KR100942134B1 - 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실 결정 방법 및튜닝가능 박막 강유전성 장치 - Google Patents

강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실 결정 방법 및튜닝가능 박막 강유전성 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100942134B1
KR100942134B1 KR1020037013372A KR20037013372A KR100942134B1 KR 100942134 B1 KR100942134 B1 KR 100942134B1 KR 1020037013372 A KR1020037013372 A KR 1020037013372A KR 20037013372 A KR20037013372 A KR 20037013372A KR 100942134 B1 KR100942134 B1 KR 100942134B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor
ferroelectric
loss
circuit
gap
Prior art date
Application number
KR1020037013372A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040014493A (ko
Inventor
스탠리슬라브코 토니치
Original Assignee
키오세라 와이어리스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 키오세라 와이어리스 코포레이션 filed Critical 키오세라 와이어리스 코포레이션
Priority claimed from PCT/IB2002/001027 external-priority patent/WO2002084310A1/en
Publication of KR20040014493A publication Critical patent/KR20040014493A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100942134B1 publication Critical patent/KR100942134B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2688—Measuring quality factor or dielectric loss, e.g. loss angle, or power factor
    • G01R27/2694—Measuring dielectric loss, e.g. loss angle, loss factor or power factor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0805—Capacitors only
    • H01L27/0808—Varactor diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
    • H01P1/20363—Linear resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
    • H01P1/20381—Special shape resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/2039—Galvanic coupling between Input/Output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/04—Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02—Details
    • H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1262—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191—Tuned amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/18—Networks for phase shifting
    • H03H7/20—Two-port phase shifters providing an adjustable phase shift
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
    • H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
    • H03J5/246—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection using electronic means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/16—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/18—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/30—Circuits for homodyne or synchrodyne receivers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0123—Frequency selective two-port networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/12—Bandpass or bandstop filters with adjustable bandwidth and fixed centre frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

튜닝가능 강유전성 컴포넌트(610-614) 그리고 상기 강유전성 컴포넌트의 손실을 측정하기 위한 협대역 공진회로(610-620). 상기 강유전성 컴포넌트가 상기 공진회로내에서 집적된 콘덴서이게 된다. 상기 검사 방법은 다른 소스들로부터 손실을 제거하여 상기 강유전성 재료로 기인한 손실을 분리시키도록 하며 그와 같은 손실이 낮아질 수 있도록 한다.

Description

강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실 결정 방법 및 튜닝가능 박막 강유전성 장치{LOW-LOSS TUNABLE FERRO-ELECTRIC DEVICE AND METHOD OF CHARACTERIZATION}
관련 출원
본 발명 출원은 2001년 4월 11일자 미국 가출원 제 60/283,093 호를 본원 명세서에서 참고로 인용한다. 또한 본 발명 출원은 2001년 7월 13일자 미국출원 "Tunable Ferro-electric Filter"에 대한 것이며, 2001년 7월 24일자 미국출원 "Tunable Ferro-electric Multiplexer"에 대한 것으로서, 이들 출원 명세서를 참고로 인용한다.
발명의 분야
본 발명의 기술분야는 강유전성 튜닝가능 전자소자 및 컴포넌트이다.
발명의 배경
가변 콘덴서는 정전용량의 변경에 의해 각기 상이한 전자 응답을 얻을 수 있기 때문에 유익한 점을 지니고 있다. 그러나, 가변의 또는 튜닝가능 콘덴서를 실시하기 위해 현재 사용되는 전자 구조는 중요한 성능과 실시상의 제한점을 가지고 있다. 이동가능한 병렬 플레이트는 무선 튜팅을 위해 가변의 정전용량을 제공하지만 크기가 크고, 손실이 크며, 잡음이 있고, 대개 제한된 범위의 주파수에서만 동작하거나, 그밖에 다수의 유사 단점들을 가진다. "손실용이(lossy)" 컴포넌트 또는 소자는 컴포넌트내 전력대 일정 부하로 전달되는 전력비인 높은 삽입 손실(IL)을 가진다. 전자 버랙터(varactor)(반도체 다이오드저항기)는 반도체 소자로서 가해진 전압에 응답하는 정전용량을 조절한다. 버랙터는 대개 손실이 많으며 잡음이 과다하고 200MHz 이상의 고주파 응용에서는 일반적으로 효과적이지 못하다. 따라서 이들 버랙터는 특히 코드 분할 다중 접근(CDMA)이 사용되는 무선 응용에서 필터와 멀티플렉서와 같은 삽입 손실-비중 소자등을 튜닝하는데는 적합하지 않다. 가변 정전용량을 제공하는 또다른 실시는 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS)이다. 이는 소형 스위칭소자로서 가해진 신호에 응답하는 각기 다른 콘덴서를 물리적으로 선택한다. 그러나 MEMS는 대개 가격이 비싸고 신뢰할 수 없으며, 상당한 제어 전압을 필요로 하고 단지 이산 세트의 사전에 선택된 정전용량 값만을 가능하게 한다.
이들 가변 유전율때문에 강유전성 재료는 튜닝가능 콘덴서 또는 다른 튜닝가능 컴포넌트를 만드는데 유용하다. 그러나, 현재 사용되고 있는 측정과 특징화 기술로는 튜닝가능 강유전성 컴포넌트가 손실 특성을 개선하기 위해 사용되는 처리, 도핑 또는 다른 생산 기술에도 불구하고 계속적이며 상당한 크기의 손실이 발생시킴을 막을 수 없다. 따라서 이들은 널리 사용되고 있지 않다. RF 또는 마이크로파 영역에서 동작하는 강유전성 튜닝가능 컴포넌트는 특히 손실이 많은 것으로 알려져 있다. 이같은 관찰은 RADAR 응용에서 경험적으로 뒷받침되는데, 특히 최대 튜닝이 필요한때 크기가 큰(약 1.0㎜이상의 두께) f-e 재료의 경우 일반적이다. 일반적으 로 대부분의 f-e 재료는 이들 재료의 손실을 개선하기 위해(줄이기 위해) 추가적 조치가 취해지지 않는다면 손실이 크다. 상기의 추가 단계로는 (1) O2 결핍을 보상하기 위해 사전 또는 사후 증착 어닐링, (2) 버퍼층 사용으로 표면 스트레스 줄이기, (3) 다른 재료로 합금처리 또는 버퍼링, 그리고 (4) 선택적 도핑등이 있다.
저 전력 컴포넌트의 제한범위 튜닝의 요구가 근자에 증가하고 있으므로, 강유전성 재료에 대한 관심이 크기가 큰 재료가 아닌 박막의 사용으로 주목되고 있다. 그러나 높은 강유전성 손실이 있으리라는 것은 박막 작업에서도 마찬가지이다. 종래의 광대역 측정기술은 후막이든 박막이든간에 튜닝가능 강유전성 컴포넌트가 상당한 손실을 가져온다는 추측을 뒷받침하고 있다. 강유전성 콘덴서의 콘덴서 용량값에 대한 광대역 측정은 LRC 미터, 임피던스 분석장치 또는 네트워크 분석장치와 같은 장치를 사용하여 얻어진다. 전력측정으로부터, 상기 콘덴서의 손실을 계산할 수 있다. 상기 손실의 인버스(inverse)는 양호도("Q")이다. 따라서, 손실이 많은 장치는 낮은 Q를 가지며, 효율적인 장치는 높은 Q를 갖게된다. 종래 측정기술을 사용하여 얻어지는 1.8-2.0 GHz 주파수 범위에서 동작하여 약 0.5-1.0 pF 범위의 정전용량을 갖는 강유전성 콘덴서에서 Q 측정값은 대개 10-50 범위인것으로 알려져 있다. 이같은 수치는 허용할 수 없을 정도로 비효율적이며 따라서 강유전성 튜닝가능 컴포넌트는 보편적으로 사용하기에는 바람직하지 않은 것으로 판단된다. 무선 통신에서는 Q가 80이상, 바람직하기로는 180이상, 그리고 최적상태로는 350이상 인 것이 약 2GHz 주파수에서 요구되어 진다.
하기에서 설명 및 도시되는 바와 같이, 종래의 강유전성 컴포넌트는 잘못 생산되고, 측정되었으며 특성이 정하여졌다. 결과적으로, 강유전성 튜닝가능 컴포넌트는 매우 손실이 크고 Q가 L-대역에서 10-50 범위인 것으로 추정되고 있다. 또한 다른 주파수 대역에서 동작되는 강유전성 튜닝가능 장치는 대부분의 응용이 허용될 수 없는 Q를 갖는 것으로 알려져 있다.
본 발명의 요약
f-e 박막에 대한 손실 또는 그 인버스인 Q를 검사하는 방법은 공지기술에서 문제가 있다. 상기 공지기술 방법은 광대역 검사방법과 비-집적 컴포넌트를 사용한다. 상기 검사방법과 장치는 검사중에 손실 메카니즘 모두가 설명되지는 못하는데, 이는 f-e 재료가 손실 크다고 믿게하였다.
본 발명은 협대역 검사 방법과 컴포넌트 인티그레이션(집적)을 제공한다. 모든 손실 메카니즘이 설명되며 제거되거나 최소화된다. 이는 결국 더욱 정확한 검사결과를 가져오도록 하고, f-e 재료가 앞서 생각했던 것보다 훨씬 손실이 크지 않음을 보여준다.
이같은 검사 방법으로 f-e 재료가 성공적으로 검사되어 손실, 튜닝가능성 및 다른 파라미터들 사이에 이상적인 교환을 찾아낼 수 있도록 한다. 따라서 손실이 적은 튜닝가능 f-e 장치(또는 소자)가 만들어질 수 있다. 손실이 적으며, 이같은 콘덴서는 튜닝가능성이 바람직한 많은 응용에서 빌딩 블록(building block)으로서 사용될 수 있으나, 낮은 손실 요구조건은 일정한 다른 튜닝가능 장치 사용을 막아왔다. 그 한가지 예가 무선 통신 장치에서의 응용이다.
하기에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 강유전성 박막으로 만들어지는 인터디지털 콘덴서 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 튜닝가능 강유전성 갭 콘덴서 단면도.
도 3은 갭 두께, 강유전성 층 두께 및 정전용량 사이의 관계를 도시한 테이블.
도 4는 본 발명에 따른 강유전성 오버레이 콘덴서 평면도.
도 5는 도 4의 오버레이 콘덴서 일부의 분해도.
도 6은 본 발명에 따른 2차원 협대역 공진 검사 회로를 도시한 도면.
도 7은 도 6의 검사회로에 의해 얻어진 데이터를 종래의 검사방법을 사용하여 얻어진 데이터와 비교테이블.
도 8은 본 발명에 따른 2차원 협대역 공진 검사회로의 또다른 실시예 도면.
도 9는 본 발명에 따른 단일 공진기 협대역 검사회로를 도시한 도면.
도 10a는 본 발명에 따른 단일 공진기 협대역 검사회로의 또다른 실시예 도면.
도 10b는 도 10a의 회로 평면도.
본 발명은 튜닝가능 강유전성 컴포넌트가 사용될 주파수 범위에서 이들 컴포넌트의 효율을 정확하게 측정하고 특정화할 수 있으며 사용되어질 형태를 갖는 협대역 공진 회로를 사용하는 검사 방법을 제공한다. 이들 검사 방법 및 회로는 튜닝 가능 강유전성 컴포넌트가 종전기술에 의하던 것과 같이 손실이 균등하게 크지 않으며, 무선 핸드셋과 같은 낮은 손실 응용 및 장치에서 유익하게 사용할 수 있도록 한다. 손실에 대한 정확한 결정을 할 수 있도록 하므로써, 튜닝가능 강유전성 컴포넌트가 적절하게 최적상태로 될 수 있으며 디자이될 수 있다. 따라서 특정 손실 메카니즘이 식별되고 제거될 수 있거나 그렇지 않으면 줄어들어 제한될 수 있다.
튜닝가능 강유전성 컴포넌트, 특히 박막을 사용하는 컴포넌트들이 광범위한 주파수 애절 회로에서 사용될 수 있다. 튜닝가능 컴포넌트는 이들이 더욱 작은 컴포넌트 크기와 높이, 낮은 삽입 손실 또는 같은 삽입 손실에 대한 양호한 리젝션, 저렴한 제조비용 및 두 주파수 이상 대역에서 튜닝할 수 있는 성능을 제공할 수 있기 때문에 바람직하다. 멀티플 대역을 커버할 수 있는 튜닝가능 컴포넌트의 성능은 이산대역사이에서 사용되는 다수의 고정 주파수 컴포넌트들을 선택해야 하는 스위치와 같은 필요한 컴포넌트의 수를 줄이도록 한다. 이같은 장점은 기능증가 필요와 낮은 제조비용 및 크기가 서로 상충되는 조건인 무선 핸드셋 디자인에서 특히 중요하다. CDMA 핸드셋(가령 핸드폰)에서는, 예를 들어 개별 컴포넌트의 성능이 매우 강조된다. 강유전성 재료는 또한 무선 장치와 같은 안테나 인터페이스 유닛(AIU)과 같은 오늘날까지도 축소를 허용하지 않는 RF 컴포넌트의 집적을 허용할 수 있을 것이다.
가령 AIU는 하나나 둘 이상의 튜닝가능 송수전환기(이중대역 무선 통신 장치에서는 US PCS 및 셀룰러), 다이플레서(diplexers), PA's 및 LNA's 등을 집적시킬 수 있다. 이들 컴포넌트중 몇가지 혹은 모두가 집적(또는 통합) 될 수 있으며, 전 체 크기가 줄어들고 이들 컴포넌트 성능이 개선된다. 튜닝가능 강유전성 컴포넌트에 대한 다른 응용은 본원 명세서에서 차차 설명된다.
어떠한 유전체에서와 마찬가지로, 강유전성 재료는 두가지의 중요한 손실 메카니즘, 전도도 손실 및 유전체내 래티스 진동(lattice Vibrations)으로부터의 댐핑을 가지고 있다. 이같은 두가지 영향의 조합이 재료의 손실 탄젠트(tan(δ))로서 참조된다. 튜닝가능 RF 또는 마이크로파 회로에서의 강유전성 재료의 경우 래티스 진동으로부터의 댐핑은 전하를 갖지 않는 캐리어가 없기 때문에 압도적이다. 그러나, tan(δ)를 측정하는 어떠한 방법도 만약 존재한다면 무한한 전도도의 영향을 포함시키지 않고 있다. 이는 rf/마이크로파 특성에 관한한 상기 두 메카니즘의 손실 영향이 구분할 수 없기 때문이다.
RF 회로에서 중요한 컴포넌트는 콘덴서이다. F-E 튜닝가능성이 f-e 콘덴서와 관련하여 이제 설명될 것이다. 튜닝가능하든 그렇지 않든 콘덴서의 전체 손실이 저장에너지와 분산에너지의 비로서 표시되는 양호도(Q)에 의해 제공된다. 여기서 상기 에너지는 전장에 저장되고 저항으로 분산되는 것이다. 등가로 합산된 콘덴서 소자의 경우 부하가 없을 때 Q(Qu)는 다음과 같다.
Qu=X/Rs-1(ω*Rs*C) (1)
상기 식에서, ω=레디안 주파수, Rs=콘덴서의 직렬저항, C=콘덴서 정전용량이다. Rs는 측정되고 C와 ω는 알고 있는 값이며, Qu는 계산될 수 있다. 상기 직렬저항은 유전체에 도선과 분산 손실 모두, 즉 tan(δ)로부터 발생된다.
튜닝가능 콘덴서가 공진회로내로 통합되면, 시스템의 전체 Q(Qt)는 다음과 같이 주어진다.
1/Qt=1/Qc+1/Qd+1/Qr (2)
여기서 Qc는 도선 Q, Qd는 유전체 Q 그리고 Qr은 레디에이션 Q이다. 잘 디자인된 비-레디에이팅 시스템의 경우, 레디에이션 손실은 없다. 따라서, 도선 손실과 유전체 손실이 전체 손실을 결정한다. 상기 유전체 손실은 만약 존재한다면 유전체로 인해 기인하게 되는 전도도 손실을 포함하는 손실 탄젠트, tan(δ) 영향때문인 것이다. 따라서, 부하가 없는 경우 Q와 전체 Q 모두의 경우, tan(δ)의 올바른 측정이 튜닝가능 장치가 허용될 수 있는 손실 특성으로 생산될 수 있는가를 결정하는데 중요한 것이다.
공동 공진기(cavity resonator) 방법은 통상 재료의 유전율과 손실 탄젠트를 측정하도록 사용된다. 이들 방법은 상기 공동의 크기가 매우 크기 때문에 특히 셀룰러 폰이 사용되는 낮은 마이크로파 주파수(~2 GHz)에서 곤란하게 된다. 강유전성 박막에서 공동 공진기 방법의 사용은 1마이크론 범위 두께를 가지는 구조에서 공동내로 삽입되는 섭동(perturbation)을 측정하는 것이 매우 곤란하기 때문에 심각한 문제가 된다. 착오 전위는 큰 문제가 된다.
공진기 방법에서 이같은 어려움 때문에 인터디지탈 콘덴서(IDC's)는 강유전성 박막 품질(양호도)를 측정하기 위해 사용된다. 종래의 마이크로스트립 구성에서 강유전성 인터디지탈 콘덴서(IDC)(100)가 도 1에 도시된다. 인터디지탈 콘덴서(100)는 기판(110), 박막 강유전성층(120), 그리고 제 1 및 제 2 도선(130)(140)을 포함한다. 인터디지탈 콘덴서는 단안정 마이크로파 집적회로(MMICs)와 같은 응용에서 사용되고, 0.1-6 pF 범위의 정전용량이 필요한 응용에서 사용된다. 한 인터디지탈 콘덴서에서, 상기 정전용량을 동 구조내 병렬 전도선 또는 핑거(fingers)사이에서 발생된다.
기판(110)은 마그네슘 산화물(MgO), 사파이어 또는 고순도 알루미늄과 같은 낮은 손실 재료로 구성된다. 사기 기판은 고유한 낮은 손실 탄젠트와 추가의 버퍼층없이 광범위한 f-e 박막의 직접증착을 받아들일 수 있는 성능을 바탕으로 하여 선택된다. 강유전성 박막(120)이 기판(110)상에 증착된다. 강유전성 박막(120)은 대개 0.15-1.5 마이크론 범위의 두께를 가진다. 한 전도층이 다음에 강유전성 박막(120)상에 증착된다. 얼마동안 접착층이 필요하다. 상기 전도층은 대개 구리, 금, 또는 은과 같은 금속재료이다. 이들 금속은 실온에서 이들의 상대적으로 낮은 손실로인해 바람직하다. 이같은 목적으로, 상기 실온은 -30℃-85℃로 정의되며 이는 대부분의 상업적 컴포넌트에 대한 전형적인 동작 온도이게 된다. 상기 전도층은 0.5-6.0마이크론 범위의 두께를 가지며, 가장 보편적으로는 0.5-1.5마이크론 범위의 두께를 가진다. 두께 조건은 주파수에 따라 달라지는 스킨 깊이(skin depth)에 따라 달라진다.
박막(약 1.5㎛이하인 tf-e)인 f-e 재료가 설명되었으나, 후막인 f-e 재료가 사용될 수 있기도 하다. 여기서, "후막(thick film)"이란 약 1.5㎛-1.0㎜인 tf-e를 말하는 것이다. 벌크(bulk)는 약 1.0㎜보다 두꺼운 것을 말한다. 후막 f-e 재료의 생산 및 응용은 박막 f-e 재료의 생산 및 응용과는 다르다. 이는 페이스트(paste) 또는 솔-겔 기술, 상당히 추가된 두께를 생산하기 위한 f-e 재료를 필요로 한다. 상기 추가된 두께 및 특히 줄어든 생산비용은 다수 줄어든 f-e 성능, 눈에 띄게 줄어든 튜닝가능성을 발생시킨다.
인터디지탈 콘덴서(100)가 다음에 제 1 도선(130) 및 제 2 도선(140)을 형성시키기 위해 에치-백(etch-back) 또는 리프트-오프(life-off) 기술을 사용하여 만들어진다. 제 1 도선(130)은 제 2 도선(140)의 핑거(142) 및 공간(144)에 근접한 핑거(132) 및 공간(134)을 가진다. 상기 도선들은 제 1 도선(130) 핑거(132)가 제 2 도선(140) 공간(144)내에 있도록 그리고 제 2 도선(140)의 핑거(142)는 제 1 도선(130)의 공간(134)내에 있도록 배치된다. 오늘날까지, f-e 박막 제조 및 특징화 분야에서의 연구자 및 기술자들은 통산 1-5마이크론 너비 핑거, 그리고 통산 1-5마이크론 너비사이의 갭 또는 공간을 갖는 IDC's를 디자인 해왔다.
상기 정전용량은 핑거(132)(142)사이에서 주로 발생된다. 높은 수준의 정전용량을 발생시키기 위해, 작은 갭 크기(<5 마이크론) 및 긴 핑거가 요구되어진다. 강유전성 튜닝 필드를 크게 발생시키는데에도 도움이 된다. 상기 튜닝 필드 대부분이 콘덴서(100)위에 공기 영역에서 상실되기 때문에 이는 중요한 것이다.
상기와 같은 구성에서 가장 큰 손실 성분은 상기 핑거 영역내에서 발생된 불일치 모드(odd mode)에서 발생된다. 상기 병렬 라인들사이의 커플링은 동일 모드(even mode)와 불일치 모드로 표현될 수 있다. 상기 동일 모드는 두 라인이 동 위상으로 여자되는때(대개 위상차가 제로임) 발생되며, 상기 불일치 모드는 라인들이 180도 위상차로 여자되는때 발생된다. 마이크로스트립 회로에서, 동일 또는 불일치 모드가 전파되는 속도는 상이하다. 상기 손실은 박막 전도층(1.5마이크론 이하), 좁은 핑거 폭 그리고 갭 공간(어느하나 또는 모두가 5마이크론 이하) 그리고 샤프 코너가 사용되는때 더욱 증가한다. 인터디지탈 콘덴서를 통하여 강유전성 박막 손실을 측정하기 위한 스탠다드 과정은 다음과 같다. 상기에서 설명된 바와 같이, 약 0.5마이크론의 강유전성 박막이 마그네슘 산화물과 같은 낮은 손실 기판상에 증착된다. 다음에, 1마이크론 또는 2 이하인 두께를 가지는 전도층이 가장 작은 가능한 크기를 갖는 인터디지탈 콘덴서 생산을 허용하도록 증착된다. 핑거 폭(너비)와 갭 공간은 모두 대개 1-5㎛범위이다. 에치-백(etch-back) 또는 리프트-백(life-back) 기술이 샤프 코너를 갖는 좁고 긴 핑거를 형성하도록 사용된다. 상기 결과의 인터디지탈 콘덴서는 LRC 미터 또는 임피던스 또는 상기 콘덴서에 접촉하게 되는 탐침 선단(probe tips)을 갖는 네트워크 분석장치와 같은 광대역 측정 도구를 사용함을 특징으로 한다.
상기와 같은 과정을 사용하여, 0.2-1.5 pF 범위의 콘덴서가 얻어지는데, 약 500MHz-2GHz의 동작주파수, 어느 주파수에서도 10-100범위의 Q가 측정된다. 이같은 손실은 대개 전적으로 강유전성 박막의 선택이다. 상기와 같은 Q 값은 상당히 낮은 값이며, 결과적으로, 강유전성 튜닝가능 컴포넌트는 일반적으로 많은 용도의 경우 손실이 크며 허용될 수 없는 것으로 추정된다. 가령, 무선통신에서 100보다 큰, 그리고 바람직하게는 250보다 큰 Q 가 1.0 pF 근처 f-e 콘덴서의 경우 2GHz 범위의 주파수에서 필요하게 된다. 그러나 하기에서 설명되는 바와 같이, 종래의 생산과 손실 측정 기술은 상기 강유전성 박막의 탓으로 돌릴 수 있는 신뢰할 수 있는 실제 손실 측정값을 제공하지 못한다.
상기 식(1)에서 설명하는 바와 같이, 콘덴서 손실(튜닝가능하든 그렇지 않든간에)은 무선주파수(f>약 500MHz)에서의 직렬 손실 Rs에 비례하며, 이때 상기 콘덴서를 단락시키는 큰 병렬 저항의 영향은 무시해도 좋을 정도이다. 상기 콘덴서는 단지 하나의 소스가 있게되어 상기 직렬 손실의 소스가 무엇인가에 대하여는 관심을 갖지 않는다. 가령 1pF 강유전성 튜닝가능 콘덴서가 2GHz에서 허용될 수 있는 낮은 손실을 갖도록 하기 위해, 상기 직렬 손실은 0.32Ω이어야 한다. 상기 직렬 손실은 상기 콘덴서 사용으로부터 발생되는 모든 소스로부터의 전체 손실을 포함한다. 직렬 손실 소스들을 최소로하거나 제거시키기 위하여 먼저 존재하는 손실 메카니즘 각각을 설명하여야 한다. 이와 같이 하여 특히 강유전성 박막으로 인한 손실에 대한 더욱 정확한 결정이 가능하여지게 된다.
f-e 디바이스의 경우에 총 손실은 다음과 같은 소스 인자를 합하여 결정된다:
Lt=Lgeom+Lattach+Lmetal+Lsub+Lrad+Lmeas+Lf-e;
Lgeom은 콘덴서의 토폴로지(topology)로부터 기인하며,
Lattach는 디바이스 부착물에 의한 손실이고,
Lmetal는 총 금속 손실이며,
Lsub는 베이스 기판 손실이고(존재할 경우),
Lrad는 복사 손실이고,
Lmeas는 측정 에러로 발생한 총 손실이며,
Lf-e는 f-e 손실 탄젠트이다.
이러한 손실 할당은 f-e 축전기가 사용될 방식에서 필요한 작동 주파수에서 정확한 Lf-e값(또는 f-e tanδ)을 수득하는데 먼저 사용될 수 있다. Lf-e를 정확히 유도하기 위해서 앞서 언급된 다른 손실 인자 소스를 제거 또는 제한해야 한다. 가령 Lgeom는 토폴로지에 따라 변하는데 오버레이 축전기에서 최상이고 갭 축전기에서 나쁘고 IDC 축전기에서 최악이다. 이러한 손실은 감소 및 조절될 수 있을지라도 디바이스에서 고유하다. 결과적으로 주어진 f-e 축전기에 대한 토폴로지의 선택은 f-e 축전기로부터 수득 가능한 최선의 Qc에 영향을 준다. 무-손실 f-e 필름을 가정하여 전자기(EM) 소프트웨어는 필요한 기하학적 구조에 대한 기준선 손실을 확정할 수 있다. 이러한 기준선 손실은 주어진 기하학적 구조에 대해 최상(최저) 손실이다.
일반적으로 갭 축전기 제조가 가장 용이하다. IDC가 다음으로 쉽고 오버레이 축전기는 셋 중에서 가장 어렵다. IDC에 비해서 갭 축전기는 더 양호한 Q를 갖지만 단위면적 당 더 낮은 전기용량을 갖는다(도1a에서 W). IDC의 전기용량은 단위면적 당 다수의 핑거 사용으로 인해 더 크다. 그러나 많은 통신 필터 분야에서 큰 전기용량(C≥4.0pF)은 불필요하다. 따라서 갭 축전기가 종종 정확한 전기용량을 제공할 수 있다. 대부분의 f-e 필름의 경유 높은 고유 κ값은 전통적인 갭 축전기에 비해 비교적 높은 단위면적 당 전기용량(W)을 제공한다.
Lattach는 땜납, 은 페인트 또는 와이어 결합을 포함한 분리된 디바이스 부착 기술에서 발생한다. 이러한 부착 손실은 크고 예견할 수 없다. f-e 축전기를 공명기나 다른 RF 회로에 직접 조립하여 최저 손실이 달성되므로 이러한 손실 성분을 제거하지 않더라도 최소화 한다.
표준 단독 f-e 축전기의 고유 손실은 거의 중요하지 않다. 중요한 것은 f-e 축전기를 회로에 부착하는데 발생하는 손실이다. f-e 축전기가 무-손실일지라도 큰 손실을 일으키는 연결이 사용되어야 한다면 손실이 있는 f-e 디바이스가 형성될 것이다. 가령 1.0pF의 전기용량의 경우 2.0GHz에서 250 이상의 Q가 필요하면 전체 직렬 저항Rs는 0.32옴 이하가 되어야 한다. 따라서 추가 손실은 이러한 축전기의 Q를 더욱 감소시킨다. 이러한 추가 손실이 실제 축전기에 대해 외재적이다는 것은 무의미하다. 가령 장착으로 인한 손실과 같이 불가피한 손실 메카니즘조차 시스템에 미치는 효과로 인해 축전기의 유효 Q를 낮춘다.
최소한의 추가된 손실의 경우 f-e 축전기와 공명기 간의 연결은 최저의 추가된 저항을 제공하여야 한다. 따라서 f-e 축전기와 관련된 전류 및 전하는 최소한의 추가된 손실을 보여야 한다. 납땜, 와이어 결합이나 은 페인트 또는 페이스트와 같은 전통적인 결합 또는 장착 기술은 저 손실의 제어 가능한 결합을 제공하지 못한다.
이러한 결합 방법의 사용으로 발생한 예견 불능인 추가 손실은 f-e 축전기가 공명기 튜닝 목적이나 f-e 필름의 분석에 사용되는지 여부에 무관하게 Q를 저하 시킨다. 따라서 최상의 성능(최저 손실)을 위해 f-e 축전기가 공명기에 직접 형성되어야 하며 다른 필수 RF회로에 직접 형성되어야 한다. 직접적인 제조에 의해 f-e 튜닝 소자로부터 공명기로의 전자기 소스(전류)의 최소 손실 전달이 있을 수 있다. 공명기에 f-e 축전기의 직접 제조의 바람직한 효과는 예리한 코너나 전이부가 없으면 향상될 수 있다.
Lmetal인자는 금속의 표면 거칠기(SR), 스킨 깊이에 비교되는 금속 두께, δs, 및 전도도를 포함한다. L 및 S 밴드에서 작동 주파수(1-4GHz)의 경우 SR은 약 10마이크로 인치 미만의 rms라면 인자로서 SR은 효과적으로 제거될 수 있다. 두께가 1.5δs 이상이면 인자로서 금속 두께는 감소될 수 있고 두께가 5δs 이상이면 효과적으로 제거될 수 있다. 전극 접촉부의 경우 금속 두께(tm)는 약 1.5δs일 수 있다. 전자기 공명기의 경우 주행파나 정지파가 보완되는 경우, 즉 문제의 금속이 적절한 파장 비율(약 10% 이상)에 대해 연장되는 경우 금속 두께는 5δs 이상에 더 가까워야 한다.
Au, Cu 또는 Ag의 경우 전도도가 최상이다. 따라서 인자로서 Lmetal인자는 감소 또는 조절될 수 있지만 제거되지는 않는다. 그러나 그 효과는 당업자에게 공지된 관계식이나 Eagleware 또는 Touchstone과 같은 공지된 회호 시뮬레이터에서 이용 가능한 라인 계산기를 이용하여 계산될 수 있다. 게다가 정확한 제조 조절은 Lmetal에서 기하학적 변화를 제한할 수 있다.
Lsub인자는 작동 주파수에서 0.001 미만, 특히 0.0005 미만의 손실 탄젠트를 갖는 저 손실 기판을 선택하여 최소화될 수 있다. 적합한 재료는 >99% 순도의 알루미나를 포함하며 손실/비용 측면에서 최상의 선택이다. 사파이어나 MgO는 더 작은 손실 탄젠트를 갖는다는 측면에서 알루미나보다 양호하지만 더 비싸다. 이들 재료는 버퍼 층 없이도 많은 f-e 박막을 수용하며 추가 연마 없이 수용 가능한 표면 거칠기를 갖는다. 반도체 기판은 비교적 높은 전도도 때문에 선호되지 않는다. 손실 탄젠트, 표면 거칠기 및 가격 인자에 추가적으로 적합한 기판은 부서지기 쉬워서는 안되며 더 큰 면적의 웨이퍼로 제조될 수 있으며 과도한 예비 가공 없이도 쉽게 금속화될 수 있다.
복합 기판(f-e 필름+ 기판)의 총 손실로부터 Lsub인자의 분리는 EM장 또는 회로 시뮬레이션 소프트웨어에 의해 달성될 수 있다. 예컨대 Sonnet, Momentum 또는 IE3D가 사용될 수 있다. 따라서 Lsub인자는 크게 감소되거나 정확히 계산될 수 있다.
Lrad인자는 적절한 차폐나 디자인에 의해 제거될 수 있으므로 대체로 인자가 아니다. combline 또는 헤어핀과 같은 평면 필터를 포함한 다양한 필터는 필요한 성능 달성을 하는데 복사 커플링에 종속적이다. 이 경우 원치 않은 스트레이 커플링은 제거는 아닐지라도 감소되어야 한다.
Lmeas인자는 추가된 작은 손실이 테스트 중인 디바이스(DUT) 또는 시스템의 측정된 Q를 크게 감소시켜 DUT의 고유 Q를 모호하게 하므로 회로 손실 에러에 의미 있게 추가될 수 있다. 재료의 유전상수 및 손실 탄젠트를 측정하는 전통적인 방법은 공지된 공동 교란 기술이다. 그러나 L밴드에서 공동의 크기는 꽤 커진다. f-e 필름과 같은 1.5㎛ 이하의 필름 두께를 갖는 박막을 분석할 경우(벌크에 대해) 측정 에러가 심할 수 있으므로 문제가 더 곤란해진다. 게다가 사용되는 방법과 매우 유사한 방식으로 f-e 축전기(또는 필터)를 분석해야 한다. 따라서 f-e 필름을 분석하는데 선호되는 방법은 마이크로스트립 공명기 기술이다.
공명 회로 측정을 위해 네트워크 분석기가 선호된다. 네트워크 분석기를 사용하여 측정 손실을 최소화해서 가장 정확한 측정치를 얻기 위해 DUT 손실이 계산되어야 하고 분석기에 대해 완전 2 포트 보정이 수행되고 보정 및 측정에 대해 평균화가 사용되어야 한다.
디바이스 부착물, 기판, 복사 및 측정 에러 손실 성분의 최소화 또는 제거를 통해 총 손실은 다음과 같다:
Ltot=Lgeom+Lmetal+Lf-e+ΔLmisc
Ltot는 주어진 강유전성 축전기의 기하학적 구조에 관한 총 손실이고 Lgeom 및 Lmetal은 이 기하학적 구조에서 주요 부분이다. 이들의 존재는 특정 디바이스의 실제 손실 결정에 적절하지만 강유전성 물질 단독에 의한 손실을 결정하기 위해 정량화 및 제거될 수 있다. Lgeom은 무-손실 강유전성 물질을 가정하여 회로를 정확히 전자기 시뮬레이션 하여 결정될 수 있으며 Lmetal은 전도도, 표면 거칠기 및 스킨 깊이를 가정한 금속 손실에 대한 표현을 사용하여 결정될 수 있다. ΔLmisc은 Lgeom 및 Lmetal에 대해 유한 경계치를 갖는 다른 손실 메카니즘의 불완전한 제거의 조합을 나타낸다.
(a)모든 손실 메카니즘을 고려하고 (b)이들 손실을 제거 또는 제한하는 2-단계 과정은 강유전성 손실의 정확한 결정을 허용하며 저-손실 튜닝 가능한 성분에 대한 정확한 디자인 가이드라인 확립을 돕는다. Lf-e에 대한 정확한 지식은 고려중인 필름이 제안된 분야에 사용될 수 있는지 여부를 결정할 수 있게 한다. Lf-e에 대한 지식은 또한 강유전성 필름을 사용하여 최적의 디자인을 위한 가이드라인을 제공한다. 이러한 지식은 튜닝 가능성에 대한 손실 탄젠트를 효과적으로 교환하는데 필요하다. 요약하면 정확한 제조 및 측정 기술은 일정한 강유전성 필름 손실 분석을 가져온다.
이러한 손실 분석에 기초하여 저 손실 튜닝 가능한 강유전성 성분, 특히 강유전성 축전기가 다양한 분야에서 설계, 테스트 및 구현될 수 있다. (1)갭 축전기, (2)오버레이 축전기, (3) 인터디지탈 축전기에 대한 손실 분석에 기초한 디자인 절차 및 구현이 설명된다.
도2에서 튜닝 가능한 강유전성 갭 축전기(200)가 도시된다. 갭 축전기(200)는 기판 층(202), 강유전성 층(204), 전기용량 유도 갭(208)을 한정하는 금속 층(206)을 포함한다. 다음 디자인은 다른 소스로 인한 손실을 최소화하여 강유전성 필름(204)으로 인한 손실을 정확히 측정할 수 있게 한다. 동일한 방법이 다른 밴드에 적용될 수 있지만 무선 핸드세트에서 l-밴드(1-2GHz)의 작동 주파수를 가정한 다.
한 측면에서 기판(202)은 20-40mils의 두께를 갖는 순도 99.5% 알루미나 층이다. 표면 거칠기는 5마이크로 인치 rms 이하여야 한다. 강유전성 층(204)은 0.15-2.0마이크론의 두께를 갖는 바륨 스트론튬 티타네이트BaxSr1-xTiO3(BSTO) 필름이다. >1.0㎛ 두께의 필름을 사용하여 전기용량 및 튜닝 범위를 최대화할 수 있다.
Ba/Sr 비율, 도핑 및 어닐링 조절은 필요한 튜닝 범위를 제공하면서 최소 tanδ를 제공하도록 선택된다. 한 측면에서 실온 작동에서 x(BaxSr1-xTiO3에서)는 0.5이다. 또 다른 강유전성 물질이 사용될 수 있다. 금속 층(206)은 전극에 적용하기에 적합한 약 2.5㎛의 두께를 갖는다. 갭(208)은 폭이 30-80mils 이며 손실 감소를 최대화하기 위해 변부가 둥글게 되어야 한다. 갭(208)의 전기용량은 0볼트 DC바이어스에서 0.6-1.5pF이다.
EM시뮬레이션은 2GHz에서 약 1pF 전기용량의 경우 0.002의 손실 탄젠트를 가정하면 갭 축전기는 Q>700을, 0.005의 손실 탄젠트를 가정하면 갭 축전기는 Q>300을 가짐을 보여준다. 도3은 갭 폭, 강유전성 층 두께 및 전기용량 간의 관계를 보여주는 표이다. 이러한 데이터는 갭 축전기 테스트 회로 디자인에 유용하다. 도3의 결과는 0볼트 DC바이어스에서 1000의 유전상수를 갖는 0.5마이크론 두께의 강유전성 필름, 40mil 두께의 99.5%순도 알루미나 기판 층, f-e 필름의 경우 0.002의 손실 탄젠트를 가정한다.
본 발명에 따른 강유전성 오버레이 축전기(300)가 도4에 도시된다. 축전기(300)는 기판(310), 바이어스 패드 층(320), 강유전성 층(330), 축전기 패드 층(340)을 포함한다. 바이어스 패드 층(320)은 DC바이어스 패드를 한정하고 축전기 패드 층(340)은 축전기 패드(342)와 DC 차단 축전기 패드(344)를 한정한다.
한 측면에서 베이스 기판(310)은 20-40mils의 두께를 갖는 알루미나이다. 바이어스 패드 층(320)은 두께 100nm의 백금 층이 피복된 두께 2.0마이크론의 베이스 전극 은 층을 포함한다. 백금 층은 강유전성 층의 성장 동안 은 층이 산화되는 것을 방지한다. 층(320)은 0.5-1.0MΩ 저항을 연결하여 DC바이어스를 제공하기 위해 구축된 패드를 갖는다. 필요할 경우에 알루미나와 은 사이에 더 양호한 접착을 위해 얇은(10nm) 크롬 층이 배치될 수 있다. 강유전성 층(330)은 약 1마이크론 두께의 얇은 BSTO필름이다. 축전기 패드(342)는 8.0×4.0mils의 최소 면적을 가지며 4.0×4.0mils의 면적을 갖는 금이나 은 전극으로 토핑 된다. DC차단 축전기는 150-200pF 이상의 전기용량과 100×100마이크론의 면적을 갖는다. 접촉 패드의 총 면적은 최소7.0×8.0mils 이다.
오버레이 축전기는 0.8-1.5pF 최소 전기용량을 갖는다. 축전기(300)의 확대도인 도5에서 축전기(300)의 중첩 영역(350)은 매우 작다. 한 측면에서 중첩 영역(350)은 0.3×0.3mil의 크기를 갖는다. 이것은 0볼트 DC에서 약 1000의 BSTO유전상수와 약 1.0마이크론의 필름 두께에 기초한다. 패드(342,320)는 축전기 오버레이 영역(350)로부터와 영역으로 테이퍼 된다. 테이퍼는 1.0mil 거리에서 4.0-0.25mils 이다.
축전기(300)의 손실 타겟은 1.0pF의 경우 2.0GHz에서 350이상의 Q이다. 필요 할 경우 강유전성 필름(330)은 도핑, 어닐링 또는 버퍼 층의 사용에 의해 더욱 최적화 된다. 마지막으로 0-2.5볼트 바이어스 전압에서 변화의 경우 전기용량에서 변화는 2:1(50%)이상이어야 한다.
본 발명의 한 측면은 축전기 구조가 위의 실시예인 튜닝 가능한 강유전성 성분에 대한 최적의 구조 및 디자인이다. 또 다른 측면은 튜닝 가능한 강유전성 성분에서 손실을 정확히 분석하는 측정방법 및 장치이다. 이 방법은 공명기와 협대역 공명 회로의 사용에 관계한다. 측정되는 디바이스가 협대역 주파수에서 작동하도록 설계되므로 협대역 측정이 적절하다. 협대역(공명) 측정은 측정을 용이하게 하는 작은 손실 효과를 자연적으로 증진시키므로 선호되고 측정이 더욱 정확하다. 공지 방법은 협대역 디바이스에서는 부적절하고 부정확한 광대역 측정이 관련된다. 공명 회로를 테스트 하는 2개의 방법이 기술된다:2차 협대역 밴드패스 필터와 마이크로스트립 공명기 회로(반파나 1/4파).
도6은 2개의 강유전성 축전기(410,412)를 테스트 하는 공명 협대역 테스트 회로(400)를 보여준다. 이것은 2차 평면 combline 필터이다. 축전기(410,412)는 도1 및 도2의 구성이며 손실 성분을 최소화하도록 구성된다. 테스트 회로(400)는 하나의 2차 평면 combline 밴드패스 필터를 포함하며 축전기(410,412)와 직렬연결된 2개의 공명기(402,404)를 포함한다. 축전기(410,412)에 DC바이어스 전압이 적용된다. 축전기(410,412)는 기판에 직접 인쇄하거나 럼프 소자로 테스트를 위해 장착된다. DC차단 축전기(약 180pF의 전기용량을 갖는)는 도시되지 않는다. 럼프 구성에서 축전기는 납땜 되거나 은 페인트나 페이스트로 부착된다. 이것은 다양한 디바 이스의 사용을 허용하지만 장착 방법으로 인해 예견 불능이고 증가된 손실이 있다. 인쇄 구성에서 축전기는 기판에 직접 인쇄된다. 인쇄는 납땜이나 결합이 불필요하고 직접 제조로 인한 저 손실 때문에 유리하다. 그러나 사용될 수 있는 기판의 종류가 강유전성 필름의 존재로 인해 제한된다. DC차단 축전기는 도시되지 않는다.
네트워크 분석기에 연결된 입출력 라인(406,408)을 통해 응답이 측정된다. 공명기 센터 주파수f0의 측정은 실제 축전기 값의 결정을 허용하고(방정식1 참조) f0에서 삽입 손실은 축전기Q를 결정한다. 측정 후에 전기용량 및 Q값을 얻기 위해 회로 시뮬레이션이 사용될 수 있다.
전통적 테스트 방법에 비교되는 본 발명의 테스트 방법을 사용하여 수득된 테스트 결과에서 현저한 차이를 설명하기 위해서 도7이 참조된다. 도7의 표는 본 발명의 양수인인 Kyocera Wireless Corporation(KWC)과 계약 하에서 Naval Research Laboratory(NRL)(워싱턴 DC)에서 제조된 강유전성 인터디지털 축전기 샘플로부터 수득된 측정 데이터를 보여준다. 전통적인 방법(HP 4291B 임피던스 분석기와 Cascade Tech 마이크로파 프로브)을 사용하여 NRL에서 인터디지털 축전기 샘플로부터 취한 전기용량 및 Q가 신규 테스트 방법을 사용하여 KWC에서 동일한 샘플로부터 취한 측정치와 비교된다.
실험 목적으로 0.5-1.2pF의 전기용량; 약 5.0마이크론의 갭 간격; 150마이크론 이상의 핑거 폭; 0.5마이크론 두께의 강유전성 필름; 1.5-2.5마이크론의 금속 두께; 100마이크론 이상의 핑거 길이를 갖도록 인터디지털 축전기가 제조된다.
KWC테스트 회로는 회로(400)와 유사한 방식으로 구성된다. 이것은 약 1800MHz에서 공명하도록 구성된 2차 평면 Chebychev 밴드패스 필터이다. 인터디지털 축전기 샘플, 럼프 소자 축전기가 플립-칩 장착되고 은 페인트를 사용 부착된다. C1≠C2를 보정하도록 바이어스가 적용되는데, C1 및 C2는 필터 보정에 필요한 2개의 combline 밴드패스 필터 로딩 축전기이다.
C1은 C2와 같도록 할 것이나, 실제 C1=C2를 달성함이 용이하지 않다. C1≠C2인 일반적인 실시의 경우 이것이 교정되지 않는다면 대역통과 삽입 손실이 크게 증가하게 된다(Q 결정에 관한한).
베이스라인(baseline) 대역통과 삽입손실을 설정하기 위하여 0.6-0.8pF 범위의 높은 Q ATC와 AVX 칩 콘덴서가 사용된다. 이들 칩 콘덴서의 Q는 검사 주파수에서 600-800범위이었다. 이글웨어(Eagleware) 회로 시뮬레이터가 사용되어 상기 인터디지탈 콘덴서의 실제 정전용량과 Q를 결정하고 상기 측정된 데이터와 같은 공진 주파수와 대역통과 삽입 손실을 제공하도록 하였다.
도 7의 데이터는 모든 가능한 손실 컴포넌트들을 제거하기 위한 어떠한 시도도 하지 않은 경우여서, 기본적으로 가장 열악한 경우 Q 데이터라 할 것이다. 그와 같은 손실 컴포넌트 한가지가 라인과 인터디지탈 콘덴서 각각에서 상이한 접착(bonding)(Attachment)손실이다. 다른 한 컴포넌트로는 결과로 발생된 공진기 길이 미스매치, 콘덴서 위치 아래 마이크로스트립 객 개방 단부 영향, 그리고 인터디지탈 콘덴서 기본 기하구조로부터 발생되는 손실등이 있다. 이같은 경우 종래의 방법과 관련하여 본 발명을 사용하여 얻어진 Q 값의 차이는 더욱 주목할 만한 것이 다. 가령 알루미나 또는 MgO 기판을 사용하여 갭 콘덴서를 직접 생산하는 것과 같은 에러 소스의 개선 및 제거는 상 Q 데이터를 개선할 뿐이다.
협대역 공진 검사 회로와 같은 2차 대역통과 필터를 사용하게 되면 여러 가지 장점을 갖게된다. 콘덴서 데이터는 상기 동작 주파수에서 추출될 수 있다. 상기 기하구조는 단순하며, 반복가능하며 용이하게 생산될 수 있다. 상기 측정은 간단하며 상기 측정에 의해 추가되는 오류는 거의 없게된다. 상기 결과는 시뮬레이트된 결과와 쉽게 비교될 수 있다. 주목해야할 여러 가지 단점이 있기도하다. 상기에서 설명된 정전용량값의 차이는 상기 측정 데이터에서 손실이 증가된 것으로 나타날 수 있다. 그러나 바이어스 전압중 한 전압을 조금 조정하며 그와 같은 불일치를 보상시킬 수 있다. 또한 스트레이 정전용량과 커플링이 상기 얻어진 fo 및 Q 값에 영향을 미칠 수 있다. 상기의 영향들은 EM 필드 시뮬레이터를 통하여 설명될 수 있기도 하다. f-e 콘덴서를 균일하지 않게 장착하게 되면 I.L.로 직접 추가되는 두 공진기 전기길이의 다소간의 차이를 발생시킨다. 상기 f-e 캡의 오정렬은 결국 추가된 손실을 초래시킬 수 있으며, 더욱 낮은 Q 값을 확인시킬 뿐일 것이다.
2차 협대역 공진 검사 회로(450)의 또다른 실시예가 도 8에 도시된다. 검사 회로(450)는 동축의 공진기 튜닝가능 필터의 형태를 하는 것이나, 모노블록, 스트립라인 또는 마이크로스트립과 같은 다른 공진기들이 사용될 수 있기도 하다. 반복컨데, 강유전성 콘덴서(452)(454)가 등가로 합산되거나 프린트될 수 있다. 검사 회로(450)는 ¼ 파장 공진기(462)(464)를 더욱 포함할 수 있다. 비-강유전성 콘덴서(470)(C2)는 공진기(462)(464)들 사이에서 결합되며, 비-강유전성 콘덴서(472)(474)(C1)가 상기 공진기 바깥측에 결합된다. 상기와 같은 기본 구조는 종래의 고정-튜닝된 2차 용량적으로 결합 BPF이다.
회로(450)를 이용한 상기 측정 기술은 다음과 같아. BPF 성능은 f-e 콘덴서없이 먼저 측정되며, 다음에 f-e 콘덴서가 있는 상태에서 측정된다. 첫 번째 경우, 상기 공진기 중심 주파수 f01과 상기 필터의 삽입 손실 IL2이 강유전성 콘덴서 없이 먼저 측정된다. 두 번째 경우, 상기 공진기 중심주파수 f02와 상기 공진기 삽입 손실 IL2가 강유전성 콘덴서(452)(454)가 있는 상태에서 측정된다. f01이 항상 f02 보다 큼을 주목해야 할 것이며, 공진기(442)(444)들의 길이가 같은 동안은 IL2 는 항상 IL1 보다 큼을 주목해야 할 것이다. 상기 정전용량 Cfe는 f01-f02로부터 결정되며 Q(Cfe)가 정확하게 시뮬레이션과 비교하므로써 IL2-IL1으로부터 결정될 수 있다. 상기 f-e 콘덴서는 본래의 회로로 추가될 필요가 없다. 오히려, 기본이 되는 용량성으로 결합된 BPF가 어떠한 f-e 콘덴서 없이도 만들어질 수 있으며, 두 번째 BPF가 f-e 콘덴서로부터 직접 만들어질 수 있다. 이와 같이 하므로써 회로와 함께 f-e 콘덴서를 직접 만들 수 있도록 하므로(최소-추가-손실(minimum-added-loss)) 튜닝가능 검사 회로를 만들 수 있도록 한다.
선택적 검사 회로는 f-e 콘덴서와 함께 사용되는때 물리적으로 더욱 짧은 공진기(442)(444) 사용을 허용하도록 한다. 이와 같이 하므로써 상기 BPF가 f-e BPF 없을때와 같은 공진 주파수에서 또는 그에 가까운 주파수에서 BPF가 공진할 수 있 도록 한다. 상기와 같은 f-e 콘덴서 Q 추출방법이 사용되게 된다.
2차 검사 회로(450)는 2차 검사 회로(400)와 비교하여 몇가지 장점을 가진다. 회로(400)와 회로(450) 모두는 고유하게 협대역 구조를 가지나 상기 동축 공진기(462)(464)는 매우 높은 Q를 가질 수 있어서, 결과적으로 매우 낮은 삽입 손실을 가져보게 된다. 상기 고유 차폐(shielding) 작용으로 매우 적은 스트레이 커플링이 포함된다. 또한 회로(400)의 경우에서처럼, 검사 회로(450)는 일 검사회로일 뿐 아니라 실제 응용에서 대역통과 필터로 사용될 수 있기도 하다. 그러나, 회로(450)는 제조 및 검사하기가 조금 어렵다. 고정 설비장치가 중대하며 강유전성 콘덴서를 추가시키므로써 콘덴서 장착에 따른 추가의 손실을 발생시키게 된다. 이는 C1 및 C2를 실시하기 위해 사용된 동 회로에 강유전성 콘덴서를 직접 제조하고, 다음에 추가의 회로가 상기 강유전성 콘덴서없이 만들어질 수 있도록 하므로써 극복될 수 있다.
상기 검사회로 및 방법은 두 개가 아닌 단일 공진기를 사용하여 더욱 단순하여질 수 있다. 이와 같이 하므로써 콘덴서 미스매치의 문제를 없애게 된다. 사익 결과의 회로는 견고하며 모델을 만들기가 더욱 용이하고 에러가 발생될 여지가 줄어든다. 도 7에 도시된 결과가 인터디지탈 콘덴서에 대한 검사 결과이지만, 갭 또는 오버레이 콘덴서가 인터디지탈 콘덴서보다 더욱 큰 Q 값을 가질 수 있기 때문에 마찬가지로 유익하게 사용될 수 있다.
가장 간단한 형태로 갭이 결합된 마이크로스트립 공진기로 이루어진 검사 회로(500)가 도 9에서 도시된다. 회로(500)는 낮은 손실 기판(502), 그리고 갭(508) 에 의해 입력 라인(506)으로부터 분리된 마이크로스트립 공진기(504)로 구성된다. 강유전성 박막이 갭(508)에 증착되어 강유전성 갭 콘덴서를 발생시키도록 한다. 따라서, 공진기(604)와 갭 콘덴서가 단순하고 집적된 구조로 만들어진다. 선택에 따라, 강유전성 재료가 상기 공진기(504) 아래에서 증착되며, 튜닝가능 공진기를 발생시키게 된다.
기판(502)은 고 품질이어야 하며, 마그네슘 산화물 99% 이상 순도의 알루미나 그리고 사파이어와 같이 손실이 낮은 기판이어야 한다. 기판(502)은 또한 낮은 S.R(5.0μ인치 이하)을 가져야 한다. 공진기(504)는 반파(개방회로) 또는 ¼파(단락회로) 공진기일 수 있다. 반파 공진기는 제조기간이 오래 소요되나 제조가 용이한 반면, ¼파 공진기는 제조기간이 짧지만 제조가 비교적 용이하지 않은 면이 있다. 갭(508)의 길이는 임계-커플링가까이에서 선택된다.
네트워크 분석기가 정전용량과 Q 측정을 위해 사용된다. 갭 정전용량의 모델과 금속 손실에 대한 표시는 기판의 Q와 강유전성 박막의 Q에 대한 합인 유전체 Q를 추출하도록 사용된다. 따라서, 기판의 Q에 대한 추가 손실이 유전성 박막의 손실을 나타내게 된다. 마지막으로, "스트립-라인 공진기 Q 측정 데이터 리덕션 방법(Data Reduction Method for Q Measurements of Strip-Line Resonators)", IEEE Transactions in MTT, S. Toncich and R.E. Collin Vol. 40, No. 9, Sept. 1992, pp. 1833-1836에서 설명되는 바와 같이, 상기 측정된 데이터에 대한 적절한 분석이 검사중인 콘덴서 Q 또는 손실을 정확하게 추출하기위해 요구되어 진다.
도 6-8에서 설명된 2차 협대역 공진기 검사 방법을 도 9에서 설명된 갭이 결 합된 단일 공진기 검사 방법 및 회로와 비교함은 유익하므로 하기 설명한다. 상기 갭이 결합된 단일 공진기는 작고, 단순하여 제조하기가 매우 용이하다. 또한 입력과 출력 콘덴서 C1의 어떠한 가능한 미스매치에 대하여도 튜닝을 필요로 하지 않는다. 그러나 전체 기판과 결합 콘덴서 손실로부터 강유전성 손실 탄젠트를 추출해내는 것은 쉬운일이 아니다. 반면, 2차의 공진기 회로는 검사 회로가 되는 것 외에 실제 장치일 수 있다. 또한 상기 측정된 데이터를 시뮬레이션 데이터 또는 높은 Q를 갖는 Q-강유전성 콘덴서를 사용하여 얻어진 데이터와 비교하는 것이 매우 용이하다. 상기 2차 회로 단점은 이득이 부피가 크고, 더욱 복잡한 회로이며 강유전성 콘덴서에 대한 더욱 많은 튜닝이 최소 삽입 손실을 얻어내기 위해 요구될 수 있다는 것이다.
도 10a 및 10b는 바람직한 협대역 공진 검사회로(600)를 도시한 것이다. 회로(600)는 단일 공진기 대역통과 필터 형태를 한다. 회로(600)에 대한 개략도인 도 10a에서, 공진기(620)에 결합된 회로(600)는 강유전성 콘덴서를 포함한다. 콘덴서9630)(640)(C1)는 상기 공진기를 상기 측정 기구에 결합시키는 입력과 출력 콘덴서이다.
도 10b는 회로(600)의 평면도이다. 도시된 바와 같이, 콘덴서(610)와 공진기(620)는 집적된 컴포넌트로서 만들어진다. 강유전성 박막(616)은 손실이 낮은 기판(602)상에 증착된다. 공진기(620)와 전도 패드(612)는 강유전성 박막(616)에서 갭(614)만큼 떨어져서 강유전성 갭 콘덴서(610)를 만들도록 한다. DC 바이어스 전압은 패드(612)로 가해지며 바이어스 저항기(625)를 포함할 수 있다. DC 차단 콘덴서(618)가 패드(612)와 접지사이에서 연결된다. 콘덴서(630)(640)는 콘덴서 갭을 형성하기 위해 공진기(620)로부터 떨어져 있는 기판(602)상에 증착된 전도 스트립(632)(642)에 의해 실현된다.
한 실시예에서, 기판(602)은 99.5% 순도 알루미나로부터 형성되며 약 40밀(mils)의 두께와 약 5.0μ인치의 SR을 갖는다. 강유전성 박막(616)은 약 1.0㎛의 두께를 가지며 갭 콘덴서(610) 영역에서만 증착된다. 마이크로 스트립(612)(620)은 4-6㎛의 두께를 가지며 약 10㎛만큼 떨어져서 갭(614)을 만들도록 한다. 공진기(620)의 길이는 전체 구조(콘덴서(610)와 공진기(620))가 바람직한 주파수 대역에서 공진하도록 선택된다. 한 실시예에서, 공진기(620)는 ¼파 공진기이다. 만약 특정 공진 주파수가 요구되거나 필요하다면 또다른 제조 사이클이 상기 공진 주파수를 미세 튜닝하기 위해 사용될 수 있다.
공진기(620)는 마이크로 스트립, 동축 또는 스트립라인 공진기로서 구성될 수 있다. 평면 마이크로스트립 구성은 그것이 회로(600)로부터 정전용량과 Q값에 대한 보다 용이한 추출을 가능하게 하기 때문에 바람직하다. 집적된 컴포넌트 구조의 사용(즉, 공진기(620)/콘덴서(610)와 같은 집적된 갭 콘덴서를 갖는 공진기)은 등가 합산 엘리먼트 콘덴서에 의해 발생되는 손실 및 에러등을 측정하는 것이 용이하지 않으며 예측할 수 없는 것이어서 이들이 제거되기 때문에, 분리된 공진기와 등가 합산 엘리먼트 콘덴서와 비교하여 바람직하다.
회로(600)와 같이 단일 공진기 대역통과 검사회로를 사용하는 검사방법은 다음과 같이 진행된다. 먼저 집적된 갭 콘덴서를 갖는 단일 공진기 대역통과 필터 검사회로가 상기 설명된 바와 같이 만들어진다. 정밀 박막 제조 및 처리기술이 바람직한 기하학적 구조와 특성이 달성되도록 하기 위해 사용되어야 한다. 바람직하게는, 허용오차가 ±0.5마이크론 범위인 기술이 사용되어야 한다. 일단 회로가 만들어지게 되면, 중심주파수 fo 와 삽입 손실 ILo가 측정된다. 바람직하게는, 이들 측정이 전 2단자 측정에 의해 측정된 네트워크 분석기를 사용하고 그리고 평균치를 사용하여 얻어지게 된다.
다음에 같은 회로가 Sonnet, IE3D 또는 Momentum과 같은 전자기장 시뮬레이션 도구에서 디자인되고 분석된다. 처음에는, 상기 시뮬레이션이 상기 강유전성 박막(즉, 제로 손실 탄젠트)으로 인해 아무런 손실을 받지 않는다. 상기 강유전성 유전율이 다음에 상기 갭 영역내에서 조정되어 상기 검사회로에서 측정된 바와 같은 동일한 중심주파수 fo를 제공하도록 한다. 다음에 ILo가 강유전성 갭 콘덴서만에 대하여 측정하여진다. 다음에 상기 측정값이 상기 시뮬레이션에서 사용되어 상기 금속과 결부된 손실 컴포넌트 Lmetal을 설명할 수 있도록 한다. 다음에, 또다른 회로 시뮬레이션이 실행되나, 이번에는 제로가 아닌 손실 탄젠트를 사용한다. 한 실시예에서, 0.003 손실 탄젠트가 사용되며 ILo가 다시 계산된다. 이같은 반복처리는 상기 검사회로로부터의 상기 측정된 삽입 손실이 얻어져서, 이에 의하여 상기 회로에 대한 손실 탄젠트, 그리고 검사된 특정 구조로 인한 손실 컴포넌트 Lgeom(본 실시 경우, 갭 콘덴서)에 대한 정확한 근사값을 결정할 수 있을 때까지 반복된다.
상기 SR-BPF에 대한 베이스라인 성능은 f-e 박막없이 회로를 제조하므로써 설정될 수 있다. 상기 결과의 공진 주파수는 물론 상기 적재 콘덴서(610)의 부피가 작기 때문에 더욱 높을 것이다. 이같은 결과가 전체 형상과 상기 SR-BPF 주파수 응답에 대한 정확한 정보를 제공하도록 한다.
회로(600)는 강유전성 갭 콘덴서에 의해 발생된 손실을 측정하기 위한 정확한 메카니즘일 뿐 아니라 무선 핸드셋과 같은 광범위 응용에서 실시될 수 있는 저 손실 튜닝가능 필터를 위한 기본 빌딩 블록일 수도 있다. 본 실시예에서와 같이 구성된 협대역 공진 회로는 전형적인 RF 트랜시버 많은 컴포넌트의 효율을 향상시키고 튜닝가능성을 추가하도록 사용될 수 있다. 본 발명이 실시될 수 있는 RF 컴포넌트의 예로는 듀플렉서, 격리기, 정합 회로, 전압 증폭기, 멀티플렉서, 대역 통과 필터 그리고 저 잡음 증폭기 등이 있다. 각 엘리먼트가 튜닝가능해지므로써 멀티-대역 모드를 수용하기 위해 멀티 회로 블록을 사용할 필요가 없어진다. 필요하다면, 상기 공진 회로가 적절한 방식으로 직렬연결되어 바람직한 필터 및 시스템을 만들 수 있으며, 제조비용과 크기를 줄이면서 시스템 성능을 크게 개선시키게 된다. 전형적인 무선 핸드셋(핸드폰) 많은 컴포넌트들이 튜닝가능성으로부터 바람직한 기능을 달성할 수 있게 된다.

Claims (36)

  1. 강유전성 콘덴서와 결부된 강유전성 손실을 결정하는 방법에 있어서, 상기 강유전성 손실 결정 방법은,
    강유전성 콘덴서를 협대역 공진 회로로 연결하는 단계,
    네트워크 분석기를 이용하여 상기 협대역 공진 회로와 강유전성 콘덴서의 중심 주파수(f0) 및 삽입 손실(ILo)을 측정하는 단계,
    시뮬레이션 도구를 이용하여 상기 협대역 공진 회로의 시뮬레이션 회로를 생성하는 단계;
    상기 협대역 공진 회로의 전도도(conductivity), 표면 거칠기, 및 스킨 깊이를 이용하여 금속 손실(Lmetal)을 계산하는 단계;
    상기 시뮬레이션 도구를 이용하여 상기 시뮬레이션 회로의 제 1 시뮬레이션을 수행하는 단계로서, 여기서 강유전성 손실 탄젠트(Lf-e)는 0(제로)이고, 시뮬레이션 회로 삽입 손실(Lsimulation total)이 상기 삽입 손실(ILo)과 동일한 것이 특징인 제 1 시뮬레이션 수행 단계를 포함하되, 상기 제 1 시뮬레이션 수행단계는,
    상기 제 1 시뮬레이션이 상기 중심 주파수(f(o))와 동일한 시뮬레이션 된 중심 주파수를 제공할 때까지, 상기 시뮬레이션 회로의 갭 영역의 강유전성 절연 상수를 조절하는 단계, 그리고
    Lsimulation total=Lf-e + Lgeom + Lmetal의 제 1 식에 따라 기하학적 손실(Lgeom)을 결정하는 단계를 포함하며,
    상기 강유전성 손실 결정 방법은, 반복적인 제 2 시뮬레이션을 수행하는 단계를 더 포함하되,
    상기 시뮬레이션 회로 삽입 손실(Lsimulation toatal)이 상기 삽입 손실 (Lo)과 동일해질 때까지, 상기 제 1 식에 따라 상기 강유전성 손실 탄젠트(Lf-e)에 대해 반복되는 값이 사용되고,
    상기 반복적인 제 2 시뮬레이션의 최종 반복에 의한 상기 손실 탄젠트(Lf-e)가 상기 강유전성 콘덴서의 강유전성 손실의 근사치를 제공하는 것을 특징으로 하는 강유전성 손실 결정 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 강유전성 콘덴서는 갭 콘덴서이고,
    상기 갭 콘덴서와 결합된 공진기를 포함하는 집적된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실을 결정하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 집적된 구조가 갭에 의해 분리된 기판상에 증착된 전도성 스트립, 그리고 상기 갭 아래에 위치한 강유전성 재료 박막을 포함함을 특징으로 하는 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실을 결정하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 강유전성 콘덴서가 인터디지탈 콘덴서, 갭 콘덴서 그리고 오버레이 콘덴서로 이루어진 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실을 결정하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 협대역 공진회로가 상기 강유전성 콘덴서를 만들기 위해 갭을 가지는 마이크로스트립 공진기를 포함함을 특징으로 하는 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실을 결정하는 방법.
  7. 제 1 금속 스트립을 포함하는 제 1 전도 표면,
    제 2 금속 스트립을 포함하는 제 2 전도 표면으로서, 상기 제 1 및 제 2 전도 표면이 콘덴서를 구성하는 것이 특징인 상기 제 2 전도 표면,
    상기 제 1 및 제 2 금속 스트립 사이에 위치한 강유전성 재료,
    상기 강유전성 재료의 가변 유전율 및 인가된 전압에 응답하여, 상기 콘덴서의 정전용량을 변경하도록 상기 강유전성 재료에 연결된 가변 전압 라인
    을 포함함을 특징으로 하는 튜닝가능 강유전성 콘덴서.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 7 항에 있어서, 상기 강유전성 재료가 바륨 스트론튬 티탄산염임을 특징으로 하는 튜닝가능 강유전성 콘덴서.
  14. 제 7 항에 있어서, 상기 강유전성 재료가 1 ㎛의 두께를 가지는 박막을 포함하며, 상기 제 1 금속 스트립과 제 2 금속 스트립은 2-3 ㎛의 두께를 가짐을 특징으로 하는 튜닝가능 강유전성 콘덴서.
  15. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서가 마이크로스트립 갭 콘덴서임을 특징으로 하는 튜닝가능 강유전성 콘덴서.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 전도 표면과 제 2 전도 표면이 2.5마이크론의 폭 또는 너비의 갭에 의해 분리됨을 특징으로 하는 튜닝가능 강유전성 콘덴서.
  17. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서가 오버레이 콘덴서임을 특징으로 하는 튜닝가능 강유전성 콘덴서.
  18. 삭제
  19. 강유전성 콘덴서(610)와 결부된 강유전성 손실을 검사하는 협대역 공진 회로(600)에 있어서, 상기 협대역 공진 검사회로는,
    기판(602)에 증착된 강유전성 필름(616), 그리고
    상기 기판(602)에 마이크로스트립으로 형성되고 갭(614)에 의해 분리된 제 1 전도성 패드(612)와 공진기(620)를 포함하되,
    상기 갭(614)에 강유전성 필름(616)이 배치되고,
    상기 강유전성 콘덴서(610)는 상기 강유전성 필름(616), 상기 제 1 전도 패드(612) 및 상기 갭(614)에 인접한 상기 공진기(620)의 마이크로스트립의 일부를 포함하며, 상기 협대역 공진 회로는,
    상기 기판(602)에 형성되고, 입력 콘덴서(630)를 형성하도록 제 2 갭에 의해 상기 공진기(620)로부터 분리된 제 1 전도 스트립(632),
    상기 기판(602)에 형성되고, 출력 콘덴서(640)를 형성하도록 제 3 갭에 의해 상기 공진기(620)로부터 분리된 제 2 전도 스트립(642)으로서, 상기 제 1 및 제 2전도 스트립(632, 642)은 상기 공진기(620)를 측정 기구에 연결하며,
    상기 강유전성 콘덴서(610)의 전기용량을 변경하기 위해 상기 제 1 전도 패드(612)에 연결되는 가변 전압원(VDC), 그리고
    접지 패드와 상기 제 1 전도 패드(612) 사이에 연결된 차단 콘덴서(618)
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 협대역 공진 검사회로.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 강유전성 콘덴서(610)와 결부된 손실이,
    상기 제 1 및 제 2 전도 스트립(632, 642)에 네트워크 분석기를 연결하는 단계; 그리고
    상기 협대역 공진 검사회로(600)에 대해 중심 주파수(f(o)) 및 삽입 손실(IL(o))을 획득하는 단계;
    삽입 손실의 손실 컴포넌트(Lmetal 및 )를 결정하는 회로 시뮬레이션 도구에서 상기 협대역 공진 검사회로를 분석하는 단계로서, 상기 손실 컴포넌트(Lmetal)는 상기 협대역 공진 검사회로(600)의 전도성 금속 컴포넌트에 의한 총 금속 손실이고, 상기 손실 컴포넌트(Lgeom)는 강유전성 콘덴서(610)의 기하학적 토폴로지에 의한 손실인 것이 특징인 검사회로 분석 단계, 그리고
    상기 강유전성 콘덴서(610)와 결부된 손실(Lf-e)을 결정하도록 상기 협대역 공진 검사회로(600)에 대해 획득된 삽입 손실(ILo)로부터 손실 컴포넌트(Lmetal, Lgeom)를 뺄셈하는 단계
    를 포함하는 방법에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 협대역 공진 검사회로.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
KR1020037013372A 2001-04-11 2002-04-02 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실 결정 방법 및튜닝가능 박막 강유전성 장치 KR100942134B1 (ko)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28309301P 2001-04-11 2001-04-11
US60/283,093 2001-04-11
US09/904,631 2001-07-13
US09/904,631 US6690251B2 (en) 2001-04-11 2001-07-13 Tunable ferro-electric filter
US09/912,753 2001-07-24
US09/912,753 US6639491B2 (en) 2001-04-11 2001-07-24 Tunable ferro-electric multiplexer
US09/927,732 2001-08-08
US09/927,732 US6690176B2 (en) 2001-04-11 2001-08-08 Low-loss tunable ferro-electric device and method of characterization
US09/927,136 2001-08-10
US09/927,136 US6825818B2 (en) 2001-04-11 2001-08-10 Tunable matching circuit
PCT/IB2002/001027 WO2002084310A1 (en) 2001-04-11 2002-04-02 Low-loss tunable ferro-electric device and method of characterization

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040014493A KR20040014493A (ko) 2004-02-14
KR100942134B1 true KR100942134B1 (ko) 2010-02-16

Family

ID=36806192

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037013373A KR100976339B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-02 튜닝식 강유전체 필터
KR1020037013374A KR100798616B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-02 튜닝식 멀티플렉서
KR1020037013372A KR100942134B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-02 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실 결정 방법 및튜닝가능 박막 강유전성 장치
KR1020037013377A KR101110382B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-04 강유전성 안테나 및 무선통신 안테나 주파수 튜닝방법

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037013373A KR100976339B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-02 튜닝식 강유전체 필터
KR1020037013374A KR100798616B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-02 튜닝식 멀티플렉서

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037013377A KR101110382B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-04 강유전성 안테나 및 무선통신 안테나 주파수 튜닝방법

Country Status (3)

Country Link
US (29) US6690251B2 (ko)
KR (4) KR100976339B1 (ko)
CN (3) CN101136618B (ko)

Families Citing this family (637)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU6531600A (en) 1999-08-27 2001-03-26 Lex Kosowsky Current carrying structure using voltage switchable dielectric material
US7446030B2 (en) * 1999-08-27 2008-11-04 Shocking Technologies, Inc. Methods for fabricating current-carrying structures using voltage switchable dielectric materials
US20100044080A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-25 Lex Kosowsky Metal Deposition
US7825491B2 (en) * 2005-11-22 2010-11-02 Shocking Technologies, Inc. Light-emitting device using voltage switchable dielectric material
US7695644B2 (en) * 1999-08-27 2010-04-13 Shocking Technologies, Inc. Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles
US20120195018A1 (en) * 2005-11-22 2012-08-02 Lex Kosowsky Wireless communication device using voltage switchable dielectric material
WO2002009226A1 (en) * 2000-07-20 2002-01-31 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US8064188B2 (en) 2000-07-20 2011-11-22 Paratek Microwave, Inc. Optimized thin film capacitors
US7865154B2 (en) 2000-07-20 2011-01-04 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US8744384B2 (en) 2000-07-20 2014-06-03 Blackberry Limited Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US6801104B2 (en) * 2000-08-22 2004-10-05 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable combline filters tuned by tunable dielectric capacitors
US6683513B2 (en) * 2000-10-26 2004-01-27 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable RF diplexers tuned by tunable capacitors
TW503345B (en) * 2001-03-26 2002-09-21 Mediatec Inc Power controller
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US7154440B2 (en) * 2001-04-11 2006-12-26 Kyocera Wireless Corp. Phase array antenna using a constant-gain phase shifter
US7394430B2 (en) * 2001-04-11 2008-07-01 Kyocera Wireless Corp. Wireless device reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US7174147B2 (en) * 2001-04-11 2007-02-06 Kyocera Wireless Corp. Bandpass filter with tunable resonator
US7221243B2 (en) * 2001-04-11 2007-05-22 Kyocera Wireless Corp. Apparatus and method for combining electrical signals
US7746292B2 (en) * 2001-04-11 2010-06-29 Kyocera Wireless Corp. Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US7164329B2 (en) * 2001-04-11 2007-01-16 Kyocera Wireless Corp. Tunable phase shifer with a control signal generator responsive to DC offset in a mixed signal
WO2002083549A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-24 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Printed circuit board integrated switch
US6897704B2 (en) * 2001-05-25 2005-05-24 Thunder Creative Technologies, Inc. Electronic isolator
TR200401020T4 (tr) * 2001-07-11 2004-06-21 Ttpcom Limited Bir mobil telekomünikasyon cihazı için verici
JP2003051751A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Hitachi Ltd 電子部品および無線通信機
JP2003124754A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Hitachi Ltd 高周波増幅器
US6674321B1 (en) * 2001-10-31 2004-01-06 Agile Materials & Technologies, Inc. Circuit configuration for DC-biased capacitors
US6683341B1 (en) * 2001-12-05 2004-01-27 Agile Materials & Technologies, Inc. Voltage-variable capacitor with increased current conducting perimeter
US20040259316A1 (en) * 2001-12-05 2004-12-23 Baki Acikel Fabrication of parallel plate capacitors using BST thin films
US7236068B2 (en) * 2002-01-17 2007-06-26 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable combine filter with asymmetric response
JP3972663B2 (ja) * 2002-01-22 2007-09-05 松下電器産業株式会社 高周波信号受信装置
US7176845B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-13 Kyocera Wireless Corp. System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band
US7180467B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-20 Kyocera Wireless Corp. System and method for dual-band antenna matching
US7184727B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-27 Kyocera Wireless Corp. Full-duplex antenna system and method
JP2003258520A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Toshiba Corp 電子機器およびアンテナ実装方法
US20040008140A1 (en) * 2002-04-15 2004-01-15 Sengupta Louise C. Frequency agile, directive beam patch antennas
US6842144B2 (en) * 2002-06-10 2005-01-11 University Of Florida Research Foundation, Inc. High gain integrated antenna and devices therefrom
JP4010881B2 (ja) * 2002-06-13 2007-11-21 新光電気工業株式会社 半導体モジュール構造
US6784766B2 (en) * 2002-08-21 2004-08-31 Raytheon Company MEMS tunable filters
US7224366B2 (en) * 2002-10-17 2007-05-29 Amx, Llc Method and system for control system software
JP4027935B2 (ja) * 2002-11-01 2007-12-26 富士通株式会社 制御装置および制御方法
US7010279B2 (en) * 2002-11-27 2006-03-07 Broadcom Corporation Radio frequency integrated circuit electro-static discharge circuit
CN1774836B (zh) * 2002-12-09 2010-09-08 科里多系统公司 发射表面波至单导体传输线的方法及装置
US6944427B2 (en) * 2003-01-31 2005-09-13 Motorola, Inc. Reduced crossmodulation operation of a multimode communication device
US20040178867A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-16 Rahman Mohammed Mahbubur LTCC based electronically tunable multilayer microstrip-stripline combline filter
US7048992B2 (en) * 2003-02-05 2006-05-23 Paratek Microwave, Inc. Fabrication of Parascan tunable dielectric chips
US20050116797A1 (en) * 2003-02-05 2005-06-02 Khosro Shamsaifar Electronically tunable block filter
US20040224649A1 (en) * 2003-02-05 2004-11-11 Khosro Shamsaifar Electronically tunable power amplifier tuner
US20040183626A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Qinghua Kang Electronically tunable block filter with tunable transmission zeros
US6815958B2 (en) * 2003-02-07 2004-11-09 Multimetrixs, Llc Method and apparatus for measuring thickness of thin films with improved accuracy
DE60305637T2 (de) * 2003-03-19 2007-05-03 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Schaltbare Antennenanordnung
DE602004011489T2 (de) * 2003-03-19 2009-01-22 Nxp B.V. Mikrostreifenfilter kurzer länge
US7012483B2 (en) 2003-04-21 2006-03-14 Agile Materials And Technologies, Inc. Tunable bridge circuit
JP2004328128A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Alps Electric Co Ltd アンテナ装置
US7049906B2 (en) * 2003-05-29 2006-05-23 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Quad band antenna interface modules including matching network ports
US20040242289A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-02 Roger Jellicoe Configuration driven automatic antenna impedance matching
US7720443B2 (en) 2003-06-02 2010-05-18 Kyocera Wireless Corp. System and method for filtering time division multiple access telephone communications
JP3839421B2 (ja) * 2003-07-03 2006-11-01 松下電器産業株式会社 高周波増幅回路およびそれを用いた移動体通信端末
JP3839001B2 (ja) * 2003-07-28 2006-11-01 埼玉日本電気株式会社 携帯無線機
JP4292914B2 (ja) * 2003-08-07 2009-07-08 パナソニック株式会社 携帯受信装置とこれに用いる分波器
US7280590B1 (en) * 2003-09-11 2007-10-09 Xilinx, Inc. Receiver termination network and application thereof
US7030463B1 (en) 2003-10-01 2006-04-18 University Of Dayton Tuneable electromagnetic bandgap structures based on high resistivity silicon substrates
US7197291B2 (en) * 2003-10-03 2007-03-27 Motorola, Inc. Multimode receiver and method for controlling signal interference
US6989785B2 (en) * 2003-10-06 2006-01-24 General Motors Corporation Low-profile, multi-band antenna module
US7719392B2 (en) * 2003-10-20 2010-05-18 University Of Dayton Ferroelectric varactors suitable for capacitive shunt switching
US7692270B2 (en) * 2003-10-20 2010-04-06 University Of Dayton Ferroelectric varactors suitable for capacitive shunt switching
US20070069264A1 (en) * 2003-10-20 2007-03-29 Guru Subramanyam Ferroelectric varactors suitable for capacitive shunt switching and wireless sensing
US7250626B2 (en) * 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
DE10352642B4 (de) * 2003-11-11 2018-11-29 Snaptrack, Inc. Schaltung mit verringerter Einfügedämpfung und Bauelement mit der Schaltung
JP4412977B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-10 京セラ株式会社 可変コンデンサ
WO2005057719A1 (ja) * 2003-12-08 2005-06-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 分波器および合波器
KR100549967B1 (ko) * 2003-12-10 2006-02-08 한국전자통신연구원 초고주파 가변 소자용 강유전체 에피택셜 박막 및 이를이용한 초고주파 가변 소자
US7161440B2 (en) * 2003-12-11 2007-01-09 Seiko Epson Corporation Temperature compensation circuit
US7167058B2 (en) * 2003-12-11 2007-01-23 Seiko Epson Corporation Temperature compensation for a variable frequency oscillator without reducing pull range
FI121037B (fi) * 2003-12-15 2010-06-15 Pulse Finland Oy Säädettävä monikaista-antenni
WO2005076408A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-18 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Tunable arrangements
CN100530987C (zh) * 2004-03-04 2009-08-19 株式会社村田制作所 天线装置及使用该天线装置的无线电通信设备
KR20050089604A (ko) * 2004-03-05 2005-09-08 주식회사 팬택앤큐리텔 이동통신 단말기에서의 알에프 신호 특성 보상 장치
US20050195541A1 (en) * 2004-03-05 2005-09-08 Hsiao-Chin Chen Load and matching circuit having electrically controllable frequency range
US7257383B2 (en) 2004-03-08 2007-08-14 Broadcom Corporation Method and system for improving dynamic range for communication systems using upstream analog information
WO2005089051A2 (en) * 2004-03-15 2005-09-29 Energenius, Inc. Thin-film ferroelectric microwave components and devices on flexible metal foil substrates
WO2005088833A1 (ja) * 2004-03-16 2005-09-22 Hitachi Metals, Ltd. 高周波回路及び高周波部品
US20050206482A1 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Dutoit Nicolaas Electronically tunable switched-resonator filter bank
JP4499457B2 (ja) * 2004-03-25 2010-07-07 日本電波工業株式会社 水晶発振器
US7180646B2 (en) * 2004-03-31 2007-02-20 Intel Corporation High efficiency micro-display system
US7058531B2 (en) * 2004-03-31 2006-06-06 International Business Machines Corporation Temperature compensation in maximum frequency measurement and speed sort
DE102004021153B3 (de) 2004-04-29 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Ultra-Breitband-Signalverstärker
US20050255812A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. RF front-end apparatus in a TDD wireless communication system
US7928914B2 (en) * 2004-06-21 2011-04-19 Motorola Mobility, Inc. Multi-frequency conductive-strip antenna system
JP2006050543A (ja) * 2004-07-07 2006-02-16 Hitachi Metals Ltd 非可逆回路素子
US7248845B2 (en) * 2004-07-09 2007-07-24 Kyocera Wireless Corp. Variable-loss transmitter and method of operation
KR100918160B1 (ko) * 2004-07-26 2009-09-17 키오세라 와이어리스 코포레이션 양방향 안테나 시스템 및 방법
US7333057B2 (en) * 2004-07-31 2008-02-19 Harris Corporation Stacked patch antenna with distributed reactive network proximity feed
TWI239116B (en) * 2004-09-01 2005-09-01 Ind Tech Res Inst Dual-band bandpass filter
US20060055603A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Joseph Jesson Concealed planar antenna
JP2008514050A (ja) * 2004-09-14 2008-05-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 過電圧保護デバイス並びに無線周波数受信器及びそのようなデバイスを有する無線周波数識別タグ
US7679461B2 (en) * 2004-10-11 2010-03-16 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Varactor device with reduced temperature dependence
KR100714163B1 (ko) * 2004-10-12 2007-05-02 삼성전자주식회사 내장형 안테나를 갖는 휴대용 무선단말기의 안테나 매칭장치 및 방법
US20090115525A1 (en) * 2004-10-22 2009-05-07 University Of Florida Research Foundation, Inc. Frequency tunable low noise amplifier
MX2007005483A (es) * 2004-11-05 2007-07-16 Qualcomm Inc Transceptor agil de frecuencia para uso en un dispositivo de comunicaciones manual de banda multiple.
KR100651724B1 (ko) * 2004-12-13 2006-12-01 한국전자통신연구원 수평 구조의 가변 축전기 및 이를 구비한 초고주파 가변소자
US7606184B2 (en) * 2005-01-04 2009-10-20 Tdk Corporation Multiplexers employing bandpass-filter architectures
US7769355B2 (en) * 2005-01-19 2010-08-03 Micro Mobio Corporation System-in-package wireless communication device comprising prepackaged power amplifier
KR100701310B1 (ko) * 2005-02-03 2007-03-29 삼성전자주식회사 특정 주파수 대역 저지 기능을 가지는 안테나
US8396431B2 (en) * 2005-02-17 2013-03-12 Kyocera Corporation Mobile station traffic state antenna tuning systems and methods
US20060212176A1 (en) 2005-02-18 2006-09-21 Corum James F Use of electrical power multiplication for power smoothing in power distribution
US9118216B2 (en) * 2005-02-18 2015-08-25 Cpg Technologies, Llc Parametric power multiplication
US20060190511A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Corum James F Electrical power multiplication
EP1710926A1 (fr) * 2005-04-05 2006-10-11 Stmicroelectronics Sa Circuit de réception pour téléphone multimode reconfigurable
US20060274476A1 (en) * 2005-04-13 2006-12-07 Andrew Cervin-Lawry Low loss thin film capacitor and methods of manufacturing the same
TWI252605B (en) * 2005-05-31 2006-04-01 Ind Tech Res Inst Multilayered chip-type triplexer
EP1889360A1 (en) * 2005-06-09 2008-02-20 TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) A tunable circuit arrangement and a method for providing such an arrangement
EA008787B1 (ru) * 2005-06-10 2007-08-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Сэлма" Малогабаритная сегнетоэлектрическая антенна и способ получения рабочего тела активного элемента антенны
US7453328B2 (en) * 2005-07-18 2008-11-18 Jue Martin F Bandwidth high-power T network tuner
FI20055420A0 (fi) 2005-07-25 2005-07-25 Lk Products Oy Säädettävä monikaista antenni
US7495886B2 (en) * 2005-07-27 2009-02-24 Agile Rf, Inc. Dampening of electric field-induced resonance in parallel plate capacitors
US7443269B2 (en) * 2005-07-27 2008-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit
US20070024393A1 (en) * 2005-07-27 2007-02-01 Forse Roger J Tunable notch duplexer
TWI267182B (en) * 2005-08-12 2006-11-21 Tatung Co Method for eliminating resonance effect of parallel capacitors
JP4441458B2 (ja) * 2005-08-22 2010-03-31 アルプス電気株式会社 電子回路ユニット
US20070063777A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-22 Mircea Capanu Electrostrictive devices
KR100696205B1 (ko) * 2005-08-26 2007-03-20 한국전자통신연구원 광 모듈 및 광 모듈 패키지
US7324043B2 (en) * 2005-09-02 2008-01-29 Delphi Technologies, Inc. Phase shifters deposited en masse for an electronically scanned antenna
US7304339B2 (en) * 2005-09-22 2007-12-04 Agile Rf, Inc. Passivation structure for ferroelectric thin-film devices
US7728377B2 (en) * 2005-09-23 2010-06-01 Agile Rf, Inc. Varactor design using area to perimeter ratio for improved tuning range
FI119009B (fi) 2005-10-03 2008-06-13 Pulse Finland Oy Monikaistainen antennijärjestelmä
FI118782B (fi) 2005-10-14 2008-03-14 Pulse Finland Oy Säädettävä antenni
US9406444B2 (en) 2005-11-14 2016-08-02 Blackberry Limited Thin film capacitors
CN101490898B (zh) * 2005-11-18 2013-04-24 超导技术公司 低损耗可调射频滤波器
CN101496167A (zh) * 2005-11-22 2009-07-29 肖克科技有限公司 用于过电压保护的包括电压可变换材料的半导体器件
JP4838572B2 (ja) * 2005-11-24 2011-12-14 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 安定化回路、マルチバンド増幅回路
US7548762B2 (en) * 2005-11-30 2009-06-16 Kyocera Corporation Method for tuning a GPS antenna matching network
FR2894737B1 (fr) * 2005-12-13 2008-03-14 Cnes Epic Banc de test, simulateur et procede de simulation d'un bruit de phase.
US7564316B2 (en) * 2005-12-23 2009-07-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Variable-frequency oscillator incorporating thin-film bulk acoustic resonators
US8018397B2 (en) * 2005-12-30 2011-09-13 Industrial Technology Research Institute High dielectric antenna substrate and antenna thereof
TWI351130B (en) * 2005-12-30 2011-10-21 Ind Tech Res Inst High dielectric antenna substrate and antenna thereof
US7711337B2 (en) 2006-01-14 2010-05-04 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching module (AIMM) control architectures
US8325097B2 (en) 2006-01-14 2012-12-04 Research In Motion Rf, Inc. Adaptively tunable antennas and method of operation therefore
US8125399B2 (en) 2006-01-14 2012-02-28 Paratek Microwave, Inc. Adaptively tunable antennas incorporating an external probe to monitor radiated power
JP4195036B2 (ja) * 2006-01-26 2008-12-10 Ｔｄｋ株式会社 積層型共振器
US7899409B2 (en) * 2006-01-30 2011-03-01 Broadcom Corporation Apparatus for controlling impedance
US7675388B2 (en) * 2006-03-07 2010-03-09 Agile Rf, Inc. Switchable tunable acoustic resonator using BST material
US7907033B2 (en) * 2006-03-08 2011-03-15 Wispry, Inc. Tunable impedance matching networks and tunable diplexer matching systems
TWI326934B (en) * 2006-03-24 2010-07-01 Univ Nat Taiwan Active bandpass filter
JP4915130B2 (ja) * 2006-04-18 2012-04-11 ソニー株式会社 可変コンデンサ
FR2901061B1 (fr) * 2006-05-12 2008-11-14 Centre Nat Rech Scient Convertisseur d'onde electromagnetique en tension continue
US7466269B2 (en) * 2006-05-24 2008-12-16 Wavebender, Inc. Variable dielectric constant-based antenna and array
US20070279159A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Heinz Georg Bachmann Techniques to reduce circuit non-linear distortion
US7675369B2 (en) * 2006-06-12 2010-03-09 Honeywell International Inc. Frequency hopping oscillator circuit
EP2031702A1 (en) * 2006-06-12 2009-03-04 Murata Manufacturing Co. Ltd. Surface-mounted antenna and antenna device
US20080153451A1 (en) * 2006-06-14 2008-06-26 Knecht Thomas A RF Rx front end module for picocell and microcell base station transceivers
US7855983B2 (en) * 2006-06-14 2010-12-21 Cts Corporation Time division duplex front end module
US7672645B2 (en) 2006-06-15 2010-03-02 Bitwave Semiconductor, Inc. Programmable transmitter architecture for non-constant and constant envelope modulation
US20080007365A1 (en) * 2006-06-15 2008-01-10 Jeff Venuti Continuous gain compensation and fast band selection in a multi-standard, multi-frequency synthesizer
EA012794B1 (ru) * 2006-07-05 2009-12-30 Сайнмет Ла, Инкорпорейтед Антенна (варианты) и способ управления работой антенны
US8618990B2 (en) 2011-04-13 2013-12-31 Pulse Finland Oy Wideband antenna and methods
US20080032049A1 (en) * 2006-07-29 2008-02-07 Lex Kosowsky Voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles
US7968014B2 (en) 2006-07-29 2011-06-28 Shocking Technologies, Inc. Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles
WO2008020382A2 (en) * 2006-08-14 2008-02-21 Nxp B.V. Antenna system
KR100802358B1 (ko) * 2006-08-22 2008-02-13 주식회사 이엠따블유안테나 전송선로
TWI312082B (en) * 2006-08-28 2009-07-11 Nat Chiao Tung Universit Tunable terahertz wavelength selector device using magnetically controlled birefringence of liquid crystals
US7649426B2 (en) * 2006-09-12 2010-01-19 Cts Corporation Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators
CN101536190A (zh) 2006-09-24 2009-09-16 肖克科技有限公司 具有分级电压响应的电压可切换介电材料的配方及其制造方法
US8081940B2 (en) * 2006-09-29 2011-12-20 Broadcom Corporation Method and system for dynamically tuning and calibrating an antenna using an on-chip digitally controlled array of capacitors
US7583950B2 (en) * 2006-10-05 2009-09-01 Harris Corporation High linearity tunable bandpass filter
US8280323B2 (en) * 2006-10-11 2012-10-02 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Fuzzy logic control of an RF power amplifier for automatic self-tuning
US7376535B1 (en) * 2006-10-12 2008-05-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband matching circuit and method of effectuating same
US7800048B2 (en) * 2006-10-13 2010-09-21 Delphi Technologies, Inc. System and method for determining a change of temperature of a SBT pixel element
WO2008048154A1 (en) * 2006-10-17 2008-04-24 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Radio frequency handling device
KR100828948B1 (ko) * 2006-10-30 2008-05-13 주식회사 이엠따블유안테나 인터디지털 커패시터, 인덕터, 및 이들을 이용한 전송 선로및 결합기
US7535312B2 (en) 2006-11-08 2009-05-19 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method with improved dynamic range
US7714676B2 (en) 2006-11-08 2010-05-11 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method
US8299867B2 (en) 2006-11-08 2012-10-30 Research In Motion Rf, Inc. Adaptive impedance matching module
FR2904911A1 (fr) * 2006-11-10 2008-02-15 Thomson Licensing Sas Architecture de terminaux de systeme de communications multibandes
US7371005B1 (en) * 2006-11-16 2008-05-13 Intersil Americas Inc. Automatic circuit and method for temperature compensation of oscillator frequency variation over temperature for a real time clock chip
US8421703B2 (en) * 2006-11-17 2013-04-16 Nokia Corporation Apparatus for enabling two elements to share a common feed
US20080122712A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Agile Rf, Inc. Tunable antenna including tunable capacitor inserted inside the antenna
US7589604B2 (en) * 2006-12-01 2009-09-15 Broadcom Corporation Selectable notch filter
US20080129610A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Texas Instruments Incorporated Adaptive antenna matching for portable radio operating at VHF with single-chip based implementation
US7813777B2 (en) * 2006-12-12 2010-10-12 Paratek Microwave, Inc. Antenna tuner with zero volts impedance fold back
US7646268B1 (en) * 2006-12-22 2010-01-12 Christos Tsironis Low frequency harmonic load pull tuner and method
WO2008084801A1 (ja) * 2007-01-11 2008-07-17 Panasonic Corporation 広帯域スロットアンテナ
US20080174936A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Western Lights Semiconductor Corp. Apparatus and Method to Store Electrical Energy
US7706759B2 (en) * 2007-01-30 2010-04-27 Broadcom Corporation RF reception system with programmable impedance matching networks and methods for use therewith
US7969042B2 (en) 2007-02-02 2011-06-28 Cpg Technologies, Llc Application of power multiplication to electric power distribution
US7808124B2 (en) * 2007-02-02 2010-10-05 Cpg Technologies, Llc Electric power storage
DE102007007579B4 (de) * 2007-02-15 2015-05-21 Infineon Technologies Ag Senderschaltung
US7674666B2 (en) * 2007-02-23 2010-03-09 Sensor Electronic Technology, Inc. Fabrication of semiconductor device having composite contact
US7903592B2 (en) * 2007-03-02 2011-03-08 Alcatel Lucent Systems and methods of efficient band amplification
US8027699B2 (en) * 2007-03-02 2011-09-27 Alcatel Lucent Systems and methods of band amplification with a shared amplifier
CN101017930B (zh) * 2007-03-08 2011-03-16 西北工业大学 电调谐微带天线
US8467169B2 (en) * 2007-03-22 2013-06-18 Research In Motion Rf, Inc. Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation
CN101682116A (zh) * 2007-04-03 2010-03-24 Tdk股份有限公司 在低频范围内性能改善的偶极天线
FI20075269A0 (fi) 2007-04-19 2007-04-19 Pulse Finland Oy Menetelmä ja järjestely antennin sovittamiseksi
TW200843209A (en) * 2007-04-20 2008-11-01 Advanced Connectek Inc Wideband antenna
US7917104B2 (en) 2007-04-23 2011-03-29 Paratek Microwave, Inc. Techniques for improved adaptive impedance matching
US8213886B2 (en) 2007-05-07 2012-07-03 Paratek Microwave, Inc. Hybrid techniques for antenna retuning utilizing transmit and receive power information
US8005448B1 (en) * 2007-05-10 2011-08-23 Rf Micro Devices, Inc. Radio frequency duplex filter for removing transmit signals from a receive path
WO2008147932A2 (en) * 2007-05-24 2008-12-04 Bitwave Semiconductor, Incorporated Reconfigurable tunable rf power amplifier
US7629860B2 (en) * 2007-06-08 2009-12-08 Stats Chippac, Ltd. Miniaturized wide-band baluns for RF applications
US7793236B2 (en) * 2007-06-13 2010-09-07 Shocking Technologies, Inc. System and method for including protective voltage switchable dielectric material in the design or simulation of substrate devices
US8179304B2 (en) * 2007-06-14 2012-05-15 Kyocera Corporation Direct-current blocking circuit, hybrid circuit device, transmitter, receiver, transmitter-receiver, and radar device
KR101614955B1 (ko) 2007-06-27 2016-04-22 레저넌트 인크. 저손실 튜닝 가능 무선 주파수 필터
US7750739B2 (en) * 2007-07-19 2010-07-06 Intel Corporation Dual reactive shunt low noise amplifier
US8094086B2 (en) 2007-08-29 2012-01-10 Agere Systems Inc. Electronically steerable antenna
FI120427B (fi) 2007-08-30 2009-10-15 Pulse Finland Oy Säädettävä monikaista-antenni
US9173890B2 (en) * 2007-09-20 2015-11-03 Abbott Cardiovascular Systems Inc. Sustained release of Apo A-I mimetic peptides and methods of treatment
US20090088105A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Ahmadreza Rofougaran Method and system for utilizing a programmable coplanar waveguide or microstrip bandpass filter for undersampling in a receiver
WO2009047876A1 (ja) * 2007-10-09 2009-04-16 Panasonic Corporation 回路装置
US8457697B2 (en) * 2007-11-14 2013-06-04 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Antenna switching arrangement
US7991363B2 (en) 2007-11-14 2011-08-02 Paratek Microwave, Inc. Tuning matching circuits for transmitter and receiver bands as a function of transmitter metrics
US8206614B2 (en) 2008-01-18 2012-06-26 Shocking Technologies, Inc. Voltage switchable dielectric material having bonded particle constituents
US8355688B2 (en) * 2008-02-19 2013-01-15 Broadcom Corporation Method and system for frequency selection using microstrip transceivers for high-speed applications
KR101027970B1 (ko) 2008-02-26 2011-04-13 전자부품연구원 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
US7917170B2 (en) * 2008-03-13 2011-03-29 Kyocera Corporation Multiple-band radio frequency (RF) circuit and method for a wireless communication device
US8203421B2 (en) 2008-04-14 2012-06-19 Shocking Technologies, Inc. Substrate device or package using embedded layer of voltage switchable dielectric material in a vertical switching configuration
CN107093995A (zh) * 2008-04-25 2017-08-25 维斯普瑞公司 可调谐匹配网络电路拓扑选择
US8040190B2 (en) * 2008-05-01 2011-10-18 Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa-Recherche Et Developpement Phase-locked loop
US8310093B1 (en) 2008-05-08 2012-11-13 Corum James F Multiply-connected power processing
DE102008024482B4 (de) * 2008-05-21 2016-10-06 Qualcomm Technologies, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Schaltungsanordnung zur Impedanzanpassung, elektronisches Bauelement und Mobilfunkgerät
KR200449198Y1 (ko) * 2008-06-26 2010-06-24 유파인테크놀러지스 주식회사 Ｌｎａ가 일체화된 멀티플렉서
US7906839B2 (en) * 2008-07-02 2011-03-15 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of shunt test measurement for passive circuits
US7922975B2 (en) * 2008-07-14 2011-04-12 University Of Dayton Resonant sensor capable of wireless interrogation
WO2010014904A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Medtronic, Inc. Adjustable impedance matching circuit
KR100986049B1 (ko) * 2008-08-11 2010-10-07 주식회사 에이스테크놀로지 다중 방송 수신용 모듈형 액티브 안테나
WO2010025095A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Agile Rf, Inc. Tunable dual-band antenna using lc resonator
US8072285B2 (en) 2008-09-24 2011-12-06 Paratek Microwave, Inc. Methods for tuning an adaptive impedance matching network with a look-up table
US7934190B1 (en) 2008-09-25 2011-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multiple amplifier matching over lumped networks of arbitrary topology
JP2010258402A (ja) 2008-09-26 2010-11-11 Sony Corp 静電容量素子及び共振回路
US9208931B2 (en) 2008-09-30 2015-12-08 Littelfuse, Inc. Voltage switchable dielectric material containing conductor-on-conductor core shelled particles
CN102246246A (zh) * 2008-09-30 2011-11-16 肖克科技有限公司 含有导电芯壳粒子的电压可切换电介质材料
US20100085130A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Manufacturable tunable matching network for wire and ribbon bond compensation
US9375272B2 (en) 2008-10-13 2016-06-28 Covidien Lp Antenna assemblies for medical applications
US8130054B1 (en) * 2008-10-14 2012-03-06 Rf Micro Devices, Inc. Frequency-adjustable radio frequency isolator circuitry
US8067858B2 (en) 2008-10-14 2011-11-29 Paratek Microwave, Inc. Low-distortion voltage variable capacitor assemblies
US20100096678A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 University Of Dayton Nanostructured barium strontium titanate (bst) thin-film varactors on sapphire
US8362871B2 (en) * 2008-11-05 2013-01-29 Shocking Technologies, Inc. Geometric and electric field considerations for including transient protective material in substrate devices
US8743004B2 (en) * 2008-12-12 2014-06-03 Dedi David HAZIZA Integrated waveguide cavity antenna and reflector dish
FR2940503B1 (fr) * 2008-12-23 2011-03-04 Thales Sa Condensateur commute compact mems
US8395392B2 (en) * 2008-12-23 2013-03-12 Sensor Electronic Technology, Inc. Parameter extraction using radio frequency signals
US8338871B2 (en) * 2008-12-23 2012-12-25 Sensor Electronic Technology, Inc. Field effect transistor with electric field and space-charge control contact
US8680952B2 (en) * 2008-12-30 2014-03-25 Tdk Corporation Bandpass filter with dual band response
KR101026414B1 (ko) 2009-01-21 2011-04-07 한국과학기술원 차동구조의 펄스 오실레이터를 이용한 초 광대역 신호 발생기
DE102009024747A1 (de) * 2009-01-22 2010-07-29 Epcos Ag Adaptive Impedanzanpassschaltung und Verfahren zur Anpassung für Duplexbetrieb-Standards
US8399773B2 (en) 2009-01-27 2013-03-19 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US9226391B2 (en) 2009-01-27 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US8272123B2 (en) 2009-01-27 2012-09-25 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US20100203922A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-12 Knecht Thomas A Time Division Duplex Front End Module
US8197473B2 (en) 2009-02-20 2012-06-12 Vivant Medical, Inc. Leaky-wave antennas for medical applications
FR2942915A1 (fr) * 2009-03-06 2010-09-10 Thomson Licensing Systeme d'antennes compact
EP2412212A1 (en) 2009-03-26 2012-02-01 Shocking Technologies Inc Components having voltage switchable dielectric materials
US8106728B2 (en) * 2009-04-15 2012-01-31 International Business Machines Corporation Circuit structure and design structure for an optionally switchable on-chip slow wave transmission line band-stop filter and a method of manufacture
US8326233B2 (en) * 2009-05-11 2012-12-04 Broadcom Corporation Method and system for a configurable tuned MOS capacitor
CN202586956U (zh) * 2009-05-15 2012-12-05 Cts公司 高性能射频频分双工接收模块
US9143172B2 (en) * 2009-06-03 2015-09-22 Qualcomm Incorporated Tunable matching circuits for power amplifiers
US8963611B2 (en) * 2009-06-19 2015-02-24 Qualcomm Incorporated Power and impedance measurement circuits for a wireless communication device
CN101630769B (zh) * 2009-06-24 2012-10-24 华东交通大学 一种微波双频段带通滤波器
WO2011001769A1 (ja) * 2009-07-02 2011-01-06 株式会社村田製作所 無線通信用高周波回路及び無線通信機
KR101615760B1 (ko) 2009-07-22 2016-04-27 삼성전자주식회사 이동통신 단말기의 안테나 장치 제조 방법
US8750810B2 (en) * 2009-07-24 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Power amplifier with switched output matching for multi-mode operation
US8536950B2 (en) * 2009-08-03 2013-09-17 Qualcomm Incorporated Multi-stage impedance matching
US8102205B2 (en) 2009-08-04 2012-01-24 Qualcomm, Incorporated Amplifier module with multiple operating modes
US9559639B2 (en) * 2009-08-19 2017-01-31 Qualcomm Incorporated Protection circuit for power amplifier
US8072272B2 (en) * 2009-08-19 2011-12-06 Qualcomm, Incorporated Digital tunable inter-stage matching circuit
US8472888B2 (en) 2009-08-25 2013-06-25 Research In Motion Rf, Inc. Method and apparatus for calibrating a communication device
CN102484316B (zh) * 2009-08-25 2014-04-09 株式会社村田制作所 天线装置
US9053844B2 (en) 2009-09-09 2015-06-09 Littelfuse, Inc. Geometric configuration or alignment of protective material in a gap structure for electrical devices
US8653887B2 (en) * 2009-09-15 2014-02-18 Telefonaktieboleget L M Ericsson (publ) Method and arrangement in a mobile communication system
US9026062B2 (en) 2009-10-10 2015-05-05 Blackberry Limited Method and apparatus for managing operations of a communication device
JP5375521B2 (ja) * 2009-10-27 2013-12-25 ソニー株式会社 高周波増幅器および無線通信装置
FI20096134A0 (fi) 2009-11-03 2009-11-03 Pulse Finland Oy Säädettävä antenni
KR101097605B1 (ko) * 2009-11-04 2011-12-22 알.에프 에이치아이씨 주식회사 도허티 증폭기
FI20096251A0 (sv) 2009-11-27 2009-11-27 Pulse Finland Oy MIMO-antenn
GB2532901B (en) * 2009-12-08 2016-09-28 Microsoft Technology Licensing Llc Improvements relating to power amplifiers and antennas
KR101730139B1 (ko) * 2009-12-14 2017-05-11 삼성전자주식회사 무선 전력 전송을 위한 공진기를 구비하는 배터리 팩
US8847833B2 (en) 2009-12-29 2014-09-30 Pulse Finland Oy Loop resonator apparatus and methods for enhanced field control
US9654128B2 (en) 2010-01-05 2017-05-16 Syntropy Systems, Llc Multi-mode sampling/quantization converters
CN101777688B (zh) * 2010-01-11 2013-04-17 南通大学 微波终端短路半波长可调谐振器及其制成的微波可调滤波器
US8680940B2 (en) * 2010-01-15 2014-03-25 Wispry, Inc. Tunable matching network circuit topology devices and methods
FI20105158A (fi) 2010-02-18 2011-08-19 Pulse Finland Oy Kuorisäteilijällä varustettu antenni
DE102010008920A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-25 Epcos Ag, 81669 Breitbandig betreibbare Impedanzanpassschaltung
US9224728B2 (en) 2010-02-26 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Embedded protection against spurious electrical events
US9320135B2 (en) 2010-02-26 2016-04-19 Littelfuse, Inc. Electric discharge protection for surface mounted and embedded components
US9082622B2 (en) 2010-02-26 2015-07-14 Littelfuse, Inc. Circuit elements comprising ferroic materials
DE102010011649B4 (de) * 2010-03-17 2019-01-24 Snaptrack, Inc. Frontend-Schaltung für ein mobiles Kommunikationsgerät mit verbesserter Impedanzanpassung
US8803631B2 (en) 2010-03-22 2014-08-12 Blackberry Limited Method and apparatus for adapting a variable impedance network
CN101814927B (zh) * 2010-04-14 2014-07-02 中兴通讯股份有限公司 一种多模全频段的射频发射装置及方法
US8860525B2 (en) 2010-04-20 2014-10-14 Blackberry Limited Method and apparatus for managing interference in a communication device
US9406998B2 (en) 2010-04-21 2016-08-02 Pulse Finland Oy Distributed multiband antenna and methods
US8968609B2 (en) 2010-05-12 2015-03-03 General Electric Company Dielectric materials for power transfer system
US8968603B2 (en) 2010-05-12 2015-03-03 General Electric Company Dielectric materials
US9174876B2 (en) * 2010-05-12 2015-11-03 General Electric Company Dielectric materials for power transfer system
US8586495B2 (en) 2010-05-12 2013-11-19 General Electric Company Dielectric materials
US9209772B2 (en) * 2010-05-28 2015-12-08 Advantest Corporation Electrical filter structure
US8686920B2 (en) * 2010-05-28 2014-04-01 The Regents Of The University Of Michigan Miniaturized radio repeater
US8599726B2 (en) * 2010-06-03 2013-12-03 Broadcom Corporation Front end module with a tunable balancing network
US8416023B2 (en) * 2010-06-08 2013-04-09 Nxp B.V. System and method for compensating for changes in an output impedance of a power amplifier
IT1401585B1 (it) * 2010-07-15 2013-07-26 Clu Tech Srl Dispositivo per la conversione di circuiti stampati in elementi radianti.
ITRM20100391A1 (it) * 2010-07-15 2012-01-16 Clu Tech Srl Antenna stampata miniaturizzata con carichi reattivi combinati
CN102474959B (zh) 2010-07-22 2015-01-28 松下电器产业株式会社 点亮电路、灯以及照明装置
WO2012025946A1 (en) 2010-08-25 2012-03-01 Commscope Italy S.R.L. Tunable bandpass filter
US8502608B2 (en) * 2010-11-01 2013-08-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Tunable power amplifier using laminate MEMS capacitors
US9379454B2 (en) 2010-11-08 2016-06-28 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning antennas in a communication device
US8659496B1 (en) * 2010-11-24 2014-02-25 R.A. Miller Industries, Inc. Heat sink for a high power antenna
US10341038B2 (en) 2010-12-14 2019-07-02 Arris Enterprises Llc Multiplex conversion for a passive optical network
DE102010056048A1 (de) * 2010-12-23 2012-06-28 Kathrein-Werke Kg Abstimmbares Hochfrequenzfilter
CN102116804A (zh) * 2010-12-29 2011-07-06 电子科技大学 一种微波介质材料复介电常数测试方法
FR2970129B1 (fr) * 2010-12-30 2013-01-18 Thales Sa Filtre variable par condensateur commute au moyen de composants mems
FI20115072A0 (fi) 2011-01-25 2011-01-25 Pulse Finland Oy Moniresonanssiantenni, -antennimoduuli ja radiolaite
US9673507B2 (en) 2011-02-11 2017-06-06 Pulse Finland Oy Chassis-excited antenna apparatus and methods
US8648752B2 (en) 2011-02-11 2014-02-11 Pulse Finland Oy Chassis-excited antenna apparatus and methods
US8586997B2 (en) 2011-02-15 2013-11-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with low-conducting field-controlling element
US8712340B2 (en) 2011-02-18 2014-04-29 Blackberry Limited Method and apparatus for radio antenna frequency tuning
US8655286B2 (en) 2011-02-25 2014-02-18 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8626083B2 (en) 2011-05-16 2014-01-07 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8594584B2 (en) 2011-05-16 2013-11-26 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8922315B2 (en) 2011-05-17 2014-12-30 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Flexible ultracapacitor cloth for feeding portable electronic device
GB2491111B (en) * 2011-05-19 2015-08-19 Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd Charge-sensitive amplifier
US9024701B1 (en) * 2011-06-08 2015-05-05 Marvell International Ltd. Method and apparatus for controlling a line side impedance in a network device
US8866689B2 (en) 2011-07-07 2014-10-21 Pulse Finland Oy Multi-band antenna and methods for long term evolution wireless system
US9450291B2 (en) 2011-07-25 2016-09-20 Pulse Finland Oy Multiband slot loop antenna apparatus and methods
EP2551988A3 (en) * 2011-07-28 2013-03-27 General Electric Company Dielectric materials for power transfer system
WO2013022826A1 (en) 2011-08-05 2013-02-14 Research In Motion Rf, Inc. Method and apparatus for band tuning in a communication device
RU2473889C1 (ru) * 2011-09-05 2013-01-27 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Способ измерения физической величины
WO2013036593A1 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with low-conducting field-controlling element
DE202011105662U1 (de) * 2011-09-14 2012-05-09 IAD Gesellschaft für Informatik, Automatisierung und Datenverarbeitung mbH Rekonfigurierbares Bandpassfilter auf Basis planarer Kammfilter mit Varaktordioden
US9048805B2 (en) 2011-10-04 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Tunable duplexer architecture
US9123990B2 (en) 2011-10-07 2015-09-01 Pulse Finland Oy Multi-feed antenna apparatus and methods
US8923794B2 (en) * 2011-11-02 2014-12-30 Triquint Semiconductor, Inc. Temperature compensation of acoustic resonators in the electrical domain
US9154851B2 (en) 2011-11-10 2015-10-06 Arris Technology, Inc. Tunable RF return path filter with automatic channel plan detection
US8994035B2 (en) 2011-11-21 2015-03-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with low-conducting buried and/or surface layers
US9673285B2 (en) 2011-11-21 2017-06-06 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with low-conducting buried and/or surface layers
DE102011088617A1 (de) 2011-12-14 2013-06-20 Forschungsverbund Berlin E.V. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk eines HF-Leistungstransistors
US9531058B2 (en) 2011-12-20 2016-12-27 Pulse Finland Oy Loosely-coupled radio antenna apparatus and methods
US9484619B2 (en) 2011-12-21 2016-11-01 Pulse Finland Oy Switchable diversity antenna apparatus and methods
US8639286B2 (en) 2011-12-23 2014-01-28 Broadcom Corporation RF transmitter having broadband impedance matching for multi-band application support
US9048809B2 (en) 2012-01-03 2015-06-02 International Business Machines Corporation Method of manufacturing switchable filters
US8803615B2 (en) * 2012-01-23 2014-08-12 Qualcomm Incorporated Impedance matching circuit with tunable notch filters for power amplifier
US10076383B2 (en) 2012-01-25 2018-09-18 Covidien Lp Electrosurgical device having a multiplexer
RU2488200C1 (ru) * 2012-02-03 2013-07-20 Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" Микрополосковый диплексер
US9071430B2 (en) 2012-02-07 2015-06-30 Rf Micro Devices, Inc. RF transceiver with distributed filtering topology
US9190979B2 (en) 2012-02-07 2015-11-17 Rf Micro Devices, Inc. Hybrid coupler
US9184722B2 (en) * 2012-02-10 2015-11-10 Infineon Technologies Ag Adjustable impedance matching network
US9166640B2 (en) * 2012-02-10 2015-10-20 Infineon Technologies Ag Adjustable impedance matching network
WO2013126952A1 (en) * 2012-02-29 2013-09-06 Micreo Limited An electronic gain shaper and a method for storing parameters
US8836587B2 (en) 2012-03-30 2014-09-16 Apple Inc. Antenna having flexible feed structure with components
KR101893187B1 (ko) * 2012-04-04 2018-08-30 한국전자통신연구원 무선 통신 기기의 간섭 분석 장치와 이를 이용한 간섭 분석 시스템 및 그 방법
US8988296B2 (en) 2012-04-04 2015-03-24 Pulse Finland Oy Compact polarized antenna and methods
US8742991B2 (en) * 2012-04-10 2014-06-03 Htc Corporation Handheld electronic devices and methods involving tunable dielectric materials
US8749312B2 (en) * 2012-04-18 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Optimizing cascade gain stages in a communication system
US8868011B2 (en) * 2012-04-30 2014-10-21 Triquint Semiconductor, Inc. Power amplifier with fast loadline modulation
US9779878B2 (en) 2012-05-24 2017-10-03 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama For And On Behalf Of The University Of Alabama Magnetic supercapacitors
US8948889B2 (en) 2012-06-01 2015-02-03 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device
US8761296B2 (en) * 2012-06-01 2014-06-24 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for antenna tuning and transmit path selection
US9000866B2 (en) 2012-06-26 2015-04-07 University Of Dayton Varactor shunt switches with parallel capacitor architecture
US9853363B2 (en) 2012-07-06 2017-12-26 Blackberry Limited Methods and apparatus to control mutual coupling between antennas
US9246223B2 (en) 2012-07-17 2016-01-26 Blackberry Limited Antenna tuning for multiband operation
US9350405B2 (en) 2012-07-19 2016-05-24 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna tuning and power consumption management in a communication device
US9413066B2 (en) 2012-07-19 2016-08-09 Blackberry Limited Method and apparatus for beam forming and antenna tuning in a communication device
US9362891B2 (en) 2012-07-26 2016-06-07 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning a communication device
US9697951B2 (en) 2012-08-29 2017-07-04 General Electric Company Contactless power transfer system
US9773587B1 (en) * 2012-10-22 2017-09-26 Hrl Laboratories, Llc Tunable cavity for material measurement
US9979078B2 (en) 2012-10-25 2018-05-22 Pulse Finland Oy Modular cell antenna apparatus and methods
US9214967B2 (en) 2012-10-29 2015-12-15 Skyworks Solutions, Inc. Circuits and methods for reducing insertion loss effects associated with radio-frequency power couplers
US8897734B2 (en) * 2012-10-30 2014-11-25 Ericsson Modems Sa Standing wave ratio meter for integrated antenna tuner
US10069209B2 (en) 2012-11-06 2018-09-04 Pulse Finland Oy Capacitively coupled antenna apparatus and methods
US9113347B2 (en) 2012-12-05 2015-08-18 At&T Intellectual Property I, Lp Backhaul link for distributed antenna system
US10009065B2 (en) 2012-12-05 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Backhaul link for distributed antenna system
US10404295B2 (en) 2012-12-21 2019-09-03 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9374113B2 (en) 2012-12-21 2016-06-21 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9490963B2 (en) 2013-02-04 2016-11-08 Kumu Networks, Inc. Signal cancellation using feedforward and feedback paths
US9093752B2 (en) * 2013-03-08 2015-07-28 Apple Inc. Electronic device with capacitively loaded antenna
US10079428B2 (en) 2013-03-11 2018-09-18 Pulse Finland Oy Coupled antenna structure and methods
US9647338B2 (en) 2013-03-11 2017-05-09 Pulse Finland Oy Coupled antenna structure and methods
US20140273887A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Motorola Mobility Llc Tunable ila and dila matching for simultaneous high and low band operation
WO2014144919A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Forrest James Brown Power combiner and fixed/adjustable cpl antennas
US8963644B2 (en) * 2013-03-25 2015-02-24 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Reconfigurable output matching network for multiple power mode power amplifiers
JP5713150B2 (ja) * 2013-03-29 2015-05-07 株式会社村田製作所 可変容量素子および通信装置
JP6313426B2 (ja) 2013-04-17 2018-04-18 スナップトラック・インコーポレーテッド 回路構成
WO2014176401A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Purdue Research Foundation Band-reconfigurable and load-adaptive power amplifier
US9154094B2 (en) 2013-05-21 2015-10-06 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Efficient power amplification over large operating average power range
US9999038B2 (en) 2013-05-31 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US9525524B2 (en) 2013-05-31 2016-12-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US9660607B2 (en) * 2013-05-31 2017-05-23 Maury Microwave, Inc. Solid state impedance tuners
US20140375514A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-25 Infineon Technologies Ag Antenna Tuning Circuit, Method for Tuning an Antenna, Antenna Arrangement and Method for Operating the Same
US9634383B2 (en) 2013-06-26 2017-04-25 Pulse Finland Oy Galvanically separated non-interacting antenna sector apparatus and methods
EP2830089B1 (en) * 2013-07-25 2017-07-12 Ampleon Netherlands B.V. RF power device
US9698860B2 (en) 2013-08-09 2017-07-04 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for self-interference canceller tuning
WO2015021463A2 (en) 2013-08-09 2015-02-12 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for frequency independent analog selfinterference cancellation
KR102222353B1 (ko) 2013-08-09 2021-03-03 쿠무 네트웍스, 아이엔씨. 비선형 디지털 자기 간섭 제거를 위한 시스템 및 방법
US9054795B2 (en) 2013-08-14 2015-06-09 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for phase noise mitigation
US9647631B2 (en) 2013-08-15 2017-05-09 Peregrine Semiconductor Corporation Tunable impedance matching network
WO2015031830A1 (en) 2013-08-29 2015-03-05 Kumu Networks, Inc. Full-duplex relays
US10673519B2 (en) 2013-08-29 2020-06-02 Kuma Networks, Inc. Optically enhanced self-interference cancellation
FR3010263B1 (fr) * 2013-09-04 2017-12-08 Commissariat Energie Atomique Procede d'adaptation automatique d'impedance et chaine d'emission correspondante
JP6341461B2 (ja) * 2013-09-11 2018-06-13 株式会社村田製作所 電力増幅器
US9520983B2 (en) 2013-09-11 2016-12-13 Kumu Networks, Inc. Systems for delay-matched analog self-interference cancellation
WO2015037693A1 (ja) * 2013-09-13 2015-03-19 株式会社村田製作所 非可逆回路素子
US8897697B1 (en) 2013-11-06 2014-11-25 At&T Intellectual Property I, Lp Millimeter-wave surface-wave communications
US9425753B2 (en) 2013-11-07 2016-08-23 Qualcomm Incorporated Low-noise amplifier matching
US9680212B2 (en) 2013-11-20 2017-06-13 Pulse Finland Oy Capacitive grounding methods and apparatus for mobile devices
US9590308B2 (en) 2013-12-03 2017-03-07 Pulse Electronics, Inc. Reduced surface area antenna apparatus and mobile communications devices incorporating the same
US9209902B2 (en) 2013-12-10 2015-12-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Quasi-optical coupler
US9774405B2 (en) 2013-12-12 2017-09-26 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for frequency-isolated self-interference cancellation
US10230422B2 (en) 2013-12-12 2019-03-12 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for modified frequency-isolation self-interference cancellation
US9350081B2 (en) 2014-01-14 2016-05-24 Pulse Finland Oy Switchable multi-radiator high band antenna apparatus
US9712312B2 (en) 2014-03-26 2017-07-18 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for near band interference cancellation
WO2015192289A1 (zh) 2014-06-16 2015-12-23 华为技术有限公司 基于可变电容的天线调节方法及相关装置
US9391656B2 (en) * 2014-08-11 2016-07-12 Syntropy Systems, Llc Distributed noise shaping apparatus
US9634700B2 (en) 2014-08-11 2017-04-25 Syntropy Systems, Llc Distributed noise shaping apparatus
DE102014111901B4 (de) 2014-08-20 2019-05-23 Snaptrack, Inc. Duplexer
DE102014111909B3 (de) * 2014-08-20 2016-02-04 Epcos Ag Abstimmbares HF-Filter mit Serienresonatoren
US9948002B2 (en) 2014-08-26 2018-04-17 Pulse Finland Oy Antenna apparatus with an integrated proximity sensor and methods
US9692101B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave couplers for coupling electromagnetic waves between a waveguide surface and a surface of a wire
US9973228B2 (en) 2014-08-26 2018-05-15 Pulse Finland Oy Antenna apparatus with an integrated proximity sensor and methods
US9722308B2 (en) 2014-08-28 2017-08-01 Pulse Finland Oy Low passive intermodulation distributed antenna system for multiple-input multiple-output systems and methods of use
WO2016033756A1 (zh) 2014-09-03 2016-03-10 华为技术有限公司 复合左右手传输线天线
US9768833B2 (en) 2014-09-15 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for sensing a condition in a transmission medium of electromagnetic waves
US10063280B2 (en) 2014-09-17 2018-08-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Monitoring and mitigating conditions in a communication network
US9628854B2 (en) 2014-09-29 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing content in a communication network
US9615269B2 (en) 2014-10-02 2017-04-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus that provides fault tolerance in a communication network
US9685992B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Circuit panel network and methods thereof
US9503189B2 (en) 2014-10-10 2016-11-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for arranging communication sessions in a communication system
US9973299B2 (en) 2014-10-14 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a mode of communication in a communication network
US9762289B2 (en) 2014-10-14 2017-09-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting or receiving signals in a transportation system
US9521023B2 (en) * 2014-10-17 2016-12-13 Kumu Networks, Inc. Systems for analog phase shifting
US9769020B2 (en) 2014-10-21 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for responding to events affecting communications in a communication network
US9627768B2 (en) 2014-10-21 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9312919B1 (en) 2014-10-21 2016-04-12 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission device with impairment compensation and methods for use therewith
US9780834B2 (en) 2014-10-21 2017-10-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves
US9577306B2 (en) 2014-10-21 2017-02-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device and methods for use therewith
US9653770B2 (en) 2014-10-21 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave coupler, coupling module and methods for use therewith
US9520945B2 (en) 2014-10-21 2016-12-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for providing communication services and methods thereof
US9564947B2 (en) 2014-10-21 2017-02-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with diversity and methods for use therewith
US9712313B2 (en) 2014-11-03 2017-07-18 Kumu Networks, Inc. Systems for multi-peak-filter-based analog self-interference cancellation
US9680670B2 (en) 2014-11-20 2017-06-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with channel equalization and control and methods for use therewith
US10243784B2 (en) 2014-11-20 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. System for generating topology information and methods thereof
US9800327B2 (en) 2014-11-20 2017-10-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for controlling operations of a communication device and methods thereof
US10009067B2 (en) 2014-12-04 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for configuring a communication interface
US9654173B2 (en) 2014-11-20 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for powering a communication device and methods thereof
US9954287B2 (en) 2014-11-20 2018-04-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for converting wireless signals and electromagnetic waves and methods thereof
US9997819B2 (en) 2015-06-09 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and method for facilitating propagation of electromagnetic waves via a core
US9461706B1 (en) 2015-07-31 2016-10-04 At&T Intellectual Property I, Lp Method and apparatus for exchanging communication signals
US9742462B2 (en) 2014-12-04 2017-08-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and communication interfaces and methods for use therewith
US9544006B2 (en) 2014-11-20 2017-01-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with mode division multiplexing and methods for use therewith
US10340573B2 (en) 2016-10-26 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with cylindrical coupling device and methods for use therewith
US9438319B2 (en) 2014-12-16 2016-09-06 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna selection
US9673854B2 (en) 2015-01-29 2017-06-06 Kumu Networks, Inc. Method for pilot signal based self-inteference cancellation tuning
US10144036B2 (en) 2015-01-30 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating interference affecting a propagation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US9876570B2 (en) 2015-02-20 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9793599B2 (en) 2015-03-06 2017-10-17 Apple Inc. Portable electronic device with antenna
US9749013B2 (en) 2015-03-17 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for reducing attenuation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US10224981B2 (en) 2015-04-24 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, Lp Passive electrical coupling device and methods for use therewith
US9705561B2 (en) 2015-04-24 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Directional coupling device and methods for use therewith
US9793954B2 (en) 2015-04-28 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device and methods for use therewith
US9948354B2 (en) 2015-04-28 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device with reflective plate and methods for use therewith
CN104882277B (zh) * 2015-05-04 2017-12-29 北京大学 层状复合结构可调控电容和压电应力调控介电的方法
US9748626B2 (en) 2015-05-14 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Plurality of cables having different cross-sectional shapes which are bundled together to form a transmission medium
US9490869B1 (en) 2015-05-14 2016-11-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having multiple cores and methods for use therewith
US9871282B2 (en) 2015-05-14 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, L.P. At least one transmission medium having a dielectric surface that is covered at least in part by a second dielectric
US10650940B2 (en) 2015-05-15 2020-05-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having a conductive material and methods for use therewith
US10679767B2 (en) 2015-05-15 2020-06-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having a conductive material and methods for use therewith
US9917341B2 (en) 2015-05-27 2018-03-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and method for launching electromagnetic waves and for modifying radial dimensions of the propagating electromagnetic waves
US10154493B2 (en) 2015-06-03 2018-12-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Network termination and methods for use therewith
US9866309B2 (en) 2015-06-03 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, Lp Host node device and methods for use therewith
US10103801B2 (en) 2015-06-03 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Host node device and methods for use therewith
US9912381B2 (en) 2015-06-03 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, Lp Network termination and methods for use therewith
US10812174B2 (en) 2015-06-03 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Client node device and methods for use therewith
US10348391B2 (en) 2015-06-03 2019-07-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Client node device with frequency conversion and methods for use therewith
US9913139B2 (en) 2015-06-09 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Signal fingerprinting for authentication of communicating devices
US9608692B2 (en) 2015-06-11 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US10142086B2 (en) 2015-06-11 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US9820146B2 (en) 2015-06-12 2017-11-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9667317B2 (en) 2015-06-15 2017-05-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing security using network traffic adjustments
KR102324960B1 (ko) 2015-06-25 2021-11-12 삼성전자 주식회사 통신 장치 및 이를 포함하는 전자 장치
US9640850B2 (en) 2015-06-25 2017-05-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a non-fundamental wave mode on a transmission medium
US9509415B1 (en) 2015-06-25 2016-11-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a fundamental wave mode on a transmission medium
US9865911B2 (en) 2015-06-25 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system for slot radiating first electromagnetic waves that are combined into a non-fundamental wave mode second electromagnetic wave on a transmission medium
US10341142B2 (en) 2015-07-14 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an uninsulated conductor
US10148016B2 (en) 2015-07-14 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array
US10129057B2 (en) 2015-07-14 2018-11-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for inducing electromagnetic waves on a cable
US9847566B2 (en) 2015-07-14 2017-12-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a field of a signal to mitigate interference
US10439290B2 (en) 2015-07-14 2019-10-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for wireless communications
US10033108B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave having a wave mode that mitigates interference
US10044409B2 (en) 2015-07-14 2018-08-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and methods for use therewith
US9722318B2 (en) 2015-07-14 2017-08-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US10033107B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US10320586B2 (en) 2015-07-14 2019-06-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an insulated transmission medium
US9628116B2 (en) 2015-07-14 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for transmitting wireless signals
US10205655B2 (en) 2015-07-14 2019-02-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array and multiple communication paths
US9853342B2 (en) 2015-07-14 2017-12-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric transmission medium connector and methods for use therewith
US9836957B2 (en) 2015-07-14 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating with premises equipment
US10511346B2 (en) 2015-07-14 2019-12-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for inducing electromagnetic waves on an uninsulated conductor
US10790593B2 (en) 2015-07-14 2020-09-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus including an antenna comprising a lens and a body coupled to a feedline having a structure that reduces reflections of electromagnetic waves
US10170840B2 (en) 2015-07-14 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sending or receiving electromagnetic signals
US9882257B2 (en) 2015-07-14 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US9608740B2 (en) 2015-07-15 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US9793951B2 (en) 2015-07-15 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10090606B2 (en) 2015-07-15 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system with dielectric array and methods for use therewith
US9749053B2 (en) 2015-07-23 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Node device, repeater and methods for use therewith
US10784670B2 (en) 2015-07-23 2020-09-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna support for aligning an antenna
US9912027B2 (en) 2015-07-23 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for exchanging communication signals
US9871283B2 (en) 2015-07-23 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission medium having a dielectric core comprised of plural members connected by a ball and socket configuration
US9948333B2 (en) 2015-07-23 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for wireless communications to mitigate interference
US9906260B2 (en) 2015-07-30 2018-02-27 Pulse Finland Oy Sensor-based closed loop antenna swapping apparatus and methods
US9735833B2 (en) 2015-07-31 2017-08-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communications management in a neighborhood network
US9967173B2 (en) 2015-07-31 2018-05-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US10020587B2 (en) 2015-07-31 2018-07-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Radial antenna and methods for use therewith
US9904535B2 (en) 2015-09-14 2018-02-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing software
US9705571B2 (en) 2015-09-16 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system
US10051629B2 (en) 2015-09-16 2018-08-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an in-band reference signal
US10136434B2 (en) 2015-09-16 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an ultra-wideband control channel
US10079661B2 (en) 2015-09-16 2018-09-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a clock reference
US10009063B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an out-of-band reference signal
US10009901B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method, apparatus, and computer-readable storage medium for managing utilization of wireless resources between base stations
US10566689B2 (en) * 2015-09-25 2020-02-18 Apple Inc. Antenna system
US9769128B2 (en) 2015-09-28 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for encryption of communications over a network
US9729197B2 (en) 2015-10-01 2017-08-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating network management traffic over a network
US10074890B2 (en) 2015-10-02 2018-09-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Communication device and antenna with integrated light assembly
US9876264B2 (en) 2015-10-02 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Communication system, guided wave switch and methods for use therewith
US9882277B2 (en) 2015-10-02 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, Lp Communication device and antenna assembly with actuated gimbal mount
US9634823B1 (en) 2015-10-13 2017-04-25 Kumu Networks, Inc. Systems for integrated self-interference cancellation
US10665942B2 (en) 2015-10-16 2020-05-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting wireless communications
US10355367B2 (en) 2015-10-16 2019-07-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna structure for exchanging wireless signals
US10051483B2 (en) 2015-10-16 2018-08-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for directing wireless signals
US9742593B2 (en) 2015-12-16 2017-08-22 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for adaptively-tuned digital self-interference cancellation
US10666305B2 (en) 2015-12-16 2020-05-26 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for linearized-mixer out-of-band interference mitigation
EP3391459B1 (en) 2015-12-16 2022-06-15 Kumu Networks, Inc. Time delay filters
US9800275B2 (en) 2015-12-16 2017-10-24 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for out-of band-interference mitigation
KR102059285B1 (ko) * 2015-12-28 2019-12-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 멀티플렉서
JP6430974B2 (ja) * 2016-01-27 2018-11-28 太陽誘電株式会社 共振回路およびフィルタ回路
WO2017189592A1 (en) 2016-04-25 2017-11-02 Kumu Networks, Inc. Integrated delay modules
US10454444B2 (en) 2016-04-25 2019-10-22 Kumu Networks, Inc. Integrated delay modules
CN109417378B (zh) * 2016-06-14 2023-03-14 株式会社村田制作所 多路调制器、高频前端电路以及通信装置
US9912419B1 (en) 2016-08-24 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing a fault in a distributed antenna system
US9860075B1 (en) 2016-08-26 2018-01-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and communication node for broadband distribution
US10291311B2 (en) 2016-09-09 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating a fault in a distributed antenna system
US11032819B2 (en) 2016-09-15 2021-06-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a control channel reference signal
US10044087B2 (en) * 2016-10-14 2018-08-07 Microelectronics Technology, Inc. Switchable radiators and operating method for the same
US10135147B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via an antenna
US10135146B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via circuits
US10340600B2 (en) 2016-10-18 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via plural waveguide systems
US10374316B2 (en) 2016-10-21 2019-08-06 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with non-uniform dielectric
US10811767B2 (en) 2016-10-21 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with convex dielectric radome
US9991580B2 (en) 2016-10-21 2018-06-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system for guided wave mode cancellation
US9876605B1 (en) 2016-10-21 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system to support desired guided wave mode
US10312567B2 (en) 2016-10-26 2019-06-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with planar strip antenna and methods for use therewith
US10291334B2 (en) 2016-11-03 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. System for detecting a fault in a communication system
US10225025B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for detecting a fault in a communication system
US10224634B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for adjusting an operational characteristic of an antenna
US10498044B2 (en) 2016-11-03 2019-12-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for configuring a surface of an antenna
US10178445B2 (en) 2016-11-23 2019-01-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods, devices, and systems for load balancing between a plurality of waveguides
US10090594B2 (en) 2016-11-23 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having structural configurations for assembly
US10340603B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having shielded structural configurations for assembly
US10535928B2 (en) 2016-11-23 2020-01-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system and methods for use therewith
US10340601B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-antenna system and methods for use therewith
US10361489B2 (en) 2016-12-01 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric dish antenna system and methods for use therewith
US10305190B2 (en) 2016-12-01 2019-05-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Reflecting dielectric antenna system and methods for use therewith
US10819035B2 (en) 2016-12-06 2020-10-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with helical antenna and methods for use therewith
US10637149B2 (en) 2016-12-06 2020-04-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Injection molded dielectric antenna and methods for use therewith
US10020844B2 (en) 2016-12-06 2018-07-10 T&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for broadcast communication via guided waves
US10326494B2 (en) 2016-12-06 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for measurement de-embedding and methods for use therewith
US9927517B1 (en) 2016-12-06 2018-03-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sensing rainfall
US10694379B2 (en) 2016-12-06 2020-06-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system with device-based authentication and methods for use therewith
US10727599B2 (en) 2016-12-06 2020-07-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with slot antenna and methods for use therewith
US10135145B2 (en) 2016-12-06 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave along a transmission medium
US10755542B2 (en) 2016-12-06 2020-08-25 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveillance via guided wave communication
US10439675B2 (en) 2016-12-06 2019-10-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for repeating guided wave communication signals
US10382976B2 (en) 2016-12-06 2019-08-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing wireless communications based on communication paths and network device positions
US10243270B2 (en) 2016-12-07 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Beam adaptive multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10027397B2 (en) 2016-12-07 2018-07-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Distributed antenna system and methods for use therewith
US10389029B2 (en) 2016-12-07 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system with core selection and methods for use therewith
US10139820B2 (en) 2016-12-07 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for deploying equipment of a communication system
US10446936B2 (en) 2016-12-07 2019-10-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10547348B2 (en) 2016-12-07 2020-01-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for switching transmission mediums in a communication system
US10168695B2 (en) 2016-12-07 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for controlling an unmanned aircraft
US10359749B2 (en) 2016-12-07 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for utilities management via guided wave communication
US9893795B1 (en) 2016-12-07 2018-02-13 At&T Intellectual Property I, Lp Method and repeater for broadband distribution
US10916969B2 (en) 2016-12-08 2021-02-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing power using an inductive coupling
US10103422B2 (en) 2016-12-08 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10389037B2 (en) 2016-12-08 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selecting sections of an antenna array and use therewith
US10601494B2 (en) 2016-12-08 2020-03-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Dual-band communication device and method for use therewith
US10326689B2 (en) 2016-12-08 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and system for providing alternative communication paths
US10938108B2 (en) 2016-12-08 2021-03-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Frequency selective multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US9911020B1 (en) 2016-12-08 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for tracking via a radio frequency identification device
US10530505B2 (en) 2016-12-08 2020-01-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves along a transmission medium
US10411356B2 (en) 2016-12-08 2019-09-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selectively targeting communication devices with an antenna array
US10069535B2 (en) 2016-12-08 2018-09-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves having a certain electric field structure
US9998870B1 (en) 2016-12-08 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for proximity sensing
US10777873B2 (en) 2016-12-08 2020-09-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10264586B2 (en) 2016-12-09 2019-04-16 At&T Mobility Ii Llc Cloud-based packet controller and methods for use therewith
US10340983B2 (en) 2016-12-09 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveying remote sites via guided wave communications
US9838896B1 (en) 2016-12-09 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for assessing network coverage
DE102017100264A1 (de) * 2017-01-09 2018-07-12 Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur in situ Kalibrierung eines Thermometers
US10069464B1 (en) * 2017-02-21 2018-09-04 The Boeing Company 3D low flux, high-powered MMIC amplifiers
US10847859B2 (en) * 2017-02-23 2020-11-24 Intel Corporation Single wire communication arrangement
US10608311B2 (en) 2017-02-23 2020-03-31 Intel Corporation Cable assembly comprising a single wire coupled to a signal launcher and housed in a first cover portion and in a second ferrite cover portion
US9973940B1 (en) 2017-02-27 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for dynamic impedance matching of a guided wave launcher
US10298293B2 (en) 2017-03-13 2019-05-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus of communication utilizing wireless network devices
JP2018157242A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 株式会社デンソーウェーブ アンテナ装置
KR102145700B1 (ko) 2017-03-27 2020-08-19 쿠무 네트웍스, 아이엔씨. 향상된 선형성 믹서
US10103774B1 (en) 2017-03-27 2018-10-16 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for intelligently-tuned digital self-interference cancellation
WO2018183333A1 (en) 2017-03-27 2018-10-04 Kumu Networks, Inc Systems and methods for tunable out-of-band interference mitigation
US10366035B2 (en) * 2017-03-29 2019-07-30 Intel Corporation Single wire communication board-to-board interconnect
WO2018202958A1 (fr) * 2017-05-05 2018-11-08 Stmicroelectronics Sa Procédé de contrôle de l'adaptation d'une antenne à un chemin de transmission, et dispositif correspondant
US10071605B1 (en) * 2017-07-20 2018-09-11 Keycore Technology Corp. Specific multi-band antenna impedance matching circuit and tire-pressure monitoring device using same
US10200076B1 (en) 2017-08-01 2019-02-05 Kumu Networks, Inc. Analog self-interference cancellation systems for CMTS
US10332687B2 (en) 2017-10-23 2019-06-25 Blackberry Limited Tunable coplanar capacitor with vertical tuning and lateral RF path and methods for manufacturing thereof
US10497774B2 (en) 2017-10-23 2019-12-03 Blackberry Limited Small-gap coplanar tunable capacitors and methods for manufacturing thereof
US10141971B1 (en) 2017-11-17 2018-11-27 Silicon Laboratories Inc. Transceiver circuit having a single impedance matching network
JP6835358B2 (ja) * 2017-11-24 2021-02-24 森田テック 株式会社 アンテナ装置、アンテナシステム、及び計測システム
CN111771345B (zh) 2018-02-27 2021-08-31 库姆网络公司 用于可配置混合自干扰消除的系统和方法
US10735045B2 (en) 2018-04-23 2020-08-04 Qorvo Us, Inc. Diplexer circuit
CN110556925B (zh) 2018-05-31 2022-12-27 华为技术有限公司 一种无线充电器和控制方法
WO2020139681A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 Avx Corporation System and method for controlling a voltage tunable multilayer capacitor
US11245432B2 (en) * 2019-03-06 2022-02-08 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency device with integrated antenna tuner and multiplexer
US11621269B2 (en) * 2019-03-11 2023-04-04 Globalfoundries U.S. Inc. Multi-level ferroelectric memory cell
US10868661B2 (en) 2019-03-14 2020-12-15 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for efficiently-transformed digital self-interference cancellation
WO2020198349A1 (en) * 2019-03-25 2020-10-01 The Texas A&M University System Millimeter-wave fully-integrated full duplexer modules with and without internal low noise amplifier and power amplifier for 5g applications
CN110113858B (zh) * 2019-05-29 2023-04-18 中国科学院近代物理研究所 一种最小q值自激调谐系统及调谐方法
CN110224707A (zh) * 2019-05-31 2019-09-10 惠州Tcl移动通信有限公司 一种band14信号的抑制电路和智能终端设备
CN112151954B (zh) * 2019-06-26 2023-07-28 Oppo广东移动通信有限公司 壳体组件、电子设备及壳体组件的介电常数调节方法
CN112151944A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 Oppo广东移动通信有限公司 天线模组、电子设备及电子设备的天线频段调节方法
US10658999B1 (en) 2019-07-09 2020-05-19 Silicon Laboratories Inc. On-chip harmonic filtering for radio frequency (RF) communications
US11349448B2 (en) 2019-09-27 2022-05-31 Silicon Laboratories Inc. Harmonic filtering for high power radio frequency (RF) communications
CA3159365A1 (en) 2019-10-29 2021-05-06 Psiquantum, Corp. Method and system for formation of stabilized tetragonal barium titanate
JP2021072563A (ja) * 2019-10-31 2021-05-06 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
CN114731170B (zh) * 2019-11-20 2023-12-22 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
US11296670B2 (en) * 2020-01-23 2022-04-05 Qualcomm Incorporated Impedance matching transceiver
CN111326835B (zh) * 2020-02-28 2021-03-05 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） 三维堆叠结构siw双工器
JP7234177B2 (ja) 2020-03-17 2023-03-07 株式会社東芝 半導体装置
US11258412B2 (en) 2020-05-28 2022-02-22 Eagle Technology, Llc Radio frequency (RF) device having tunable RF power amplifier and associated methods
JP2022002364A (ja) * 2020-06-19 2022-01-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US11631938B2 (en) 2020-10-13 2023-04-18 Eagle Technology, Llc Multi-band tunable strip antenna with dynamic bandwidth selection
CN112964936B (zh) * 2021-01-30 2023-03-21 天津理工大学 一种对周围环境介电常数敏感的微型天线传感器
CN113271078B (zh) * 2021-05-19 2023-10-24 上海鸿晔电子科技股份有限公司 一种滤波器的制造方法
US11699990B2 (en) 2021-07-19 2023-07-11 Txc Corporation Oscillating device
TWI831374B (zh) * 2022-09-15 2024-02-01 特崴光波導股份有限公司 多頻濾波器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3413543A (en) * 1965-04-23 1968-11-26 Gen Motors Corp Compensated ferroelectric hysteresiscope employing ground reference
WO1994013028A1 (en) * 1992-12-01 1994-06-09 Superconducting Core Technologies, Inc. Tunable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films

Family Cites Families (180)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US608659A (en) * 1898-08-09 Folding pedestal
US3239838A (en) 1963-05-29 1966-03-08 Kenneth S Kelleher Dipole antenna mounted in open-faced resonant cavity
US3680135A (en) 1968-02-05 1972-07-25 Joseph M Boyer Tunable radio antenna
US3569795A (en) * 1969-05-29 1971-03-09 Us Army Voltage-variable, ferroelectric capacitor
US3673803A (en) 1969-10-06 1972-07-04 Rohr Corp Method and apparatus for suppressing the noise of a fan-jet engine
US3678305A (en) 1970-02-06 1972-07-18 Aviat Supply Uk Acoustic surface wave devices
US3676803A (en) 1970-05-01 1972-07-11 Communications Satellite Corp Electronically tunable matching circuit for circulators
US3737814A (en) 1971-10-06 1973-06-05 Hughes Aircraft Co Crystal filter circuit with sharply defined passband edge
US3739299A (en) * 1972-04-20 1973-06-12 Zenith Radio Corp Adjustable piezoelectric tunable oscillator for acoustic signal generating system
US3836874A (en) 1973-06-25 1974-09-17 Hitachi Ltd Lumped element circulator
FR2239813B1 (ko) 1973-08-03 1978-04-21 Commissariat Energie Atomique
US4122400A (en) 1976-11-08 1978-10-24 Rca Corporation Amplifier protection circuit
FR2434495A1 (fr) * 1978-07-10 1980-03-21 Lignes Telegraph Telephon Circulateur de puissance a large bande pour ondes a tres haute et ultra haute frequence
FR2501434B1 (fr) 1981-03-03 1985-10-11 Cepe Oscillateur a frequence commandee comportant un element piezoelectrique et presentant une plage de variation de frequence etendue
US4494081A (en) 1982-05-24 1985-01-15 Rca Corporation Variable frequency U. H. F. local oscillator for a television receiver
US4475108A (en) 1982-08-04 1984-10-02 Allied Corporation Electronically tunable microstrip antenna
US4525720A (en) 1982-10-15 1985-06-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Integrated spiral antenna and printed circuit balun
JPH0770918B2 (ja) * 1984-06-05 1995-07-31 ソニー株式会社 同調発振器
EP0175988A2 (en) 1984-09-24 1986-04-02 Allied Corporation Process of manufacturing capacitive devices and capacitive devices manufactured by the process
GB2178616B (en) 1985-07-26 1989-04-26 Marconi Co Ltd Impedance matching arrangement
US4746925A (en) 1985-07-31 1988-05-24 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Shielded dipole glass antenna with coaxial feed
US4604593A (en) 1985-08-20 1986-08-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force π-section digital phase shifter apparatus
US4835540A (en) 1985-09-18 1989-05-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microstrip antenna
US4792939A (en) * 1986-01-24 1988-12-20 Hitachi Denshi Kabushiki Kaisha Duplex radio communication transceiver
US4737797A (en) 1986-06-26 1988-04-12 Motorola, Inc. Microstrip balun-antenna apparatus
US4736169A (en) 1986-09-29 1988-04-05 Hughes Aircraft Company Voltage controlled oscillator with frequency sensitivity control
JPS63128618A (ja) * 1986-11-18 1988-06-01 日本電気株式会社 可変コンデンサ
JPS63300655A (ja) 1987-05-29 1988-12-07 Canon Inc ダイヤリング装置
US4975604A (en) 1987-05-29 1990-12-04 Triquint Semiconductor, Inc. Automatic return-loss optimization of a variable fet attenuator
US4847626A (en) 1987-07-01 1989-07-11 Motorola, Inc. Microstrip balun-antenna
US4835499A (en) 1988-03-09 1989-05-30 Motorola, Inc. Voltage tunable bandpass filter
US6026311A (en) * 1993-05-28 2000-02-15 Superconductor Technologies, Inc. High temperature superconducting structures and methods for high Q, reduced intermodulation resonators and filters
US5231407A (en) 1989-04-18 1993-07-27 Novatel Communications, Ltd. Duplexing antenna for portable radio transceiver
FR2653430B1 (fr) * 1989-10-23 1991-12-20 Pf Medicament Nouveaux derives de dihydro-1,2 oxo-2 quinoxalines, leur preparation et leur application en therapeutique.
US5045821A (en) 1989-11-03 1991-09-03 Motorola, Inc. Broadband multi-phase hybrid
JPH0394841U (ko) 1990-01-18 1991-09-27
US5160870A (en) 1990-06-25 1992-11-03 Carson Paul L Ultrasonic image sensing array and method
GB2247125B (en) 1990-08-16 1995-01-11 Technophone Ltd Tunable bandpass filter
CN1019590B (zh) * 1990-09-03 1992-12-23 张学明 高效水电解制氢氧装置
US5164358A (en) 1990-10-22 1992-11-17 Westinghouse Electric Corp. Superconducting filter with reduced electromagnetic leakage
DE4036868A1 (de) 1990-11-19 1992-05-21 Windmoeller & Hoelscher Vorrichtung zum messen der foliendicke an einem zu einer folienschlauchblase aufgeblasenen folienschlauch in einer blasfolienanlage
US5173709A (en) 1991-06-03 1992-12-22 Motorola, Inc. Electronic direction finder
US5392018A (en) 1991-06-27 1995-02-21 Applied Materials, Inc. Electronically tuned matching networks using adjustable inductance elements and resonant tank circuits
US5216392A (en) 1991-07-05 1993-06-01 Motorola, Inc. Automatically controlled varactor tuned matching networks for a crystal filter
DE4129353A1 (de) 1991-09-04 1993-06-17 Wandel & Goltermann Eichleitung zum realisieren einstellbarer gruppenlaufzeiten
FR2681994B1 (fr) 1991-09-26 1994-09-30 Alcatel Telspace Dispositif de transmission numerique comportant un recepteur a demodulation coherente realisee directement en hyperfrequence.
JPH0590827A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Pioneer Electron Corp 可変同調マイクロストリツプアンテナ
US5293408A (en) 1991-10-14 1994-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. FSK data receiving system
JP3045419B2 (ja) 1991-11-08 2000-05-29 ローム株式会社 誘電体膜コンデンサ
US5166857A (en) 1991-12-24 1992-11-24 Motorola Inc. Electronically tunable capacitor switch
JPH05182857A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Rohm Co Ltd 薄膜コンデンサ
KR950003713B1 (ko) 1992-05-29 1995-04-17 삼성전자 주식회사 평행선로 대역통과여파기
US5212463A (en) 1992-07-22 1993-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Planar ferro-electric phase shifter
JP3407204B2 (ja) * 1992-07-23 2003-05-19 オリンパス光学工業株式会社 強誘電体集積回路及びその製造方法
US5388021A (en) 1992-09-18 1995-02-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Voltage surge suppression power circuits
US5472935A (en) * 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
US5307033A (en) 1993-01-19 1994-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Planar digital ferroelectric phase shifter
US5450092A (en) 1993-04-26 1995-09-12 Das; Satyendranath Ferroelectric scanning RF antenna
DE69424968T2 (de) 1993-04-28 2000-10-19 Casio Computer Co Ltd Antennenvorrichtung zur Erzeugung gewünschter Strahlungsdiagramme ohne Veränderung der Antennenstruktur
US5325099A (en) 1993-04-28 1994-06-28 Itt Corporation Modular solid-state radar transmitter apparatus and method for producing variable waveforms
US5451915A (en) * 1993-05-26 1995-09-19 Hittite Microwave Corporation Active filter resonator and system and negative resistance generator usable therein
US5312790A (en) 1993-06-09 1994-05-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Ceramic ferroelectric material
JPH0746064A (ja) 1993-07-29 1995-02-14 Nec Corp 負荷整合回路可変型高効率マイクロ波増幅器
JPH0758506A (ja) 1993-08-09 1995-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｃ型誘電体フィルタ、およびこれを用いた空中線共用器
US5583524A (en) 1993-08-10 1996-12-10 Hughes Aircraft Company Continuous transverse stub element antenna arrays using voltage-variable dielectric material
US5564086A (en) 1993-11-29 1996-10-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for enhancing an operating characteristic of a radio transmitter
US5459123A (en) * 1994-04-08 1995-10-17 Das; Satyendranath Ferroelectric electronically tunable filters
JP3316713B2 (ja) 1994-04-26 2002-08-19 株式会社村田製作所 アンテナ共用器
GB2289989B (en) 1994-05-25 1999-01-06 Nokia Mobile Phones Ltd Adaptive antenna matching
US5557286A (en) 1994-06-15 1996-09-17 The Penn State Research Foundation Voltage tunable dielectric ceramics which exhibit low dielectric constants and applications thereof to antenna structure
US5502422A (en) 1994-08-12 1996-03-26 Motorola, Inc. Filter with an adjustable shunt zero
US5496795A (en) 1994-08-16 1996-03-05 Das; Satyendranath High TC superconducting monolithic ferroelectric junable b and pass filter
JPH0879069A (ja) 1994-09-08 1996-03-22 Mitsubishi Electric Corp Ｖｃｏ回路及びｐｌｌ回路
US5649306A (en) * 1994-09-16 1997-07-15 Motorola, Inc. Portable radio housing incorporating diversity antenna structure
US5495215A (en) 1994-09-20 1996-02-27 Motorola, Inc. Coaxial resonator filter with variable reactance circuitry for adjusting bandwidth
US5496796A (en) * 1994-09-20 1996-03-05 Das; Satyendranath High Tc superconducting band reject ferroelectric filter (TFF)
US5561407A (en) 1995-01-31 1996-10-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Single substrate planar digital ferroelectric phase shifter
US5617104A (en) 1995-03-28 1997-04-01 Das; Satyendranath High Tc superconducting tunable ferroelectric transmitting system
US5479139A (en) 1995-04-19 1995-12-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army System and method for calibrating a ferroelectric phase shifter
JP3568621B2 (ja) * 1995-04-20 2004-09-22 株式会社日立製作所 地図表示装置
US5701595A (en) * 1995-05-04 1997-12-23 Nippondenso Co., Ltd. Half duplex RF transceiver having low transmit path signal loss
US5965494A (en) * 1995-05-25 1999-10-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Tunable resonance device controlled by separate permittivity adjusting electrodes
US6384785B1 (en) * 1995-05-29 2002-05-07 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Heterogeneous multi-lamination microstrip antenna
US5703020A (en) * 1995-05-30 1997-12-30 Das; Satyendranath High Tc superconducting ferroelectric MMIC phase shifters
US5673001A (en) * 1995-06-07 1997-09-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for amplifying a signal
US5577025A (en) 1995-06-30 1996-11-19 Qualcomm Incorporated Signal acquisition in a multi-user communication system using multiple walsh channels
US5717772A (en) * 1995-08-07 1998-02-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for suppressing acoustic feedback in an audio system
US6104934A (en) * 1995-08-09 2000-08-15 Spectral Solutions, Inc. Cryoelectronic receiver front end
US5729239A (en) 1995-08-31 1998-03-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Voltage controlled ferroelectric lens phased array
US5652599A (en) 1995-09-11 1997-07-29 Qualcomm Incorporated Dual-band antenna system
US5907665A (en) * 1995-10-11 1999-05-25 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for transforming image data
US5710984A (en) * 1995-10-20 1998-01-20 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Radio transceiver with impedance matched test port
US5640042A (en) 1995-12-14 1997-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thin film ferroelectric varactor
US5874926A (en) 1996-03-11 1999-02-23 Murata Mfg Co. Ltd Matching circuit and antenna apparatus
US6008659A (en) * 1996-03-15 1999-12-28 Ramtron International Corporation Method of measuring retention performance and imprint degradation of ferroelectric films
US5673188A (en) 1996-03-25 1997-09-30 Hughes Electronic Zero voltage switching series resonant half bridge VHF inverter
US5830591A (en) 1996-04-29 1998-11-03 Sengupta; Louise Multilayered ferroelectric composite waveguides
KR20000015822A (ko) * 1996-05-21 2000-03-15 칼 하인쯔 호르닝어 박막 다층 콘덴서_
DE19620932C1 (de) * 1996-05-24 1997-08-21 Bosch Gmbh Robert Planarer Filter mit ferroelektrischen und/oder antiferroelektrischen Elementen
US6216020B1 (en) 1996-05-31 2001-04-10 The Regents Of The University Of California Localized electrical fine tuning of passive microwave and radio frequency devices
JP3296189B2 (ja) * 1996-06-03 2002-06-24 三菱電機株式会社 アンテナ装置
JPH1013181A (ja) 1996-06-21 1998-01-16 Nec Corp Ｉｆフィルタ自動整合方式
WO1998000881A1 (en) 1996-06-28 1998-01-08 Superconducting Core Technologies, Inc. Near resonant cavity tuning devices
US5764190A (en) * 1996-07-15 1998-06-09 The Hong Kong University Of Science & Technology Capacitively loaded PIFA
EP0837504A3 (en) * 1996-08-20 1999-01-07 Ramtron International Corporation Partially or completely encapsulated ferroelectric device
US5864932A (en) * 1996-08-20 1999-02-02 Ramtron International Corporation Partially or completely encapsulated top electrode of a ferroelectric capacitor
SG54559A1 (en) * 1996-09-13 1998-11-16 Hitachi Ltd Power transmission system ic card and information communication system using ic card
US5870670A (en) 1996-09-23 1999-02-09 Motorola, Inc. Integrated image reject mixer
US5892486A (en) 1996-10-11 1999-04-06 Channel Master Llc Broad band dipole element and array
JPH10209714A (ja) 1996-11-19 1998-08-07 Sharp Corp 電圧制御通過帯域可変フィルタおよびそれを用いる高周波回路モジュール
US5777524A (en) 1997-07-29 1998-07-07 Motorola, Inc. Temperature compensation circuit for a crystal oscillator and associated circuitry
US5986515A (en) 1997-01-14 1999-11-16 Citizen Watch Co., Ltd. Temperature compensation crystal oscillator
US5889852A (en) 1997-02-10 1999-03-30 Nokia Mobile Phones Limited Photo screen scroll graphic user interface
US5908811A (en) * 1997-03-03 1999-06-01 Das; Satyendranath High Tc superconducting ferroelectric tunable filters
JP3684285B2 (ja) 1997-03-10 2005-08-17 株式会社日立製作所 同調型スロットアンテナ
US5834975A (en) 1997-03-12 1998-11-10 Rockwell Science Center, Llc Integrated variable gain power amplifier and method
JPH10327003A (ja) 1997-03-21 1998-12-08 Murata Mfg Co Ltd 非可逆回路素子及び複合電子部品
JPH10276112A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Sanyo Electric Co Ltd ラジオ受信機
US5880921A (en) 1997-04-28 1999-03-09 Rockwell Science Center, Llc Monolithically integrated switched capacitor bank using micro electro mechanical system (MEMS) technology
US6658239B1 (en) * 1997-05-09 2003-12-02 Micrel Incorporated Fully integrated ALL-CMOS AM transmitter with automatic antenna tuning
US6094588A (en) * 1997-05-23 2000-07-25 Northrop Grumman Corporation Rapidly tunable, high-temperature superconductor, microwave filter apparatus and method and radar receiver employing such filter in a simplified configuration with full dynamic range
EP0880108A1 (fr) 1997-05-23 1998-11-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Procédé de traitement d'une image incluant une étape de chainage, et appareil d'imagerie médicale incluant des moyens pour mettre en oeuvre ce procédé
JPH1146102A (ja) 1997-05-30 1999-02-16 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信機装置
US5973567A (en) 1997-06-16 1999-10-26 Hughes Electronics Corporation Tunable impedance matching network for a mic power amplifier module
JPH11111566A (ja) 1997-10-07 1999-04-23 Sharp Corp インピーダンス整合器
US6052036A (en) 1997-10-31 2000-04-18 Telefonaktiebolaget L M Ericsson Crystal oscillator with AGC and on-chip tuning
US6054908A (en) * 1997-12-12 2000-04-25 Trw Inc. Variable bandwidth filter
WO1999050932A1 (fr) * 1998-03-31 1999-10-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenne et televiseur numerique
US5973568A (en) 1998-06-01 1999-10-26 Motorola Inc. Power amplifier output module for dual-mode digital systems
FI106894B (fi) 1998-06-02 2001-04-30 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenteita
JP2000036702A (ja) 1998-07-21 2000-02-02 Hitachi Ltd 無線端末
US6600456B2 (en) * 1998-09-21 2003-07-29 Tantivy Communications, Inc. Adaptive antenna for use in wireless communication systems
US6100843A (en) * 1998-09-21 2000-08-08 Tantivy Communications Inc. Adaptive antenna for use in same frequency networks
US6281534B1 (en) * 1998-10-13 2001-08-28 Symetrix Corporation Low imprint ferroelectric material for long retention memory and method of making the same
KR20010089305A (ko) * 1998-10-16 2001-09-29 추후기재 동조 가능 유전 구조물, 동축 케이블, 공동 안테나 용도의동조 가능 공동, 마이크로스트립 라인, 공면 라인 및 도파관
ATE244459T1 (de) * 1998-10-16 2003-07-15 Paratek Microwave Inc Spannungsgesteuerte varaktoren und abstimmbare geräte mit derartigen varaktoren
DE69941583D1 (de) * 1998-10-27 2009-12-03 Murata Manufacturing Co Zusammengestellte Hochfrequenzkomponente und damit ausgerüstetes mobiles Kommunikationsgerät
JP2002529938A (ja) 1998-11-09 2002-09-10 パラテック マイクロウェーブ インコーポレイテッド 組み込みｄｃブロックを有する強誘電体
US6727535B1 (en) * 1998-11-09 2004-04-27 Paratek Microwave, Inc. Ferroelectric varactor with built-in DC blocks
US6181777B1 (en) 1998-11-19 2001-01-30 Excelsus Technologies, Inc. Impedance blocking filter circuit
WO2000035042A1 (en) 1998-12-11 2000-06-15 Paratek Microwave, Inc. Electrically tunable filters with dielectric varactors
US6272336B1 (en) 1998-12-30 2001-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Traffic-weighted closed loop power detection system for use with an RF power amplifier and method of operation
JP3283493B2 (ja) * 1999-02-02 2002-05-20 東洋通信機株式会社 高安定度圧電発振器
SE521870C2 (sv) * 1999-02-24 2003-12-16 Ericsson Telefon Ab L M Ferroelektrisk modulator
US6721293B1 (en) * 1999-03-10 2004-04-13 Nokia Corporation Unsupervised adaptive chip separation filter for CDMA terminal
US6347237B1 (en) * 1999-03-16 2002-02-12 Superconductor Technologies, Inc. High temperature superconductor tunable filter
US6160524A (en) 1999-03-17 2000-12-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Apparatus and method for reducing the temperature sensitivity of ferroelectric microwave devices
DE19915247A1 (de) 1999-04-03 2000-10-05 Philips Corp Intellectual Pty Spannungsabhängiger Dünnschichtkondensator
SE513809C2 (sv) 1999-04-13 2000-11-06 Ericsson Telefon Ab L M Avstämbara mikrovågsanordningar
US6101102A (en) * 1999-04-28 2000-08-08 Raytheon Company Fixed frequency regulation circuit employing a voltage variable dielectric capacitor
US6359444B1 (en) * 1999-05-28 2002-03-19 University Of Kentucky Research Foundation Remote resonant-circuit analyte sensing apparatus with sensing structure and associated method of sensing
JP3475858B2 (ja) * 1999-06-03 2003-12-10 株式会社村田製作所 アンテナ共用器及び通信機装置
WO2000079648A1 (en) 1999-06-17 2000-12-28 The Penn State Research Foundation Tunable dual-band ferroelectric antenna
SE516235C2 (sv) * 1999-06-18 2001-12-03 Ericsson Telefon Ab L M Avstämbar spiralantenn
WO2001010047A1 (en) * 1999-07-29 2001-02-08 Tdk Corporation Isolator with built-in power amplifier
US6842086B1 (en) * 1999-08-20 2005-01-11 Eagle Comtronics, Inc. Two-pole notch filter
KR100344790B1 (ko) * 1999-10-07 2002-07-19 엘지전자주식회사 마이크로 기계구조를 이용한 주파수 가변 초고주파 필터
US6738601B1 (en) * 1999-10-21 2004-05-18 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with floating MOSFET capacitors
US6362785B1 (en) * 1999-10-29 2002-03-26 The United States Of America As Repesented By The Secretary Of The Army Compact cylindrical microstrip antenna
AU2424201A (en) * 1999-11-04 2001-05-14 Paratek Microwave, Inc. Microstrip tunable filters tuned by dielectric varactors
US6559737B1 (en) * 1999-11-24 2003-05-06 The Regents Of The University Of California Phase shifters using transmission lines periodically loaded with barium strontium titanate (BST) capacitors
JP3818624B2 (ja) * 2000-02-23 2006-09-06 株式会社ルネサステクノロジ 無線通信システム
JP3570375B2 (ja) * 2000-04-19 2004-09-29 株式会社村田製作所 周波数可変フィルタ、アンテナ共用器および通信機装置
US6292143B1 (en) 2000-05-04 2001-09-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Multi-mode broadband patch antenna
JP3363870B2 (ja) * 2000-05-29 2003-01-08 沖電気工業株式会社 弾性表面波分波器
JP2001338839A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
US6525691B2 (en) * 2000-06-28 2003-02-25 The Penn State Research Foundation Miniaturized conformal wideband fractal antennas on high dielectric substrates and chiral layers
WO2002009226A1 (en) * 2000-07-20 2002-01-31 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
AU2001283217A1 (en) * 2000-08-08 2002-02-18 Advanced Power Technology, Inc. Power mos device with asymmetrical channel structure
US6285337B1 (en) * 2000-09-05 2001-09-04 Rockwell Collins Ferroelectric based method and system for electronically steering an antenna
JP2002135828A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Nec Corp 移動電話機、移動電話システム及びそれに用いる基地局
US6344823B1 (en) * 2000-11-21 2002-02-05 Accton Technology Corporation Structure of an antenna and method for manufacturing the same
US6686817B2 (en) * 2000-12-12 2004-02-03 Paratek Microwave, Inc. Electronic tunable filters with dielectric varactors
US6362789B1 (en) * 2000-12-22 2002-03-26 Rangestar Wireless, Inc. Dual band wideband adjustable antenna assembly
CN1233100C (zh) * 2000-12-27 2005-12-21 松下电器产业株式会社 高频开关、双频带高频开关、三频带高频开关和无线电通信设备
JP2002314372A (ja) * 2001-02-07 2002-10-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US6456236B1 (en) * 2001-04-24 2002-09-24 Rockwell Collins, Inc. Ferroelectric/paraelectric/composite material loaded phased array network
EP1314961B1 (en) * 2001-11-22 2009-07-15 Yamaha Corporation Electronic apparatus
US7176845B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-13 Kyocera Wireless Corp. System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3413543A (en) * 1965-04-23 1968-11-26 Gen Motors Corp Compensated ferroelectric hysteresiscope employing ground reference
WO1994013028A1 (en) * 1992-12-01 1994-06-09 Superconducting Core Technologies, Inc. Tunable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films

Also Published As

Publication number Publication date
US20020149535A1 (en) 2002-10-17
US20020149533A1 (en) 2002-10-17
US20040056730A1 (en) 2004-03-25
US20020149444A1 (en) 2002-10-17
US20020158717A1 (en) 2002-10-31
US20050128032A1 (en) 2005-06-16
KR20030096315A (ko) 2003-12-24
US20020151279A1 (en) 2002-10-17
US20020149439A1 (en) 2002-10-17
US20020163400A1 (en) 2002-11-07
US20040095211A1 (en) 2004-05-20
US6859104B2 (en) 2005-02-22
US6885263B2 (en) 2005-04-26
KR100798616B1 (ko) 2008-01-28
KR100976339B1 (ko) 2010-08-16
US20050095998A1 (en) 2005-05-05
US6741211B2 (en) 2004-05-25
US7221327B2 (en) 2007-05-22
US7009455B2 (en) 2006-03-07
US20020167447A1 (en) 2002-11-14
US20020149428A1 (en) 2002-10-17
US20040196121A1 (en) 2004-10-07
US6741217B2 (en) 2004-05-25
US6816714B2 (en) 2004-11-09
US20020149448A1 (en) 2002-10-17
CN100499264C (zh) 2009-06-10
US6885341B2 (en) 2005-04-26
US6690176B2 (en) 2004-02-10
US6639491B2 (en) 2003-10-28
CN101174507A (zh) 2008-05-07
US6927644B2 (en) 2005-08-09
CN1795584A (zh) 2006-06-28
US6727786B2 (en) 2004-04-27
KR20040014493A (ko) 2004-02-14
US20020163475A1 (en) 2002-11-07
US20020167454A1 (en) 2002-11-14
US6765540B2 (en) 2004-07-20
CN101174507B (zh) 2011-06-29
US7509100B2 (en) 2009-03-24
US6825818B2 (en) 2004-11-30
US7116954B2 (en) 2006-10-03
US20020151291A1 (en) 2002-10-17
KR20040002911A (ko) 2004-01-07
US20040155731A1 (en) 2004-08-12
US6756947B2 (en) 2004-06-29
US20030062971A1 (en) 2003-04-03
US6867744B2 (en) 2005-03-15
US20020167451A1 (en) 2002-11-14
US20070207748A1 (en) 2007-09-06
US20020149443A1 (en) 2002-10-17
US20020175863A1 (en) 2002-11-28
US6903612B2 (en) 2005-06-07
CN101136618B (zh) 2012-04-25
US20020149526A1 (en) 2002-10-17
US6819194B2 (en) 2004-11-16
US6737930B2 (en) 2004-05-18
KR20040004584A (ko) 2004-01-13
US20020175878A1 (en) 2002-11-28
US6833820B2 (en) 2004-12-21
US6744327B2 (en) 2004-06-01
US6690251B2 (en) 2004-02-10
US6970055B2 (en) 2005-11-29
US20040174220A1 (en) 2004-09-09
US7265643B2 (en) 2007-09-04
US20020149434A1 (en) 2002-10-17
US6909344B2 (en) 2005-06-21
US6861985B2 (en) 2005-03-01
US20050085200A1 (en) 2005-04-21
KR101110382B1 (ko) 2012-02-24
CN101136618A (zh) 2008-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100942134B1 (ko) 강유전성 회로 컴포넌트와 결부된 손실 결정 방법 및튜닝가능 박막 강유전성 장치
EP1377839B1 (en) Low-loss tunable ferro-electric device and method of characterization
Schuster et al. Performance analysis of reconfigurable bandpass filters with continuously tunable center frequency and bandwidth
EP1417794A1 (en) Methods and systems for load sharing signaling messages among signaling links

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee