JP5013596B2 - 裏面実装型led - Google Patents

裏面実装型led Download PDF

Info

Publication number
JP5013596B2
JP5013596B2 JP2007038182A JP2007038182A JP5013596B2 JP 5013596 B2 JP5013596 B2 JP 5013596B2 JP 2007038182 A JP2007038182 A JP 2007038182A JP 2007038182 A JP2007038182 A JP 2007038182A JP 5013596 B2 JP5013596 B2 JP 5013596B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating substrate
base insulating
substrate
led
mounted led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007038182A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008205107A (ja
Inventor
純二 宮下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2007038182A priority Critical patent/JP5013596B2/ja
Priority to US12/033,480 priority patent/US7816691B2/en
Priority to CN2008101277105A priority patent/CN101320779B/zh
Publication of JP2008205107A publication Critical patent/JP2008205107A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5013596B2 publication Critical patent/JP5013596B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、一般照明用LED、携帯電話用フラッシュLED、KYE照明用LEDなどに係わり、詳しくは、軽薄短小を追求する薄型の裏面実装型LEDに関する。
従来、軽薄短小を追求する電子機器向けに提供された裏面実装型LEDで、一般的な構造は、ガラエポ基板の表面に形成された電極パターン上にLEDチップを実装し、透光性樹脂で封止した後、実装側の基板に設けられた貫通孔に前記封止樹脂部を埋設するように裏面実装される。(例えば、特許文献1参照)
特開2001−326390号(第4頁、図4)
上記した特許文献1に開示されている裏面発光チップ型発光素子及びそれを用いた絶縁性基板は、図5に示すように、略直方体形状をなしたベース絶縁基板11(例えば、厚さが0.3mm程度)の表面にメッキ配線により金属パターンからなる一対の電極パターン12、13形成されている。LEDチップ14は前記電極パターン12上にダイボンド実装され、電極パターン13と金属細線15によりワイヤーボンディング接続され、透光性封止樹脂16により前記LEDチップ14と金属細線15を覆うように封止した構造を有している。外部電極17は、前記ベース絶縁基板11の一方の表面上において、4隅の角部にそれぞれ形成されている。この形態の裏面発光チップ型発光素子が実装される配線基板18には、所定の位置に電極パット19が形成されている。この電極パット19と裏面発光チップ型発光素子の対応する外部電極17とは、対向した面のみで半田20で接合されるものである。
解決しようとする問題点は、上記した特許文献1に開示されている裏面実装型LEDは、ベース絶縁基板の厚さを更に薄くしようとすると、実装側の基板にマウントする際に、実装時の荷重により、ベース絶縁基板が割れ易くなる。また、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し易くなる。などの問題があった。
本発明は、上述の欠点を解消するもので、その目的は、ベース絶縁基板を極力薄くした裏面実装型LEDを、実装側の基板の孔に裏面から実装した場合に、ベース絶縁基板の割れや変形を防ぐ裏面実装型LEDを提供するものである。
上記目的を達成するために、本発明における裏面実装型LEDは、表面に一対の電極パターンが形成された薄い平板状のベース絶縁基板と、該ベース絶縁基板に形成された上面電極パターンにLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した裏面実装型LEDにおいて、前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンは、前記ベース絶縁基板の表裏の略全域が覆われるように形成され、上下面に形成されたスリット状の切れ目により対向配置され、前記裏面実装型LEDの封止樹脂部を埋設するように貫通穴が形成された実装側の基板に裏面実装していることを特徴とするものである。

また、前記ベース絶縁基板は、フレキシブル基板であることを特徴とするものである。
また、ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンの切れ目の位置は、上面と下面でズレていることを特徴とするものである。
また、前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンで、LEDチップを実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン領域を広く形成したことを特徴とするものである。
本発明の裏面実装型LEDにおいて、ベース絶縁基板の上下面に電極パターンを広く形成したので、ベース絶縁基板は補強されて変形が起き難い。また、ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンの切れ目の位置は、上面と下面でズレているので、ベース絶縁基板の強度が増し、変形が起き難い。更に、LEDチップを実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン領域を広く形成したので、放熱特性が良くなる。など、ベース絶縁基板の割れや変形を防ぐ裏面実装型LEDを提供することが可能である。
本発明の裏面実装型LEDについて、図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施例1に係わる裏面実装型LEDの断面図である。
図1において、裏面実装型LEDは、ベースになる基板を極力薄くするために、ポリイミドなどのフレキシブルなベース絶縁基板1の表面に、メッキ配線により金属パターンからなる一対の電極パターン2、3が形成されている。該電極パターン2、3はいずれもベース絶縁基板1の下面から側面を通り上面まで断面がコの字状に形成され、上下面でスリット状の切れ目4、5により対向配置されている。
図4は、ベース絶縁基板の表面に電極パターンを形成した状態を示す斜視図である。図4に示すように、ベース絶縁基板1に形成される電極パターン2、3は、上下面に形成されたスリット状の切れ目4、5を除く全域に形成されていて、ベース絶縁基板1の表裏の略全面が電極パターン2、3で覆われている。
LEDチップ6は、前記一方の電極パターン2上の上面電極部2aに実装され、他方の電極パターン3上の上面電極部3aと金属細線7によりワイヤーボンディング接続され、透光性封止樹脂8により前記LEDチップ6と金属細線7を覆うように封止する。実装側の基板9には貫通孔10が形成され、前記裏面実装型LEDの封止樹脂部を埋設するように裏面実装するものである。
上記したように、ベース絶縁基板1が薄くなっても、電極パターン2、3は、上下面に形成されたスリット状の切れ目4、5を除く全域に形成されているので補強され、実装側の基板に実装しても、ベース絶縁基板の変形が起き難い。また、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し難い。
図2は、本発明の実施例2に係わり、上述した実施例1と異なるところは、図2に示すように、前記ベース絶縁基板1の上下面に形成された一対の電極パターン2、3の切れ目4、5の位置は、上面と下面でズレている(図4参照)。前記ベース絶縁基板1の上下面に形成された一対の電極パターン2、3の中で、LEDチップ6を実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン2b領域を広く形成したことである。
上記したように、ベース絶縁基板の変形、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し難いことは言うまでもなく、LEDチップ6を実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン2b領域を広く形成したので、下面からの放熱特性が良くなる。
図3は、本発明の実施例3に係わり、上述した実施例2と異なるところは、図3に示すように、前記ベース絶縁基板1の上下面に形成された一対の電極パターン2、3の切れ目4、5の位置は、上面と下面でズレている。前記ベース絶縁基板1の上下面に形成された一対の電極パターン2、3の中で、金属細線7によりワイヤーボンディングした側から延びる下面電極パターン3b領域を広く形成したことである。
上記した実施例1または、2と同様に、ベース絶縁基板1が薄くなっても、電極パターン2、3は、上下面に形成されたスリット状の切れ目4、5を除く全域に形成されているので補強され、実装側の基板に実装しても、ベース絶縁基板の変形、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し難い。しかし、実施例2に比べて下面からの放熱特性はわずかに劣る。
以上述べたように、マザーボードなどの実装側の基板の貫通孔に、本発明の裏面実装型LEDを裏面側から実装した場合に、ベース絶縁基板を薄くしても、基板は上下面に形成された電極パターンにより補強され、マウント実装時の荷重によるたわみを抑制し、たわみによるベース絶縁基板の割れや封止樹脂の剥離を抑えることが可能である。
本発明の実施例1に係る裏面実装型LEDの断面図である。 本発明の実施例2に係る裏面実装型LEDの断面図である。 本発明の実施例3に係る裏面実装型LEDの断面図である。 図2のベース絶縁基板の表面に電極パターンを形成した状態を示す斜視図である。 従来の裏面実装型LEDの断面図である。
符号の説明
1 ベース絶縁基板
2、3 電極パターン
2a、3a 上面電極部
2b、3b 下面電極部
4、5 スリット状の切れ目
6 LEDチップ
7 金属細線
8 透光性封止樹脂
9 実装側の基板
10 貫通孔

Claims (4)

  1. 表面に一対の電極パターンが形成された薄い平板状のベース絶縁基板と、該ベース絶縁基板に形成された上面電極パターンにLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した裏面実装型LEDにおいて、前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンは、前記ベース絶縁基板の表裏の略全域が覆われるように形成され、上下面に形成されたスリット状の切れ目により対向配置され、前記裏面実装型LEDの封止樹脂部を埋設するように貫通穴が形成された実装側の基板に裏面実装していることを特徴とする裏面実装型LED。
  2. 前記ベース絶縁基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項1記載の裏面実装型LED。
  3. 前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンの切れ目の位置は、上面と下面でズレていることを特徴とする請求項1または2記載の裏面実装型LED。
  4. 前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンで、LEDチップを実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン領域を広く形成したことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の裏面実装型LED。
JP2007038182A 2007-02-19 2007-02-19 裏面実装型led Active JP5013596B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007038182A JP5013596B2 (ja) 2007-02-19 2007-02-19 裏面実装型led
US12/033,480 US7816691B2 (en) 2007-02-19 2008-02-19 Light-emitting diode having a flexible substrate
CN2008101277105A CN101320779B (zh) 2007-02-19 2008-02-19 发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007038182A JP5013596B2 (ja) 2007-02-19 2007-02-19 裏面実装型led

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008205107A JP2008205107A (ja) 2008-09-04
JP5013596B2 true JP5013596B2 (ja) 2012-08-29

Family

ID=39714873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007038182A Active JP5013596B2 (ja) 2007-02-19 2007-02-19 裏面実装型led

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7816691B2 (ja)
JP (1) JP5013596B2 (ja)
CN (1) CN101320779B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5290543B2 (ja) * 2007-07-20 2013-09-18 スタンレー電気株式会社 発光装置
KR101804406B1 (ko) * 2011-05-06 2017-12-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101861631B1 (ko) * 2011-05-24 2018-05-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
CN103123949A (zh) * 2011-11-21 2013-05-29 展晶科技(深圳)有限公司 可挠式发光二极管封装结构及其制造方法
CN103700747B (zh) * 2012-09-27 2017-08-22 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
WO2017209143A1 (ja) 2016-05-31 2017-12-07 シチズン電子株式会社 発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4082544B2 (ja) * 1999-12-24 2008-04-30 ローム株式会社 裏面実装チップ型発光装置
JP2001326390A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004134414A (ja) * 2002-10-04 2004-04-30 Ultrastar Ltd 表面実装発光ダイオードのパッケージ構造及び製造方法
JP2005064047A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2006186297A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2006269782A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2006269778A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 光学装置
JP4989867B2 (ja) 2005-08-26 2012-08-01 スタンレー電気株式会社 表面実装型led

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008205107A (ja) 2008-09-04
CN101320779B (zh) 2011-09-28
CN101320779A (zh) 2008-12-10
US7816691B2 (en) 2010-10-19
US20080203423A1 (en) 2008-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI392120B (zh) Semiconductor light emitting device
JP4686248B2 (ja) 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法
US7687893B2 (en) Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
JP5013596B2 (ja) 裏面実装型led
JP2012186450A (ja) Ledモジュール
JP5041593B2 (ja) チップ型半導体装置の製造方法
JP2011517113A (ja) 成形密着性を向上させたパッケージ化電子デバイス用リードフレーム
JP2014049577A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US8502359B2 (en) Semiconductor device
JP6092645B2 (ja) 半導体装置
JP4989867B2 (ja) 表面実装型led
JP5290543B2 (ja) 発光装置
JP2006203048A (ja) 半導体装置
JP2006310505A (ja) 発光ダイオード
JP4435050B2 (ja) 半導体装置
JP2020161697A (ja) 半導体発光装置
JP4255842B2 (ja) 半導体装置
JP2000277809A (ja) チップ型発光装置
JP2006332275A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2010087442A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4849802B2 (ja) 半導体装置
JP5179106B2 (ja) 半導体発光装置
JP6679799B2 (ja) 発光装置
JP7450576B2 (ja) 半導体装置
JP5121544B2 (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120601

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120604

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5013596

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250