JP5596260B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記トランジスタを覆う第1の層間絶縁膜と、
第1の層間絶縁膜に形成された第1のホール内に充填され、前記ソース拡散層およびドレイン拡散層の一方に接続された第1の導体プラグと、
第1の層間絶縁膜に形成された第2のホール内に充填され、前記ソース拡散層およびドレイン拡散層の他方に接続された第2の導体プラグと、
第1の導体プラグ及び第2の導体プラグを覆う第2の層間絶縁膜と、
第2の層間絶縁膜を貫通する第3のホール内に充填され、第1の導体プラグに接続された第3の導体プラグと、
第3の導体プラグに接続され、第1の方向に沿って設けられた第1の配線と、
第1の配線を覆う第3の層間絶縁膜と、
第1の方向と交差する第2方向に沿って設けられた第2の配線と、
第2の配線を覆う第4の層間絶縁膜と、
第4の層間絶縁膜、第3の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を貫通し、第2の導体プラグに達し且つ第2の配線の側面が露出するように形成された第4のホールと、
第4のホールの内壁に設けられた誘電体膜と、
第4のホール内に充填され、第2の導体プラグに接続された第4の導体プラグを有し、
第4の導体プラグと第2の配線とこれらの間に挟まれた前記誘電体膜とでキャパシタが形成されている半導体装置。
第3の配線を覆う第5の層間絶縁膜をさらに有し、
前記第4のホールは、第5の層間絶縁膜、第4の層間絶縁膜、第3の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を貫通し、第2の導体プラグに達し且つ第3の配線および第2の配線の側面が露出するように形成され、
第4の導体プラグと第3の配線とこれらの間に挟まれた前記誘電体膜とでさらにキャパシタが形成されている上記1項に記載の半導体装置。
第2の配線は、ワード線の直上に重なるように配置され、
第2の導体プラグは、基板平面において、第1の配線および第2の配線が形成されていない領域へ延在し、この延在部に接続するように第4の導体プラグが配置されている上記1項に記載の半導体装置。
第2の配線はワード線の直上に重なるように配置され、
第3の配線はビット線の直上に重なるように配置され、
第2の導体プラグは、基板平面において、第1の配線、第2の配線および第3の配線が形成されていない領域へ延在し、この延在部に接続するように第4の導体プラグが配置されている上記2項に記載の半導体装置。
第4の導体プラグとして、第1の配線を挟んで、一方の延在部に接続する導体プラグと他方の延在部に接続する導体プラグが設けられている上記3項又は4項に記載の半導体装置。
前記半導体基板上に形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するトランジスタを備えた周辺回路を有し、
前記周辺回路の形成領域において、
第2の層間絶縁膜上に、第1の配線と同じ材料の配線層が形成され、
第3の層間絶縁膜上に、第2の配線と同じ材料の配線層が形成されている上記1項又は3項に記載の半導体装置。
前記半導体基板上に形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するトランジスタを備えた周辺回路を有し、
前記周辺回路の形成領域において、
第2の層間絶縁膜上に、第1の配線と同じ材料の配線層が形成され、
第3の層間絶縁膜上に、第2の配線と同じ材料の配線層が形成され、
第4の層間絶縁膜上に、第3の配線と同じ材料の配線層が形成されている上記2項又は4項に記載の半導体装置。
前記トランジスタを覆う第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
第1の層間絶縁膜に第1のホール及び第2のホールを形成し、第1のホール及び第2のホール内に充填され、第1のトランジスタのソース拡散層およびドレイン拡散層の一方および他方にそれぞれ接続された第1の導体プラグ及び第2の導体プラグを形成する工程と、
第1の導体プラグ及び第2の導体プラグを覆う第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
第2の層間絶縁膜を貫通する第3のホールを形成し、第3のホール内に充填され、第1の導体プラグに接続された第3の導体プラグを形成する工程と、
第3の導体プラグに接続し、第1の方向に沿った第1の配線を形成する工程と、
第1の配線を覆う第3の層間絶縁膜を形成する工程と、
第1の方向と交差する第2方向に沿った第2の配線を形成する工程と、
第2の配線を覆う第4の層間絶縁膜を形成する工程と、
第4の層間絶縁膜、第3の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を貫通し、第2の導体プラグに達し且つ第2の配線の側面が露出するように形成された第4のホールを形成する工程と、
第4のホールの内壁に誘電体膜を形成する工程と、
第4のホール内に充填され、第2の導体プラグに接続された第4の導体プラグを形成し、第4の導体プラグと第2の配線とこれらの間に挟まれた前記誘電体膜とでキャパシタが形成される工程を有する半導体装置の製造方法。
第1の配線の形成と同時に、第1の配線と同じ材料で第2の層間絶縁膜上に前記周辺回路トランジスタに電気的に接続する第1の周辺回路配線層を形成し、
第2の配線の形成と同時に、第2の配線と同じ材料で第3の層間絶縁膜上に前記周辺回路トランジスタに電気的に接続する第2の周辺回路配線層を形成する上記8項に記載の半導体装置の製造方法。
2.素子分離用酸化膜
10.活性領域
14.ゲート絶縁膜
20.ワード線(ゲート電極)
20a.ポリシリコン層
20b.窒化タングステン層
20c.タングステン層
21.キャップ窒化シリコン層
22.層間絶縁膜
23.ゲート電極
23a.ポリシリコン層
23b.窒化タングステン層
23c.タングステン層
30.キャパシタコンタクトプラグ
31.ビット線コンタクトプラグ
31a.ビット線コンタクトプラグ下部
31b.ビット線コンタクトプラグ上部
32.キャパシタ用ホールパターンストッパ用窒化シリコン膜
33.層間絶縁膜
34.コンタクトプラグ
40.ビット線(データ線)
41.配線
50.ビット線と直交するセル内配線
50a.窒化チタン層
50b.アルミニウム層
50c.窒化チタン層
50d.キャップ窒化シリコン層
5n.ビット線と直交するセル内配線
5na.窒化チタン層
5nb.アルミニウム層
5nc.窒化チタン層
5nd.キャップ窒化シリコン層
60.ワード線と直交するセル内配線
60a.窒化チタン層
60b.アルミニウム層
60c.窒化チタン層
60d.キャップ窒化シリコン層
6n.ワード線と直交するセル内配線
6na.窒化チタン層
6nb.アルミニウム層
6nc.窒化チタン層
6nd.キャップ窒化シリコン層
70.層間絶縁膜
71.層間絶縁膜
7n.層間絶縁膜
80.層間絶縁膜
8n.層間絶縁膜
90.キャパシタ用ホールパターン
91.キャパシタ用ホールパターン
92.容量絶縁膜
93.蓄積電極
94.容量絶縁膜保護膜
98.層間絶縁膜
99.層間絶縁膜
150.セル内配線50と同時に形成する周辺回路用配線
150a.窒化チタン層
150b.アルミニウム層
150c.窒化チタン層
150d.キャップ窒化シリコン層
15n.セル内配線5nと同時に形成する周辺回路用配線
15na.窒化チタン層
15nb.アルミニウム層
15nc.窒化チタン層
15nd.キャップ窒化シリコン層
160.セル内配線60と同時に形成する周辺回路用配線
160a.窒化チタン層
160b.アルミニウム層
160c.窒化チタン層
160d.キャップ窒化シリコン層
16n.セル内配線6nと同時に形成する周辺回路用配線
16na.窒化チタン層
16nb.アルミニウム層
16nc.窒化チタン層
16nd.キャップ窒化シリコン層
200.ビアプラグ
20n.ビアプラグ
210.ビアプラグ
21n.ビアプラグ
Claims (6)
- 半導体基板上に形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するトランジスタと、
前記トランジスタを覆う第1の層間絶縁膜と、
第1の層間絶縁膜に形成された第1のホール内に充填され、前記ソース拡散層およびドレイン拡散層の一方に接続された第1の導体プラグと、
第1の層間絶縁膜に形成された第2のホール内に充填され、前記ソース拡散層およびドレイン拡散層の他方に接続された第2の導体プラグと、
第1の導体プラグ及び第2の導体プラグを覆う第2の層間絶縁膜と、
第2の層間絶縁膜を貫通する第3のホール内に充填され、第1の導体プラグに接続された第3の導体プラグと、
第3の導体プラグに接続され、第1の方向に沿って設けられた第1の配線と、
第1の配線を覆う第3の層間絶縁膜と、
第1の方向と交差する第2の方向に沿って設けられた第2の配線と、
第2の配線を覆う第4の層間絶縁膜と、
第4の層間絶縁膜、第3の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を貫通し、第2の導体プラグに達し且つ第2の配線の側面が露出するように形成された第4のホールと、
第4のホールの内壁に設けられた誘電体膜と、
第4のホール内に充填され、第2の導体プラグに接続された第4の導体プラグを有し、
第4の導体プラグと第2の配線とこれらの間に挟まれた前記誘電体膜とでキャパシタが形成され、
第1の配線の直上に第1の方向に沿って設けられた第3の配線と、
第3の配線を覆う第5の層間絶縁膜をさらに有し、
前記第4のホールは、第5の層間絶縁膜、第4の層間絶縁膜、第3の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を貫通し、第2の導体プラグに達し且つ第3の配線および第2の配線の側面が露出するように形成され、
第4の導体プラグと第3の配線とこれらの間に挟まれた前記誘電体膜とでさらにキャパシタが形成されている半導体装置。 - 半導体基板上に形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するトランジスタと、
前記トランジスタを覆う第1の層間絶縁膜と、
第1の層間絶縁膜に形成された第1のホール内に充填され、前記ソース拡散層およびドレイン拡散層の一方に接続された第1の導体プラグと、
第1の層間絶縁膜に形成された第2のホール内に充填され、前記ソース拡散層およびドレイン拡散層の他方に接続された第2の導体プラグと、
第1の導体プラグ及び第2の導体プラグを覆う第2の層間絶縁膜と、
第2の層間絶縁膜を貫通する第3のホール内に充填され、第1の導体プラグに接続された第3の導体プラグと、
第3の導体プラグに接続され、第1の方向に沿って設けられた第1の配線と、
第1の配線を覆う第3の層間絶縁膜と、
第1の方向と交差する第2の方向に沿って設けられた第2の配線と、
第2の配線を覆う第4の層間絶縁膜と、
第4の層間絶縁膜、第3の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を貫通し、第2の導体プラグに達し且つ第2の配線の側面が露出するように形成された第4のホールと、
第4のホールの内壁に設けられた誘電体膜と、
第4のホール内に充填され、第2の導体プラグに接続された第4の導体プラグを有し、
第4の導体プラグと第2の配線とこれらの間に挟まれた前記誘電体膜とでキャパシタが形成され、
前記トランジスタ及び前記キャパシタを含むメモリセルと、前記ゲート電極を構成するワード線と、前記第1の配線を構成するビット線がマトリックス配置されたメモリセルアレイを有し、
第2の配線は、ワード線の直上に重なるように配置され、
第2の導体プラグは、基板平面において、第1の配線および第2の配線が形成されていない領域へ延在し、この延在部に接続するように第4の導体プラグが配置されている半導体装置。 - 前記トランジスタ及び前記キャパシタを含むメモリセルと、前記ゲート電極を構成するワード線と、前記第1の配線を構成するビット線がマトリックス配置されたメモリセルアレイを有し、
第2の配線はワード線の直上に重なるように配置され、
第3の配線はビット線の直上に重なるように配置され、
第2の導体プラグは、基板平面において、第1の配線、第2の配線および第3の配線が形成されていない領域へ延在し、この延在部に接続するように第4の導体プラグが配置されている請求項1に記載の半導体装置。 - 第2の導体プラグは、基板平面において、第2の方向に沿って両方に延在し、
第4の導体プラグとして、第1の配線を挟んで、一方の延在部に接続する導体プラグと他方の延在部に接続する導体プラグが設けられている請求項2又は3に記載の半導体装置。 - 前記トランジスタ及び前記キャパシタを含むメモリセルと、前記ゲート電極を構成するワード線と、前記第1の配線を構成するビット線がマトリックス配置されたメモリセルアレイと、
前記半導体基板上に形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するトランジスタを備えた周辺回路を有し、
前記周辺回路の形成領域において、
第2の層間絶縁膜上に、第1の配線と同じ材料の配線層が形成され、
第3の層間絶縁膜上に、第2の配線と同じ材料の配線層が形成されている請求項2に記載の半導体装置。 - 前記トランジスタ及び前記キャパシタを含むメモリセルと、前記ゲート電極を構成するワード線と、前記第1の配線を構成するビット線がマトリックス配置されたメモリセルアレイと、
前記半導体基板上に形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するトランジスタを備えた周辺回路を有し、
前記周辺回路の形成領域において、
第2の層間絶縁膜上に、第1の配線と同じ材料の配線層が形成され、
第3の層間絶縁膜上に、第2の配線と同じ材料の配線層が形成され、
第4の層間絶縁膜上に、第3の配線と同じ材料の配線層が形成されている請求項1又は3に記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195861A JP5596260B2 (ja) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
US12/180,612 US20090026517A1 (en) | 2007-07-27 | 2008-07-28 | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US12/987,695 US20110104865A1 (en) | 2007-07-27 | 2011-01-10 | Method of fabricating a semiconductor device |
US13/197,268 US8957467B2 (en) | 2007-07-27 | 2011-08-03 | Method of fabricating a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195861A JP5596260B2 (ja) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009032932A JP2009032932A (ja) | 2009-02-12 |
JP5596260B2 true JP5596260B2 (ja) | 2014-09-24 |
Family
ID=40294483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007195861A Expired - Fee Related JP5596260B2 (ja) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20090026517A1 (ja) |
JP (1) | JP5596260B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219139A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010219326A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR101616044B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2016-04-28 | 삼성전자주식회사 | 무전해 도금에 의해 형성된 랜딩 패드를 포함한 반도체 소자 |
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CN116322044B (zh) * | 2023-05-19 | 2023-08-08 | 西安电子科技大学杭州研究院 | 一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4190871B2 (ja) | 1995-01-31 | 2008-12-03 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
DE19543539C1 (de) | 1995-11-22 | 1997-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Speicherzellenanordnung |
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JPWO2003052829A1 (ja) | 2001-12-14 | 2005-04-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP4446179B2 (ja) | 2005-02-02 | 2010-04-07 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-07-27 JP JP2007195861A patent/JP5596260B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-28 US US12/180,612 patent/US20090026517A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-01-10 US US12/987,695 patent/US20110104865A1/en not_active Abandoned
- 2011-08-03 US US13/197,268 patent/US8957467B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090026517A1 (en) | 2009-01-29 |
JP2009032932A (ja) | 2009-02-12 |
US8957467B2 (en) | 2015-02-17 |
US20110284941A1 (en) | 2011-11-24 |
US20110104865A1 (en) | 2011-05-05 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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