KR100862985B1 - 발광다이오드칩을 사용한 발광장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

배선기판(11)에 형성한 제1전극패턴(12) 및 제2전극패턴(13)과, 상기 제2전극패턴(13)에 탑재한 LED칩(19)과, 이 LED칩(19) 및 상기 제1전극패턴(12) 상호간을 전기적으로 접속하는 금속선(20)과, 상기 LED칩(19) 및 금속선(20)을 패키지하는 투명합성수지에 의한 렌즈체(21)로 이루어지는 발광장치에 있어서, 상기 제1전극패턴(12)을 원형으로 하고, 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부(14)를 형성하며, 이 관통구멍부(14) 내에 상기 제2전극패턴(13)을 설치함으로써, 상기 전극패턴에 의한 빛의 반사를 확보한 상태에서, 상기 렌즈체(21)를 소정의 렌즈체로서의 형상으로 한다.

Description

발광다이오드칩을 사용한 발광장치 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE UTILIZING LED CHIP AND METHOD OF MAKING THE SAME}
본 발명은 배선기판 등에 탑재한 발광다이오드(LED)칩을, 투명한 합성수지제의 렌즈체로 패키지하여 이루어지는 구조의 발광장치와, 그 제조방법에 관한 것이다.
이 종류의 발광장치는, 일반적으로 배선기판의 상면에, 한쌍을 이루는 제1전극패턴 및 제2전극패턴을 형성하고, 제2전극패턴의 상면에 LED칩을 탑재하며, 이 LED칩과 상기 제1전극패턴 사이를 가는 금속선에 의한 와이어본딩으로 전기적으로 접속하는 한편, 상기 배선기판의 상면 중 상기 LED칩의 부분에, 투명합성수지에 의한 렌즈체를, 상기 렌즈체로 상기 LED칩 및 금속선을 패키지하도록 형성하는 구성이다.
선행기술로서의 일본 특허공개 평4-28269호 공보는, 도 10 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 배선기판(1)의 상면에 제2전극패턴(2)을, 금속선으로 평면에서 볼때 원형으로 하여 형성하고, 그 원형의 중심에 LED칩(3)을 탑재하는 한편, 상기 원형의 제2전극패턴(2)에, 그 외주에서 상기 LED칩(3)을 향하여 안쪽방향으로 연장되는 슬릿홈(4)을 형성하고, 상기 배선기판(1)의 상면 중 상기 슬릿홈(4) 내의 부분에, 금속막에 의한 제1전극패턴(5)을 반경방향의 외향으로 연장되도록 형성하고, 이 제1전극패턴(5)의 선단과 상기 LED칩(3) 사이를, 가는 금속선(6)에 의한 와이어본딩으로 전기적으로 접속한 후, 상기 원형의 제2전극패턴(2)의 상면에 투명합성수지를 액체의 상태로 적당량을 적하하여 대략 반구형상으로 만들고, 이 상태에서 경화함으로써 렌즈체(7)를 형성하는 것을 제안하고 있다.
이 선행기술은, 제2전극패턴(2)을 금속막으로 원형으로 하여 형성하고, 그 상면에 렌즈체(7)를 설치하는 구성인 것에 의해, 상기 원형의 제2전극패턴(2)이 LED칩(3)이 발하는 빛의 반사막으로 되기 때문에, 발광한 빛의 휘도를 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다.
그러나, 그 반면, 상기 원형의 제2전극패턴(2)에 그 외주로부터 상기 LED칩(3)을 향해서 연장되는 슬릿홈(4)을 형성하고, 이 슬릿홈(4) 내에 금속막에 의한 제1전극패턴(5)을, 반경방향 외향으로 연장되도록 형성한 구성인 것에 의해, 이하에 서술하는 바와 같은 문제가 있다.
즉, 상기 원형의 제2전극패턴(2)의 상면에, 상기 렌즈체(7)를 형성하기 위한 투명합성수지를 액체의 상태로 적하하였을 때, 이 액체의 투명합성수지는 원형의 제2전극패턴(2)의 상면을 따라서 반경방향 외향으로 퍼진 후, 상기 제2전극패턴(2)의 외주원의 가장자리에 이르고, 그 표면장력에 의해 제2전극패턴의 상면에 대략 반구형으로 불룩하게 되어, 이 상태에서 경화하여 렌즈체(7)로 된다.
그러나, 상기 제2전극패턴(2)의 외주원의 가장자리는, 상기 제1전극패턴(5)을 형성하는 슬릿홈(4)의 부분에서 부분적으로 분단되어 있는 것에 더하여, 이 슬 릿홈(4)의 부분에는 상기 제1전극패턴(5)이 외측으로 연장되도록 설치되어 있음으로써, 상기 제2전극패턴(2)에 대하여 적하한 액체의 투명합성수지의 일부는, 상기 슬릿홈(4)의 부분, 즉 상기 제1전극패턴(5)의 부분에 있어서, 상기 제1전극패턴(5)의 상면을 따라 이동하여 상기 제2전극패턴(2)에서의 외주원의 가장자리보다 더욱 외측으로 퍼지도록 불거지게 된다.
그 결과, 경화된 후의 렌즈체(7)는, 평면에서 볼 때에 상기 제2전극패턴(2)의 형상과 같은 완전 둥근 원으로 되지 않고, 상기 제1전극패턴(5)의 부분에 있어서 부분적으로 불룩해진 것과 같이 찌그러진 형상으로 됨과 아울러, 렌즈체(7)의 형상을 다수개에 대하여 대략 동일한 형상으로 맞출 수 없어 렌즈형상의 편차가 큰 것이다.
그래서, 상기 선행기술에 있어서는, 이 문제를 피하기 위하여 상기 원형의 제2전극패턴(2)의 상면에, 도 12에 나타낸 바와 같이, LED칩(3) 및 금속선(6)이 둘러싸도록 원형 링형상으로 한 댐링(dam ring)(8)을 형성하고, 이 댐링(8) 내에 액체의 투명합성수지를 적하함으로써, 렌즈체(7)를 원하는 대로의 형상으로 함과 아울러 렌즈형상의 편차를 작게 하도록 하고 있다.
그러나, 원형의 제2전극패턴(2)의 상면에 댐링(8)을 형성하는 것은, 그만큼 제조비용이 상승하여 가격의 상승을 초래할 뿐만 아니라, LED칩(3)으로부터의 빛의 방사가 이 댐링(8)으로 차단되어 광량이 저하되게 된다는 문제가 있다.
본 발명은 이들 문제를 해소한 발광장치의 구조와, 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 하는 것이다.
본 발명의 제1의 국면은, 발광장치의 구조에 관한 것으로, 배선기판의 표면에 금속막으로 형성한 제1전극패턴 및 제2전극패턴과, 상기 제2전극패턴에 탑재한 LED칩과, 이 LED칩 및 상기 제1전극패턴 상호간을 전기적으로 접속하는 금속선과, 상기 배선기판의 표면에서 상기 LED칩 및 금속선을 패키지하는 투명합성수지에 의한 렌즈체로 이루어지는 발광장치에 있어서, 상기 제1전극패턴을 원형으로 하고, 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부를 형성하고, 이 관통구멍부 내에 상기 제2전극패턴을 설치한 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이, 제1전극패턴을 원형으로 하고, 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부를 형성하고, 이 관통구멍부 내에 상기 제2전극패턴을 설치하는 구성으로 하면, 상기 원형의 제1전극패턴은 LED칩을 탑재하는 제2전극패턴의 주위의 전체를 완전히 둘러쌈과 아우러, 상기 제1전극패턴의 외주원의 가장자리는 원의 도중에 분단부분이 없는 완전히 닫혀지도록 연속된 원으로 됨으로써, 투명합성수지에 의한 렌즈체를 형성할 때에, 상기 제1전극패턴에 대하여 액체의 투명합성수지의 적절량을 적하하였을 때, 이 액체의 투명합성수지는 원형의 제1전극패턴의 상면을 따라 이동하여 반경방향 외향으로 퍼진 후, 상기 제1전극패턴의 외주원의 가장자리에 이르고, 그 표면장력으로 제1전극패턴의 상면에 상기 외주원의 가장자리의 전체로부터 불거지는 일이 없는 상태로 대략 반구형상으로 불룩해지게 되기 때문에, 상기 선행기술의 경우와 같이 불룩해진 액체의 투명합성수지가 상기 외주원의 가장자리의 일부에서 외측으로 불거져서 렌즈체가 찌그러진 형상으로 되는 것을 확실하게 회피할 수 있 다.
또, 상기 원형의 제1전극패턴 및, 이 제1전극패턴에 있어서의 관통구멍부 내에서의 제2전극패턴은, 모두 금속막인 것에 의해 LED칩이 발하는 빛을 배선기판으로부터 멀어지는 방향으로 반사한다고 하는 반사로 되는 것이다.
따라서, 제1의 국면에 의하면, LED칩으로부터의 빛을 각 전극패턴에서 렌즈체의 방향으로 확실하게 반사할 수 있는 한편, 상기 렌즈체를 소정 형상으로 할 수 있음과 아울러, 렌즈형상의 편차를 작게 할 수 있고, 게다가 상기 선행기술과 같이 렌즈체를 둘러싸는 댐링을 필요로 하지 않으므로 빛의 휘도를 높일 수 있는 효과를 갖는다.
다음에, 제2의 국면은, 마찬가지로 발광장치의 구조에 관한 것이고, 배선기판의 표면에 금속막으로 형성한 제1전극패턴 및 제2전극패턴과, 상기 제2전극패턴에 탑재한 LED칩과, 이 LED칩 및 상기 제1전극패턴의 상호간을 전기적으로 접속하는 금속선과, 상기 배선기판의 표면에 있어서 상기 LED칩 및 금속선을 패키지하는 투명합성수지에 의한 렌즈체로 이루어지는 발광장치에 있어서, 상기 제1전극패턴을 원형으로 하고, 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부를 형성하는 한편, 상기 제2전극패턴을 복수개로 하고, 이 각 제2전극패턴을 상기 제1전극패턴에서의 관통구멍부 내에 상기 원형의 제1전극패턴과 대략 동심원의 원주방향을 따라서 대략 같은 간격으로 하여 형성하고, 또한, 상기 각 제2전극패턴에 탑재한 LED칩과 상기 제1전극패턴을 전기적으로 접속하는 금속선을 반경방향 외향의 방사상으로 연장하도록 설치한 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이 구성함으로써, 하나의 렌즈체에 복수개의 LED칩을 설치하는 경우에 있어서, 각 LED칩에 대한 금속선이 반경방향 외향의 방사상으로 연장되어 있음으로써, 상기 제1전극패턴에 대하여 적하된 액체의 투명합성수지에서의 반경방향 외향으로의 흐름은, 상기 각 금속선의 부분에서 대략 동일하게 되고, 상기 액체의 투명합성수지는 확실하게 완전 둥근 원으로 퍼지므로, 복수개의 LED칩을 구비한 발광장치에 있어서 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또, 상기 제1의 국면 및 제2의 국면에 있어서는, 상기 배선기판의 이면에, 상기 제1전극패턴 및 제2전극패턴에 배선기판에서의 스루홀을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴을 형성함으로써, 상기 제1전극패턴 및 제2전극패턴에 대한 통전을 배선기판에 있어서의 이면측의 통전용 배선패턴으로 행할 수 있기 때문에, 통전용 배선패턴의 형성을 용이하게 할 수 있다.
그리고 또, 상기 제2의 국면에 있어서는, 상기 제1전극패턴 중 상기 관통구멍의 내주가장자리의 부분에, 상기 각 제2전극패턴 사이로의 삽입부를 형성함으로써, 상기 제1전극패턴에 있어서의 빛의 반사면을, 각 제2전극패턴 사이의 부부까지 확대할 수 있으므로, 빛의 휘도 향상을 더욱 도모할 수 있다.
그리고, 본 발명의 제3의 국면은, 발광장치의 제조방법에 관한 것이고, 배선기판에 금속막에 의한 제1전극패턴을 원형으로 하고 또한 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부를 마련하여 형성함과 아울러, 상기 관통구멍부 내에 금속막에 의한 제2전극패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2전극패턴에 LED칩을 탑재하는 공정과, 상기 LED칩과 상기 제1전극패턴의 사이를 금속선으로 전기적으로 접속하는 공정과, 상기 제1전극패턴에 대하여 액체의 투명합성수지를 그 투명합성수지가 상기 LED칩 및 금속선을 덮어 불룩하게 되도록 적하한 후 경화하여 렌즈체로 하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.
이 제조방법에 의하면, 상기의 효과를 갖는 발광장치를 상기 선행기술과 같이 렌즈체를 둘러싸는 댐링을 사용하지 않고 저비용으로 제조할 수 있는 효과를 갖는다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점은 이하 첨부도면에 기초하여 설명하는 실시형태에 의해 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명에 있어서의 제1실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.
도 3은 본 발명에 있어서의 제2실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선 단면도이다.
도 5는 본 발명에 있어서의 제3실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도이다.
도 7은 본 발명에 있어서의 제4실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 8은 상기 제4실시형태의 주요부를 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ선 단면도이다.
도 10은 선행기술의 예를 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 10의 XI-XI선 단면도이다.
도 12는 다른 선행기술의 예를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 제1실시형태를 나타낸다. 이 제1실시형태는 하나의 LED칩을 사용한 경우이다.
이 도면에 있어서, 부호 11은 예컨대 유리에폭시수지(유리섬유를 에폭시수지로 굳힌 것) 등의 절연체제의 배선기판을 나타내고, 이 배선기판(11)의 상면에, 예를 들면 동박의 표면에 니켈도금층을 밑바탕으로 하여 금도금층을 형성하여 이루어지는 금속막에 의한 제1전극패턴(12) 및 제2전극패턴(13)을 형성한다.
이 경우에 있어서, 상기 제1전극패턴(12)은 직경(D)의 원형이며, 이 제1전극패턴(12)에 있어서의 중심부분에 무전극의 관통구멍(14)을 형성하는 한편, 상기 제2전극패턴(13)을 소경(d)의 원형으로 하고, 이 제2전극패턴(13)을 상기 제1전극패턴(12)에 있어서의 관통구멍(14) 내에 상기 제1전극패턴(12)에 연결되지 않는 섬형상으로 독립하여 형성하도록 한다.
또, 상기 배선기판(11)에 있어서의 하면에, 상기 제1전극패턴(12)에 대한 통전용 배선패턴(15)과, 상기 제2전극패턴(13)에 대한 통전용 배선패턴(16)을 형성하고, 이들 각 통전용 배선패턴(15, 16)과, 상기 양 전극패턴(12, 13)을 배선기판(11)을 관통하는 스루홀(17, 18)로 전기적으로 접속한다.
그리고, 상기 제2전극패턴(13)에 있어서의 상면 중 상기 제1전극패턴(12)에서의 원의 중심 부위에, LED칩(19)을 다이본딩으로 탑재한 후, 이 LED칩(19)과, 상 기 제1전극패턴(12) 사이를 가는 금속선(20)에 의한 와이어본딩으로 전기적으로 접속한다.
이어서, 상기 배선기판(11)의 상면 중 상기 제1전극패턴(12)의 부분(바람직하게는 제1전극패턴(12)에서의 대략 중심부분)에, 종래부터 잘 알려져 있는 본딩방법에 의해, 에폭시수지 등의 투명합성수지를 액체의 상태로 적당량 적하한다.
이 경우에 있어서, 상기 원형의 제1전극패턴(12)은, LED칩(19)을 탑재하는 제2전극패턴(13)의 주위의 전체를 완전히 둘러쌈과 아울러, 상기 제1전극패턴(12)의 외주원의 가장자리는, 원의 도중에 분단부분이 없는 완전히 닫혀지도록 연속된 원으로 되어 있음으로써, 이것에 적하하는 액체의 투명합성수지는 원형의 제1전극패턴(12)의 상면을 따라 이동하여 반경방향 외향으로 퍼진 후, 상기 제1전극패턴(12)의 외주원의 가장자리에 이르고, 그 표면장력으로 제1전극패턴(12)의 상면에, 상기 외주원의 가장자리의 전체로부터 불거지는 일이 없는 상태로 대략 반구형상으로 불룩하게 된다.
그래서, 상기와 같이 불룩해진 액체의 투명합성수지를 가열로 경화하거나, 자외선의 조사 등으로 경화함으로써, 대략 반구형상의 렌즈체(21)를, 상기 렌즈체(21)로 상기 LED칩(19) 및 금속선(20)을 패키지하도록 하여 형성할 수 있다.
다음에, 도 3 및 도 4는 제2실시형태를 나타낸다. 이 제2실시형태는 같은 색이나 또는 다른 색을 발광하는 2개의 LED칩(19a, 19a')을 사용한 경우이다.
이 도면에 있어서, 부호 11a는 절연체제의 배선기판을 나타내고, 이 배선기판(11a)의 상면에는 상기 제1실시형태와 마찬가지로 금속막에 의한 제1전극패턴(12a) 및 2개의 제2전극패턴(13a, 13a')을 형성한다.
이 경우에 있어서, 상기 제1전극패턴(12a)은 직경(D)의 원형이고, 이 제1전극패턴(12a)에 있어서의 중심부분에 무전극의 관통구멍(14a)을 형성하는 한편, 상기 2개의 제2전극패턴(13a, 13a')을 소경(d)의 원형으로 하고, 이 양 제2전극패턴(13a, 13a')을 상기 제1전극패턴(12a)에서의 관통구멍(14a) 내에, 평면에서 볼(도 3) 때에, 상기 제1전극패턴(12a)에서의 원의 중심, 또는 그 근방을 중심으로 하는 반경(r)의 원(s), 즉, 상기 원형의 제1전극패턴(12a)과 대략 동심원(s)의 원주방향을 따라서 같은 간격으로 하여 섬형상으로 독립하여 배치된다.
또, 상기 배선기판(11a)의 하면에 상기 제1전극패턴(12a)에 스루홀(17a)을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴(15a), 상기 양 제2전극패턴(13a, 13a') 중 한쪽의 제2전극패턴(13a)에 스루홀(18a)을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴(16a) 및, 다른쪽의 제2전극패턴(13a')에 스루홀(18a')을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴(16a')을 각각 형성한다.
그리고, 상기 양 제2전극패턴(13a, 13a')에 있어서의 상면 중 그 대략 중심의 각각에, LED칩(19a, 19a')을 다이본딩으로 탑재한 후, 이 양 LED칩(19a, 19a')과, 상기 제1전극패턴(12a) 사이의 각각을 가는 금속선(20a, 20a')에 의한 와이어본딩으로 전기적으로 접속한다.
이 경우에 있어서, 상기 양 금속선(20a, 20a')은 평면에서 볼(도 3) 때에 있어서, 그 각각에 있어서의 LED칩(19a, 19a')으로부터 서로 반대의 방향으로 연장되 도록, 즉 반경방향 외향의 방사상으로 연장되도록 설치한다.
이어서, 상기 제1실시형태의 경우와 마찬가지로, 상기 배선기판(11a) 상면 중 상기 제1전극패턴(12a)의 부분(바람직하게는 제1전극패턴(12a)에 있어서의 대략 중심부분)에, 투명합성수지를 액체의 상태로 적당량 적하하고, 이 액체의 투명합성수지를 대략 반구형상으로 불룩하게 되도록 하고 이 상태에서 경화함으로써, 대략 반구형의 렌즈체(21a)를, 상기 렌즈체(21a)로 상기 양 LED칩(19a, 19a') 및 금속선(20a, 20a')을 패키지하도록 해서 형성할 수 있다.
이 경우에 있어서, 상기 양 LED칩(19a, 19a')에 대한 금속선(20a, 20a')은 서로 반대의 방향으로 연장되도록, 즉 반경방향 외향의 방사상으로 연장되어 있음으로써, 상기 제1전극패턴(12a)에 대하여 적하한 액체의 투명합성수지에 있어서의 반경방향 외향으로의 흐름은, 상기 양 금속선(20a, 20a')의 부분에서 대략 동일하게 되기 때문에, 상기 액체의 투명합성수지는 평면에서 볼 때(도 3)에 있어서, 확실하게 완전 둥근 원으로 퍼지는 것이다.
또, 상기 제1전극패턴(12a) 중 그 관통구멍(14a)의 내주 가장자리의 부분에는, 상기 각 제2전극패턴(13a, 13a') 사이로의 삽입부(12a', 12a")를 구비하고 있다. 이 삽입부(12a', 12a")를 구비하고 있음으로써 제1전극패턴(12a)에 있어서의 빛의 반사면을 각 제2전극패턴(13a, 13a') 사이의 부분까지 확대할 수 있다.
다음에, 도 5 및 도 6은 제3실시형태를 나타낸다.
이 제3실시형태는 적색발광 LED칩(19b), 녹색발광 LED칩(19b') 및 청색발광 LED칩(19b") 3가지의 LED칩을 사용한 경우이다.
이 도면에 있어서, 부호 11b는 절연체제의 배선기판을 나타내고, 이 배선기판(11b)의 상면에는 상기 제1 및 제2실시형태와 마찬가지로 금속막에 의한 제1전극패턴(12b) 및 3개의 제2전극패턴(13b, 13b', 13b")을 형성한다.
이 경우에 있어서, 상기 제1전극패턴(12b)은 직경(D)의 원형이고, 이 제1전극패턴(12b)에 있어서의 중심부분에 무전극의 관통구멍(14b)을 형성하는 한편, 상기 3개의 제2전극패턴(13b, 13b', 13b")을 소경(d)의 원형으로 하고, 이 각 제2전극패턴(13b, 13b', 13b")을 상기 제1전극패턴(12b)에서의 관통구멍(14b) 내에, 평면에서 볼 때(도 5)에 있어서, 상기 제1전극패턴(12b)에 있어서의 원의 중심, 또는 그 근방을 중심으로 하는 반경(r)의 원(s), 즉 상기 원형의 제1전극패턴(12b)과 대략 동심원(s)의 원주방향을 따라서 120도의 대략 같은 간격으로 하여 섬형상으로 독립하여 설치한다.
또, 상기 배선기판(11b)의 하면에, 상기 제1전극패턴(12b)에 스루홀(17b)을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴(15b), 상기 각 제2전극패턴(13b, 13b', 13b") 중 하나의 제2전극패턴(13b)에 스루홀(18b)을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴(16b), 다른 하나의 제2전극패턴(13b')에 스루홀(18b')을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴(16b') 및, 또 다른 하나의 제2전극패턴(13b")에 스루홀(18b")을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴(16b")을 각각 형성한다.
그리고, 상기 각 제2전극패턴(13b, 13b', 13b") 중 하나의 제2전극패턴(13b)에는, 적색발광 LED칩(19b)을, 다른 하나의 제2전극패턴(13b')에는 녹색발광 LED칩(19b')을, 그리고 또 다른 하나의 제2전극패턴(13b")에는 청색발광 LED칩(19b")을 다이본딩으로 탑재한 후, 이 각 LED칩(19b, 19b', 19b")과, 상기 제1전극패턴(12b) 사이의 각각을, 가는 금속선(20b, 20b', 20b")에 의한 와이어본딩으로 전기적으로 접속한다.
이 경우에 있어서, 상기 각 금속선(20b, 20b', 20b")은 평면에서 볼 때(도 5)에 있어서, 반경방향 외향의 방사상으로 연장되도록 설치한다.
이어서, 상기 제1 및 제2실시형태의 경우와 마찬가지로, 상기 배선기판(11b)의 상면 중 상기 제1전극패턴(12b)의 부분(바람직하게는 제1전극패턴(12b)에 있어서의 대략 중심부분)에, 투명합성수지를 액체의 상태로 적당량 적하하고, 이 액체의 투명합성수지를 대략 반구형상으로 불룩하게 되도록 하여 이 상태에서 경화함으로써, 대략 반구형의 렌즈체(21b)를, 상기 렌즈체(21b)로 상기 각 LED칩(19b, 19b', 19b") 및 금속선(20b, 20b', 20b")을 패키지하도록 하여 형성할 수 있다.
이 경우에 있어서, 상기 각 LED칩(19b, 19b', 19b")에 대한 금속선(20b, 20b', 20b")은, 반경방향 외향의 방사상으로 연장되어 있음으로써, 상기 제1전극패턴(12b)에 대하여 적하한 액체의 투명합성수지에 있어서의 반경방향 외향으로의 흐름은, 상기 각 금속선(20b, 20b', 20b")의 부분에서 대략 동일하게 되므로, 상기 액체의 투명합성수지는 평면에서 볼 때(도 5)에 있어서 확실하게 완전 둥근 원으로 퍼지는 것이다.
또, 이 제3실시형태에 있어서도, 상기 제1전극패턴(12b) 중 그 관통구멍(14b)의 내주 가장자리의 부분에는, 상기 각 제2전극패턴(13b, 13b', 13b") 사이로의 삽입부(12b')를 구비하고 있다. 이 삽입부(12b')를 구비하고 있음으로써, 제1전극패턴(12b)에 있어서의 빛의 반사면을, 각 제2전극패턴(13b, 13b', 13b") 사이의 부분까지 확대할 수 있다.
그리고, 도 7, 도 8 및 도 9는 제4실시형태를 나타낸다.
이 제4실시형태는, 상기 제3실시형태에 의한 구성의 발광장치(22)의 다수개를 하나의 공통 배선기판(23)에, 가로 및 세로방향으로 매트릭스상으로 나란히 설치함으로써, 전체로서 문자 또는 화상을 빛의 삼원색에 의한 풀칼라로 표시하는 패널로 구성한 경우이다.
이 제4실시형태에 있어서는, 상기 공통 배선기판(23)의 표면 중 각 발광장치(22)에 있어서의 원형의 제1전극패턴(12b)을 제외하는 부분의 전체에 도체패턴(24)을, 제1전극패턴(12b)과의 사이에 링형상 간극(25)을 두어 형성하고, 이 도체패턴(24)에 대하여 상기 각 발광장치(22)에 있어서의 원형의 제1전극패턴(12b)을, 공통 배선기판(23)의 이면측에 형성한 통전용 배선패턴(26) 및 스루홀(27, 28, 29)을 통하여 전기적으로 접속하는 구성으로 한 것이다.
또, 상기 도체패턴(24)의 표면은, 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이 절연막(30)으로 피복되어 있다.
이 구성에 의하면, 각 발광장치(22)에 있어서의 제1전극패턴(12b)과, 도체패턴(24) 사이에는, 링형상 간극(25)이 형성되고, 상기 제1전극패턴(12b)은 완전한 원형으로 되어 있기 때문에 상기한 효과를 가지며, 게다가 상기 각 발광장치(22)에 있어서의 제1전극패턴(12b)에 대한 통전을, 공통 배선기판(23)의 표면에 형성한 도 체패턴(24)으로 행할 수 있는 것에 의해, 각 발광장치(22)에 대한 통전용 배선패턴의 구조를 간단화할 수 있음과 아울러, 상기 도체패턴(24)의 전체를 빛의 반사면으로 할 수 있는 이점이 있다.

Claims (5)

  1. 배선기판의 표면에 금속막으로 형성한 제1전극패턴 및 제2전극패턴과, 상기 제2전극패턴에 탑재한 LED칩과, 이 LED칩 및 상기 제1전극패턴 상호간을 전기적으로 접속하는 금속선과, 상기 배선기판의 표면에서 상기 LED칩 및 금속선을 패키지하는 투명합성수지에 의한 렌즈체로 이루어지는 발광장치에 있어서,
    상기 제1전극패턴을 원형으로 하고, 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부를 형성하고, 이 관통구멍부 내에 상기 제2전극패턴을 설치한 것을 특징으로 하는 LED칩을 사용한 발광장치.
  2. 배선기판의 표면에 금속막으로 형성한 제1전극패턴 및 제2전극패턴과, 상기 제2전극패턴에 탑재한 LED칩과, 이 LED칩 및 상기 제1전극패턴 상호간을 전기적으로 접속하는 금속선과, 상기 배선기판의 표면에 있어서 상기 LED칩 및 금속선을 패키지하는 투명합성수지에 의한 렌즈체로 이루어지는 발광장치에 있어서,
    상기 제1전극패턴을 원형으로 하고, 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부를 형성하는 한편, 상기 제2전극패턴을 복수개로 하고, 이 각 제2전극패턴을 상기 제1전극패턴에서의 관통구멍부 내에 상기 원형의 제1전극패턴과 대략 동심원의 원주방향을 따라서 대략 같은 간격으로 하여 형성하고, 또한, 상기 각 제2전극패턴에 탑재한 LED칩과 상기 제1전극패턴을 전기적으로 접속하는 금속선을 반경방향 외향의 방사상으로 연장되도록 설치한 것을 특징으로 하는 LED칩을 사용한 발광장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배선기판의 이면에, 상기 제1전극패턴 및 제2전극패턴에 배선기판에 있어서의 스루홀을 통하여 전기적으로 접속하는 통전용 배선패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 LED칩을 사용한 발광장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1전극패턴 중 상기 관통구멍의 내주 가장자리의 부분에, 상기 각 제2전극패턴 사이로의 삽입부를 형성한 것을 특징으로 하는 LED칩을 사용한 발광장치.
  5. 배선기판에 금속막에 의한 제1전극패턴을 원형으로 하고 또한 그 중심부분에 무전극의 관통구멍부를 형성함과 아울러, 상기 관통구멍부 내에 금속막에 의한 제2전극패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2전극패턴에 LED칩을 탑재하는 공정과, 상기 LED칩과 상기 제1전극패턴의 사이를 금속선으로 전기적으로 접속하는 공정과, 상기 제1전극패턴에 대하여 액체의 투명합성수지를 그 투명합성수지가 상기 LED칩 및 금속선을 덮어 불룩하게 되도록 적하한 후 경화하여 렌즈체로 하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LED칩을 사용한 발광장치의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021002589A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 スタンレー電気株式会社 半導体装置、および、その製造方法

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6359360A (ja) * 1986-08-29 1988-03-15 Koito Mfg Co Ltd ヘツドランプクリ−ナ用超広角ノズル
WO2005022654A2 (en) 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US8860051B2 (en) * 2006-11-15 2014-10-14 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
JP2005353802A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP2006114737A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Akita Denshi Systems:Kk 光半導体装置及びその製造方法
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP4727314B2 (ja) * 2005-06-21 2011-07-20 ローム株式会社 発光ダイオードを使用した表示パネル装置
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
JP2007053318A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
DE102005048498B4 (de) * 2005-10-07 2007-06-21 Schefenacker Vision Systems Germany Gmbh Mehrfarbige Fahrzeugaußenleuchte
WO2007046516A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Showa Denko K.K. Luminous device mounting substrate, luminous device mounting package, and planar light source device
JP4954664B2 (ja) * 2005-10-20 2012-06-20 昭和電工株式会社 発光素子実装用基板、発光素子実装パッケージおよび面光源装置
US20070096139A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
JP4724618B2 (ja) 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
WO2007083481A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Rohm Co., Ltd. 半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR100782771B1 (ko) * 2006-03-14 2007-12-05 삼성전기주식회사 엘이디 패키지 제조방법
JP4823729B2 (ja) * 2006-03-20 2011-11-24 ローム株式会社 光通信モジュール
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
KR100755615B1 (ko) * 2006-04-14 2007-09-06 삼성전기주식회사 발광 다이오드를 이용한 액정 표시 장치의 백라이트
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US7547115B2 (en) * 2006-05-23 2009-06-16 Au Optronics Corporation Package structure for light emitting diode and applications of the same
KR100804021B1 (ko) * 2006-07-11 2008-02-18 우리이티아이 주식회사 단차 인캡식 엘이디 패키지 및 그의 제조방법
US7545461B2 (en) * 2006-07-25 2009-06-09 Kyocera Corporation Liquid crystal display device
US7804147B2 (en) * 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7897980B2 (en) * 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
WO2008060615A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP4869165B2 (ja) * 2007-06-28 2012-02-08 昭和電工株式会社 発光装置の製造方法
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
JP5290543B2 (ja) * 2007-07-20 2013-09-18 スタンレー電気株式会社 発光装置
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
KR20090058878A (ko) * 2007-12-05 2009-06-10 삼성전자주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 액정 표시장치
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
KR101488451B1 (ko) * 2008-03-31 2015-02-02 서울반도체 주식회사 멀티칩 ｌｅｄ 패키지
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
DE102009031008A1 (de) * 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP2011077084A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ照明装置および液晶表示装置
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
JP4951090B2 (ja) * 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP2012004596A (ja) * 2010-01-29 2012-01-05 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
JP5297472B2 (ja) * 2011-01-18 2013-09-25 ローム株式会社 発光ダイオードを使用した表示パネル装置
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
JP5748496B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US8888331B2 (en) * 2011-05-09 2014-11-18 Microsoft Corporation Low inductance light source module
JP2013004815A (ja) 2011-06-17 2013-01-07 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
JP5737083B2 (ja) * 2011-09-02 2015-06-17 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ光源装置
JP5376102B1 (ja) * 2012-03-15 2013-12-25 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球
JP6021457B2 (ja) * 2012-06-18 2016-11-09 三菱電機株式会社 発光装置
WO2014196833A1 (ko) * 2013-06-07 2014-12-11 서울반도체 주식회사 발광 디바이스
US9532464B2 (en) 2013-07-22 2016-12-27 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
JP6165537B2 (ja) * 2013-07-22 2017-07-19 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明装置
US10529897B2 (en) * 2015-03-06 2020-01-07 Koninklijke Philips N.V. LED-based lighting device with asymmetrically distributed LED chips
JP6842234B2 (ja) 2015-10-13 2021-03-17 ローム株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
KR101987196B1 (ko) * 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
CN106486498B (zh) * 2016-10-14 2019-09-10 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板
JP2018206708A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2019135512A (ja) * 2018-02-05 2019-08-15 シャープ株式会社 立体表示装置、及び空中立体表示装置
JP7299768B2 (ja) * 2019-06-21 2023-06-28 スタンレー電気株式会社 半導体装置、半導体素子搭載用基板、および、その製造方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611067A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
JPH11121805A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Citizen Electronics Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
EP1059667A2 (en) 1999-06-09 2000-12-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3999280A (en) * 1973-06-25 1976-12-28 Amp Incorporated Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips
JPS5511356A (en) * 1978-07-11 1980-01-26 Toshiba Corp Light-emitting semiconductor display system
FR2574616B1 (fr) * 1984-12-07 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
US5557115A (en) * 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
JPH10242523A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kouha:Kk 発光ダイオード表示装置およびそれを利用した画像表示装置
JPH10319871A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Kouha:Kk Ｌｅｄディスプレイ装置
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
JP2001044579A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP4190095B2 (ja) * 1999-07-29 2008-12-03 三洋電機株式会社 混成集積回路装置
JP4412787B2 (ja) * 1999-06-09 2010-02-10 三洋電機株式会社 金属基板を採用した照射装置および照射モジュール
JP2001068742A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP4342046B2 (ja) * 1999-07-29 2009-10-14 三洋電機株式会社 金属基板型の発光装置
JP2000353826A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
GB0000511D0 (en) * 2000-01-12 2000-03-01 Oxley Dev Co Ltd Led package
JP2001351404A (ja) * 2000-04-06 2001-12-21 Kansai Tlo Kk 発光ダイオードを用いた面発光装置
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US6611000B2 (en) * 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
JP2002319711A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
TW578280B (en) * 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611067A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
JPH11121805A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Citizen Electronics Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
EP1059667A2 (en) 1999-06-09 2000-12-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021002589A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 スタンレー電気株式会社 半導体装置、および、その製造方法
JP7222827B2 (ja) 2019-06-21 2023-02-15 スタンレー電気株式会社 半導体装置、および、その製造方法

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