JP3045419B2 - 誘電体膜コンデンサ - Google Patents
誘電体膜コンデンサInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L28/40—Capacitors
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体膜を使用したコン
デンサに関する。さらに詳しくは、使用目的によりコン
デンサの容量や強誘電体膜コンデンサの抗電界を簡単に
調整しうる誘電体膜コンデンサに関する。
デンサに関する。さらに詳しくは、使用目的によりコン
デンサの容量や強誘電体膜コンデンサの抗電界を簡単に
調整しうる誘電体膜コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁体上に下部電極膜、誘電体
膜、上部電極膜を形成し、それぞれ適宜所望の大きさ
（面積および厚さ）を形成することによって個別に必要
な容量のコンデンサを形成している。また、別に提案さ
れている強誘電体コンデンサを利用した電圧モニターで
は、強誘電体の有する抗電界を利用して印加された電圧
を判定しようとしている。これは抗電界の異なるコンデ
ンサを用意し予め分極させておき、モニターすべき電圧
をこのコンデンサに印加するとコンデンサに印加された
電圧が抗電界以上のばあいは分極状態が反転し、抗電界
以下のばあいは分極状態が反転しないことを利用したも
ので、各コンデンサの分極状態を判定することにより印
加された電圧をモニターできるようにしたものである。
抗電界は強誘電体の材質および厚さで変化することか
ら、抗電界の異なるコンデンサをうるためには強誘電体
の材質を変えたコンデンサを個別に形成するか、強誘電
体の厚さを変えたコンデンサを個別に形成しなければな
らない。そのためには、必要なコンデンサの数だけ製造
工程が増えることになる。
膜、上部電極膜を形成し、それぞれ適宜所望の大きさ
（面積および厚さ）を形成することによって個別に必要
な容量のコンデンサを形成している。また、別に提案さ
れている強誘電体コンデンサを利用した電圧モニターで
は、強誘電体の有する抗電界を利用して印加された電圧
を判定しようとしている。これは抗電界の異なるコンデ
ンサを用意し予め分極させておき、モニターすべき電圧
をこのコンデンサに印加するとコンデンサに印加された
電圧が抗電界以上のばあいは分極状態が反転し、抗電界
以下のばあいは分極状態が反転しないことを利用したも
ので、各コンデンサの分極状態を判定することにより印
加された電圧をモニターできるようにしたものである。
抗電界は強誘電体の材質および厚さで変化することか
ら、抗電界の異なるコンデンサをうるためには強誘電体
の材質を変えたコンデンサを個別に形成するか、強誘電
体の厚さを変えたコンデンサを個別に形成しなければな
らない。そのためには、必要なコンデンサの数だけ製造
工程が増えることになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】必要なコンデンサの容
量その他の特性は、用途によりある程度予測はできるも
のの、具体的な値はユーザーからの注文により必要な値
を個別に設計して設定しなければならない。
量その他の特性は、用途によりある程度予測はできるも
のの、具体的な値はユーザーからの注文により必要な値
を個別に設計して設定しなければならない。
【０００４】一方、個別に所望のコンデンサをうるため
には、たとえば誘電体の膜厚の変化のみで特性の制御を
しようとするばあいでも、厚い膜厚の作製や加工には時
間がかかり、また、異なる膜厚で各々の誤差を少なく作
製することは困難で、ユーザーの要求にタイムリーに応
じることは困難であるという問題がある。
には、たとえば誘電体の膜厚の変化のみで特性の制御を
しようとするばあいでも、厚い膜厚の作製や加工には時
間がかかり、また、異なる膜厚で各々の誤差を少なく作
製することは困難で、ユーザーの要求にタイムリーに応
じることは困難であるという問題がある。
【０００５】本発明はこのような状況に鑑み、ユーザー
の要求に応じて短期間に所望の容量や抗電界などの特性
を有する誘電体膜コンデンサを提供することを目的とす
る。
の要求に応じて短期間に所望の容量や抗電界などの特性
を有する誘電体膜コンデンサを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による誘電体膜コ
ンデンサは、絶縁体上に形成された下部電極膜と、該下
部電極膜上に形成された誘電体膜と、該誘電体膜上に形
成された上部電極膜とからなる単位コンデンサが、前記
下部電極膜を共通にして２個直列接続されることにより
コンデンサユニットが形成され、該コンデンサユニット
が前記絶縁体上に複数個形成され、該複数個のコンデン
サユニットの少なくとも２個が前記上部電極膜の接続に
より電気的に接続されてコンデンサが形成されるように
したものである。前記少なくとも２個のコンデンサユニ
ットが前記上部電極膜の接続により直列接続され、か
つ、前記上部電極膜の接続されたところから外部接続用
の電極端子が導出されることにより所望の特性のコンデ
ンサにすることができるため好ましい。前記誘電体膜が
強誘電体膜からなれば、所望の抗電界を有する強誘電体
コンデンサを簡単にうることができる。また、前記誘電
体膜が各コンデンサユニットにわたって同一膜厚で形成
されていることにより、コンデンサユニットの数および
その接続方法により簡単にその容量または抗電界を知る
ことができる。
ンデンサは、絶縁体上に形成された下部電極膜と、該下
部電極膜上に形成された誘電体膜と、該誘電体膜上に形
成された上部電極膜とからなる単位コンデンサが、前記
下部電極膜を共通にして２個直列接続されることにより
コンデンサユニットが形成され、該コンデンサユニット
が前記絶縁体上に複数個形成され、該複数個のコンデン
サユニットの少なくとも２個が前記上部電極膜の接続に
より電気的に接続されてコンデンサが形成されるように
したものである。前記少なくとも２個のコンデンサユニ
ットが前記上部電極膜の接続により直列接続され、か
つ、前記上部電極膜の接続されたところから外部接続用
の電極端子が導出されることにより所望の特性のコンデ
ンサにすることができるため好ましい。前記誘電体膜が
強誘電体膜からなれば、所望の抗電界を有する強誘電体
コンデンサを簡単にうることができる。また、前記誘電
体膜が各コンデンサユニットにわたって同一膜厚で形成
されていることにより、コンデンサユニットの数および
その接続方法により簡単にその容量または抗電界を知る
ことができる。
【０００７】
【作用】本発明によれば、同じ厚さの誘電体膜であらか
じめ形成されたコンデンサユニットを接続することによ
りコンデンサを形成するため簡単に所望の特性のコンデ
ンサをえられる。
じめ形成されたコンデンサユニットを接続することによ
りコンデンサを形成するため簡単に所望の特性のコンデ
ンサをえられる。
【０００８】すなわち、所望の容量をえたいばあいに
は、必要に応じてコンデンサユニットを直列または並列
に接続すればよい。また、抗電界を変化させる（膜厚を
変化させる）ためには、必要数だけのコンデンサユニッ
トを直列接続することによりえられる。たとえば、４倍
の膜厚の抗電界をえたいばあいには４個の単位コンデン
サを直列接続すればよく、また６倍の膜厚にしたいばあ
いには、６個の単位コンデンサを直列接続すればよい。
は、必要に応じてコンデンサユニットを直列または並列
に接続すればよい。また、抗電界を変化させる（膜厚を
変化させる）ためには、必要数だけのコンデンサユニッ
トを直列接続することによりえられる。たとえば、４倍
の膜厚の抗電界をえたいばあいには４個の単位コンデン
サを直列接続すればよく、また６倍の膜厚にしたいばあ
いには、６個の単位コンデンサを直列接続すればよい。
【０００９】この接続する方法は、必要なコンデンサユ
ニットの電極膜を接続することにより形成でき、注文に
応じてパターニングすればよく、非常に短期間で所望の
コンデンサを形成できる。
ニットの電極膜を接続することにより形成でき、注文に
応じてパターニングすればよく、非常に短期間で所望の
コンデンサを形成できる。
【００１０】また本発明の一態様である上部電極膜の接
続点から外部接続用の電極端子を導出しておくことによ
り、ユーザーで任意の端子を接続することにより、誘電
体膜の膜厚を変えたのと同様の効果を有するコンデンサ
として使用することができる。
続点から外部接続用の電極端子を導出しておくことによ
り、ユーザーで任意の端子を接続することにより、誘電
体膜の膜厚を変えたのと同様の効果を有するコンデンサ
として使用することができる。
【００１１】本発明で、単位コンデンサの２個を下部電
極膜を共通として直列接続にし、コンデンサユニットを
形成して上部電極膜のみで任意の直列接続をできるよう
にしたばあい、奇数個の単位コンデンサを直列接続する
ことはできないが、下部電極膜から電極端子を取り出す
必要がなく、非常に簡単に形成できる。一方、奇数個の
単位コンデンサを直列接続したいばあいでも、単位コン
デンサの誘電体膜の膜厚を薄く形成しておくことによ
り、同等の効果になるように調整できる。
極膜を共通として直列接続にし、コンデンサユニットを
形成して上部電極膜のみで任意の直列接続をできるよう
にしたばあい、奇数個の単位コンデンサを直列接続する
ことはできないが、下部電極膜から電極端子を取り出す
必要がなく、非常に簡単に形成できる。一方、奇数個の
単位コンデンサを直列接続したいばあいでも、単位コン
デンサの誘電体膜の膜厚を薄く形成しておくことによ
り、同等の効果になるように調整できる。
【００１２】
【実施例】つぎに、図面に基づいて本発明について説明
する。図１は本発明の一実施例である誘電体膜コンデン
サの２個のコンデンサユニットＡ、Ｂ部分の断面説明図
である。
する。図１は本発明の一実施例である誘電体膜コンデン
サの２個のコンデンサユニットＡ、Ｂ部分の断面説明図
である。
【００１３】図１において、１は半導体基板上に絶縁膜
1aを形成して構成した絶縁体、２（2a、2b）は下部電極
膜、３（3a、3b、3c、3d）は強誘電体膜、５（5a、5b、
5c）は上部電極膜、９は層間絶縁膜、10はパシベーショ
ン膜、Ａは第１のコンデンサユニット、Ｂは第２のコン
デンサユニットである。
1aを形成して構成した絶縁体、２（2a、2b）は下部電極
膜、３（3a、3b、3c、3d）は強誘電体膜、５（5a、5b、
5c）は上部電極膜、９は層間絶縁膜、10はパシベーショ
ン膜、Ａは第１のコンデンサユニット、Ｂは第２のコン
デンサユニットである。
【００１４】この構成で第１のコンデンサユニットＡの
下部電極膜2a上に二つの強誘電体膜3a、3bが形成され、
各々に上部電極膜5a、5bが形成され、電極膜5bは隣りの
第２のコンデンサユニットＢを構成する単位コンデンサ
の強誘電体膜3cの上面に固着され相互に連結されてい
る。また下部電極膜2a、2bはそれぞれ２個の強誘電体膜
3a、3bおよび3c、3dの共通電極となっており、結局この
例では４つの強誘電体膜3a、3b、3c、3dを下部電極膜2
a、2bと上部電極膜5bを介して上部電極膜5aと5cのあい
だに直列接続されていることになる。
下部電極膜2a上に二つの強誘電体膜3a、3bが形成され、
各々に上部電極膜5a、5bが形成され、電極膜5bは隣りの
第２のコンデンサユニットＢを構成する単位コンデンサ
の強誘電体膜3cの上面に固着され相互に連結されてい
る。また下部電極膜2a、2bはそれぞれ２個の強誘電体膜
3a、3bおよび3c、3dの共通電極となっており、結局この
例では４つの強誘電体膜3a、3b、3c、3dを下部電極膜2
a、2bと上部電極膜5bを介して上部電極膜5aと5cのあい
だに直列接続されていることになる。
【００１５】この強誘電体膜は、外部電界を加えると分
極を生じる。この分極は電界を０にしても分極は減少す
るが、残留分極Ｐ1 が残る（図２参照）。この残留分極
Ｐ1 が０になる電界｜Ｅ1 ｜を抗電界といい、この抗電
界は強誘電体膜の厚さで定まる。したがって被測定物の
おおよその電圧に応じて強誘電体膜の厚さを決定するこ
とになるが、本発明では、この強誘電体膜の厚さを変え
るのと同等の効果を単位コンデンサの直列接続でえられ
るようにしたものである。
極を生じる。この分極は電界を０にしても分極は減少す
るが、残留分極Ｐ1 が残る（図２参照）。この残留分極
Ｐ1 が０になる電界｜Ｅ1 ｜を抗電界といい、この抗電
界は強誘電体膜の厚さで定まる。したがって被測定物の
おおよその電圧に応じて強誘電体膜の厚さを決定するこ
とになるが、本発明では、この強誘電体膜の厚さを変え
るのと同等の効果を単位コンデンサの直列接続でえられ
るようにしたものである。
【００１６】このコンデンサは前述のように強誘電体膜
の厚さが重要になり、面積はそれ程問題とならないた
め、上部電極膜を配線用電極膜と兼用で形成している
が、図３に示すように強誘電体膜上3a、3b、3c、3dに同
じ面積で上部電極膜4a、4b、4c、4dを形成しておき、そ
の上に配線膜5a、5b、5cを形成してもよい。さらに、強
誘電体膜ではなく、常誘電体膜を使用するばあいなど、
抗電界ではなく容量が重要になるばあいには、上部電極
膜も図３に示すように形成する必要がある。
の厚さが重要になり、面積はそれ程問題とならないた
め、上部電極膜を配線用電極膜と兼用で形成している
が、図３に示すように強誘電体膜上3a、3b、3c、3dに同
じ面積で上部電極膜4a、4b、4c、4dを形成しておき、そ
の上に配線膜5a、5b、5cを形成してもよい。さらに、強
誘電体膜ではなく、常誘電体膜を使用するばあいなど、
抗電界ではなく容量が重要になるばあいには、上部電極
膜も図３に示すように形成する必要がある。
【００１７】また本実施例では、４個の強誘電体キャパ
シタを直列接続する例で説明したが、４個に限らず必要
な抗電界をえられるだけ直列に接続することができる。
このばあい、下部電極膜２の電極端子を取り出していな
いため、常に偶数個単位の直列接続となるが、１個あた
りのコンデンサを形成する強誘電体膜の厚さを薄く形成
しておけば相当細かい範囲で変化させられる。したがっ
て下部電極膜２の取り出しを考えるより容易に形成で
き、製造上好ましい。
シタを直列接続する例で説明したが、４個に限らず必要
な抗電界をえられるだけ直列に接続することができる。
このばあい、下部電極膜２の電極端子を取り出していな
いため、常に偶数個単位の直列接続となるが、１個あた
りのコンデンサを形成する強誘電体膜の厚さを薄く形成
しておけば相当細かい範囲で変化させられる。したがっ
て下部電極膜２の取り出しを考えるより容易に形成で
き、製造上好ましい。
【００１８】しかし、単位コンデンサ１個で形成したコ
ンデンサユニットを１個形成しておけば、奇数個の単位
コンデンサの直列接続をうることもできる。この例を図
４に示す。図４で各符号は図１、３と同じ部分を示し、
Ｃは１個の単位コンデンサで形成された第３のコンデン
サユニットである。この実施例では第３のコンデンサユ
ニットＣの下部電極2aを長く形成しており、配線膜5bを
形成する前に、下部電極膜2aが露出するまで目抜き孔を
形成しておくことにより、前述の実施例と同様に配線膜
5bにより下部電極膜2aと上部電極膜4bとを接続すること
ができる。
ンデンサユニットを１個形成しておけば、奇数個の単位
コンデンサの直列接続をうることもできる。この例を図
４に示す。図４で各符号は図１、３と同じ部分を示し、
Ｃは１個の単位コンデンサで形成された第３のコンデン
サユニットである。この実施例では第３のコンデンサユ
ニットＣの下部電極2aを長く形成しており、配線膜5bを
形成する前に、下部電極膜2aが露出するまで目抜き孔を
形成しておくことにより、前述の実施例と同様に配線膜
5bにより下部電極膜2aと上部電極膜4bとを接続すること
ができる。
【００１９】またこの際、各コンデンサの誘電体膜の厚
さを同じ厚さにしておけば、直列接続の個数の倍数分の
抗電界をえられ、計算上などから好ましい。
さを同じ厚さにしておけば、直列接続の個数の倍数分の
抗電界をえられ、計算上などから好ましい。
【００２０】この構成にすることにより、層間絶縁膜９
の形成まで行って、上部電極を形成しない状態まで作製
しておき、または設計しておき、ユーザーからのセンシ
ング電圧がはっきりした時点で単位コンデンサを何個直
列接続するかを定め、上部電極膜の設計をしたり、形成
することにより短期間で所望の抗電界を有するコンデン
サをえられる。
の形成まで行って、上部電極を形成しない状態まで作製
しておき、または設計しておき、ユーザーからのセンシ
ング電圧がはっきりした時点で単位コンデンサを何個直
列接続するかを定め、上部電極膜の設計をしたり、形成
することにより短期間で所望の抗電界を有するコンデン
サをえられる。
【００２１】また、このような構成で、たとえば第１の
コンデンサユニットＡと第２のコンデンサユニットＢの
上部電極膜5bの接続部など各ユニット間の接続電極から
外部接続用の電極端子（図示せず）を導出しておけば、
各ユーザーが所望の数のコンデンサユニットを直列接続
した端子を使用することができ、汎用性のあるコンデン
サとすることができる。
コンデンサユニットＡと第２のコンデンサユニットＢの
上部電極膜5bの接続部など各ユニット間の接続電極から
外部接続用の電極端子（図示せず）を導出しておけば、
各ユーザーが所望の数のコンデンサユニットを直列接続
した端子を使用することができ、汎用性のあるコンデン
サとすることができる。
【００２２】また以上説明した実施例では強誘電体膜を
使用したコンデンサの例で説明したが、強誘電体膜に限
らず、通常の常誘電体膜のコンデンサにも適用できる。
使用したコンデンサの例で説明したが、強誘電体膜に限
らず、通常の常誘電体膜のコンデンサにも適用できる。
【００２３】さらに、前述の実施例では下部電極膜2a上
に形成した強誘電体膜を二つ（3aと3b）に分割する例で
説明したが、誘電体膜は電極に挟まれて電界が印加され
た部分のみに分極が生じ、電界の印加されない部分は何
ら変化しないため、誘電体膜は分割されなく、上部電極
膜のみが分割されればよい。
に形成した強誘電体膜を二つ（3aと3b）に分割する例で
説明したが、誘電体膜は電極に挟まれて電界が印加され
た部分のみに分極が生じ、電界の印加されない部分は何
ら変化しないため、誘電体膜は分割されなく、上部電極
膜のみが分割されればよい。
【００２４】つぎに、本発明による誘電体膜コンデンサ
の製法について説明する。図５〜８は本発明の一実施例
である強誘電体膜コンデンサの製法の各工程を示す断面
説明図である。
の製法について説明する。図５〜８は本発明の一実施例
である強誘電体膜コンデンサの製法の各工程を示す断面
説明図である。
【００２５】まず図５に示すように、半導体基板上に絶
縁膜1aを形成した絶縁基板１上に、下部電極膜２および
強誘電体膜３を形成し、パターン形成用のレジスト膜７
を形成する。具体例としては、スパッタ法により下部電
極膜として白金を約0.2 μｍ形成し、さらにその上に強
誘電体膜として PZT（ Pb(Zr1-x Tix )O3 ）をスパッタ
法により約0.3 μｍ形成した。そののちレジスト膜７を
形成し各コンデンサユニットの大きさにパターニングし
た。
縁膜1aを形成した絶縁基板１上に、下部電極膜２および
強誘電体膜３を形成し、パターン形成用のレジスト膜７
を形成する。具体例としては、スパッタ法により下部電
極膜として白金を約0.2 μｍ形成し、さらにその上に強
誘電体膜として PZT（ Pb(Zr1-x Tix )O3 ）をスパッタ
法により約0.3 μｍ形成した。そののちレジスト膜７を
形成し各コンデンサユニットの大きさにパターニングし
た。
【００２６】ここで絶縁基板として半導体基板の表面に
酸化膜を形成したものを使用したが、石英板とかガラス
板など絶縁性のあるものなら何でもよい。また、下部電
極膜として白金金属を使用したが、強誘電体膜であるPZ
T との密着性により選んだもので、誘電体膜に応じてア
ルミニウムや不純物ドープの多結晶シリコンなど他の材
料を使用することができる。さらに強誘電体膜としてて
PZT を使用したが、強誘電体にはペロブスカイト構造の
ものが自発分極が大きくて好ましいためで、目的に応じ
て種々の誘電体を使用できる。
酸化膜を形成したものを使用したが、石英板とかガラス
板など絶縁性のあるものなら何でもよい。また、下部電
極膜として白金金属を使用したが、強誘電体膜であるPZ
T との密着性により選んだもので、誘電体膜に応じてア
ルミニウムや不純物ドープの多結晶シリコンなど他の材
料を使用することができる。さらに強誘電体膜としてて
PZT を使用したが、強誘電体にはペロブスカイト構造の
ものが自発分極が大きくて好ましいためで、目的に応じ
て種々の誘電体を使用できる。
【００２７】つぎに図６に示すように、レジスト膜７を
マスクとして強誘電体膜３および下部電極膜２をエッチ
ングし下部電極膜2a、2bに分割する。具体例としてはイ
オンミリングによりエッチングし、両膜を続けてエッチ
ングする。この際両膜をエッチングするとレジストが傷
み、再度レジストパターンを形成する必要のあるばあい
もある。このためまず下部電極膜形成後エッチングして
分離し、そののち強誘電体膜を形成してエッチングする
方法も考えられるが、強誘電体膜のエッチングする場所
の厚さが一定でなく、エッチングしにくいという問題も
生じる。
マスクとして強誘電体膜３および下部電極膜２をエッチ
ングし下部電極膜2a、2bに分割する。具体例としてはイ
オンミリングによりエッチングし、両膜を続けてエッチ
ングする。この際両膜をエッチングするとレジストが傷
み、再度レジストパターンを形成する必要のあるばあい
もある。このためまず下部電極膜形成後エッチングして
分離し、そののち強誘電体膜を形成してエッチングする
方法も考えられるが、強誘電体膜のエッチングする場所
の厚さが一定でなく、エッチングしにくいという問題も
生じる。
【００２８】つぎに図７に示すように再度レジストを塗
布して、各下部電極膜上の強誘電体膜をエッチングによ
り分離して各強誘電体膜3a、3bおよび3c、3dを形成す
る。具体例としてはレジストマスクを形成し、前述と同
じくイオンミリングによりエッチングした。
布して、各下部電極膜上の強誘電体膜をエッチングによ
り分離して各強誘電体膜3a、3bおよび3c、3dを形成す
る。具体例としてはレジストマスクを形成し、前述と同
じくイオンミリングによりエッチングした。
【００２９】前述のように、この誘電体膜は分離しなく
ても特性上問題ないため、誘電体膜を分離しないときは
この工程をとばすこともできる。
ても特性上問題ないため、誘電体膜を分離しないときは
この工程をとばすこともできる。
【００３０】そののち図８に示すように、層間絶縁膜９
を形成し、電極形成場所に目抜き孔8a、8b、8c、8dを形
成する。具体例としてはCVD 法により酸化ケイ素膜９を
形成し、エッチングにより目抜き孔８（8a、8b、8c、8
d）を形成した。
を形成し、電極形成場所に目抜き孔8a、8b、8c、8dを形
成する。具体例としてはCVD 法により酸化ケイ素膜９を
形成し、エッチングにより目抜き孔８（8a、8b、8c、8
d）を形成した。
【００３１】こののち、通常の半導体製造技術により、
上部電極膜5a、5b、5cを形成してパシベーション膜10を
形成することにより、図１に示すような誘電体膜コンデ
ンサを形成できるが、この前の状態でとどめておけば、
ユーザーの仕様に応じて上部電極膜の形成ですみ、短期
間で形成できる。
上部電極膜5a、5b、5cを形成してパシベーション膜10を
形成することにより、図１に示すような誘電体膜コンデ
ンサを形成できるが、この前の状態でとどめておけば、
ユーザーの仕様に応じて上部電極膜の形成ですみ、短期
間で形成できる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば絶
縁体上に単位コンデンサを有するコンデンサユニットを
複数個形成しておき、適宜接続できるようにしたので、
所望の特性のコンデンサが簡単に作製できる。
縁体上に単位コンデンサを有するコンデンサユニットを
複数個形成しておき、適宜接続できるようにしたので、
所望の特性のコンデンサが簡単に作製できる。
【００３３】また、誘電体膜として強誘電体膜を用いて
コンデンサユニットを形成したばあいには、上部電極膜
の形成のみで所望の強誘電体膜厚のコンデンサと同等の
コンデンサをえられるため、ユーザーの仕様決定後短期
間で所望のコンデンサを簡単に作製でき、または、ユー
ザーが最適端子を接続するだけで所望の抗電界のコンデ
ンサをえられ、汎用性の大きいコンデンサをえられる。
コンデンサユニットを形成したばあいには、上部電極膜
の形成のみで所望の強誘電体膜厚のコンデンサと同等の
コンデンサをえられるため、ユーザーの仕様決定後短期
間で所望のコンデンサを簡単に作製でき、または、ユー
ザーが最適端子を接続するだけで所望の抗電界のコンデ
ンサをえられ、汎用性の大きいコンデンサをえられる。
【００３４】さらに成膜、加工の困難なPZT など強誘電
体膜の厚いコンデンサが必要なばあいでも、薄い強誘電
体膜の沢山のチップを上部電極膜で直列接続するのみ
で、同等のコンデンサをえられ、簡単な製造工程で大き
な抗電界のコンデンサをえられる。
体膜の厚いコンデンサが必要なばあいでも、薄い強誘電
体膜の沢山のチップを上部電極膜で直列接続するのみ
で、同等のコンデンサをえられ、簡単な製造工程で大き
な抗電界のコンデンサをえられる。
【００３５】その結果、汎用性が高く、低コストのコン
デンサをえられ、利用価値が大幅に向上する効果を奏す
る。
デンサをえられ、利用価値が大幅に向上する効果を奏す
る。
【図１】本発明の一実施例である強誘電体膜コンデンサ
の一部の断面説明図である。
の一部の断面説明図である。
【図２】強誘電体膜の分極特性図である。
【図３】本発明の他の実施例であるコンデンサの一部の
断面説明図である。
断面説明図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例であるコンデンサの
一部断面説明図である。
一部断面説明図である。
【図５】本発明の一実施例の強誘電体膜コンデンサの製
造工程を示す断面説明図である。
造工程を示す断面説明図である。
【図６】本発明の一実施例の強誘電体膜コンデンサの製
造工程を示す断面説明図である。
造工程を示す断面説明図である。
【図７】本発明の一実施例の強誘電体膜コンデンサの製
造工程を示す断面説明図である。
造工程を示す断面説明図である。
【図８】本発明の一実施例の強誘電体膜コンデンサの製
造工程を示す断面説明図である。
造工程を示す断面説明図である。
１ 絶縁基板 ２ 下部電極膜 ３ 強誘電体膜 ５ 上部電極膜 Ａ 第１のコンデンサユニット Ｂ 第２のコンデンサユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/14 - 4/42
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁体上に形成された下部電極膜と、該
下部電極膜上に形成された誘電体膜と、該誘電体膜上に
形成された上部電極膜とからなる単位コンデンサが、前
記下部電極膜を共通にして２個直列接続されることによ
りコンデンサユニットが形成され、該コンデンサユニッ
トが前記絶縁体上に複数個形成され、該複数個のコンデ
ンサユニットの少なくとも２個が前記上部電極膜の接続
により電気的に接続されてコンデンサが形成されてなる
誘電体膜コンデンサ。 - 【請求項２】 前記少なくとも２個のコンデンサユニッ
トが前記上部電極膜の接続により直列接続され、かつ、
前記上部電極膜の接続されたところから外部接続用の電
極端子が導出されてなる請求項１記載の誘電体膜コンデ
ンサ。 - 【請求項３】 前記誘電体膜が強誘電体膜である請求項
１または２記載の誘電体膜コンデンサ。 - 【請求項４】 前記誘電体膜が各コンデンサユニットに
わたって同一膜厚で形成されてなる請求項１、２または
３記載の誘電体膜コンデンサ。
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|---|---|---|---|
| JP3293093A JP3045419B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 誘電体膜コンデンサ |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293093A JP3045419B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 誘電体膜コンデンサ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135999A JPH05135999A (ja) | 1993-06-01 |
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Family
ID=17790341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293093A Expired - Fee Related JP3045419B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 誘電体膜コンデンサ |
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- 1991-11-08 JP JP3293093A patent/JP3045419B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-24 US US08/710,936 patent/US5777839A/en not_active Expired - Lifetime
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