JP2008251763A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明はメモリセル領域と周辺回路領域を基板上に設けた半導体装置において、メモリセル領域のキャパシタの底面側にセルトランジスタとのコンタクト用に配設されたランディングパッドと同層にアシスト配線を周辺回路領域、あるいは、メモリセル領域と周辺回路領域の境界領域に設けてなる。
【選択図】図1
Description
この一例構造の半導体装置のメモリセル領域100において、素子分離絶縁膜103、103により区画された領域に拡散層領域105、106、107が隣接形成され、それら領域間の半導体基板102上に個々にゲート絶縁膜108が形成され、これらゲート絶縁膜108上にゲート電極109が形成され、ゲート電極109がサイドウォール絶縁膜110と分離絶縁膜111とで覆われて絶縁分離されている。また、これらを覆って設けられている第1層間絶縁膜112を上下に貫通する形で拡散層領域105、106、107に個々に接続するように第1コンタクトプラグ113、113、113が設けられている。第1層間絶縁膜112の上には第2層間絶縁膜115が形成され、この第2層間絶縁膜115を上下に貫通する形で第2コンタクトプラグ116、116が形成され、個々のコンタクトプラグ116は先の拡散層105あるいは拡散層107に接続された第1コンタクトプラグ113に接続されている。また、先の拡散層106に接続された第1コンタクトプラグ113の上方であって、第1層間絶縁膜112の上にはビット配線117が接続形成されている。
この一例構造の半導体装置においては、周辺回路領101においてトランジスタのソース領域またはドレイン領域となる拡散層130、131と、それらの上方に位置する第3層間絶縁膜120に設けられた第2層配線140との接続が、第1層配線139A、139Bを介して層間絶縁膜のコンタクトホール内に埋設形成された金属のコンタクトプラグ138A、138Bを通して行われる構造とされている。
また、この種の半導体記憶装置においてキャパシタ下部電極の層構造を成膜する場合に同層位置に電源層を設けた構造(特許文献2参照)、あるいは、セルアレイのキャパシタを構成する上部電極、誘電体膜、下部電極のいずれかを周辺回路部分の局所配線として利用できるとした構造が知られている。(特許文献3参照)
更に、DRAM部のキャパシタ下部電極と同一の工程で形成されるロジック回路部のストレージノードパッドが開示されている。(特許文献4参照)
本発明の半導体装置は、前記キャパシタが下部電極と容量絶縁膜と上部電極を備えた積層構造とされ、前記ランディングパッドが、前記下部電極と前記コンタクトプラグとの間に介在されてなることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第2層間絶縁層の主表面上に形成されたアシスト用配線が、半導体基板のメモリセル領域と周辺回路領域の境界領域を跨いで配線されてなることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第2層間絶縁層の主表面上に形成されたアシスト用配線が、半導体基板のメモリセル領域と周辺回路領域とを区画する分離絶縁膜上において第1層間絶縁膜の主表面上に形成された第1配線膜と電気的に接続されてなることを特徴とする。
前記メモリセル領域にセルトランジスタと該セルトランジスタに接続されるビット配線とキャパシタとが上下に階層構造で設けられ、前記セルトランジスタを覆う第1層間絶縁膜と、前記セルトランジスタの上層側に設けられるビット配線を覆う第2層間絶縁膜と、前記ビット配線の上層側に設けられるキャパシタを覆う第3層間絶縁膜が設けられ、前記周辺回路領域に前記第1層間絶縁膜に覆われて周辺回路用トランジスタが設けられ、前記第1層間絶縁膜の主表面上に前記周辺回路用トランジスタに接続される第1層配線が設けられ、前記第1層配線が前記第2層間絶縁膜に覆われ、前記第2層間絶縁膜の上に第3層間絶縁膜が設けられ、該第3層間絶縁膜の主表面上に第2層配線が設けられる一方、前記メモリセル領域において、前記第2層間絶縁膜の主表面上において下層側のセルトランジスタに接続するためのコンタクトプラグと前記キャパシタとの接続部分にランディングパッドが設けられるとともに、前記ランディングパッドが設けられた前記第2層間絶縁膜の主表面上に前記第1層配線に接続されるアシスト配線が設けられてなる半導体装置を製造するにあたり、
前記半導体基板のメモリセル領域にセルトランジシタを形成し、前記周辺回路領域に周辺回路用トランジスタを形成する工程と、前記半導体基板の主表面上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1層間絶縁膜の主表面上に第1層配線を形成する工程と、前記第1層間絶縁膜の主表面上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2層間絶縁膜の主表面上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、前記第3層間絶縁膜の主表面に第2層配線を形成する工程と、前記第3層間絶縁膜内にメモリキャパシタを形成する工程とを具備するとともに、前記メモリセル領域において、前記第2層間絶縁膜の主表面上に前記メモリキャパシタと電気的に接続するためのランディングパッドを形成する工程と、前記周辺回路領域において、前記第2層間絶縁膜の主表面上に前記第1層配線と前記第2層配線とを接続するためのアシスト用配線を形成する工程とを具備し、前記ランディングパッドを形成する工程と、前記アシスト用配線を形成する工程を同一のフォトリソグラフィ工程で行うことを特徴とする。
図1は、DRAMセルのメモリ領域と周辺回路領域(あるいはロジック回路領域)を備えた半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。本実施形態の半導体装置10は、DRAMセルのメモリセル領域12と周辺回路領域14とを同一の半導体基板20上に備えて構成されている。
半導体基板20は、p型不純物のドープされたシリコンにより形成されている。絶縁分離領域22は、半導体基板20のトランジスタ形成領域をそれ以外の部分から区画して絶縁分離する。
拡散層領域26の上に接続されているポリシリコンプラグ39の上方であって、第1層間絶縁膜36の主表面40上にビット配線42が形成されている。また、拡散層領域28の上に接続されているポリシリコンプラグ39は、第1層間絶縁膜36の上面位置まで形成されている。前記ビット配線42は、タングステンなどの金属膜からなる。
第2層間絶縁膜の主表面50上に形成された窒化シリコン膜52の全面に第3層間絶縁膜54として酸化シリコン膜が形成されている。酸化シリコン膜からなる第3層間絶縁膜54において、窒化シリコン膜の除去された領域にランディングパッド48が形成され、その上にそれぞれキャパシタ用深孔シリンダ56が形成されている。
キャパシタ用深孔シリンダ56の内底面と内周面には、窒化チタンからなるコップ型の下部電極58が設けられ、下部電極58の表面に例えば厚さ8nmの酸化ハフニウムからなる容量絶縁膜60及び窒化チタンからなる厚さ15nmの上部電極62が形成されることにより、データを蓄積する容量記憶部となる例えば高さ2μmのキャパシタ64が形成されている。
キャパシタ用深孔シリンダ56の窒化チタンからなる上部電極62は、半導体基板のメモリセル領域12と周辺回路領域14とを跨ぐ分離絶縁膜22上で第2層間絶縁膜44の主表面50上に形成された窒化シリコン膜52上に延出して設けられ、延出部62Aが形成されるとともに、上部電極62の下に位置している容量絶縁膜60も同様に演出して設けられ、延出部60Aが形成されている。
第2層間絶縁膜44の主表面50上で上部電極62の延出部62Aが配置された位置に合致するように第3層間絶縁膜54内にコンタクトホール66が設けられ、このコンタクトホール66内に金属が埋設されてコンタクトプラグ67が形成され、このコンタクトプラグ67が第3層間絶縁膜54の主表面68上に配設された第2層配線69と接続されている。
半導体基板20に形成されている絶縁分離領域22は、半導体基板20の周辺回路領域14においてトランジスタ形成領域とその他の領域を区画し、トランジスタ形成領域を絶縁分離している。
絶縁分離領域22により区画されている活性領域の両端側にn型不純物のドープされた拡散層領域が配置され、それぞれソース領域あるいはドレイン領域となる拡散層領域26A、28Aが形成されている。拡散層領域26A、28Aの間の領域の半導体基板20上にゲート絶縁膜30Aが形成され、その上にゲート電極32Aが形成されており、これにより周辺回路領域14のトランジスタ25が形成されている。
また、図1に示す如く第1層配線72とアシスト配線80を第2層間絶縁膜44を介して上下に複層化することにより低抵抗化が可能となり、第1層配線72の寄生抵抗の低減並びに寄生容量の低減に寄与する。
更に、先のアシスト配線80はキャパシタ64を製造する場合に必然的に設けるランディングパッド48と同層位置に設けられているので、1つのフォトリソグラフィ工程においてランディングパッド48の形成時に同時にアシスト配線80を形成できるので、別途アシスト配線80形成用のフォトリソグラフィ工程を追加することなく、即ち、工程数を増加することなく実現できる効果がある。
図2に示すように、p型半導体基板20上に絶縁分離領域22を形成し、この絶縁分離領域22によって区画されたセルトランジスタ領域側のトランジスタ形成領域に、ゲート絶縁膜30、シリコン膜とタングステンの金属膜からなるゲート電極32、n型拡散層からなる拡散層領域26、28を有し、分離絶縁膜34とサイドウォール絶縁膜34aにより絶縁分離されたトランジスタ24を、また、周辺回路領域側のトランジスタ形成領域に、ゲート絶縁膜30Aと、シリコン膜とタングステンの金属膜からなるゲート電極32、n型拡散層からなる拡散層領域26A、28Aを有し、分離絶縁膜34とサイドウォール絶縁膜34aにより絶縁分離されたトランジスタ25を形成する。次いで半導体基板20及びトランジスタ24、25の上にCVD法により第1層間絶縁膜36としての酸化シリコン膜を成膜する。
ポリシリコンプラグ39及びビット配線42並びに第1層配線72、74を形成した第1層間絶縁膜40の主表面上の全面に酸化シリコン膜からなる第2層間絶縁膜44を形成する。
この容量接続用のコンタクトホール46は、ポリシリコンプラグ39と後に形成するキャパシタ用深穴シリンダ56を接続するために設けられる。一方、周辺回路領域14では、第2層間絶縁膜44を貫通して金属のコンタクトプラグ39Aに達する第2コンタクトホール76を形成する。
この工程では先に記載した如く、アシスト配線80をランディングパッド48と同層位置に設けるので、1つのフォトリソグラフィ工程においてランディングパッド48の形成時に同時にアシスト配線80を形成できる。従って、別途アシスト配線80形成用のフォトリソグラフィ工程を追加することなく、即ち、工程数を増加することなくアシスト配線80を形成できる効果がある。
図7に示すように、メモリセル領域12において、第3層間絶縁準備膜54a及び窒化シリコン膜52を貫くキャパシタ用深穴シリンダ56をフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術により開孔し、そしてキャパシタ用深穴シリンダ56の底面部分にランディングパッド48の表面を露出させる。
窒化チタン膜のCVD成長は、ウエハ温度を例えば500℃に設定して、原料ガスとして四塩化チタンとアンモニアとを同時に流すプロセス・ステップとアンモニアのみを流すプロセス・ステップを交互に繰り返すSFD(Sequential Flow Deposition)法にて行う。
更に、窒化チタン膜を酸化ハフニウム膜とともに、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とにより上部電極形状に加工して高さ2μmのシリンダ形状のキャパシタ64を形成することができる。一方、図11に示すように、周辺回路領域14に形成されていた容量絶縁膜60形成用の酸化ハフニウム膜と上部電極62形成用の窒化チタン膜を除去する。
その後、第3層間絶縁膜54の主表面上にチタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを順にスパッタ法で形成し、これらの積層膜をフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いてパターニングして第2層配線69を形成することにより図1に示す構造の半導体装置10を得ることができる。
本第2実施形態の半導体装置50において、キャパシタ用深孔シリンダ56の上部電極62は、図15に示すように、メモリセル12と周辺回路領域14との境界部分において、第2層間絶縁膜44の主表面50上にパターン形成されて延出形成されたアシスト配線80Aを覆って設けられた窒化シリコン膜52上に延出して設けられている。そして、アシスト配線80Aは、第1層間絶縁膜36の主表面40上にパターン形成された他の第1層配線74に第2金属のコンタクトプラグ78Aを介し接続され、更に、第3層間絶縁膜54に形成されたコンタクトプラグ84を介して第3層間絶縁膜54上の第2層配線69に接続されている。
12 メモリセル領域、
14 周辺回路領域、
20 半導体基板、
22 絶縁分離領域、
24、25 トランジスタ、
26、28 拡散層領域、
26A、28A 拡散層領域、
30、30A ゲート絶縁膜、
32、32A ゲート電極、
36 第1層間絶縁膜、
38、38A 第1コンタクトホール、
39 ポリシリコンプラグ、
40 第1層間絶縁膜の主表面、
42 ビット配線、
44 第2層間絶縁膜、
46 コンタクトホール、
47 コンタクトプラグ、
48 ランディングパッド、
50 第2層間絶縁膜の主表面、
52 窒化シリコン膜、
54 第3層間絶縁膜、
56 キャパシタ用深孔シリンダ、
58 下部電極、
60 容量絶縁膜、
62 上部電極、
64 キャパシタ、
66 コンタクトホール、
67 コンタクトプラグ、
69 第2層配線、
72、74 第1層配線、
76 コンタクトホール、
78 コンタクトプラグ、
80 アシスト用配線、
82 第3コンタクトホール、
84 コンタクトプラグ、
Claims (7)
- 半導体基板上に情報を記録するためのメモリセル領域と該メモリセル領域に隣接して設けられる周辺回路領域とを具備する半導体装置において、
前記メモリセル領域にセルトランジスタと該セルトランジスタに接続されるビット配線とキャパシタとが上下に階層構造で設けられ、前記セルトランジスタを覆う第1層間絶縁膜と、前記セルトランジスタの上層側に設けられるビット配線を覆う第2層間絶縁膜と、前記ビット配線の上層側に設けられるキャパシタを覆う第3層間絶縁膜が設けられ、
前記周辺回路領域に前記第1層間絶縁膜に覆われて周辺回路用トランジスタが設けられ、前記第1層間絶縁膜の主表面上に前記周辺回路用トランジスタに接続される第1層配線が設けられ、前記第1層配線が前記第2層間絶縁膜に覆われ、前記第2層間絶縁膜の上に第3層間絶縁膜が設けられ、該第3層間絶縁膜の主表面上に第2層配線が設けられる一方、
前記メモリセル領域において、前記第2層間絶縁膜の主表面上において下層側のセルトランジスタに接続するためのコンタクトプラグと前記キャパシタとの接続部分にランディングパッドが設けられるとともに、
前記ランディングパッドが設けられた前記第2層間絶縁膜の主表面上に前記第1層配線に接続されるアシスト配線が設けられてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記アシスト配線が前記第1層配線と前記第2層配線の両方に接続されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記キャパシタが下部電極と容量絶縁膜と上部電極を備えた積層構造とされ、前記ランディングパッドが、前記下部電極と前記コンタクトプラグとの間に介在されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2層間絶縁層の主表面上に形成されたアシスト用配線が、半導体基板のメモリセル領域と周辺回路領域の境界領域を跨いで配線されてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2層間絶縁層の主表面上に形成されたアシスト用配線が、半導体基板のメモリセル領域と周辺回路領域とを区画する分離絶縁膜上において第1層間絶縁膜の主表面上に形成された第1配線膜と電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体基板上に情報を記録するためのメモリセル領域と該メモリセル領域に隣接して設けられる周辺回路領域とを具備する半導体装置において、
前記メモリセル領域にセルトランジスタと該セルトランジスタに接続されるビット配線とキャパシタとが上下に階層構造で設けられ、前記セルトランジスタを覆う第1層間絶縁膜と、前記セルトランジスタの上層側に設けられるビット配線を覆う第2層間絶縁膜と、前記ビット配線の上層側に設けられるキャパシタを覆う第3層間絶縁膜が設けられ、
前記周辺回路領域に前記第1層間絶縁膜に覆われて周辺回路用トランジスタが設けられ、前記第1層間絶縁膜の主表面上に前記周辺回路用トランジスタに接続される第1層配線が設けられ、前記第1層配線が前記第2層間絶縁膜に覆われ、前記第2層間絶縁膜の上に第3層間絶縁膜が設けられ、該第3層間絶縁膜の主表面上に第2層配線が設けられる一方、
前記メモリセル領域において、前記第2層間絶縁膜の主表面上において下層側のセルトランジスタに接続するためのコンタクトプラグと前記キャパシタとの接続部分にランディングパッドが設けられるとともに、
前記ランディングパッドが設けられた前記第2層間絶縁膜の主表面上に前記第1層配線に接続されるアシスト配線が設けられてなる半導体装置を製造するにあたり、
前記半導体基板のメモリセル領域にセルトランジシタを形成し、前記周辺回路領域に周辺回路用トランジスタを形成する工程と、
前記半導体基板の主表面上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜の主表面上に第1層配線を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜の主表面上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜の主表面上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第3層間絶縁膜の主表面に第2層配線を形成する工程と、
前記第3層間絶縁膜内にメモリキャパシタを形成する工程とを具備するとともに、
前記メモリセル領域において、前記第2層間絶縁膜の主表面上に前記メモリキャパシタと電気的に接続するためのランディングパッドを形成する工程と、
前記周辺回路領域において、前記第2層間絶縁膜の主表面上に前記第1層配線と前記第2層配線とを接続するためのアシスト用配線を形成する工程とを具備し、
前記ランディングパッドを形成する工程と、前記アシスト用配線を形成する工程を同一のフォトリソグラフィ工程で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2層間絶縁膜の上に一旦第3層間絶縁準備膜を形成した後、この第3層間絶縁準備膜を介して深孔シリンダを形成し、この深孔シリンダの内部側に下部電極を形成した後、前記第3層間絶縁準備膜を除去してから容量絶縁膜、上部電極を形成し、パターニングしてキャパシタを形成した後、これらを覆うように第3層間絶縁膜を形成し、この後に前記アシスト配線に接続するプラグを形成し、該プラグに接続する第2層配線を前記第3層間絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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