KR100734785B1 - 적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법 - Google Patents

적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100734785B1
KR100734785B1 KR1020067017002A KR20067017002A KR100734785B1 KR 100734785 B1 KR100734785 B1 KR 100734785B1 KR 1020067017002 A KR1020067017002 A KR 1020067017002A KR 20067017002 A KR20067017002 A KR 20067017002A KR 100734785 B1 KR100734785 B1 KR 100734785B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode layer
laminated
ceramic green
green sheet
average molecular
Prior art date
Application number
KR1020067017002A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060120258A (ko
Inventor
시게키 사토
다케시 노무라
Original Assignee
티디케이가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티디케이가부시기가이샤 filed Critical 티디케이가부시기가이샤
Publication of KR20060120258A publication Critical patent/KR20060120258A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100734785B1 publication Critical patent/KR100734785B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261—Milling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62625—Wet mixtures
    • C04B35/6264—Mixing media, e.g. organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63424—Polyacrylates; Polymethacrylates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63448—Polymers obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63488—Polyethers, e.g. alkylphenol polyglycolether, polyethylene glycol [PEG], polyethylene oxide [PEO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/636—Polysaccharides or derivatives thereof
    • C04B35/6365—Cellulose or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638—Removal thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H01G4/0085—Fried electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
    • C04B2235/3436—Alkaline earth metal silicates, e.g. barium silicate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
    • C04B2235/3436—Alkaline earth metal silicates, e.g. barium silicate
    • C04B2235/3454—Calcium silicates, e.g. wollastonite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5454—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof nanometer sized, i.e. below 100 nm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6565—Cooling rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

본 발명은 적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층체 유닛의 제조 방법에 관한 것으로서, 인쇄성이 양호한 도전체 페이스트를 얻기 위하여 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만∼21.5만)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트를 조제한다.
적층, 세라믹, 전자 부품, 도전체, 페이스트, 용제, 인쇄성, 에틸셀룰로오스, 바인더

Description

적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법{CONDUCTIVE PASTE FOR MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING MULTILAYER UNIT FOR MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전극층에 인접하는 층에 포함되어 있는 바인더를 용해하지 않고, 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있는 도전체 페이스트 및 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 각종 전자 기기의 소형화에 따라, 전자 기기에 실장되는 전자 부품의 소형화 및 고성능화가 요구되게 되었으며, 적층 세라믹 콘덴서 등의 적층 세라믹 전자 부품에서도 적층 수의 증가, 적층 단위의 박층화가 강하게 요구되고 있다.
적층 세라믹 콘덴서에 의해 대표되는 적층 세라믹 전자 부품을 제조하려면, 먼저 세라믹 분말과, 아크릴 수지, 부틸알 수지 등의 바인더와, 프탈산 에스테르류, 글리콜류, 아디프산, 인산 에스테르류 등의 가소제와, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 유기 용매를 혼합 분산하여 세라믹 그린 시트용 유전체 페이스트를 조제한다.
이어서, 유전체 페이스트를 익스트루젼 코터나 그라비아 코터 등을 사용하여 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리프로필렌(PP) 등에 의해 형성된 지지 시트 상에 도포하고 가열하여 도막을 건조시켜 세라믹 그린 시트를 제작한다.
또한, 니켈 등의 도전체 분말과 바인더를 터피네올 등의 용제에 용해하여 도전체 페이스트를 조제하고, 세라믹 그린 시트 상에 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기 등에 의해 소정의 패턴으로 인쇄하고 건조시켜 전극층을 형성한다.
전극층이 형성되면, 전극층이 형성된 세라믹 그린 시트를 지지 시트로부터 박리하여 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 적층체 유닛을 형성하고, 원하는수의 적층체 유닛을 적층하여 가압하고, 얻어진 적층체를 칩 형태로 절단하여 그린 칩을 제작한다.
마지막으로, 그린 칩으로부터 바인더를 제거하여 그린 칩을 소성하고, 외부 전극을 형성함으로써 적층 세라믹 콘덴서 등의 적층 세라믹 전자 부품이 제조된다.
전자 부품의 소형화 및 고성능화의 요청에 따라, 현재, 적층 세라믹 콘덴서의 층간 두께를 결정하는 세라믹 그린 시트의 두께를 3μm 혹은 2μm 이하로 할 것이 요구되며, 300 이상의 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 적층체 유닛을 적층할 것이 요구되고 있다.
(발명이 해결하고자 하는 과제)
그러나, 세라믹 그린 시트용 바인더로서 널리 사용되고 있는 아크릴계 수지를 사용한 세라믹 그린 시트 상에 도전체 페이스트용 용제로서 가장 일반적으로 사용되고 있는 터피네올을 사용하여 조제된 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에는, 도전체 페이스트 중의 터피네올에 의해 세라믹 그린 시트의 바인더가 용해되고, 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하여 쇼트 불량의 원인이된다는 문제가 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 도전체 페이스트의 용제로서 케로센, 데칸 등의 탄소 수소계 용제를 사용할 것이 제안된 바 있는데, 케로센, 데칸 등의 탄소 수소계 용제는 도전체 페이스트에 사용되는 바인더 성분도 용해하지 않기 때문에 종래 사용되고 있는 터피네올 등의 용제를 케로센, 데칸 등의 탄소 수소계 용제에 의해 완전히 치환할 수 없고, 따라서 도전체 페이스트 중의 용제가 여전히 세라믹 그린 시트의 바인더인 아크릴계 수지에 대하여 어느 정도의 용해성을 가지고 있기 때문에 세라믹 그린 시트의 두께가 매우 얇은 경우에는 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것을 방지하기가 곤란하며, 또한 케로센, 데칸 등의 탄소 수소계 용제는 터피네올에 비하여 점도가 낮기 때문에 도전체 페이스트의 점도 제어가 곤란해진다는 문제도 있었다.
또한 일본 특허 공개 평 5-325633호 공보, 일본 특허 공개 평 7-21833호 공보 및 일본 특허 공개 평 7-21832호 공보 등은 터피네올 대신 디하이드로터피네올 등의 수소 첨가 터피네올이나 디하이드로터피네올아세테이트 등의 테르펜계 용제를 사용한 도전체 페이스트를 제안하고 있는데, 디하이드로터피네올 등의 수소 첨가 터피네올이나 디하이드로터피네올아세테이트 등의 테르펜계 용제는 여전히 세라믹 그린 시트의 바인더인 아크릴계 수지에 대하여 어느 정도의 용해성을 가지고 있기 때문에, 세라믹 그린 시트의 두께가 매우 얇은 경우에는 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것을 방지하기가 곤란하다는 문제가 있었다.
나아가, 일본 특허 공개 2002-270456호 공보는 부틸알계 수지를 바인더로서 포함하는 세라믹 그린 시트 상에 부틸알계 수지를 거의 용해하지 않는 이소보닐아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성한 적층 세라믹 전자 부품을 개시하고 있으며, 도전체 페이스트의 바인더로서 에틸셀룰로오스를 이용하는 것이 바람직하다는 것을 개시하고 있는데, 바인더로서 에틸셀룰로오스를 포함하고, 용제로서 이소보닐아세테이트를 포함하는 도전체 페이스트는 그 점도가 낮고 유동성이 높기 때문에, 세라믹 그린 시트 상에 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄할 때, 스크린 제판 상으로부터 도전체 페이스트가 배어나와 원하는 바와 같이 전극층을 인쇄할 수 없다는 문제가 있으며, 또한 인쇄한 전극층의 패턴이 번지기 쉽다는 문제가 있었다.
따라서 본 발명은, 전극층에 인접하는 층에 포함되어 있는 바인더를 용해하지 않고 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 게다가 인쇄성이 뛰어난 도전체 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있어, 원하는 바와 같이 전극층을 형성할 수 있는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
본 발명자는 본 발명의 이러한 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 이용하여 도전체 페이스트를 조제한 경우에는 인쇄에 적합한 점도를 갖는 도전체 페이스트를 조제할 수 있을뿐만 아니라, 원하는 바와 같이 도전체 페이스트의 바인더를 용제에 용해시킬 수 있고, 아크릴계 수지를 바인더로서 이용한 세라믹 그린 시트 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하여도 도전체 페이스트 중에 포함된 용제에 의해 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 바인더가 용해되지 않고, 따라서 세라믹 그린 시트의 두께가 매우 얇은 경우에 있어서도 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다는 것을 발견하였다.
본 발명은 이러한 깨달음에 따른 것으로서, 따라서 본 발명의 상기 목적은 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전체 페이스트에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적은 또한, 바인더로서 아크릴계 수지를 포함하는 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는, X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄하여 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법에 의해 달성된다.
본 발명에 의하면, 인쇄에 적합한 점도를 갖는 도전체 페이스트를 조제할 수 있고, 원하는 바와 같이 전극층을 형성하는 것이 가능해질뿐만 아니라, 바인더로서 아크릴계 수지를 포함하는 매우 얇은 세라믹 그린 시트 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에서도 도전체 페이스트 중에 포함된 용제에 의해 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 바인더가 용해되지 않으므로, 세라믹 그린 시트가 팽윤하거나 부분적으로 용해되지 않고, 따라서 세라믹 그린 시트의 두께가 매우 얇은 경우에서도 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서, 바람직하게는 MWL, MWH 및 X가 X*MWL+(1-X)*MWH가 15.5만 내지 20.5만이 되도록 선택된다.
본 발명에 있어서, 바인더로서 세라믹 그린 시트에 포함되는 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 25만 이상 50만 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 45만 이상 50만 이하이다.
본 발명에 있어서, 바인더로서 세라믹 그린 시트에 포함되는 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것이 바람직하고, 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 아크릴계 수지를 세라믹 그린 시트의 바인더로서 사용함으로써 원하는 점도를 갖는 세라믹 그린 시트용 유전체 페이스트를 조제할 수 있고, 유전체 페이스트의 분산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 태양에 있어서는, 상기 전극층의 형성에 앞서, 혹은 상기 전극층을 형성하고 건조한 후에, 상기 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 유전체 페이스트를 상기 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 인쇄하여 스페이서층이 더 형성된다.
본 발명의 바람직한 실시 태양에 의하면, 세라믹 그린 시트 상에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 스페이서층이 형성되므로, 전극층의 표면과 전극층이 형성되지 않은 세라믹 그린 시트의 표면 사이에 단차가 형성되는 것을 방지할 수 있고, 따라서 각각이 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 다수의 적층체 유닛을 적층하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서 등의 적층 전자 부품이 변형을 일으키는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해짐과 함께, 디라미네이션의 발생을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 스페이서층을 형성하기 위한 유전체 페이스트에 포함되는 용제로서 지금까지 사용되어 온 터피네올과 케로센의 혼합 용제, 디하이드로터피네올, 터피네올 등은 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되어 있는 아크릴계 수지를 용해하기 때문에 세라믹 그린 시트가 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 세라믹 그린 시트와 스페이서층 사이의 계면에 공극이 생기거나 또는 스페이서층의 표면에 금이나 주름이 생기고, 적층체 유닛을 적층하고 소성하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서 중에 보이드가 발생하고, 나아가서는 금이나 주름이 생긴 스페이서층의 부분이 적층체 유닛을 적층하여 적층체를 제작하는 공정에서 적층체 내에 이물질로서 혼입하여 적층 세라믹 콘덴서의 내부 결함의 원인이 되고, 스페이서층이 결락된 부분에 보이드가 생긴다는 문제가 있었으나, 본 발명의 바람직한 실시 태양에 의하면, 스페이서층을 형성하기 위하여 사용하는 유전체 페이스트는 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하고 있으며, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되어 있는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로 세라믹 그린 시트가 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 세라믹 그린 시트와 스페이서층 사이의 계면에 공극이 생기거나 혹은 스페이서층의 표면에 금이나 주름이 생기는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 따라서 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 다수의 적층체 유닛을 적층하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서 등의 적층 전자 부품에 보이드가 발생하는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.
나아가, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 유전체 페이스트는 인쇄에 적합한 점도를 가지고 있으므로, 세라믹 그린 시트 상에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 유전체 페이스트를 인쇄하여 원하는 바와 같이 스페이서층을 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 매우 얇은 세라믹 그린 시트에 전극층용 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에는, 도전체 페이스트 중의 용제가 세라믹 그린 시트의 바인더 성분을 용해 또는 팽윤시키고, 그 한편으로 세라믹 그린 시트 중에 도전체 페이스트가 배어든다는 문제가 있어 단락 불량의 원인이 된다는 문제가 있기 때문에, 전극층을 다른 지지 시트 상에 형성하고, 건조 후에 접착층을 통하여 세라믹 그린 시트의 표면에 접착하는 것이 바람직한 것이 본 발명자들의 연구에 의해 밝혀졌으나, 이와 같이 전극층을 다른 지지 시트 상에 형성하는 경우에는, 전극층으로부터 지지 시트를 박리하기 쉽게 하기 위하여 지지 시트의 표면에 세라믹 그린 시트와 동일한 바인더를 포함하는 박리층을 형성하고, 박리층 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 세라믹 그린 시트와 동일한 조성을 갖는 박리층 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에도 박리층이 아크릴계 수지를 바인더로서 포함하고, 도전체 페이스트가 터피네올을 용제로서 포함하고 있을 때에는 박리층에 포함된 바인더가 도전체 페이스트에 포함된 용제에 의해 용해되어 박리층이 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 박리층과 전극층 사이의 계면에 공극이 생기거나 혹은 전극층의 표면에 금이나 주름이 생기고, 적층체 유닛을 적층하고 소성하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서 중에 보이드가 발생한다는 문제가 있었다. 나아가, 전극층의 표면에 금이나 주름이 생기면 그 부분은 결락되기 쉽기 때문에, 적층체 유닛을 적층하여 적층체를 제작하는 공정에서 적층체 내에 이물질로서 혼입하여 적층 세라믹 콘덴서의 내부 결함의 원인이 되고, 전극층이 결락된 부분에 보이드가 생긴다는 문제가 있었다.
그러나, 본 발명에 의하면, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트를 이용하여 전극층이 형성되고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 세라믹 그린 시트와 동일한 바인더를 포함하는 박리층을 형성하고, 박리층 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에서도 박리층이 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 박리층과 전극층 사이의 계면에 공극이 생기거나 혹은 전극층의 표면에 금이나 주름이 생기는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 적층 세라믹 콘덴서 등의 적층 세라믹 전자 부품에 문제가 생기는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 전극층에 인접하는 층에 포함되어 있는 바인더를 용해하지 않고, 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있으며, 게다가 인쇄성이 우수한 도전체 페이스트를 제공하는 것이 가능해진다.
또한 본 발명에 의하면, 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 원하는 바와 같이 전극층을 형성할 수 있는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
본 발명의 바람직한 실시 태양에 있어서는, 먼저 아크릴계 수지를 바인더로서 포함하는 세라믹 그린 시트용 유전체 페이스트가 조제되고, 익스트루젼 코터나 와이어 바 코터 등을 이용하여 길이가 긴 지지 시트 상에 도포되어 도막이 형성된다.
세라믹 그린 시트 형성용 유전체 페이스트는, 통상적으로 유전체 재료(세라믹 분말)와 유기 용제 중에 아크릴계 수지를 용해시킨 유기 비히클을 혼련하여 조제된다.
아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은 25만 이상 50만 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 45만 이상 50만 이하이다.
또한 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것이 바람직하다.
유기 비히클에 사용되는 유기 용제는 특별히 한정되지 않으며, 부틸카비톨, 아세톤, 톨루엔, 아세트산 에틸 등의 유기 용제가 사용된다.
유전체 재료로는 복합 산화물이나 산화물이 되는 각종 화합물, 예컨대 탄산염, 질산염, 수산화물, 유기 금속 화합물 등으로부터 적당히 선택되며, 이들을 혼합하여 사용할 수 있다. 유전체 재료는 통상 평균 입자 직경이 약 0.1μm 내지 약 3.0μm 정도인 분말로서 사용된다. 유전체 재료의 입자 직경은 세라믹 그린 시트의 두께보다 작은 것이 바람직하다.
유전체 페이스트 중의 각 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유전체 재료 100 중량부에 대하여 약 2.5 중량부 내지 약 10 중량부의 아크릴계 수지와 약 50 중량부 내지 약 300 중량부의 용제를 포함하도록 유전체 페이스트를 조제할 수 있다.
유전체 페이스트 중에는 필요에 따라 각종 분산제, 가소제, 대전 조제, 이형제, 젖음제(wetting agent) 등의 첨가물이 함유되어 있어도 좋다. 유전체 페이스트 중에 이들 첨가물을 첨가하는 경우에는 총 함유량을 약 20 중량% 이하로 하는 것이 바람직하다.
유전체 페이스트를 도포하는 지지 시트로는, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등이 사용되며, 박리성을 개선하기 위하여 그 표면에 실리콘 수지, 알키드수지 등이 코팅되어 있어도 좋다.
이어서, 도막이 예컨대 약 50℃ 내지 약 100℃의 온도에서 약 1분 내지 약 20분에 걸쳐 건조되어, 지지 시트 상에 세라믹 그린 시트가 형성된다.
건조 후의 세라믹 그린 시트의 두께는 3μm 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.5μm 이하이다.
이어서, 길이가 긴 지지 시트의 표면에 형성된 세라믹 그린 시트 상에 전극층용 도전체 페이스트가 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 사용하여 소정의 패턴으로 인쇄되고 건조되어 전극층이 형성된다.
전극층은 약 0.1μm 내지 약 5μm의 두께로 형성되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 약 0.1μm 내지 약 1.5μm이다.
전극층용 도전체 페이스트는 각종 도전성 금속이나 합금으로 이루어지는 도 전체 재료, 소성 후에 각종 도전성 금속이나 합금으로 이루어지는 도전체 재료가 되는 각종 산화물, 유기 금속 화합물 또는 레지네이트 등과 용제 중에 에틸셀룰로오스를 용해시킨 유기 비히클을 혼련하여 조제된다.
본 실시 태양에 있어서 도전체 페이스트는, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하고 있다.
이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 매우 얇은 세라믹 그린 시트 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에서도 도전체 페이스트 중에 포함된 용제에 의해 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 바인더가 용해되어 세라믹 그린 시트가 팽윤하거나 부분적으로 용해되는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 따라서 세라믹 그린 시트의 두께가 매우 얇은 경우에서도 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트는 인쇄에 적합한 점도를 가지고 있으므로, 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 사용하여 원하는 바와 같이 세라믹 그린 시트 상에 소정의 패턴으로 전극층을 형성하는 것이 가능해진다.
바람직하게는, MWL, MWH 및 X가 X*MWL+(1-X)*MWH가 15.5만 내지 20.5만이 되도록 선택된다.
도전체 페이스트를 제조할 때 사용하는 도전체 재료로는, Ni, Ni 합금 혹은 이들의 혼합물이 바람직하게 사용된다. 도전체 재료의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 구상이어도 비늘 조각 형태이어도, 혹은 이들의 형상의 것이 혼합되어 있어도 좋다. 또한 도전체 재료의 평균 입자 직경은 특별히 한정되지 않으나, 통상적으로 약 0.1μm 내지 약 2μm, 바람직하게는 약 0.2μm 내지 약 1μm의 도전성 재료가 사용된다.
도전체 페이스트는 도전체 재료 100 중량부에 대하여 바람직하게는 약 2.5 중량부 내지 약 20중량부의 바인더를 포함하고 있다.
용제의 함유량은 도전체 페이스트 전체에 대하여 바람직하게는 약 40 중량% 내지 약 60 중량%이다.
접착성을 개선하기 위하여 도전체 페이스트가 가소제를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 도전체 페이스트에 포함되는 가소제는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 프탈산 에스테르, 아디프산, 인산 에스테르, 글리콜류 등을 들 수 있다. 도전체 페이스트는 바인더 100 중량부에 대하여 바람직하게는 약 10 중량부 내지 약 300 중량부, 더욱 바람직하게는 약 10 중량부 내지 약 200 중량부의 가소제를 포함하고 있다. 가소제의 첨가량이 지나치게 많으면 전극층의 강도가 현저하게 저하되는 경향이 있어 바람직하지 않다.
도전체 페이스트 중에는, 필요에 따라 각종 분산제, 부성분 화합물 등으로부터 선택되는 첨가물이 함유되어 있어도 좋다.
본 발명에 있어서, 바람직하게는 전극층의 형성에 앞서, 혹은 전극층을 형성하여 건조한 후에, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴 릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 유전체 페이스트가 세라믹 그린 시트의 표면에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 사용하여 인쇄되어 스페이서층이 형성된다.
이와 같이, 세라믹 그린 시트의 표면에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 스페이서층을 형성함으로써 전극층의 표면과 전극층이 형성되지 않은 세라믹 그린 시트의 표면 사이에 단차가 형성되는 것을 방지할 수 있고, 각각이 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 다수의 적층체 유닛을 적층하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서 등의 적층 전자 부품이 변형을 일으키는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해짐과 함께, 디라미네이션의 발생을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
또한 전술한 바와 같이, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 스페이서층을 형성하기 위한 유전체 페이스트에 포함되는 용제에 의해 세라믹 그린 시트가 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 세라믹 그린 시트와 스페이서층 사이의 계면에 공극이 생기거나 스페이서층의 표면에 금이나 주름이 생기는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.
나아가, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 스페이서층용 유전체 페이스트는 인쇄에 적합한 점도를 가지고 있으므로, 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 사용하여 원하는 바와 같이 세라믹 그린 시트 상에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 스페이서층을 형성하는 것이 가능해진다.
본 실시 태양에 있어서는, 스페이서층용 유전체 페이스트는 서로 다른 바인더 및 용제를 사용하는 점을 제외하고, 세라믹 그린 시트용 유전체 페이스트와 동일한 방법으로 조제된다.
이어서, 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층이 건조되어 지지 시트 상에 세라믹 그린 시트와 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층이 적층된 적층체 유닛이 제작된다.
적층 세라믹 콘덴서를 제작함에 있어서는, 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트로부터 지지 시트가 박리되고 소정의 사이즈로 재단되어, 소정의 수의 적층체 유닛이 적층 세라믹 콘덴서의 외층 상에 적층되고, 적층체 유닛 상에 다른 하나의 외층 이 더 적층되며, 얻어진 적층체가 프레스 성형되고 소정의 사이즈로 재단되어 다수의 세라믹 그린 칩이 제작된다.
이와 같이 하여 제작된 세라믹 그린 칩은 환원 가스 분위기 하에 놓여져서 바인더가 제거되고 다시 소성된다.
이어서, 소성된 세라믹 그린 칩에 필요한 외부 전극 등이 부착되어 적층 세라믹 콘덴서가 제작된다.
본 실시 태양에 의하면, 바인더로서 아크릴계 수지를 포함하는 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄하여 전극층을 형성하도록 구성되어 있으며, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 매우 얇은 세라믹 그린 시트 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에서도 도전체 페이스트 중에 포함된 용제에 의해 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 바인더가 용해되어 세라믹 그린 시트가 팽윤되거나 부분적으로 용해되는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 따라서 세라믹 그린 시트의 두께가 매우 얇은 경우에서도 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지하여 적층체 유닛을 적층하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서에 쇼트 불량이 생기는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
또한 본 실시 태양에 의하면, 바인더로서 아크릴계 수지를 포함하는 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 스페이서층용 유전체 페이스트를 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 인쇄하여 스페이서층을 형성하도록 구성되어 있으며, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이 루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 매우 얇은 세라믹 그린 시트 상에 유전체 페이스트를 인쇄하여 스페이서층을 형성하는 경우에서도 유전체 페이스트에 포함된 용제에 의해 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 바인더가 용해되어 세라믹 그린 시트와 스페이서층 사이의 계면에 공극이 생기거나 스페이서층의 표면에 금이나 주름이 생기는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 따라서 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 다수의 적층체 유닛을 적층하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서에 보이드가 발생하는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해짐과 함께, 스페이서층의 표면에 생성된 금이나 주름 부분이 적층체 유닛을 적층하여 적층체를 제작하는 공정에서 결락되어 적층체 내에 이물질로서 혼입되어 적층 세라믹 콘덴서에 내부 결함을 발생시키는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.
본 발명의 다른 바람직한 실시 태양에 있어서는, 세라믹 그린 시트를 형성하기 위하여 사용한 길이가 긴 지지 시트와 다른 제2 지지 시트가 준비되며, 길이가 긴 제2 지지 시트의 표면에 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 유전체 재료와 실질적으로 동일한 조성의 유전체 재료의 입자를 포함하고, 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 바인더와 동일한 바인더를 포함하는 유전체 페이스트가 와이어 바 코터 등을 이용하여 도포되고 건조되어 박리층이 형성된다.
제2 지지 시트로는, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등이 사용되며, 박리성을 개선하기 위하여 그 표면에 실리콘 수지, 알키드 수지 등이 코팅되어 있어도 좋다.
박리층의 두께는 전극층의 두께 이하인 것이 바람직하며, 바람직하게는 전극층의 두께의 약 60% 이하, 더욱 바람직하게는 전극층의 두께의 약 30% 이하이다.
박리층이 건조된 후, 박리층의 표면 상에 전술한 것과 동일한 방법으로 조제된 전극층용 도전체 페이스트가 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 이용하여 소정의 패턴으로 인쇄되고 건조되어 전극층이 형성된다.
전극층은 약 0.1μm 내지 약 5μm의 두께로 형성되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 약 0.1μm 내지 약 1.5μm이다.
본 실시 태양에 있어서, 도전체 페이스트는 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하고 있다.
이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포 함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 세라믹 그린 시트와 동일한 바인더를 포함하는 박리층을 형성하고, 박리층 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에도 박리층이 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 박리층과 전극층 사이의 계면에 공극이 생기거나 전극층의 표면에 금이나 주름이 생기는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트는 인쇄에 적합한 점도를 가지고 있으므로, 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 이용하여 원하는 바와 같이 박리층 상에 소정의 패턴으로 전극층을 형성하는 것이 가능해진다.
바람직하게는, MWL, MWH 및 X가 X*MWL+(1-X)*MWH가 15.5만 내지 20.5만이 되도록 선택된다.
본 발명에 있어서, 바람직하게는, 전극층의 형성에 앞서, 혹은 전극층을 형성하여 건조한 후에, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량 (MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하고, 전술한 바와 동일하게 조제된 스페이서층용 유전체 페이스트가 박리층의 표면에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 이용하여 인쇄되어 스페이서층이 형성된다.
이와 같이 박리층의 표면에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 스페이서층을 형성함으로써, 전극층의 표면과 전극층이 형성되지 않은 박리층의 표면 사이에 단차가 형성되는 것을 방지할 수 있고, 각각이 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 다수의 적층체 유닛을 적층하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서 등의 적층 전자 부품이 변형을 일으키는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해짐과 함께, 디라미네이션의 발생을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
또한 전술한 바와 같이, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 세라믹 그 린 시트와 동일한 바인더를 포함하는 박리층을 형성하고, 박리층 상에 유전체 페이스트를 인쇄하여 스페이서층을 형성하는 경우에도 박리층이 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 박리층과 스페이서층 사이의 계면에 공극이 생기거나 스페이서층의 표면에 금이나 주름이 생기는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
나아가, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 유전체 페이스트는 인쇄에 적합한 점도를 가지고 있으므로, 스크린 인쇄기나 그라비아 인쇄기 등을 이용하여 원하는 바와 같이 박리층 상에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 스페이서층을 형성하는 것이 가능해진다.
나아가, 길이가 긴 제3 지지 시트가 준비되고, 접착제 용액이 바 코터, 익스트루젼 코터, 리버스 코터, 딥 코터, 키스 코터 등에 의해 제3 지지 시트의 표면에 도포되고 건조되어 접착층이 형성된다.
바람직하게는, 접착제 용액은 세라믹 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트에 포함되는 바인더와 동일한 계열의 바인더와 세라믹 그린 시트에 포함되어 있는 유전체 재료의 입자와 실질적으로 동일한 조성을 가지며, 그 입자 직경이 접착층의 두께 이하인 유전체 재료의 입자와, 가소제와, 대전 방지제와, 박리제를 포함하고 있다.
접착층은 약 0.3μm 이하의 두께로 형성되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 약 0.02μm 내지 약 0.3μm, 더욱 바람직하게는 약 0.02μm 내지 약 0.2μm의 두께를 갖도록 형성된다.
이와 같이 하여 길이가 긴 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층은 길이가 긴 제2 지지 시트 상에 형성된 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층 또는 지지 시트 상에 형성된 세라믹 그린 시트의 표면에 접착되고, 접착 후 접착층으로부터 제3 지지 시트가 박리되어 접착층이 전사된다.
접착층이 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층의 표면에 전사된 경우에는, 길이가 긴 지지 시트의 표면에 형성된 세라믹 그린 시트가 접착층의 표면에 접착되고, 접착 후에 세라믹 그린 시트로부터 제1 지지 시트가 박리되어 세라믹 그린 시트가 접착층의 표면에 전사되고, 세라믹 그린 시트 및 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층을 포함하는 적층체 유닛이 제작된다.
이와 같이 하여 얻어진 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트의 표면에 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층의 표면에 접착층을 전사한 것과 동일한 방법으로 접착층이 전사되고, 그 표면에 접착층이 전사된 적층체 유닛이 소정의 사이즈로 재단된다.
동일한 방법으로 그 표면에 접착층이 전사된 소정의 수의 적층체 유닛이 제 작되고, 소정의 수의 적층체 유닛이 적층되어 적층체 블록이 제작된다.
적층체 블록을 제작함에 있어서는, 먼저 적층체 유닛이 폴리에틸렌테레프탈레이트 등에 의해 형성된 지지체 상에 적층체 유닛의 표면에 전사된 접착층이 지지체에 접하도록 위치 결정되고, 프레스기 등에 의해 가압되어 적층체 유닛이 접착층 을 통하여 지지체 상에 접착된다.
그 후, 제2 지지 시트가 박리층으로부터 박리되고, 지지체 상에 적층체 유닛이 적층된다.
이어서, 지지체 상에 적층된 적층체 유닛의 박리층의 표면에 표면에 형성된 접착층이 접하도록 새로운 적층체 유닛이 위치 결정되고, 프레스기 등에 의해 가압되어 지지체 상에 적층된 적층체 유닛의 박리층에 접착층을 통하여 새로운 적층체 유닛이 적층되고, 그 후에 새로운 적층체 유닛의 박리층으로부터 제2 지지 시트가 박리된다.
동일한 프로세스를 반복하여 소정의 수의 적층체 유닛이 적층된 적층체 블록이 제작된다.
한편, 접착층이 세라믹 그린 시트의 표면에 전사된 경우에는, 제2 지지 시트 상에 형성된 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층이 접착층의 표면에 접착되고, 접착후에 박리층으로부터 제2 지지 시트가 박리되어 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 접착층의 표면에 전사되고, 세라믹 그린 시트 및 전극층 및 스페이서층을 포함하는 적층체 유닛이 제작된다.
이와 같이 하여 얻어진 적층체 유닛의 박리층의 표면에 세라믹 그린 시트의 표면에 접착층을 전사한 것과 동일한 방법으로 접착층이 전사되고, 그 표면에 접착층이 전사된 적층체 유닛이 소정의 사이즈로 재단된다.
동일한 방법으로, 그 표면에 접착층이 전사된 소정의 수의 적층체 유닛이 제작되고, 소정의 수의 적층체 유닛이 적층되어 적층체 블록이 제작된다.
적층체 블록을 제작함에 있어서는, 먼저 적층체 유닛이 폴리에틸렌테레프탈레이트 등에 의해 형성된 지지체 상에 적층체 유닛의 표면에 전사된 접착층이 지지체에 접하도록 위치 결정되고, 프레스기 등에 의해 가압되어 적층체 유닛이 접착층을 통하여 지지체 상에 접착된다.
그 후, 지지 시트가 세라믹 그린 시트로부터 박리되어, 지지체 상에 적층체 유닛이 적층된다.
이어서, 지지체 상에 적층된 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트의 표면에 표면에 형성된 접착층이 접하도록 새로운 적층체 유닛이 위치 결정되고, 프레스기 등에 의해 가압되어 지지체 상에 적층된 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트에 접착층을 통하여 새로운 적층체 유닛이 적층되고, 그 후에 새로운 적층체 유닛의 세라믹으로부터 지지 시트가 박리된다.
동일한 프로세스를 반복하여 소정의 수의 적층체 유닛이 적층된 적층체 블록이 제작된다.
이와 같이 하여 제작된 소정의 수의 적층체 유닛을 포함하는 적층체 블록은 적층 세라믹 콘덴서의 외층 상에 적층되고, 적층체 블록 상에 다른 하나의 외층이 더 적층되며, 얻어진 적층체가 프레스 형성되고 소정의 사이즈로 재단되어 다수의 세라믹 그린 칩이 제작된다.
이와 같이 하여 제작된 세라믹 그린 칩은 환원 가스 분위기 하에 놓여지고 바인더가 제거되고 다시 소성된다.
이어서, 소성된 세라믹 그린 칩에 필요한 외부 전극 등이 부착되어 적층 세라믹 콘덴서가 제작된다.
본 실시 태양에 의하면, 제2 지지 시트 상에 형성된 전극층 및 스페이서층이 건조된 후에 접착층을 통하여 세라믹 그린 시트의 표면에 접착하도록 구성되어 있으므로, 세라믹 그린 시트의 표면에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하고, 유전체 페이스트를 인쇄하여 스페이서층을 형성하는 경우와 같이 도전체 페이스트나 유전체 페이스트가 세라믹 그린 시트 중에 배어들지 않고, 원하는 바와 같이 세라믹 그린 시트의 표면에 전극층 및 스페이서층을 형성하는 것이 가능해진다.
또한 본 실시 태양에 의하면, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트를 이용하여 전극층이 형성되고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 세라믹 그린 시트와 동일한 바인더를 포함하는 박리층을 형성하고, 박리층 상에 도전체 페이스트를 인쇄하여 전극층을 형성하는 경우에도 박리층이 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 박리층에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 적층 세라믹 콘덴서에 불량이 생기는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
나아가, 본 실시 태양에 의하면, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 스페이서층이 형성되고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용제는 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함되는 아크릴계 수지를 거의 용해하지 않으므로, 세라믹 그린 시트와 동일한 바인더를 포함하는 박리층을 형성하고, 박리층 상에 유전체 페이스트를 인쇄하여 스페이서층을 형성하는 경우에도 박리층이 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 박리층과 스페이서층 사이의 계면에 공극이 생기거나 스페이서층의 표면에 금이나 주름이 생기는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 따라서 세라믹 그린 시트와 전극층을 포함하는 다수의 적층체 유닛을 적층하여 제작된 적층 세라믹 콘덴서에 보이드가 발생하는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해짐과 함께, 스페이서층의 표면에 생성된 금이나 주름 부분이 적층체 유닛을 적층하여 적층체를 제작하는 공정에서 결락되어 적층체 내에 이물질로서 혼입하여 적층 세라믹 콘덴서에 내부 결함을 발생시키는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.
또한 본 실시 태양에 의하면, 박리층이 팽윤하거나 부분적으로 용해됨으로써 박리층과 전극층 및 스페이서층 사이의 박리 강도 혹은 박리층과 제2 지지 시트 사이의 박리 강도가 변화되어 적층체 유닛을 제작할 때 불량이 발생하는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
본 발명의 다른 실시 태양에 있어서는, 접착층이 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층의 표면에 전사된 경우에, 길이가 긴 제2 지지 시트 상에 박리층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층, 접착층 및 세라믹 그린 시트가 적층되어 형성된 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트의 표면에 접착층이 전사된 후, 적층체 유닛이 재단되지 않고 접착층에 길이가 긴 지지 시트 상에 세라믹 그린 시트, 접착층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 적층되어 형성된 적층체 유닛의 박리층이 접 착되고, 세라믹 그린 시트로부터 지지 시트가 박리되어 길이가 긴 제2 지지 시트 상에 2개의 적층체 유닛이 적층된다.
이어서, 2개의 적층체 유닛의 표면에 위치하는 세라믹 그린 시트 상에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 전사되고, 접착층에 길이가 긴 지지 시트 상에 세라믹 그린 시트, 접착층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 더 적층되어 형성된 적층체 유닛의 박리층이 접착되고, 세라믹 그린 시트로부터 지지 시트가 박리된다.
동일한 프로세스를 반복하여 소정의 수의 적층체 유닛이 적층된 적층체 유닛 세트가 제작되고, 적층체 유닛 세트의 표면에 위치하는 세라믹 그린 시트의 표면에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 더 전사된 후, 소정의 사이즈로 재단되어 적층체 블록이 제작된다.
한편, 접착층이 세라믹 그린 시트의 표면에 전사된 경우에는, 길이가 긴 지지 시트 상에 세라믹 그린 시트, 접착층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 적층되어 형성된 적층체 유닛의 박리층의 표면에 접착층이 전사된 후, 적층체 유닛이 재단되지 않고 접착층에 길이가 긴 제2 지지 시트 상에 박리층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층, 접착층 및 세라믹 그린 시트가 적층되어 형성된 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트가 접착되고, 박리층으로부터 제2 지지 시트가 박리되어 길이가 긴 지지 시트 상에 2개의 적층체 유닛이 적층된다.
이어서, 2개의 적층체 유닛의 표면에 위치하는 박리층 상에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 전사되고, 접착층에 길이가 긴 제2 지지 시트 상에 박리층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층, 접착층 및 세라믹 그린 시트가 더 적층되어 형성된 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트가 접착되고, 박리층으로부터 제2 지지 시트가 박리된다.
동일한 프로세스를 반복하여 소정의 수의 적층체 유닛이 적층된 적층체 유닛 세트가 제작되고, 적층체 유닛 세트의 표면에 위치하는 박리층의 표면에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 더 전사된 후, 소정의 사이즈로 재단되어 적층체 블록이 제작된다.
이와 같이 하여 제작된 적층체 블록을 이용하여 상기 실시 태양과 동일한 방법으로 적층 세라믹 콘덴서가 제작된다.
본 실시 태양에 의하면, 길이가 긴 제2 지지 시트 혹은 지지 시트 상에 적층체 유닛을 연달아 적층하여 소정의 수의 적층체 유닛을 포함하는 적층체 유닛 세트를 제작하고, 그 후에 적층체 유닛 세트를 소정의 사이즈로 재단하여 적층체 블록을 제작하고 있으므로, 소정의 사이즈로 재단된 적층체 유닛을 하나씩 적층하여 적층체 블록을 제작하는 경우에 비하여 적층체 블록의 제조 효율을 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다.
본 발명의 또 다른 실시 태양에 있어서는, 접착층이 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층의 표면에 전사된 경우에, 길이가 긴 제2 지지 시트 상에 박리층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층, 접착층 및 세라믹 그린 시트가 적층되어 형성된 적층체 유닛의 세라믹 그린 시트의 표면에 접착층이 전사된 후, 적층체 유닛이 재단되지 않고, 접착층에 제2 지지 시트 상에 형성된 전극층 혹은 전극층 및 스페이서 층이 접착되고, 박리층으로부터 제2 지지 시트가 박리되어 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 접착층의 표면에 전사된다.
이어서, 접착층의 표면에 전사된 박리층의 표면에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 전사되고, 지지 시트 상에 형성된 세라믹 그린 시트가 접착층에 접착되고 세라믹 그린 시트로부터 지지 시트가 박리되어 세라믹 그린 시트가 접착층의 표면에 전사된다.
나아가, 접착층의 표면에 전사된 세라믹 그린 시트의 표면에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 전사되고, 제2 지지 시트 시트 상에 형성된 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층이 접착층에 접착되고, 박리층으로부터 제2 지지 시트가 박리되어 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 접착층의 표면에 전사된다.
동일한 프로세스를 반복하여 소정의 수의 적층체 유닛이 적층된 적층체 유닛 세트가 제작되고, 적층체 유닛 세트의 표면에 위치하는 세라믹 그린 시트의 표면에 접착층이 더 전사된 후, 소정의 사이즈로 재단되어 적층체 블록이 제작된다.
한편, 접착층이 세라믹 그린 시트의 표면에 전사된 경우에는, 길이가 긴 지지 시트 상에 세라믹 그린 시트, 접착층, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 적층되어 형성된 적층체 유닛의 박리층의 표면에 접착층이 전사된 후, 적층체 유닛이 재단되지 않고, 접착층에 지지 시트 상에 형성된 세라믹 그린 시트가 접착되고, 세라믹 그린 시트로부터 지지 시트가 박리되어 세라믹 그린 시트가 접착층의 표면에 전사된다.
이어서, 접착층의 표면에 전사된 세라믹 그린 시트의 표면에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 전사되고, 제2 지지 시트 상에 형성된 전극층 또는 전극층 및 스페이서층이 접착층에 접착되고, 박리층으로부터 제2 지지 시트가 박리되어 전극층 혹은 전극층 및 스페이서층 및 박리층이 접착층의 표면에 전사된다.
나아가, 접착층의 표면에 전사된 박리층의 표면에 표면에 제3 지지 시트 상에 형성된 접착층이 전사되고, 지지 시트 시트 상에 형성된 세라믹 그린 시트가 접착층에 접착되고, 세라믹 그린 시트로부터 지지 시트가 박리되어 세라믹 그린 시트가 접착층의 표면에 전사된다.
동일한 프로세스를 반복하여 소정의 수의 적층체 유닛이 적층된 적층체 유닛 세트가 제작되고, 적층체 유닛 세트의 표면에 위치하는 박리층의 표면에 접착층이 더 전사된 후, 소정의 사이즈로 재단되어 적층체 블록이 제작된다.
이와 같이 하여 제작된 적층체 블록을 이용하여 상기 실시 태양과 동일한 방법으로 적층 세라믹 콘덴서가 제작된다.
본 실시 태양에 의하면, 길이가 긴 제2 지지 시트 혹은 지지 시트 상에 형성된 적층체 유닛의 표면 상에 접착층의 전사, 전극층 또는 전극층 및 스페이서층 및 박리층의 전사, 접착층의 전사 및 세라믹 그린 시트의 전사를 반복하여 적층체 유닛을 연달아 적층하여 소정의 수의 적층체 유닛을 포함하는 적층체 유닛 세트를 제작하고, 그 후에 적층체 유닛 세트를 소정의 사이즈로 재단하여 적층체 블록을 제작하고 있으므로, 소정의 사이즈로 재단된 적층체 유닛을 하나씩 적층하여 적층체 블록을 제작하는 경우에 비하여 적층체 블록의 제조 효율을 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 효과를 보다 명료하게 하기 위하여, 실시예 및 비교예를 든다.
실시예
실시예 1
세라믹 그린 시트용 유전체 페이스트의 조제
1.48 중량부의 (BaCa)SiO3와, 1.01 중량부의 Y2O3와, 0.72 중량부의 MgCO3와, 0.13 중량부의 MnO와, 0.045 중량부의 V2O5를 혼합하여 첨가물 분말을 조제하였다.
이와 같이 하여 조제한 첨가물 분말 100 중량부에 대하여, 159.3 중량부의 아세트산 에틸과 0.93 중량부의 폴리에틸렌글리콜계 분산제를 혼합하여 슬러리를 조제하고, 슬러리 중의 첨가물을 분쇄하였다.
슬러리 중의 첨가물의 분쇄에 있어서는, 11.65g의 슬러리와, 450g의 ZrO2 비즈(직경 2mm)를 250cc의 폴리에틸렌 용기 내에 충전하고, 주속(周速) 45m/분으로 폴리에틸렌 용기를 회전시켜 16시간에 걸쳐 슬러리 중의 첨가물을 분쇄하여 첨가물 슬러리를 조제하였다.
분쇄 후의 첨가물의 중앙 직경은 0.1μm이었다.
이어서, 15 중량부의 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 50℃에서 85 중량부의 아세트산 에틸에 용해하여 유기 비히클의 8% 용액을 조제하고, 다시 이하의 조성을 갖는 슬러리를 500cc의 폴리에틸렌 용기를 이용하여 20시간에 걸쳐 혼합하여 유전체 페이스트를 조제하였다. 혼합에 있어서, 폴리에틸렌 용기 내에 344.1g의 슬러리와 900g의 ZrO2 비즈(직경 2mm)를 충전하고, 주속 45m/분으로 폴리에틸렌 용기를 회전시켰다.
BaTiO3 분말(SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD. 제조 : 상품명 "BT-02" : 입자 직경 0.2μm) 100 중량부
첨가물 슬러리 11.2 중량부
아세트산 에틸 163.76 중량부
톨루엔 21.48 중량부
폴리에틸렌글리콜계 분산제 1.04 중량부
대전 조제 0.83 중량부
디아세톤알코올 1.04 중량부
프탈산 벤질부틸(가소제) 2.61 중량부
스테아르산 부틸 0.52 중량부
미네랄 스피릿 6.78 중량부
유기 비히클 34.77 중량부
폴리에틸렌글리콜계 분산제로는 폴리에틸렌글리콜을 지방산으로 변성한 분산제(HLB=5∼6)를 이용하고, 대전 조제로는 중량 평균 분자량 400의 폴리에틸렌글리콜을 이용하였다.
세라믹 그린 시트의 형성
얻어진 유전체 페이스트를 다이 코터를 이용하여 50m/분의 도포 속도로 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 도포하여 도막을 생성하고, 80℃로 유지된 건조로 중에서 얻어진 도막을 건조하여 1μm의 두께를 갖는 세라믹 그린 시트를 형성하였다.
전극용 도전체 페이스트의 조제
1.48 중량부의 (BaCa)SiO3와, 1.01 중량부의 Y2O3와, 0.72 중량부의 MgCO3와, 0.13 중량부의 MnO와, 0.045 중량부의 V2O5를 혼합하여 첨가물 분말을 조제하였다.
이와 같이 하여 조제한 첨가물 분말 100 중량부에 대하여 150 중량부의 아세톤과, 104.3 중량부의 이소보닐아세테이트와, 1.5 중량부의 폴리에틸렌글리콜계 분산제를 혼합하여 슬러리를 조제하고, Ashizawa Finetech Co., Ltd. 제조 분쇄기 "LMZ0.6"(상품명)을 사용하여 슬러리 중의 첨가물을 분쇄하였다.
슬러리 중의 첨가물을 분쇄함에 있어서는 ZrO2 비즈(직경 0.1mm)를 베셀 내에 베셀 용량에 대하여 80%가 되도록 충전하고, 주속 14m/분으로 로터를 회전시켜 전체 슬러리가 베셀에 체류하는 시간이 5분이 될 때까지 베셀과 슬러리 탱크 사이를 순환시켜 슬러리 중의 첨가물을 분쇄하였다.
분쇄 후의 첨가물의 중앙 지름은 0.1μm이었다.
이어서, 증발기를 사용하여 아세톤을 증발시켜 슬러리로부터 제거하고, 첨가물이 터피네올에 분산된 첨가물 페이스트를 조제하였다. 첨가물 페이스트 중의 비 휘발 성분 농도는 49.3 중량%이었다.
이어서, 중량 평균 분자량(MWH) 23만의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MHW) 13만의 에틸셀룰로오스를 75:25의 중량비로 포함하는 8 중량부의 바인더, 즉 X*MWL+(1-X)*MWH로 표시되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 20.5만인 에틸셀룰로오스8 중량부를 70℃에서 92 중량부의 이소보닐아세테이트에 용해하여 유기 비히클의 8% 용액을 조제하고, 다시 이하의 조성을 갖는 슬러리를 볼 밀을 이용하여 16시간에 걸쳐 분산하였다. 분산 조건은 밀 중의 ZrO2(직경 2.0mm)의 충전량을 30 용적%,밀 중의 슬러리 양을 60 용적%로 하였고, 볼 밀의 주속은 45m/분으로 하였다.
Kawatetsu Industry Co., Ltd. 제조의 니켈 분말(입자 직경 0.2μm)
100 중량부
첨가물 페이스트 1.77 중량부
BaTiO3 분말(SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD. 제조:입자 직경 0.05μm)
19.14 중량부
유기 비히클 56.25 중량부
폴리에틸렌글리콜계 분산제 1.19 중량부
이소보닐아세테이트 32.19 중량부
아세톤 56 중량부
이어서, 증발기(evaporator) 및 가열 기구를 구비한 교반 장치를 사용하여 이와 같이 하여 얻어진 슬러리로부터 아세톤을 증발시켜 혼합물로부터 제거하여 도 전체 페이스트를 얻었다. 도전체 페이스트 중의 도전체 재료 농도는 47 중량%이었다.
이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 HAAKE Co., Ltd. 제조 원추 원반 점도계를 이용하여 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 19.4Ps·s, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 10.4Ps·s이었다.
전극층의 형성 및 적층체 유닛의 제작
이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하고, 90℃에서 5분간에 걸쳐 건조하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
이와 같이 하여 형성한 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd.제조의 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 사용하여 측정하였더니 0.143μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
세라믹 그린 칩의 제작
전술한 바와 같이 조제한 유전체 페이스트를 다이 코터를 사용하여 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 도포하여 도막을 형성하고, 도막을 건조하여 10μm의 두께를 갖는 세라믹 그린 시트를 형성하였다.
이와 같이 하여 제작한 10μm의 두께를 갖는 세라믹 그린 시트를 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 박리하여 재단하고, 재단한 5장의 세라믹 그린 시트를 적층하여 50μm의 두께를 갖는 커버층을 형성하고, 다시 적층체 유닛을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 박리하여 재단하고, 재단한 50장의 적층체 유닛을 커버층 상에 적층하였다.
이어서, 10μm의 두께를 갖는 세라믹 그린 시트를 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 박리하여 재단하고, 재단한 5장의 세라믹 그린 시트를 적층된 적층체 유닛 상에 적층하여 50μm의 두께를 갖는 하부 커버층과, 1μm의 두께를 갖는 세라믹 그린 시트와 1μm의 두께를 갖는 전극층을 포함하는 50장의 적층체 유닛이 적층된 100μm의 두께를 갖는 유효층과, 50μm의 두께를 갖는 상부 커버층이 적층된 적층체를 제작하였다.
이어서, 이와 같이 하여 얻어진 적층체를 70℃의 온도 조건 하에서 100MPa의 압력을 가하여 프레스 성형하고, 다이싱 가공기에 의해 소정의 사이즈로 재단하여 세라믹 그린 칩을 제작하였다.
적층 세라믹 콘덴서 샘플의 제작
이와 같이 하여 제작된 세라믹 그린 칩을 공기 중에서 이하의 조건으로 처리하여 바인더를 제거하였다.
승온 속도: 50℃/시간
유지 온도 : 240℃
유지 시간 : 8시간
바인더를 제거한 후, 각 세라믹 그린 칩을 이슬점 20℃로 제어된 질소 가스와 수소 가스의 혼합 가스 분위기 하에서 이하의 조건으로 처리하여 소성하였다. 혼합 가스 중의 질소 가스 및 수소 가스의 함유량은 95 용적% 및 5 용적%로 하였다.
승온 속도 : 300℃/시간
유지 온도 : 1200℃
유지 시간 : 2시간
냉각 속도 : 300℃/시간
또한 소성한 세라믹 그린 칩에 이슬점 20℃로 제어된 질소 가스의 분위기 하에서 이하의 조건으로 어닐링 처리를 실시하였다.
승온 속도 : 300℃/시간
유지 온도 : 1000℃
유지 시간 : 3시간
냉각 속도 : 300℃/시간
이와 같이 하여 얻어진 각 소결체의 단면을 샌드 블래스트에 의해 연마한 후, In-Ga 합금을 도포하여 단자 전극을 형성하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하였다.
동일한 방법으로 총 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하였다.
쇼트율의 측정
이와 같이 하여 제작한 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미 터에 의해 측정하여 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트 불량을 검사하였다.
얻어진 저항값이 100kΩ 이하인 것을 쇼트 불량으로 하고, 쇼트 불량이 보인 적층 세라믹 콘덴서 샘플 수를 구하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 총 수에 대한 비율(%)을 산출하여 쇼트율을 측정하였다.
그 결과, 쇼트율은 18%로서, 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는다는 것을 알 수 있었다.
실시예 2
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량(MWH) 23만의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWL) 13만의 에틸셀룰로오스를 50:50의 중량비로 포함하는 바인더, 즉 X*MWL+(1-X)*MWH로 정의되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 18만인 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 15.5Ps·s, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 8.5Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.088μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 8%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 3
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량(MWH) 23만의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량(MWL) 13만의 에틸셀룰로오스를 25:75의 중량비로 포함하는 바인더, 즉 X*MWL+(1-X)*MWH로 정의되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 15.5만인 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 11.2Ps·s, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.8Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하 여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.065μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 6%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 4
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 디하이드로터피닐메틸에테르를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 16.1Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 9.3Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두 께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.132μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 16%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 5
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 50:50의 중량비로 포함하는 바인더를 사용한 점을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 12.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 7.3Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하 여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.070μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 12%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 6
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스와 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 25:75의 중량비로 포함하는 바인더를 사용한 점을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 8.6Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 5.3Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하 여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.068μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 12%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 7
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 디하이드로터피닐옥시에탄올을 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 16.6Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 9.6Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두 께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.133μm었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 18%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 8
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 디하이드로터피닐옥시에탄올을 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 13.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 7.7Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그 린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.072μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 20%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 9
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 디하이드로터피닐옥시에탄올을 사용한 점을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 8.9Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 5.2Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.081μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 14%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 10
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 터피닐메틸에테르를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 16.2Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 9.4Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.115μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 18%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 11
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 터피닐메틸에테르를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 11.7Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.6Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.068μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 10%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 12
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 터피닐메틸에테르를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 8.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 4.9Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.060μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 14%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 13
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 터피닐옥시에탄올을 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 10.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.2Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.071μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 16%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 14
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 d-디하이드로카베올을 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 10.6Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.0Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.075μm이었으 며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 18%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 15
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 I-멘틸아세테이트를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 10.6Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 5.8Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.071μm이었으 며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 14%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 16
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 I-시트로네올을 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 10.8Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.2Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.069μm이었으 며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 16%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 17
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 I-페릴릴알코올을 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 11.5Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.4Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.072μm이었으 며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 20%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 18
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 16.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 8.9Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.078μm이었으 며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 18%로서 실용상 쇼트 불량은 문제가 되지 않는 것을 알 수 있었다.
비교예 1
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 23.2Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 12.1Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.230μm이었으 며, 전극층의 표면 거칠기가 높고, 표면 평활성이 높은 전극층을 형성할 수 없음을 알 수 있었다.
이는 전단 속도 50sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 높아 원하는 바와 같이 도전체 페이스트를 인쇄할 수 없었던 것에 기인하는 것으로 사료된다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 36%로서 쇼트율도 높은 것을 알 수 있었다.
비교예 2
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 7.1Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 4.7Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두 께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.070μm이었으며, 전극층의 표면 평활성은 높았지만, 전단 속도 8sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 낮아 유동화하기 쉬웠기 때문에, 스크린 제판 상으로부터 도전체 페이스트가 배어나와 원하는 패턴으로 전극층을 형성할 수 없었다.
비교예 3
세라믹 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량이 23만의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(산가 5mgKOH/g, 공중합비(중량비) 82:18, Tg:70℃)를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 그린 시트 형성용 유전체 페이스트를 조제하고, 세라믹 그린 시트를 제작하였다.
또한, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 15.5Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 9.8Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.112μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 36%로서 쇼트율이 높고 실용성이 없는 것을 알 수 있었다.
이는 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더의 중량 평균 분자량이 23만으로 낮아 용제에 의해 그 일부가 팽윤, 용해되었기 때문으로 사료된다.
비교예 4
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 20.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 11.3Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.221μm이었으며, 전극층의 표면 거칠기가 높고, 표면 평활성이 높은 전극층을 형성할 수 없음을 알 수 있었다.
이는 전단 속도 50sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 높아 원하는 바와 같이 도전체 페이스트를 인쇄할 수 없었던 것에 기인하는 것으로 사료된다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 38%로서 쇼트율도 높은 것을 알 수 있었다.
비교예 5
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 5.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 3.2Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.066μm이었으며, 전극층의 표면 평활성은 높았지만 전단 속도 8sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 낮아 유동화하기 쉬웠기 때문에, 스크린 제판 상으로부터 도전체 페이스트가 배어나와 원하는 패턴으로 전극층을 형성할 수 없었다.
비교예 6
세라믹 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량이 23만인 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, Tg:70℃)를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 그 린 시트 형성용 유전체 페이스트를 조제하고, 세라믹 그린 시트를 제작하였다.
또한, 실시예 5와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 12.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 7.3Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.120μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 34%로서 쇼트율이 높고 실용성이 없는 것을 알 수 있었다.
이는 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더의 중량 평균 분 자량이 23만으로 낮아 용제에 의해 그 일부가 팽윤, 용해되었기 때문으로 사료된다.
비교예 7
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 7과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 21.1Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 11.9Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.241μm이었으며, 전극층의 표면 거칠기가 높고, 표면 평활성이 높은 전극층을 형성할 수 없음을 알 수 있었다.
이는 전단 속도 50sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 높아 원 하는 바와 같이 도전체 페이스트를 인쇄할 수 없었던 것에 기인하는 것으로 사료된다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 40%로서 쇼트율도 높은 것을 알 수 있었다.
비교예 8
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 7과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 5.5Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 3.1Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.069μm이었으 며, 전극층의 표면 평활성은 높았지만, 전단 속도 8sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 낮아 유동화하기 쉬웠기 때문에 스크린 제판 상으로부터 도전체 페이스트가 배어나와 원하는 패턴으로 전극층을 형성할 수 없었다.
비교예 9
세라믹 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량이 23만인 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, Tg:70℃)를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 그린 시트 형성용 유전체 페이스트를 조제하고, 세라믹 그린 시트를 제작하였다.
또한, 실시예 8과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 13.3Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 7.7Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.145μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 42%로서 쇼트율이 높고 실용성이 없는 것을 알 수 있었다.
이는 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더의 중량 평균 분자량이 23만으로 낮아 용제에 의해 그 일부가 팽윤, 용해되었기 때문으로 사료된다.
비교예 10
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 10과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 20.5Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 11.8Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두 께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.221μm이었으며, 전극층의 표면 거칠기가 높고, 표면 평활성이 높은 전극층을 형성할 수 없음을 알 수 있었다.
이는 전단 속도 50sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 높아 원하는 바와 같이 도전체 페이스트를 인쇄할 수 없었던 것에 기인하는 것으로 사료된다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 39%로서 쇼트율도 높다는 것을 알 수 있었다.
비교예 11
도전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 사용한 점을 제외하고, 실시예 10과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 5.2Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 3.0Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프 코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.063μm이었으며, 전극층의 표면 평활성은 높았지만, 전단 속도 8sec-1에서의 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 낮아 유동화하기 쉬웠기 때문에 스크린 제판 상으로부터 도전체 페이스트가 배어나와 원하는 패턴으로 전극층을 형성할 수 없었다.
비교예 12
세라믹 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더로서 중량 평균 분자량이 23만인 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, Tg:70℃)를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 세라믹 그린 시트 형성용 유전체 페이스트를 조제하고, 세라믹 그린 시트를 제작하였다.
또한, 실시예 11과 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 11.7Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.6Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.189μm이었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 56%로서 쇼트율이 높고 실용성이 없는 것을 알 수 있었다.
이는 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더의 중량 평균 분자량이 23만으로 낮아 용제에 의해 그 일부가 팽윤, 용해되었기 때문으로 사료된다.
비교예 13
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 터피네올과 케로센의 혼합 용제(혼합비(질량비)50:50)를 사용한 점을 제외하고, 비교예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 10.7Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.7Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.130μm이었으며, 표면 평활성이 높은 전극층이 형성되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 46%로서 쇼트율이 현저하게 높아 실용성이 없는 것을 알 수 있었다.
이는 도전체 페이스트의 용제인 터피네올과 케로센의 혼합 용제(혼합비(질량비)50:50)가 세라믹 그린 시트의 바인더인 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머를 용해하였기 때문으로 사료된다.
비교예 14
도전체 페이스트를 조제할 때의 용제로서 이소보닐아세테이트 대신 터피네올을 사용한 점을 제외하고, 비교예 2와 동일한 방법으로 도전체 페이스트를 조제하고, 이와 같이 하여 조제된 도전체 페이스트의 점도를 25℃, 전단 속도 8sec-1로 측정함과 함께, 25℃, 전단 속도 50sec-1로 측정하였다.
그 결과, 전단 속도 8sec-1에서의 점도는 13.1Ps·s이었고, 전단 속도 50sec-1에서의 점도는 6.9Ps·s이었다.
이어서, 이와 같이 하여 조제한 도전체 페이스트를 스크린 인쇄기를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 형성한 세라믹 그린 시트 상에 인쇄하여 1μm의 두께를 갖는 전극층을 형성하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 세라믹 그린 시트와 전극층-이 적층된 적층체 유닛을 제작하였다.
실시예 1과 동일한 방법으로 전극층의 표면 거칠기(Ra)를 Kosaka Laboratory Ltd. 제조 "서프코더(SE-30D)"(상품명)를 이용하여 측정하였더니 0.192μm이었으며, 전극층의 표면 거칠기가 높고, 표면 평활성이 높은 전극층을 형성할 수 없다는 것을 알 수 있었다.
이는 도전체 페이스트의 용제인 터피네올이 세라믹 그린 시트의 바인더인 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머를 용해하였기 때문으로 사료된다.
또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플을 제작 하고, 50개의 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 저항값을 멀티미터에 의해 측정하고, 적층 세라믹 콘덴서 샘플의 쇼트율을 측정하였더니, 쇼트율은 76%로서 쇼트율이 현저하게 높아 실용성이 없는 것을 알 수 있었다.
이는 도전체 페이스트의 용제인 터피네올이 세라믹 그린 시트의 바인더인 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머를 용해하였기 때문으로 사료된다.
실시예 1 내지 18 및 비교예 13 및 14로부터, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 터피네올과 케로센의 혼합 용제(혼합비(질량비)50:50)를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트 혹은 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 터피네올을 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적층체 유닛을 제작하고, 50장의 적층체 유닛을 적층하여 적층 세라믹 콘덴서를 제작한 경우에는, 도전체 페이스트의 용제가 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함된 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머를 용해하기 때문에 세라믹 그린 시트가 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하고, 그 결과 적층 세라믹 콘덴서의 쇼트율이 현저하게 높아지는 데 반하여, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에, X*MWL+(1-X)*MWH로 정의되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 15.5만 내지 20.5만인 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 혹은 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적층체 유닛을 제작하고, 50장의 적층체 유닛을 적층하여 적층 세라믹 콘덴서를 제작한 경우에는 도전체 페이스트의 용제가 세라믹 그린 시트에 바인더로서 포함된 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머를 거의 용해하지 않고, 따라서 세라믹 그린 시트가 팽윤하거나 부분적으로 용해되어 세라믹 그린 시트에 핀홀이나 크랙이 발생하는 것이 방지되기 때문에, 적층 세라믹 콘덴서의 쇼트율을 대폭으로 저하시키는 것이 가능해지는 것이 밝혀졌다.
또한 실시예 1 내지 18 및 비교예 1, 4, 7 및 10으로부터, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트, 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 디하이드로터피닐메틸에테르를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트, 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 디하이드로터피닐옥시에탄올을 용제로서 포함하는 도전체 페이스트 혹은 중량 평균 분자량 23만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 터피닐메틸에테르를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적층체 유닛을 제작하고, 50장의 적층체 유닛을 적층하여 적층 세라믹 콘덴서를 제작한 경우에는 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 높아 원하는 바와 같이 도전체 페이스트를 인쇄하여 표면 평활성이 높은 전극층을 형성할 수 없었기 때문에 적층 세라믹 콘덴서의 쇼트율이 현저하게 높아지는 데 반하여, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에, X*MWL+(1-X)*MWH로 정의되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 15.5만 내지 20.5만인 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 혹은 아세톡시-메톡시에톡시시클로헥산올아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적층체 유닛을 제작하고, 50장의 적층체 유닛을 적층하여 적층 세라믹 콘덴서를 제작한 경우에는 도전체 페이스트는 인쇄에 적합한 점도를 가지고 있어 스크린 인쇄기를 이용하여 원하는 바와 같이 세라믹 그린 시트 상에 소정의 패턴으로 전극층을 형성할 수 있고, 쇼트율이 낮은 적층 세라믹 콘덴서를 제작할 수 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1 내지 18 및 비교예 2, 5, 8 및 11로부터, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트, 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 디하이드로터피닐메틸에테르를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트, 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 디하이드로터피닐옥시에탄올을 용제로서 포함하는 도전체 페이스트 혹은 중량 평균 분자량 13만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 터피닐메틸에테르를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적층체 유닛을 제작한 경우에는 도전체 페이스트의 점도가 지나치게 낮아 유동화하기 쉬웠기 때문에 스크린 제판 상으로부터 도전체 페이스트가 배어나와 원하는 패턴으로 전극층을 형성할 수 없었던 데 반하여, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에, X*MWL+(1-X)*MWH로 정의되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 15.5만 내지 20.5만인 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 혹은 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적 층체 유닛을 제작하고, 50장의 적층체 유닛을 적층하여 적층 세라믹 콘덴서를 제작한 경우에는 도전체 페이스트는 인쇄에 적합한 점도를 가지고 있어 스크린 인쇄기를 이용하여 원하는 바와 같이 세라믹 그린 시트 상에 소정의 패턴으로 전극층을 형성할 수 있고, 쇼트율이 낮은 적층 세라믹 콘덴서를 제작할 수 있는 것이 밝혀졌다.
또한 실시예 1 내지 18 및 비교예 3, 6, 9 및 12로부터, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 23만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에 겉보기의 중량 평균 분자량 18만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트, 겉보기의 중량 평균 분자량 18만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 디하이드로터피닐메틸에테르를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트, 겉보기의 중량 평균 분자량 18만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 디하이드로터피닐옥시에탄올을 용제로서 포함하는 도전체 페이스트 혹은 겉보기의 중량 평균 분자량 18만의 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 터피닐메틸에테르를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적층체 유닛을 제작한 경우에는 적층 세라믹 콘덴서의 쇼트율이 현저하게 높아지는 데 반하여, 바인더로서 산가 5mgKOH/g의 메타크릴산 메틸과 아크릴산 부틸의 코폴리머(공중합비(중량비) 82:18, 중량 평균 분자량 45만, Tg:70℃)를 포함하는 유전체 페이스트를 이용하여 형성한 세라믹 그린 시트 상에, X*MWL+(1-X)*MWH로 정의되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 15.5만 내지 20.5만인 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 혹은 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트를 용제로서 포함하는 도전체 페이스트를 인쇄하여 적층체 유닛을 제작하고, 50장의 적층체 유닛을 적층하여 적층 세라믹 콘덴서를 제작한 경우에는 적층 세라믹 콘덴서의 쇼트율을 대폭으로 저하시키는 것이 가능해지는 것을 알 수 있었다. 이는 그린 시트를 형성하기 위한 유전체 페이스트의 바인더의 중량 평균 분자량이 23만으로 낮아 전극층을 형성하기 위하여 사용된 도전체 페이스트에 포함되어 있는 용제에 의해 그 일부가 팽윤되어 용해되었기 때문으로 사료된다.
X*MWL+(1-X)*MWH로 정의되는 겉보기의 중량 평균 분자량이 11만 내지 18만인 에틸셀룰로오스를 바인더로서 포함하고, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, 1-페릴릴알코올 혹은 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트를 용제로서 포함하는 스페이서층용 유전체 페이스트를 조제하고, 세라믹 그린 시트 상에 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 인쇄하여 스페이서층을 형성한 경우에도 동일한 결과가 얻어졌다.
본 발명은 이상의 실시 태양 및 실시예에 한정되지 않으며, 특허 청구 범위 에 기재된 발명의 범위 내에서 다양한 변경이 가능하며, 그들도 본 발명의 범위 내에 포함되는 것임은 말할 필요도 없다.
본 발명에 의하면, 전극층에 인접하는 층에 포함되어 있는 바인더를 용해하지 않고, 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있으며, 게다가 인쇄성이 우수한 도전체 페이스트를 제공하는 것이 가능해진다.
또한 본 발명에 의하면, 적층 세라믹 전자 부품에 쇼트 불량이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 원하는 바와 같이 전극층을 형성할 수 있는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.

Claims (21)

  1. 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와, 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전체 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서, MWL, MWH 및 X가 X*MWL+(1-X)*MWH가 15.5만 내지 20.5만이 되도록 선택된 것을 특징으로 하는 도전체 페이스트.
  3. 바인더로서 아크릴계 수지를 포함하는 세라믹 그린 시트 상에 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와, 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는, X*MWL+(1-X)*MWH가 14.5만 내지 21.5만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하 이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 도전체 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄하여, 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, MWL, MWH 및 X가 X*MWL+(1-X)*MWH가 15.5만 내지 20.5만이 되도록 선택된 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 전극층의 건조 후에, 상기 세라믹 그린 시트 상에, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와, 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 유전체 페이스트를 상기 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 인쇄하여 스페이서층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  6. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 전극층의 형성에 앞서, 상기 세라믹 그린 시트 상에, 중량 평균 분자량(MWL)의 에틸셀룰로오스와, 중량 평균 분자량(MWH)의 에틸셀룰로오스를 X:(1-X)의 중량비로 포함하는 바인더(여기서, MWL, MWH 및 X는 X*MWL+(1-X)*MWH가 11만 내지 18만이 되도록 선택된다)와, 이소보닐아세테이트, 디하이드로터피닐메틸에테르, 디하이드로터피닐옥시에탄올, 터피닐메틸에테르, 터피닐옥시에탄올, d-디하이드로카베올, I-멘틸아세테이트, I-시트로네올, I-페릴릴알코올 및 아세톡시-메톡시에톡시-시클로헥산올아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 유전체 페이스트를 상기 전극층의 패턴과 상보적인 패턴으로 인쇄하여, 스페이서층을 형성하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  7. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 25만 이상, 50만 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 25만 이상, 50만 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 25만 이상, 50만 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 45만 이상, 50만 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 45만 이상, 50만 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 45만 이상, 50만 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  13. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  14. 제 5 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  15. 제 6 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  16. 제 7 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  17. 제 8 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  18. 제 9 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  19. 제 10 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
  21. 제 12 항에 있어서, 상기 아크릴계 수지의 산가가 5mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법.
KR1020067017002A 2004-02-27 2005-02-23 적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법 KR100734785B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004054722A JP4487595B2 (ja) 2004-02-27 2004-02-27 積層セラミック電子部品用の積層体ユニットの製造方法
JPJP-P-2004-00054722 2004-02-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060120258A KR20060120258A (ko) 2006-11-24
KR100734785B1 true KR100734785B1 (ko) 2007-07-04

Family

ID=34908804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067017002A KR100734785B1 (ko) 2004-02-27 2005-02-23 적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7560050B2 (ko)
JP (1) JP4487595B2 (ko)
KR (1) KR100734785B1 (ko)
CN (1) CN100587856C (ko)
TW (1) TWI262517B (ko)
WO (1) WO2005083719A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4487596B2 (ja) * 2004-02-27 2010-06-23 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品用の積層体ユニットの製造方法
JP4412013B2 (ja) * 2004-03-16 2010-02-10 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品用の誘電体ペーストおよび積層セラミック電子部品用の積層体ユニットの製造方法
US7666328B2 (en) * 2005-11-22 2010-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor composition(s) and processing technology thereof for use in multilayer electronic circuits and devices
JP4980439B2 (ja) * 2010-03-02 2012-07-18 株式会社トクヤマ メタライズドセラミック基板の製造方法
JP2013157257A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Toyota Motor Corp 二次電池の製造方法
KR101765707B1 (ko) * 2012-06-15 2017-08-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 도전성 페이스트, 그리고 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
TWI601793B (zh) * 2012-11-06 2017-10-11 Noritake Co Limited Conductive paste composition
KR102410080B1 (ko) * 2014-07-31 2022-06-16 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 도전성 페이스트
JP7379899B2 (ja) * 2019-07-22 2023-11-15 Tdk株式会社 セラミック電子部品

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153939A (ja) * 1987-12-11 1989-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザービーム偏向角測定装置の較正方法
JPH0653654A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Kyocera Corp 多層回路基板及びその製造方法
JPH0685466A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Kyocera Corp 多層回路基板
JPH06224556A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Kyocera Corp 低温焼成多層基板
JPH11273987A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペーストのためのビヒクルおよび該ビヒクルを用いたペースト
JP2002270456A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2003249121A (ja) * 2001-12-20 2003-09-05 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4415703A (en) * 1981-01-13 1983-11-15 Daicel Chemical Industries, Ltd. Aqueous dispersion of a cellulose derivative
JPS57204866A (en) 1981-05-29 1982-12-15 Rohm Kk Film and packer for electronic part utilizing said film
JP2969672B2 (ja) 1989-09-08 1999-11-02 松下電器産業株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2979330B2 (ja) 1990-03-27 1999-11-15 太陽誘電株式会社 電子部品製造用粘着剤付弾性材シート及び積層型チップ部品の製造方法
JPH04280614A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Taiyo Yuden Co Ltd 積層体の製造方法
JPH04282812A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Taiyo Yuden Co Ltd 積層体の製造方法
US5179773A (en) 1991-08-30 1993-01-19 Bmc Technology Corporation Process of manufacturing multilayer ceramic capacitors
JP3064544B2 (ja) 1991-08-30 2000-07-12 株式会社村田製作所 積層電子部品の製造方法
US5412865A (en) 1991-08-30 1995-05-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing multilayer electronic component
JPH05325633A (ja) 1992-05-27 1993-12-10 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
JPH0672760A (ja) 1992-08-26 1994-03-15 Nippondenso Co Ltd セラミックスグリーンシートの製造方法
JPH06206756A (ja) 1993-01-11 1994-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミックグリーンシート用スラリー及び積層セラミックコンデンサ
JP2976268B2 (ja) 1993-07-05 1999-11-10 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック電子部品の製造方法
JP3102454B2 (ja) 1993-07-05 2000-10-23 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック電子部品の製造方法
JP3306814B2 (ja) 1993-10-26 2002-07-24 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
US5480503A (en) 1993-12-30 1996-01-02 International Business Machines Corporation Process for producing circuitized layers and multilayer ceramic sub-laminates and composites thereof
JPH07312326A (ja) 1994-05-18 1995-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層型電子部品の製造方法
JP3114529B2 (ja) 1994-10-06 2000-12-04 住友金属鉱山株式会社 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト
US5716481A (en) 1994-10-31 1998-02-10 Tdk Corporation Manufacturing method and manufacturing apparatus for ceramic electronic components
JP3358764B2 (ja) 1994-11-01 2002-12-24 ティーディーケイ株式会社 セラミック塗料塗布用可撓性支持体及びセラミック電子部品の製造方法
EP0732735B1 (en) 1995-03-16 2005-12-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic electronic device and method of manufacturing same
JP3152098B2 (ja) 1995-04-04 2001-04-03 株式会社村田製作所 セラミック積層電子部品の製造方法
US5603147A (en) 1995-06-07 1997-02-18 Microelectronic Packaging, Inc. Method of making a high energy multilayer ceramic capacitor
JP3620751B2 (ja) 1995-10-30 2005-02-16 住友ベークライト株式会社 異方導電フィルム
SE505546C2 (sv) 1995-12-11 1997-09-15 Moelnlycke Ab Metod att åstadkomma en svets eller ett klipp medelst ultraljud
JPH10275734A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Kyocera Corp セラミックコンデンサ
JPH1153939A (ja) 1997-07-30 1999-02-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 積層セラミックコンデンサの内部電極用金属ペースト
JPH11238646A (ja) 1997-12-03 1999-08-31 Tdk Corp 積層セラミック電子部品およびその製造方法
US5840107A (en) * 1998-03-25 1998-11-24 Motorola, Inc. Binder solution for a sealing composition and method of use
JP3080922B2 (ja) 1998-04-13 2000-08-28 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5935358A (en) 1998-04-17 1999-08-10 New Create Corporation Method of producing a laminate ceramic capacitor
US6245171B1 (en) 1998-11-23 2001-06-12 International Business Machines Corporation Multi-thickness, multi-layer green sheet lamination and method thereof
JP3602368B2 (ja) 1999-05-06 2004-12-15 松下電器産業株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP3472193B2 (ja) 1999-05-17 2003-12-02 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2001023853A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2001044065A (ja) 1999-07-30 2001-02-16 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2001114569A (ja) 1999-10-20 2001-04-24 Murata Mfg Co Ltd セラミックスラリー組成物、セラミックグリーンシート及び積層セラミック電子部品の製造方法
JP2001135138A (ja) 1999-10-29 2001-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導体ペースト
JP2001162737A (ja) 1999-12-07 2001-06-19 Ube Ind Ltd 包装用多層フィルム
JP2001237140A (ja) 1999-12-13 2001-08-31 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびにセラミックペーストおよびその製造方法
JP4454745B2 (ja) 1999-12-16 2010-04-21 三井化学株式会社 グリーンテープ積層用密着剤組成物及びその製造方法
JP3734662B2 (ja) 2000-02-16 2006-01-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサとその製造方法
TW512383B (en) * 2000-04-17 2002-12-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ink for display panels and manufacturing method of a plasma display panel using the ink
DE10126099B4 (de) 2000-05-30 2008-11-13 Tdk Corp. Keramischer Vielschichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3722275B2 (ja) 2000-06-15 2005-11-30 Ｔｄｋ株式会社 金属粒子含有組成物、導電ペースト及びその製造方法
US20030138635A1 (en) 2000-07-11 2003-07-24 Naoya Haruta Multi-layer application film and method of laminating the same
JP2002043164A (ja) 2000-07-21 2002-02-08 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品およびその製造方法
JP2002121075A (ja) 2000-10-06 2002-04-23 Murata Mfg Co Ltd セラミックグリーンシート及び積層セラミック電子部品の製造方法
TW543052B (en) 2001-03-05 2003-07-21 Nitto Denko Corp Manufacturing method of ceramic green sheet, manufacturing method of multilayer ceramic electronic components, and carrier sheet for ceramic green sheets
DE10113361A1 (de) 2001-03-20 2002-09-26 Andreas Roosen Verfahren zur Verbindung keramischer Grünkörper unter Verwendung eines Transfertapes und Überführung dieser verklebten Grünkörper in einen Keramikkörper
JP2002313672A (ja) 2001-04-13 2002-10-25 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびにセラミックペーストおよびその製造方法
JP2002343674A (ja) 2001-05-18 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP3527899B2 (ja) 2001-06-28 2004-05-17 京セラ株式会社 積層型電子部品およびその製法
JP2003059759A (ja) 2001-08-16 2003-02-28 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP3819767B2 (ja) 2001-11-29 2006-09-13 ニホンハンダ株式会社 はんだ付け用フラックスおよびクリームはんだ
CN1183210C (zh) * 2002-06-24 2005-01-05 彩虹集团电子股份有限公司 介质浆料
KR100731868B1 (ko) 2002-12-27 2007-06-25 티디케이가부시기가이샤 내부 전극을 갖는 전자 부품의 제조 방법
US20060196592A1 (en) 2003-03-31 2006-09-07 Masahiro Karatsu Production method for laminated ceramic electronic component
WO2004088685A1 (ja) 2003-03-31 2004-10-14 Tdk Corporation 積層セラミック電子部品の製造方法
US7402220B2 (en) 2003-04-18 2008-07-22 Tdk Corporation Method for manufacturing multi-layered unit for multi-layered ceramic electronic component
TW200519148A (en) 2003-07-24 2005-06-16 Nitto Denko Corp Inorganic powder-containing resin composition, film-forming material layer, transfer sheet, method for producing substrate with dielectric layer, and substrate with dielectric layer
WO2005043568A1 (ja) 2003-09-30 2005-05-12 Tdk Corporation 積層セラミック電子部品の内部電極用の導電体ペーストの製造方法
US20080053593A1 (en) 2004-06-28 2008-03-06 Tdk Corporation Production Method of Multilayer Electronic Device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153939A (ja) * 1987-12-11 1989-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザービーム偏向角測定装置の較正方法
JPH0653654A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Kyocera Corp 多層回路基板及びその製造方法
JPH0685466A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Kyocera Corp 多層回路基板
JPH06224556A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Kyocera Corp 低温焼成多層基板
JPH11273987A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペーストのためのビヒクルおよび該ビヒクルを用いたペースト
JP2002270456A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2003249121A (ja) * 2001-12-20 2003-09-05 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
CN100587856C (zh) 2010-02-03
JP4487595B2 (ja) 2010-06-23
TWI262517B (en) 2006-09-21
JP2005243560A (ja) 2005-09-08
KR20060120258A (ko) 2006-11-24
CN1922697A (zh) 2007-02-28
US20070172581A1 (en) 2007-07-26
TW200534308A (en) 2005-10-16
WO2005083719A1 (ja) 2005-09-09
US7560050B2 (en) 2009-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100734783B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법
KR100734785B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품용 도전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법
JPWO2006001358A1 (ja) 積層型電子部品の製造方法
KR100769471B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품용 유전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법
KR100769470B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품용 유전체 페이스트 및 적층 세라믹전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법
KR100807636B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품의 전극층용의 도전체 페이스트 및적층 세라믹 전자부품용의 적층체 유닛의 제조방법
JP4640028B2 (ja) 剥離層用ペースト及び積層型電子部品の製造方法
KR100816787B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품의 전극층용 도전체 페이스트 및적층 세라믹 전자 부품용 적층체 유닛의 제조 방법
KR100766316B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품의 스페이서층용 유전체 페이스트
KR100766320B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품의 스페이서층용 유전체 페이스트
JP2006013246A (ja) 積層型電子部品の製造方法
US20070108419A1 (en) Conductive paste for an electrode layer of a multi-layered ceramic electronic component and a method for manufacturing a multi-layered unit for a multi-layered ceramic electronic component
JP2006013247A (ja) 積層型電子部品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160527

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170530

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180618

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190618

Year of fee payment: 13