JPH08138941A

JPH08138941A - 積層型セラミックチップインダクタおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH08138941A
Application number: JP7233742A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Uryu; 英一瓜生; Osamu Makino; 治牧野; Hironobu Chiba; 博伸千葉; Chisa Yokota; 千砂横田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-09-12
Filing date: 1995-09-12
Publication date: 1996-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】ノイズ対策部品などデジタル機器の小型・薄
型化に伴う高密度実装回路に数多く使用されている、積
層型セラミックチップインダクタの高インピーダンス化
と低導体抵抗化を両立し、かつ低積層化により、信頼性
向上と低コスト化を目的とする。【構成】電鋳法により形成した巻回コイル状メッキ導
体２，５をそれぞれシート状磁性体層１，６に転写する
とともに、シート状磁性体層３に設けた貫通孔４を介し
て、巻回コイル状メッキ導体２と５を接続することによ
り、低積層化、高インピーダンス化および低導体抵抗化
を同時に実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性体または絶縁体層
と導体層からなるシートを複数枚積層し焼成によりコイ
ル状導体線路が構成される積層型セラミックチップイン
ダクタおよびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、積層型セラミックチップインダク
タはノイズ対策部品などデジタル機器の小型・薄型化に
伴う高密度実装回路に数多く使用されている。

【０００３】以下、従来の積層型セラミックチップイン
ダクタの製造方法について説明する。

【０００４】実開昭５９−１４５００９号公報に示され
るように、あらかじめ磁性体グリーンシートに１ターン
未満の導体線路（導体ペースト）を印刷しておき、導体
線路が印刷された各磁性体グリーンシートを積層圧着さ
せ、磁性体グリーンシートに設けられたスルーホールを
介して上下の層の間で、導体線路を電気的に接続させ
て、コイル状導体線路を形成し、積層された磁性グリー
ンシートおよびコイル状導体線路を一括焼成した積層型
セラミックチップインダクタが知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層型セラミックチップインダクタは、大きなインピー
ダンス（あるいはインダクタンス）を得ようとすると、
コイル状導体線路の巻数を増やす必要があり、これに伴
って積層数を増やさなければならなかった。

【０００６】ところが、このように積層数が増加する
と、積層工程回数が増え、製造コストが増加するという
問題があった。さらに各グリーンシート間での導体接続
箇所が増加し、接続信頼性も低下するという問題も生じ
ていた。

【０００７】これらの課題を解決するため、特開平４−
９３００６号公報に示されるように、磁性体シートの磁
性体層を用い、同一平面内に１ターン以上の導体層を厚
膜印刷技術で形成して、これらを積層し、かつあらかじ
め磁性体層に形成されていた貫通孔を介して隣接する上
下の各導体層を電気的に接合させることにより、積層数
が少なくても比較的大きなインピーダンスを有する積層
型セラミックチップインダクタが提案されている。

【０００８】しかしながら、このような提案において
も、次の２つの欠点を有している。（１）厚膜導体印刷技術を用いて、小型の積層型セラミ
ックチップインダクタ（例えば、外形サイズ２．０ｍｍ
×１．２５ｍｍや１．６ｍｍ×０．８ｍｍ等）を製造す
る場合においては、微細な印刷の為、製造上の歩留り等
を考慮すると１．５ターン程度以下が実用範囲であり、
より大きいインピーダンスを有する積層型セラミックチ
ップインダクタを製造する場合には、高積層化する必要
がある。

【０００９】（２）印刷厚膜導体層は、同一平面内でタ
ーン数を増やすには、厚膜導体幅を細くする必要がある
が、導体幅を細くすると導体抵抗が増加するので印刷厚
みを厚くする必要がある。ところが、印刷導体幅を細く
するにつれ、印刷解像度を保持するには、導体厚みは薄
くせざるを得ない（例えば印刷導体幅７５μｍの場合、
乾燥厚み１５μｍ程度が限界と思われる）。

【００１０】従って、上述のように厚膜印刷導体のター
ン数を単純に増やす方法は、多少積層数を減じる効果が
認められるものの余り実用的なものではない。

【００１１】また、導体抵抗値の低減を目指したものと
して、特開平３−２１９６０５号公報では、グリーンシ
ートに凹部を形成し、その凹部内に導体ペーストを充填
して厚膜導体の膜厚を厚くさせることにより、導体抵抗
の低減を目指したものがあるが、グリーンシートに複雑
な凹部のパターンを形成することは量産工法的に困難で
ある。

【００１２】さらに、もう一つの例として、特開昭６０
−１７６２０８号公報では、磁性体層とコイル形成用の
約半ターンの導体を交互に積層する積層部品において、
コイル形成用の導体として金属箔の打ち抜き導体パター
ンを用いることで、導体抵抗値の低減を実現したことが
開示されている。しかし近年の部品の小型化に対応し
て、微小な平面部に導体を形成できるように金属箔を精
度良く打ち抜くことは極めて困難であり、ましてや１タ
ーン以上巻回する複雑なコイル状パターンを形成するこ
とは不可能である。また、打ち抜いた複数の金属箔を精
度良くシート状磁性体層上に、一定ピッチで並べること
も困難である。更にシート状磁性体層を挟んで上下に隣
接する金属箔同士をそのパターンの端部で接続する際、
接合技術が低いと接続不良を発生する場合もあり得るの
である。

【００１３】また、別角度のアプローチとして、特公昭
６４−４２８０９号公報、特開平４−３１４８７６号公
報にフィルム上に形成された金属薄膜をセラミックグリ
ーンシートに転写することにより、積層セラミックコン
デンサを製造する方法が開示されている。

【００１４】すなわち、フィルム上に蒸着により形成さ
れた離型性を有する金属薄膜上に湿式メッキにより、所
望の金属層を得、必要によりエッチング法で余分に形成
された金属層を除去し、パターンを形成したものを被転
写体（セラミックグリーンシート）に転写するというも
のである。

【００１５】この転写技法の応用により、コイル状導体
線路を形成し、これを磁性体グリーンシートに転写する
ことが可能である。

【００１６】即ちフィルム上に形成された比較的薄い
（例えば１０μｍ以下）転写用金属薄膜をフォトレジス
ト法でエッチングし、ファインな導体パターン（例えば
導体幅４０μｍ、ラインスペース４０μｍ等）を得るこ
とにより、大きなインピーダンスを有するセラミック積
層チップ型インダクタを得ることもできる。

【００１７】しかしながら上記転写技法では、比較的厚
い（例えば１０μｍ以上）転写用金属膜をファインなパ
ターン精度で得ようとすることは困難である。

【００１８】何故なら、上記のような湿式メッキを用い
た転写技法では、いったんほぼ全面に形成された金属層
をエッチング法により余分な金属層を除去するものであ
るから、金属層の厚みが厚ければ厚いほどファインな導
体パターン形成が困難になる。

【００１９】また所望の金属パターンはエッチングレジ
ストの下部に残っているので、金属パターンを被転写体
に転写する前に必ずエッチングレジストを除去する必要
があるが、エッチング用のレジストを剥離する際に、レ
ジストと一緒に金属パターンが、剥離する場合もある。
この現象も金属層の厚みが厚くなればなるほど、起こり
やすくなる。これは、金属層の厚みが厚くなればなるほ
ど、エッチングに要する時間が長くなり、金属薄膜層が
エッチャントに侵されるために生じるものと推定され
る。

【００２０】従って、この技法を用いても、導体抵抗値
を低くするという課題を十分解決することはできない。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の積層型セラミックチップインダクタは、磁
性体または絶縁体層と導体層とを交互に複数枚積層し、
各導体層間を電気的接続することにより、コイル状導体
線路を構成する積層型チップインダクタにおいて、前記
導体層の少なくとも１つを電鋳法によりパターン形成し
たメッキ導体層としたものである。

【００２２】

【作用】この構成により、本発明により製造される積層
型セラミックチップインダクタの導体パターンは、フォ
トレジスト膜等の型を用いた電鋳法により形成するの
で、導体抵抗を十分低くするに足りる程度の厚みを有す
るとともに高精度なパターン幅を有する導体パターンを
実現することができる。

【００２３】一方、印刷等で形成した膜厚導体とは異な
り、焼成後の導体厚みの収縮が小さいため、磁性体層と
導体層のデラミネーションの発生も皆無である。

【００２４】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の第１の実施例を図面を用い
て説明する。

【００２５】図１は本発明の第１の実施例における積層
型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
である。

【００２６】なお、以下図面は都合上１個片分の積層型
セラミックチップインダクタのみを図示するが、実際の
製造工程では、平面上に複数個同時に形成されており、
積層後個片に分割するものとする。

【００２７】図１において１，３，６はシート状磁性体
層である。２，５は所望のパターンを有するレジスト膜
を形成した後メッキにより導体パターンを形成する電鋳
法で形成され、それぞれシート状磁性体層１，６に転写
される巻回コイル状メッキ導体である。４は巻回コイル
状メッキ導体２，５を互いに接続するための貫通孔であ
る。

【００２８】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法を以下に示す。

【００２９】まず初めに、電鋳法による転写用の巻回コ
イル状メッキ導体２，５の作製法を図２を用いて説明す
る。

【００３０】図２に示すように、ベースステンレス板８
全面に導電性を有する離型処理層として、ストライクＡ
ｇメッキを施すことにより、厚み０．１μｍ以下のＡｇ
離型層９を得る。

【００３１】ここで、ストライクＡｇメッキとしては、
ごく一般的なアルカリシアン系のＡｇメッキ浴を用いる
ことができる。アルカリシアン系のＡｇメッキ浴の一例
として（表１）にメッキ浴の構成を例示する。

【００３２】

【表１】

【００３３】（表１）のＡｇメッキ浴の場合で、５〜２
０秒程度で、約０．１μｍのＡｇ離型層９を得ることが
できる。

【００３４】ところで、Ａｇ離型層９が離型性を有する
のは、Ａｇとの密着性が乏しいベースステンレス板８上
に、Ａｇ膜をストライク（高速）メッキするので、Ａｇ
膜の膜中に歪みが多く発生し、Ａｇ膜がベースステンレ
ス板８と強固に密着できないためと考えられる。

【００３５】またＡｇ離型層９とベースステンレス板８
の、より最適な離型性を得るため、ベースステンレス板
８の表面を表面粗さ（Ｒａ）が約０．０５μｍ〜約１μ
ｍの範囲に調整する（粗す）ことが望ましい。

【００３６】表面を粗す方法として、酸処理やブラスト
処理等を用いることができる。表面粗さ（Ｒａ）が約
０．０５μｍ以下の場合、Ａｇ離型層９とベースステン
レス板８の密着性が不十分になり、以降の工程の途中で
Ａｇ離型層９が剥離する場合があり、また表面粗さ（Ｒ
ａ）が約１μｍ以上の場合、Ａｇ離型層９とベースステ
ンレス板８の密着性が良すぎて、Ａｇ離型層９の磁性体
層への転写が良好に行えなかったり、メッキレジストパ
ターン１１の解像度が低下する場合がある。

【００３７】一方、ベースステンレス板８の表面を適度
に粗すことにより、次工程で形成されるメッキレジスト
パターン１１の密着性を向上させる効果や、メッキレジ
ストパターン１１の剥離工程におけるＡｇ離型層９の離
型防止効果が向上するという副次的効果も生じる。

【００３８】なお、Ａｇ離型層９は、銀鏡反応を利用し
て形成することもできる。更にベース金属板としては、
ステンレス以外の材料を用いて導電性を有するように離
型処理することも可能である。主な使用可能材料とその
離型処理方法を（表２）に列挙する。

【００３９】

【表２】

【００４０】また、ベース金属板以外に銅箔をラミネー
トしたプログラム基板やペットフィルム等に導電性を付
与することにより、同様の効果を持たせることも可能で
あるが、金属板の方が、わざわざ導電性を付与する必要
も無く効率的である。

【００４１】特にステンレス板は、化学的に安定で、か
つ表面にクロム系の酸化膜を有するため、離型性も良
く、最も容易に用いることが可能である。

【００４２】このように、Ａｇ離型層９を形成した後、
Ａｇ離型層９上にドライフィルムレジストをラミネート
し、予備乾燥後、２．０×１．２５ｍｍ²サイズの平面
内に幅７０μｍ、約２．５ターンの巻回コイル状導体形
成用のフォトマスクを用いて露光・現像し、厚みＴ＝５
５μｍのメッキレジストパターン１１を形成する。

【００４３】フォトレジストとしては、各種メッキレジ
スト（液状、ペースト状、ドライフィルム）が利用でき
る。ドライフィルムに関しては、レジスト厚みが一定で
あり、導体膜の厚みを比較的精度良くコントロールでき
るが、レジスト感度の程度から、導体パターン精度幅が
約５０μｍ以上のパターン形成用に用いるのが好まし
い。

【００４４】液状フォトレジストの場合、数ミクロン幅
の導体パターン精度を得ることも可能である。

【００４５】最も一般的なペースト状フォトレジストの
場合で、４０μｍ程度の導体幅と３０〜４０μｍ程度の
厚みの導体パターンを得ることができる。

【００４６】この場合、例えば２．０×１．２５ｍｍ²
サイズの平面内に５ターン程度の巻回導体パターンを、
１．６×０．８ｍｍ²サイズの平面内に３ターン程度の
パターンを容易に形成できる。

【００４７】また、それぞれのレジストの特性に応じ
て、レジスト膜のコーティング方法も、印刷、スピンコ
ート、ロールコート、ディップ、ラミネート等の方法を
選択することができる。

【００４８】露光は、平行光のＵＶ露光器で行い、露光
時間、光量等の条件は、各種レジストの特性に合わせれ
ば良い。

【００４９】さらに、現像は各種レジストの専用の現像
液を用いれば良い。また必要により、現像後ＵＶ光の再
露光や、ポストキュアを行い、レジスト膜の耐薬品性を
向上させることもできる。

【００５０】次に、メッキレジストパターン１１を形成
した後、Ａｇの電気メッキ浴に浸漬し、必要な厚みｔの
転写用のＡｇ導体パターン１０を形成する。本実施例で
はｔ＝約５０μｍとなるように形成した。

【００５１】この工程における最も注意すべき点は、一
般的なアルカリ性のＡｇメッキ浴を用いないということ
である。

【００５２】何故なら、アルカリ浴の場合、メッキレジ
スト膜の剥離液として機能するため、前工程でパターン
作製したメッキレジストパターン１１が破壊されてしま
うためである。

【００５３】従って、弱アルカリ性（中性）あるいは酸
性のＡｇメッキ浴を用いる必要がある。弱アルカリ性
（中性）のメッキ浴としては（表３）に示すようなもの
を用いることができる。

【００５４】

【表３】

【００５５】ｐＨ調整はアンモニアとクエン酸で行う
が、種々の実験の結果、ｐＨが８．５を越えるとほとん
どのメッキレジストが剥離する。

【００５６】従って、ｐＨを少なくとも８．５以下に設
定することが望ましい。その他酸性のメッキ浴として、
（表４）に示すようなものを用いることができる。

【００５７】

【表４】

【００５８】このような（表４）に示すＡｇメッキ浴
は、酸性のため、メッキレジストの剥離は見られなかっ
た。さらに界面活性剤（メチルイミダゾールチオール、
フルフラール、ロート油等）の添加により、Ａｇ光沢を
増し表面をさらに平滑にすることもできた。

【００５９】本実施例では、（表３）に示す弱アルカリ
（中性）浴を用いた。ｐＨは７．３とした。

【００６０】但し、メッキ処理における電流密度は１Ａ
／ｄｍ²程度とした。これは、高速にメッキを行うた
め、電流密度を大きくすると、Ａｇ導体パターン１０に
歪みが大きく生じ、パターンを転写する以前にＡｇ膜が
剥離してしまう場合があるからである。

【００６１】なお、本実施例においては、厚み約５０μ
ｍのＡｇ導体パターン１０を得るのに約２６０分のメッ
キ時間を要した。

【００６２】ところで、Ａｇ離型層９は、ストライクＡ
ｇメッキ浴（アルカリ性）で形成されたが、上記に示し
たような弱アルカリ性（中性）または酸性浴中で、最初
の数分間のみ電流密度を大きくし、Ａｇ膜の歪みを大き
くすることでベースステンレス板８との界面付近のＡｇ
膜に離型性を付与することも可能である。

【００６３】この場合、図３に示すような構成となり、
わざわざＡｇ離型層９を設ける必要は無い。

【００６４】次に、メッキレジストパターン１１を剥離
し、図４に示すような構造を得る。メッキレジストパタ
ーン１１の剥離液もメッキレジスト膜専用のものを用い
れば良いが、通常はＮａＯＨの約５％溶液（液温約４
０℃）に浸漬すれば約１分程度で剥離することができ
る。

【００６５】メッキレジストパターン１１の剥離終了
後、約０．１μｍのＡｇ剥離型９を希硝酸（５％）を用
いて、ソフトエッチング（エッチング時間は数秒）する
ことにより、図５に示すように独立した巻回コイル状の
Ａｇ導体パターン１０をベースステンレス板上に得る。
このＡｇ導体パターン１０が図１に示す約２．５ターン
の巻回コイル状メッキ導体２，５となるのである。

【００６６】Ａｇ離型層９のソフトエッチャントとして
は、前述の希硝酸以外に、無水クロム酸の硫酸浴や塩化
第２鉄の塩酸浴等も使用できる。

【００６７】なお、エッチング時間にして、わずか数秒
のソフトエッチング程度で、巻回コイル状メッキ導体パ
ターンの下に位置するＡｇ離型層がエッチングされ巻回
コイル状メッキ導体パターンが剥離することはない。

【００６８】次に、シート状磁性体層１，３，６の形成
方法について述べる。まず、ブチラール、アクリル、エ
チルセルロース等の樹脂をイソプロピルアルコール、ブ
タノール等の低沸点アルコールまたはトルエン、キシレ
ン等の溶剤とジブチルフタレート等の可塑剤に溶解させ
たビヒクルとＮｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平
均粒径０．５〜２．０μｍ）とを混練してなるペースト
（スラリー）状フェライトをドクターブレード法でペッ
トフィルム上に形成し、８０〜１００℃程度で粘着性を
少し残した状態になるまで乾燥させる。

【００６９】各シート状磁性体層１，３，６の厚みとし
ては、シート状磁性体層１，６は厚み０．３〜０．５ｍ
ｍ程度になるように形成し、シート状磁性体層３は、厚
さ２０〜１００μｍ程度に形成した後、パンチング等に
より、０．１５〜０．３ｍｍ角程度の貫通孔４を貫通さ
せる。

【００７０】次に、各巻回コイル状メッキ導体２，５と
各シート状磁性体層１，３，６を転写積層する転写工程
について説明する。

【００７１】まず、ペットフィルム上に形成されたシー
ト状磁性体層１に、すでに形成済みの巻回コイル状メッ
キ導体２を押し当て転写する（必要により、加圧、加熱
しても良い）。あるいは、シート状磁性体層１を一旦ペ
ットフィルムから離型し、シート状磁性体層１の粘着性
を有する可塑剤面側（ペットフィルムと接していた面
側）に巻回コイル状導体２を押し当て転写しても良い。

【００７２】このとき巻回コイル状メッキ導体２は、ベ
ースステンレス板８と程良い離型性を有しており、一方
シート状磁性体層１に対しては程良い粘着性があり、ま
たコイル状メッキ導体２が、転写プロセスの過程でシー
ト状磁性体層１の圧縮変形により喰い込むため、シート
状磁性体層１をベースステンレス板８から、引き剥がす
ことにより、巻回コイル状導体２は容易にシート状磁性
体層１に転写される。

【００７３】また、このときシート状磁性体層１のシー
ト強度が不足している場合には、シート状磁性体層１の
上に粘着性シートを張り付けることにより、シート状磁
性体層の強度不足を補うこともできる。

【００７４】さらに同様のプロセスにより、巻回コイル
状メッキ導体５をシート状磁性体層６に転写する。

【００７５】さらにこうして得た２つの巻回コイル状メ
ッキ導体２，５を転写したシート状磁性体１，６の間に
シート状磁性体層３を配置し、貫通孔４を通じて２つの
巻回コイル状メッキ導体２，５が互いに接続されるよう
に積層し、加熱（６０〜１２０℃）・加圧（２０〜５０
０ｋｇ／ｃｍ²）することで層間の接続を完全にする。

【００７６】ただし、２つの巻回コイル状導体２，５
の、電気的接合は厚膜導体を介した方がよりオーミック
な接続が得られる場合が多いため、図１３に示すよう
に、好ましくは、シート状磁性体層３の貫通孔４には、
予め印刷厚膜導体７を印刷し充填するか、あるいは、貫
通孔４と略同じ大きさのバンプ状のメッキ導体７を転写
した方が望ましい。

【００７７】以上のプロセスにおいては、製造上の効率
を向上させるため同時に複数の積層型セラミックチップ
インダクタを得るため、一枚のシートに複数の導体パタ
ーンが形成されるのが一般的である。従って、シートを
各個片に切断した後、８５０〜９５０℃、１〜２時間程
度で焼成する。また、焼結後に切断しても良い。

【００７８】最後に、切断した個片の相対する外片部に
内部の巻回コイル状メッキ導体と電気的に接続されるよ
うに、銀合金系の取り出し電極を形成し、６００〜８５
０℃程度で、焼結させることにより、図６に示す外部電
極１２を形成する。さらに必要により、外部電極１２上
にＮｉ、ハンダ等のメッキを施すものである。

【００７９】このようなプロセスにより、外形２．０×
１．２５ｍｍ、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチッ
プインダクタを得た。内部導体は約２．５ターンの巻回
コイル状メッキ導体２および５の２層構造となってお
り、合計５ターンの巻回コイル状導体線路を有している
ため、周波数１００ＭＨｚでのインピーダンス値は、約
７００Ω得ることができた。

【００８０】直流抵抗値は、Ａｇ導体厚みが約５０μｍ
あるため、極めて小さく約０．１２Ωにすることができ
た。

【００８１】また、本実施例による、積層セラミックチ
ップインダクタを切断して観察したところ、Ａｇ導体と
磁性体層の界面に特には隙間のようなものは観察されな
かった。

【００８２】これは、本発明による電鋳法により形成さ
れた巻回コイル状導体は、焼成による収縮率が４０〜６
０％である厚膜導体で形成される場合と異なり、焼成に
よる収縮が比較的小さい（５〜１０％）ため、Ａｇ導体
の周りに磁性体（焼結収縮率５〜２０％）が緻密に焼結
したためと考えられる。

【００８３】また、巻回コイル状導体が金属箔の場合に
は、金属箔がメッキ膜と比較して緻密であるので、熱膨
張するので、ほとんど収縮しないため、磁性体の焼結収
縮との収縮率の相違によるクラックを生じる場合がある
が、本実施例による電鋳法により形成された巻回コイル
状導体の場合はクラックを生じることは少ない。

【００８４】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
を図面を用いて、説明する。

【００８５】図７は本発明の第２の実施例における積層
型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
である。

【００８６】図７において１３，１８はシート状磁性体
層、１５は貫通孔１６を形成したシート状磁性体層であ
る。１４は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メ
ッキ導体、１７は貫通孔１６を形成したシート状磁性体
層に印刷された厚膜導体である。電鋳法で形成された転
写用の巻回コイル状メッキ導体１４と印刷された厚膜導
体１７は、貫通孔１６を介して互いに接続する。

【００８７】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法を以下に示す。

【００８８】まず初めに、転写用の巻回コイル状メッキ
導体１４の作製は、実施例１と同様の電鋳法により行う
ことができる。

【００８９】本実施例では、１．６×０．８ｍｍ²サイ
ズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍのパターンル
ールで約３．５ターンのパターンを得た。

【００９０】なお、使用したレジストは、印刷可能な高
感度ペースト状レジストである。次にシート状磁性体層
１３，１５，１８の形成方法について述べる。

【００９１】ブチラール、アクリル、エチルセルロース
等の樹脂をターピネオール等の高沸点の溶剤とジブチル
フタレート等の可塑剤に溶解させたビヒクルとＮｉ・Ｚ
ｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平均粒径０．５〜２．０
μｍ）とを混練してなるペースト状フェライトをメタル
マスクを用いて印刷でペットフィルム上に形成する。そ
の後、８０〜１００℃程度で乾燥させ（必要により印刷
・乾燥を数回繰り返し）、厚み０．３〜０．５ｍｍ程度
になるように形成されたシート状磁性体層１３，１８を
得る。

【００９２】あるいは、上記の方法以外に、５０〜１０
０μｍ程度に印刷・乾燥されたシート状磁性体層を数枚
積層することにより各シート状磁性体層１３，１８を得
ることもできる。

【００９３】なお、シート状磁性体層１５については、
スクリーン印刷にてペットフィルム上に貫通孔１６を有
するパターンを形成し、厚みは４０〜１００μｍ程度に
なるように調整する。

【００９４】まずペットフィルム上に形成されたシート
状磁性体層１３に、すでに形成済みの巻回コイル状メッ
キ導体１４を押し当て転写する。加圧条件は２０〜１０
０ｋｇ／ｃｍ²、加熱条件は６０〜１２０℃の範囲から
選ばれるのが好ましい。

【００９５】このとき巻回コイル状メッキ導体１４は、
ベースステンレス板と程良い離型性を有しているととも
に、シート状磁性体層１３に対しては程良い粘着性があ
る。さらに巻回コイル状メッキ導体１４は、パターン幅
が４０μｍと比較的狭いため、シート状磁性体層１３に
多少喰い込む効果も有るので、巻回コイル状メッキ導体
１４は容易にシート状磁性体層１３に転写される。

【００９６】なお、実施例１と同様にシート状磁性体層
１３の可塑剤面側に巻回コイル状メッキ導体１４を押し
当てることにより転写することもできる。

【００９７】続いて、貫通孔１６を有するシート状磁性
体層１５に厚膜導体１７を印刷する。

【００９８】さらに、こうして得た巻回コイル状メッキ
導体１４を転写したシート状磁性体１３と厚膜導体１７
が印刷されたシート状磁性体層１５を重ね、貫通孔１６
を介して、巻回コイル状メッキ導体１４と厚膜導体１７
が互いに接続されるように積層し、さらにその上部にシ
ート状磁性体層１８を積層し、加熱・加圧し、一体積層
体とする。

【００９９】以上のプロセスにおいては、製造上の効率
を向上させるため同時に複数の積層型セラミックチップ
インダクタを得るため、一枚のシートに複数の導体パタ
ーンが形成する。従って、シートを各個片に切断した
後、８５０〜９５０℃、１〜２時間程度で焼成する。

【０１００】最後に切断した個片の相対する両端部に内
部の巻回コイル状導体と接続するように、取り出し電極
を形成し、６００〜８５０℃程度で、焼結させることに
より、図６に示す外部電極１２を形成する。さらに必要
により、外部電極１２上にＮｉ、ハンダ等のメッキを施
すものである。

【０１０１】このようなプロセスにより、外形１．６×
０．８ｍｍ²、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチッ
プインダクタを得た。内部導体は約３．５ターンの巻回
コイル状メッキ導体１４と貫通孔を介して接続される直
線状の厚膜導体１７の、２層構造となっており、合計
３．５ターンの巻回コイル状導体線路を有しているた
め、１００ＭＨｚにおけるインピーダンスは、約３００
Ωとして得ることができた。

【０１０２】直流抵抗値は、Ａｇ導体厚みが約３５μｍ
あるため、約０．１９Ωにすることができた。

【０１０３】なお、本実施例では、転写用の巻回コイル
状メッキ導体１４と厚膜導体１７の２つの導体のみから
なっているが、必要により複数の転写用の巻回コイル状
メッキ導体１４と複数の厚膜導体１７とを交互に接続し
ても構わない。

【０１０４】また本実施例のように、厚膜導体と巻回コ
イル状メッキ導体とを組み合わせることにより、巻回コ
イル状メッキ導体同士を接続する場合に比べ更に接続信
頼性が増すものである。

【０１０５】これは、厚膜導体が積層時に変形しやすい
ため、巻回コイル状メッキ導体との密着性が高まった状
態で焼結されるためであると推定される。

【０１０６】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
を図面を用いて、説明する。

【０１０７】図８は本発明の第３の実施例における積層
型セラミックチップインダクタ構造を示す分解斜視図で
ある。

【０１０８】図８において１９，２４はシート状磁性体
層、２１は貫通孔２２を有するシート状磁性体層であ
る。２０，２３は電鋳法で形成された転写用の巻回コイ
ル状メッキ導体である。２５はシート状磁性体層２１に
形成された貫通孔２２を充填するように印刷された厚膜
導体である。電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状
メッキ導体２０，２３と印刷された厚膜導体２５は、貫
通孔２２を介して互いに接続する。

【０１０９】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法を以下に示す。

【０１１０】まず初めに、電鋳法による転写用の巻回コ
イル状メッキ導体２０，２３の作製法は、実施例１と同
様の電鋳法により行うことができる。

【０１１１】本実施例では、１．６×０．８ｍｍ²サイ
ズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍのパターンル
ールで、転写用の巻回コイル状メッキ導体２０は、約
３．５ターン、転写用の巻回コイル状メッキ導体２３と
して約２．５ターンのパターンを得た。

【０１１２】なお、使用したレジストは、印刷可能な高
感度ペースト状レジストである。次にシート状磁性体層
１９，２１，２４の形成方法について述べる。

【０１１３】ブチラール、アクリル、エチルセルロース
等の樹脂をターピネオール等の高沸点の溶剤とジブチル
フタレート等の可塑剤に溶解させたビヒクルとＮｉ・Ｚ
ｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平均粒系０．５〜２．０
μｍ）とを混練してなるペースト状フェライトをメタル
マスクを用いて印刷でペットフィルム上に形成し、８０
〜１００℃程度で粘着性を少し残した状態になるまで乾
燥させ、厚み０．３〜０．５ｍｍ程度になるように形成
されたシート状磁性体１９，２４を得る。シート状磁性
体層２１は、スクリーン印刷にてペットフィルム上に貫
通孔２２を有するパターンを形成し、厚みは４０〜１０
０μｍ程度になるように調整する。

【０１１４】さらに貫通孔２２に厚膜導体が充填される
ように、厚膜導体２５を印刷する。次にペットフィルム
上に形成されたシート状磁性体層１９に、すでに形成済
みの転写用の巻回コイル状メッキ導体２０を押し当て転
写する（必要により、加圧、加熱する）。

【０１１５】同様に、転写用の巻回コイル状メッキ導体
２３もシート状磁性体層２４に転写する。

【０１１６】このとき、シート状磁性体層２４の代わり
にシート状磁性体層２１に転写しても構わない。

【０１１７】さらにこうして得た巻回コイル状メッキ導
体２０が転写されたシート状磁性体層１９と巻回コイル
状メッキ導体２３が転写されたシート状磁性体層２４の
間に貫通孔２２を有するシート状磁性体層２１を配置
し、貫通孔２２に充填された厚膜導体２５を介して、転
写用の巻回コイル状メッキ導体２０と２３とが互いに接
続するよう積層し、加熱・加圧し、一体積層体とする。

【０１１８】以上のプロセスにおいては、製造上の効率
を向上させるため同時に複数の積層型セラミックチップ
インダクタを得るため、一枚のシートに複数の導体パタ
ーンが形成されるのが一般的である。従って、シートを
各個片に切断し、その後、８５０〜１０００℃、１〜２
時間程度で焼成する。

【０１１９】最後に、切断した個片の相対する両端部に
内部の巻回コイル状導体と接続するように、取り出し電
極を形成し、６００〜８５０℃程度で焼結させることに
より、図６に示す外部電極１２を形成する。さらに、必
要により外部電極１２上にＮｉ、ハンダ等のメッキを施
すものである。

【０１２０】このようなプロセスにより、外形１．６×
０．８ｍｍ²、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチッ
プインダクタを得た。内部導体は導体幅約４０μｍ、約
３．５ターンの巻回コイル状メッキ導体２０と、貫通孔
を介して接続される約２．５ターンの巻回コイル状メッ
キ導体２３との２層構造となっており、合計６ターンの
巻回コイル状導体線路を有しているため、１００ＭＨｚ
においてインピーダンスは、約１０００Ω得ることがで
きた。

【０１２１】直流抵抗値は、巻回コイル状メッキ導体の
厚みが約３５μｍあるため、約０．３２Ωにすることが
できた。

【０１２２】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
を図面を用いて説明する。

【０１２３】図９は本発明の第４の実施例における積層
型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
である。

【０１２４】図９において２６，３１はシート状磁性体
層、２８は貫通孔２９を有するシート状磁性体層、２
７，３０は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メ
ッキ導体である。

【０１２５】電鋳法で形成された転写用の巻回コイルメ
ッキ状導体２７，３０は、貫通孔２９を介して互いに接
続する。

【０１２６】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法は、実施例１と同じである
ので省略する。

【０１２７】本実施例により、外形２．０×１．２５ｍ
ｍ²、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチップインダ
クタを得た。内部導体は導体幅約４０μｍ、約５．５タ
ーンの巻回コイル状メッキ導体２７と貫通孔２９を介し
て接続される約２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体
３０の２層構造となっており、合計８ターンの巻回コイ
ル状導体線路を有しているため、１００ＭＨｚにおける
インピーダンスは、約１４００Ω得ることができた。

【０１２８】直流抵抗値は、巻回コイル状メッキ導体厚
みが約３５μｍあるため、約０．４７Ωにすることがで
きた。

【０１２９】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
を図面を用いて、説明する。

【０１３０】本実施例における積層型セラミックチップ
インダクタは実施例２と同じ構造を有しているので、図
７を用いて説明する。

【０１３１】図７において１３，１８はシート状磁性体
層、１５は貫通孔１６を有するシート状磁性体層、１４
は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導
体、１７は貫通孔１６を有するシート状磁性体層に印刷
された厚膜導体で、電鋳法で形成された転写用の巻回コ
イル状メッキ導体１４と印刷された厚膜導体１７とは、
貫通孔１６を介して互いに接続する。

【０１３２】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法を以下に示す。

【０１３３】まず、実施例２と同様に、１．６×０．８
ｍｍ²サイズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍの
パターンルールで約３．５ターンのパターンの転写用の
巻回コイル状メッキ導体１４を得た。

【０１３４】次に図１０を用いて、シート状磁性体層１
３の形成方法について述べる。ブチラール、アクリル、
エチルセルロース等の樹脂をターピネオール等の高沸点
の溶剤とジブチルフタレート等の可塑剤に溶解させたビ
ヒクルとＮｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平均粒
系０．５〜２．０μｍ）とを混練してなるペースト状フ
ェライトをメタルマスクを用いてＡｇ導体パターン３４
の形成されているベースステンレス板３２上に印刷し、
８０〜１００℃程度で乾燥させ（必要により、印刷・乾
燥を繰り返し）、厚み０．３〜０．５ｍｍ程度になるよ
うに形成する。

【０１３５】次にこのシート状磁性体層３３の上層から
熱離型性シート３５を粘着させ（必要により加熱、加圧
しても良い）、この熱離型性シート３５とともに、Ａｇ
導体パターン３４とシート状磁性体層３３を同時にベー
スステンレス板３２から離型する。

【０１３６】このようにして巻回コイル状メッキ導体１
４がシート状磁性体層１３上に形成されたグリーンシー
トを得ることができる。

【０１３７】また、必要により、シート状磁性体層３３
を印刷形成する前に、Ａｇ導体パターン３４が形成され
たベースステンレス板３２上に実施例１で図２に示すよ
うなＡｇ離型層９を設けることもできる。

【０１３８】このようなＡｇ離型層により、シート状磁
性体層３３とベースステンレス板３２との離型性をより
良くすることができる。なお、Ａｇ離型層としては液状
のフッ素系カップリング剤（パーフルオロデシルトリエ
トキシシラン等）をディップコートし、２００℃程度で
乾燥形成できる。離型層の厚みは０．１μｍ程度が好適
である。

【０１３９】一方、シート状磁性体層１５は、スクリー
ン印刷にてペットフィルム上に貫通孔１６を有するパタ
ーンに形成される。厚みは４０〜１００μｍ程度になる
ように調整され、このシートを巻回コイル状メッキ導体
１４上に積層する。

【０１４０】積層時の加圧条件は２０〜５００ｋｇ／ｃ
ｍ²、加熱条件は８０〜１２０℃の範囲から選ばれるの
が好ましい。

【０１４１】本実施例においては、巻回コイル状メッキ
導体１４は、シート状磁性体層１３に食い込んでおり、
凹凸が少ないため、シート状磁性体層１５はシート状磁
性体層１３上に容易に転写される。

【０１４２】次にシート状磁性体層１５上に貫通孔１６
を介して巻回コイル状メッキ導体層１４と接続するよう
に厚膜導体１７が印刷される。

【０１４３】さらにその上部にシート状磁性体層１８を
積層し、加熱・加圧し、一体積層体とする。この場合シ
ート状磁性体層１８を直接印刷積層しても構わない。

【０１４４】残りの工程（グリーンシートの切断、焼
成、端面電極形成等）は、実施例２と全く同様である。

【０１４５】また本実施例における積層型セラミックチ
ップインダクタの電気特性も実施例２と等価である。

【０１４６】（実施例６）以下、本発明の第６の実施例
を図面を用いて、説明する。

【０１４７】本実施例は実施例２及び５と同じ構造を有
しており、図７及び図１１を用いて説明する。

【０１４８】図７において１３，１８はシート状磁性体
層、１５は貫通孔１６を有したシート状磁性体層であ
る。１４は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メ
ッキ導体、１７は貫通孔１６を有するシート状磁性体層
に印刷された厚膜導体である。電鋳法で形成された転写
用の巻回コイル状メッキ導体１４と印刷された厚膜導体
１７とは、貫通孔１６を介して互いに接続する。

【０１４９】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法において、転写用の巻回コ
イル状メッキ導体１４をシート状磁性体層１３に転写す
る工程を図１１を用いて以下に示す。

【０１５０】実施例２と同様に、１．６×０．８ｍｍ²
サイズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍのパター
ンルールで約３．５ターンのＡｇ導体パターン３８（転
写用の巻回コイル状メッキ導体１４と一致する）をベー
スステンレス板３６上に得た。Ａｇ導体パターン３８と
ベースステンレス板３６の間には導電性のＡｇ離型層
（ストライクＡｇメッキ層）３７が形成される（図１１
（ａ））。

【０１５１】次にＡｇ導体パターン３８の上部から加熱
発泡することにより、ベースステンレス板３６からの熱
離型性を有する発泡シート３９を貼り付ける（必要によ
り、加熱、加圧しても良い）（図１１（ｂ））。

【０１５２】発泡シート３９は、粘着力が強いので、発
泡シート３９をベースステンレス板３６から引き剥がす
と、Ａｇ導体パターン３８及びＡｇ離型層３７が発泡シ
ート３９に転写される（図１１（ｃ））。

【０１５３】予め、ペットフィルム等に印刷等の技法で
形成されたシート状磁性体層４０（厚み５０μｍ〜５０
０μｍ）を、発泡シート３９上に転写されているＡｇ導
体パターン３８上のＡｇ離型層３７の上部に積層する。
この場合、シート状磁性体層４０の可塑剤面側をＡｇ離
型層３７に接するように積層し、シート状磁性体層４０
の総厚が０．３〜０．５ｍｍ程度になるまで積層を繰り
返す（図１１（ｄ））。

【０１５４】勿論、必要により、積層時に加圧・加熱を
適当な条件で行っても良い。次に、前記シート状磁性体
層４０、Ａｇ導体パターン３８、Ａｇ離型層３７、発泡
シート３９からなる一体物を約１２０℃、１０分加熱
し、発泡シート３９を発泡離型させることにより、Ａｇ
導体パターン３８（図７の巻回コイル状メッキ導体１４
に相当）と一体化したシート状磁性体層４０（図７のシ
ート状磁性体層１３に相当）を得ることができる（図１
１（ｅ））。

【０１５５】次に図７に示すように貫通孔１６を有する
シート状磁性体層１５を巻回コイル状メッキ導体１４上
に積層または印刷技法を用いて形成し、さらにシート状
磁性体層１５上に貫通孔１６を介して巻回コイル状メッ
キ導体層１４と接続するように厚膜導体１７を積層また
は印刷する。

【０１５６】さらにその上部にシート状磁性体層１８を
積層し、加熱・加圧し、一体積層体とする。この場合シ
ート状磁性体層１８も直接印刷積層しても構わない。

【０１５７】残りの工程（グリーンシートの切断、焼
成、端面電極形成等）は、実施例２と全く同様である。

【０１５８】また本実施例における積層型セラミックチ
ップインダクタの電気特性も実施例２と等価であった。

【０１５９】なお、本実施例では蛇行したコイル状メッ
キ導体を用いたが、直線上の導体パターンを組合わせて
コイルを形成しても良い。

【０１６０】（実施例７）以下、本発明の応用例として
第７の実施例を図面を用いて、説明する。

【０１６１】図１２は本発明の第７の実施例における積
層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視
図である。

【０１６２】図１２において４１，４３はシート状磁性
体層、４２は電鋳法で形成された転写用の蛇行型コイル
状メッキ導体である。

【０１６３】電鋳法で形成された転写用の蛇行型コイル
状メッキ導体４２は積層型セラミックチップインダクタ
のチップの両端部に引き出されるように配置される。

【０１６４】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法は、実施例１と同様である
ので省略する。

【０１６５】本実施例により、外形２．０×１．２５ｍ
ｍ²、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチップインダ
クタを得た。内部導体は導体幅約５０μｍ、蛇行したコ
イル状メッキ導体が磁性体層の長手方向を貫通する構造
となっており、１００ＭＨｚにおけるインピーダンス
は、約１２０Ω得ることができた。

【０１６６】直流抵抗値は、蛇行型コイル状メッキ導体
４２の厚みが約３５μｍで、約０．０８Ωにすることが
できた。

【０１６７】本実施例では蛇行したコイル状メッキ導体
を用いたが、直線状のメッキ導体パターンを用いること
も可能である。

【０１６８】以上の７つの実施例において、転写用の各
巻回あるいは蛇行型コイル状メッキ導体として、すべて
Ａｇを用いたが、価格的なこと、固有抵抗値、耐酸化性
を考慮しなければ、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等、
及びその合金も適宜使用することができる。

【０１６９】また、積層体はすべて、Ｎｉ・Ｚｎ・Ｃｕ
系磁性体からなる例のみ列挙したが、その他Ｎｉ・Ｚｎ
系、Ｍｎ・Ｚｎ系等の磁性体や各種低誘電率の絶縁材料
等を用いて、空心コイル特性を有する積層型セラミック
チップインダクタを形成することも可能であることは言
うまでもない。

【０１７０】（比較例）次に、上記各実施例に対する比
較例を図面を用いて、説明する。

【０１７１】図１４は上記比較例における積層型セラミ
ックチップインダクタの製造方法を示す斜視図である。

【０１７２】図１４において１０１，１１１はシート状
磁性体層、１０２，１０４，１０６，１０８，１１０
は、約半ターンの巻回コイル状導体を形成するための厚
膜導体層である。

【０１７３】１０３，１０５，１０７，１０９は前記約
半ターンの厚膜導体を積層するための絶縁層の役割を行
うシート状磁性体層であって、約半ターンの導体層の縁
端部のみ導体が露出されるように配置、積層されるもの
である。

【０１７４】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタの製造方法を以下に示す。

【０１７５】まず初めに、図１４（ａ）に示すように、
フェライトペーストを矩形に印刷し、シート１０１を得
る。次に、シート１０１上に導電ペーストを約１／２タ
ーン印刷し、導体線路１０２を形成する（図１４
（ｂ））。

【０１７６】さらに、導体線路１０２の一部を隠すよう
に、フェライトペーストを印刷することにより、シート
１０３を形成する（図１４（ｃ））。

【０１７７】そして、導体線路１０２端部に接続される
ように、Ａｇ導電ペーストを印刷することにより、約１
／２ターンの厚膜導体層１０４を形成する（図１４
（ｄ））。

【０１７８】以下同様に、図１４（ｅ）〜（ｋ）に示す
ように印刷積層し、高温焼結し、合計２．５ターンの巻
回コイル状導体線路を有するセラミック積層体を得る。

【０１７９】本比較例では、１．６×０．８ｍｍサイズ
の平面内に幅約１５０μｍ、印刷乾燥厚さ１２μｍのパ
ターンルールで導体パターンを得た。

【０１８０】内部導体は２．５ターンの巻回コイル状導
体を有しているため、１００ＭＨｚにおけるインピーダ
ンスは、約１５０Ω得ることができた。

【０１８１】直流抵抗値は、焼結後の巻回コイル状導体
厚みが約８μｍとなり、約０．１６Ωであった。

【０１８２】本比較例では計１１層もの積層構造であり
ながら、巻回コイル状導体は２．５ターンしか得られ
ず、このため積層数の割りには、インピーダンスが小さ
く、また導体抵抗値もインピーダンス値に対して大き
い。

【０１８３】また工程が煩雑で、各導体層間での接続信
頼性にも乏しい。ところで本比較例においても、各厚膜
導体層を本実施例における電鋳法によるメッキ導体パタ
ーンを転写することにより形成して、導体抵抗値を下げ
ることは可能であるが、積層数の低減、インピーダンス
値の増加等の効果は期待できるものではない。

【０１８４】（実施例８）以下、本発明の第８の実施例
を図面を用いて、説明する。

【０１８５】図１５は本発明の第８の実施例における積
層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視
図である。

【０１８６】図１５において、２０１，２０６はシート
状磁性体層、２０３は略中心部に貫通孔２０７を形成し
たシート状磁性体層、２０２，２０５は電鋳法により蛇
行状に形成された転写用巻回コイル状メッキ導体、２０
４はシート状磁性体層２０３の貫通孔２０７内に電鋳法
で形成されたバンプ状メッキ導体で、電鋳法で形成され
た転写用の巻回コイル状メッキ導体２０２，２０５は貫
通孔２０７に転写されたバンプ状メッキ導体２０４を介
して電気的に接続されている。

【０１８７】以上のように構成された積層型セラミック
チップインダクタについて、以下にその製造方法を示
す。まず、電鋳法による転写用の巻回コイル状メッキ導
体２０２，２０５及び前記巻回コイル状メッキ導体２０
２，２０５をそれぞれ接続するバンプ状メッキ導体２０
４の作製法を図１６を用いて説明する。図１６（ａ）に
示すようにベースステンレス板２１０上に液状レジスト
をスクリーン印刷し、約１００℃で乾燥させ約２５μｍ
のレジスト膜２１１を得る。次に、レジスト膜２１１を
所定の条件で平行光露光し、炭酸ソーダ水溶液を用いて
直ちに現像を行う。次に、現像後、十分水洗し、さらに
Ｈ₂ＳＯ₄ ５％溶液に０．５〜１ｍｍ浸漬させて酸活性
処理し、大和化成製のシアンを含有しない中性タイプの
ストライク銀メッキを行い銀離型層２１２を得る。この
ストライク銀メッキの時間は、約１分（電流密度０．３
Ａ／ｄｍ²）でメッキ膜厚約０．１μｍである。

【０１８８】次に、市販のシアンを含有しないＡｇメッ
キ液（大和化成）を使用し、ｐＨは約１．０で酸性浴
で、電流密度１Ａ／ｄｍ²で約２０分のメッキ条件で、
約２０μｍｔの厚みのＡｇメッキ膜２１３を作成する。

【０１８９】なお、本実施例で用いたシアンを含有しな
い銀メッキ液は毒性が全くなく、作業安全性、排液の処
理の簡便化が図れ、作業効率の向上と製造コストの低減
を可能とするものである。

【０１９０】次に、図１６（ｂ）に示すように、ＮａＯ
Ｈ５％溶液に浸漬することでレジスト膜２１１を剥離
した。以上の方法で、１６０８サイズで巾３５μｍ、ス
ペース２５μｍ、厚み２０μｍｔ、約２．５ターン相当
の巻回コイル状導体２０２，２０５とシート状磁性体層
２０３の貫通孔２０７の直径が０．１の貫通孔充てん用
バンプ状Ａｇメッキパターン２０４を設けるものであ
る。

【０１９１】次にシート状磁性体層２０１，２０３，２
０６の形成方法について述べる。まず、Ｎｉ・Ｚｎ・Ｃ
ｕ系フェライトの高温仮焼粉（８００〜１１００℃）と
ブチラール、アクリル、エチルセルロース等の樹脂とト
ルエン、キシレン等の低沸点溶媒とジブチルフタレート
等の可塑剤及び少量の添加剤とをポット混合して得られ
るスラリーをドクターブレード装置で成膜し、約１００
μｍ及び４０μｍのグリーンシートを得る。

【０１９２】さらに約１００μｍのグリーンシートを４
枚ラミネートし、約４００μｍのグリーンシート２０
１，２０６を得る。一方、４０μｍのグリーンシートに
パンチャー（金型ピンを用いて機械的に穴を開ける装
置）を用いて直径０．１の貫通孔を開孔したグリーンシ
ート２０３を作成する。

【０１９３】このようにして得られた、グリーンシート
２０１，２０６を巻回コイル状メッキ導体２０２，２０
５にそれぞれ熱プレスし、グリーンシート２０１，２０
６をベースステンレス板より離形することで巻回コイル
状導体の転写されたシート状磁性体層２０１，２０６を
得る。また、同様にバンプ状Ａｇメッキパターン２０４
を直径０．１の貫通孔を有するグリーンシート２０３を
位置合わせのうえ転写することにより、バンプ状Ａｇメ
ッキパターンの転写されたシート状磁性体層２０３を得
る。

【０１９４】この時熱転写条件は１００℃、７０ｋｇ／
ｃｍ²、５secであり、図１７（ａ）に示すように、各グ
リーンシートにメッキ導体が喰い込むように転写され
る。

【０１９５】このようにして得たシート状磁性体層２０
１，２０３，２０６をそれぞれが電気的に接続され、１
つのコイルとして形成されるように位置合わせのされる
ように順次積層してこの積層体を９００〜９２０℃で焼
成し、外形サイズ１．６×０．８厚み約０．８の積層体
を得る。

【０１９６】なお一般にフェライト粉末は焼結緻密性を
増すため、７００〜８００℃で仮焼された、フェライト
微粉末（０．２〜１．０μｍ）を用い、焼結過程に於い
て１５〜２０％程度収縮させるのが普通であるが、本実
施例では８００〜１１００℃の高温仮焼粉（１〜３μ
ｍ）を用い焼結収縮を２〜１０％程に抑制した。これ
は、Ａｇメッキ導体が、焼結過程で、わずかしか収縮し
ないため、極力収縮率をマッチングさせ焼結後の内部歪
を減少させるためである。

【０１９７】但し、一般に粉体の仮焼温度を上げていく
と、収縮率は低下するが、反面磁気特性を劣化させる。
従って、磁気特性の劣化を極力おさえる添加剤を加える
ことが重要である。

【０１９８】研究の結果、収縮率を維持したまま磁気特
性劣化を抑制する添加剤としてオクチル酸鉛等の有機鉛
化合物を微量（フェライトの０．１〜１．０％）添加す
ることが有効であることを見い出した。

【０１９９】これは有機鉛化合物はフェライトスラリー
中に極めて良く分散するため、フェライト粉末の粒界に
焼成過程で熱分解した原子状の原子金属Ｐｂまたは原子
状のＰｂＯが効率良く効果的に溶け込み焼結性を向上さ
せるためと考えられる。

【０２００】一方ＰｂＯ等の粉末は比重が思いため、ス
ラリー中でフェライトと分離しやすく、分散性が悪い。
更にフェライト粉反応性も、有機鉛化合物の熱分解によ
り生じた物質（原子状の金属鉛または原子状のＰｂＯ）
より劣る。従って、ＰｂＯ等の酸化物粉末の添加はあま
り効果はない。

【０２０１】また、高温化燃料のかわりに無収縮フェラ
イトを導入することも有効である。これは、Ｎｉ・Ｚｎ
・ＣｕフェライトのＦｅ₂Ｏ₃となる部分Ｆｅ₂Ｏ₃を
あらかじめ減して仮焼した粉体を作成しておき、別途金
属Ｆｅ粉及び未反応のＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯを加える
ことで焼結過程で、金属Ｆｅ粉がＦｅ₂Ｏ₃と酸化され膨
張する割合といわゆる一般の焼結収縮の割合を調節する
ことにより、焼結収縮を無くしたものである。具体例は
（表５）に述べる。

【０２０２】

【表５】

【０２０３】（表５）に示すように低収縮フェライト粉
または無収縮フェライト粉を用いて、チップビーズを作
成することも容易である。

【０２０４】さらに最終工程として、チップのバリ取り
や外部電極形成及び外部電極メッキ（Ｎｉ、ハンダ）を
行うことにより、チップビーズが完成する。なお、電気
特性は使用する材料により多少異なるため（表６）に示
す。なお焼結温度は９１０℃で、１時間ｋｅｅｐした場
合のデータを示すものとする。

【０２０５】

【表６】

【０２０６】

【発明の効果】以上のように、本発明の積層型セラミッ
クチップインダクタ及びその製造方法によれば、コイル
状導体線路を電鋳（メッキ）技法を用いて形成するの
で、フォトレジストの解像度次第で数ミクロン以上のパ
ターン幅が高精度に得られるため、微少なチップ部品の
エリア内に、印刷技法で導体を形成する場合よりも、よ
り巻数の多いコイル状導体線路を得ることができる。

【０２０７】従って、低積層数でも大きなインピーダン
ス値を得ることができる。また導体膜厚は、フォトレジ
ストの膜厚とメッキ条件次第でサブミクロン〜数十ミク
ロン、あるいは条件次第では、数ミリの厚みを実現する
ことが可能であるため、導体抵抗値を容易にコントロー
ルでき、膜厚を厚くすることにより、微細パターンであ
りながら導体抵抗値を低減することができる。

【０２０８】一方、厚膜導体のみでコイルパターンを形
成する場合と異なり、焼成前から比較的に緻密な膜が得
られるため、焼成後の導体厚みの収縮が比較的小さく、
磁性体層と導体層とのデラミネーションの発生も皆無で
ある。

【０２０９】また、全く収縮しない金属箔のみでコイル
パターンを形成する場合と異なり、焼結時にクラックを
発生することは少ない。

【０２１０】更に、導体のパターン精度、導体の緻密性
により、製品特性上の信頼性も高くなるものである。

【０２１１】以上のように、本発明の積層型セラミック
チップインダクタ及びその製造方法によれば、低積層
化、高インピーダンス化および低導体抵抗化を同時に実
現することができるという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における積層型セラミッ
クチップインダクタの構造を示す分解斜視図

【図２】同第１の実施例における積層型セラミックチッ
プインダクタの製造工程を示す説明図

【図３】同実施例における積層型セラミックチップイン
ダクタの製造工程を示す説明図

【図４】同実施例における積層型セラミックチップイン
ダクタの製造工程を示す説明図

【図５】同実施例における積層型セラミックチップイン
ダクタの製造工程を示す説明図

【図６】同各実施例における積層型セラミックチップイ
ンダクタの外観斜視図

【図７】同第２、第５および第６の実施例における積層
型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図

【図８】同第３の実施例における積層型セラミックチッ
プインダクタの構造を示す分解斜視図

【図９】同第４の実施例における積層型セラミックチッ
プインダクタの構造を示す分解斜視図

【図１０】同第５の実施例における積層型セラミックチ
ップインダクタの製造工程を示す説明図

【図１１】同第６の実施例における積層型セラミックチ
ップインダクタの製造工程を示す説明図

【図１２】同第７の実施例における積層型セラミックチ
ップインダクタの構造を示す分解斜視図

【図１３】本発明の第１の実施例における積層セラミッ
クチップインダクタの構造の他の一例を示す部分斜視図

【図１４】同各実施例に対する比較例としての積層型セ
ラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図

【図１５】同第８の実施例における積層型セラミックイ
ンダクタの構造を示す分解斜視図

【図１６】同工程を説明する図

【図１７】同工程を説明する図

【符号の説明】

１，３，６，１３，１５，１８，１９，２１，２４，２
６，２８，３１，３３，４０，４１，４３シート状磁
性体層２，５，１４，２０，２３，２７，３０巻回コイル状
メッキ導体４，１６貫通孔８，３２，３６ベースステンレス板９，３７Ａｇ離型層１０，３４，３８Ａｇ導体パターン１１メッキレジストパターン１２外部電極１７，２５厚膜導体３９発泡シート４２蛇行型コイル状メッキ導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者横田千砂大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一対の絶縁層と、この少なく
とも一対の絶縁層に挟持されたコイル状導体線路を構成
する少なくとも１つの導体パターンとを有し、この少な
くとも１つの導体パターンは電鋳法により形成されてい
る積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項２】導体パターンを複数有し、この導体パタ
ーンの少なくとも２つは印刷により形成された厚膜導体
によって電気的に接続されている請求項１記載の積層型
セラミックチップインダクタ。
【請求項３】少なくとも１つの電鋳導体パターンは蛇
行状である請求項１記載の積層型セラミックチップイン
ダクタ。
【請求項４】少なくとも１つの電鋳導体パターンは直
線状である請求項２記載の積層型セラミックチップイン
ダクタ。
【請求項５】少なくとも一対の絶縁層は磁性体からな
る請求項１記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項６】絶縁層は、焼結過程で無収縮あるいは低
収縮性を有する粉体からなる請求項１記載の積層型セラ
ミックチップインダクタ。
【請求項７】導電性を有するベース板上に電鋳法によ
り導体パターンを形成する工程と、第１絶縁層に前記電
鋳導体パターンを転写する工程と、前記電鋳導体パター
ンを有する前記第１絶縁層の表面上に第２絶縁層を形成
する工程とからなる積層型セラミックチップインダクタ
の製造方法。
【請求項８】電鋳導体パターンを転写された第１絶縁
層を複数形成する工程と、前記複数の電鋳導体パターン
を互いに電気的に接続しながら前記複数の第１絶縁層を
積層する工程とを包含する請求項７記載の積層型セラミ
ックチップインダクタの製造方法。
【請求項９】複数の第１絶縁層の間に、貫通孔を有す
る第３絶縁層を挟持する工程を包含する請求項８記載の
積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１０】複数の第１絶縁層の間に、印刷された
厚膜導体で充填された貫通孔を有する第３絶縁層を挟持
する工程を包含する請求項８記載の積層型セラミックチ
ップインダクタの製造方法。
【請求項１１】転写工程は、導電性ベース板の電鋳導
電パターンを有する表面上に第１絶縁層を形成する工程
と、前記第１絶縁層上に熱離型シートを接着する工程
と、前記電鋳導体パターンを有する前記第１絶縁層と前
記熱離型シートとを前記導電性ベース板から剥離する工
程と、前記熱離型シートを加熱によって剥離する工程と
を包含する請求項７記載の積層型セラミックチップイン
ダクタの製造方法。
【請求項１２】転写工程は、導電性ベース板の電鋳導
電パターンを有する表面上に熱離型性を有する発泡シー
トを加熱および発泡により接着する工程と、前記熱離型
性発泡シートと前記電鋳導体パターンとを前記導電性ベ
ース板から剥離する工程と、前記熱離型性発泡シートの
前記電鋳導体パターンを有する表面上に前記第１絶縁層
を形成する工程と、前記熱離型性発泡シートを加熱によ
り剥離する工程とを有する請求項７記載の積層型セラミ
ックチップインダクタの製造方法。
【請求項１３】電鋳導体パターンを形成する工程は、
導電性ベース板を所望のパターンで露出するように導電
性ベース板をホトレジスト膜で覆う工程と、前記ホトレ
ジスト膜を覆うように前記導電性ベース板上に導電性膜
を形成する工程と、前記ホトレジスト膜を前記導電性ベ
ース基板から剥離する工程とを包含する請求項７記載の
積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１４】導電性ベース板は、導電性を有するよ
うに離型処理された金属板である請求項７記載の積層型
セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１５】導電性ベース板は、ステンレス板であ
る請求項７記載の積層型セラミックチップインダクタの
製造方法。
【請求項１６】電鋳導体パターンは、ｐＨが８．５以
下のＡｇメッキ浴により形成される請求項７記載の積層
型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１７】導電性ベース板の表面粗さ（Ｒａ）が
０．０５〜１μｍである請求項７記載の積層型セラミッ
クチップインダクタの製造方法。
【請求項１８】第１、第２および第３絶縁層は、磁性
材料からなる請求項９記載の積層型セラミックチップイ
ンダクタの製造方法。
【請求項１９】導電性を有するベース板上に電鋳法に
よりメッキ導体パターンを形成する工程と、絶縁層に前
記メッキ導体パターンを転写し第１のシートを形成する
工程と、貫通孔を有する絶縁体層の貫通孔とほぼ同じ大
きさの円柱状または角柱状のバンプ型メッキ導体を電鋳
法により形成する工程と、前記絶縁体層の貫通孔部に前
記バンプ型メッキ導体を転写し第２のシートを形成する
工程と、前記第２のシートを２枚の第１のシート間に挟
むように前記第１のシートと第２のシートを交互に積層
し隣接する第１のシートと第２のシート上のメッキ導体
パターンとバンプ型メッキ導体とを電気的に接続して積
層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程とを
有することを特徴とする積層型セラミックチップインダ
クタの製造方法。
【請求項２０】絶縁層の焼結助剤として、有機鉛化合
物を添加する請求項７記載の積層型セラミックチップイ
ンダクタの製造方法。
【請求項２１】シアンを含有しない銀メッキ液を使用
し、銀メッキパターンを設ける請求項７記載の積層型セ
ラミックチップインダクタの製造方法。