JP4043654B2 - 半導体装置の配線形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の配線形成方法に関するものであり、より詳しくはキャパシタ電極物質を配線として用いる半導体装置の配線形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
強誘電体物質(ferroelectric material)の薄膜化により、ヒステリシス(hysteresis)という強誘電体物質固有の特性を用いてメモリ素子(memory device)を製作しようとする研究が進行している。
【0003】
ヒステリシス特性というのは、外部からある臨界電圧Vc以上の電圧を加えなければ分極(polarization)が変わらなく、電源を除去しても残留分極(remnant polarization)を有する特性をいう。
【0004】
強誘電体メモリ(FRAM)というのは、物質自体の特性のヒステリシスを用いて電源を除去してもメモリ自体のデータを維持する非揮発性(nonvolatile)メモリ素子ながら、動作はDRAM(dynamic randomaccess memory)と類似したメカニズム(mechanism)で遂行される素子である。即ち、メモリセルに加えられたパルス(pulse)により強誘電体の分極が影響を受けて分極方向が反転され、この際放出される電荷(charge)によりデータの読み出し/書込み(data read/write)動作をする。従って、強誘電体の分極(残留分極)の大きさが重要な要素として作用し、そのサイズは強誘電体の種類及び面積等により影響を受ける。
【0005】
このような強誘電体メモリは、現在、一本又はE.Fujii等が”Highly−Reliable Ferroelectric Memory Technology with Bismuth−Layer Structured Thin Films(Y−1Family)”(pp.597−600,IEDM97)で提示したように二本の金属ライン(metal line)で構成されている。
【0006】
しかし、今後二本の金属ラインだけでなく、その以上の多重レベル(multi−level)の配線構造が用いられ、その応用の範囲が拡がるだろうと予想される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、キャパシタの電極物質を配線物質として使用して多重レベルの配線形成工程を単純化させ得る半導体装置の配線形成方法を提供することである。
本発明の他の目的は、多重レベルの配線を形成することにより、金属コンタクトの縦横比(aspect ratio)を減少させられ、金属ラインのステップカバレ−ジ(step coverage)を向上させ得る半導体装置の配線形成方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明によると、半導体装置の配線形成方法は、半導体基板上に形成された第1絶縁層を突き抜いて半導体基板と電気的に接続されるコンタクトプラグを形成する段階と、第1絶縁層及びコンタクトプラグ上に第1導電膜、キャパシタ誘電膜、そして第2導電膜を順次に形成する段階と、第2導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第1導電膜を順次にエッチングしてキャパシタ構造物を形成し、同時に第1導電膜の上部表面が露出される時まで第2導電膜及び誘電体膜をエッチングして第1導電膜パターンを形成する段階と、キャパシタ構造物の中少なくとも一つはコンタクトプラグと電気的に接続され、キャパシタ構造物及び第1導電膜パターンを含んで第1絶縁層上に第2絶縁層を形成する段階と、第1導電膜パターンの一部が露出されるように第2絶縁層をエッチングして第1コンタクトホールを形成する段階と、第1コンタクトホールを通じて第1導電膜パターンと電気的に接続される第1配線を形成し、同時に隣接した第1導電膜パターンが電気的に接続されるようにする第2配線を形成する段階と、第1配線、第2配線、そして第2絶縁層上に第3絶縁層を形成する段階と、第1配線の一部が露出されるように第3絶縁層をエッチングして第2コンタクトホールを形成し、同時にキャパシタ構造物の第2導電膜の一部が露出されるように第3絶縁層及び第2絶縁層を順次にエッチングして第3コンタクトホールを形成する段階と、第3コンタクトホールを通じて第2導電膜と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトを形成し、同時に第2コンタクトホールと第3コンタクトホ−ルとを通じて第1配線とキャパシタ構造物の第2導電膜が電気的に接続される第3配線、第2コンタクトホールを通じて第1配線と電気的に接続される第4配線、そして第3コンタクトホールを通じて隣接したキャパシタ構造物の第2導電膜が相互電気的に接続される第5配線を各々形成する段階とを含む。
【0009】
前述した目的を達成するための本発明によると、半導体メモリ装置の配線形成方法は、セルアレイ領域と周辺回路領域とを有する半導体基板上に第1絶縁層を形成する段階と、半導体基板の一部が露出される時まで第1絶縁層を部分的にエッチングして第1コンタクトホールを形成する段階と、第1コンタクトホールを通じて半導体基板と電気的に接続されるコンタクトプラグを形成する段階と、第1絶縁層上に第1導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第2導電膜を順次に形成する段階と、セルアレイ領域に第2導電膜、キャパシタ誘電膜、そして第1導電膜を順次にエッチングしてコンタクトプラグと電気的に接続されるキャパシタを形成し、同時に周辺回路領域にキャパシタと同一な構成の構造物及び第1導電膜の上部表面が露出されるように第2導電膜及びキャパシタ誘電体膜をエッチングして第1導電膜パターンを形成する段階と、半導体基板全面に第2絶縁層を形成する段階と、周辺回路領域の第1導電膜パターンの上部表面が露出される時まで第2絶縁層を部分的にエッチングして第2コンタクトホールを形成する段階と、第2コンタクトホールを通じて第1導電膜パターンと電気的に接続される第1配線を形成し、同時に隣接した第1導電膜パターンが電気的に接続されるようにする第2配線を形成する段階と、第1配線、第2配線、そして第2絶縁層上に第3絶縁層を形成する段階と、セルアレイ領域の第2導電膜の上部表面が露出される時まで第3絶縁層及び第2絶縁層をエッチングして第3コンタクトホールを形成し、同時に周辺回路領域の第1配線の上部表面及び構造物の第2導電膜の上部表面が各々露出される時まで第3絶縁層及び第2絶縁層をエッチングして各々第4コンタクトホール及び第5コンタクトホールを形成する段階と、第3コンタクトホールを通じてキャパシタの第2導電膜と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトを形成し、同時に第4コンタクトホールを通じて第1配線と電気的に接続される第3配線、第4コンタクトホール及び第5コンタクトホールを通じて第1配線と構造物の第2導電膜が電気的に接続されるようにする第4配線、隣接した第5コンタクトホールを通じて隣接した構造物の第2導電膜が相互電気的に接続されるようにする第5配線を形成する段階とを含む。
【0010】
前述した目的を達成するための本発明によると、半導体装置の配線形成方法は、半導体基板上にキャパシタの下部電極膜、キャパシタ誘電膜、そしてキャパシタの上部電極膜を順次に蒸着する段階と、キャパシタの上部電極膜、キャパシタの誘電体膜、そしてキャパシタの下部電極膜を順次にエッチングしてキャパシタを形成し、同時に上部電極膜パターン及びキャパシタの上部電極膜及びキャパシタの誘電膜が除去された下部電極膜パターンを形成する段階と、下部電極膜パターンと電気的に接続される第1配線を形成し、同時に隣接した下部電極膜パターンを連結する第2配線を形成する段階と、キャパシタの上部電極と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトを形成し、同時に第1配線と上部電極膜パターンを連結する第3配線、第1配線と電気的に接続される第4配線、そして隣接した上部電極膜パターンを連結する第5配線を形成する段階とを含む。
【0011】
この方法の望ましい実施形態において、キャパシタの下部電極膜の蒸着前に、キャパシタの下部電極と半導体基板が電気的に接続されるようにし、第1導電膜パターンと半導体基板が電気的に接続されるようにするコンタクトプラグを各々形成する段階を付加的に含められる。
【0012】
図4を参照すると、本発明の実施形態による新たな半導体装置の形成方法は、セルアレイ領域のキャパシタの上部電極膜、キャパシタ誘電体膜、そしてキャパシタの下部電極膜が順次にエッチングされてキャパシタが形成される。この際、周辺回路領域にキャパシタと同一な構成の構造物が形成されるが、その下部電極膜が半導体基板と電気的に接続されないのでキャパシタで動作されない。又、周辺回路領域には上部電極膜及びキャパシタ誘電体膜が除去された下部電極膜パターンが形成される。周辺回路領域の下部電極膜パタ−ン及び構造物の上部電極膜が後続工程で配線として使用される。このように、キャパシタの電極物質が同時に配線物質として使用されるようにすることにより、多重レベルの配線形成工程を単純化させられ、金属コンタクトの縦横比を減少させられ、金属配線のステップカバレージを向上させ得る。従って、素子の信頼性を向上させ得る。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図1乃至図4を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図1乃至図4は、本発明の実施形態による半導体装置の配線形成方法の工程を順次に示す流れ図である。
図1を参照すると、本発明の実施形態による半導体装置の配線形成方法は先ず、セルアレイ領域(cell array region)と周辺回路領域(peripheral circuit region)とを有する半導体基板10上に例えば、酸化物で第1絶縁層12が蒸着される。第1絶縁層12の形成前にMOSトランジスタ(MOS transistor)の形成工程が遂行される。
【0014】
MOSトランジスタの接合領域の一部が露出される時まで第1絶縁層12が部分的にエッチングされてコンタクトホールが形成された後、コンタクトホールが導電物質で充填されてコンタクトプラグ14a−14eが形成される。コンタクトプラグ14a−14eを形成するための導電物質は例えば、ポリシリコン、W,そしてCuのうち、いずれか一つであり、CVD方法で蒸着される。
【0015】
このようなコンタクトプラグ14a−14eはセルアレイ領域だけでなく、周辺回路領域にも形成されて後続工程で形成される金属配線(metal interconnect)と連結される。
【0016】
コンタクトプラグ14a−14e及び第1絶縁層12上にキャパシタの下部電極膜(第1導電膜)16、キャパシタ誘電体膜17、そしてキャパシタの上部電極膜(第2導電膜)18が順次に蒸着される。下部電極膜16及び上部電極膜18は全て強誘電体のキャパシタ電極物質で形成できて例えば、耐酸化性金属、導電性酸化物、そしてこれら各材料からなる膜の多層膜のうちのいずれか一つで形成される。耐酸化性金属物質は例えば、Pt,Ir,Ru,Au,そしてPdのうちのいずれか一つであり、導電性酸化物はIrO2及びRuO2のうち、いずれか一つである。キャパシタ誘電膜17は高誘電物質で形成されて例えば、PZT(Lead Zirconate Titanate),PLZT(Lead Lanthanum Zirconate Titanate),SBT(Strontium Bismuth Titanate),そしてBST(Barium Strontium Titanate)のうちのいずれか一つで形成される。
【0017】
図2において、セルアレイ領域の上部電極膜18、キャパシタ誘電膜17、そして下部電極膜16が数回のフォト(photo)工程により順次にエッチングされてキャパシタ20が形成される。キャパシタ20はキャパシタの下部電極16a、キャパシタ誘電膜17a、そしてキャパシタの上部電極18aを含む。
【0018】
一方、周辺回路領域にもキャパシタの構造物21−23が形成されるが、これらはコンタクトプラグ等を通じて半導体基板10と電気的に接続されないのでキャパシタは動作しない。ただ、キャパシタ構造物21−23を有する上部電極膜パターン18b−18dが後続工程で配線として使用される。
【0019】
そして、周辺回路領域には下部電極膜16の上部表面が露出されるように上部電極膜18及びキャパシタ誘電膜17がエッチングされてその結果、下部電極膜パターン16b−16e,16gが形成される。
【0020】
図3を参照すると、半導体基板10の全面に第2絶縁層30が蒸着される。第2絶縁層30が部分的にエッチングされて周辺回路領域の下部電極膜パターン16b−16e,16gの一部が露出されるようにビア(via)が形成される。ビアを通じて下部電極膜パターン16b−16e,16gと各々電気的に接続される下部配線32a(第1配線)、32b(第2配線)、32c(第1配線)、32d(第1配線)が形成される。下部配線32a−32dは金属で形成される。
【0021】
最後に、図4において、下部配線32a−32d及び第2絶縁層30上に第3絶縁層34が蒸着される。セルアレイ領域の第3絶縁層34及び第2絶縁層30が部分的にエッチングされてキャパシタの上部電極18aの一部が露出されるようにコンタクトホ−ルが形成される。このコンタクトホールを通じてキャパシタの上部電極18aと電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクト36aが形成される。
【0022】
一方、周辺回路領域の第3絶縁層34及び第2絶縁層30が部分的にエッチングされて下部配線32a−32d及び上部電極膜パターン18b−18dの一部が露出されるようにビアが形成される。このビアを通じて下部配線32a−32d及び上部電極膜パターン18b−18dと電気的に接続される上部配線36b(第3配線)、36c(第4配線)、36d(第5配線)が形成される。上部配線36b−36dも下部配線32a−32dと同一に可能な全ての金属物質で形成される。
【0023】
周辺回路領域の配線接続構造を具体的に調べると次の通りである。
【0024】
まず、下部電極膜パターン16bと下部配線32aが電気的に接続されている。この際、コンタクトプラグ14bを通じて半導体基板10と電気的に接続できる。
【0025】
また、下部電極膜パターン16c,16dが下部配線32bを通じて電気的に接続されている。この際、下部電極膜パターン16c,16dのうち、いずれか一つがコンタクトプラグ14cを通じて半導体基板10と電気的に接続できる。
【0026】
また、下部電極膜パターン16eとキャパシタ構造物21との上部電極膜パターン18bが電気的に接続されている。即ち、下部電極膜パターン16eは下部配線32cと電気的に接続され、この下部配線32cは上部配線36bを通じて上部電極膜パターン18bと電気的に接続される。この際、下部電極膜パターン16eはコンタクトプラグ14dを通じて半導体基板10と電気的に接続できる。
【0027】
また、下部電極膜パターン16gがコンタクトプラグ14eを通じて半導体基板10と電気的に接続され、又下部配線32dを通じて上部配線36cと電気的に接続されている。
【0028】
また、隣接したキャパシタ構造物22とキャパシタ構造物23が上部配線36dを通じて相互連結されている。しかし、このキャパシタ構造物22,23は半導体基板10と電気的に接続されていないのでキャパシタで動作されない。即ち、隣接した上部電極膜パタ−ン18cと上部電極膜パターン18dが上部配線36dを通じて電気的に接続されている。
【0029】
前述したような配線形成方法により半導体装置の配線が形成されることにより、下部配線32a−32d乃至上部配線36b−36dが形成される時そのビアの縦横比が減少され、金属配線のステップカバレージが向上される。
【0030】
前述したような半導体装置の配線形成方法はメモリ素子に限らずに、キャパシタを含む全ての素子の少なくとも二層以上の多重レベルの配線形成時にも適用できる。
【0031】
【発明の効果】
本発明は、キャパシタの電極物質が同時に配線物質として使用されるようにすることにより、多重レベルの配線形成工程を単純化させ得る効果がある。
本発明の他の目的は多重レベルの配線を形成することにより、金属コンタクトの縦横比を減少させられ、金属配線のステップカバレ−ジを向上させられ、従って素子の信頼性を向上させ得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態による半導体装置の配線形成方法の第一の工程を示す図である。
【図2】 図1の次の工程を示す図である。
【図3】 図2の次の工程を示す図である。
【図4】 図3の次の工程を示す図である。
【符号の説明】
10 半導体基板
12 第1絶縁層
14a−14e コンタクトプラグ
16 下部電極膜
16a キャパシタの下部電極
16b−16e,16g 下部電極膜パターン
17,17a−17d キャパシタ誘電膜
18 上部電極膜
18a キャパシタの上部電極
18b−18d 上部電極膜パターン
20 キャパシタ
21−23 キャパシタ構造物
30 第2絶縁層
32a−32d 下部配線
34 第3絶縁層
36a キャパシタの上部電極コンタクト
36b−36d 上部配線
Claims (12)
- 半導体基板上に形成された第1絶縁層を貫いて半導体基板と電気的に接続されるコンタクトプラグを形成する段階と、
前記第1絶縁層及びコンタクトプラグ上に第1導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第2導電膜を順次に形成する段階と、
前記第2導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第1導電膜を順次にエッチングしてキャパシタ構造物及び第1導電膜パターンを形成して、前記第1導電膜パターン上の前記第2導電膜及び前記誘電体膜はエッチングされて前記第1導電膜パターンの上部表面が露出される段階と、
前記キャパシタ構造物の中少なくとも一つは前記コンタクトプラグと電気的に接続されたキャパシタとなり、前記キャパシタ構造物、前記キャパシタ、及び第1導電膜パターンを含んで第1絶縁層上に第2絶縁層を形成する段階と、
前記第1導電膜パターンの一部が露出されるように前記第2絶縁層をエッチングして第1コンタクトホールを形成する段階と、前記第1コンタクトホールを通じて前記第1導電膜パターンと電気的に接続される第1配線を形成し、同時に隣接した第1導電膜パターンが電気的に接続されるようにする第2配線を形成する段階と、
前記第1配線、第2配線、そして第2絶縁層上に第3絶縁層を形成する段階と、
前記第1配線の一部が露出されるように第3絶縁層をエッチングして第2コンタクトホールを形成し、同時に前記キャパシタ構造物及びキャパシタの第2導電膜の一部が露出されるように第3絶縁層及び第2絶縁層を順次にエッチングして第3コンタクトホールを形成する段階と、
前記第3コンタクトホールを通じて第2導電膜と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトを形成し、同時に前記第2コンタクトホールと第3コンタクトホールとを通じて第1配線とキャパシタ構造物の第2導電膜が電気的に接続される第3配線、前記第2コンタクトホールを通じて第1配線と電気的に接続される第4配線、そして第3コンタクトホールを通じて隣接したキャパシタ構造物の第2導電膜が相互電気的に接続される第5配線を各々形成する段階と、を含み、
前記キャパシタ構造物における第2導電膜が相互電気的接続部として使用可能であることを特徴とする半導体装置の配線形成方法。 - 前記第1導電膜及び第2導電膜は耐酸化性金属、導電性酸化物、そしてこれら各材料からなる膜の多層膜のうちのいずれかで形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線形成方法。
- 前記耐酸化性金属はPt,Ir,Ru,Au,そしてPdのうちのいずれかであり、前記導電性酸化物はIrO2 及びRuO2 のうちのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の配線形成方法。
- 前記キャパシタと電気的に接続されるコンタクトプラグ形成時、同時に前記第1導電膜パターンと半導体基板が電気的に接続されるようにするためのコンタクトプラグを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線形成方法。
- セルアレイ領域と周辺回路領域とを有する半導体基板上に第1絶縁層を形成する段階と、
前記半導体基板の一部が露出される時まで第1絶縁層を部分的にエッチングして第1コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1コンタクトホールを通じて半導体基板と電気的に接続されるコンタクトプラグを形成する段階と、
前記第1絶縁層上に第1導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第2導電膜を順次に形成する段階と、
前記セルアレイ領域に第2導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第1導電膜を順次にエッチングして前記コンタクトプラグと電気的に接続されるキャパシタを形成し、その後に周辺回路領域にキャパシタと同一な構成の構造物及び前記第1導電膜の上部表面が露出されるように第2導電膜及びキャパシタ誘電膜をエッチングして第1導電膜パターンを形成する段階と、
前記半導体基板全面に第2絶縁層を形成する段階と、
前記周辺回路領域の第1導電膜パターンの上部表面が露出される時まで第2絶縁層を部分的にエッチングして第2コンタクトホールを形成する段階と、
前記第2コンタクトホールを通じて第1導電膜パターンと電気的に接続される第1配線を形成し、同時に隣接した第1導電膜パターンが電気的に接続されるようにする第2配線を形成する段階と、
前記第1配線、第2配線、そして第2絶縁層上に第3絶縁層を形成する段階と、
前記セルアレイ領域の第2導電膜の上部表面が露出される時まで第3絶縁層及び第2絶縁層をエッチングして第3コンタクトホールを形成し、同時に周辺回路領域の第1配線の上部表面及び前記構造物の第2導電膜の上部表面が各々露出される時まで第3絶縁層及び第2絶縁層をエッチングして各々第4コンタクトホール及び第5コンタクトホールを形成する段階と、
前記第3コンタクトホールを通じてキャパシタの第2導電膜と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトを形成し、同時に第4コンタクトホールを通じて第1配線と電気的に接続される第3配線、前記第4コンタクトホール及び第5コンタクトホールを通じて第1配線と前記構造物の第2導電膜が電気的に接続されるようにする第4配線、隣接した第5コンタクトホールを通じて隣接した構造物の第2導電膜が相互電気的に接続されるようにする第5配線を形成する段階とを含み、
前記構造物における第2導電膜が相互電気的接続部として使用可能であることを特徴とする半導体メモリ装置の配線形成方法。 - 前記第1導電膜及び第2導電膜は耐酸化性金属、導電性酸化物、そしてこれら各材料からなる膜の多層膜のうちのいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置の配線形成方法。
- 前記耐酸化性金属はPt,Ir,Ru,Au,そしてPdのうちのいずれかであり、前記導電性酸化物はIrO2 及びRuO2 のうちのいずれかであることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置の配線形成方法。
- 前記キャパシタと電気的に接続されるコンタクトプラグ形成時、同時に前記第1導電膜パターンと半導体基板が電気的に接続されるようにするためのコンタクトプラグを形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置の配線形成方法。
- 半導体基板上にキャパシタの下部電極膜、キャパシタ誘電体膜、そしてキャパシタの上部電極膜を順次に蒸着する段階と、
前記キャパシタの上部電極膜、キャパシタ誘電体膜、そしてキャパシタの下部電極膜を順次にエッチングしてキャパシタを形成し、その後に上部電極膜パターン及びキャパシタの上部電極膜及びキャパシタ誘電膜が除去された下部電極膜パターンを形成する段階と、
前記下部電極膜パターンと電気的に接続される第1配線を形成し、同時に隣接した下部電極膜パターンを連結する第2配線を形成する段階と、
前記キャパシタの上部電極と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトを形成し、同時に前記第1配線と上部電極膜パターンとを連結する第3配線、第1配線と電気的に接続される第4配線、そして隣接した上部電極膜パターンを連結する第5配線を形成する段階とを含み、
前記上部電極膜が相互電気的接続部として使用可能であることを特徴とする半導体装置の配線形成方法。 - 前記第1導電膜及び第2導電膜は耐酸化性金属物質、導電性酸化物質、そしてこれらの複合膜のうちのいずれかで形成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の配線形成方法。
- 前記耐酸化性金属はPt,Ir,Ru,Au,そしてPdのうちのいずれかであり、前記導電性酸化物はIrO2 及びRuO2 のうちのいずれかであることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の配線形成方法。
- 前記キャパシタの下部電極膜の蒸着前に、前記キャパシタの下部電極と半導体基板が電気的に接続されるようにし、前記第1導電膜パターンと半導体基板が電気的に接続されるようにするコンタクトプラグを各々形成する段階を付加的に含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の配線形成方法。
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