記クロック生成回路Wにおいて、前記第1ランプ電圧生成回路は、第1コンデンサ(C1)と第1定電流を前記第1コンデンサに供給する第1定電流回路(11)とを有し、各周期において、前記第1定電流の供給を受けて前記第1コンデンサの端子電圧を所定の第1初期電圧から変化させることを通じ前記第1コンデンサの端子電圧より前記第1ランプ電圧(Va)を生成し、前記第2ランプ電圧生成回路は、第2コンデンサ(C2)と第2定電流を前記第2コンデンサに供給する第2定電流回路(12)とを有し、各周期において、前記第2定電流の供給を受けて前記第2コンデンサの端子電圧を所定の第2初期電圧から変化させることを通じ前記第2コンデンサの端子電圧より前記第2ランプ電圧(Vb)を生成し、前記比較用電圧保持回路は、第3コンデンサを有し、各周期において前記第3コンデンサの端子電圧を前記比較用電圧として保持し、前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサ間にスイッチ(SW2)が設けられ、前記対象クロックの前記所定レベル変化に応答して前記第2コンデンサの蓄積電荷の一部が前記スイッチを介し前記第3コンデンサに供給されることで、前記第3コンデンサに前記比較用電圧が生じると良い。
尚、第1初期電圧は上述の各実施例ではゼロボルトであるが、第1初期電圧はゼロボルト以外であり得る。
更に具体的には例えば、前記対象クロックの前記所定レベル変化に応答して第1パルス信号(信号CK_P2中に含められる微小時間Δt1分のパルス信号)を出力する第1パルス出力回路(16)と、前記対象クロックの前記所定レベル変化の後、前記第1ランプ電圧と前記対比用電圧の高低関係が逆転したことを示す信号を前記比較器から受けたときに、第2パルス信号(信号CK_N2中に含められる微小時間Δt2分のパルス信号)を出力する第2パルス出力回路(17)と、を更に前記クロック生成回路Wに設けておくと良く、前記第1ランプ電圧生成回路には、前記第1コンデンサを放電させることが可能な第1コンデンサ放電回路(SW1)が設けられ、前記比較用電圧保持回路には、前記第3コンデンサを放電させることが可能な第3コンデンサ放電回路(SW3)が設けられ、前記第1パルス信号の出力を受けて、前記第1コンデンサ放電回路により前記第1コンデンサが放電され、且つ、前記スイッチがオンとされることで前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサが前記スイッチを介して並列接続され、前記第2パルス信号の出力を受けて、前記第3コンデンサ放電回路により前記第3コンデンサが放電されると良い。
本発明の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本発明の実施形態の例であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。
1、1A クロック生成回路
11、12 定電流回路
13、14 比較器
15 選択回路
16、17 1ショットパルス回路
18 RS型フリップフロップ
C1~C3 コンデンサ
SW1~SW3 スイッチ
100、150 スイッチング電源装置

Claims (12)

  1. 外部クロックが入力されているときに前記外部クロックを対象クロックとして用いて前記対象クロックから出力クロックを生成可能なクロック生成回路であって、
    前記対象クロックの所定レベル変化に同期して前記出力クロックのレベルを第1レベルから第2レベルに変化させるクロック出力回路と、
    前記対象クロックの隣接する前記所定レベル変化間の区間を周期にして、電圧値が変化する第1ランプ電圧を生成する第1ランプ電圧生成回路と、
    前記区間を前記周期にして、電圧値が変化する第2ランプ電圧を生成する第2ランプ電圧生成回路と、
    前記所定レベル変化が生じたときの前記第2ランプ電圧に応じた比較用電圧を保持する比較用電圧保持回路と、
    前記第1ランプ電圧と前記比較用電圧を比較する比較器と、を備え、
    前記クロック出力回路は、前記比較器の比較結果に基づき前記出力クロックのレベルを前記第2レベルから前記第1レベルに変化させ
    前記第1ランプ電圧生成回路は、第1コンデンサと第1定電流を前記第1コンデンサに供給する第1定電流回路とを有し、各周期において、前記第1定電流の供給を受けて前記第1コンデンサの端子電圧を所定の第1初期電圧から変化させることを通じ前記第1コンデンサの端子電圧より前記第1ランプ電圧を生成し、
    前記第2ランプ電圧生成回路は、第2コンデンサと第2定電流を前記第2コンデンサに供給する第2定電流回路とを有し、各周期において、前記第2定電流の供給を受けて前記第2コンデンサの端子電圧を所定の第2初期電圧から変化させることを通じ前記第2コンデンサの端子電圧より前記第2ランプ電圧を生成し、
    前記比較用電圧保持回路は、第3コンデンサを有し、各周期において前記第3コンデンサの端子電圧を前記比較用電圧として保持し、
    前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサ間にスイッチが設けられ、
    前記対象クロックの前記所定レベル変化に応答して前記第2コンデンサの蓄積電荷の一部が前記スイッチを介し前記第3コンデンサに供給されることで、前記第3コンデンサに前記比較用電圧が生じる
    クロック生成回路。
  2. 前記対象クロックの前記所定レベル変化の後、前記第1ランプ電圧と前記比較用電圧の高低関係が逆転したことを示す信号が前記比較器から出力されたことに応答して、前記クロック出力回路は、前記出力クロックのレベルを前記第2レベルから前記第1レベルに変化させる
    請求項1に記載のクロック生成回路。
  3. 前記対象クロックの前記所定レベル変化に応答して第1パルス信号を出力する第1パルス出力回路と、
    前記対象クロックの前記所定レベル変化の後、前記第1ランプ電圧と前記比較用電圧の高低関係が逆転したことを示す信号を前記比較器から受けたときに、第2パルス信号を出力する第2パルス出力回路と、を更に備え、
    前記第1ランプ電圧生成回路には、前記第1コンデンサを放電させることが可能な第1コンデンサ放電回路が設けられ、
    前記比較用電圧保持回路には、前記第3コンデンサを放電させることが可能な第3コンデンサ放電回路が設けられ、
    前記第1パルス信号の出力を受けて、前記第1コンデンサ放電回路により前記第1コンデンサが放電され、且つ、前記スイッチがオンとされることで前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサが前記スイッチを介して並列接続され、
    前記第2パルス信号の出力を受けて、前記第3コンデンサ放電回路により前記第3コンデンサが放電される
    、請求項1又は2に記載のクロック生成回路。
  4. 前記第1定電流及び前記第2定電流の電流値は、互いに比例関係にある
    、請求項1~3の何れかに記載のクロック生成回路。
  5. 前記第1コンデンサ、前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサの静電容量値は、互いに比例関係にある
    、請求項1~4の何れかに記載のクロック生成回路。
  6. 内部クロックを生成する内部クロック生成部と、
    前記外部クロックを受けるための外部クロック入力端子と、
    前記外部クロック入力端子に接続されるとともに前記内部クロック生成部からの前記内部クロックを受け、前記外部クロック入力端子に対して前記外部クロックが入力されているときには前記外部クロックを選択して出力する一方、前記外部クロック入力端子に対して前記外部クロックが非入力であるときには前記内部クロックを選択して出力する選択回路と、を更に備え、
    前記選択回路から出力されるクロックを前記対象クロックとして用いて前記出力クロックを生成する
    、請求項1~5の何れかに記載のクロック生成回路。
  7. 前記内部クロック生成部は、前記第1ランプ電圧を所定の基準電圧と比較し、比較結果を示す二値信号を前記内部クロックとして生成する
    、請求項6に記載のクロック生成回路。
  8. 入力電圧から出力電圧を生成するスイッチング電源装置であって、
    前記入力電圧が加わるノードとグランドとの間において互いに直列接続されたハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタを有する出力段回路と、
    前記出力電圧に応じた帰還電圧に基づき前記出力電圧が目標電圧にて安定化するように前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタのオン、オフ状態を指定するPWM信号を生成するPWM制御部と、
    前記PWM信号に従って前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタの各ゲート電位を制御することを通じ前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタを交互にオン、オフし、これよって前記入力電圧をスイッチングするドライバと、を備え、
    前記スイッチングにより前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタ間の接続ノードに現れるスイッチング電圧を、コイル及び出力コンデンサを有する整流平滑回路にて整流及び平滑化することにより前記出力電圧を生成し、
    当該スイッチング電源装置には、請求項1~7の何れかに記載のクロック生成回路が設けられ、
    前記PWM制御部は、前記クロック生成回路にて生成された前記出力クロックの供給を受け、前記出力クロックの周波数と同じ周波数を前記PWM信号に持たせ、
    前記PWM制御部は、前記出力クロックのレベルが前記第1レベルから前記第2レベルに変化したときに前記ハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるよう前記PWM信号を生成するか、
    或いは、前記出力クロックのレベルが前記第2レベルから前記第1レベルに変化したときに前記ハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるよう前記PWM信号を生成する
    、スイッチング電源装置。
  9. 電源回路を複数備えたスイッチング電源装置であって、複数の電源回路は入力電圧から出力電圧を個別に生成し、これによって前記入力電圧から複数の出力電圧が生成され、各電源回路は、
    前記入力電圧が加わるノードとグランドとの間において互いに直列接続されたハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタを有する出力段回路と、
    対応する出力電圧に応じた帰還電圧に基づき対応する出力電圧が目標電圧にて安定化するように前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタのオン、オフ状態を指定するPWM信号を生成するPWM制御部と、
    前記PWM信号に従って前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタの各ゲート電位を制御することを通じ前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタを交互にオン、オフし、これよって前記入力電圧をスイッチングするドライバと、を備え、
    前記スイッチングにより前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタ間の接続ノードに現れるスイッチング電圧を、コイル及び出力コンデンサを有する整流平滑回路にて整流及び平滑化することにより対応する出力電圧を生成し、
    当該スイッチング電源装置には、請求項1~7の何れかに記載のクロック生成回路が設けられ、
    各電源回路において、前記PWM制御部は、前記クロック生成回路にて生成された前記出力クロックの供給を受け、前記出力クロックの周波数と同じ周波数を前記PWM信号に持たせ、
    前記複数の電源回路は第1電源回路及び第2電源回路を含み、
    前記第1電源回路の前記PWM制御部にて生成される第1PWM信号と、前記第2電源回路の前記PWM制御部にて生成される第2PWM信号とは、互いに位相が異なり、
    前記第1電源回路において、前記PWM制御部は、前記出力クロックのレベルが前記第1レベルから前記第2レベルに変化したときに前記ハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるよう前記第1PWM信号を生成し、
    前記第2電源回路において、前記PWM制御部は、前記出力クロックのレベルが前記第2レベルから前記第1レベルに変化したときに前記ハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるよう前記第2PWM信号を生成する
    、スイッチング電源装置。
  10. 入力電圧から出力電圧を生成するスイッチング電源装置であって、
    前記入力電圧が加わるノードとグランドとの間において互いに直列接続された第1ハイサイドトランジスタ及び第1ローサイドトランジスタを有する第1出力段回路と、
    前記入力電圧が加わるノードとグランドとの間において互いに直列接続された第2ハイサイドトランジスタ及び第2ローサイドトランジスタを有する第2出力段回路と、
    前記出力電圧に応じた帰還電圧に基づき前記出力電圧が目標電圧にて安定化するように、前記第1ハイサイドトランジスタ及び前記第1ローサイドトランジスタのオン、オフ状態を指定する第1PWM信号及び前記第2ハイサイドトランジスタ及び前記第2ローサイドトランジスタのオン、オフ状態を指定する第2PWM信号を生成するPWM制御部と、
    前記第1PWM信号に従って前記第1ハイサイドトランジスタ及び前記第1ローサイドトランジスタの各ゲート電位を制御することを通じ前記第1ハイサイドトランジスタ及び前記第1ローサイドトランジスタを交互にオン、オフし、これよって前記入力電圧をスイッチングする第1ドライバと、
    前記第2PWM信号に従って前記第2ハイサイドトランジスタ及び前記第2ローサイドトランジスタの各ゲート電位を制御することを通じ前記第2ハイサイドトランジスタ及び前記第2ローサイドトランジスタを交互にオン、オフし、これよって前記入力電圧をスイッチングする第2ドライバと、を備え、
    前記第1ドライバのスイッチングにより前記第1ハイサイドトランジスタ及び前記第1ローサイドトランジスタ間の接続ノードである第1接続ノードに第1スイッチング電圧が現れ、前記第2ドライバのスイッチングにより前記第2ハイサイドトランジスタ及び前記第2ローサイドトランジスタ間の接続ノードである第2接続ノードに第2スイッチング電圧が現れ、
    前記第1接続ノードを第1コイルを介して前記出力電圧が加わるラインに接続するとともに前記第2接続ノードを第2コイルを介して前記ラインに接続し、且つ、出力コンデンサを介して前記ラインをグランドに接続することにより前記第1スイッチング電圧及び前記第2スイッチング電圧を整流及び平滑化し、これによって前記ラインに前記出力電圧を生じさせ、
    当該スイッチング電源装置には、請求項1~7の何れかに記載のクロック生成回路が設けられ、
    前記PWM制御部は、前記クロック生成回路にて生成された前記出力クロックの供給を受け、前記出力クロックの周波数と同じ周波数を前記第1PWM信号及び前記第2PWM信号に持たせ、且つ、前記第1PWM信号及び前記第2PWM信号の位相を互いにずらし、
    前記PWM制御部は、
    前記出力クロックのレベルが前記第1レベルから前記第2レベルに変化したときに前記第1出力段回路の前記第1ハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるよう前記第1PWM信号を生成し、
    前記出力クロックのレベルが前記第2レベルから前記第1レベルに変化したときに前記第2出力段回路の前記第2ハイサイドトランジスタのオン区間が開始されるよう前記第2PWM信号を生成する
    、スイッチング電源装置。
  11. 第1直流電圧にパルス幅変調を施すことで前記第1直流電圧を第2直流電圧に変換するスイッチング電源装置であって、
    請求項1~7の何れかに記載のクロック生成回路を備え、前記クロック生成回路にて生成された前記出力クロックの周波数にて前記パルス幅変調を施す
    、スイッチング電源装置。
  12. 請求項8~11の何れかに記載のスイッチング電源装置を形成する半導体装置であって、集積回路を用いて形成された
    、半導体装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7231991B2 (ja) * 2018-06-15 2023-03-02 ローム株式会社 クロック生成回路、スイッチング電源装置及び半導体装置
CN110333767B (zh) * 2019-06-27 2023-04-07 南京矽力微电子技术有限公司 多相功率变换器
US11431925B1 (en) * 2021-03-07 2022-08-30 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Pixel ramp generator controller for image sensor
US11609597B2 (en) * 2021-08-19 2023-03-21 Marvell Asia Pte Ltd Wireline transceiver with internal and external clock generation
US11868173B2 (en) 2021-08-19 2024-01-09 Marvell Asia Pte Ltd Wireline transceiver with internal and external clock generation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3283912B2 (ja) 1992-07-27 2002-05-20 雪印乳業株式会社 固形物比率の調整方法及びその装置
JP2006287736A (ja) 2005-04-01 2006-10-19 Nec Electronics Corp 検出回路及び半導体装置
JP2009164875A (ja) 2008-01-07 2009-07-23 Oki Semiconductor Co Ltd デューティ比調整回路
JP2016134916A (ja) 2015-01-20 2016-07-25 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. クロック発生器及びこれを含むオンチップオシレータ

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03283912A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Advantest Corp 可変遅延回路
JPH08107312A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Fuji Electric Co Ltd Cmos構成の半導体集積回路装置
US6285226B1 (en) * 1999-10-25 2001-09-04 Xilinx, Inc. Duty cycle correction circuit and method
US6647081B2 (en) * 2001-12-12 2003-11-11 Emulex Corporation Phase-locked loop (PLL) circuit for selectively correcting clock skew in different modes
JP4210850B2 (ja) * 2004-03-12 2009-01-21 サンケン電気株式会社 スイッチング電源装置
US7839194B2 (en) * 2007-11-21 2010-11-23 Rambus Inc. Clock circuitry for generating multiple clocks with time-multiplexed duty cycle adjustment
US8188721B2 (en) * 2008-08-05 2012-05-29 Intersil Americas Inc. Active pulse positioning modulator
US8188798B1 (en) * 2010-11-18 2012-05-29 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company, Ltd. Programmable electro-magnetic-interference (EMI) reduction with enhanced noise immunity and process tolerance
US8912775B2 (en) * 2011-04-12 2014-12-16 Infineon Technologies Ag Power factor correction circuit having multiple switched-mode converter circuits
JP6552908B2 (ja) * 2015-08-07 2019-07-31 株式会社東芝 発振器
JP7231991B2 (ja) * 2018-06-15 2023-03-02 ローム株式会社 クロック生成回路、スイッチング電源装置及び半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3283912B2 (ja) 1992-07-27 2002-05-20 雪印乳業株式会社 固形物比率の調整方法及びその装置
JP2006287736A (ja) 2005-04-01 2006-10-19 Nec Electronics Corp 検出回路及び半導体装置
JP2009164875A (ja) 2008-01-07 2009-07-23 Oki Semiconductor Co Ltd デューティ比調整回路
JP2016134916A (ja) 2015-01-20 2016-07-25 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. クロック発生器及びこれを含むオンチップオシレータ

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