JP2010258402A - 静電容量素子及び共振回路 - Google Patents

Abstract

【課題】誘電体層を挟んで対向する電極間の位置ずれによる容量の変化を抑制して、所望の容量を有する静電容量素子を安定して製造する。
【解決手段】本発明の静電容量素子は、誘電体層１０と、誘電体層１０の所定面１０ａ上に形成された第１電極１１と、誘電体層１０の前記所定面１０ａとは反対側の面１０ｂ上に形成された第２電極１２とを備える構成とする。そして、第１電極１１が第２電極１２に対して所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、第１電極１１及び第２電極１２間の対向電極領域の面積が変化しないように、第１及び第２電極１１，１２の形状を設定する。
【選択図】図７

Description

本発明は、静電容量素子及びそれを備える共振回路に関し、より具体的には、例えばｐＦオーダーの小さな容量を有する静電容量素子及びそれを備える共振回路に関する。

従来、外部からバイアス信号を印加することにより、容量を変化させて入力信号の周波数や時間などを制御する可変容量素子が活用されている。そのような可変容量素子としては、例えば、可変容量ダイオード（バリキャップ）やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）などが商品化されている。

また、従来、上述のような可変容量素子を、非接触ＩＣ（Integrated Circuit）カードにおける保護回路として利用する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の技術では、非接触ＩＣカードをそのリーダライターに近づけた際に、過大な受信信号により耐電圧性の低い半導体素子からなる制御回路が破壊されないようにするために、保護回路として可変容量素子を用いる。

図６０に、特許文献１で提案されている非接触ＩＣカードのブロック構成図を示す。特許文献１では、可変容量素子として可変容量ダイオード３０３ｄを用いる。そして、バイアス除去用コンデンサ３０３ｃ及び可変容量ダイオード３０３ｄの直列回路をコイル３０３ａ及びコンデンサ３０３ｂからなる共振回路に並列に接続する。

特許文献１では、受信信号を検波回路３１３で検波して得た直流電圧Ｖｏｕｔを抵抗３１４ａ及び３１４ｂで抵抗分割する。そして、抵抗分割された直流電圧（抵抗３１４ｂに掛かる直流電圧）を、その直流電圧の変動を除去するために設けられたコイル３１５を介して可変容量ダイオード３０３ｄに印加して、可変容量ダイオード３０３ｄの容量を調整する。すなわち、抵抗分割された直流電圧を可変容量ダイオード３０３ｄの制御電圧として用いる。

特許文献１では、受信信号が過大な場合は、制御電圧により可変容量ダイオード３０３ｄの容量が小さくなり、これにより受信アンテナ３０３の共振周波数が高くなる。この結果、容量が変化する前の受信アンテナ３０３の共振周波数ｆ_０における受信信号のレスポンスは容量低下前より低くなり、受信信号レベルを抑制することができる。特許文献１で提案されている技術では、このようにして可変容量素子により信号処理部３２０（制御回路）を保護する。

また、本発明者らは、従来、可変容量素子として強誘電体材料を用いた素子を提案している（例えば、特許文献２参照）。特許文献２では、信頼性及び生産性の向上を図るために、図６１（ａ）及び（ｂ）に示すような電極構造を有する可変容量素子４００を提案している。図６１（ａ）は、可変容量素子４００の概略斜視図であり、図６１（ｂ）は、可変容量素子４００の断面構成図である。特許文献２の可変容量素子４００では、直方体形状の誘電体層４０４の４つの面に、それぞれ端子が設けられる。４つの端子のうち、一方の対向する２つの端子が信号電源４０３に接続される信号端子４０３ａ及び４０３ｂであり、他方の対向する２つの端子が制御電源４０２に接続される制御端子４０２ａ及び４０２ｂである。

可変容量素子４００の内部は、図６１（ｂ）に示すように、複数の制御電極４０２ｃ〜４０２ｇ及び複数の信号電極４０３ｃ〜４０３ｆが、誘電体層４０４を介して交互に積層された構造になっている。具体的には、最下層から、制御電極４０２ｇ、信号電極４０３ｆ、制御電極４０２ｆ、信号電極４０３ｅ、制御電極４０２ｅ、信号電極４０３ｄ、制御電極４０２ｄ、信号電極４０３ｃ及び制御電極４０２ｃがこの順で誘電体層４０４を介して積層される。そして、図６１（ｂ）の例では、制御電極４０２ｇ、制御電極４０２ｅ及び制御電極４０２ｃが一方の制御端子４０２ａに接続され、制御電極４０２ｆ及び制御電極４０２ｄが他方の制御端子４０２ｂに接続される。また、信号電極４０３ｆ及び信号電極４０３ｄは一方の信号端子４０３ａに接続され、信号電極４０３ｅ及び信号電極４０３ｃは他方の信号端子４０３ｂに接続される。

特許文献２の可変容量素子４００では、制御端子及び信号端子に個別に電圧を印加することができるとともに、内部に信号電極及び制御電極を複数積層させるので、低コストで容量を増大することができるという利点がある。また、特許文献２のような構造の可変容量素子４００は、製造が容易であり、低コストである。さらに、特許文献２の可変容量素子４００では、バイアス除去用コンデンサは不要になる。

特開平０８−７０５９号公報 特開２００７−２８７９９６号公報

比誘電率の大きい強誘電体材料を用いて、小さい容量の可変容量素子を作製する際には、誘電体層を厚くして電極間距離を大きくする、または、対向する電極面積を小さくする必要がある。しかしながら、誘電体層を厚くすると誘電体層に印加される電界強度が小さくなるので、可変容量素子の容量を変化させるための制御電圧が高くなる。

一方、誘電体層を厚くする代わりに電極面積を小さくすると、可変容量素子の抵抗値が増大する。可変容量素子の抵抗値は電極の積層数に反比例するので、従来、上記問題を解決するために、誘電体層の層数を増やしてそれらを挟んで形成する電極の積層数を増やしている。しかしながら、この場合、各誘電体層を挟んで対向する電極間に位置ずれが発生すると、これにより、各層の容量が変化する。その結果、可変容量素子毎の容量のばらつきが大きくなり、所望の容量を有する可変容量素子を安定して製造することができないという問題が生じる。

上記問題は、可変容量素子が、特許文献１で提案されているような制御端子を別途設けない２端子タイプの可変容量素子であっても、特許文献２で提案されているような制御端子を別途設ける４端子タイプの可変容量素子であっても同様に生じる。

さらに、上述した可変容量素子毎の容量のばらつきの問題は、可変容量素子に限らず、入力信号の種類（交流または直流）及びその信号レベルに関係なく容量がほとんど変化しない静電容量素子に対しても同様に生じる。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、誘電体層を挟んで対向する電極間の位置ずれによる容量の変化を抑制して、所望の容量を有する静電容量素子を安定して製造することである。

上記問題を解決するために、本発明の静電容量素子は、誘電体層と、誘電体層の所定面上に形成された第１電極と、誘電体層の前記所定面とは反対側の面上に形成された第２電極とを備える構成とする。第１電極は所定の第１形状で形成する。そして、第２電極は、第１電極を前記反対側の面に投影した際の投影パターンと重なる第１領域を有し、且つ、第１電極が所定面内の所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、第１領域の面積が変化しない第２形状で形成されるようにする。

本発明では、第１電極が第２電極に対して所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、第１電極を第２電極側に投影した際の投影パターンと第２電極とが重なる領域（第１領域）の面積は変化しない。それゆえ、本発明によれば、誘電体層を挟んで形成される電極間の位置ずれによる容量変化を抑制することができ、所望の容量を有する静電容量素子を安定して製造することができる。

図１は、積層型コンデンサの概略構成図である。 図２は、可変容量コンデンサの概略断面図である。 図３（ａ）は、可変容量コンデンサの上面図であり、図３（ｂ）は、可変容量コンデンサの下面図である。 図４（ａ）は、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図４（ｂ）は、上電極が＋ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図であり、図４（ｃ）は、上電極が−ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図５（ａ）は、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図５（ｂ）は、上電極が＋ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図であり、図５（ｃ）は、上電極が−ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図６は、第１の実施形態の可変容量コンデンサの概略断面図である。 図７（ａ）は、第１の実施形態の可変容量コンデンサの上面図であり、図７（ｂ）は、第１の実施形態の可変容量コンデンサの下面図である。 図８は、第１の実施形態において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図９（ａ）は、第１の実施形態において、上電極が＋ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図９（ｂ）は、第１の実施形態において、上電極が−ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図１０（ａ）は、第１の実施形態において、上電極が＋ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図１０（ｂ）は、第１の実施形態において、上電極が−ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図１１（ａ）及び（ｂ）は、上電極の延在方向と下電極の延在方向とが平行である場合の上電極と下電極との重なり状態を示す図である。 図１２（ａ）及び（ｂ）は、上電極の延在方向と下電極の延在方向とが交差する場合の上電極と下電極との重なり状態を示す図である。 図１３（ａ）は、変形例１の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図１３（ｂ）は、変形例１の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図１４は、変形例１において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図１５（ａ）は、変形例１において、上電極が＋ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図１５（ｂ）は、変形例１において、上電極が−ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図１６（ａ）は、変形例１において、上電極が＋ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図１６（ｂ）は、変形例１において、上電極が−ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図１７（ａ）は、変形例２の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図１７（ｂ）は、変形例２の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図１８は、変形例２において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図１９（ａ）は、変形例２において、上電極が＋ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図１９（ｂ）は、変形例２において、上電極が−ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図２０（ａ）は、変形例２において、上電極が＋ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図２０（ｂ）は、変形例２において、上電極が−ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図２１（ａ）は、第２の実施形態の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図２１（ｂ）は、第２の実施形態の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図２２は、第２の実施形態において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図２３（ａ）は、第２の実施形態において、上電極が＋ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図２３（ｂ）は、第２の実施形態において、上電極が−ｙ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図２４（ａ）は、第２の実施形態において、上電極が＋ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。また、図２４（ｂ）は、第２の実施形態において、上電極が−ｘ方向に位置ずれした場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図２５は、２端子タイプの可変容量コンデンサの周辺の回路構成図である。 図２６は、変形例３の可変容量素子の概略断面図である。 図２７は、第３の実施形態の可変容量コンデンサの概略断面図である。 図２８（ａ）は、第３の実施形態の可変容量コンデンサの第１制御電極の構成図であり、図２８（ｂ）は、第１信号電極の構成図である。また、図２８（ｃ）は、第３の実施形態の第２制御電極の構成図であり、図２８（ｄ）は、第２信号電極の構成図である。 図２９（ａ）は、第４の実施形態の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図２９（ｂ）は、第４の実施形態の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図３０は、第４の実施形態において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図３１（ａ）は、変形例４の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図３１（ｂ）は、変形例４の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図３２は、変形例４において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図３３は、可変容量コンデンサの概略斜視図である。 図３４（ａ）は、図３３に示す可変容量コンデンサの上面図であり、図３４（ｂ）は、図３４（ａ）中のＡ−Ａ断面図である。 図３５は、図３３に示す可変容量コンデンサの等価回路図である。 図３６（ａ）は、第５の実施形態の可変容量コンデンサの概略斜視図であり、図３６（ｂ）は、第５の実施形態の可変容量コンデンサの上面図である。 図３７（ａ）は、第５の実施形態の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図３７（ｂ）は、第５の実施形態の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図３８は、第５の実施形態において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図３９（ａ）は、変形例５の可変容量コンデンサの概略斜視図であり、図３９（ｂ）は、変形例５の可変容量コンデンサの上面図である。 図４０（ａ）は、変形例５の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図４０（ｂ）は、変形例５の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図４１は、変形例５の可変容量コンデンサにおいて、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図４２（ａ）は、第６の実施形態の可変容量コンデンサの概略斜視図であり、図４２（ｂ）は、第６の実施形態の可変容量コンデンサの上面図である。 図４３（ａ）は、第６の実施形態の可変容量コンデンサの上電極の構成図であり、図４３（ｂ）は、第６の実施形態の可変容量コンデンサの下電極の構成図である。 図４４は、第６の実施形態において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図４５（ａ）は、第７の実施形態の可変容量素子の概略斜視図であり、図４５（ｂ）は、第７の実施形態の可変容量素子の上面図である。 図４６（ａ）は、第７の実施形態の可変容量素子の上電極の構成図であり、図４６（ｂ）は、第７の実施形態の可変容量素子の下電極の構成図である。 図４７は、第７の実施形態において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図４８は、第７の実施形態の可変容量素子の等価回路図である。 図４９は、第７の実施形態の可変容量素子の実装例を示す図である。 図５０は、変形例６の可変容量素子の概略構成図である。 図５１（ａ）は、変形例７の可変容量素子の概略斜視図であり、図５１（ｂ）は、変形例７の可変容量素子の上面図である。 図５２（ａ）は、変形例７の可変容量素子の上電極の構成図であり、図５２（ｂ）は、変形例７の可変容量素子の下電極の構成図である。 図５３は、変形例７の可変容量素子において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図５４は、変形例７の可変容量素子の等価回路図である。 図５５は、変形例８の可変容量素子の概略構成図である。 図５６（ａ）は、変形例８の可変容量素子の上電極の構成図であり、図５６（ｂ）は、変形例８の可変容量素子の下電極の構成図である。 図５７は、変形例８の可変容量素子において、位置ずれがない場合の上電極の投影パターンと下電極との重なり状態を示す図である。 図５８は、変形例９の可変容量コンデンサの概略構成図である。 図５９は、第８の実施形態の非接触ＩＣカードのブロック構成図である。 図６０は、従来の非接触ＩＣカードのブロック構成図である。 図６１（ａ）は、従来の４端子タイプの可変容量素子の概略斜視図であり、図６１（ｂ）は、従来の４端子タイプの可変容量素子の断面構成図である。

以下に、本発明の実施形態に係る静電容量素子の一例を、図面を参照しながら、以下の順で説明する。なお、以下に示す例では、静電容量素子として可変容量素子を例に挙げ説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
１．第１の実施形態：２端子タイプの可変容量素子の構成例
２．第２の実施形態：一方向の位置ずれに対応可能な２端子タイプの可変容量素子の構成例
３．第３の実施形態：４端子タイプの可変容量素子の構成例
４．第４の実施形態：電極抵抗値をさらに低減可能な可変容量素子の構成例
５．第５の実施形態：外部端子間の浮遊容量を低減可能な可変容量素子の構成例
６．第６の実施形態：外部端子間の浮遊容量を低減可能な可変容量素子の別の構成例
７．第７の実施形態：一つの強誘電体層に複数の可変容量コンデンサを配列する構成例
８．第８の実施形態：本発明の静電容量素子を備える非接触受信装置の構成例

＜１．第１の実施形態＞
第１の実施形態では、容量の変化を制御する制御端子を別途設けない２端子タイプの可変容量素子の一例を説明する。

［電極間の位置ずれの影響］
本実施形態の可変容量素子の構成を説明する前に、まず、上述した本発明で解決すべき位置ずれの問題を、図面を参照しながらより具体的に説明する。

図１に、一般的な積層型の可変容量コンデンサの概略構成を示す。なお、図１には、積層型の可変容量コンデンサの分解図を示す。積層型の可変容量コンデンサは、誘電体層９０及び誘電体層９０上に形成された上電極９１からなる層と、誘電体層９３及び誘電体層９３上に形成された下電極９２からなる層とを積層した構成となる。

誘電体層９０は、板状の形状を有する。そして、上電極９１は誘電体層９０の表面において、その一方の短辺部から誘電体層９０の長辺に沿って長さＬで延在して形成される。また、誘電体層９３及び下電極９２からなる層は、誘電体層９０及び上電極９１からなる層と同じ構成である。

そして、誘電体層９０及び上電極９１からなる層と、誘電体層９３及び下電極９２からなる層とを積層する際、電極が形成されていない表面部（誘電体層９０及び９３が露出している面領域）が互いに重ならないように両者の層を重ねる。これにより、上電極９１を下電極９２側に投影した際の投影パターンと下電極９２とが重なる領域（以下、対向電極領域ともいう）が形成される。なお、図１の２端子タイプの可変容量コンデンサでは、各電極の対向電極領域以外の電極領域が信号電源及び制御電源にリード線等を介して接続される。

ここで、対向電極領域の面積をＳ、誘電体層９０の厚さ（電極間距離）をｄ、誘電体層９０の比誘電率をε_ｒ、そして、真空の誘電率をε_０とすると、上電極９１及び下電極９２間の容量Ｃは、Ｃ＝ε_０×ε_ｒ×（Ｓ／ｄ）で表される。また、各電極の幅をＷ、厚さをｔ、電極の積層数をＮ、電極の比抵抗をρとすると、可変容量コンデンサの直流抵抗Ｒは、Ｒ＝ρ×Ｌ／（Ｗ×ｔ×Ｎ）で表される。

比誘電率ε_ｒが例えば１０００以上となる強誘電体材料を用いて小容量（例えば４７０ｐＦ以下）の可変容量コンデンサを形成するためには、電極間距離ｄ（誘電体層９０の厚さ）を大きくする及び／又は対向電極領域の面積Ｓを小さくする必要がある。しかしながら、上述のように電極間距離ｄを大きくすると、容量を変化させるための制御電圧が大きくなり（例えば、約５０〜１００Ｖ程度になる）、低電圧駆動（例えば、約５Ｖ以下）の用途には適さない。それゆえ、可変容量素子を低電圧駆動するためには、対向電極領域の面積Ｓを小さくする、すなわち、小さな電極を形成しなければならない。

対向電極領域の面積Ｓは、対向電極領域の電極の延在方向の長さΔＬを短くすることにより、小さくすることができる。対向電極領域の長さΔＬは、コンデンサ長さをＬｃとすると、ΔＬ＝２Ｌ−Ｌｃで求められる（なお、Ｌは電極長さである。図１参照）。ここで、コンデンサ長さＬｃを固定とすると、電極長さＬを短くすることにより、対向電極領域の長さΔＬを小さくすることができる。また、電極の幅Ｗを狭くすることによっても対向電極領域の面積Ｓを小さくすることができる。

しかしながら、小さな電極を形成すると、電極の抵抗値Ｒが大きくなるという問題が生じる。特に、上述のように、電極の抵抗値Ｒは電極長さＬに比例し、電極幅Ｗに反比例するので、電極の幅Ｗを狭くすると電極毎の抵抗値Ｒが大きくなる。したがって、電極の抵抗値Ｒをより小さくする場合、電極の形状としては、その長さＬを短くし、且つ、幅Ｗを広くすることが望ましい。

また、上述した電極の抵抗値の問題は、電極の積層数Ｎを大きくすることにより解消される。しかしながら、電極の積層数Ｎが増えると、誘電体層を挟んで対向する電極間の相対的な位置ずれによる容量変化への影響が大きくなる。なお、誘電体層を挟んで対向する電極間の相対的な位置ずれ量及び位置ずれ方向は、電極形成時の製造プロセス（例えば、マスクの位置合わせ等）の精度により変化する。

ここで、誘電体層を挟んで対向する電極間の位置ずれの様子を、図面を参照しながら説明する。図２に、従来の可変容量コンデンサの概略構成を示す。なお、ここでは、説明を簡略化するため、誘電体層が１層の可変容量コンデンサの例を説明する。可変容量コンデンサ９４は、直方体状の強誘電体層９５と、強誘電体層９５を挟み込むように形成された上電極９６及び下電極９７とで構成される。図２の可変容量コンデンサ９４は２端子タイプの可変容量素子であり、上電極９６及び下電極９７は、それぞれリード線９８及び９９を介して、信号電源及び制御電源に接続される。

また、図３（ａ）及び（ｂ）に、それぞれ可変容量コンデンサ９４の上電極９６及び下電極９７の構成を示す。なお、図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ可変容量コンデンサ９４の上面図及び下面図である。

上電極９６は、Ｔ字状の形状を有し、強誘電体層９５の上面９５ａに形成される。上電極９６は、強誘電体層９５の上面９５ａの一方の短辺に沿って形成された端子部９６ｂと、端子部９６ｂの中央から端子部９６ｂの延在方向（図３（ａ）中のｙ方向）に直交する方向（ｘ方向）に延在した電極部９６ａとで構成される。なお、リード線９８は端子部９６ｂに接続される。

一方、下電極９７は、上電極９６と同様にＴ字状の形状を有し、強誘電体層９５の下面９５ｂに形成される。下電極９７は、強誘電体層９５の下面９５ｂの他方の短辺に沿って形成された端子部９７ｂと、端子部９７ｂの中央から端子部９７ｂの延在方向（図３（ｂ）中のｙ方向）に直交する方向（ｘ方向）に延在した電極部９７ａとで構成される。なお、リード線９９は端子部９７ｂに接続される。

図４（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜（ｃ）に、上電極９６を下電極９７側（強誘電体層９５の下面９５ｂ）に投影した際の上電極９６の投影パターン９６ｐと下電極９７との重なり領域と、上電極９６及び下電極９７間の位置ずれとの関係を示す。

図４（ａ）は、上電極９６と下電極９７とが相対的に位置ずれしていない場合の上電極９６の投影パターン９６ｐ（以下、上電極投影パターン９６ｐという）と下電極９７との重なり状態を示す図である。図４（ｂ）は、上電極９６が下電極９７に対して相対的に＋ｙ方向（図面上では上方向）に位置ずれした場合の上電極投影パターン９６ｐと下電極９７との重なり状態を示す図である。また、図４（ｃ）は、上電極９６が下電極９７に対して相対的に−ｙ方向（図面上では下方向）に位置ずれした場合の上電極投影パターン９６ｐと下電極９７との重なり状態を示す図である。なお、図４（ｂ）及び（ｃ）では、下電極９７に対する上電極９６の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

また、図５（ａ）は、図４（ａ）と同様に、上電極９６と下電極９７とが相対的に位置ずれしていない場合の上電極投影パターン９６ｐと下電極９７との重なり状態を示す図である。図５（ｂ）は、上電極９６が下電極９７に対して相対的に＋ｘ方向（図面上では右方向）に位置ずれした場合の上電極投影パターン９６ｐと下電極９７との重なり状態を示す図である。また、図５（ｃ）は、上電極９６が下電極９７に対して相対的に−ｘ方向（図面上では左方向）に位置ずれした場合の上電極投影パターン９６ｐと下電極９７との重なり状態を示す図である。なお、図５（ｂ）及び（ｃ）では、下電極９７に対する上電極９６の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

例えば、図４（ｂ）、４（ｃ）及び図５（ｂ）に示すように上電極９６と下電極９７との位置が相対的にずれると、対向電極領域Ｓａから外れる電極領域Ｓａｏが発生する。この場合には、対向電極領域Ｓａの面積は、位置ずれがない場合に比べて小さくなる。また、例えば、図５（ｃ）の場合には、上電極９６及び下電極９７間の位置ずれにより、対向電極領域Ｓａに新たに加わる電極領域Ｓａｉが発生し、対向電極領域Ｓａの面積は、位置ずれがない場合に比べて大きくなる。

上述のような積層型の可変容量コンデンサ９４は、電極付の誘電体層を複数作製しておき、それらを順次積層して作製する。そして、上電極同士を外部電極で接続し且つ下電極同士を他の外部電極で接続して、誘電体層毎に形成されるコンデンサ成分を並列接続することにより大きな容量（積層数に比例）と小さな抵抗（積層数に反比例）とを得る。

各層の積層時の誘電体層を挟んで対向する電極間の位置ずれ量は、電極形成時のマスクの位置あわせ等の精度により異なるが、現状の製造プロセスでは、例えば１０μｍ程度となる。この様な精度において、例えば、電極長さが８００μｍ程度の大容量コンデンサを作製する場合には、位置ずれによる容量変化の影響は非常に小さい。しかしながら、例えば、誘電体層の比誘電率ε_ｒ＝３０００とし、厚さｄを２μｍとして、６６ｐＦ程度の容量の積層型可変容量コンデンサを作製する場合には、対向電極領域Ｓａのサイズは、５０μｍ×５０μｍ程度となる。この場合、上述した位置ずれ量（約１０μｍ）は無視できない値となり、所望の容量の可変容量コンデンサを安定して作製することができない。

そこで、本発明は、強誘電体材料で形成された誘電体層を挟んで対向する電極間の相対的な位置ずれによる対向電極領域Ｓａの変化を抑制して、上記問題を解決する。

［可変容量コンデンサの構成］
図６に、本実施形態の可変容量コンデンサの概略構成を示す。また、図７（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態の電極の構成を示す。なお、図７（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ可変容量コンデンサの上面図及び下面図である。

可変容量コンデンサ１（可変容量素子）は、主に、強誘電体層１０と、強誘電体層１０を挟み込むように形成された上電極１１及び下電極１２とで構成される。上電極１１及び下電極１２は、それぞれリード線１３及び１４を介して、信号電源及び制御電源（不図示）に接続される。なお、後述するように、本実施形態の可変容量コンデンサ１を作製する際には、上電極１１を形成した強誘電体層１０と、下電極１２を形成した別の強誘電体層とを積層する（図１に示すような構成にする）。ただし、図６では、説明を簡略化するために下電極１２が形成される別の強誘電体層は図示していない。

強誘電体層１０（誘電体層）は、外部から印加される制御信号に応じて容量が変化する誘電体材料で形成される。例えば、強誘電体層１０は、比誘電率が１０００を超えるような強誘電体材料で形成されたシート状部材（厚さは、例えば２μｍ程度）で構成することができる。なお、強誘電体層１０の電極が形成される面１０ａ及びそれとは反対側の面１０ｂ（以下、それぞれ上面１０ａ及び下面１０ｂという）の形状は長方形であり、その長辺と短辺の比は、例えば、２：１にすることができる。

強誘電体層１０の形成材料としては、イオン分極を生じる強誘電体材料を用いることができる。イオン分極を生じる強誘電体材料は、イオン結晶材料からなり、プラスのイオンとマイナスのイオンの原子が変位することで電気的に分極する強誘電体材料である。このイオン分極を生じる強誘電体材料は、一般に、所定の２つの元素をＡ及びＢとすると、化学式ＡＢＯ_３（Ｏは酸素元素）で表され、ペロブスカイト構造を有する。このような強誘電体材料としては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ_３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）等が挙げられる。また、強誘電体層１０の形成材料として、例えば、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）にジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ_３）を混ぜ合わせたＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を用いてもよい。

また、強誘電体層１０の形成材料として、電子分極を生じる強誘電体材料を用いてもよい。この強誘電体材料では、プラスの電荷に偏った部分と、マイナスの電荷に偏った部分とに分かれて電気双極子モーメントが生じ、分極が生じる。そのような材料として、従来、Ｆｅ^２＋の電荷面と、Ｆｅ^３＋の電荷面の形成により、分極を形成して強誘電体的特性を示す希土類鉄酸化物が報告されている。この系においては、希土類元素をＲＥとし、鉄族元素をＴＭとしたときに、分子式（ＲＥ）・（ＴＭ）_２・Ｏ_４（Ｏは酸素元素）で表される材料が高誘電率を有することが報告されている。なお、希土類元素としては、例えば、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ（特にＹと重希土類元素）が挙げられ、鉄族元素としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ（特にＦｅ）が挙げられる。また、（ＲＥ）・（ＴＭ）_２・Ｏ_４としては、例えば、ＥｒＦｅ_２Ｏ_４、ＬｕＦｅ_２Ｏ_４、ＹＦｅ_２Ｏ_４が挙げられる。また、強誘電体層１０の形成材料として、異方性を有する強誘電体材料を用いてもよい。

上電極１１（第１電極）は、強誘電体層１０の上面１０ａ上に形成される。上電極１１は、図７（ａ）に示すように、略Ｌ字状の形状（第１形状）を有する。上電極１１は、電極部１１ａ（第１電極部）と、端子部１１ｂとで構成される。端子部１１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の短辺（図面上では右側短辺）に沿って形成される。また、電極部１１ａは、端子部１１ｂの一方の長辺側（図面上では下側の長辺側）の位置から端子部１１ｂの延在方向（図７（ａ）中のｙ方向）に直交する方向（ｘ方向：第１方向）に延在して形成される。

下電極１２（第２電極）は、強誘電体層１０の下面１０ｂ上に形成される。下電極１２は、図７（ｂ）に示すように、略Ｕ字状の形状（第２形状）を有する。下電極１２は、電極部１２ａ（第２電極部）と、端子部１２ｂとで構成される。端子部１２ｂは、Ｌ字状の形状を有し、強誘電体層１０の下面１０ｂの他方の短辺（図面上では左側短辺）に沿って形成される短辺部分と、下面１０ｂの一方の長辺（図面上では上側長辺）に沿って形成される長辺部分とで構成される。そして、電極部１２ａは、端子部１２ｂの長辺部分の端部から、その長辺部分の延在方向（図７（ｂ）中のｘ方向）に直交する方向（ｙ方向：第２方向）に延在して形成される。

なお、上電極１１及び下電極１２は、例えば、金属微粉末（Ｐｄ、Ｐｄ／Ａｇ、Ｎｉ等)を含む導電ペーストを用いて形成される。これにより、可変容量コンデンサ１の製造コストを低減することができる。

［可変容量コンデンサの作製方法］
ここで、本実施形態の可変容量コンデンサ１の作製方法の一例を簡単に説明する。まず、上述した強誘電体材料からなるシート部材を用意する。なお、このシート部材が、上述した強誘電体層１０となる。

次いで、例えばＰｄ、Ｐｄ／Ａｇ、Ｎｉ等の金属微粉末をペースト化した導電ペーストを調製する。そして、その導電ペーストを電極形状に対応する開口部が形成されたマスクを介して、シート部材の一方の表面に塗布（シルク印刷等）して上電極１１を形成する。次いで、上電極１１と同様にして、別のシート部材（不図示）の一方の表面に下電極１２を形成する。

次いで、上電極１１（導電ペースト層）が塗布されたシート部材と、下電極１２（導電ペースト層）が塗布された別のシート部材とを、シート部材と導電ペースト層が交互に配置されるように積層する。次いで、その積層部材を加熱圧着する。次いで、加熱圧着した部材を還元性雰囲気中で、高温焼成してシート部材と導電ペースト層（上電極１１及び下電極１２）とを一体化させる。本実施形態では、このようにして、本実施形態の可変容量コンデンサ１を作製する。

なお、本実施形態では、コンデンサとして作用する強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。この場合、電極が一方の表面に形成された強誘電体材料からなるシート部材（電極付の強誘電体層）を、例えば上述した製造方法と同様にして、複数作製し、それらを順次積層して作製する。また、この場合、複数の上電極１１を接続する外部電極端子と、複数の下電極１２を接続する別の外部電極端子とを設け、それらの外部電極端子により、強誘電体層１０毎に形成されるコンデンサ成分を並列接続する。これにより、可変容量コンデンサの容量（積層数に比例）をより大きくすることができるとともに、抵抗値（積層数に反比例）を小さくすることができる。

［電極形状の設計概要］
次に、本実施形態の可変容量コンデンサ１における上電極１１及び下電極１２の設計概要を、図８を参照しながら説明する。図８に、上電極１１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン１１ｐと、下電極１２との重なり状態を示す。なお、図８は、上電極１１が下電極１２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１１ｐと、下電極１２との重なり状態を示す。また、図８には、本実施形態で電極の形状及び寸法を設計する際に考慮する主な寸法パラメータの例（ΔＬ１、ΔＬ２、Ｓ１〜Ｓ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｗ１及びＷ２）を示す。なお、電極の設計時に考慮する寸法パラメータは、図８の例に限定されない。

また、本実施形態では、上電極１１が下電極１２に対して、強誘電体層１０の下面１０ｂの長辺及び短辺の延在方向、すなわち、図８中のｘ方向及びｙ方向に位置ずれを起こす例を説明する。

本実施形態では、上電極投影パターン１１ｐの電極部１１ｐａの延在方向（ｘ方向）と、下電極１２の電極部１２ａの延在方向（ｙ方向）とが直交するように上電極１１及び下電極１２を形成する。また、上電極１１及び下電極１２の形状及び寸法は、必要とする容量値、抵抗値及び想定される電極間の最大の位置ずれ量を考慮して設計する。より具体的には、図８中に示すような寸法パラメータが、例えば、次のような条件を満たすように各電極を設計する。

（１）ΔＬ１
ΔＬ１は、上電極投影パターン１１ｐの電極部１１ｐａの先端と、下電極１２の電極部１２ａとの距離である。本実施形態では、上電極１１の下電極１２に対する＋ｘ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合であっても、ΔＬ１≧０となるように、上電極１１の電極部１１ａの長さＬ１を設定する。

（２）ΔＬ２
ΔＬ２は、下電極１２の電極部１２ａの先端と、上電極投影パターン１１ｐの電極部１１ｐａとの距離である。本実施形態では、上電極１１の下電極１２に対する−ｙ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合であっても、ΔＬ２≧０となるように、下電極１２の電極部１２ａの長さＬ２を設定する。

（３）Ｓ１
Ｓ１は、上電極投影パターン１１ｐの電極部１１ｐａの先端と、下電極１２の端子部１２ｂの短辺部分との距離である。本実施形態では、上電極１１の下電極１２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合であっても、Ｓ１≧０が満たされるようにする。すなわち、上電極１１の下電極１２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれが最大になった場合に、上電極投影パターン１１ｐの電極部１１ｐａの先端が下電極１２の端子部１２ｂの短辺部分と重ならないようにする。

（４）Ｓ２
Ｓ２は、上電極投影パターン１１ｐの端子部１１ｐｂと、下電極１２の電極部１２ａとの距離である。本実施形態では、上電極１１の下電極１２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合であっても、Ｓ２≧０が満たされるようにする。すなわち、上電極１１の下電極１２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれが最大になった場合に、上電極投影パターン１１ｐの端子部１１ｐｂが下電極１２の電極部１２ａと重ならないようにする。

（５）Ｓ３
Ｓ３は、上電極投影パターン１１ｐの電極部１１ｐａと、下電極１２の端子部１２ｂの長辺部分との距離である。本実施形態では、上電極１１の下電極１２に対する＋ｙ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合であっても、Ｓ３≧０が満たされるようにする。すなわち、上電極１１の下電極１２に対する＋ｙ方向の相対的な位置ずれが最大になった場合に、上電極投影パターン１１ｐの電極部１１ｐａが下電極１２の端子部１２ｂの長辺部分と重ならないようにする。

（６）Ｌ１及びＬ２
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ上電極１１の電極部１１ａの長さ及び下電極１２の電極部１２ａの長さである。本実施形態では、Ｌ１及びＬ２は、例えば、上記（１）〜（５）の寸法パラメータ（ΔＬ１、ΔＬ２及びＳ１〜Ｓ３）との関係、並びに、必要とする可変容量コンデンサの容量値及び抵抗値を考慮して設定される。

（７）Ｗ１及びＷ２
Ｗ１及びＷ２は、それぞれ上電極１１の電極部１１ａの幅及び下電極１２の電極部１２ａの幅である。本実施形態では、Ｗ１及びＷ２は、例えば、上記（１）〜（５）の寸法パラメータ（ΔＬ１、ΔＬ２及びＳ１〜Ｓ３）との関係、並びに、必要とする可変容量コンデンサの容量値及び抵抗値を考慮して設定される。

なお、上電極１１及び下電極１２の形状は、本実施形態の形状（図７（ａ）及び（ｂ）に示す形状）に限定されない。上述した設計概要の条件を満たすような形状であれば任意の形状を適用することができる。

［位置ずれと対向電極領域の面積との関係］
上述のように上電極１１及び下電極１２を構成することにより、上電極１１及び下電極１２間の相対位置がｘ方向及びｙ方向の一方または両方にずれても、対向電極領域Ｓａの面積を一定にすることができる。その様子を図９（ａ）及び（ｂ）並びに１０（ａ）及び（ｂ）に示す。図９（ａ）及び（ｂ）並びに１０（ａ）及び（ｂ）は、上電極投影パターン１１ｐと下電極１２との重なり領域Ｓａ（対向電極領域）と、上電極１１及び下電極１２間の位置ずれとの関係を示す図である。

図９（ａ）は、上電極１１が下電極１２に対して相対的に＋ｙ方向（図面上では上方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図９（ｂ）は、上電極１１が下電極１２に対して相対的に−ｙ方向（図面上では下方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図９（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極１１が下電極１２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１１ｐの位置を示している。また、図９（ａ）及び（ｂ）では、下電極１２に対する上電極１１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

また、図１０（ａ）は、上電極１１が下電極１２に対して相対的に＋ｘ方向（図面上では右方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図１０（ｂ）は、上電極１１が下電極１２に対して相対的に−ｘ方向（図面上では左方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図１０（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極１１が下電極１２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１１ｐの位置を示している。また、図１０（ａ）及び（ｂ）では、下電極１２に対する上電極１１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

図９（ａ）及び（ｂ）並びに１０（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、本実施形態の可変容量コンデンサ１の上電極１１と下電極１２との位置がｘ方向及びｙ方向のいずれにずれても、対向電極領域Ｓａ（第１領域）の面積は変わらない。より具体的に説明すると、位置ずれにより新たに重なる電極部分（例えば、図９（ａ）及び（ｂ）中の領域Ｓａｉ）の面積と、位置ずれにより対向電極領域Ｓａから外れる電極部分（例えば、図９（ａ）及び（ｂ）中の領域Ｓａｏ）の面積とが等しくなる。この結果、対向電極領域Ｓａの面積は変わらない。

それゆえ、本実施形態の可変容量コンデンサ１では、上電極１１及び下電極１２間の位置がｘ方向及びｙ方向のいずれに位置ずれを起こしても、対向電極領域Ｓａの面積は変わらず、容量も変化しない。したがって、本実施形態によれば、強誘電体材料を用いてｐＦオーダーの小容量の可変容量コンデンサを製造する場合であっても、誘電体層を挟んで対向する電極の位置ずれに関係なく、所望の容量の可変容量コンデンサを安定して作製することができる。

また、本実施形態では、上電極１１及び／又は下電極１２の電極部の幅を狭くすることで、容易により小さな容量の可変容量コンデンサを作製することが可能になる。

さらに、本実施形態では、強誘電体層を挟んで対向する電極の位置ずれが発生しても対向電極面積を一定（容量を不変）にすることができるので、一層当たりの電極面積を小さくして積層数を増やすことができる。これにより、可変容量コンデンサの容量をより大きくし且つ抵抗値をより低減することができる。また、本実施形態では、電極の形成が容易であり且つ低コストである。

ここで、本実施形態のように強誘電体層を挟んで対向する上電極の電極部の延在方向と下電極の電極部の延在方向とを交差させるタイプの可変容量コンデンサでは、その容量をより大きくし且つ抵抗値をより低減することができる理由をより詳細に説明する。

図１１（ａ）及び（ｂ）に、上電極の電極部（以下、上電極部という）の延在方向と下電極の電極部（以下、下電極部という）の延在方向とが一致する場合における、両電極部間の重なり状態を示す。なお、図１１（ｂ）に示す上電極部２５３及び下電極部２５４の幅は、それぞれ図１１（ａ）に示す電極構成（以下、基準構成という）の上電極部２５１及び下電極部２５２の幅の１／２である。また、図１１（ｂ）に示す上電極部２５３及び下電極部２５４の長さは、それぞれ図１１（ａ）に示す基準構成の上電極部２５１及び下電極部２５２の長さと同じである。

この場合、図１１（ｂ）に示す上電極部２５３及び下電極部２５４間の対向面積は、図１１（ａ）に示す基準構成の１／２になる。その結果、図１１（ｂ）に示す電極構成の容量は、基準構成のそれの１／２となり、電極部の抵抗は２倍になる。すなわち、上電極部の延在方向と下電極部の延在方向とを一致させるタイプのコンデンサにおいて、電極部の幅だけを基準構成に対して１／ｎにした場合には、容量は基準構成の１／ｎとなり、電極部の抵抗は基準構成のｎ倍になる。それゆえ、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すような上電極及び下電極を平行配置するタイプにおいて、電極部の幅だけを１／ｎにした電極構成のコンデンサを用いて基準構成と同じ容量を得るためには、電極部の幅を１／ｎにしたコンデンサをｎ層積層する必要がある。そして、この場合、コンデンサ全体の抵抗は、基準構成のそれと同じになる。

また、図１２（ａ）及び（ｂ）に、上電極部の延在方向と下電極部の延在方向とが直交する場合における、両電極部間の重なり状態を示す。なお、図１２（ｂ）に示す上電極部２５７及び下電極部２５８の幅は、それぞれ図１２（ａ）に示す電極構成（基準構成）の上電極部２５５及び下電極部２５６の幅の１／２である。また、図１２（ｂ）に示す上電極部２５７及び下電極部２５８の長さは、それぞれ図１２（ａ）に示す基準構成の上電極部２５５及び下電極部２５６の長さと同じである。

この場合、図１２（ｂ）に示す上電極部２５７及び下電極部２５８間の対向面積は、図１２（ａ）に示す基準構成の１／４になる。その結果、図１２（ｂ）に示す電極構成の容量は、基準構成のそれの１／４となり、電極部の抵抗は２倍になる。すなわち、上電極部の延在方向と下電極部の延在方向とを交差させるタイプのコンデンサにおいて、電極部の幅だけを基準構成に対して１／ｎにした場合には、容量は基準構成の１／ｎ^２となり、電極部の抵抗は基準構成のｎ倍になる。それゆえ、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すような上電極及び下電極を交差させるタイプにおいて、電極部の幅だけを１／ｎにした電極構成のコンデンサを用いて基準構成と同じ容量を得るためには、電極部の幅を１／ｎにしたコンデンサをｎ^２層積層する必要がある。そして、この場合、コンデンサ全体の抵抗は基準構成のそれの１／ｎになる。

上述のことから、積層型コンデンサにおいては、上電極及び下電極を交差させるタイプの方が、上電極及び下電極を平行配置するタイプに比べて、積層型コンデンサ全体の抵抗値を小さくすることが可能になる。

［変形例１］
上記第１の実施形態では、上電極１１の電極部１１ａの延在方向（ｘ方向）と、下電極１２の電極部１２ａの延在方向（ｙ方向）とが直交する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。変形例１では、上電極の電極部の延在方向と、下電極の電極部の延在方向とが直交しない構成例を説明する。

［電極構成］
図１３（ａ）及び（ｂ）に、それぞれ変形例１の可変容量コンデンサの上電極及び下電極の構成を示す。なお、図１３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ変形例１の可変容量コンデンサの上面図及び下面図である。変形例１では、上電極２１及び下電極２２の構成（形状）を変えたこと以外は、上記第１の実施形態（図６並びに７（ａ）及び（ｂ））の可変容量コンデンサ１と同様の構成とする。また、図１３（ａ）及び（ｂ）において、上記第１の実施形態（図７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極２１は、Ｖ字状の形状を有し、電極部２１ａと、端子部２１ｂとで構成される。端子部２１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の短辺（図面上では右側短辺）に沿って形成される。また、電極部２１ａは、端子部２１ｂの一方の端部から端子部１１ｂの延在方向（図１３（ａ）中のｙ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。図１３（ａ）の図面上では、電極部２１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの右上の角部からそれに対向する左下の角部に向かう方向に延在する。

下電極２２は、Ｖ字状の形状を有し、図１３（ｂ）面中のｙ方向に対して上電極２１と対称形状を有する。また、下電極２２は、電極部２２ａと、端子部２２ｂとで構成される。端子部２２ｂは、強誘電体層１０の下面１０ｂの他方の短辺（図面上では左側短辺）に沿って形成される。また、電極部２２ａは、端子部２２ｂの一方の端部から端子部２１ｂの延在方向（図１３（ｂ）中のｙ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。図１３（ｂ）の図面上では、電極部２２ａは、強誘電体層１０の下面１０ｂの左上の角部からそれに対向する右下の角部に向かう方向に延在する。なお、下電極２２の電極部２２ａの延在方向は、上電極２１の電極部２１ａの延在方向と直交しない。

なお、変形例１の可変容量コンデンサは、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。また、変形例１では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

［電極形状の設計概要］
次に、変形例１の可変容量コンデンサにおける上電極２１及び下電極２２の設計概要を、図１４を参照しながら説明する。図１４に、変形例１の上電極２１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン２１ｐと、下電極２２との重なり状態を示す。なお、図１４は、上電極２１が下電極２２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン２１ｐと、下電極２２との重なり状態を示す。また、図１４には、変形例１の電極の形状及び寸法を設計する際に考慮する主な寸法パラメータ（ΔＬ３、ΔＬ４、Ｓ４、Ｓ５、Ｌ３、Ｌ４、Ｗ３及びＷ４）の例を示す。なお、電極の設計時に考慮する寸法パラメータは、図１４の例に限定されない。

変形例１では、上電極投影パターン２１ｐの電極部２１ｐａの延在方向と、下電極２２の電極部２２ａの延在方向とが交差する（ただし、直交しない）ように上電極２１及び下電極２２を形成する。また、上電極２１及び下電極２２の形状及び寸法は、必要とする容量値、抵抗値及び想定される電極間の最大の位置ずれ量を考慮して設計する。より具体的には、図１４中に示すような寸法パラメータが、例えば次のような条件を満たすように各電極を設計する。

（１）ΔＬ３
ΔＬ３は、上電極投影パターン２１ｐの電極部２１ｐａの先端と、下電極２２の電極部２２ａとの間の最小距離である。この例では、上電極２１の下電極２２に対する＋ｘ及び＋ｙ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合であっても、ΔＬ３≧０となるように、上電極２１の電極部２１ａの最小長さＬ３を設定する。

（２）ΔＬ４
ΔＬ４は、下電極２２の電極部２２ａの先端と、上電極投影パターン２１ｐの電極部２１ｐａとの間の最小距離である。この例では、上電極２１の下電極２２に対する＋ｘ及び−ｙ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合にも、ΔＬ４≧０となるように、下電極２２の電極部２２ａの最小長さＬ４を設定する。

（３）Ｓ４
Ｓ４は、上電極投影パターン２１ｐの電極部２１ｐａの先端と、下電極２２の端子部２２ｂとの間の最小距離である。この例では、上電極２１の下電極２２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合であっても、Ｓ４≧０が満たされるようにする。すなわち、上電極２１の下電極２２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれが最大になった場合に、上電極投影パターン２１ｐの電極部２１ｐａの先端が下電極２２の端子部２２ｂと重ならないようにする。

（４）Ｓ５
Ｓ５は、上電極投影パターン２１ｐの端子部２１ｐｂと、下電極２２の電極部２２ａの先端との間の最小距離である。この例では、上電極２１の下電極２２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれが想定される最大値になった場合であっても、Ｓ５≧０が満たされるようにする。すなわち、上電極２１の下電極２２に対する−ｘ方向の相対的な位置ずれが最大になった場合に、上電極投影パターン２１ｐの端子部２１ｐｂが下電極２２の電極部２２ａの先端と重ならないようにする。

（５）Ｌ３及びＬ４
Ｌ３及びＬ４は、それぞれ上電極２１の電極部２１ａの最小長さ及び下電極２２の電極部２２ａの最小長さである。この例では、Ｌ３及びＬ４は、上記（１）〜（４）の寸法パラメータ（ΔＬ３、ΔＬ４、Ｓ４及びＳ５）との関係、並びに、必要とする可変容量コンデンサの容量値及び抵抗値を考慮して設定される。

（６）Ｗ３及びＷ４
Ｗ３及びＷ４は、それぞれ上電極２１の電極部２１ａの幅及び下電極２２の電極部２２ａの幅である。この例では、Ｗ３及びＷ４は、上記（１）〜（４）の寸法パラメータ（ΔＬ３、ΔＬ４、Ｓ４及びＳ５）との関係、並びに、必要とする可変容量コンデンサの容量値及び抵抗値を考慮して設定される。

なお、上電極２１及び下電極２２の形状は、図１３（ａ）及び（ｂ）に示す形状に限定されない。上述した設計概要の条件を満たすような形状であれば任意の形状を適用することができる。例えば、上電極２１と下電極２２とがｙ方向に対して対称形状を有し、且つ、各電極の延在方向が直交していてもよい。さらに、例えば、上電極２１と下電極２２とが対称形状を有していなくてもよいし、一方の電極部の幅が、他方の電極部の幅より狭くてもよい。

［位置ずれと対向電極領域の面積との関係］
上述のように上電極２１及び下電極２２を構成することにより、上電極２１及び下電極２２間の相対位置がｘ方向及びｙ方向の一方または両方にずれても、対向電極領域Ｓａの面積を一定にすることができる。その様子を図１５（ａ）及び（ｂ）並びに１６（ａ）及び（ｂ）に示す。図１５（ａ）及び（ｂ）並びに１６（ａ）及び（ｂ）は、上電極投影パターン２１ｐと下電極２２との重なり領域Ｓａ（対向電極領域）と、上電極２１及び下電極２２間の位置ずれとの関係を示す図である。

図１５（ａ）は、上電極２１が下電極２２に対して相対的に＋ｙ方向（図面上では上方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図１５（ｂ）は、上電極２１が下電極２２に対して相対的に−ｙ方向（図面上では下方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図１５（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極２１が下電極２２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン２１ｐの位置を示している。また、図１５（ａ）及び（ｂ）では、下電極２２に対する上電極２１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

また、図１６（ａ）は、上電極２１が下電極２２に対して相対的に＋ｘ方向（図面上では右方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図１６（ｂ）は、上電極２１が下電極２２に対して相対的に−ｘ方向（図面上では左方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図１６（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極２１が下電極２２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン２１ｐの位置を示している。また、図１６（ａ）及び（ｂ）では、下電極２２に対する上電極２１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

図１５（ａ）及び（ｂ）並びに１６（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、変形例１の可変容量コンデンサの上電極２１と下電極２２との位置がｘ方向及びｙ方向のいずれに位置ずれしても、対向電極領域Ｓａの面積は変わらない。より具体的に説明すると、位置ずれにより新たに重なる電極部分（例えば、図１５（ａ）及び（ｂ）中の領域Ｓａｉ）の面積と、位置ずれにより対向電極領域Ｓａから外れる電極部分（例えば、図１５（ａ）及び（ｂ）中の領域Ｓａｏ）の面積とが等しくなる。この結果、対向電極領域Ｓａの面積は変わらない。

それゆえ、変形例１の可変容量コンデンサでは、上電極２１が下電極２２に対して位置ずれを起こしても容量は変化しないので、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、変形例１では、上電極２１の形状と、下電極２２の形状とが、ｙ方向に対して対称であるので、上電極２１及び下電極２２の設計がより容易になる。

ただし、上電極２１及び下電極２２を上述したマスクを介して塗布法（シルク印刷等）で形成する場合には、その塗布方向は、例えば、ｘ方向またはｙ方向となる。変形例１では、電極部がｘ方向またはｙ方向に対して斜め方向に延在する（平行または直交していない）ので、より幅の狭い電極部を塗布法で形成する場合、電極部の膜厚分布やエッジ形状が所望したものにならない可能性もある。それゆえ、より幅の狭い電極部を塗布法で形成する場合には、電極部の延在方向は塗布方向と平行であるまたは直交することが好ましい。

［変形例２］
上記変形例１では、上電極及び下電極の端子部を強誘電体層の上下面の短辺の延在方向（ｙ方向）に沿って、その短辺近傍に形成した例を説明したが、本発明はこれに限定されない。変形例２では、上電極及び下電極の端子部を強誘電体層の上下面の長辺の延在方向（ｘ方向）に沿って、その長辺近傍に形成する例を説明する。

［電極構成］
図１７（ａ）及び（ｂ）に、変形例２の上電極及び下電極の構成を示す。なお、図１７（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ変形例２の可変容量コンデンサの上面図及び下面図である。変形例２では、上電極３１及び下電極３２の構成（形状）を変えたこと以外は、上記第１の実施形態（図６並びに７（ａ）及び（ｂ））の可変容量コンデンサ１と同様の構成とする。また、図１７（ａ）及び（ｂ）において、上記第１の実施形態（図７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極３１は、変形例１と同様に、Ｖ字状の形状を有し、電極部３１ａと、端子部３１ｂ（第１端子部）とで構成される。端子部３１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の長辺（図面上では下側長辺）に沿って形成される。また、電極部３１ａは、端子部３１ｂの一方の端部から端子部３１ｂの延在方向（図１７（ａ）中のｘ方向）に対して斜め方向に延在して形成される。図１７（ａ）の図面上では、電極部３１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの右下の角部からそれに対向する左上の角部に向かう方向に延在する。

下電極３２は、Ｖ字状の形状を有し、図１７（ｂ）面中のｘ方向に対して上電極３１と対称形状を有する。また、下電極３２は、電極部３２ａと、端子部３２ｂ（第２端子部）とで構成される。端子部３２ｂは、強誘電体層１０の下面１０ｂの他方の長辺（図面上では上側短辺）に沿って形成される。また、電極部３２ａは、端子部３２ｂの一方の端部から端子部３１ｂの延在方向（図１７（ｂ）中のｘ方向）に対して斜め方向に延在して形成される。図１７（ｂ）の図面上では、電極部３２ａは、強誘電体層１０の下面１０ｂの右上の角部からそれに対向する左下の角部に向かう方向に延在する。なお、変形例３では、下電極３２の電極部３２ａの延在方向は、上電極３１の電極部３１ａの延在方向と直交する。

なお、変形例２の可変容量コンデンサは、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。また、変形例２では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

図１８に、変形例２の可変容量コンデンサの上電極３１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン３１ｐと、下電極３２との重なり状態を示す。なお、図１８は、上電極３１が下電極３２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン３１ｐと、下電極３２との重なり状態を示す。

変形例２では、上電極投影パターン３１ｐの電極部３１ｐａの延在方向と、下電極３２の電極部３２ａの延在方向とが直交するような形状で、上電極３１及び下電極３２が形成されている。なお、上電極３１及び下電極３２の形状及び寸法を設計は、変形例１と同様に、必要とする容量値、抵抗値及び想定される電極間の最大の位置ずれ量を考慮して設計することができる。

［位置ずれと対向電極領域の面積との関係］
上述のように上電極３１及び下電極３２を構成することにより、上電極３１及び下電極３２間の相対位置がｘ方向及びｙ方向の一方または両方にずれても、対向電極領域Ｓａの面積を一定にすることができる。その様子を図１９（ａ）及び（ｂ）並びに２０（ａ）及び（ｂ）に示す。図１９（ａ）及び（ｂ）並びに２０（ａ）及び（ｂ）は、上電極投影パターン３１ｐと下電極３２との重なり領域Ｓａ（対向電極領域）と、上電極３１及び下電極３２間の位置ずれとの関係を示す図である。

図１９（ａ）は、上電極３１が下電極３２に対して相対的に＋ｙ方向（図面上では上方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図１９（ｂ）は、上電極３１が下電極３２に対して相対的に−ｙ方向（図面上では下方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図１９（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極３１が下電極３２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン３１ｐの位置を示している。また、図１９（ａ）及び（ｂ）では、下電極３２に対する上電極３１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

また、図２０（ａ）は、上電極３１が下電極３２に対して相対的に＋ｘ方向（図面上では右方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図２０（ｂ）は、上電極３１が下電極３２に対して相対的に−ｘ方向（図面上では左方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図２０（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極３１が下電極３２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン３１ｐの位置を示している。また、図２０（ａ）及び（ｂ）では、下電極３２に対する上電極３１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

図１９（ａ）及び（ｂ）並びに２０（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、変形例２の可変容量コンデンサの上電極３１と下電極３２との位置がｘ方向及びｙ方向のいずれに位置ずれしても、対向電極領域Ｓａの面積は変わらない。より具体的に説明すると、位置ずれにより新たに重なる電極部分（例えば、図１９（ａ）及び（ｂ）中の領域Ｓａｉ）の面積と、位置ずれにより対向電極領域Ｓａから外れる電極部分（例えば、図１９（ａ）及び（ｂ）中の領域Ｓａｏ）の面積とが等しくなる。この結果、対向電極領域Ｓａの面積は変わらない。

それゆえ、変形例２の可変容量コンデンサでは、上電極３１が下電極３２に対して位置ずれを起こしても容量は変化しないので、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、変形例２では、上電極３１の形状と、下電極３２の形状とが、ｘ方向に対して対称であるので、上電極３１及び下電極３２の設計がより容易になる。

さらに、変形例２では、上電極３１及び下電極３２の端子部を強誘電体層１０の上下面の長辺の延在方向（ｘ方向）に沿って、その近傍に形成するので、上電極３１及び下電極３２の電極部の長さを変形例１に比べて短くすることができる。この場合、変形例１に比べて、可変容量コンデンサの抵抗値を低減することができる。

上記第１の実施形態、並びに、変形例１及び２では、静電容量素子として可変容量素子（可変容量コンデンサ）を例に挙げ説明したが、本発明はこれに限定されない。上記第１の実施形態、並びに、変形例１及び２で説明した上電極及び下電極の構成は、入力信号の種類及びその信号レベルに関係なく容量がほとんど変化しない静電容量素子（以下、定容量素子という）に対しても同様に適用可能である。

ただし、この場合、誘電体層は、比誘電率の低い常誘電体材料で形成される。常誘電体材料としては、例えば、紙、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ポリスチレン、ＴｉＯ_２、ＭｇＴｉＯ_２、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＭｇＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５等を用いることができる。なお、このような定容量素子は、上記第１の実施形態の可変容量素子と同様にして作製することができる。

上述した上電極及び下電極間の位置ずれによる可変容量素子毎の容量のばらつきの問題は、可変容量素子に限らず、定容量素子に対しても同様に生じる。それゆえ、上記第１の実施形態、並びに、変形例１及び２で説明した上電極及び下電極の構成を定容量素子に適用した場合には、上記問題を解消することができ、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

＜２．第２の実施形態＞
第１の実施形態並びに変形例１及び２では、上電極及び下電極間の相対位置がｘ及びｙ方向に位置ずれする場合に適用する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上電極及び下電極の位置を位置合わせする装置及び製造プロセスによっては、ｘ方向またはｙ方向に、すなわち一方向に位置ずれが顕著である場合がある。このような場合には、上電極及び下電極間の位置ずれの影響はｘ方向またはｙ方向のみを考慮すればよい。本実施形態では、このようなｘ方向またはｙ方向に位置ずれが顕著である場合に適用可能な可変容量素子の一例を説明する。

［電極構成］
図２１（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態の可変容量コンデンサ（可変容量素子）の上電極及び下電極の構成を示す。なお、図２１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ可変容量コンデンサの上面図及び下面図である。本実施形態では、図２１（ａ）及び（ｂ）中のｙ方向の位置ずれが顕著である例について説明する。また、図２１（ａ）及び（ｂ）において、第１の実施形態（図７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には同じ符号を付して示す。

本実施形態の可変容量コンデンサの構成は、上電極４１及び下電極４２の構成（形状）を変えたこと以外は、上記第１の実施形態（図６並びに７（ａ）及び（ｂ））の可変容量コンデンサ１と同様である。それゆえ、ここでは、電極以外の構成の説明は省略する。

上電極４１（第１電極）は、強誘電体層１０の上面１０ａ上に形成される。上電極４１は、Ｔ字状の形状（第１形状）を有し、電極部４１ａ（第１電極部）と、端子部４１ｂとで構成される。端子部４１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の短辺（図面上では右側短辺）に沿って、その近傍に形成される。また、電極部４１ａは、端子部４１ｂの中央から端子部４１ｂの延在方向（図２１（ａ）中のｙ方向）に対して直交する方向（ｘ方向：第１方向）に延在して形成される。

下電極４２（第２電極）は、強誘電体層１０の下面１０ｂ上に形成される。下電極４２は、略Ｕ字状の形状（第２形状）を有し、２つの電極部４２ａ及び４２ｃ（第２電極部）と、端子部４２ｂとで構成される。端子部４２ｂは、強誘電体層１０の下面１０ｂの他方の短辺（図面上では左側短辺）に沿って、その近傍形成される。電極部４２ａ及び４２ｃは、端子部４２ｂの両端からそれぞれ端子部４２ｂの延在方向（図２１（ｂ）中のｙ方向）と直交する方向（ｘ方向：第２方向）に延在して形成される。なお、ここでは、電極部４２ａ及び電極部４２ｃの形状は同じとする。

すなわち、本実施形態では、上電極４１の電極部４１ａの延在方向と、下電極４２の電極部４２ａ及び４２ｃの延在方向とは平行である。この場合、後述するように、上電極４１及び下電極４２間には、複数の対向電極領域（図２２中のＳａ１及びＳａ２）が形成される。また、本実施形態では、各電極部の延在方向（ｘ方向）は、電極間の位置ずれ方向（ｙ方向）と直交することになる。

また、本実施形態では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。この場合、例えば上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして、電極付の強誘電体層を複数作製し、それらを順次積層して作製する。また、この場合、複数の上電極４１を接続する外部電極端子と、複数の下電極４２を接続する別の外部電極端子とを設け、それらの外部電極端子により、強誘電体層１０毎に形成されるコンデンサ成分を並列接続する。これにより、可変容量コンデンサの容量（積層数に比例）をより大きくすることができるとともに、抵抗値（積層数に反比例）を小さくすることができる。

［電極形状の設計概要］
次に、本実施形態の可変容量コンデンサにおける上電極４１及び下電極４２の設計概要を、図２２を参照しながら説明する。図２２に、本実施形態の可変容量コンデンサの上電極４１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン４１ｐと、下電極４２との重なり状態を示す。なお、図２２は、上電極４１が下電極４２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン４１ｐと、下電極４２との重なり状態を示す。また、図２２には、本実施形態の電極の形状及び寸法を設計する際に考慮する主な寸法パラメータ（ΔＬ５、ΔＬ６、Ｓ６、Ｌ５、Ｌ６、Ｗ５及びＷ６）の例を示す。

本実施形態では、上電極投影パターン４１ｐの電極部４１ｐａが、下電極４２の２つの電極部４２ａ及び電極部４２ｃと重なるように、上電極４１及び下電極４２の形状を設定する。また、上電極４１及び下電極４２の形状及び寸法は、必要とする容量値、抵抗値及び想定される電極間の最大の位置ずれ量を考慮して設計する。より具体的には、図２２中に示すような寸法パラメータが、例えば次のような条件を満たすように各電極を設計する。なお、電極の設計時に考慮する寸法パラメータは、図２２の例に限定されない。

（１）ΔＬ５及びΔＬ６
ΔＬ５及びΔＬ６は、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２のｙ方向の幅である。本実施形態では、上電極投影パターン４１ｐの下電極４２に対するｙ方向の相対的な位置ずれ量が想定される最大値になった場合にも、ΔＬ５≧０且つΔＬ６≧０となるように、上電極４１及び下電極４２の形状及び寸法を設計する。より具体的には、常に、ΔＬ５≧０且つΔＬ６≧０となるように、上電極４１の電極部４１ａの幅Ｗ５、並びに、下電極４２の電極部４２ａ及び電極部４２ｃ間の間隔Ｓ６を設定する。

（２）Ｌ５及びＬ６
Ｌ５及びＬ６は、上電極４１の電極部４１ａの長さ及び下電極４２の電極部４２ａ又は電極部４２ｃの長さである。本実施形態では、上電極投影パターン４１ｐの電極部４１ｐａが、下電極４２の２つの電極部４２ａ及び電極部４２ｃと重なるように、上電極４１及び下電極４２の各電極部の長さを設定する。また、Ｌ５及びＬ６は、必要とする可変容量コンデンサの容量値及び抵抗値を考慮して設定される。

（３）Ｗ５及びＷ６
Ｗ５及びＷ６は、上電極４１の電極部４１ａの幅及び下電極４２の電極部４２ａ又は電極部４２ｃの幅である。本実施形態では、Ｗ５は、下電極４２の２つの電極部４２ａ及び電極部４２ｃ間の間隔Ｓ６より大きくなるように設定される。また、Ｗ５及びＷ６は、必要とする可変容量コンデンサの容量値及び抵抗値を考慮して設定される。

なお、上電極４１及び下電極４２の形状は、本実施形態の形状（図２１（ａ）及び（ｂ）に示す形状）に限定されない。上述した設計概要の条件を満たすような形状であれば任意の形状を適用することができる。

［位置ずれと対向電極領域の面積との関係］
上述のように上電極４１及び下電極４２を構成することにより、上電極４１及び下電極４２間の相対位置がｙ方向にずれても、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２の総面積を一定にすることができる。その様子を図２３（ａ）及び（ｂ）に示す。図２３（ａ）及び（ｂ）は、上電極４１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した際の上電極投影パターン４１ｐと下電極４２との重なり領域（対向電極領域）Ｓａ１及びＳａ２と、上電極４１及び下電極４２間の位置ずれとの関係を示す図である。

図２３（ａ）は、上電極４１が下電極４２に対して相対的に＋ｙ方向（図面上では上方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図２３（ｂ）は、上電極４１が下電極４２に対して相対的に−ｙ方向（図面上では下方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図２３（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極４１が下電極４２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン４１ｐの位置を示している。また、図２３（ａ）及び（ｂ）では、下電極４２に対する上電極４１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

図２３（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、本実施形態の可変容量コンデンサの上電極４１と下電極４２との位置がｙ方向にずれても、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２の総面積は変わらない。具体的に説明すると、例えば図２３（ａ）の場合には、位置ずれにより対向電極領域Ｓａ１に新たに重なる領域Ｓａｉの面積と、位置ずれにより対向電極領域Ｓａ２から外れる領域Ｓａｏの面積とが等しくなり、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２の総面積は変わらない。

それゆえ、本実施形態の可変容量コンデンサでは、上電極４１と下電極４２との位置がｙ方向にずれても、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２の総面積は変わらないので、容量も変化しない。したがって、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

なお、本実施形態の可変容量コンデンサでは、上述のように、ｙ方向の位置ずれが顕著である場合に適用可能であり、ｘ方向の位置ずれに対して容量が変化する。その様子を図２４（ａ）及び（ｂ）に示す。図２４（ａ）及び（ｂ）は、上電極４１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した際の上電極投影パターン４１ｐと下電極４２との重なり領域（対向電極領域）Ｓａ１及びＳａ２と、ｘ方向の位置ずれとの関係を示す図である。

図２４（ａ）は、上電極４１が下電極４２に対して相対的に＋ｘ方向（図面上では右方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。また、図２４（ｂ）は、上電極４１が下電極４２に対して相対的に−ｘ方向（図面上では左方向）に位置ずれした場合の状態を示す図である。なお、図２４（ａ）及び（ｂ）中の一点鎖線は、上電極４１が下電極４２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン４１ｐの位置を示している。また、図２４（ａ）及び（ｂ）では、下電極４２に対する上電極４１の位置ずれ方向を太実線の矢印で示す。

図２４（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、本実施形態では、上電極４１が下電極４２に対して相対的にｘ方向にずれると、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２の総面積が変化し、容量が変化する。より具体的には、図２４（ａ）の場合には、位置ずれにより、図２４（ａ）中の領域Ｓａｏが対向電極領域から外れるので、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２の総面積が位置ずれがない場合に比べて小さくなる。一方、図２４（ｂ）の場合には、位置ずれにより、図２４（ｂ）中の領域Ｓａｉが対向電極領域に新たに加わるので、対向電極領域Ｓａ１及びＳａ２の総面積が位置ずれがない場合に比べて大きくなる。

なお、本実施形態では、ｙ方向の一方向の位置ずれが顕著である場合の例を説明したが、本発明はこれに限定されない。ｘ方向の一方向の位置ずれが顕著である場合にも適用可能である。その場合には、例えば、図２１（ａ）及び（ｂ）に示す上電極４１及び下電極４２をそれぞれ上面１０ａ及び下面１０ｂ内で９０度回転させた形状にすればよい。

上記第２の実施形態では、静電容量素子として可変容量素子（可変容量コンデンサ）を例に挙げ説明したが、本発明はこれに限定されない。上記第２の実施形態で説明した上電極及び下電極の構成は、入力信号の種類及びその信号レベルに関係なく容量がほとんど変化しない定容量素子に対しても同様に適用可能であり、同様の効果が得られる。ただし、この場合、誘電体層は、比誘電率の低い常誘電体材料で形成される。なお、常誘電体材料としては、上記第１の実施形態で説明した常誘電体材料と同様の材料を用いることができる。

［変形例３］
上記第１及び第２の実施形態並びに変形例１及び２の可変容量コンデンサは、上述のように、２端子タイプの可変容量コンデンサであるので、その容量を制御する制御用バイアス信号を加えるための専用端子を持たない。それゆえ、これらの可変容量コンデンサを非接触ＩＣカード等に用いる場合、実際の回路上では、可変容量コンデンサを４端子化する。

図２５に、実際の回路上における可変容量コンデンサ周辺の回路構成例を示す。実際の回路上では、可変容量コンデンサ５０の一方の端子を、バイアス除去用コンデンサ６１を介して交流信号の一方の入出力端子６３に接続するとともに、電流制限抵抗６２を介して制御電圧の入力端子６４に接続する。また、可変容量コンデンサ５０の他方の端子を、交流信号の他方の入出力端子６５に接続するとともに、制御電圧の出力端子６６に接続する。

このような可変容量コンデンサ５０の回路構成では、信号電流（交流信号）は、バイアス除去用コンデンサ６１及び可変容量コンデンサ５０を流れ、制御電流（直流バイアス電流）は、電流制限抵抗６２を介して可変容量コンデンサ５０のみを流れる。この際、制御電圧を変化させることにより、可変容量コンデンサ５０の容量Ｃｖが変化し、その結果、信号電流も変化する。

［可変容量素子の構成］
そこで、変形例３では、可変容量コンデンサ５０と、バイアス除去用コンデンサ６１とを一体化した可変容量素子の例を説明する。図２６に、可変容量コンデンサ５０と、バイアス除去用コンデンサ６１とを一体化した可変容量素子の構成例を示す。なお、図２６において、第１の実施形態（図６）と同様の構成には同じ符号を付して示す。

可変容量素子２は、強誘電体層５１と、強誘電体層５１を挟み込むように対向して形成された可変容量コンデンサ５０用の上電極１１及び下電極１２とを備える。さらに、可変容量素子２は、強誘電体層５１を挟み込むように対向して形成されたバイアス除去用コンデンサ６１の上電極５３及び下電極５４を備える。

可変容量コンデンサ５０用の上電極１１及びバイアス除去用コンデンサ６１の上電極５３は、強誘電体層５１の上面５１ａに、所定間隔離れて形成される。また、可変容量コンデンサ５０用の下電極１２及びバイアス除去用コンデンサ６１の下電極５４は、強誘電体層５１の下面５１ｂに、所定間隔離れて形成される。すなわち、本実施形態では、可変容量コンデンサ５０及びバイアス除去用コンデンサ６１の誘電体層を共通にする。

また、可変容量コンデンサ５０用の上電極１１とバイアス除去用コンデンサ６１の上電極５３とはリード線５５等で接続される。なお、可変容量コンデンサ５０用の上電極１１とバイアス除去用コンデンサ６１の上電極５３とを接続するための所定の電線パターンを強誘電体層５１の上面５１ａに形成して両者を接続してもよい。

可変容量コンデンサ５０用の上電極１１及びバイアス除去用コンデンサ６１の上電極５３は、リード線５６により、電流制限抵抗６２を介して制御電圧の入力端子６４に接続される（図２５及び２６参照）。可変容量コンデンサ５０用の下電極１２は、リード線５７により、交流信号の他方の入出力端子６５及び制御電圧の出力端子６６に接続される。そして、バイアス除去用コンデンサ６１の下電極５４は、リード線５８により、交流信号の一方の入出力端子６３に接続される。このように接続することにより、図２５の回路構成と同様に、信号電流（交流信号）がバイアス除去用コンデンサ６１及び可変容量コンデンサ５０を流れ、制御電流（直流バイアス電流）は、電流制限抵抗６２を介して可変容量コンデンサ５０のみを流れる。

なお、可変容量コンデンサ５０用の上電極１１及び下電極１２は、上記第１及び第２の実施形態並びに変形例１及び２の可変容量コンデンサで用いた上電極及び下電極と同様の形状で構成することができる。一方、バイアス除去用コンデンサ６１の上電極５３及び下電極５４は、従来のコンデンサと同様の形状で形成することができる。

本実施形態のように、可変容量コンデンサ５０と、バイアス除去用コンデンサ６１とを一体化することにより、本発明の可変容量コンデンサを適用する装置の寸法を小さくすることができる。また、部品点数を減らすことができるので、装置のコストを低減することができる。

＜３．第３の実施形態＞
上記第１及び第２の実施形態並びに変形例１〜３では、２端子タイプの可変容量コンデンサに本発明を適用した例を説明したが、本発明はこれに限定されない。上記特許文献２で提案されているような容量を制御する制御用バイアス信号を加えるための専用端子を有する４端子タイプの可変容量コンデンサにも適用可能である。本実施形態では、本発明を４端子タイプの可変容量コンデンサに適用した例を説明する。

［可変容量コンデンサの構成］
図２７に、本実施形態の４端子タイプの可変容量コンデンサの一例を示す。なお、本実施形態の４端子タイプの可変容量コンデンサ３の構成は、電極形状以外は、特許文献２で提案されている可変容量素子（図６１（ａ）及び（ｂ）参照）と同様とする。それゆえ、本実施形態の可変容量コンデンサ３の外観は、図６１（ａ）と同様であり、図２７では、本実施形態の可変容量コンデンサ３の概略断面図のみを示す。

本実施形態の可変容量コンデンサ３は、５つの制御電極７１〜７５と、各制御電極間に設けられた４つの信号電極７６〜７９と、隣り合う制御電極及び信号電極間にそれぞれ設けられた強誘電体層７０とで構成される。すなわち、本実施形態の可変容量コンデンサ３は、５つの制御電極７１〜７５及び４つの信号電極７６〜７９が、強誘電体層７０を介して交互に積層された構造となる。なお、以下では、図２７面上で最上に位置する制御電極７１から最下に位置する制御電極７５までの制御電極をそれぞれ第１制御電極７１〜第５制御電極７５という。また、図２７面上で最上に位置する信号電極７６から最下に位置する信号電極７９までの信号電極をそれぞれ第１信号電極７６〜第４信号電極７９という。

本実施形態では、第１制御電極７１、第３制御電極７３及び第５制御電極７５は、制御電源８１のプラス端子に接続され、第２制御電極７２及び第４制御電極は、制御電源８１のマイナス端子に接続される。一方、第１信号電極７６及び第３信号電極７８は、信号電源８０（交流電源）の一方の入出力端子に接続され、第２信号電極７７及び第４信号電極７９は、信号電源８０の他方の入出力端子に接続される。

［電極構成］
図２８（ａ）〜（ｄ）に、本実施形態の各制御電極及び各信号電極の構成の一例を示す。なお、図２８（ａ）〜（ｄ）では、図２７に示す可変容量コンデンサ３の図面上で上から４つの電極の構成を、その配置順で示す。図２８（ａ）は、第１制御電極７１の電極構成であり、図２８（ｂ）は、第１信号電極７６の電極構成である。また、図２８（ｃ）は、第２制御電極７２の電極構成であり、図２８（ｄ）は、第２信号電極７７の電極構成である。

各電極は、図２８（ａ）〜（ｄ）に示すように、Ｔ字状の形状を有する。また、各電極は、リード線等を介して信号電源８０または制御電源８１に接続される端子部と、端子部の中央から端子部の延在方向に直交する方向に延在する電極部とで構成される。そして、強誘電体層７０を介して隣り合う電極部の延在方向が互いに直交するように各電極が形成されている。

より具体的に説明すると、図２８（ａ）〜（ｄ）の例では、第１制御電極７１の端子部７１ｂは、強誘電体層７０の表面の一方の短辺（図面上では左側短辺）に沿って形成される。そして、第１制御電極７１の電極部７１ａは、端子部７１ｂの中央から端子部７１ｂの延在方向（図面上ではｙ方向）に直交する方向（ｘ方向）に延在して形成される。

強誘電体層７０を間に介在して第１制御電極７１の隣に形成される第１信号電極７６では、その端子部７６ｂは、強誘電体層７０の表面の一方の長辺（図面上では上側長辺）に沿って形成される。そして、第１信号電極７６の電極部７６ａは、端子部７６ｂの中央から端子部７６ｂの延在方向（図面上ではｘ方向）に直交する方向（ｙ方向）に延在して形成される。これにより、第１制御電極７１の電極部７１ａと第１信号電極７６の電極部７６ａとが直交する。

また、強誘電体層７０を間に介在して第１信号電極７６の隣に形成される第２制御電極７２では、その端子部７２ｂは、強誘電体層７０の表面の他方の短辺（図面上では右側短辺）に沿って形成される。そして、第２制御電極７２の電極部７２ａは、端子部７２ｂの中央から端子部７２ｂの延在方向（図面上ではｙ方向）に直交する方向（ｘ方向）に延在して形成される。これにより、第１信号電極７６の電極部７６ａと第２制御電極７２の電極部７２ａとが直交する。

また、強誘電体層７０を間に介在して第２制御電極７２の隣に形成される第２信号電極７７では、その端子部７７ｂは、強誘電体層７０の表面の他方の長辺（図面上では下側長辺）に沿って形成される。そして、第２信号電極７７の電極部７７ａは、端子部７７ｂの中央から端子部７７ｂの延在方向（図面上ではｘ方向）に直交する方向（ｙ方向）に延在して形成される。これにより、第２制御電極７２の電極部７２ａと第２信号電極７７の電極部７７ａとが直交する。

また、本実施形態では、第３制御電極７３、第３信号電極７８、第４制御電極７４及び第４信号電極７９の電極構成をそれぞれ図２８（ａ）〜（ｄ）に示す電極構成とする。さらに、第５制御電極７５の電極構成は、図２８（ａ）に示す電極構成とする。このように構成することにより、強誘電体層７０を介して隣り合う全ての制御電極及び信号電極間において電極部の延在方向が互いに直交するように形成することができる。

なお、各電極の形状は、隣り合う制御電極及び信号電極間に位置ずれがｘ方向及び／又はｙ方向に生じても、該制御電極及び信号電極間の対向電極領域（重なり領域）の面積が変化しないように、各制御電極及び各信号電極の形状を設計する。また、各電極の寸法は、必要とする容量値、抵抗値及び想定される電極間の最大の位置ずれ量を考慮して設計する。例えば、第１の実施形態で説明した設計概要と同様にして各電極の寸法を設定する。

上述のようにして各電極の形状を設定することにより、隣り合う制御電極及び信号電極間に位置ずれがｘ方向及び／又はｙ方向に生じても、該隣り合う制御電極及び信号電極間の対向電極領域の面積が変化せず、可変容量コンデンサ３の容量も変化しない。それゆえ、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態の可変容量コンデンサ３は、４端子タイプの可変容量素子であるので、バイアス除去用コンデンサが不要になる。

なお、本実施形態では、ｘ及びｙ方向の両方向の位置ずれを考慮した例を説明したが、本発明はこれに限定されない。第２の実施形態と同様に、ｘ方向またはｙ方向に、すなわち一方向に位置ずれが顕著である場合にも適用可能である。その場合には、例えば、隣り合う制御電極及び信号電極間の形状を、図２１（ａ）及び（ｂ）に示すような形状にすればよい。

また、本実施形態では、信号電源８０により信号電極間に発生する電界方向と、制御電圧により制御電圧間に発生する電界方向が平行になる４端子タイプの可変容量コンデンサ３について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、信号電源により信号電極間に発生する電界方向と、制御電圧により制御電圧間に発生する電界方向とが直交する４端子タイプの可変容量コンデンサ（不図示）にも適用可能である。この場合、信号電極と制御電極は、本実施形態のように交互に形成されない。それゆえ、このような４端子タイプの可変容量コンデンサでは、隣り合う信号電極間の電極形状に対して本発明を適用すればよい。

＜４．第４の実施形態＞
上述した第１の実施形態で説明したように、本発明の可変容量素子では、強誘電体層を挟んで対向する電極（上電極及び下電極）の位置ずれに関係なく、ｐＦオーダーの小容量の可変容量コンデンサを安定して作製することができる。ただし、低電圧で可変容量素子を駆動するには、強誘電体層を一層薄くして電極間の電界強度を増大させる必要がある。このためには、強誘電体層を挟んで対向する電極間の対向電極面積をより小さくしなければならない。すなわち、可変容量素子の低電圧駆動を実現するために、厚さの薄い強誘電体層を用い、且つ、非常に小さい容量Ｃの可変容量素子を作製しなければならない。

例えば、可変容量素子を約３Ｖで駆動させる場合、強誘電体層の厚さは約２μｍ程度となり、対向電極領域は約１００μｍ×１００μｍ程度となる。このような場合、可変容量素子の電極全体の抵抗値Ｒが大きくなり、Ｑ値（＝１／ωＣＲ：Quality of factor）が小さくなるという問題が生じる。そこで、本実施形態では、２端子タイプの可変容量素子において、電極抵抗（ＥＳＲ：Equivalent Series Resistance）をさらに小さくすることができる可変容量素子の構成例を説明する。

図２９（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態に係る可変容量コンデンサ（可変容量素子）の一構成例を示す。なお、図２９（ａ）は、本実施形態の可変容量コンデンサの上面図であり、上電極の構成を示す図である。一方、図２９（ｂ）は、本実施形態の可変容量コンデンサの下面図であり、下電極の構成を示す図である。本実施形態では、上電極及び下電極の構成（形状）を変えたこと以外は、上記第１の実施形態（図６並びに７（ａ）及び（ｂ））の可変容量コンデンサ１と同様の構成とする。なお、図２９（ａ）及び（ｂ）において、上記第１の実施形態（図７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極１０１（第１電極）は、略三角状の形状（第１形状）を有し、電極部１０１ａと、端子部１０１ｂとで構成される。電極部１０１ａは、強誘電体層１０（誘電体層）の上面１０ａの長辺に沿う方向（図２９（ａ）中のｘ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。具体的には、図２９（ａ）の図面上では、電極部１０１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの左上の角部からそれに対向する右下の角部に向かう方向に延在する。

端子部１０１ｂは、第１端子部１０１ｃ及び第２端子部１０１ｄで構成される。第１端子部１０１ｃは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の長辺（図面上では下側長辺）に沿って、その長辺近傍に形成される。そして、第１端子部１０１ｃの一方の端部が、電極部１０１ａの一方の端部に接続される。

また、第２端子部１０１ｄは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向（図２９（ａ）中のｘ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在し且つ電極部１０１ａの延在方向と交差する方向に延在して形成される。図２９（ａ）の図面上では、第２端子部１０１ｄは、強誘電体層１０の上面１０ａの右上の角部からそれに対向する左下の角部に向かう方向に延在する。そして、第２端子部１０１ｄの一方の端部は、電極部１０１ａの他方の端部（第１端子部１０１ｃと接続されていない側の端部）に接続され、他方の端部は、第１端子部１０１ｃの他方の端部に接続される。

電極部１０１ａ、第１端子部１０１ｃ及び第２端子部１０１ｄを上述のように構成することにより、上電極１０１内には、これらの部により三角状の開口部１０１ｅが画成される。なお、開口部１０１ｅの形状はこれに限定されず、任意の形状にすることができる。

下電極１０２（第２電極）は、Ｖ字状の形状（第２形状）を有し、電極部１０２ａと、端子部１０２ｂとで構成される。本実施形態の下電極１０２は、上記変形例２で説明した下電極３２（図１７（ｂ））と同様の構成である。なお、下電極１０２の電極部１０２ａの延在方向は、上電極１０１の電極部１０１ａの延在方向と略直交する。

図３０に、本実施形態の可変容量コンデンサの上電極１０１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン１０１ｐと、下電極１０２との重なり状態を示す。なお、図３０には、上電極１０１が下電極１０２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１０１ｐと、下電極３２との重なり状態を示す。本実施形態では、上電極投影パターン１０１ｐの電極部１０１ｐａと、下電極１０２の電極部１０２ａとを交差させ、その交差領域に対向電極領域Ｓａ（第１領域）を形成する。

本実施形態では、想定される内部電極（上電極及び下電極）間の最大の位置ずれ量を考慮して、上電極１０１及び下電極１０２の形状及び寸法が設計される。具体的には、内部電極間に位置ずれが生じても、下電極１０２の電極部１０２ａの先端が上電極投影パターン１０１ｐ内の開口部１０１ｐｅ内に位置するように、上電極１０１及び下電極１０２の形状及び寸法が設計される。これにより、上電極１０１及び下電極１０２間の位置ずれに関係なく、上電極１０１及び下電極１０２間の対向電極領域Ｓａの面積は一定となる。

また、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、内部電極間の位置ずれ量だけでなく、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、上電極１０１及び下電極１０２の形状及び寸法を設計する。特に、上電極１０１の設計においては、電極部１０１ａの幅は対向電極領域Ｓａの面積を小さくするために狭くするが、端子部１０１ｂの領域（面積）は、電極抵抗をより下げるために、できる限り広くすることが好ましい。

なお、本実施形態の可変容量コンデンサは、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。また、本実施形態では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、本実施形態では、上電極１０１及び下電極１０２間に位置ずれが生じても、上電極１０１及び下電極１０２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように、両内部電極が構成される。それゆえ、本実施形態では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、本実施形態では、上電極１０１の端子部１０１ｂの領域（面積）を広くすることができるので、可変容量コンデンサの電極抵抗の値を小さくすることができる。その結果、本実施形態では、Ｑ値の低下を抑制することができる。

［変形例４］
電極抵抗をより小さくすることができる可変容量コンデンサの構成例は、上記第４の実施形態に限定されない。ここでは、電極抵抗をより小さくすることのできる可変容量コンデンサの別の構成例（変形例４）を説明する。

図３１（ａ）及び（ｂ）に、変形例４の可変容量コンデンサの電極構成例を示す。なお、図３１（ａ）は、変形例４の可変容量コンデンサの上面図であり、上電極の構成を示す図である。一方、図３１（ｂ）は、変形例４の可変容量コンデンサの下面図であり、下電極の構成を示す図である。この例では、上電極及び下電極の構成（形状）を変えたこと以外は、上記第４の実施形態の可変容量コンデンサと同様の構成とする。なお、図３１（ａ）及び（ｂ）において、上記第４の実施形態（図２９（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極１１１は、電極部１１１ａと、端子部１１１ｂとで構成される。電極部１１１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向（図３１（ａ）中のｘ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。具体的には、図３１（ａ）の図面上では、電極部１１１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの左上の角部からそれに対向する右下の角部に向かう方向に延在する。

端子部１１１ｂは、略Ｌ字状の形状を有し、その底辺部が強誘電体層１０の上面１０ａの一方の長辺（図面上では下側長辺）に沿って、その近傍に形成される。そして、略Ｌ字状の端子部１１１ｂの一方の端部に電極部１１１ａの一方の端部が接続され、他方の端部に電極部１１１ａの他方の端部が接続される。その結果、上電極１１１内には、電極部１１１ａ及び端子部１１１ｂにより、矩形状の開口部１１１ｄが画成される。

また、下電極１１２は、電極部１１２ａと、端子部１１２ｂとで構成される。電極部１１２ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向（図３１（ｂ）中のｘ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。具体的には、図３１（ｂ）の図面上では、電極部１１２ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの右上の角部からそれに対向する左下の角部に向かう方向に延在する。なお、下電極１１２の電極部１１２ａの延在方向は、上電極１１１の電極部１１１ａの延在方向と略直交する。

端子部１１２ｂは、略Ｌ字状の形状を有し、その底辺部が強誘電体層１０の上面１０ａの他方の長辺（図面上では上側長辺）に沿って、その近傍に形成される。そして、略Ｌ字状の端子部１１２ｂの底辺部に対向する側に位置する端部に、電極部１１２ａの一方の端部が接続される。なお、この例では、上記第４の実施形態に比べて、下電極１１２の端子部１１２ｂの領域（面積）をより広くすることができ、且つ、下電極１１２の電極部１１２ａの延在方向の長さをより短くすることができる。それゆえ、この例では、第４の実施形態に比べて、下電極１１２の抵抗値をより小さくすることができる。

図３２に、この例の可変容量コンデンサの上電極１１１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン１１１ｐと、下電極１１２との重なり状態を示す。なお、図３２は、上電極１１１が下電極１１２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１１１ｐと、下電極１１２との重なり状態を示す図である。この例では、上電極投影パターン１１１ｐの電極部１１１ｐａと、下電極１１２の電極部１１２ａとを交差させ、その交差領域に対向電極領域Ｓａを形成する。

この例では、上記第４の実施形態と同様に、必要とする容量値、電極抵抗値、及び、想定される電極間の最大の位置ずれ量を考慮して、上電極１１１及び下電極１１２の形状及び寸法を設計する。この際、上電極１１１及び下電極１１２間に位置ずれが生じても、上電極１１１及び下電極１１２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように、上電極１１１及び下電極１１２の形状及び寸法を設計する。

なお、この例の可変容量コンデンサは、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。また、この例では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、この例では、上電極１１１及び下電極１１２間に位置ずれが生じても、上電極１１１及び下電極１１２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように、両内部電極が構成される。それゆえ、本実施形態では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

この例では、上電極１１１だけでなく、下電極１１２の領域（面積）も広くし、且つ、下電極１１２の電極部１１２ａの長さをより短くすることができる。それゆえ、この例では、可変容量コンデンサの電極抵抗の値をより一層小さくすることができ、Ｑ値の低下を一層抑制することができる。

なお、上記第４の実施形態及び変形例４では、可変容量コンデンサを構成する上電極に開口部を設ける例を説明したが、本発明はこれに限定されない。下電極に開口部を設けてもよい。また、第２の実施形態で説明したように上電極及び下電極間の位置ずれが主に一方向であるような場合には、上電極及び下電極の両方を、開口部を有する電極で構成してもよい。

上記第４の実施形態及び変形例４では、静電容量素子として可変容量素子（可変容量コンデンサ）を例に挙げ説明したが、本発明はこれに限定されない。上記第４の実施形態及び変形例４で説明した上電極及び下電極の構成は、入力信号の種類及びその信号レベルに関係なく容量がほとんど変化しない定容量素子に対しても同様に適用可能である。ただし、この場合、誘電体層は比誘電率の低い常誘電体材料で形成される。なお、常誘電体材料としては、上記第１の実施形態で説明した常誘電体材料と同様の材料を用いることができる。

上記第４の実施形態で説明した問題、すなわち、上電極及び下電極をより小さくした場合に、静電容量素子全体の抵抗値Ｒが大きくなり、Ｑ値が低下するという問題は、定容量素子においても同様に生じる。それゆえ、上記第４の実施形態で説明した上電極及び下電極の構成を定容量素子に適用した場合にも、上記問題を解消することができ、第４の実施形態と同様の効果が得られる。

＜５．第５の実施形態＞
上述した第１〜第４の実施形態並びに変形例１〜４で説明した可変容量コンデンサは、内部電極と外部の回路素子とを電気的に接続する外部端子を備える。図３３並びに３４（ａ）及び（ｂ）に、変形例２で説明した電極構成の可変容量コンデンサのより具体的な構成例を示す。なお、図３３は、可変容量コンデンサ１２０の外観斜視図である。また、図３４（ａ）は、可変容量コンデンサ１２０の上面図であり、図３４（ｂ）は、図３４（ａ）中のＡ−Ａ断面図である。なお、図３３並びに３４（ａ）及び（ｂ）において、変形例２（図１７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

変形例２の電極構成を有する可変容量コンデンサ１２０は、例えば直方体状の強誘電体部材１２１と、その長辺に沿った一対の側面１２１ａ及び１２１ｂにそれぞれ設けられた上側外部端子１２２及び下側外部端子１２３とで構成される。

強誘電体部材１２１は、図３４（ｂ）に示すように、強誘電体層１０と、その上面１０ａ及び下面１０ｂにそれぞれ形成された上電極３１及び下電極３２と、上電極３１及び下電極３２上にさらに形成された強誘電体層１２４とを備える。なお、強誘電体層１２４は、強誘電体層１０と同じ材料で形成される。

上側外部端子１２２は、側面が略Ｃ字状の金属部材であり、強誘電体部材１２１の長辺側の一方の側面１２１ａのほぼ全体及び上下面の一部を覆うように設けられる。上側外部端子１２２は、上電極３１の端子部３１ｂに接続される。また、下側外部端子１２３は、側面が略Ｃ字状の金属部材であり、強誘電体部材１２１の長辺側の他方の側面１２１ｂのほぼ全体及び上下面の一部を覆うように設けられる。そして、下側外部端子１２３は、下電極３２の端子部３２ｂに接続される。なお、可変容量コンデンサ１２０が、例えばｐＦオーダーのコンデンサである場合には、上側外部端子１２２及び下側外部端子１２３間の距離は、約０．５ｍｍ程度になる。

上述のような構成の可変容量コンデンサ１２０では、上側外部端子１２２及び下側外部端子１２３間に浮遊容量Ｃ０が発生する。ここで、図３５に、可変容量コンデンサ１２０の実質的な等価回路を示す。上述のような構成の可変容量コンデンサ１２０では、その等価回路は、上電極３１及び下電極３２間の可変容量コンデンサ１２５と、上側外部端子１２２及び下側外部端子１２３間の容量一定のコンデンサ１２６とを並列接続した回路となる。

ｐＦオーダーの小容量の可変容量コンデンサでは、上述のように上側外部端子１２２及び下側外部端子１２３間の距離が短く、また、外部端子間の対向面積も大きい。それゆえ、外部端子間の浮遊容量Ｃ０は、上電極３１及び下電極３２間に形成される可変容量コンデンサの容量Ｃ１に対して無視できないほどの大きさになる。例えば、強誘電体部材１２１の比誘電率を３５００程度とし、上側外部端子１２２及び下側外部端子１２３間の距離を約０．５ｍｍ程度とした場合、この外部端子間の浮遊容量Ｃ０は約３０ｐＦ程度となる。それに対して、例えば、強誘電体層１０の比誘電率を３５００程度とし、上電極３１及び下電極３２間の距離を約２μｍ程度とした場合、上電極３１及び下電極３２間の容量Ｃ１は数十〜１００ｐＦ程度になる。

すなわち、本発明の電極構成を用いてｐＦオーダーの小容量の可変容量コンデンサを作製する場合、上電極３１及び下電極３２（内部電極）間の容量Ｃ１と、外部端子間の浮遊容量Ｃ０とは、同オーダーの値となる。この場合、浮遊容量Ｃ０の影響により、可変容量コンデンサ１２０の容量値が設計値からずれるという問題が生じる。また、外部端子間のコンデンサ１２６は、容量一定の固定コンデンサとして作用するため、可変容量コンデンサ１２０における容量の可変幅が狭くなるという問題が生じる。そこで、本実施形態では、上述した外部端子間の浮遊容量Ｃ０の影響を低減することができる２端子タイプの可変容量コンデンサの構成例を説明する。

［可変容量コンデンサの構成］
図３６（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態に係る可変容量コンデンサの概略構成例を示す。図３６（ａ）は、可変容量コンデンサ１３５の外観斜視図であり、図３６（ｂ）は、可変容量コンデンサ１３５の上面図である。なお、図３６（ａ）及び（ｂ）において、第１の実施形態（図７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図３６（ａ）及び（ｂ）では、強誘電体部材１３６内部に形成される上電極１３１及び下電極１３２を破線で示す。

可変容量コンデンサ１３５（可変容量素子）は、例えば直方体状の強誘電体部材１３６と、その長辺側の一対の側面１３６ａ及び１３６ｂにそれぞれ設けられた上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８とで構成される。

強誘電体部材１３６は、強誘電体層１０（誘電体層）と、その上面１０ａ及び下面１０ｂにそれぞれ形成された上電極１３１及び下電極１３２と、上電極１３１及び下電極１３２上にさらに設けられた強誘電体層１３９とを備える。なお、強誘電体層１３９は、強誘電体層１０と同じ材料で形成される。また、強誘電体部材１３６は、これらの層を積層した状態で例えば焼結等により一体化される。

上側外部端子１３７（第１外部端子）は、側面が略Ｃ字状の金属部材であり、強誘電体部材１３６の長辺側の一方の側面１３６ａ（第１側面）の一部及び上下面の一部を覆うように設けられる。なお、上側外部端子１３７の幅は、強誘電体部材１３６の長辺長さの約半分程度にする。また、上側外部端子１３７は、それが配置された強誘電体部材１３６の側面１３６ａにおいて、上電極１３１の端子部１３１ｂが形成される短辺側の近傍に配置される。そして、上側外部端子１３７は、上電極１３１の端子部１３１ｂに接続される。

一方、下側外部端子１３８（第２外部端子）は、上側外部端子１３７と同様に、側面が略Ｃ字状の金属部材であり、強誘電体部材１３６の長辺側の他方の側面１３６ｂ（第２側面）の一部及び上下面の一部を覆うように設けられる。なお、下側外部端子１３８の幅は、強誘電体部材１３６の長辺長さの約半分程度にする。また、下側外部端子１３８は、それが配置された強誘電体部材１３６の側面１３６ｂにおいて、下電極１３２の端子部１３２ｂが形成される短辺側（上側外部端子１３７が形成される短辺側とは反対側）の近傍に配置される。そして、下側外部端子１３８は、下電極１３２の端子部１３２ｂに接続される。

なお、本実施形態では、外部端子が、側面が略Ｃ字状の金属部材である例を説明したが、本発明はこれに限定されず、内部電極に接続可能な形状及び寸法を有していれば、任意の形状の外部端子を用いることができる。

上述のように、本実施形態では、上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８を、強誘電体部材１３６を挟んで対角線上に配置する。すなわち、上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８の配置方向が、強誘電体部材１３６の長辺側の側面１３６ａ及び１３６ｂ間の対向方向（図３６（ａ）及び（ｂ）中のｙ方向）と交差するように、上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８を配置する。このように両外部端子を配置することにより、端子幅の短縮と相まって上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８間の対向面積を、図３３で説明した例より小さくすることができる。この結果、可変容量コンデンサ１３５における外部端子間の浮遊容量を小さくすることができる。なお、本明細書でいう、外部端子間の「配置方向」とは、一方の外部端子の中心から他方の外部端子の中心に向かう方向を意味する。

なお、図３６（ａ）及び（ｂ）の例では、上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８が、強誘電体部材１３６の短辺に沿う方向（ｙ方向）において対向しない例を示すが、本発明は、これに限定されない。上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８間の浮遊容量が、上電極１３１及び下電極１３２間に形成される可変容量コンデンサの容量に対して無視できる程度であれば、上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８の間に対向する領域があってもよい。

例えば、上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８間の浮遊容量は、上電極１３１及び下電極１３２間に形成される可変容量コンデンサの容量の約１／１０以下にすることが好ましい。

［電極構成］
次に、本実施形態の可変容量コンデンサ１３５の電極構成の一例を説明する。図３７（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態の可変容量コンデンサ１３５の電極構成例を示す。なお、図３７（ａ）は、本実施形態における強誘電体層１０の上面図であり、上電極１３１の構成を示す図である。一方、図３７（ｂ）は、本実施形態における強誘電体層１０の下面図であり、下電極１３２の構成を示す図である。

なお、本実施形態では、上電極１３１及び下電極１３２の構成（形状）を変えたこと以外は、上記第１の実施形態の可変容量コンデンサと同様の構成とする。すなわち、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、図面中のｘ及びｙ方向の両方向における位置ずれを考慮した電極構成の例を説明する。なお、図３７（ａ）及び（ｂ）において、上記第１の実施形態（図７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極１３１（第１電極）は、電極部１３１ａと、端子部１３１ｂとで構成される。電極部１３１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向（図３７（ａ）中のｘ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。具体的には、図３７（ａ）の図面上では、電極部１３１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの右下の角部からそれに対向する左上の角部に向かう方向に延在する。

端子部１３１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の短辺付近から長辺に沿う方向に延在して形成され、矩形状の形状を有する。なお、本実施形態では、端子部１３１ｂの延在長さは、強誘電体層１０の長辺長さの約半分程度にする。また、端子部１３１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の長辺近傍（図面上では下側長辺近傍）に配置される。すなわち、端子部１３１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一つの角部付近（図面上では右下角部付近）に配置される。そして、強誘電体層１０の上面１０ａの中心側に位置する端子部１３１ｂの角部に、電極部１３１ａの一方の端部が接続される。

また、下電極１３２（第２電極）は、変形例２の下電極３２（図１７（ｂ））と同様に、Ｖ字状の形状を有し、電極部１３２ａと、端子部１３２ｂとで構成される。本実施形態では、端子部１３２ｂの延在長さを、強誘電体層１０の長辺長さの約半分程度にする。それ以外は、変形例２の下電極３２（図１７（ｂ））と同様の構成である。なお、下電極１３２の電極部１３２ａの延在方向は、上電極１３１の電極部１３１ａの延在方向と略直交する。

図３８に、本実施形態の可変容量コンデンサ１３５において、上電極１３１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン１３１ｐと、下電極１３２との重なり状態を示す。なお、図３８には、上電極１３１が下電極１３２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１３１ｐと、下電極１３２との重なり状態を示す。本実施形態では、上電極投影パターン１３１ｐの電極部１３１ｐａと、下電極１３２の電極部１３２ａとを交差させ、その交差領域に対向電極領域Ｓａ（第１領域）を形成する。

本実施形態では、上電極１３１及び下電極１３２間に位置ずれが生じても、上電極１３１及び下電極１３２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように上電極１３１及び下電極１３２の形状及び寸法を設計する。また、上記第１の実施形態と同様に、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、上電極１３１及び下電極１３２の形状及び寸法を設計する。

また、本実施形態の可変容量コンデンサ１３５は、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。なお、本実施形態では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、本実施形態では、上電極１３１及び下電極１３２間に位置ずれが生じても、上電極１３１及び下電極１３２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように、両内部電極が構成される。それゆえ、本実施形態では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、本実施形態では、上側外部端子１３７及び下側外部端子１３８間の対向面積を、より小さくすることができる。それゆえ、両外部端子間の浮遊容量を小さくすることができ、上述した浮遊容量の影響により発生する問題を解消することができる。具体的には、本実施形態の可変容量コンデンサ１３５では、ほぼ設計値通りの容量値が得られ、その容量の可変幅への浮遊容量の影響を低減することができる。

なお、上記本実施形態では、図３７（ａ）及び（ｂ）中のｘ及びｙ方向の両方向において位置ずれを考慮した電極構成の例を説明したが、本発明はこれに限定されない。上記本実施形態における外部端子の配置形態は、第２の実施形態で説明したｘ方向またはｙ方向の一方向の位置ずれが顕著である場合に対しても適用可能である。

［変形例５］
外部端子間の浮遊容量を小さくすることができる可変容量コンデンサの構成例は、上記第５の実施形態の例に限定されない。ここでは、外部端子間の浮遊容量を低減可能な可変容量コンデンサの別の構成例（変形例５）を説明する。

［可変容量コンデンサの構成］
図３９（ａ）及び（ｂ）に、変形例５の可変容量コンデンサの概略構成例を示す。図３９（ａ）は、可変容量コンデンサ１４５の外観斜視図であり、図３９（ｂ）は、可変容量コンデンサ１４５の上面図である。なお、図３９（ａ）及び（ｂ）において、第５の実施形態（図３６（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図３９（ａ）及び（ｂ）では、強誘電体部材１４６内部に形成される上電極１４１及び下電極１４２を破線で示す。

可変容量コンデンサ１４５は、例えば直方体状の強誘電体部材１４６と、その短辺側の一対の側面１４６ａ及び１４６ｂにそれぞれ設けられた上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８とで構成される。

強誘電体部材１４６は、強誘電体層１０と、その上面１０ａ及び下面１０ｂにそれぞれ形成された上電極１４１及び下電極１４２と、上電極１４１及び下電極１４２上にさらに設けられた強誘電体層１３９とを備える。この例の強誘電体部材１４６は、上電極１４１及び下電極１４２の形状を変えたこと以外は、上述した第５の実施形態の強誘電体部材１３６（図３６（ａ））と同様の構成である。

上側外部端子１４７は、側面が略Ｃ字状の金属部材であり、強誘電体部材１４６の短辺側の一方の側面１４６ａの一部及び上下面の一部を覆うように設けられる。なお、上側外部端子１４７の幅は、強誘電体部材１４６の短辺長さの約半分程度にする。また、上側外部端子１４７は、それが配置された強誘電体部材１４６の側面１４６ａにおいて、上電極１４１の端子部１４１ｂが形成される長辺側の近傍に配置される。そして、上側外部端子１４７は、上電極１４１の端子部１４１ｂに接続される。

一方、下側外部端子１４８は、上側外部端子１４７と同様に、側面が略Ｃ字状の金属部材であり、強誘電体部材１４６の短辺側の他方の側面１４６ｂの一部及び上下面の一部を覆うように設けられる。なお、下側外部端子１４８の幅は、強誘電体部材１４６の短辺長さの約半分程度にする。また、下側外部端子１４８は、それが配置された強誘電体部材１４６の側面１４６ｂにおいて、下電極１４２の端子部１４２ｂが形成される長辺側（上側外部端子１４７が形成される長辺側とは反対側）の近傍に配置される。そして、下側外部端子１４８は、下電極１４２の端子部１４２ｂに接続される。

上述のように、この例においても、上記第５の実施形態と同様に、上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８は、強誘電体部材１４６を挟んで対角線上に配置される。それゆえ、この例においても、第５の実施形態と同様に、上側外部端子１４７及び下側外部端子１３８間の対向面積を、より小さくすることができ、外部端子間の浮遊容量を小さくすることができる。

なお、図３９（ａ）及び（ｂ）の例では、上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８が、強誘電体部材１４６の長辺に沿う方向（ｘ方向）において対向しない例を示すが、本発明は、これに限定されない。上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８間の浮遊容量が、上電極１４１及び下電極１４２間に形成される可変容量コンデンサの容量に対して無視できる程度であれば、上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８の間に対向する領域があってもよい。

［電極構成］
図４０（ａ）及び（ｂ）に、この例の可変容量コンデンサ１４５の電極構成例を示す。なお、図４０（ａ）は、この例の強誘電体層１０の上面図であり、上電極１４１の構成を示す図である。一方、図４０（ｂ）は、この例の強誘電体層１０の下面図であり、下電極１４２の構成を示す図である。なお、図４０（ａ）及び（ｂ）において、上記第５の実施形態（図３７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極１４１は、上記第５の実施形態の上電極１３１（図３７（ａ））と同様の形状を有し、電極部１４１ａと、端子部１４１ｂとで構成される。この例では、端子部１４１ｂを、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の短辺（図４０（ａ）では右側短辺）から延在して形成する。すなわち、端子部１４１ｂの延在方向の長さを、第５の実施形態のそれより長くする。この例の上電極１４１の構成は、端子部１４１ｂの形状を変えたこと以外は、上述した第５の実施形態の上電極１３１と同様である。

また、下電極１４２は、上記第５の実施形態の下電極１４２（図３７（ｂ））と同様の形状を有し、電極部１４２ａと、端子部１４２ｂとで構成される。この例では、端子部１４２ｂを、強誘電体層１０の下面１０ｂの他方の短辺（図４０（ｂ）では左側短辺）から延在して形成する。すなわち、端子部１４２ｂの延在方向の長さを、第５の実施形態のそれより長くする。この例の下電極１４２の構成は、端子部１４２ｂの形状を変えたこと以外は、上述した第５の実施形態の下電極１３２と同様である。なお、この例では、下電極１４２の電極部１４２ａの延在方向は、上電極１４１の電極部１４１ａの延在方向と略直交する。

図４１に、この例の可変容量コンデンサ１４５において、上電極１４１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン１４１ｐと、下電極１４２との重なり状態を示す。なお、図４１は、上電極１４１が下電極１４２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１４１ｐと、下電極１４２との重なり状態を示す。この例では、上電極投影パターン１４１ｐの電極部１４１ｐａと、下電極１４２の電極部１４２ａとを交差させ、その交差領域に対向電極領域Ｓａを形成する。

この例では、上電極１４１及び下電極１４２間に位置ずれが生じても、上電極１４１及び下電極１４２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように上電極１４１及び下電極１４２の形状及び寸法を設計する。また、上記第１の実施形態と同様に、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、上電極１４１及び下電極１４２の形状及び寸法を設計する。

また、この例の可変容量コンデンサ１４５は、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。なお、この例では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、この例では、上電極１４１及び下電極１４２間に位置ずれが生じても、上電極１４１及び下電極１４２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように、両内部電極が構成される。それゆえ、この例では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、この例では、上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８間の対向面積を、より小さくすることができる。また、この例では、上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８を強誘電体部材１４６の短辺側の両側面にそれぞれ配置するので、上側外部端子１４７及び下側外部端子１４８間の距離が第５の実施形態のそれに比べて大きくなる。それゆえ、この例では、両外部端子間の浮遊容量をより一層小さくすることができ、浮遊容量の影響をより低減することができる。

上記第５の実施形態及び変形例５では、静電容量素子として可変容量素子（可変容量コンデンサ）を例に挙げ説明したが、本発明はこれに限定されない。上記第５の実施形態及び変形例５で説明した上側外部端子及び下側外部端子の構成は、静電容量素子が定容量素子の場合であっても同様に適用可能である。ただし、この場合、誘電体層は比誘電率の低い常誘電体材料で形成される。なお、常誘電体材料としては、上記第１の実施形態で説明した常誘電体材料と同様の材料を用いることができる。

上記第５の実施形態で説明した問題、すなわち、上側外部端子及び下側外部端子間の浮遊容量Ｃ０の問題は、定容量素子においても同様に生じる。それゆえ、上記第５の実施形態及び変形例５で説明した上側外部端子及び下側外部端子の構成を定容量素子に適用した場合にも、両外部端子間の浮遊容量をより一層小さくすることができ、第５の実施形態と同様の効果が得られる。

＜６．第６の実施形態＞
第６の実施形態では、外部端子間の浮遊容量を低減可能な可変容量素子の別の構成例を説明する。

［可変容量コンデンサの構成］
図４２（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態に係る可変容量コンデンサの概略構成例を示す。図４２（ａ）は、可変容量コンデンサ１５５の外観斜視図であり、図４２（ｂ）は、可変容量コンデンサ１５５の上面図である。なお、図４２（ａ）及び（ｂ）において、第５の実施形態（図３６（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図４２（ａ）及び（ｂ）では、強誘電体部材１５６内部に形成される上電極１５１及び下電極１５２は破線で示す。

可変容量コンデンサ１５５（可変容量素子）は、例えば直方体状の強誘電体部材１５６と、その長辺側の一つの側面１５６ａに所定距離離して設けられた上側外部端子１５７及び下側外部端子１５８とで構成される。なお、上側外部端子１５７及び下側外部端子１５８間の間隔は、これらの外部端子間の浮遊容量が、上電極１５１及び下電極１５２間の容量に比べて無視できる程度の大きさとなるような距離に設定することが好ましい。

強誘電体部材１５６は、強誘電体層１０（誘電体層）と、その上面１０ａ及び下面１０ｂにそれぞれ形成された上電極１５１及び下電極１５２と、上電極１５１及び下電極１５２上にさらに設けられた強誘電体層１３９とを備える。本実施形態の強誘電体部材１５６は、上電極１５１及び下電極１５２の形状を変えたこと以外は、上述した第５の実施形態の強誘電体部材１３６（図３６（ａ））と同様の構成である。

上側外部端子１５７（第１外部端子）及び下側外部端子１５８（第２外部端子）は、ともに側面が略Ｃ字状の金属部材であり、それらが配置された強誘電体部材１５６の側面１５６ａの一部及び上下面の一部を覆うように設けられる。なお、本実施形態では、上側外部端子１５７及び下側外部端子１５８の幅は、強誘電体層１０の長辺長さの半分未満にする。

また、上側外部端子１５７は、それが配置された強誘電体部材１５６の側面１５６ａにおいて、上電極１５１の端子部１５１ｂが形成される一方の短辺側の近傍に配置される。そして、上側外部端子１５７は、上電極１５１の端子部１５１ｂに接続される。一方、下側外部端子１５８は、強誘電体部材１５６の側面１５６ａにおいて、下電極１５２の端子部１５２ｂが形成される他方の短辺側の近傍に配置される。そして、下側外部端子１５８は、下電極１５２の端子部１５２ｂに接続される。

上述のように、本実施形態の可変容量コンデンサ１５５では、上側外部端子１５７及び下側外部端子１５８を強誘電体部材１５６の同一側面上に配置する。それゆえ、本実施形態では、上側外部端子１５７と下側外部端子１５８とが強誘電体部材１５６を挟んで対向しないので、外部端子間の浮遊容量を大幅に低減することができる。

［電極構成］
図４３（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態の可変容量コンデンサ１５５の電極構成例を示す。なお、図４３（ａ）は、本実施形態の強誘電体層１０の上面図であり、上電極１５１の構成を示す図である。一方、図４３（ｂ）は、本実施形態の強誘電体層１０の下面図であり、下電極１５２の構成を示す図である。なお、図４３（ａ）及び（ｂ）において、上記第５の実施形態（図３７（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極１５１（第１電極）は、電極部１５１ａと、端子部１５１ｂとで構成される。電極部１５１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向（図４３（ａ）中のｘ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。具体的には、図４３（ａ）の図面上では、電極部１５１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの右下の角部からそれに対向する左上の角部に向かう方向に延在する。

端子部１５１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の短辺付近から長辺に沿う方向に延在して形成され、矩形状の形状を有する。なお、本実施形態では、端子部１５１ｂの延在方向の長さは、強誘電体層１０の長辺長さの半分未満にする。また、端子部１５１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａにおいて、一方の長辺近傍（図面上では下側長辺近傍）に配置され、且つ、上電極１５１の端子部１５１ｂが形成される一方の短辺側の近傍に配置される。すなわち、端子部１５１ｂは、図４３（ａ）上では、強誘電体層１０の上面１０ａの右下角部付近に配置される。そして、強誘電体層１０の上面１０ａの中心側に位置する端子部１５１ｂの角部に、電極部１５１ａの一方の端部が接続される。

一方、下電極１５２は、強誘電体層１０の下面１０ｂの短辺に沿う方向（図４３（ｂ）中のｙ方向）に対して、上電極１５１と線対称の形状を有し、上電極１５１と線対称の位置に形成される。すなわち、下電極１５２は、図４３（ｂ）上では、強誘電体層１０の下面１０ｂの左下角部付近に配置される。なお、本実施形態では、下電極１５２の電極部１５２ａの延在方向は、上電極１５１の電極部１５１ａの延在方向と略直交する。

図４４に、本実施形態の可変容量コンデンサ１５５において、上電極１５１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン１５１ｐと、下電極１５２との重なり状態を示す。なお、図４４には、上電極１５１が下電極１５２に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１５１ｐと、下電極１５２との重なり状態を示す。本実施形態では、上電極投影パターン１５１ｐの電極部１５１ｐａと、下電極１５２の電極部１５２ａとを交差させ、その交差領域に対向電極領域Ｓａ（第１領域）を形成する。

本実施形態では、上電極１５１及び下電極１５２間に位置ずれが生じても、上電極１５１及び下電極１５２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように上電極１５１及び下電極１５２の形状及び寸法を設計する。また、上記第１の実施形態と同様に、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、上電極１５１及び下電極１５２の形状及び寸法を設計する。

また、本実施形態の可変容量コンデンサ１５５は、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。なお、本実施形態では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、本実施形態では、上電極１５１及び下電極１５２間に位置ずれが生じても、上電極１５１及び下電極１５２間の対向電極領域Ｓａの面積が一定となるように、両内部電極が構成される。それゆえ、本実施形態では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、本実施形態では、上側外部端子１５７と下側外部端子１５８とが対向しないので、外部端子間の浮遊容量を大幅に低減することができ、上述した浮遊容量の影響により発生する問題を解消することができる。具体的には、本実施形態の可変容量コンデンサ１５５では、ほぼ設計値通りの容量値が得られ、容量の可変幅への浮遊容量の影響を低減することができる。

上記第６の実施形態では、静電容量素子として可変容量素子を例に挙げ説明したが、本発明はこれに限定されない。上記第６の実施形態で説明した上側外部端子及び下側外部端子の構成は、静電容量素子が定容量素子である場合でも同様に適用可能であり、同様の効果が得られる。ただし、この場合、誘電体層は、比誘電率の低い常誘電体材料で形成される。なお、常誘電体材料としては、上記第１の実施形態で説明した常誘電体材料と同様の材料を用いることができる。

＜７．第７の実施形態＞
上記第５及び第６の実施形態では、一つの強誘電体部材に一対の外部端子（一つの可変容量コンデンサ）を形成する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、強誘電体部材に複数対の外部端子を設け、一つの可変容量素子内に複数の可変容量コンデンサを設ける（配列する）構成にしてもよい。本実施形態では、そのような構成を有する可変容量素子について説明する。

［可変容量素子の構成］
図４５（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態の可変容量素子の概略構成を示す。図４５（ａ）は、本実施形態の可変容量素子１６５の外観斜視図であり、図４５（ｂ）は、可変容量素子１６５の上面図である。なお、図４５（ａ）及び（ｂ）において、第６の実施形態（図４２（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図４５（ａ）及び（ｂ）には、強誘電体部材１６６内部に形成される第１上電極１６１、第１下電極１６２、第２上電極１６３及び第２下電極１６４を破線で示す。

可変容量素子１６５は、強誘電体部材１６６と、その一方の長辺側の側面１６６ａ（第１側面）に設けられた第１上側外部端子１６７（第１外部端子）及び第１下側外部端子１６８（第２外部端子）とを備える。さらに、可変容量素子１６５は、強誘電体部材１６６の他方の長辺側の側面１６６ｂ（第２側面）に設けられた第２上側外部端子１６９（第３外部端子）及び第２下側外部端子１７０（第４外部端子）を備える。

本実施形態の可変容量素子１６５では、第１上側外部端子１６７及び第１下側外部端子１６８間、並びに、第２上側外部端子１６９及び第２下側外部端子１７０間でそれぞれ一つの可変容量コンデンサを構成する。すなわち、本実施形態では、一つの可変容量素子１６５内に２つの可変容量コンデンサを配列する。

強誘電体部材１６６は、例えば直方体状の形状を有し、強誘電体層１０（誘電体層）と、その上面に形成された第１上電極１６１（第１電極）及び第２上電極１６３（第３電極）と、それらの上電極上に形成された強誘電体層１３９とを備える。また、強誘電体部材１６６は、強誘電体層１０の下面に形成された第１下電極１６２（第２電極）及び第２下電極１６４（第４電極）と、それらの下電極上に形成された強誘電体層１３９とを備える。本実施形態の強誘電体部材１６６は、電極構成をアレイ化したこと以外は、上記第６の実施形態と同様の構成である。

第１上側外部端子１６７（第１外部端子）及び第２上側外部端子１６９（第３外部端子）は、上記第６の実施形態で説明した上側外部端子１５７（図４２（ａ））と同様の構成である。

第１上側外部端子１６７は、それが配置される強誘電体部材１６６の一方の側面１６６ａにおいて、第１上電極１６１の端子部１６１ｂが形成されている短辺側近傍に配置され、その端子部１６１ｂに接続される。一方、第２上側外部端子１６９は、それが配置される強誘電体部材１６６の他方の側面１６６ｂにおいて、第２上電極１６３の端子部１６３ｂが形成されている短辺側近傍に配置され、その端子部１６３ｂに接続される。すなわち、第１上側外部端子１６７及び第２上側外部端子１６９は、強誘電体部材１６６を挟んで対角線上に配置される。

また、第１下側外部端子１６８（第２外部端子）及び第２下側外部端子１７０（第４外部端子）は、上記第６の実施形態で説明した下側外部端子１５８（図４２（ａ））と同様の構成である。

第１下側外部端子１６８は、それが配置される強誘電体部材１６６の一方の側面１６６ａにおいて、第１上側外部端子１６７と所定距離離れて配置され、且つ、第１下電極１６２の端子部１６２ｂが形成されている短辺側近傍に配置される。そして、第１下側外部端子１６８は、第１下電極１６２の端子部１６２ｂに接続される。一方、第２下側外部端子１７０は、それが配置される強誘電体部材１６６の他方の側面１６６ｂにおいて、第２上側外部端子１６９と所定距離離れて配置され、且つ、第２下電極１６４の端子部１６４ｂが形成されている短辺側近傍に配置される。そして、第２下側外部端子１７０は、第２下電極１６４の端子部１６４ｂに接続される。

すなわち、第１下側外部端子１６８及び第２下側外部端子１７０は、強誘電体部材１６６を挟んで対角線上に配置される。なお、第１上側外部端子１６７及び第２上側外部端子１６９の配置方向と、第１下側外部端子１６８及び第２下側外部端子１７０の配置方向とは交差する。

上述のように、本実施形態では、第６の実施形態と同様に、各可変容量コンデンサを構成する一対の外部端子が強誘電体部材１６６の同一側面に設けられるので、一対の外部端子は対向しない。それゆえ、本実施形態においても、各可変容量コンデンサの外部端子間の浮遊容量を大幅に低減することができる。

［電極構成］
図４６（ａ）及び（ｂ）に、本実施形態の可変容量素子１６５の電極構成例を示す。なお、図４６（ａ）は、強誘電体層１０の上面図であり、第１上電極１６１及び第２上電極１６３の構成を示す図である。一方、図４６（ｂ）は、強誘電体層１０の下面図であり、第１下電極１６２及び第２下電極１６４の構成を示す図である。なお、図４６（ａ）及び（ｂ）において、上記第６の実施形態（図４３（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

第１上電極１６１は、上記第６の実施形態で説明した上電極１５１と同様の形状を有する。第１上電極１６１は、強誘電体層１０の上面１０ａにおいて、一つの角部付近（図４６（ａ）上では右下角部付近）に配置される。第２上電極１６３は、強誘電体層１０の上面１０ａにおいて、第１上電極１６１の対角方向の角部付近（図４６（ａ）上では左上角部付近）に配置され、その対角方向と直交する方向に対して第１上電極１６１と線対称の位置に配置される。また、第２上電極１６３は、対角方向と直交する方向に対して第１上電極１６１と線対称の形状を有する。

一方、第１下電極１６２は、上記第６の実施形態で説明した下電極１５２と同様の形状を有する。第１下電極１６２は、強誘電体層１０の下面１０ｂにおいて、その短辺方向に対して第１上電極１６１と線対称となる位置の角部付近（図４６（ｂ）上では左下角部付近）に配置される。第２下電極１６４は、強誘電体層１０の下面１０ｂにおいて、第１下電極１６２の対角方向の角部付近（図４６（ｂ）上では右上角部付近）に配置され、その対角方向と直交する方向に対して第１下電極１６２と線対称の位置に配置される。また、第２下電極１６４は、対角方向と直交する方向に対して第１下電極１６２と線対称の形状を有する。

図４７に、本実施形態において、第１上電極１６１及び第２上電極１６３を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した第１上電極投影パターン１６１ｐ及び第２上電極投影パターン１６３ｐと、第１下電極１６２及び第２下電極１６４との重なり状態を示す。なお、図４７には、各上電極が対応する下電極に対して位置ずれしていない場合の各上電極投影パターン及び下電極間の重なり状態を示す。本実施形態では、第１上電極投影パターン１６１ｐの電極部１６１ｐａと、第１下電極１６２の電極部１６２ａとを交差させ、その交差領域に第１対向電極領域ＳＡ１（第１領域）を形成する。また、第２上電極投影パターン１６３ｐの電極部１６３ｐａと、第２下電極１６４の電極部１６４ａとを交差させ、その交差領域に第２対向電極領域ＳＡ２（第２領域）を形成する。

そして、本実施形態では、各上電極が対応する下電極に対して位置ずれしても、上電極及び下電極間の対向電極領域（ＳＡ１及びＳＡ２）の面積が一定となるように各上電極及び下電極の形状及び寸法が設計される。また、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、各上電極及び各下電極の形状及び寸法が設計される。

なお、本実施形態のように、一つの強誘電体層に２つの可変容量コンデンサを配列する場合、２つの可変容量コンデンサ間の浮遊容量を各可変容量コンデンサの容量に対して無視できる程度にすることが好ましい。例えば、２つの可変容量コンデンサ間の浮遊容量が各可変容量コンデンサの容量に対して約１／１０以下になるようにすることが好ましい。これを実現するためには、第１対向電極領域ＳＡ１と第２対向電極領域ＳＡ２との間隔をできる限り広くすることが好ましい。

また、図４８に、本実施形態の可変容量素子１６５の等価回路を示す。なお、図４８中の容量Ｃ２の可変容量コンデンサ１７１は、第１上側外部端子１６７及び第１下側外部端子１６８間に形成される可変容量コンデンサである。また、図４８中の容量Ｃ３の可変容量コンデンサ１７２は、第２上側外部端子１６９及び第２下側外部端子１７０間に形成される可変容量コンデンである。上述のように、本実施形態では、一つの強誘電体部材１６６に対して、２つの可変容量コンデンサを独立して形成しているので、その等価回路は、４端子素子で表される。

なお、本実施形態の可変容量素子１６５は、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。また、本実施形態では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、本実施形態では、各上電極及び下電極間に位置ずれが生じても、内部電極間の対向電極領域（ＳＡ１及びＳＡ２）の面積が一定となるように構成される。それゆえ、本実施形態では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

本実施形態では、第１上側外部端子１６７は、第１下側外部端子１６８に対向しない。また、第２上側外部端子１６９は、第２下側外部端子１７０に対向しない。それゆえ、各外部端子間の浮遊容量を大幅に低減することができ、上述した浮遊容量の影響により発生する問題を解消することができる。

さらに、本実施形態のように、４つの外部端子を強誘電体部材１６６の４つの角部に設けた場合、可変容量素子１６５をプリント基板上に実装する際に次のような利点がある。図４９に、本実施形態の可変容量素子１６５をプリント基板上に実装した際の概略構成を示す。

通常、可変容量素子１６５をプリント基板１７３の銅配線１７４上に固定する際、はんだ１７５を用いて、各外部端子と対応する銅配線１７４とをはんだ付けする。ただし、この際、はんだ１７５は固化すると収縮するので、これにより可変容量素子が銅配線１７４側に引っ張られる。それゆえ、可変容量素子の外部端子が強誘電体部材１６６の一方の側面の角部に設けられている場合には、はんだ１７５の収縮により、可変容量素子のはんだ付けされていない側が持ち上がり、はんだ付け不良が生じる可能性がある。それに対して、本実施形態のように４つの外部端子をそれぞれ強誘電体部材１６６の４つの角部に設けた場合には、はんだ１７５が収縮しても可変容量素子が均等に引っ張られるので、上述のようなはんだ付け不良を低減することができる。

［変形例６］
上記第７の実施形態では、一つの強誘電体層１０に形成した２つの可変容量コンデンサの各対向電極領域（ＳＡ１及びＳＡ２）を、強誘電体層１０の短辺方向に沿って配置する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。２つの可変容量コンデンサの各対向電極領域（ＳＡ１及びＳＡ２）を、強誘電体層１０の対角線方向に配置してもよい。図５０に、その一構成例（変形例６）を示す。

図５０は、この例の可変容量素子１８５の上面図である。なお、図５０では、強誘電体部材１８６内に形成される第１上電極１８１、第１下電極１８２、第２上電極１８３及び第２下電極１８４を破線で示す。

この例の可変容量素子１８５では、上記第７の実施形態の可変容量素子１６５（図４５（ａ）及び（ｂ））において、各内部電極の端子部の延在方向の長さを変えた。具体的には、この例では、第１上電極１８１の端子部１８１ｂ及び第２上電極１８３の端子部１８３ｂの各延在方向の長さを、第７の実施形態のそれより長くする。また、第１下電極１８２の端子部１８２ｂ及び第２下電極１８４の端子部１８４ｂの各延在方向の長さを第７の実施形態のそれより短くする。

そして、この例では、各内部電極の端子部の長さの変更に伴い、各端子部に接続する外部端子の幅も変更する。具体的には、第１上側外部端子１８７及び第２上側外部端子１８９の各幅を、第７の実施形態のそれより広くする。また、第１下側外部端子１８８及び第２下側外部端子１９０の各幅を、第７の実施形態のそれより狭くする。この例の可変容量素子１８５の構成は、各内部電極の端子部の延在方向の長さ及び各外部端子の幅を変えたこと以外は、第７の実施形態の構成と同様である。

各内部電極を上述のように構成することにより、第１上電極１８１及び第１下電極１８２間に画成される第１対向電極領域ＳＡ１と、第２上電極１８３及び第２下電極１８４間に画成される第２対向電極領域ＳＡ２とが強誘電体層の対角線方向に配置される。この結果、強誘電体層の面内方向における第１対向電極領域ＳＡ１と、第２対向電極領域ＳＡ２との間隔を、第７の実施形態のそれに比べて広げることができる。

それゆえ、この例では、第１上電極１８１及び第１下電極１８２間で形成される可変容量コンデンサと、第２上電極１８３及び第２下電極１８４間で形成される可変容量コンデンサとの間の浮遊容量をより小さくすることができる。例えば、この例の可変容量素子１８５における第１対向電極領域ＳＡ１及び第２対向電極領域ＳＡ２間の距離を第７の実施形態のそれの２倍にすると、浮遊容量は、第７の実施形態のそれの１／２になる。

［変形例７］
変形例７では、一つの可変容量素子内に複数の可変容量コンデンサを配列する別の構成例を説明する。

［可変容量コンデンサの構成］
図５１（ａ）及び（ｂ）に、変形例７の可変容量素子の概略構成を示す。図５１（ａ）は、この例の可変容量素子１９５の外観斜視図であり、図５１（ｂ）は、可変容量素子１９５の上面図である。なお、図５１（ａ）及び（ｂ）において、第７の実施形態（図４５（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図５１（ａ）及び（ｂ）では、強誘電体部材１９６内部に形成される上電極１９１、第１下電極１９２及び第２下電極１９３を破線で示す。

可変容量素子１９５は、例えば直方体状の形状を有する強誘電体部材１９６と、その一方の長辺側の側面１９６ａに設けられた上側外部端子１９７と、他方の長辺側の側面１９６ｂに設けられた第１下側外部端子１９８及び第２下側外部端子１９９とを備える。この例の可変容量素子１９５では、上側外部端子１９７及び第１下側外部端子１９８間、並びに、上側外部端子１９７及び第２下側外部端子１９９間でそれぞれ一つの可変容量コンデンサを構成する。すなわち、この例では、上側外部端子１９７を、２つの可変容量コンデンサの共通外部端子とする。

強誘電体部材１９６は、強誘電体層１０と、その上面に形成された上電極１９１と、上電極１９１上に形成された強誘電体層１３９とを備える。また、強誘電体部材１９６は、強誘電体層１０の下面に形成された第１下電極１９２及び第２下電極１９３と、それらの下電極上に形成された強誘電体層１３９とを備える。この例の強誘電体部材１９６は、上電極を共通電極にしたこと、及び、各内部電極の形状を変えたこと以外は、上記第７の実施形態と同様の構成である。

上側外部端子１９７は、上記第７の実施形態で説明した第１上側外部端子１６７と同様の構成である。上側外部端子１９７は、強誘電体部材１９６の長辺側の一方の側面１９６ａの中央付近に配置される。なお、上側外部端子１９７は、上電極１９１の端子部に接続される。

第１下側外部端子１９８及び第２下側外部端子１９９は、上記第７の実施形態で説明した第１下側外部端子１６８と同様の構成である。第１下側外部端子１９８及び第２下側外部端子１９９は、強誘電体部材１９６の他方の長辺側の側面１９６ｂにおいて、所定距離だけ離して配置される。また、第１下側外部端子１９８及び第２下側外部端子１９９は、強誘電体部材１９６の側面１９６ｂにおいて、それぞれ一方及び他方の短辺側近傍に配置される。

上述のように、この例では、上側外部端子１９７と第１下側外部端子１９８及び第２下側外部端子１９９とは、強誘電体部材１９６の長辺側の側面１９６ａ及び１９６ｂ間の対向方向（図５１（ａ）及び（ｂ）中のｙ方向）と交差するように配置される。それゆえ、各可変容量コンデンサを構成する２つの外部端子間の対向面積が小さくなり、各可変容量コンデンサにおいて、外部端子間の浮遊容量をより小さくすることができる。

［電極構成］
図５２（ａ）及び（ｂ）に、この例の可変容量素子１９５の電極構成例を示す。なお、図５２（ａ）は、この例の強誘電体層１０の上面図であり、上電極１９１の構成を示す図である。一方、図５２（ｂ）は、この例の強誘電体層１０の下面図であり、第１下電極１９２及び第２下電極１９３の構成を示す図である。なお、図５２（ａ）及び（ｂ）において、上記第７の実施形態（図４６（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極１９１（第１電極）は、Ｙ字状の電極であり、第１電極部１９１ａと、第２電極部１９１ｃと、端子部１９１ｂとで構成される。端子部１９１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向に延在して形成され、矩形状の形状を有する。そして、端子部１９１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の長辺近傍（図５２（ａ）の図面上では下側の長辺近傍）に配置され且つその長辺の中央付近に配置される。

第１電極部１９１ａ及び第２電極部１９１ｃは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向（図５２（ａ）中のｘ方向）に対して斜め方向（直交しない方向）に延在して形成される。そして、端子部１９１ｂの４つの角部のうち、強誘電体層１０の上面１０ａの中心側に位置する一方の角部に、第１電極部１９１ａが接続され、強誘電体層１０の上面１０ａの中心側に位置する他方の角部に、第２電極部１９１ｃが接続される。また、第１電極部１９１ａ及び第２電極部１９１ｃ間の距離は、端子部１９１ｂから遠ざかるにつれて広がるように配置される。

第１下電極１９２（第２電極）及び第２下電極１９３（第３電極）は、ともにＶ字状の形状を有し、第５の実施形態で説明した下電極１３２（図３７（ｂ））と同様の構成である。ただし、この例では、第１下電極１９２の端子部１９２ｂ及び第２下電極１９３の端子部１９３ｂの各延在方向の長さを、強誘電体層１０の長辺長さの半分未満にする。

そして、この例では、第１下電極１９２及び第２下電極１９３は、強誘電体層１０の下面１０ｂにおいて、上電極１９１が形成される長辺側とは反対側の長辺近傍に、所定距離だけ離して配置される。この際、第１下電極１９２及び第２下電極１９３の各電極部側の端部が互いに対向するように配置する。すなわち、第１下電極１９２及び第２下電極１９３は、強誘電体層１０の下面１０ｂの短辺に沿う方向（図５２（ｂ）中のｙ方向）に対して線対称に配置される。

図５３に、この例の可変容量素子１９５において、上電極１９１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン１９１ｐと、第１下電極１９２及び第２下電極１９３との重なり状態を示す。なお、図５３には、上電極が下電極に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン１９１ｐと、第１下電極１９２及び第２下電極１９３との重なり状態を示す。この例では、上電極投影パターン１９１ｐの電極部１９１ｐａと、第１下電極１９２の電極部１９２ａとを交差させ、その交差領域に第１対向電極領域ＳＡ１（第１領域）を形成する。また、上電極投影パターン１９１ｐの電極部１９１ｐａと、第２下電極１９３の電極部１９３ａとを交差させ、その交差領域に第２対向電極領域ＳＡ２（第２領域）を形成する。

そして、この例では、上電極１９１が第１下電極１９２及び第２下電極１９３に対して位置ずれしても、第１対向電極領域ＳＡ１及び第２対向電極領域ＳＡ２の面積が一定となるように、各内部電極の形状及び寸法が設計される。また、この例では、上記第１の実施形態と同様に、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、各上電極及び下電極の形状及び寸法が設計される。

図５４に、この例の可変容量素子１９５の等価回路を示す。なお、図５４中の容量Ｃ４の可変容量コンデンサ２０１は、上側外部端子１９７及び第１下側外部端子１９８間に形成される可変容量コンデンサである。また、図５４中の容量Ｃ５の可変容量コンデンサ２０２は、上側外部端子１９７及び第２下側外部端子１９９間に形成される可変容量コンデンである。上述のように、この例では、一つの強誘電体部材１９６に対して、２つの可変容量コンデンサ２０１及び２０２を形成するが、上側外部端子１９７（上電極）を共通端子とする。それゆえ、その等価回路は、３端子素子で表され、２つの可変容量コンデンサ２０１及び２０２が直列接続した回路となる。

なお、この例の可変容量素子１９５は、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。また、この例では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、この例では、上電極１９１と第１下電極１９２及び第２下電極１９３との間に位置ずれが生じても、内部電極間の対向電極領域（ＳＡ１及びＳＡ２）の面積が一定となるように構成される。それゆえ、この例では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、この例では、上側外部端子１９７及び第１下側外部端子１９８間、並びに、上側外部端子１９７及び第２下側外部端子１９９間の対向面積をより小さくすることができる。それゆえ、各外部端子間の浮遊容量をより低減することができ、上述した浮遊容量の影響により発生する問題を解消することができる。

さらに、この例では、３つの外部端子が強誘電体部材１９６を挟んで三角状に配置されているので、第７の実施形態と同様に、可変容量素子１９５をプリント基板の銅配線上等に固定する際のはんだ付け不良を低減することができる。

［変形例８］
３端子タイプの可変容量素子の構成例は上記変形例７に限定されない。図５５に、３端子タイプの可変容量素子の別の構成例（変形例８）を示す。なお、図５５は、この例の可変容量素子の上面図であり、変形例７（図５１（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図５５では、強誘電体部材２１６内部に形成される上電極２１１、第１下電極２１２及び第２下電極２１３を破線で示す。

この例では、上電極２１１を略Ｔ字状の電極で構成し、第１下電極２１２及び第２下電極２１３をＬ字状の電極で構成する。そして、上電極２１１の端子部が上側外部端子１９７に接続され、第１下電極２１２の端子部２１２ｂが第１下側外部端子１９８に接続され、そして、第２下電極２１３の端子部２１３ｂが第２下側外部端子１９９に接続される。それ以外の構成は、変形例７の可変容量素子１９５（図５１（ａ）及び（ｂ））と同様の構成である。

この例の可変容量素子２１５では、上電極２１１及び第１下電極２１２間、並びに、上電極２１１及び第２下電極２１３間にそれぞれ可変容量コンデンサが形成される。この例においても、変形例７と同様に、上電極２１１を２つの可変容量コンデンサの共通電極に用いるので、３端子の可変容量素子を構成することができる。

図５６（ａ）及び（ｂ）に、この例の可変容量素子２１５の電極構成例を示す。なお、図５６（ａ）は、この例の強誘電体層１０の上面図であり、上電極２１１の構成を示す図である。一方、図５６（ｂ）は、この例の強誘電体層１０の下面図であり、第１下電極２１２及び第２下電極２１３の構成を示す図である。なお、図５６（ａ）及び（ｂ）において、上記変形例７（図５２（ａ）及び（ｂ））と同様の構成には、同じ符号を付して示す。

上電極２１１は、電極部２１１ａと、端子部２１１ｂとで構成される。端子部２１１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の長辺近傍（図５６（ａ）上では下側の長辺近傍）から短辺に沿う方向に延在して形成され、略矩形状の形状を有する。そして、端子部２１１ｂは、強誘電体層１０の上面１０ａの一方の長辺の中央付近に配置される。

電極部２１１ａは、強誘電体層１０の上面１０ａの長辺に沿う方向（図５６（ａ）中のｘ方向）に延在して形成される。そして、電極部２１１ａの中央部が端子部２１１ｂの一方の端部に接続される。

第１下電極２１２は、強誘電体層１０の下面１０ｂの長辺に沿う方向（図５６（ｂ）中のｘ方向）に延在する端子部２１２ｂと、その一方の端部から端子部２１２ｂと直交する方向に延在する電極部２１２ａとで構成される。一方、第２下電極２１３は、第１下電極２１２と同様の構造を有する。なお、この例では、第１下電極２１２の端子部２１２ｂ及び第２下電極２１３の端子部２１３ｂの各延在方向の長さは、強誘電体層１０の長辺長さの半分未満にする。

そして、この例では、第１下電極２１２及び第２下電極２１３は、強誘電体層１０の下面１０ｂにおいて、上電極２１１が形成される長辺側とは反対側の長辺近傍に、所定距離だけ離して配置される。この際、第１下電極２１２及び第２下電極２１３の各電極部側の端部が互いに対向するように配置する。すなわち、第１下電極２１２及び第２下電極２１３は、強誘電体層１０の下面１０ｂの短辺に沿う方向（図５６（ｂ）中のｙ方向）に対して線対称に配置される。

図５７に、この例の可変容量素子２１５において、上電極２１１を強誘電体層１０の下面１０ｂに投影した上電極投影パターン２１１ｐと、第１下電極２１２及び第２下電極２１３との重なり状態を示す。なお、図５７には、上電極が下電極に対して位置ずれしていない場合の上電極投影パターン２１１ｐと、第１下電極２１２及び第２下電極２１３との重なり状態を示す。この例では、上電極投影パターン２１１ｐの電極部２１１ｐａと、第１下電極２１２の電極部２１２ａとを交差させ、その交差領域に第１対向電極領域ＳＡ１を形成する。また、上電極投影パターン２１１ｐの電極部２１１ｐａと、第２下電極２１３の電極部２１３ａとを交差させ、その交差領域に第２対向電極領域ＳＡ２を形成する。

そして、この例では、上電極２１１が第１下電極２１２及び第２下電極２１３に対して位置ずれしても、第１対向電極領域ＳＡ１及び第２対向電極領域ＳＡ２の面積が一定となるように、各内部電極の形状及び寸法が設計される。また、この例では、上記第１の実施形態と同様に、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、各内部電極の形状及び寸法が設計される。

なお、この例の可変容量素子２１５は、例えば、上述した第１の実施形態の製造方法と同様にして作製することができる。また、この例では、強誘電体層１０が１層の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の強誘電体層１０を、電極を介して積層してもよい。

上述のように、この例では、上電極２１１と第１下電極２１２及び第２下電極２１３との間に位置ずれが生じても、内部電極間の対向電極領域（ＳＡ１及びＳＡ２）の面積が一定となるように構成される。それゆえ、この例では、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、この例では、上側外部端子１９７及び第１下側外部端子１９８間、並びに、上側外部端子１９７及び第２下側外部端子１９９間の対向面積をより小さくすることができる。それゆえ、各外部端子間の浮遊容量をより低減することができ、上述した浮遊容量の影響により発生する問題を解消することができる。

また、この例では、３つの外部端子が強誘電体部材２１６を挟んで三角状に配置されているので、第７の実施形態と同様に、可変容量素子２１５をプリント基板の銅配線上等に固定する際のはんだ付け不良を低減することができる。

さらに、この例の可変容量素子２１５における電極構成では、変形例７の電極構成（図５２（ａ）及び（ｂ））に比べて、各内部電極の電極部の長さをより短くすることができるので、可変容量素子２１５全体の抵抗値をさらに低減することができる。

上記第７の実施形態及び変形例６〜８の可変容量素子では、一つの強誘電体層に２つの可変容量コンデンサを配列する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。一つの強誘電体層に３つ以上の可変容量コンデンサを配列する構成にしてもよい。また、上記第７の実施形態及び変形例６〜８の可変容量素子では、強誘電体部材の長辺側の側面に外部端子を設けるような内部電極の構成例を説明したが、本発明はこれに限定されない。強誘電体部材の短辺側の側面に外部端子を設けるような内部電極の構成にしてもよい。

［変形例９］
上記第４の実施形態では、可変容量素子全体の抵抗値をより低減するための構成例を説明し、第５〜第７の実施形態では、可変容量素子の外部端子間の浮遊容量をより低減するための構成例を説明したが、本発明はこれに限定されない。第４の実施形態の構成例と、第５〜第７の実施形態のいずれかの構成例を組み合わせても良い。図５８に、そのような可変容量コンデンサの一構成例（変形例９）を示す。

図５８は、この例の可変容量素子２２５の上面図である。図５８において、上記第４の実施形態（図３０）と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図５８では、強誘電体部材２１６内部に形成される上電極２２１及び下電極２２２を破線で示す。

この例では、上電極２２１を第５の実施形態で説明した上電極１３１（図３７（ａ））で構成し、下電極２２２を第４の実施形態で説明した上電極１０１（図２９（ａ））で構成する。そして、上電極２２１と下電極２２２とを、強誘電体部材２２６の対角線上に配置し、上電極２２１の電極部２２１ａと、下電極２２２の電極部２２２ａとが交差するように配置する。そして、上電極２２１の端子部２２１ｂが上側外部端子１３７に接続され、下電極２２２の端子部２２２ｂが下側外部端子１３８に接続される。それ以外の構成は、第５の実施形態の可変容量コンデンサ１３５（図３６（ａ）及び（ｂ））と同様の構成である。

なお、この例においても、上電極２２１が下電極２２２に対して位置ずれしても、上電極２２１及び下電極２２２間の対向電極領域（Ｓａ）の面積が一定となるように上電極２２１及び下電極２２２の形状及び寸法が設計される。また、この例においても、上記第１の実施形態と同様に、必要とする容量値及び電極抵抗値等を考慮して、上電極２２１及び下電極２２２の形状及び寸法が設計される。それゆえ、この例においても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、上述のように、この例の可変容量素子２２５は、第４及び第５の実施形態の構成例を組み合わせたものであるので、可変容量素子全体の抵抗値をより低減することができ、且つ、可変容量素子の外部端子間の浮遊容量をより低減することができる。

上記第７の実施形態及び変形例６〜９では、静電容量素子として可変容量素子（可変容量コンデンサ）を例に挙げ説明したが、本発明はこれに限定されない。上記第７の実施形態及び変形例６〜９で説明した上側外部端子及び下側外部端子の構成は、静電容量素子が定容量素子である場合であっても同様に適用可能であり、同様の効果が得られる。ただし、この場合、誘電体層は比誘電率の低い常誘電体材料で形成される。なお、常誘電体材料としては、上記第１の実施形態で説明した常誘電体材料と同様の材料を用いることができる。

＜８．第８の実施形態＞
第８の実施形態では、上述した本発明の静電容量素子を備える非接触受信装置の構成例を説明する。

［非接触受信装置の構成］
本実施形態では、非接触受信装置として、非接触ＩＣカードを例に挙げ説明する。図５９に、本実施形態の非接触ＩＣカードの受信系（復調系）回路部のブロック構成を示す。なお、図５９では、説明を簡略するために、信号の送信系（変調系）回路部は省略している。送信系回路部の構成は、従来の非接触ＩＣカード等と同様に構成することができる。

非接触ＩＣカード２６０は、受信部２６１（アンテナ）と、整流部２６２と、信号処理部２６３とを備える。

受信部２６１は、共振コイル２６４及び共振コンデンサ２６５からなる共振回路を備え、非接触ＩＣカード２６０のリーダライター（不図示）から送信される信号をこの共振回路で受信する。なお、図５９では、共振コイル２６４をそのインダクタンス成分２６４ａ（Ｌ）と抵抗成分２６４ｂ（ｒ：数オーム程度）とに分けて図示している。また、受信部２６１は、共振コンデンサ２６５内の後述する可変容量コンデンサ２６７の制御電源２７０と、可変容量コンデンサ２６７及び制御電源２７０間に設けられた２つの電流制限抵抗２７１及び２７２とを備える。

共振コンデンサ２６５は、容量Ｃｏの定容量コンデンサ２６６と、可変容量コンデンサ２６７と、可変容量コンデンサ２６７の両端子にそれぞれ接続された２つのバイアス除去用コンデンサ２６８及び２６９とで構成される。そして、定容量コンデンサ２６６と、可変容量コンデンサ２６７並びに２つのバイアス除去用コンデンサ２６８及び２６９からなる直列回路とは、共振コイル２６４に並列接続される。

定容量コンデンサ２６６は、上述した種々の実施形態及び種々の変形例で説明した電極及び外部端子の構成を有する２端子タイプの定容量コンデンサ（定容量素子）のいずれかで構成される。定容量コンデンサ２６６を構成する誘電体層は、第１の実施形態で説明した比誘電率の低い誘電体材料（常誘電体材料）で形成されており、入力信号の種類（交流または直流）及びその信号レベルに関係なく、その容量はほとんど変化しない。

なお、実際の回路上では、共振コイル２６４のインダクタンス成分Ｌのばらつきや信号処理部２６３内の集積回路の入力端子の寄生容量などによる受信部２６１の容量変動（数ｐＦ程度）が存在し、その変動量は非接触ＩＣカード２６０毎に異なる。それゆえ、本実施形態では、これらの影響を抑制（補正）するために、定容量コンデンサ２６６内の内部電極の電極パターンをトリミングして容量Ｃｏを適宜調整する。

可変容量コンデンサ２６７もまた、上述した種々の実施形態及び種々の変形例で説明した２端子タイプの可変容量コンデンサ（可変容量素子）のいずれかで構成される。なお、可変容量コンデンサ２６７を構成する誘電体層は、第１の実施形態で説明した比誘電率の大きな強誘電体材料で形成される。なお、本発明はこれに限定されず、可変容量コンデンサ２６７を上記第３の実施形態（図２７）で説明した４端子タイプの可変容量コンデンサで構成してもよい。

また、可変容量コンデンサ２６７は、電流制限抵抗２７１及び２７２を介して制御電源２７０に接続される。そして、可変容量コンデンサ２６７の容量Ｃｖは、制御電源２７０から印加される制御電圧に応じて変化する。

なお、バイアス除去用コンデンサ２６８及び２６９、並びに、電流制限抵抗２７１及び２７２は、制御電源から流れる直流バイアス電流（制御電流）と、受信信号電流との干渉による影響を抑制するために設けられる。具体的には、バイアス除去用コンデンサ２６８及び２６９は、信号回路の保護及び／又は分離のために設けられ、電流制限抵抗２７１及び２７２は、制御回路の保護及び／又は分離のために設けられる。

整流部２６２は、整流用ダイオード２７３と整流用コンデンサ２７４とからなる半波整流回路で構成され、受信部２６１で受信した交流電圧を直流電圧に整流して出力する。

信号処理部２６３は、主に半導体素子の集積回路（ＬＳＩ：Large Scale Integration）で構成され、受信部２６１で受信した交流信号を復調する。信号処理部２６３内のＬＳＩは整流部２６２から供給される直流電圧により駆動される。なお、ＬＳＩとしては、従来の非接触ＩＣカードと同様のものを用いることができる。

本実施形態の非接触ＩＣカード２６０において、可変容量コンデンサ２６７は、過大な受信信号により耐電圧性の低い半導体素子からなる制御回路が破壊されないようにするために用いられる。具体的には、受信信号が過大な場合に、制御電圧により可変容量コンデンサ２６７の容量Ｃｖを小さくする。これにより、可変容量コンデンサ２６７の容量低下分に対応した周波数Δｆだけ、受信部２６１の共振周波数が高域にシフトする。これにより、容量可変前の共振周波数ｆ_０における受信信号のレスポンスは、容量可変前より低くなり、受信信号のレベルが抑制される。その結果、制御回路に過大な電流信号が流れないようにすることができ、制御回路の破壊を防止することができる。

本実施形態の非接触ＩＣカード２６０では、定容量コンデンサ２６６及び可変容量コンデンサ２６７に、本発明の電極構成を有する静電容量素子を用いているので、より高性能の非接触ＩＣカードを提供することができる。また、可変容量コンデンサ２６７に、本発明の電極構成を有する静電容量素子を用いているので、より低い駆動電圧で非接触ＩＣカードを駆動することができる。

なお、本実施形態では、定容量コンデンサ２６６及び可変容量コンデンサ２６７の両方を本発明の電極構成を有する静電容量素子で構成する例を説明したが、本発明はこれに限定されず、いずれか一方を本発明の静電容量素子で構成してもよい。また、本実施形態では、定容量コンデンサ２６６を備えない構成としてもよい。

また、本実施形態の非接触ＩＣカード２６０では、可変容量コンデンサ２６７の制御電源２７０を設ける例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、特許文献１（図６０）等と同様に、整流部２６２から出力された直流電圧から、例えば抵抗分割等の手法により所望の制御電圧を抽出するような構成にしてもよい。

さらに、本実施形態では、非接触受信装置の一例として、非接触ＩＣカードを例にとり説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、共振コイル及び共振コンデンサからなる共振回路を用いて非接触で情報及び／または電力を受信する任意の装置に適用可能であり、同様の効果が得られる。例えば、携帯電話等や、ワイアレス電力伝送装置にも適用可能である。なお、ワイアレス電力伝送装置では、電力を非接触で伝送する装置であるので、非接触ＩＣカードのように受信信号を復調する信号処理部を備えなくてもよい。

１…２端子タイプの可変容量コンデンサ、２，１６５…可変容量素子、３…４端子タイプの可変容量コンデンサ、１０…強誘電体層（誘電体層）、１１，２１，３１，４１，１０１，１３１，１５１…上電極（第１電極）、１１ａ，２１ａ，３１ａ，４１ａ，１０１ａ，１３１ａ，１５１ａ…電極部（第１電極部）、１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ，４１ｂ，１０１ｂ，１３１ｂ，１５１ｂ…端子部、１１ｐ，２１ｐ，３１ｐ，４１ｐ，１０１ｐ，１３１ｐ，１５１ｐ…上電極の投影パターン、１２，２２，３２，４２，１０２，１３２，１５２…下電極（第２電極）、１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａ，４２ｃ，１０２ａ，１３２ａ，１５２ａ…電極部（第２電極部）、１２ｂ，２２ｂ，３２ｂ，４２ｂ，１０２ｂ，１３２ｂ，１５２ｂ…端子部、７０…強誘電体層、７１〜７５…制御電極、７６〜７９…信号電極、１３５，１５５…可変容量コンデンサ、１３６，１５６，１６６…強誘電体部材、１３７，１５７…上側外部端子、１３８，１５８…下側外部端子、１６１…第１上電極、１６２…第１下電極、１６３…第２上電極、１６４…第２下電極、１６７…第１上側外部端子、１６８…第１下側外部端子、１６９…第２上側外部端子、１７０…第２下側外部端子、２６０…非接触ＩＣカード、２６１…受信部、２６４…共振コイル、２６５…共振コンデンサ、２６６…定容量コンデンサ、２６７…可変容量コンデンサ、２７０…制御電源、Ｓａ，Ｓａ１，Ｓａ２…対向電極領域（第１領域）、ＳＡ１…第１対向電極領域（第１領域）、ＳＡ２…第２対向電極領域（第２領域）

Claims (16)

1. 誘電体層と、
   前記誘電体層の所定面上に、所定の第１形状で形成された第１電極と、
   前記誘電体層の前記所定面とは反対側の面上に形成され、前記第１電極を前記反対側の面に投影した際の投影パターンと重なる第１領域を有し、且つ、前記第１電極が前記所定面内の所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、前記第１領域の面積が変化しない第２形状で形成された第２電極と
   を備える静電容量素子。
2. 前記第１電極が、前記第１領域に対応する電極領域を含み且つ前記所定面内で第１方向に延在する第１電極部を有し、前記第２電極が、前記第１領域に対応する電極領域を含み且つ前記反対側の面内で前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２電極部を有し、
   前記第１及び第２電極部が、前記第１電極が前記所定面内で前記所定方向及びそれに直交する方向に前記第２電極に対して相対的に位置ずれを起こしても前記第１領域の面積が変化しない形状でそれぞれ形成されている
   請求項１に記載の静電容量素子。
3. 前記第１方向と前記第２方向とが直交する
   請求項２に記載の静電容量素子。
4. 前記第１電極の前記第１形状と、前記第２電極の前記第２形状とが、前記所定面内の前記所定方向及びそれに直交する方向のうちの一方の方向に対して対称形状である
   請求項２に記載の静電容量素子。
5. 前記第１電極が、前記第１領域に対応する電極領域を含み且つ前記所定面内で前記所定方向に直交する方向に延在する第１電極部を有し、前記第２電極が、前記第１領域に対応する電極領域を含み且つ前記反対側の面内で前記所定方向に直交する方向に延在する第２電極部を有し、前記第１領域を複数有する
   請求項１に記載の静電容量素子。
6. 前記誘電体層の前記第１及び第２電極がそれぞれ形成される面の形状が長方形であり、第１及び第２電極が前記第１及び第２電極部と外部とを電気的に接続するための第１及び第２端子部をそれぞれ有し、前記第１及び第２端子部が前記面の長辺に沿って長辺近傍に設けられる
   請求項１に記載の静電容量素子。
7. 複数の前記誘電体層を備え、
   前記複数の前記誘電体層が電極を介して積層されており、各誘電体層を挟み込む２つの電極のうち、一方の電極が他方の電極に対して所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、一方の電極を他方の電極側に投影した際の投影パターンと前記他方の電極との重なる領域の面積が変化しない形状で、それぞれ前記２つの電極が形成されている
   請求項１に記載の静電容量素子。
8. 前記第１及び第２電極の少なくとも一方が、電極部と、該電極部と外部とを電気的に接続するための端子部とを有し、前記電極部及び前記端子部により開口部が画成されている
   請求項１に記載の静電容量素子。
9. さらに、前記誘電体層の第１側面に設けられ、前記第１電極に接続される第１外部端子と、
   前記誘電体層の前記第１側面と対向する第２側面に設けられ、前記第２電極に接続される第２外部端子とを備え、
   前記第１及び第２外部端子の配置方向が、前記第１及び第２側面の対向方向と交差する
   請求項１に記載の静電容量素子。
10. さらに、前記誘電体層の一つの側面に設けられ、前記第１電極に接続される第１外部端子と、
    前記誘電体層の前記側面に前記第１外部端子と所定距離離れて設けられ、前記第２電極に接続される第２外部端子とを備える
    請求項１に記載の静電容量素子。
11. さらに、前記誘電体層の前記所定面上に、所定の第３形状で形成された第３電極と、
    前記誘電体層の前記所定面とは反対側の面上に形成され、前記第３電極を前記反対側の面に投影した際の投影パターンと重なる第２領域を有し、且つ、前記第３電極が前記所定面内の所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、前記第２領域の面積が変化しない第４形状で形成された第４電極とを備える
    請求項１に記載の静電容量素子。
12. さらに、前記誘電体層の第１側面に設けられ、前記第１電極に接続される第１外部端子と、
    前記誘電体層の前記第１側面に前記第１外部端子と所定距離離れて設けられ、前記第２電極に接続される第２外部端子と、
    前記誘電体層の前記第１側面と対向する第２側面に設けられ、前記第３電極に接続される第３外部端子と、
    前記誘電体層の前記第２側面に前記第３外部端子と所定距離離れて設けられ、前記第４電極に接続される第４外部端子とを備える
    請求項１１に記載の静電容量素子。
13. さらに、前記誘電体層の前記所定面とは反対側の面上に形成され、前記第１電極を前記反対側の面に投影した際の投影パターンと重なる第２領域を有し、且つ、前記第１電極が前記所定面内の所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、前記第２領域の面積が変化しない第３形状で形成された第３電極とを備える
    請求項１に記載の静電容量素子。
14. さらに、前記誘電体層の第１側面に設けられ、前記第１電極に接続される第１外部端子と、
    前記誘電体層の前記第１側面と対向する第２側面に設けられ、前記第２電極に接続される第２外部端子と、
    前記誘電体層の前記第２側面に前記第２外部端子と所定距離離れて設けられ、前記第３電極に接続される第３外部端子とを備える
    請求項１３に記載の静電容量素子。
15. 前記誘電体層が強誘電体材料で形成され、外部から印加される制御信号に応じて容量が変化する
    請求項１に記載の静電容量素子。
16. 誘電体層、前記誘電体層の所定面上に所定の第１形状で形成された第１電極、及び、前記誘電体層の前記所定面とは反対側の面上に形成され、前記第１電極を前記反対側の面に投影した際の投影パターンと重なる第１領域を有し且つ前記第１電極が前記所定面内の所定方向に相対的に位置ずれを起こしても前記第１領域の面積が変化しない第２形状で形成された第２電極を有する静電容量素子を含む共振コンデンサと、
    前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
    を備える共振回路。

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