JP2011082223A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】MISFETのソース/ドレイン間の寄生容量を減少させる電極および配線を有したメモリや、メモリ混載のロジック等の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極5より上方に少なくともキャパシタ電極14,16または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、MISFETは、ソース・ドレイン拡散層7に接続する少なくとも1つずつの第1のプラグ9を有する。ソース・ドレイン拡散層7のどちらか一方に、第1のプラグ9を介して接続し、キャパシタまたは情報記憶部の一部の下部電極14と同一工程またはそれより前工程の配線層から成る第1の配線21を設け、一方のソース・ドレイン拡散層7の上方に第1の配線21と他の配線22を接続するプラグを設けず、また、ソース・ドレイン拡散層7の他方の領域の上方に第1の配線21と同一工程の配線を設けないようにする。
【選択図】図6
【解決手段】ゲート電極5より上方に少なくともキャパシタ電極14,16または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、MISFETは、ソース・ドレイン拡散層7に接続する少なくとも1つずつの第1のプラグ9を有する。ソース・ドレイン拡散層7のどちらか一方に、第1のプラグ9を介して接続し、キャパシタまたは情報記憶部の一部の下部電極14と同一工程またはそれより前工程の配線層から成る第1の配線21を設け、一方のソース・ドレイン拡散層7の上方に第1の配線21と他の配線22を接続するプラグを設けず、また、ソース・ドレイン拡散層7の他方の領域の上方に第1の配線21と同一工程の配線を設けないようにする。
【選択図】図6
Description
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)のようなスタック型キャパシタ、またはMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)のような情報保持部を有するメモリ製品や、このようなメモリを搭載するメモリ混載のロジック製品において、その回路を構成するMISFETソース/ドレイン電極および配線に関する。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)、およびMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)などのLSIメモリが知られている(例えば、特許文献1〜3参照)。DRAMやFeRAMなどは、容量素子で構成された情報保持部を備えている。また、MRAMなどの記憶装置は、MTJ(Magnetic Tunnel Junction:磁気トンネル接合)素子で構成された情報保持部を備えている。
このようなメモリは、複数のMISFET(metal insulator semiconductor field effect transistor)を備えるメモリ混載ロジックICにも搭載されている。メモリ混載ロジックICは、メモリセルアレイなどの情報記憶領域(以下、メモリセル部と記載する場合も有る)と、論理回路部(以下ロジック回路部と記載する場合も有る)とを備えている。メモリセル部とロジック回路部とでは、半導体基板表面を基準にしたときに、高さが異なる。このため、メモリセル部とロジック回路部との間には「高低差」が存在する。
メモリ混載ロジックICのMISFETのソース/ドレイン電極は、拡散層から上方位置の配線まで、コンタクト(プラグ)によって接続されている。メモリ混載ロジックICにおいて、拡散層から上方位置の配線まで接続するコンタクト(プラグ)は、メモリセル部がないICのプラグよりも長くなることがある。このため、コンタクト(プラグ)形成工程におけるアスペクト比が大きくなるという問題が生じる場合がある。
また、半導体集積回路装置の微細化にともなって、MISFETのサイズが小さくなる。そのため、ソース/ドレイン拡散層から上方配線まで長いプラグで接続する構造では、プラグ(1工程あるいは複数工程)の抵抗が高くなることがある。さらに、ソース拡散層とドレイン拡散層との相互のプラグ間の寄生容量が大きくなることがある。
特許文献1(特開平9−275193)には、MISFETのソース/ドレイン電極をDRAMセルのキャパシタ下部電極と同じ工程の配線層を介してメモリセル上方の配線層に接続される技術が開示されている。特許文献2(特開2008−251763)には、DRAMのキャパシタ下部電極層とビット線電極層の間にアシスト配線層を設けた構造が開示されている。特許文献3(特開2006−295130)には、MISFETのソース/ドレインの両方の電極をDRAMセルのビット線電極と同じ工程の配線層に接続し、ソース/ドレインの一方の電極をメモリセル上方の配線層に接続される技術が開示されている。
これらの文献には、MISFETのソース/ドレイン拡散層から上部配線までを電気的に接続するコンタクト(プラグ)に関する技術が開示され、コンタクトホールのアスペクト比の低減、コンタクトプラグの導通抵抗の低減、メタルプラグと下地との電気的導通の改善などの技術が示されている。
次に、従来のDRAM混載ロジックIC製品(以下、eDRAM製品と記載する場合も有る)のメモリセル部と周辺MISFET領域(ロジック回路部)を含んだ製造方法を示す(この構造図及び製造方法は、特許文献1、2、3に記載の従来技術と基本的に同じである。)。図1は、従来技術のメモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)を示す平面図である。図2は、図1のA−A’およびB−B’における断面図である。
従来のeDRAM製品のメモリセル部と周辺MISFET領域(ロジック回路部)を含んだ製造方法は、第1導電型半導体基板101の所定の位置に、素子分離絶縁膜102および素子形成領域(拡散層領域)103を形成する。そして、MISFETのチャネル領域に対応する位置に、ゲート絶縁膜104を介してゲート電極105を形成する。
そのゲート電極105の周囲を覆うようにサイドウォール絶縁膜106を形成する。次に、イオン化した不純物をドープした後、熱処理を行い、素子形成領域103にソース/ドレイン拡散層である第2導電型半導体領域107を形成する。そして、第1の層間絶縁膜108を全面に形成する。その第1の層間絶縁膜108の所定の位置に、第1のコンタクト109を形成する。そして、その第1のコンタクト109と接続するビット線110を形成する。
第2の層間絶縁膜111を全面に形成する。そして、第1のコンタクト109に対応する位置に、その第1のコンタクト109と直接的に接続し積層する第2のコンタクト112を形成する。第3の層間絶縁膜113を全面に形成する。その第3の層間絶縁膜113の所定の位置にメモリセルの第1の容量電極114を形成する。その後、容量絶縁膜115および金属層を全面に堆積した後、第2の容量電極116を形成する。
さらに、第4の層間絶縁膜117を全面に形成する。そして、第2のコンタクト112に対応する位置に、第2のコンタクト112と直接的に接続し積層する第3のコンタクト118を形成する。その第3のコンタクト118と接続する上層の金属配線119を形成する。
図3は、従来技術の周辺MISFET領域において、ゲート電極数が4本でソース側の電極を基板電位拡散層である第2の第1導電型半導体領域120に接続している場合を示す平面図である。図4は、図3のC−C’における断面図である。ゲート電極数が4本の周辺MISFETに隣接して、第2の第1導電型半導体領域120を配置している。当該第2の第1導電型半導体領域120は、当該MISFETの基板である第1導電型半導体基板101の基板電位拡散層を成している。当該MISFETのソース側の電極(図3、図4では3箇所)を、上層の金属配線119を用いて基板電位拡散層である第2の第1導電型半導体領域120に接続している。
特許文献1、2、3に記載の技術では、MISFETのソース/ドレイン拡散層から上方電極配線に接続するのに、キャパシタ容量を形成する電極層や中継するための電極層を設けている。しかしながら、コンタクト(プラグ)を介したソース/ドレイン間の寄生容量については考慮されていない。
ソース/ドレインの各々のプラグ間の寄生容量については考慮されていないため、従来技術では、コンタクト(プラグ)抵抗とソース/ドレインコンタクト(プラグ)間の寄生容量を同時に減少させることはできない。あるいは小さな効果しか得られない。
上記の課題を解決するために、MISFETのゲート電極より上方に少なくともキャパシタ電極または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置を以下のように構成する。前記MISFETは、ソース拡散層とドレイン拡散層を有し、前記ソース拡散層および前記ドレイン拡散層に接続する少なくとも1つずつの第1のプラグを有し、前記ソース拡散層または前記ドレイン拡散層のどちらか一方に前記第1のプラグを介して接続し、前記キャパシタまたは前記情報記憶部の一部の下部電極と同一工程またはそれより前工程の配線層から成る第1の配線を有するようにする。ここにおいて、当該一方のソース拡散層またはドレイン拡散層の領域の上方位置には前記第1の配線と他の配線を接続するプラグを設けず、また、前記ソース拡散層または前記ドレイン拡散層の他方の領域の上方位置には前記第1の配線と同一工程の配線を設けないようにする。そして、当該他方のソース拡散層またはドレイン拡散層に前記第1のプラグを介して電気的に接続して成る第2のプラグを有し、前記第2のプラグに接続し前記キャパシタまたは前記情報記憶部の一部の上部電極より上方に位置する配線層から成る第2の配線を有するように半導体集積回路装置を構成する。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、ソース拡散層またはドレイン拡散層のどちらか一方には上層プラグ(第2のプラグ)がなく、ソース/ドレイン間で対向しているのは下層プラグ(第1のプラグ)の高さまでになる構成により、ソース/ドレイン間の相互のコンタクト(プラグ)の対向面積を減少させることができるため、寄生容量を減少させることができる。
また、他方(ドレイン拡散層またはソース拡散層)の上方位置に第一の配線と同一工程の配線を設けず、第二のプラグを介してキャパシタまたは情報記憶部より上方に位置する第二の配線に接続している構成により、ソース/ドレイン間の相互の配線の間隔を広げることができるため寄生容量を減少させることができる。
さらに、当該一方のソース拡散層またはドレイン拡散層の領域には、下層プラグ(第1のプラグ)に接続する第1の配線が存在し、その上方位置には当該第1の配線と他の配線を接続するプラグが存在しないため、上方位置での配線の設計自由度を増加させることができる。
また、他方(ドレイン拡散層またはソース拡散層)の上方位置に第一の配線と同一工程の配線を設けず、第二のプラグを介してキャパシタまたは情報記憶部より上方に位置する第二の配線に接続している構成により、ソース/ドレイン間の相互の配線の間隔を広げることができるため寄生容量を減少させることができる。
さらに、当該一方のソース拡散層またはドレイン拡散層の領域には、下層プラグ(第1のプラグ)に接続する第1の配線が存在し、その上方位置には当該第1の配線と他の配線を接続するプラグが存在しないため、上方位置での配線の設計自由度を増加させることができる。
[第1実施形態]
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するための図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下の実施形態では、半導体集積回路装置が、メモリセル部と周辺MISFET領域(ロジック回路部)とを有するメモリ混載ロジックICである場合を例示する。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するための図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下の実施形態では、半導体集積回路装置が、メモリセル部と周辺MISFET領域(ロジック回路部)とを有するメモリ混載ロジックICである場合を例示する。
図5は、本発明の第1実施形態の半導体集積回路装置の構成を例示する平面図である。第1実施形態の半導体集積回路装置は、メモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)を備えている。図5の(a)は、上から見たメモリセル部の構成を例示している。図5の(b)は、上から見た周辺MISFET領域(ロジック回路部)の構成を例示している。メモリセル部には、複数のメモリセルが配置される。周辺MISFET領域(ロジック回路部)には、複数のMISFETが配置される。
また、図6は、第1実施形態の半導体集積回路装置における、メモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)の断面の構成を例示する断面図である。図6の(a)は、図5のA−A’における断面の構成を例示している。図6の(b)は、図5のB−B’における断面の構成を例示している。
図6に示されているように、本実施形態の半導体集積回路装置は、多層配線層を備えている。その多層配線層は、第1層間絶縁膜形成層31と、第2層間絶縁膜形成層32と、第3層間絶縁膜形成層33と、第4層間絶縁膜形成層34と、第5層間絶縁膜形成層35とを含んでいる。第1層間絶縁膜形成層31には、第1の層間絶縁膜8を貫通する第1のコンタクト9が設けられる。第2層間絶縁膜形成層32には、第2の層間絶縁膜11を貫通する第2のコンタクト12と、ビット線10と、第1の配線21とが設けられる。第3層間絶縁膜形成層33には、第3の層間絶縁膜13を貫通する第3のコンタクト18と、容量素子の部材(第1の容量電極14、容量絶縁膜15、および第2の容量電極16)とが設けられる。第4層間絶縁膜形成層34には、第4の層間絶縁膜17を貫通するコンタクトや第2の容量電極16に接続する配線が設けられる。第5層間絶縁膜形成層35には、第2の配線22が設けられる。
図5または図6を参照すると、本実施形態の半導体集積回路装置の周辺MISFET領域(ロジック回路部)において、MISFETのソース/ドレインの一方の電極は、第1のコンタクト9を介して第1の配線21に接続されている。また、他方(ドレイン/ソース)の電極は、第1のコンタクト9、第2のコンタクト12および第3のコンタクト18を介して第2の配線22に接続されている。ここで、その他方の電極に接続されている第1のコンタクト9の上層は、第2層間絶縁膜形成層32において、第1の配線21が形成されていない。その他方の電極に接続されている第1のコンタクト9は、第1の配線21を介することなく、積層する第2のコンタクト12に直接的に接続されている。
以下に、本実施形態の半導体集積回路装置の製造工程について説明を行う。その製造工程では、第1導電型半導体領域1の所定の位置に、素子分離絶縁膜2および素子形成領域(拡散層領域)3を形成する。そして、MISFETのチャネル領域に対応する位置に、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極5を形成する。そのゲート電極5の周囲を覆うようにサイドウォール絶縁膜6を形成する。次に、イオン化した不純物をドープした後、熱処理を行い、上述の素子形成領域3に、ソース/ドレイン拡散層である第2導電型半導体領域7を形成する。
その後、第1層間絶縁膜形成層31において、第1の層間絶縁膜8を全面に形成する。そして、その第1の層間絶縁膜8の所定の位置に、第1のコンタクト9を形成する。メモリセル部において、その第1のコンタクト9と接続するビット線10を形成する。このときビット線10の形成と同一の工程で、周辺MISFET領域(ロジック回路部)において、第1のコンタクト9と接続する第1の配線21を形成する。
その後、第2層間絶縁膜形成層32において、第2の層間絶縁膜11を全面に形成する。そして、上述の第1のコンタクト9に対応する位置に、その第1のコンタクト9と直接的に接続し積層するように、第2のコンタクト12を形成する。そして、第3層間絶縁膜形成層33に、第3の層間絶縁膜13を全面に形成する。その第3の層間絶縁膜13の所定の位置に、メモリセルの第1の容量電極14を形成する。その後、容量絶縁膜15および金属層を全面に堆積した後、第2の容量電極16を形成する。
その後、第4層間絶縁膜形成層34において、第4の層間絶縁膜17を全面に形成する。そして、上述の第2のコンタクト12に対応する位置に、その第2のコンタクト12と直接的に接続し積層するように、第3のコンタクト18を形成する。そして、その第3のコンタクト18と接続する第2の配線22を形成する。なお、第3のコンタクト18は、第3の層間絶縁膜13と第4の層間絶縁膜17とを一度にエッチングする工程で形成されても良いし、たとえば第3の層間絶縁膜13と第4の層間絶縁膜17とを別々に貫通するように複数の工程でコンタクトを設けて形成されても良い。
図7は、第1実施形態の周辺MISFET領域(ロジック回路部)において、ゲート電極数が4本の領域の構成を例示する平面図である。図7に示されているように、当該MISFETのソース側の電極には、基板電位が供給されている。そのソース側の電極は、基板電位を供給する拡散層である第2の第1導電型半導体領域20に接続されている。第1実施形態の半導体集積回路装置は、ゲート電極数が4本の周辺MISFET領域(ロジック回路部)に隣接して、第2の第1導電型半導体領域20を配置している。MISFETのソース側の電極(図7では3箇所)を、第1の配線21を用いて当該MISFETのゲート電極と平行方向に延伸し、基板電位拡散層である第2の第1導電型半導体領域20に接続している。
図8は、第1実施形態の周辺MISFET領域(ロジック回路部)において、ゲート電極数が4本の領域の断面の構成を例示する断面図である。図8は、図7の平面図における、C−C’断面の構成を例示している。図8を参照すると、MISFETのソース/ドレインの一方の電極を、第1のコンタクト9を介して第1の配線21に接続している、また、他方(ドレイン/ソース)の電極を、その上方位置においては、その第1の配線21が設けられていない。その他方(ドレイン/ソース)の電極は、第1のコンタクト9、第2のコンタクト12および第3のコンタクト18を介して第2の配線22に接続している。
このような構成にすることによって、ソース/ドレインの相互の配線の間隔を広げ、かつ、相互のプラグの対向面積を減少することができるため、ソース/ドレイン間の容量を低減することができる。また、第1の配線21は、ビット線10と同一の工程で形成する。そのため、工程数を増やすことなく本実施形態の半導体集積回路装置を構成することができる。
[第2実施形態]
以下に、本発明の第2実施形態について説明を行う。図9は、本発明の第2実施形態の半導体集積回路装置の構成を例示する平面図である。第2実施形態の半導体集積回路装置は、メモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)を備えている。図9の(a)は、上から見たメモリセル部の構成を例示している。図9の(b)は、上から見た周辺MISFET領域(ロジック回路部)の構成を例示している。メモリセル部には、複数のメモリセルが配置される。周辺MISFET領域(ロジック回路部)には、複数のMISFETが配置される。図9に示されているように、第2実施形態の半導体集積回路装置は、第3の配線23を備えている。
以下に、本発明の第2実施形態について説明を行う。図9は、本発明の第2実施形態の半導体集積回路装置の構成を例示する平面図である。第2実施形態の半導体集積回路装置は、メモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)を備えている。図9の(a)は、上から見たメモリセル部の構成を例示している。図9の(b)は、上から見た周辺MISFET領域(ロジック回路部)の構成を例示している。メモリセル部には、複数のメモリセルが配置される。周辺MISFET領域(ロジック回路部)には、複数のMISFETが配置される。図9に示されているように、第2実施形態の半導体集積回路装置は、第3の配線23を備えている。
図10は、第2実施形態の半導体集積回路装置における、メモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)の断面の構成を例示する断面図である。図10の(a)は、図9のA−A’
における断面の構成を例示している。図10の(b)は、図9のB−B’における断面の構成を例示している。
における断面の構成を例示している。図10の(b)は、図9のB−B’における断面の構成を例示している。
周辺MISFET領域(ロジック回路部)において、ソース/ドレインの一方の電極は、第1のコンタクト9と第2のコンタクト12とを介して第3の配線23に接続されている。また、他方(ドレイン/ソース)の電極は、第1のコンタクト9、第2のコンタクト12および第3のコンタクト18を介して第2の配線22に接続されている。ここで、第1のコンタクト9を介してその他方(ドレイン/ソース)の電極に接続されている第2のコンタクト12は、第3の配線23を介することなく、積層する第3のコンタクト18に直接的に接続されている。
以下に、第2実施形態の半導体集積回路装置の製造工程について説明を行う。第2実施形態の製造工程において、第1のコンタクト9を形成するところまでは、上述の図5および図6で説明した第1実施形態の製造工程と同様である。第2実施形態において、その第1のコンタクト9を形成した後、その第1のコンタクト9と接続するビット線10を形成する。その後、第2の層間絶縁膜11を全面に形成する。そして、上述の第1のコンタクト9に対応する位置に、その第1のコンタクト9と直接的に接続し積層する第2のコンタクト12を形成する。
このとき、周辺MISFET領域(ロジック回路部)において、第2のコンタクト12と接続する第3の配線23を、第2層間絶縁膜形成層32の第2の層間絶縁膜11の上に形成する。この後、第3層間絶縁膜形成層33に第3の層間絶縁膜13を形成する。その第3の層間絶縁膜13の形成から第2の配線22の形成までは、第1実施形態の製造工程と同様である。
第2実施形態において、MISFETのソース/ドレインの一方の電極は、第1のコンタクト9と第2のコンタクト12とを介して第3の配線23に接続されている。また、他方の電極は、第1のコンタクト9、第2のコンタクト12および第3のコンタクト18を介して第2の配線22に接続されている。第2実施形態の第3の配線23は、ビット線10と異なる工程で形成される。そのため、ビット線10よりも低抵抗の配線を用いることができる。
[第3実施形態]
以下に、本発明の第3実施形態について説明を行う。図11は、第3実施形態の半導体集積回路装置の構成を例示する平面図である。第3実施形態の半導体集積回路装置は、メモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)を備えている。図11の(a)は、上から見たメモリセル部の構成を例示している。図11の(b)は、上から見た周辺MISFET領域(ロジック回路部)の構成を例示している。メモリセル部には、複数のメモリセルが配置される。周辺MISFET領域(ロジック回路部)には、複数のMISFETが配置される。図11に示されているように、第3実施形態の半導体集積回路装置は、上述の実施形態と異なる形状の第2の配線22と第3の配線23とを備えている。図11は本発明の実施例3のメモリセル部および周辺MISFET領域を表す平面図である。
以下に、本発明の第3実施形態について説明を行う。図11は、第3実施形態の半導体集積回路装置の構成を例示する平面図である。第3実施形態の半導体集積回路装置は、メモリセル部および周辺MISFET領域(ロジック回路部)を備えている。図11の(a)は、上から見たメモリセル部の構成を例示している。図11の(b)は、上から見た周辺MISFET領域(ロジック回路部)の構成を例示している。メモリセル部には、複数のメモリセルが配置される。周辺MISFET領域(ロジック回路部)には、複数のMISFETが配置される。図11に示されているように、第3実施形態の半導体集積回路装置は、上述の実施形態と異なる形状の第2の配線22と第3の配線23とを備えている。図11は本発明の実施例3のメモリセル部および周辺MISFET領域を表す平面図である。
図12は、第3実施形態の半導体集積回路装置の断面の構成を例示する断面図である。図12の(a)は、図11のA−A’における断面の構成を例示している。図12の(b)は、図11のB−B’における断面の構成を例示している。
第3実施形態の周辺MISFET領域(ロジック回路部)において、ソース/ドレインの一方の電極は、第1のコンタクト9を介して第1の配線21に接続されている。また、他方の電極は、第3のコンタクト18を介して第2の配線22に接続されている。
第3実施形態の半導体集積回路装置において、その他方の電極に接続された第1のコンタクト9の上方位置には、第1の配線21が設けられていない。また、その他方の電極に接続された第1のコンタクト9は、第3層間絶縁膜形成層33に設けられた第3のコンタクト18と、その第3のコンタクト18の下の第3の配線23とを介して、第2の配線22に電気的に接続している。
以下に、第3実施形態の半導体集積回路装置の製造工程について説明を行う。第3実施形態の半導体集積回路装置の製造工程において、第2のコンタクト12を形成するところまでは、第1実施形態の製造工程と同様である。その第2のコンタクト12を形成した後、周辺MISFET領域において、第2のコンタクト12と接続する第3の配線23を形成する。この後、第3の層間絶縁膜13の形成から第4の層間絶縁膜17の形成までは、第1実施形態の製造工程と同様である。
その第4の層間絶縁膜17を形成した後、上述の第3の配線23と接続する第3のコンタクト18を形成する。第3実施形態の半導体集積回路装置において、第3のコンタクト18は、第3の配線23を介して第2のコンタクト12に接続されている。そのため、第3のコンタクト18の製造工程において、第2のコンタクト12または第1のコンタクト9に対応する位置にコンタクトホールを設ける必要はない。第3のコンタクト18の形成が完了した後、その第3のコンタクト18と接続する第2の配線22を形成する。
図13は、第3実施形態の半導体集積回路装置の周辺MISFET領域の構成を例示する平面図である。図13は、その周辺MISFET領域において、ゲート電極数が4本配置された領域の素子の構成を例示している。また、その素子において、ソース側の電極は、基板電位を供給する電極に接続されている。
図13に示されているように、その半導体集積回路装置において、ゲート電極数が4本の周辺MISFET領域に隣接して、第2の第1導電型半導体領域20が配置されている。また、第1実施形態と同様に、MISFETのソース側の電極(図13では3箇所)を、第1の配線21を用いて、MISFETのゲート電極と平行方向に延伸し、基板電位を供給する電極である第2の第1導電型半導体領域20に接続している。
図14は、第3実施形態の半導体集積回路装置の周辺MISFET領域の断面の構成を例示する断面図である。図14は、図13のC−C’における断面の構成を例示している。図14に示されているように、MISFETのドレイン側の電極(図14では2箇所)は、第2のコンタクト12を介して第3の配線23に接続されている。さらに、第3の配線23は、第3のコンタクト18を介して第2の配線22に接続されている。
第3実施形態では、第2の配線22は、複数列設けられた第3のコンタクト18を介して第3の配線23と接続されている。そのため、第1実施形態に比べて、配線抵抗を低減させることができる。なお、第3実施形態だけでなく、第1実施形態および第2実施形態においても、MISFET上方位置における第2の配線22の線幅を広くすることができる。したがって、その場合には、第3実施形態と同様に配線抵抗を低減することができる。特に第2の配線22を電源/接地配線(MISFETのソース電位電極)とする場合には、線幅を広くすることによりソース配線抵抗を低減することができ好適な実施形態となる。
[参考例]
上述の複数の実施形態では、MISFETに備えられた2つのソース/ドレイン電極のうち、上層配線に接続するソース/ドレイン電極を特定せずに、それぞれの実施形態に関する説明を行ってきた。以下では、本実施形態に対する理解を容易にするために、MISFETのソース電極を上層配線に接続した場合に対応して、本実施形態の参考例を例示する。
上述の複数の実施形態では、MISFETに備えられた2つのソース/ドレイン電極のうち、上層配線に接続するソース/ドレイン電極を特定せずに、それぞれの実施形態に関する説明を行ってきた。以下では、本実施形態に対する理解を容易にするために、MISFETのソース電極を上層配線に接続した場合に対応して、本実施形態の参考例を例示する。
図15は、本発明を適用していない2段構成のインバータ回路のマスクレイアウトを例示するレイアウト図である。図15に示されているように、インバータ回路ブロック151は、PMISFET152と、NMISFET153とを含んでいる。PMISFET152とNMISFET153のゲート配線158は、プラグ150bを介して信号配線156に接続されている。ゲート配線158には、その信号配線156を介して信号電圧が供給される。
PMISFET152のソース電極は、プラグ150aを介してソース配線157に接続されている、PMISFET152側のソース配線157は、上層配線である電源配線154に接続されている。また、NMISFET153のソース電極は、プラグ150aを介してソース配線157に接続されている。NMISFET153側のソース配線157は、上層配線であるGND配線155に接続されている。さらに、ドレイン電極は、プラグ150aを介してドレイン配線159に接続されている。そのドレイン配線159は、上層配線(信号配線156)に接続されている。
ここで、このような本発明を適用していないインバータ回路を含む半導体集積回路装置の、チップ全体の模式レイアウトについて説明する。図16は、その2段構成のインバータ回路を含むロジック回路部166と、メモリセルアレイ部162とを備えたチップ161の構成を例示する平面図である。
電源配線154とGND配線155の線幅の細い配線は、チップを横断する形でレイアウトされている。この時、電源配線154とGND配線155の線幅を増やそうとすると、インバータ回路ブロック151の外側方向に、電源配線154とGND配線155の線幅を増やすことになり、結果としてチップ全体の面積増加となる。
次に本発明を適用した場合の半導体集積回路装置について説明を行う。図17は、本発明を適用した2段構成のインバータ回路を例示するレイアウト図である。そのレイアウト図は、2段構成のインバータ回路の上層配線にソース電極を接続し、下層配線にドレイン電極を接続したときのマスクレイアウトを例示している。
図17に示されているように、PMISFET152のソース電極は、プラグ150aから成る第2のプラグを介して上層配線(第2の配線層)である電源配線163に接続されている。同様に、NMISFET153のソース電極は、プラグ150aから成る第2のプラグを介して上層配線(第2の配線層)であるGND配線164に接続されている。
PMISFET152のドレイン電極は、プラグ150cから成る第1のプラグを介して下層配線(第1の配線層)であるドレイン配線160に接続されている。同様に、NMISFET153のドレイン電極は、プラグ150cから成る第1のプラグを介して下層配線(第1の配線層)であるドレイン配線160に接続されている。
そのドレイン配線160は、MISFETのゲート電極と平行方向に延伸されている。また、ドレイン電極は、ドレイン拡散層領域の上方ではない位置で、プラグ150dから成る第3のプラグを介して上層配線(第2の配線層)である信号配線156に接続されている。尚、インバータ回路ブロック内では、ドレイン配線160は上層配線(信号配線156)に接続しなくても良いが、回路ブロック外に引き出す場合には、上述の実施形態のように上層配線に接続する。
図18は、図17の構成のインバータ回路を含むロジック回路部と、メモリセルアレイ部と備えたチップの構成を例示する平面図である。その平面図に示されているように、本実施形態のレイアウトでは、チップ全体の面積の増加を抑制しつつ、電源配線163の幅とGND配線164の幅を広くできる。
上述の第1〜第3実施形態では、DRAM、FeRAMのようなスタック型キャパシタを有するメモリセルに本願発明を適用した場合について説明した。本願発明を、MRAMのような情報保持部を有するメモリセルに適用した場合であっても、上述の第1〜第3実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、メモリセル部と周辺MISFET領域において、同一の第1導電型半導体領域1、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、サイドウォール絶縁膜6、第2導電型半導体領域7を用いて説明したが、これらの半導体導電型、半導体不純物種類および濃度、絶縁膜種類、絶縁膜厚、導体種類、導体膜厚は、それぞれ異なっていてもよい。
また、上述の第1〜第3実施形態において、コンタクトの積層について、合同の四角形の対応する各頂点を一致させた図形を用いて説明したが、良好な電気的導通を得るために、各コンタクトの平面図は頂点が一致していなくてもまた合同な図形でなくてもよく、四角形でなくてもよい。
また、上述の第1〜第3実施形態において、MISFETのソース/ドレイン電極を拡散層もしくは半導体領域と説明したが、良好な電気的導通を得るために、当該拡散層もしくは半導体領域はシリサイド化されていてもよい。
また、第1の配線がMISFETのゲート電極と平行方向に延伸されている図を用いて説明したが、寄生容量の低減またはレイアウト面積の縮小のために、当該第1の配線は当該MISFETのゲート電極と直角な方向に延伸されていてもよい。
また、上述の第1〜第3実施形態において、層間絶縁膜上に配線を形成する製造方法を用いて説明したが、層間絶縁膜の一部に設けた溝部に配線を埋設して形成する製造方法を用いてもよい。また、配線とコンタクト(プラグ)を別の工程で形成する製造方法を用いて説明したが、配線とコンタクト(プラグ)を同一の工程で形成する製造方法を用いてもよい。
以上、本願発明の実施の形態を具体的に説明した。本願発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
1…第1導電型半導体領域
2…素子分離絶縁膜
3…素子形成領域
4…ゲート絶縁膜
5…ゲート電極
6…サイドウォール絶縁膜
7…第2導電型半導体領域
8…第1の層間絶縁膜
9…第1のコンタクト
10…ビット線
11…第2の層間絶縁膜
12…第2のコンタクト
13…第3の層間絶縁膜
14…第1の容量電極
15…容量絶縁膜
16…第2の容量電極
17…第4の層間絶縁膜
18…第3のコンタクト
20…第2の第1導電型半導体領域
21…第1の配線
22…第2の配線
23…第3の配線
31…第1層間絶縁膜形成層
32…第2層間絶縁膜形成層
33…第3層間絶縁膜形成層
34…第4層間絶縁膜形成層
35…第5層間絶縁膜形成層
101…第1導電型半導体領域
102…素子分離絶縁膜
103…素子形成領域
104…ゲート絶縁膜
105…ゲート電極
106…サイドウォール絶縁膜
107…第2導電型半導体領域
108…第1の層間絶縁膜
109…第1のコンタクト
110…ビット線
111…第2の層間絶縁膜
112…第2のコンタクト
113…第3の層間絶縁膜
114…第1の容量電極
115…容量絶縁膜
116…第2の容量電極
117…第4の層間絶縁膜
118…第3のコンタクト
119…上層の金属配線
120…第2の第1導電型半導体領域
150a…プラグ
150b…プラグ
150c…プラグ
150d…プラグ
151…インバータ回路ブロック
152…PMISFET
153…NMISFET
154…電源配線
155…GND配線
156…信号配線
157…ソース配線
158…ゲート配線
159…ドレイン配線
160…ドレイン配線
161…チップ
162…メモリセルアレイ部
163…電源配線
164…GND配線
166…ロジック回路部
2…素子分離絶縁膜
3…素子形成領域
4…ゲート絶縁膜
5…ゲート電極
6…サイドウォール絶縁膜
7…第2導電型半導体領域
8…第1の層間絶縁膜
9…第1のコンタクト
10…ビット線
11…第2の層間絶縁膜
12…第2のコンタクト
13…第3の層間絶縁膜
14…第1の容量電極
15…容量絶縁膜
16…第2の容量電極
17…第4の層間絶縁膜
18…第3のコンタクト
20…第2の第1導電型半導体領域
21…第1の配線
22…第2の配線
23…第3の配線
31…第1層間絶縁膜形成層
32…第2層間絶縁膜形成層
33…第3層間絶縁膜形成層
34…第4層間絶縁膜形成層
35…第5層間絶縁膜形成層
101…第1導電型半導体領域
102…素子分離絶縁膜
103…素子形成領域
104…ゲート絶縁膜
105…ゲート電極
106…サイドウォール絶縁膜
107…第2導電型半導体領域
108…第1の層間絶縁膜
109…第1のコンタクト
110…ビット線
111…第2の層間絶縁膜
112…第2のコンタクト
113…第3の層間絶縁膜
114…第1の容量電極
115…容量絶縁膜
116…第2の容量電極
117…第4の層間絶縁膜
118…第3のコンタクト
119…上層の金属配線
120…第2の第1導電型半導体領域
150a…プラグ
150b…プラグ
150c…プラグ
150d…プラグ
151…インバータ回路ブロック
152…PMISFET
153…NMISFET
154…電源配線
155…GND配線
156…信号配線
157…ソース配線
158…ゲート配線
159…ドレイン配線
160…ドレイン配線
161…チップ
162…メモリセルアレイ部
163…電源配線
164…GND配線
166…ロジック回路部
Claims (12)
- MISFETのゲート電極より上方に少なくともキャパシタ電極または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、
前記MISFETは、ソース拡散層とドレイン拡散層を有し、
前記ソース拡散層および前記ドレイン拡散層に接続する少なくとも1つずつの第1のプラグを有し、
前記ソース拡散層または前記ドレイン拡散層のどちらか一方に前記第1のプラグを介して接続し、前記キャパシタまたは前記情報記憶部の一部の下部電極と同一工程またはそれより前工程の配線層から成る第1の配線を有し、
当該一方のソース拡散層またはドレイン拡散層の領域の上方位置には前記第1の配線と他の配線を接続するプラグを設けておらず、
前記ソース拡散層または前記ドレイン拡散層の他方の領域の上方位置には前記第1の配線と同一工程の配線を設けておらず、
当該他方のソース拡散層またはドレイン拡散層に前記第1のプラグを介して電気的に接続して成る第2のプラグを有し、
前記第2のプラグに接続し前記キャパシタまたは前記情報記憶部の一部の上部電極より上方に位置する配線層から成る第2の配線を有することを特徴とする
半導体集積回路装置。 - 前記第2のプラグは、
前記第1のプラグに直接接続されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2のプラグは、
他の導電体を介して前記第1のプラグに電気的に接続されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第1の配線は、
前記MISFETのゲート電極と平行または垂直方向に延伸されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記ソース拡散層または前記ドレイン拡散層の少なくとも一方は、
シリサイド化されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第1の配線は、
前記ソース拡散層またはドレイン拡散層の一方の領域の上方ではない位置で、第3のプラグを介して前記第2の配線と同工程の配線層に接続されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第1のプラグは、複数の工程のプラグが積層されて成ることを特徴とする
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2のプラグは、複数の工程のプラグが積層されて成ることを特徴とする
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第3のプラグは、
複数の工程のプラグが積層されて成ることを特徴とする
請求項6に記載の半導体集積回路装置。 - 複数のメモリセルを有するメモリセルアレイ領域と、
ロジック回路領域と
を具備し、
前記メモリセルアレイ領域は、
メモリセル用MISFETと、
前記メモリセル用MISFETのゲート電極より上方に設けられ、上部ノードと下部ノードとを備えるキャパシタ電極または情報記憶部の一部と
を備え、
前記ロジック回路領域は、
ゲート電極とソース/ドレイン拡散層とドレイン/ソース拡散層とを備えるMISFETと、
前記ソース/ドレイン拡散層に電気的に接続される少なくとも1つの第1下層プラグと、
前記ドレイン/ソース拡散層に電気的に接続される少なくとも1つの第2下層プラグと、
前記第1下層プラグおよび前記第2下層プラグより上に設けられる上層プラグと、
前記下部ノードより下の配線層に設けられる第1の配線と、
前記上部ノードより上の配線層に設けられる第2の配線と
を備え、
前記第1の配線は、
前記第1下層プラグを介して前記ソース/ドレイン拡散層に電気的に接続され、
前記第2の配線は、
前記上層プラグを介して前記第2下層プラグに電気的に接続され、
前記ソース/ドレイン拡散層の領域の上方位置には前記上層プラグを設けておらず、
前記ドレイン/ソース拡散層の領域の上方位置には前記第1の配線を設けていないことを特徴とする
半導体集積回路装置。 - 請求項10に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1の配線は、
少なくとも前記ソース/ドレイン拡散層の上方位置に配置され、
前記第2の配線は、
少なくとも前記ドレイン/ソース拡散層の上方位置に配置される
半導体集積回路装置。 - 請求項10または11に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1の配線は、
前記ソース/ドレイン拡散層の領域の上方位置では他の配線と前記第1の配線とを接続するプラグに接触することなく形成される
半導体集積回路装置。
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