JP3472193B2

JP3472193B2 - 積層セラミックコンデンサの製造方法

Info

Publication number: JP3472193B2
Application number: JP13527399A
Authority: JP
Inventors: 政幸吉田; 智之佐々木; 俊二青木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-05-17
Filing date: 1999-05-17
Publication date: 2003-12-02
Anticipated expiration: 2019-05-17
Also published as: JP2000331865A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気メッキにより
内部電極を形成することで、多層化、小型大容量化を図
ることのできる積層セラミックコンデンサの製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、積層コンデンサ等のような内部電
極を有するセラミック積層電子部品の製造に際しては、
金属−セラミック一体焼成技術が用いられている。すな
わち、セラミックグリーンシート（未焼成セラミック誘
電体シート）上に導電ペーストをパターン印刷し、内部
電極を形成する。次に、内部電極が形成されたセラミッ
クグリーンシートを複数枚積層し、上下に内部電極の印
刷されていないセラミックグリーンシートを適宜の枚数
積層し、セラミック積層体を得る。あるいは、セラミッ
クスペーストと導電ペーストとを順次所定の形状に印刷
し、セラミック積層体を得る。しかる後、上記のように
して得られたセラミック積層体を厚み方向に加圧し、セ
ラミック層同士を密着させる。その後、セラミック積層
体を焼成し、焼結体を得る。得られた焼結体の外表面
に、適宜の外部電極を形成し、セラミック積層電子部品
を得る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、電子部品におい
ては一層の小型化が求められており、セラミック積層電
子部品においても小型化及び薄型化が強く求められてい
る。セラミック積層電子部品の小型化及び薄型化を進め
る場合、内部電極間に挟まれているセラミック層の厚み
を薄くすることが必要となり、従って、より薄いセラミ
ックグリーンシートを用いてセラミック積層体を作製し
なければならない。

【０００４】しかしながら、セラミックグリーンシート
の厚みを薄くするにも限度があり、薄くなり過ぎた場合
にはセラミックグリーンシートを単体で扱うことができ
なくなる。加えて、セラミック積層体を得た段階で、内
部電極が重なり合っている部分では、内部電極が存在し
ない部分に比べて厚みが大きくなり（例えばグリーンシ
ート厚２〜３μｍに対して内部電極厚１.５〜２μ
ｍ）、両者の間で段差が生じがちであり、その段差に起
因してシート積層時の積層ずれが発生する。また、焼結
に先立ってシートと内部電極を接着させるために大きな
プレス圧（１ton／cm^２程度）が必要となり、厚み方向
にセラミック積層体を加圧した段階で、上記段差が生じ
ているため、内部電極の重なり合っている部分において
のみ上下の層が加圧され、他の領域では十分に加圧され
なくなったり、あるいは加圧後の変形が著しくなったり
する。その結果、焼結体においてデラミネーションと称
されている層間剥離現象が生じがちであった。また、加
圧後の変形に起因して焼成後の容量ばらつきが大きくな
る。さらに、セラミックグリーンシート中の溶剤によ
り、内部電極が膨潤し、所望の形状の内部電極を正確に
形成することができないこともあった。また、Ｎｉ粉末
をペースト化してスクリーン印刷法にて形成する内部電
極は、焼成後の粉末凝集による電極厚みばらつきが大き
い。また、ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）やＥＳＲ
（等価直列抵抗）が大きくなるため、高周波に対する特
性が劣化する傾向にある。

【０００５】さらに、セラミック積層電子部品の小型化
に伴って、内部電極の寸法精度を高めることが強く求め
られる。すなわち、内部電極の寸法精度を高めることに
より、内部電極が形成されている領域の周囲の絶縁領域
の幅を狭くし、それによってセラミック積層電子部品の
小型化を果たすことが試みられている。しかしながら、
導電ペーストを印刷して内部電極を形成する従来法で
は、内部電極の寸法精度を高めることは難しく、内部電
極寸法の設定値に対してばらつき（Ｒ）を２０μｍ以下
とすることが困難であった。

【０００６】上記のような問題は、セラミックペースト
と導電ペーストを交互に印刷しセラミック積層体を得る
方法でも同様であった。

【０００７】なお、特開平６−３０２４６９号公報にお
いて内部電極を真空蒸着でパターニングした後、無電解
メッキで所要膜厚とする製法が提案されているが、工程
が複雑化する問題がある。

【０００８】本発明は、上記の点に鑑み、従来の導電ペ
ーストよりも薄くかつ寸法精度（外形と厚み）の高い内
部電極を形成可能で、ひいては小型化、大容量化に適
し、高周波特性の良好な積層セラミックコンデンサの製
造方法を提供することを目的とする。

【０００９】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係る積層セラミックコンデン
サの製造方法は、導電層が表面に形成された導電処理支
持体にレジストを設けて前記導電層が露出する内部電極
形成パターンを残して前記導電層を覆い、電気メッキに
より電析メッキ膜を前記導電層上に形成し、前記電析メ
ッキ膜上に泳動電着法にて接着層を形成した後、前記電
析メッキ膜を内部電極として未焼成セラミック誘電体層
と重なる配置にして前記接着層により接着させるととも
に前記電析メッキ膜から前記導電処理支持体を剥離して
積層することを特徴としている。

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】本願請求項２の発明に係る積層セラミック
コンデンサの製造方法は、導電層が表面に形成された導
電処理支持体にレジストを兼ねた第１の未焼成セラミッ
ク誘電体層を設けて前記導電層が露出する内部電極形成
パターンを残して前記導電層を覆い、電気メッキにより
電析メッキ膜を前記第１の未焼成セラミック誘電体層と
略同じ厚みで前記導電層上に形成し、前記電析メッキ膜
及び前記第１の未焼成セラミック誘電体層上に接着層を
形成した後、内部電極となる前記電析メッキ膜及び前記
第１の未焼成セラミック誘電体層と第２の未焼成セラミ
ック誘電体層とが重なる配置にして前記接着層により接
着させるとともに前記電析メッキ膜及び前記第１の未焼
成セラミック誘電体層から前記導電処理支持体を剥離し
て積層することを特徴としている。

【００１５】本願請求項３の発明に係る積層セラミック
コンデンサの製造方法は、前記請求項２において、前記
レジストを兼ねた未焼成セラミック誘電体層が感光性高
分子材料をバインダとして用いたものであり、露光及び
現像処理によって前記導電層が露出する内部電極形成パ
ターンを形成することを特徴としている。

【００１６】本願請求項４の発明に係る積層セラミック
コンデンサの製造方法は、前記請求項２において、前記
レジストを兼ねた未焼成セラミック誘電体層を泳動電着
により前記導電層上に形成することを特徴としている。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層セラミッ
クコンデンサの製造方法の実施の形態を図面に従って説
明する。

【００１８】図１は本発明の第１の実施の形態を示す。
この図において、導電処理工程＃１では、フレキシブル
な支持体としてのＰＥＴフィルム１の表面にスパッタ、
蒸着、無電解メッキ技術等により後工程の電気メッキの
ための導電処理を施し、フィルム表面に後工程で形成す
る電析メッキ膜が剥がれ易いステンレス、Ｃｒ、Ｃｒ系
合金、Ｔｉ、Ｔｉ系合金、ＩＴＯ等の導電層２を成膜す
る。

【００１９】次いで、印刷パターン法により導電層２が
露出する内部電極形成パターン３を残して耐メッキレジ
スト４で導電層２が覆われるようにする。つまり、レジ
スト印刷・乾燥工程＃２でフィルム１の導電層２上の必
要部分に耐メッキレジスト４をスクリーン印刷機５でス
クリーン印刷し、内部電極形成パターン３に対応させて
導電層２を露出させる（パターン３は同時に多数個形成
する）。

【００２０】それから、電気メッキ工程＃３で露出した
導電層２上に内部電極となる良導体金属の電析メッキ膜
１０を電気メッキ装置１１により成膜する。セラミック
グリーンシートと後工程で同時焼成可能な良導体金属と
しては金、銀、パラジウムの貴金属も使用可能である
が、コスト面にも配慮した場合Ｎｉ、Ｃｕ等が好まし
い。電析メッキ膜１０の厚さは膜厚０．１〜１．５μｍ
であり、とくに小型、大容量化を目的としたとき０．７
μｍ以下が望ましい。電析メッキ膜１０上には接着層電
着工程＃４の電着装置１２において接着層１３が泳動電
着法により形成される。ここで、泳動電着法とは、付着
させたい粒子をコロイドにして電気を流して帯電した粒
子を通電している電極に吸着、凝集させる方法であり、
電極部分にのみ粒子を付着させることが可能である。接
着層１３の形成のための電着装置１２では接着性の高分
子材料をコロイドにして電着させている。接着層１３の
厚みは０．１〜０．５μｍである。

【００２１】その後、レジスト剥離工程＃５において、
溶剤系、アルカリ系剥離剤を用いた剥離装置１５でレジ
スト４を剥離、除去する。そして、シート形成工程＃６
のシート形成装置２２で別のフレキシブルな支持体とし
てのＰＥＴフィルム２０上にセラミックグリーンシート
（未焼成セラミック誘電体シート）２１を形成したもの
に対して内部電極転写工程＃７において転写装置２３を
用いて内部電極となる電析メッキ膜１０を接着層１３を
利用してセラミックグリーンシート２１上に接着、転写
する。

【００２２】それ以後は、現状量産積層工程＃８におい
て、内部電極の転写されたセラミックグリーンシート２
１を所要枚数積層し、加熱圧着する。つまり、加熱圧着
装置３０の切断部３１にて内部電極の転写されたセラミ
ックグリーンシート２１から不要な支持体としてのＰＥ
Ｔフィルム１，２０を剥がす（ＰＥＴフィルム１と共に
導電層２も剥がす）とともに多数個の内部電極が配列さ
れたカード形状に切断し、これを位置合わせ部３２で位
置合わせして所要枚数積層し（積層精度±５μｍ以内が
好ましい）、加熱圧着部３３で加熱圧着する。その後、
積層セラミックコンデンサのチップ個品に切断してから
焼成することによって、電析メッキ膜で内部電極が形成
され、隣合う前記内部電極間にセラミック誘電体層が介
在して積層されてなる焼結体を作製し、これに所要の外
部電極を形成して製品とする。

【００２３】この第１の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。

【００２４】(1) 電析法による電析メッキ膜にて内部
電極が形成されるために、従来の導電性ペーストを用い
た方法より内部電極を薄くし、かつ寸法精度（外形と厚
み）を高めることが可能である。このため、小型、大容
量化に適している。

【００２５】(2) セラミックグリーンシートに内部電
極を転写した領域と内部電極が無い領域との厚みの差に
よる段差が少なくなり、積層ずれが小さくなり、かつ大
きなプレス圧が要らなくなる。プレス変形が少なくなる
ことによって、焼成後のコンデンサの静電容量ばらつき
が小さくなる。

【００２６】(3) 前記内部電極の電析メッキ膜は、薄
く均一でかつ従来のＮｉ粉末等をセラミックグリーンシ
ートと同時焼成して内部電極を形成する場合よりも緻密
であり、低抵抗の内部電極とすることが可能であり、高
周波に対する特性向上が可能である。

【００２７】(4) 比較的簡単な工程によって、より小
型の積層セラミックコンデンサを安定的に製造可能であ
る。

【００２８】なお、スクリーン印刷の代わりにフォトレ
ジストを用いた露光プロセスで耐メッキレジストを形成
してもよい。

【００２９】図２は本発明の第２の実施の形態を示す。
この場合、導電処理工程＃１乃至レジスト剥離工程＃５
までは第１の実施の形態と同じであり、それ以後の工程
が異なっている。つまり、レジスト剥離工程＃５で得ら
れた内部電極となる電析メッキ膜１０を導電層２上に有
するＰＥＴフィルム１と、シート形成工程＃６で得られ
たセラミックグリーンシート２１を有するＰＥＴフィル
ム２０とを、精密積層工程＃１０における積層機２４に
より、それぞれカード形状に切断しかつ電析メッキ膜１
０がセラミックグリーンシート２１に対面する向きで加
熱圧着し、その後ＰＥＴフィルム１，２０をそれぞれ引
き剥がして（ＰＥＴフィルム１と共に導電層２も剥が
す）、内部電極としての電析メッキ膜１０を設けたセラ
ミックグリーンシート２１を必要枚数積層して積層体全
体を加熱圧着する。以後の処理は第１の実施の形態と同
じである。

【００３０】この第２の実施の形態の場合、内部電極と
なる電析メッキ膜１０とセラミックグリーンシート２１
とを加熱圧着後に外側のＰＥＴフィルム１，２０を引き
剥がすため、ＰＥＴフィルムを剥離する際のセラミック
グリーンシートの変形が無く、とくにセラミックグリー
ンシート２１が薄い場合に有効である。その他の作用効
果は前述の第１の実施の形態と同様である。

【００３１】

【００３２】

【００３３】図３は本発明の第３の実施の形態を示す。
この図において、導電処理工程＃１では、ＰＥＴフィル
ム１の表面にスパッタ、蒸着、無電解メッキ技術等によ
り後工程の電気メッキのための導電処理を施し、フィル
ム表面に後工程で形成する電析メッキ膜が剥がれ易いス
テンレス、Ｃｒ、Ｃｒ系合金、Ｔｉ、Ｔｉ系合金、ＩＴ
Ｏ等の導電層２を成膜する。

【００３４】次いで、感光シート・フォトパターン法に
より導電層２が露出する内部電極形成パターン３を残し
てバインダとしての感光性高分子材料と可塑剤を添加し
たセラミックグリーンシート４０で覆われるようにす
る。つまり、シート形成工程＃２０ではシート形成装置
４１にてフィルム１の導電層２全面に耐メッキレジスト
を兼ねたセラミックグリーンシート４０を形成し、露光
工程＃２１の露光装置４２でセラミックグリーンシート
の残す部分のみに紫外線（ＵＶ，ＤＵＶ）をフォトマス
クを通して照射、露光し、現像・定着工程＃２２の現像
・定着装置４３で溶剤等により不要部分を除去して内部
電極形成パターン３に対応させて導電層２を露出させる
（パターン３は同時に多数個形成する）。この場合、精
密感光技術によりパターン精度を±３μｍ程度にするこ
とができる。

【００３５】このパターンニングされたセラミックグリ
ーンシート４０をマスクとして、電気メッキ工程＃２３
で露出した導電層２上に内部電極となる良導体金属の電
析メッキ膜１０を電気メッキ装置４５により成膜する。
セラミックグリーンシートと後工程で同時焼成可能な良
導体金属としては金、銀、パラジウムの貴金属も使用可
能であるが、コスト面にも配慮した場合Ｎｉ、Ｃｕ等が
好ましい。電析メッキ膜１０はセラミックグリーンシー
ト４０とほぼ同じ高さとなるように電析させる。実際に
は、後で別のセラミックグリーンシートに熱圧着するこ
とを考慮して数％低くすることが望ましい（多層積層体
が得られた時点で内部構造を完全段差レスにすることに
配慮する。）。ここで、電析メッキ膜１０及びセラミッ
クグリーンシート４０の膜厚は略２μｍである。前記電
析メッキ膜１０及びセラミックグリーンシート４０上に
は接着層形成工程＃２４の塗布装置（又は噴霧装置）４
６において接着層４７が塗布又は噴霧等により形成され
る。接着層４７の厚みは０．１〜０．５μｍである。

【００３６】その後、シート形成工程＃６のシート形成
装置２２で別のフレキシブルな支持体としてのＰＥＴフ
ィルム２０上にセラミックグリーンシート２１を形成し
たものに対して転写（２層化）工程＃２５において転写
装置５０を用いてセラミックグリーンシート４０及びそ
の欠落部（内部電極形成パターンとして除去した部分）
に埋設された内部電極となる電析メッキ膜１０をセラミ
ックグリーンシート２１上に接着層４７を介し接着して
重ね合わせる。

【００３７】それ以後は、現状量産積層工程＃８におい
て、内部電極としての電析メッキ膜１０及びセラミック
グリーンシート４０と、セラミックグリーンシート２１
とを重ね合わせたものを所要枚数積層し、加熱圧着す
る。つまり、加熱圧着装置３０の切断部３１にてセラミ
ックグリーンシート２１，４０から不要な支持体として
のＰＥＴフィルム１，２０を剥がすとともに多数個の内
部電極が配列されたカード形状に切断し、これを位置合
わせ部３２で位置合わせして所要枚数積層し、加熱圧着
部３３で加熱圧着する。その後、積層セラミックコンデ
ンサのチップ個品に切断してから焼成することによっ
て、第１のセラミック誘電体層（セラミックグリーンシ
ート４０の焼成されたもの）の欠落部に当該第１のセラ
ミック誘電体層と略同じ厚さの電析メッキ膜１０が設け
られて内部電極が構成され、隣り合う前記内部電極間に
第２のセラミック誘電体層（セラミックグリーンシート
２１の焼成されたもの）が介在して積層されてなる段差
レスの焼結体を作製し、これに所要の外部電極を形成し
て製品とする。

【００３８】この第３の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。

【００３９】(1) 電析法による電析メッキ膜１０にて
内部電極が形成され、かつセラミックグリーンシート４
０の欠落部（内部電極形成パターンとして除去した部
分）に内部電極が位置することになるため、各層のセラ
ミックグリーンシートを完全段差レスで多層に積層可能
であり、積層ずれを著しく小さくし、かつ大きなプレス
圧を不要にできる。また、プレス変形が少なくなること
によって、焼成後のコンデンサの静電容量ばらつきを小
さくできる。

【００４０】(2) 耐メッキレジストを兼ねたセラミッ
クグリーンシート４０は感光性高分子材料をバインダと
して用いているため、紫外線による露光現像プロセスに
よって微細加工でき、誘電体層パターン精度を向上させ
ることができる。また、誘電体層パターン精度によって
電気メッキで形成される内部電極パターン精度が決まる
ため、内部電極パターン精度も向上する。例えば、従来
技術のスクリーン印刷法は１００μライン幅程度でばら
つき２０％程度、感光性グリーンシート法では、３０μ
パターン幅可能で、ばらつき１０％以下とすることがで
きる。

【００４１】なお、その他の作用効果は前述の第１の実
施の形態と同様である。

【００４２】図４は本発明の第４の実施の形態を示す。
この場合、導電処理工程＃１、シート形成工程＃２０乃
至接着層形成工程＃２４までは第３の実施の形態と同じ
であり、それ以後の工程が異なっている。つまり、接着
層形成工程＃２４で得られた接着層４７の付着した内部
電極となる電析メッキ膜１０及びセラミックグリーンシ
ート４０を導電層２上に有するＰＥＴフィルム１と、シ
ート形成工程＃６で得られたセラミックグリーンシート
２１を有するＰＥＴフィルム２０とを、精密積層工程＃
１０においてそれぞれカード形状に切断しかつ電析メッ
キ膜１０及びセラミックグリーンシート４０がセラミッ
クグリーンシート２１に対面する向きで加熱圧着し、そ
の後ＰＥＴフィルム１，２０をそれぞれ引き剥がして、
セラミックグリーンシート４０及びその欠落部に形成さ
れた電析メッキ膜１０をセラミックグリーンシート２１
に重ね合わせたものを必要枚数積層して積層体全体を加
熱圧着する。以後の処理は第３の実施の形態と同じであ
る。

【００４３】この第４の実施の形態の場合、セラミック
グリーンシート４０及び内部電極となる電析メッキ膜１
０とセラミックグリーンシート２１とを加熱圧着後に外
側のＰＥＴフィルム１，２０を引き剥がすため、ＰＥＴ
フィルムを剥離する際のセラミックグリーンシートの変
形が無く、とくにセラミックグリーンシート２１が薄い
場合に有効である。その他の作用効果は前述の第３の実
施の形態と同様である。

【００４４】

【００４５】

【００４６】図５は本発明の第５の実施の形態を示す。
この図において、導電処理工程＃１では、ＰＥＴフィル
ム１の表面にスパッタ、蒸着、無電解メッキ技術等によ
り後工程の電気メッキのための導電処理を施し、フィル
ム表面に後工程で形成する電析メッキ膜が剥がれ易いス
テンレス、Ｃｒ、Ｃｒ系合金、Ｔｉ、Ｔｉ系合金、ＩＴ
Ｏ等の導電層２を成膜する。

【００４７】次いで、フォトパターン・粉体電着法によ
り導電層２が露出する内部電極形成パターン３を残して
セラミックグリーンシート６０で覆われるようにする。
つまり、レジストコート工程＃３０ではレジスト形成装
置６１にてフィルム１の導電層２全面にレジスト６２を
形成し、露光工程＃３１の露光装置６３でレジストの残
す部分（内部電極形成パターン３に対応）のみに紫外線
（ＵＶ，ＤＵＶ）をフォトマスクを通して照射、露光
し、現像・定着工程＃３２の現像・定着装置６４により
溶剤等で不要部分を除去し、内部電極形成パターン３に
一致するレジスト６２のパターンを形成し、その他の部
分の導電層２を露出させる。そして、泳動電着工程＃３
３にて導電層２の露出部分にセラミックグリーンシート
６０となるセラミック粉末を泳動電着させる。この泳動
電着は電着装置６５によりセラミック粉末を分散、懸濁
された状態にして直流電流を流すことで帯電したセラミ
ック粉末を電極（導電層２）方向に移動させて吸着、凝
集させることによって実行可能である。その後レジスト
剥離工程＃３４で溶剤系、アルカリ系剥離剤を用いた剥
離装置６６によりレジスト６２を剥離、除去して内部電
極形成パターン３に対応させて導電層２を露出させる。

【００４８】このようにパターンニングされたセラミッ
クグリーンシート６０をマスクとして、電気メッキ工程
＃２３で露出した導電層２上に内部電極となる良導体金
属の電析メッキ膜１０を電気メッキ装置４５により成膜
する。電気メッキ工程＃２３以下の工程は第３又は第４
の実施の形態と同様の工程とすればよい。

【００４９】この第５の実施の形態においても、電析法
による電析メッキ膜１０にて内部電極が形成され、かつ
セラミックグリーンシート６０の欠落部に内部電極が位
置することになるため、各層のセラミックグリーンシー
トを完全段差レスで多層に積層可能であり、第３の実施
の形態と同様の作用効果を奏することができる。

【００５０】図６は本発明の第６の実施の形態を示す。
この図において、導電処理工程＃１では、ＰＥＴフィル
ム１の表面にスパッタ、蒸着、無電解メッキ技術等によ
り後工程の電気メッキのための導電処理を施し、フィル
ム表面に後工程で形成する電析メッキ膜が剥がれ易いス
テンレス、Ｃｒ、Ｃｒ系合金、Ｔｉ、Ｔｉ系合金、ＩＴ
Ｏ等の導電層２を成膜する。

【００５１】次いで、感光性粉体電着・フォトパターン
法により導電層２が露出する内部電極形成パターン３を
残してセラミックグリーンシート７０で覆われるように
する。つまり、泳動電着工程＃４０で電着装置７１を用
い、電着レジスト・感光性高分子材料・セラミック粉末
を一体粒子としてコロイドにして直流電流を流すことで
通電電極としての導電層２に吸着、凝集させる。露光工
程＃４１の露光装置７２で内部電極形成パターン３以外
の領域に紫外線（ＵＶ，ＤＵＶ）をフォトマスクを通し
て照射、露光し、現像・定着工程＃４２の現像・定着装
置７３により溶剤等で不要部分を除去し、内部電極形成
パターン３に一致させて導電層２を露出させる。

【００５２】このようにパターンニングされたセラミッ
クグリーンシート７０をマスクとして、電気メッキ工程
＃２３で露出した導電層２上に内部電極となる良導体金
属の電析メッキ膜１０を電気メッキ装置３５により成膜
する。電気メッキ工程＃２３以下の工程は第３又は第４
の実施の形態と同様の工程とすればよい。

【００５３】この第６の実施の形態では、殆ど全工程が
湿式となり、工数が少なくなる。

【００５４】なお、第１乃至第２の実施の形態では、電
気メッキ工程＃３の前段での耐メッキレジストをスクリ
ーン印刷したが、フォトレジストの露光、現像による内
部電極形成のためのパターンニングを利用してもよい
し、ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁膜のパターンニング
（再利用によるコストダウン目的の永久マスク）として
もよい。

【００５５】

【００５６】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電析法による電析メッキ膜にて内部電極が形成されるた
めに、従来の導電性ペーストを用いた方法より内部電極
を薄くし、かつ寸法精度（外形と厚み）を高めることが
可能である。また、セラミックグリーンシートに内部電
極が重なった領域と内部電極が無い領域との厚みの差に
よる段差を少なくし又は段差レスとして、積層ずれやプ
レス変形を少なくして焼成後のコンデンサの静電容量ば
らつきを小さくすることが可能である。さらに、前記内
部電極の電析メッキ膜は、薄く均一でかつ従来のＮｉ粉
末等をセラミックグリーンシートと同時焼成して内部電
極を形成する場合よりも緻密であり、低抵抗の内部電極
とすることが可能であり、高周波に対する特性向上が可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造
方法の第１の実施の形態を示す工程図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態を示す工程図であ
る。

【図３】本発明の第３の実施の形態を示す工程図であ
る。

【図４】本発明の第４の実施の形態を示す工程図であ
る。

【図５】本発明の第５の実施の形態を示す工程図であ
る。

【図６】本発明の第６の実施の形態を示す工程図であ
る。

【符号の説明】

１，２０ＰＥＴフィルム２導電層３内部電極形成パターン４耐メッキレジスト５スクリーン印刷機１０電析メッキ膜１１，４５電気メッキ装置１２，６５，７１電着装置１３，４７接着層１５，６６剥離装置２１，４０，６０，７０セラミックグリーンシート２２シート形成装置２３，５０転写装置２４積層機３０加熱圧着装置３１切断部３２位置合わせ部３３加熱圧着部４２，６３，７２露光装置４３，６４，７３現像・定着装置４６塗布装置６１レジスト形成装置＃１導電処理工程＃２レジスト印刷・乾燥工程＃３，＃２３電気メッキ工程＃４接着層電着工程＃５，＃３４レジスト剥離工程＃６，＃２０シート形成工程＃７内部電極転写工程＃８現状積層量産工程＃１０精密積層工程＃２１，＃３１，＃４１露光工程＃２２，＃３２，＃４２現像・定着工程＃２４接着層形成工程＃３０レジストコート工程＃３３，＃４０泳動電着工程

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平７−115035（ＪＰ，Ａ) 特開平５−114531（ＪＰ，Ａ) 特開平９−7882（ＪＰ，Ａ) 特開平９−46024（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−21013（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/42

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導電層が表面に形成された導電処理支持
体にレジストを設けて前記導電層が露出する内部電極形
成パターンを残して前記導電層を覆い、電気メッキによ
り電析メッキ膜を前記導電層上に形成し、前記電析メッ
キ膜上に泳動電着法にて接着層を形成した後、前記電析
メッキ膜を内部電極として未焼成セラミック誘電体層と
重なる配置にして前記接着層により接着させるとともに
前記電析メッキ膜から前記導電処理支持体を剥離して積
層することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製
造方法。
【請求項２】導電層が表面に形成された導電処理支持
体にレジストを兼ねた第１の未焼成セラミック誘電体層
を設けて前記導電層が露出する内部電極形成パターンを
残して前記導電層を覆い、電気メッキにより電析メッキ
膜を前記第１の未焼成セラミック誘電体層と略同じ厚み
で前記導電層上に形成し、前記電析メッキ膜及び前記第
１の未焼成セラミック誘電体層上に接着層を形成した
後、内部電極となる前記電析メッキ膜及び前記第１の未
焼成セラミック誘電体層と第２の未焼成セラミック誘電
体層とが重なる配置にして前記接着層により接着させる
とともに前記電析メッキ膜及び前記第１の未焼成セラミ
ック誘電体層から前記導電処理支持体を剥離して積層す
ることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方
法。
【請求項３】前記レジストを兼ねた未焼成セラミック
誘電体層が感光性高分子材料をバインダとして用いたも
のであり、露光及び現像処理によって前記導電層が露出
する内部電極形成パターンを形成する請求項２記載の積
層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】前記レジストを兼ねた未焼成セラミック
誘電体層を泳動電着により前記導電層上に形成する請求
項２記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。