JP5290543B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置に関する。
図１は在来の逆付けチップタイプのＬＥＤ装置（具体的には、例えば、逆付けＣＴＬ（ＣＵＳＴＯＭ ＬＥＤ ＴＡＩＬ ＬＡＭＰ））の構成例を示す図である。図１を参照すると、逆付けチップタイプのＬＥＤ装置１は、実装基板１１に穴１２を開けて、実装基板１１の下面に実装され（逆付け実装され）、実装基板１１の穴１２から光を放出させる製品である。図１の逆付けチップＬＥＤ装置１は、実装基板の上面に実装される通常の製品と比べて、発光面側の実装基板上面への突起が発生しないため、製品の薄型化に対応できるという利点がある。
具体的に、図１の逆付けチップタイプＬＥＤ装置１は、基材２と、該基材２の上面側から裏面側にわたって形成されている第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂと、マウンター用の当て板４と、前記基材２の上面側において前記第１の電極パターン３ａ上に設けられている発光素子（すなわちＬＥＤ素子）６と、該発光素子６を前記第２の電極パターン３ｂに電気的に接続するためのワイヤー部（ボンディングワイヤー部）７と、前記発光素子６および前記ワイヤー部７を覆って前記基材２の上面側に形成される樹脂部８とにより構成されている。
このような構成の逆付けチップタイプＬＥＤ装置１は、実装基板１１に開けられた穴１２の両側に設けられた半田ランド１３にマスキングなどにより半田ペーストを塗り、マウンターなどで荷重を加えて実装基板１１に実装し、そして、リフロー等による半田融解後、固着化される。
実開昭６４−６０３８号公報
上述のように、逆付けチップタイプのＬＥＤ装置１を実装基板１１に実装する際には、図２に示すようなマウンター２０を用いるが、マウンター２０によっては実装時の荷重を制御出来ないものもある。その場合、図３に示すように、逆付けチップタイプＬＥＤ装置１には過剰な圧力が加わり、実装基板１１には穴１２が開いていることで、逆付けチップタイプＬＥＤ装置１が変形してしまう。逆付けチップタイプＬＥＤ装置１が樹脂部８も含めて全体的にたわむ事が出来れば良いが、樹脂部８は厚さが大きい為に、他の部分に比べて強度が高く、たわみにくい。よって、逆付けチップタイプＬＥＤ装置１に曲がりが発生した場合には、樹脂部８の無い部分との境界付近から変形が起こる。すなわち、樹脂部８は基材２と接着しているが、応力が加わると、図３に符号Ａで示す部分において基材２から剥離してしまう。樹脂部８が基材２から剥離すると、ＬＥＤ素子６やボンディングワイヤー部７も基材２から持ち上げられてしまう為、電気的に非接触状態となり、不点灯に至るという問題が生ずる。
本発明は、発光素子およびワイヤー部を覆って基材の一方の側に樹脂部が形成されている発光装置において、実装基板への実装時にマウンターなどによって相当の荷重が加わっても樹脂部の基材からの剥離を防止することの可能な発光装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、基材と、該基材の上面側から裏面側にわたって形成されている第１，第２の電極パターンと、前記基材の上面側において前記第１の電極パターン上に設けられている発光素子と、該発光素子を前記第２の電極パターンに電気的に接続するためのワイヤー部と、前記発光素子および前記ワイヤー部を覆って前記基材の上面側にのみ形成される樹脂部とを有し、
実装基板に設けた穴内に前記樹脂部を配設して当該実装基板の穴から光を放出させる逆付けチップタイプの発光装置であって、
前記基材は、０．０５ｍｍ乃至１．０ｍｍの厚さの矩形形状であり、
前記第１，第２の電極パターンは、前記基材の上面側および裏面側において、所定の間隔を隔てて切り離されており、
前記第１，第２の電極パターンは、基材の上面側において長手方向中央部に到るまで配設され、長手方向中央部から長手方向端部側に向かって順に前記樹脂部を含む上面側中央部と、上面側外側部と、上面側端面部とを備え、上面側中央部は短手方向の幅が上面側端面部より狭く且つ上面側外側部よりも広く形成され、上面側外側部は短手方向中央部に位置しており、また、前記第１，第２の電極パターンは、基材の裏面側において長手方向中央部に到るまで配設され、上面側中央部よりも長手方向端面側まで延びる裏面側中央部と、裏面側外側部と、裏面側端面部とを備え、裏面側外側部は短手方向側面部に位置し、前記上面側端面部は基材端面を覆い裏面側端面部に接続して配設され、
前記樹脂部の全てを含む前記第１および第２の電極パターンの前記上面側中央部の長手方向境界間で囲われた所定範囲の上面側を（Ｈ１）とし、前記樹脂部の全てに対応する部分を含む前記第１および第２の電極パターンの前記裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた所定範囲の裏面側を（Ｈ２）とするとき、前記樹脂部を含む前記所定範囲（Ｈ１，Ｈ２）のすぐ外側の上面側，裏面側の電極パターンの面積占有率が、前記樹脂部を含む所定範囲（Ｈ１，Ｈ２）の上面側，裏面側の電極パターンの面積占有率よりも小さくなっており、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）の上面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの上面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）のすぐ外側の上面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの上面側外側部の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）のすぐ外側の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側外側部の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記実装基板にマウントするときの荷重により生じるたわみを、前記第１および第２の電極パターンの上面側中央部と、裏面側中央部とにより、前記樹脂部近傍の強度を向上させて減少させるとともに、前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）のすぐ外側の上面側の電極パターンの面積占有率および前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）のすぐ外側の裏面側の電極パターンの面積占有率を小さくして前記樹脂部近傍の強度に比べて相対的に小さくした
ことを特徴としている。
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記基材は、材料がガラスエポキシであり、厚さが０．０５ｍｍ乃至１．０ｍｍであることを特徴としている。
また、請求項３記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記第１，第２の電極パターンは、材料がＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇのうちの少なくとも１つであり、厚さが０．０２ｍｍ乃至０．１ｍｍであることを特徴としている。
また、請求項４記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記樹脂部は、材料がエポキシ樹脂であることを特徴としている。
請求項１乃至請求項４記載の発明によれば、基材と、該基材の上面側から裏面側にわたって形成されている第１，第２の電極パターンと、前記基材の上面側において前記第１の電極パターン上に設けられている発光素子と、該発光素子を前記第２の電極パターンに電気的に接続するためのワイヤー部と、前記発光素子および前記ワイヤー部を覆って前記基材の上面側にのみ形成される樹脂部とを有し、
実装基板に設けた穴内に前記樹脂部を配設して当該実装基板の穴から光を放出させる逆付けチップタイプの発光装置であって、
前記基材は、０．０５ｍｍ乃至１．０ｍｍの厚さの矩形形状であり、
前記第１，第２の電極パターンは、前記基材の上面側および裏面側において、所定の間隔を隔てて切り離されており、
前記第１，第２の電極パターンは、基材の上面側において長手方向中央部に到るまで配設され、長手方向中央部から長手方向端部側に向かって順に前記樹脂部を含む上面側中央部と、上面側外側部と、上面側端面部とを備え、上面側中央部は短手方向の幅が上面側端面部より狭く且つ上面側外側部よりも広く形成され、上面側外側部は短手方向中央部に位置しており、また、前記第１，第２の電極パターンは、基材の裏面側において長手方向中央部に到るまで配設され、上面側中央部よりも長手方向端面側まで延びる裏面側中央部と、裏面側外側部と、裏面側端面部とを備え、裏面側外側部は短手方向側面部に位置し、前記上面側端面部は基材端面を覆い裏面側端面部に接続して配設され、
前記樹脂部の全てを含む前記第１および第２の電極パターンの前記上面側中央部の長手方向境界間で囲われた所定範囲の上面側を（Ｈ１）とし、前記樹脂部の全てに対応する部分を含む前記第１および第２の電極パターンの前記裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた所定範囲の裏面側を（Ｈ２）とするとき、前記樹脂部を含む前記所定範囲（Ｈ１，Ｈ２）のすぐ外側の上面側，裏面側の電極パターンの面積占有率が、前記樹脂部を含む所定範囲（Ｈ１，Ｈ２）の上面側，裏面側の電極パターンの面積占有率よりも小さくなっており、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）の上面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの上面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）のすぐ外側の上面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの上面側外側部の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）のすぐ外側の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側外側部の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
前記実装基板にマウントするときの荷重により生じるたわみを、前記第１および第２の電極パターンの上面側中央部と、裏面側中央部とにより、前記樹脂部近傍の強度を向上させて減少させるとともに、前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）のすぐ外側の上面側の電極パターンの面積占有率および前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）のすぐ外側の裏面側の電極パターンの面積占有率を小さくして前記樹脂部近傍の強度に比べて相対的に小さくしたので、実装基板への実装時にマウンターなどによって相当の荷重が加わっても樹脂部の基材からの剥離を防止することが可能となる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図４は在来の発光装置１（具体的には、逆付けチップタイプのＬＥＤ装置１）の構成例を示す図であって、図４の在来の発光装置１は、前述した図１乃至図３に示したものと同じものであり、実装基板には図１乃至図３のように実装されるものである。なお、図４において、図１乃至図３と同じ箇所には同じ符号を付している。
より詳細に、図４の発光装置１は、逆付けチップタイプの発光装置（具体的には、逆付けチップタイプのＬＥＤ装置）であって、基材２と、該基材２の上面側から裏面側にわたって形成されている第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂと、マウンター用の当て板４と、前記基材２の上面側において前記第１の電極パターン３ａ上に設けられている発光素子（具体的には、ＬＥＤ素子）６と、該発光素子６を前記第２の電極パターン３ｂに電気的に接続するためのワイヤー部（ボンディングワイヤー部）７と、前記発光素子６および前記ワイヤー部７を覆って前記基材２の上面側に形成される樹脂部８とにより構成されている。
ここで、基材２は、材料が例えばガラスエポキシで形成され、長手方向の長さＬが約３．２ｍｍ、厚さｔが約０．２ｍｍ程度であり、また、第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂは、材料が例えばＣｕ，Ｎｉ，ＡｕまたはＡｇで形成され、厚さが０．０２ｍｍ乃至０．０７ｍｍであり、また、樹脂部８は、材料が例えばエポキシ樹脂で形成されている。
また、図５（ａ）は図４の発光装置１の基材２の上面側（樹脂部８が設けられている側（樹脂部側））における第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂを示す図であり、また、図５（ｂ）は図４の発光装置１の基材２の裏面側（樹脂部８が設けられていない側（樹脂部側とは反対の側））における第１、第２の電極パターン３ａ，３ｂを示す図である。なお、図４は，図５（ａ），（ｂ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
図５（ａ）を参照すると、基材２の上面側において、第１の電極パターン３ａと第２の電極パターン３ｂとは、所定の間隔ｘ１（例えば、０．２ｍｍ）をへだてて切り離されており（電気的に切り離されており）、第１の電極パターン３ａには、発光素子６が載置され、また、第２の電極パターン３ｂには、発光素子６からのボンディングワイヤー部７が接続されるようになっている。
また、図５（ｂ）を参照すると、基材２の裏面側において、第１の電極パターン３ａと第２の電極パターン３ｂとは所定の間隔ｘ２（例えば、２．２ｍｍ）をへだてて切り離されている（電気的に切り離されている）。
図４に示した発光装置１は、逆付けチップタイプであり、細長い形状となっており、マウント時の荷重により製品破壊が予想されていた為、基材２の厚さｔを０．２ｍｍ程度としていたが、マウンターによっては想定以上の荷重が加わってしまい、図６に示すようにたわみが生じてしまう。
また、このとき、過荷重により、樹脂部８が基材２から剥離することによって、素子浮き、ワイヤー浮きによる電気的な非接触状態が生じ、不点灯が発生してしまう。
荷重により発光装置１がたわみにくくする為には、基材２の厚さｔを０．２ｍｍよりも厚くする事が最も簡単な方法であるが、発光装置１の高さの制約もあり、単純に基材２の厚さｔを厚くする事も出来ない。
荷重による発光装置１のたわみを低減するため、本願の発明者は、当初、発光装置１の上面側および裏面側において、第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積を在来のものよりも増加させ、これにより、全体的な強度を上げることを案出した。実際、発光装置１の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂは片面で基材２の厚さｔの２５％の厚さがある為、第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積を在来のものよりも増加させる事で、より高い荷重に対しても発光装置１をたわみにくくさせる事が出来る。
図７には、上面側（樹脂部側）において、第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積を図５（ａ）の場合よりも増加させた一例が示されている。
また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）には、裏面側において、第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積を図５（ｂ）の場合よりも増加させた各例が示されている。
しかし、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、いずれも、裏面側の中央部に第１の電極パターン３ａと第２の電極パターン３ｂとの切れ部が形成されているため、中央部で曲がりやすくなる事には変わりがなく（すなわち、樹脂部８が曲げられやすくなる事には変わりがなく）、最終的には樹脂部８が剥離し、素子浮き、ワイヤー浮きによる不点灯が発生しやすくなる。
図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例の欠点を克服する仕方としては、図９（ａ），（ｂ），（ｃ）の各例のように第１の電極パターン３ａと第２の電極パターン３ｂとの切れ部を中央部以外（マウンターによって荷重を加えたときに、この荷重が樹脂部８に影響を及ぼす範囲外）に設けることが考えられる。しかし、この仕方では、製品個別で点灯確認をする際に、プローブを裏面から接触させるタイプの場合、プローブの大きさ・位置によってはショートしてしまうという欠点がある。切れ部をレジストなど絶縁性の材料で覆う事によりショートを回避する方法もあるが、レジスト膜が剥がれたり、レジスト膜が薄い場合には、ショートしてしまう。
そこで、本発明では、樹脂部８を含む所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を図４，図５に示したような在来の発光装置に比べて増やし、その反面、樹脂部８を含む上記所定範囲のすぐ外側の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を樹脂部８を含む上記所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率よりも減らす構造にした。なお、ここで、面積占有率とは、所定の領域（一定面積の領域）において電極パターンが占める面積の割合であり、（所定の領域内の電極パターンの面積）／（所定の領域の面積）として表される。
換言すれば、本発明では、樹脂部８を含む所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を、実装基板への実装時の荷重が発光装置１に加わった場合にも前記樹脂部８を含む所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂがたわまない程度に大きくする一方、上記所定範囲（前記樹脂部８を含む上記所定範囲）のすぐ外側の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を、上記所定範囲（前記樹脂部８を含む上記所定範囲）の上面側，裏面側の電極パターンの面積占有率よりも小さくしている。
図１０，図１１（ａ），（ｂ）は本発明の発光装置１の構成例を示す図である。ここで、図１０は，図１１（ａ），（ｂ）のＢ−Ｂ線における断面図である。また、図１０，図１１（ａ），（ｂ）において、図４，図５（ａ），（ｂ）と対応する箇所には同じ符号を付している。
図１０を参照すると、本発明の発光装置１は、逆付けチップタイプの発光装置（具体的には、逆付けチップタイプのＬＥＤ装置）であって、基材２と、該基材２の上面側から裏面側にわたって形成されている第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂと、マウンター用の当て板４と、前記基材２の上面側において前記第１の電極パターン３ａ上に設けられている発光素子（具体的には、ＬＥＤ素子）６と、該発光素子６を前記第２の電極パターン３ｂに電気的に接続するためのワイヤー部（ボンディングワイヤー部）７と、前記発光素子６および前記ワイヤー部７を覆って前記基材２の上面側に形成される樹脂部８とにより構成されている。
ここで、基材２は、材料が例えばガラスエポキシで形成され、長手方向の長さＬが約３．２ｍｍ程度、厚さｔが０．０５ｍｍ乃至１．０ｍｍであり、また、第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂは、材料が例えばＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇのうちの少なくとも１つで形成され、厚さが０．０２ｍｍ乃至０．１ｍｍであり、また、樹脂部８は、材料が例えばエポキシ樹脂で形成されている。
また、図１１（ａ）は図１０の発光装置１の基材２の上面側（樹脂部８が設けられている側（樹脂部側））における第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂを示す図であり、また、図１１（ｂ）は図１０の発光装置１の基材２の裏面側（樹脂部８が設けられていない側（樹脂部側とは反対の側））における第１、第２の電極パターン３ａ，３ｂを示す図である。
図１１（ａ）を参照すると、基材２の上面側において、第１の電極パターン３ａと第２の電極パターン３ｂとは、所定の間隔ｘ３（例えば、０．１ｍｍ）をへだてて切り離されており（電気的に切り離されており）、第１の電極パターン３ａには、発光素子６が載置され、また、第２の電極パターン３ｂには、発光素子６からのボンディングワイヤー部７が接続されるようになっている。
また、図１１（ｂ）を参照すると、基材２の裏面側において、第１の電極パターン３ａと第２の電極パターン３ｂとは所定の間隔ｘ４（例えば、０．１５ｍｍ）をへだてて切り離されている（電気的に切り離されている）。
ところで、本発明の発光装置１では、図１１（ａ）を図５（ａ）と比べればわかるように、基材２の上面側（樹脂部側）において、樹脂部８を含む所定範囲Ｈ１の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を図５（ａ）の場合よりも増加させ、その一方で、上記所定範囲Ｈ１のすぐ外側の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を所定範囲Ｈ１の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率よりも減少させている。
また、本発明の発光装置１では、図１１（ｂ）を図５（ｂ）と比べればわかるように、基材２の裏面側（樹脂部とは反対の側）において、上面側の樹脂部８を裏面側に投影した部分を含む所定範囲Ｈ２（以下、本発明では、これも樹脂部８を含む所定範囲Ｈ２と称す）の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を図５（ｂ）の場合よりも増加させ（なお、図５（ｂ）では、この所定範囲Ｈ２には電極パターンは設けられていない）、その一方で、上記所定範囲Ｈ２のすぐ外側の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を所定範囲Ｈ２の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率よりも減少させている。
このように、図１１（ａ），（ｂ）の例では、樹脂部８を含む所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を、実装基板への実装時の荷重が発光装置１に加わった場合にも前記樹脂部８を含む所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂがたわまない程度に大きくすることで、樹脂部近傍の強度を向上させ、それ以外の部分の強度を樹脂部近傍の強度に比べて相対的に弱くさせる事で（すなわち、樹脂部８を含む上記所定範囲のすぐ外側の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を、前記樹脂部８を含む所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率よりも小さくすることで）、実装時の加圧時に樹脂部８以外の領域を選択的に変形させて圧力を分散させ、樹脂部８の基材２からの剥離を防ぐ事が出来る。
換言すれば、本発明では、上面側，裏面側において、樹脂部近傍の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を、実装基板への実装時の荷重が発光装置１に加わった場合にも前記樹脂部８を含む所定範囲の上面側，裏面側の電極パターン３ａ，３ｂがたわまない程度に大きくすることで、樹脂部８の部分を選択的に補強した。同時に、上記所定範囲（樹脂部８を含む所定範囲）のすぐ外側の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率を樹脂部近傍の第１，第２の電極パターン３ａ，３ｂの面積占有率よりも減らすことで、上記所定範囲（樹脂部８を含む所定範囲）以外の部分の強度を弱くした。これにより、製品にマウント時の荷重がかかった場合に、上記所定範囲（樹脂部８を含む所定範囲）以外の強度の弱い部分でその力を分散させ、樹脂部８の基材２からの剥離を発生し難くさせた。
また、図１１（ａ）からわかるように、本発明では、第１の電極パターン３ａは、基材２の上面側において、基材２の長手方向の中央部に至るまで配設され、発光素子６は、基材２の長手方向の中央部に配置されている。このように、基材２の長手方向の中央部に発光素子６を配置する事により、樹脂部８が基材２から仮に剥離した場合でも、それによる素子浮きを防止できる。
なお、上述の説明では、逆付けチップタイプの発光装置１が具体的には逆付けチップタイプＬＥＤ装置であり、発光素子６が具体的にはＬＥＤ素子であるとしたが、発光素子６は、ＬＥＤ素子に限らず半導体レーザ素子などでも良く、従って、逆付けチップタイプの発光装置１は、逆付けチップタイプＬＥＤ装置に限定されるものではない。
在来の逆付けチップタイプのＬＥＤ装置の構成例を示す図である。 逆付けチップタイプＬＥＤ装置を実装基板に実装する際の様子を示す図である。 逆付けチップタイプＬＥＤ装置を実装基板に実装する際の様子を示す図である。 在来の発光装置の構成例を示す図である。 在来の発光装置の構成例を示す図である。 在来の発光装置に生ずるたわみを示す図である。 上面側（樹脂部側）において、第１，第２の電極パターンの面積を在来の場合よりも増加させた一例を示す図である。 裏面側において、第１，第２の電極パターンの面積を在来の場合よりも増加させた各例を示す図である。 第１の電極パターンと第２の電極パターンの切れ部を中央部以外に設けた各例を示す図である。 本発明の発光装置の構成例を示す図である。 本発明の発光装置の構成例を示す図である。
符号の説明
１ 発光装置
２ 基材
３ａ 第１の電極パターン
３ｂ 第２の電極パターン
４ マウンター用の当て板
６ 発光素子
７ ボンディングワイヤー
８ 樹脂部
１１ 実装基板
１２ 穴
１３ 半田ランド
２０ マウンター

Claims (4)

  1. 基材と、該基材の上面側から裏面側にわたって形成されている第１，第２の電極パターンと、前記基材の上面側において前記第１の電極パターン上に設けられている発光素子と、該発光素子を前記第２の電極パターンに電気的に接続するためのワイヤー部と、前記発光素子および前記ワイヤー部を覆って前記基材の上面側にのみ形成される樹脂部とを有し、
    実装基板に設けた穴内に前記樹脂部を配設して当該実装基板の穴から光を放出させる逆付けチップタイプの発光装置であって、
    前記基材は、０．０５ｍｍ乃至１．０ｍｍの厚さの矩形形状であり、
    前記第１，第２の電極パターンは、前記基材の上面側および裏面側において、所定の間隔を隔てて切り離されており、
    前記第１，第２の電極パターンは、基材の上面側において長手方向中央部に到るまで配設され、長手方向中央部から長手方向端部側に向かって順に前記樹脂部を含む上面側中央部と、上面側外側部と、上面側端面部とを備え、上面側中央部は短手方向の幅が上面側端面部より狭く且つ上面側外側部よりも広く形成され、上面側外側部は短手方向中央部に位置しており、また、前記第１，第２の電極パターンは、基材の裏面側において長手方向中央部に到るまで配設され、上面側中央部よりも長手方向端面側まで延びる裏面側中央部と、裏面側外側部と、裏面側端面部とを備え、裏面側外側部は短手方向側面部に位置し、前記上面側端面部は基材端面を覆い裏面側端面部に接続して配設され、
    前記樹脂部の全てを含む前記第１および第２の電極パターンの前記上面側中央部の長手方向境界間で囲われた所定範囲の上面側を（Ｈ１）とし、前記樹脂部の全てに対応する部分を含む前記第１および第２の電極パターンの前記裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた所定範囲の裏面側を（Ｈ２）とするとき、前記樹脂部を含む前記所定範囲（Ｈ１，Ｈ２）のすぐ外側の上面側，裏面側の電極パターンの面積占有率が、前記樹脂部を含む所定範囲（Ｈ１，Ｈ２）の上面側，裏面側の電極パターンの面積占有率よりも小さくなっており、
    前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）の上面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの上面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
    前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）のすぐ外側の上面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの上面側外側部の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
    前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
    前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）のすぐ外側の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側外側部の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
    前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）の裏面側の電極パターンの面積占有率は、前記基材の長手方向において前記第１および第２の電極パターンの裏面側中央部の長手方向境界間で囲われた範囲の基材面積に占める第１および第２の電極パターンの面積の割合であり、
    前記実装基板にマウントするときの荷重により生じるたわみを、前記第１および第２の電極パターンの上面側中央部と、裏面側中央部とにより、前記樹脂部近傍の強度を向上させて減少させるとともに、前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ１）のすぐ外側の上面側の電極パターンの面積占有率および前記樹脂部を含む上記所定範囲（Ｈ２）のすぐ外側の裏面側の電極パターンの面積占有率を小さくして前記樹脂部近傍の強度に比べて相対的に小さくした
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 請求項１記載の発光装置において、前記基材は、材料がガラスエポキシであり、厚さが０．０５ｍｍ乃至１．０ｍｍであることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項１記載の発光装置において、前記第１，第２の電極パターンは、材料がＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇのうちの少なくとも１つであり、厚さが０．０２ｍｍ乃至０．１ｍｍであることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項１記載の発光装置において、前記樹脂部は、材料がエポキシ樹脂であることを特徴とする発光装置。
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