JPH02159789A

JPH02159789A - プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JPH02159789A
Application number: JP31384188A
Authority: JP
Inventors: Sakae Komi; 小海　栄; Yuji Kawada; 河田　裕次
Original assignee: Meiko Electronics Co Ltd; Toagosei Co Ltd; Meiko Denshi Kogyo Co Ltd
Current assignee: Meiko Electronics Co Ltd; Toagosei Co Ltd
Priority date: 1988-12-14
Filing date: 1988-12-14
Publication date: 1990-06-19
Also published as: JPH0512878B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はプリント配線板の製造方法に関し、更に詳しく
は、表面実装用プリント配線板を製造する方法に関する
。

（従来の技術）従来、表面実装用プリント配線板を製造するためには、
多くの方法が適用されているが、その代表例としてＳＣ
Ｌ法がある。

この方法は、第２７図乃至第３７図に示すような各単位
工程から構成されている。以下、両面実装用のプリント
配線板の場合につき説明する。

まず、第２７図に示すように、絶縁基材２の両面に銅箔
３，３が積層された銅張積層板１が用意される。ついで
、必要により、この銅張積層板１にスルーホール用穴４
が穿設され（第２８図）、その後、銅張積層板ｌの表面
およびスルーホール用穴４の壁面に、公知の無電解銅め
っきを施してスルーホール用穴４の壁面に導電性を付与
したのち、電解めっき法によって、全表面に所定厚みの
銅めっき層５を形成する（第２９図）。

ついで、前記鋼めっき層５の表面のうち、導体回路を形
成すべき個所を除いた個所に、レジストマスク６のパタ
ーンを形成する（第３０図）。その後、電解めっき法に
より、前記レジストマスクのバクーン以外の部分、すな
わち、導体回路を形成スべき個所とスルーホールの壁面
とに所定厚みの銅めっき層７を導体回路層として形成す
る（第３１図）。

ついで、前記鋼めっき層７の表面に、電解めっき法によ
って、半田を電着せしめて所定厚みの半田層８を形成す
る。ずなわち、導体回路層７を半田層で被覆する（第３
２図）。

さらに、レジストマスクの剥離液を用いてレジストマス
ク６を剥離除去し、ついで、銅エッチャントを用いてエ
ンチング処理を施して、レジストマスク６が存在してい
た個所の銅めっき層５と銅張積層板の銅箔３，３をエツ
チング除去する（第３３図、第３４図）。このとき、第
３２図の工程で形成した半田層８は導体回路層７のレジ
ストとして機能する。

ついで、導体回路層７とスルーホールの内壁に形成され
ている半田層８をエツチング除去して、導体回路層７を
露出させる（第３５図）。

その後、後述する表面実装部品の端子を半田付けする個
所およびスルーホールランドを除し）た導体回路層７の
表面に永久レジストを印刷して、絶縁性の永久レジスト
層９を形成する（第３６図）。

そして最後に、永久レジスト層９が形成されていない導
体回路層７の部分とスルーホールの内壁に半田層１０を
形成する（第３７図）。このときの半田層１０の形成方
法は、通常、第３６図の工程で得られた配線板を溶融半
田液にどふ漬けしたのち、熱風を吹き付けて余分に付着
している半田を吹きとばすという方法が採られている。

このようにして製造された配線板は、表面実装用の基板
としてユーザーに出荷される。

（発明が解決しようとする課題）ところで、上記したＳＣＬ法で製造した表面実装用のプ
リント配線板には、スルーホールが形成されているか、
形成されていないかにかかわらず、次のような問題があ
り、その問題解決が強く望まれている。

すなわち、まず、第３２図の工程で示したように、導体
回路層７の上に形成した半田層８を第３５図の工程でエ
ツチング除去し、再び第３７図の工程で示したように半
田層１０を形成するのであるから、不経済であるという
ことである。

また、第３７図に示した工程で形成される半田層１０は
、その厚みを管理することが困難であり、例えば前記し
た熱風による余分な半田の吹きとばし時に、最終的に形
成される半田層１０の厚みは、両面において、また同一
面内において、均一となりにくく、その厚のにばらつき
が発生する。

このような状態にある半田層１０に表面実装部品の端子
を載せて半田付は処理炉に送入し、炉出すると、炉内で
半田が溶融する際に、半田溶融時間の差に起因するマン
ハッタン現象が多発するようになる。

このような現象を解消するためには、一般に第３７図の
工程を経たプリント配線板を約２３０°Ｃでハイドロス
キージ装置に通して過剰の半田を除去し、半田層１０の
厚みを均一に整えるという処置が採られている。しかし
ながら、このような処置は、プリント配線板の各構成要
素に不要な熱履歴を強制することになり、またコスト高
を招くのみならず、半田層の部分に半田−銅の合金を露
出させて表面実装部品の実装時に用いるクリーム半田と
の漏れ性を低下させるという問題を引き起す。

更に、第３７図に示したように、プリント配線板の表面
において、永久レジスト層９と半田層１０のそれぞれの
表面は、同一高さでなくしかも水平面にならないため、
表面実装部品を接続したとき、表面実装部品の端子と半
田層との接触状態が不完全になり易く、その結果、接触
抵抗にばらつきが発生し易くなる。そして、仮に、表面
実装部品の接続部である２つの半田層の間に位置する永
久レジスト層が前記半田層より突出していた場合には、
この永久レジス）［を跨いで表面実装部品を実装した時
に、表面実装部品に部分的な力が加わり表面実装部品を
破壊するという問題も発生する。

本発明は、表面実装部品の実装時に、上記したような問
題を発生することがないプリント配線板を製造する方法
の提供を目的とする。

（課題を解決するための手段　作用）上記目的を達成するために、本発明においては、まず、
第１の方法として、平板状導電基材の表面に金属薄膜を
形成する工程（以下、Ａ、工程という）；前記金属薄膜
の表面のうち導体回路を形成すべき個所を除いた個所に
、レジストマスクのパターンを形成する工程（以下、Ａ
２工程という）；前記導体回路を形成すべき個所に、め
っき法により、導体回路層を形成する工程（以下、Ａ３
工程という）；前記レジストマスクのパターンを剥離除
去する工程（以下、Ａ４工程という）；前記導体回路層
側の表面に絶縁基材を圧着または加熱圧着して積層体と
する工程（以下、Ａ５工程という）；前記積層体から前
記平板状導電基材のみを剥離除去する工程（以下、Ａ６
工程という）；露出した金属薄膜の表面のうち半田付は
端子部を形成すべき個所を除いた個所にレジストマスク
のパターンを形成する工程（以下、Ａ、工程という）；
前記半田付は端子部を形成すべき個所に、電解めっき法
により、半田層を形成する工程（以下、Ａｌｌ工程とい
う）；半田付は端子部を形成すべき個所を除いた個所に
形成されている前記レジストマスクを剥離除去したのち
、露出した金属薄膜を更にエツチング除去する工程（以
下、Ａ、工程という）；ならびに、前記半田層が形成さ
れていない個所に永久レジスト層を形成する工程（以下
、Ａ１ｏ工程という）；を具備することを特徴とするプ
リント配線板の製造方法が提供される。なお、この場合
には、Ａ、工程とＡ７工程の途中に、露出した金属薄膜
の所定個所にスルーホールを穿設し、更にスルーボール
に導電性を付与する工程が介在してもよい。また、第２
の製造方法として、平板状導電基材の表面のうち導体回
路を形成すべき個所を除いた個所に、レジストマスクの
パターンを形成する工程（以下、Ｂ１という）；前記導
体回路を形成すべき個所に、めっき法により、導体回路
層を形成する工程（以下、Ｂ２工程という）；前記レジ
ストマスクのパターンを剥離除去する工程（以下、Ｂ３
工程という）、前記導体回路層の表面と露出した平板状
導電基材の表面に金属薄膜を形成する工程（以下、Ｂ４
工程という）：前記台属薄膜側の表面に絶縁基材を圧着
または加熱圧着して積層体とする工程；（以下、Ｂ、工
程という）；前記積層体から前記平板状導電基材のみを
剥離除去する工程（以下、Ｂ６工程という）；露出した
導体回路層と金属薄膜とから成る表面のうち、半田付は
端子部を形成すべき個所以外の個所にレジストマスクの
パターンを形成する工程（以下、Ｂ７工程という）：前
記半田付は端子部を形成すべき個所に、電解めっき法に
より、半田層を形成する工程（以下、Ｂ８工程という）
；半田付は端子部を形成すべき個所を除いた個所に形成
されている前記レジストマスクを剥離除去したのち、露
出した金属薄膜を更にエツチング除去する工程（以下、
Ｂ、工程という）；ならびに、前記半田層が形成されて
いない個所に永久レジスト層を形成する工程（以下、Ｂ
１゜工程という）を具備することを特徴とするプリント
配線板の製造方法が提供される。なお、この第２の製造
方法の場合、Ｂ６工程とＢ、工程の途中に、露出した表
面の所定個所にスルーホールを穿設し、更にスルーホー
ルに導電性を付与する工程が介在してもよい。

まず、第１の製造方法につき、スルーホールを穿設する
場合に関し、各工程を第１図乃至第１３図の図面に基づ
いて詳細に説明する。

Ａ、工程においては、平板状の導電基材１１の表面に、
金属薄膜１２が形成される（第１図）。

金属薄膜１２の形成は、通常、電解めっき、無電解めっ
きを問わずめっき法で行なわれる。

このＡ１工程で用いる導電基材１１としては、剛性を有
する単板、例えば、有効寸法が最大１２２０ｘ１０２Ｏ
ｎ＋ｍ、厚み１〜１０ｍｍの範囲にある適宜な大きさの
平板からなり、例えば電解めっき法を適用する場合、そ
の工程で使用する薬品に対する耐薬品性、耐電食性を有
するものが望ましく、例えば、ステンレススチール板（
ハードニング処理を施した５ＵＳ６３０が好適である）
、ニッケル板、チタン板またはチタン合金板、銅板また
は銅合金板等をあげることができる。この導電基材１１
の表面の汚れ、酸化皮膜を除去すると共に、該表面には
所要の粗度を与える前処理が施される。すなわち、導電
基材１１の表面ば、０．０８〜０．２３μｍの範囲の粗
度で研磨されることが望ましい。この導電基材１１の表
面粗度は、導電基材１１上に形成される金属薄膜１２の
導電基材表面への密着強度や金属薄膜１２内のピンホー
ルの発生状況、更には金属薄膜１２の表面粗度にも影響
を与える。また、上述の粗度規定範囲は金属薄膜１２が
後述する導体回路層を形成する工程Ａ３で導電基材１１
から剥離せず、しかも、後述する工程Ａ６における導電
基材１１の剥離時に導電基材１１と金属薄膜１２が容易
に剥離できる程度の密着性が得られるように設定されて
いる。

導電基材１１の表面に金属薄膜１２を形成するために電
解めっき法を適用する場合、そのめっき法としては、い
わゆる、高速めっき法が好適である。なお、金属薄膜１
２としては、銅、ニッケル膜であることが好ましい。

ここで、高速めっき法は、導電基材１１を陰極とし、こ
れに所定間隔を置いて平板状陽極を対向せしめ、両極間
に高速で電解液を通流せしめで電解めっきを行なう方法
である。

例えば、金属薄膜１２として銅薄膜を形成するときの高
速めっき条件としては、４５〜７０°Ｃのめっき浴を陰
極表面において乱流状態、すなわち、電極間距離３〜３
０ｍｍ、電極に対する接液スピードが２．６〜２０．０
　ｍ／ｓｅｃになるように供給する。

このとき、めっき浴としては、例えば、硫酸銅めっき浴
、ピロリン酸銅めっき浴等を使用し、陰極電流密度０．
１５〜４．ＯＡ／ｃＪで電流を印加し、銅薄膜の形成速
度が２５〜１００μｍ／ｍｉｎとなるように設定するこ
とが望ましい。

また、金属薄膜１２としてニッケル膜を形成する場合の
高速めっき条件としては、陰極と陽極とを３００〜３５
０ｍｍ離間させ、この電極間に４０〜４８°Ｃのめっき
浴を供給してエア撹拌を行なう。

このとき、めっき浴として、例えば、硫酸ニッケル、ス
ルファミン酸ニッケル等を使用し、陰極電流密度２，２
〜４．０　Ａ／ｄｍ２で電流を印加し、ニッケル膜の形
成速度が０．８〜１．５　ｐ　ｍ／ｍｉｎとなるように
設定することが好ましい。

１にのような方法で形成された金属薄膜１２は、前述した表
面粗度を存する導電基材１１の表面に電着しているので
、導電基材１１と適度な密着力を形成している。

また、ステンレススチール板、ニッケル板等の導電基材
１１の場合には、金属間化合物、または非金属介在物、
偏析、気孔等の欠陥が存在する。

そしてこれらの欠陥はステンレススチール板の溶製時、
圧延時等に混入、発生するもので、導電基材１１の前述
したような表面処理だけでは解消し得ないものである。

これらの欠陥は後述する導体回路層にピンホールを生じ
さゼる原因となる。しかしながら、Ａ１工程の場合、導
電基材１１の表面に形成させた金属薄膜１２の表面は電
気化学的に平滑であるため、この上に形成される後述の
導体回路層には、ピンホールの発生が起こらなくなる。

Ａ２工程においては、Ａ、工程で形成された金ＩＦＥｆ
ｆｌｌｕ１２の表面にレジストマスクのパターン１３が
形成される（第２図）。

このレジストマスクのパターン１３は、導体回路を形成
すべき個所を除いた個所に、フォトレジスト法、印刷法
などを適用して形成される。具体的には、感光性レジス
トフィルムをラミネートする方法もしくは液状の感光性
レジストを塗布後乾燥することによりレジスト層を形成
し、露光・現像によす所望のパターンのレジストマスク
１３を形成する。

Ａ３工程においては、Ａ２工程でレジストマスク１３が
形成されていない金属薄膜１２の表面部分、すなわち導
体回路を形成すべき個所に、めっき法によって金属を被
着させて導体回路１’ｉ１４が形成される。導体回路層
としては、銅で構成されているものが好ましい。めっき
法としては、電解めっき法、無電解めっき法のいずれで
あってもよい。

銅の導体回路層を形成する場合、この工程における電解
めっき法としては、通常のめっき法であってもよいが、
Ａ、工程で説明した高速めっき法であることが好ましい
。

この場合の高速めっき法に用いる電解液とじては、銅濃
度０．２０〜２．０ｍｏｒ！、／４２．好ましくは、０
．３５〜０．９８ｍｏｎ、／４２、および硫酸濃度５０
〜２２０ｇ／ｊ！を含有する硫酸銅めっき浴が望ましく
、更には、めっきの均一性を確保するために西独間ＬＰ
Ｗ社製のＣＵＰＰＯＲＡＰＩＤ　Ｉｓ（商品名）を１．
５ｍ　’１／Ｉ！添加することが好ましい。また、ビロ
リン酸銅液等の通常のめっき浴を使用してもよい。電流
密度は、０．１５〜４Ａ／ｃＪ、電極に対する接液スピ
ードは２．６〜２０　ｍ／ｓｅｃ、電解浴温度は４５〜
７０°Ｃ１好ましくは６０〜６５°Ｃとなるようにそれ
ぞれ設定する。めっき浴温が４５°Ｃ未満の場合は、銅
イオンの移動速度が低下するため電極表面に分極層が生
じ易くなって、めっき堆積速度が低下する。一方、浴温
か７０°Ｃを超えるとめっき浴の蒸発量が多くなり濃度
が不安定になると共に、浴温の高温化による設備的制限
が加わるようになる。

電流密度と電極に対する接液スピードとを上述のような
条件に設定することにより、金属薄膜１２の上に、２５
〜１００μｍ　／　ｍｉ　ｎの形成速度で導体回路層１
４が形成される。これは、従来のめっき法の場合よりも
１０〜２００倍の形成速度であり、実用上極めて大きな
意義を有する。しかも、導体回路層１４を構成する銅粒
子は極めて微細であり、導体回路層１４の伸び率は抗張
力を損なうことなく１６〜２５％に達する。この伸び率
は通常のめっき法により形成した導体回路層の伸び率よ
り１．５〜２倍以上の値である（圧延アニール銅箔と同
等以上の稙である）。したがって、この導体回路層は極
めて軟らかく圧延アニール銅箔と同等の性能を有するこ
とから、高折曲性が必要なフレキシブル基板における導
体回路層として特に有効である。

Ａ４工程においては、Ａ３工程で形成されている、レジ
ストマスク１３と導体回路層１４とから成る表面から、
レジストマスクＩ３のみが剥離除去され、金属薄膜１２
の上には導体回路層１４ののが残置せしめられる（第４
図）。

具体的には、上記表面に、カセイソーダのようなレジス
Ｉ・マスクのみを溶解する溶解液をスプレ】　９したり、またはＡ３工程で得られた板体を上記溶解液中
に浸漬すればよい。

Ａ５工程においては、第５図に示したように、絶縁基板
１５の両面に、Ａ４工程で形成された導体回路層１４側
の表面を圧着または加熱圧着して積層体が製造される。

第５図は両面表面実装用の配線板を製造する場合を示す
もので、片面実装用の配線板を製造する場合には、絶縁
基材１５の片面のみに導体回路層１４が圧着または加熱
圧着されている積層体を製造すればよい。

絶縁基材１５としては、有機材料、無機材料のいずれの
ものでもよく、例えば、ガラス、エポキシ系樹脂、フェ
ノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂
、アラミド樹脂等の材料を用いることができる。また、
鉄、アルミ等の導電性材料の表面にホーロウを被覆した
ものやアルミ表面にアルマイト処理を施して表面絶縁し
た材料であってもよい。このＡ、工程においては、一般
には、ガラス布等にエポキシ樹脂を含浸させ、半硬化状
態（Ｂステージ）にしたプリプレグを用い、これに導体
回路層１４が没入する状態（第５図に示すような状態）
で接着されていることが好ましい。

なお、このＡ５工程を行なうに先立ち、Ａ４工程で形成
された導体回路層１４の表面を粗面化しておくと、絶縁
基材１５との密着性が向上して好適である。

この場合の粗面化方法としては、前記導体回路層１４を
陰極としその表面に電解めっきを施すことが好ましい。

このときのめっき条件としては、電流密度が０゜２５−
０．８５Ａ　／ｃｎｌ、電極間距離が２６〜５０　ｍｍ
、電極に対する電解液の接液スピードが０．６〜１．５
　ｍ／ｓｅｃとなるようにそれぞれ設定し、また、電解
液としては、特に限定されないが、例えば、硫酸銅８０
〜１５０ｇ／ＩＶ、、硫酸４０〜８０ｇ／ｎ、および硝
酸カリウム２５〜５０　ｇ＃！よりなる混合溶液等を使
用すればよい。

このような条件下の粗面化処理により導体回路層１４の
表面には突起状析出物が形成され、この突起状析出物の
平均粒径は１〜５μｍとなり、絶縁基材１５との密着性
向」二に資する。

なお、上述した粗面化処理後の導体回路層１４の粗面化
面にクロメート処理を施すと、銅と絶縁基材１５中の樹
脂または接着剤との親和性が増大し、ビーリング強度は
もとよりのこと、導体回路層の耐熱性（例えば、半田耐
熱性）も１５％程度向上するという利点がある。このク
ロメート処理は、具体的には、０．７〜１２　ｇ／ｌ濃
度の重クロム酸カリウム溶液に常温で５〜４５秒間浸漬
するか、市販の電解クロメート処理液にてクロメート処
理を施せばよい。

このＡ５工程において、導体回路層１４は厚手の導電基
材１１と一体に絶縁基材１５に積層され、圧着または加
熱圧着されるので、導体回路層１４は導電基材１１に保
持されたまま絶縁基材１５側に転写されることになり、
その寸法安定性が確保される。また、導電基材１１が転
写時の転写治具を兼ねるので特別の治具が不要であり、
更に、導体回路層１４と導電基材１１との間に金属薄膜
１２が介在し、金属薄膜１２と導体回路層１４とが強い
密着力で結合しでいるので導体回路層１４が転写時にず
れて移動する（いわゆる、スイングを起こす）ことがな
くなり、寸法安定性が向上するので微細な導体回路層の
パターンを有する高密度回路にも適用可能である（例え
ば、パターン幅数μｍ−数十μｍが実現出来る）。

Ａ６工程においては、Ａ５工程で製造した積層体から導
電基材１１のみが剥離される。その結果、第６図に示し
たように、絶縁基材１５の両面には導体回路層１４が没
入し、外表面には金属薄膜１２が露出した板体が得られ
る。

ついで、第６図に示した板体にスルーホール用穴１６を
穿設しく第７図）、更に、無電解めっきを施して、スル
ーホール１６用穴の壁面に導電性を付与する。

Ａ７工程においては、第８図に示したように、金属薄膜
１２の表面のうち、表面実装部品を実装するときの半田
付は端子部になるべき個所およびスルーホールランドを
除いた個所に、レジスト層スクエアのパターンを形成す
る。

ついで、更に電解めっきを施してレジストマスク１７が
形成されていない個所に金属めっきＮ１８を形成する（
第９図）。このときの金属めっき層としては銅めっき層
でよく、また、電解めっき法としては通常のめっき法を
適用すればよい。

Ａ、工程においては、第１０図に示したように、Ａ７工
程で形成された金属めっき７１１Ｂの上に、電解めっき
法によって、半田層１９が形成される。

このとき、半田層１９の形成に用いる半田めっき浴とし
ては、ホウフッ酸系のめっき浴であることが好ましく、
例えば、ＨＢＦ４濃度２３０〜２５０ｇ／２、Ｓ　ｎ”
１１．５〜１３．５　ｇ／　ｔ！、　Ｐ　ｂ”８．０〜
１０．０ｇ／ρの組成浴をあげることができる。

また、このときの電流密度は０．５〜２Ａ／ｄｒｒｆが
好適である。

このＡ８工程において、形成された半田層１９は、その
表面は平滑でしかもその厚みはすべての個所で均一にな
る。そして、めっき時間を変化させることにより、半田
層１９の厚みを適宜に変化させることができる。

Ａ、工程においては、第１１図に示したように、レジス
トマスク１７が剥離除去される。このときの剥離は、Ａ
４工程の場合と同じように、カセイソーダやカセイカリ
のような溶解液を用いて行なわれる。かくして、半田付
は端子部およびスルーホールランドを形成すべき個所に
位置する金属薄膜１２の部分が露出する。

ついで、第１２図に示したように、前記の露出した金属
薄膜１２の部分を銅エッチャントを用いてエツチング除
去する。

銅エッチャントとしては、Ｃｕ　（ＮＨ３）　４ｃ　Ｎ
　ｚ溶液をあげることができる。

最後のＡ　１　ｏ工程においては、第１３図に示したよ
うに、半田層１９が形成されていない個所に永久レジス
トを印刷して永久レジスト層２０が形成される。

かくして、半田付は端子部には、同一面内においても、
また両面においても、均一な所定厚みを有する半田層１
９が形成されているプリント配線板が得られる。

つぎに第２の製造方法の各工程につき、スルーホールを
穿設した場合に関し、第２１図〜３３図に基づいて説明
する。

まず、Ｂ、工程においては、第２１図に示したように、
平板状導電基材１１の表面に、レジストマスク１３のパ
ターンが形成される。その形成個所は、導体回路を形成
すべき個所を除いた個所である。用いる導電基材１１は
第１の製造方法におけるＡ、工程で用いたものと同じで
あってよく、また、レジストマスクの形成方法等はＡ２
工程の場合と同様であればよい。

Ｂ２工程においては、レジストマスク１３が形成されて
いない導電基材１１表面に、めっき法によって、導体回
路層１４が形成される（第２２図）。

この場合の形成方法は、第１の製造方法におけるＡ、工
程を適用すればよい。

Ｂ、ｌ工程においては、Ａ４工程と同様にして、レジス
トマスク１３を剥離除去し、第２３図に示したように、
導電基材１１の表面に導体回路層１４のみを残置せしめ
る。

Ｂ４工程においては、第１７図に示したように、導体回
路層１４の表面と露出した導電基材１１の表面に、金属
薄膜１２を形成する。

この場合、金属薄膜１２の形成に際しては、ＡＩｌ工程
よびＡ３工程で説明したような高速めっき法を適用する
ことが好ましい。

Ｂ、工程においては、第１８図に示したように、Ｂ４工
程で得られた板体と絶縁基材１５とから両者を圧着また
は加熱圧着して積層体が製造される。

用いる絶縁基材１５や金属薄膜１２の表面への粗面化処
理等はＡ５工程の場合と同様であってよい。

Ｂ６工程においては、Ａ６工程の場合と同様にして、Ｂ
、工程で製造された積層体から、第１９図で示したよう
に、導電基材１１のみを剥離除去する。

かくして、得られた板体の両面には、導体回路層１４の
表面と金属薄膜１２の表面が露出する。

ついで、第２０図で示したように、所定の個所にスルー
ホール用穴１６が穿設され、その後、無電解めっきを施
して、スルーホール用穴１６の壁面に導電性を付与する
。

Ｂ７工程においては、第２１図に示したように、金属薄
膜１２および導体回路層１４の表面のうち、表面実装部
品を実装するときの半田付は端子部になるべき個所およ
びスルーホールランドを除いた個所に、レジストマスク
１７のパターンを形成する。これは、前述したＡ、工程
と同様に行なわれる。ついで、必要により、更に電解め
っきを施して、レジストマスク１７が形成されていない
個所に金属めっき層１８を形成する（第２２図）。

ＢＩｌ工程においては、Ａ８工程の場合と同様にして、
第２３図に示したように、金属めっき層１８の上に、必
要により、電解めっき法で半田層１９が形成される。

ついで、Ｂ９工程において、第２４図に示したように、
レジストマスク１７が剥離除去され、更に、第２５図に
示したように、前記剥離除去によって露出した金属薄膜
１２の部分と導体回路層１４の表面の一部がエツチング
除去される。この方法は、第１の製造方法のＡ、工程の
場合と同様に行なわれる。

そして最後に、Ｂ、。工程においては、第２６図に示し
たように、Ａ１ｏ工程の場合と同様にして、永久レジス
ト層２０が形成される。

（発明の実施例）第１の製造方法によって、以下の工程でプリント配線板
を製造した。

１）Ａ１工程導電基材としてハードニング処理を施した５ＵＳ６３０
の単板を用意し、その表面にオンレーションイ」ロータ
リ別布研磨装置を用いて研磨処理を施し、０１μｍの表
面粗度にした。ついで、硫酸濃度２００ｇ／／！、銅濃
度０．５　ｍｏｌ／　ｌの硫酸銅めっき浴を用い、極間
距離１１胴、電流密度０．８　Ａｌ１、接液スピード５
　ｍ／ｓｅｃで高速めっきを行ない、厚み３μｍの銅薄
膜を形成した。

２）Ａ２工程Ａ、工程で形成した８８膜の表面に、ドライフィルムを
レジスト剤として厚み５０μｍのレジストマスクのパタ
ーンを形成した。

３）Ａ３工程硫酸濃度２００ｇ／ｆｆｉ、銅濃度０．５　ｍｏｌ／　
ｌの硫酸銅めっき浴を用い、極間距離１１胴、電流密度
０．８Ａ／ｃｔｆｌ、接液スピード７　ｍ／ｓｅｃの条
件で高速めっきを行ない、前記レジストマスクパターン
以外の個所に厚み３５μｍの銅層を導体回路層として形
成した。ついで、硫酸銅１００ｇ／ｆｆｉ、硫酸５０ｇ
／ｊ２、硝酸カリウム３０ｇ／４２の混合液を用いたノ
ジュラめっきを行ない、前記導体回路層の表面に厚み３
μｍで銅を堆積せしめて粗面化した。

４）Ａ４工程Ａ３工程で得られた板体を、２％苛性ソーダ水溶液から
成る剥離液に浸漬して、前記レジストマスクを剥離除去
した。

５）Ａ５工程Ａ４工程で形成された導体回路層側の表面に、ガラス繊
維−エポキシ樹脂板（商品名：ＧＦＰＬ１７〇　三菱瓦
斯化学社製）の絶縁基材を当接し、全体を温度１７０°
Ｃ１圧４０ｋｇ／ｃ／で熱圧着した。

６）Ａ６工程Ａ、工程で得られた積層体から５ＵＳ６３０の単板のみ
を剥離した。ガラス繊維−エポキシ樹脂板の表面は、全
面が銅薄膜で被覆されていた。

７）Ａ７工程Ａ６工程で得られた板体に電気ドリルで孔径０．８肛の
スルーホール用穴を穿設し、更に、無電解めっきを施し
て、スルーホール用穴の壁面に導電性を付与したのち、
銅薄膜の表面に、ドライフィルムをレジスト剖として厚
み３８μｍのレジストマスクのパターンを形成した。

ついで、硫酸１９０　ｇ＃！、硫酸銅８５ｇ／ｊｌ！の
硫酸銅めっき浴、電流密度３．ＯＡ／ｄポの条件で電解
めっきを行ない、スルーホールの壁面に厚み１０μｍの
銅めっき層を形成した。

８）Ａ８の工程ＨＢＦ、　２４０　ｇ／ｊ２、Ｓｎ”　１２．５ｇ／ｊ
２．　　Ｐ　ｂ”９ｇ／ＩＶ、から成る半田めっき浴を
用い、電流密度１．５Ａ／ｄボで平均膜厚１４μｍ、最
低膜厚９μｍを目標にしてめっき処理を施し、Ａ７工程
で形成したレジストマスクのパターン以外の個所に半田
めっき層を形成した。

９）Ａ、工程ついで、約２％の苛性ソーダ液を用いてレジストマスク
を剥離除去し、更に、４３．３ｇ／ｌ、のＣｕ（ＮＨ３
）４ｃ１２液を用いて、銅薄膜をエツチング除去した。

１０）Ａ、。工程ついで、所定のフラックスを塗布し温度２２０°Ｃの雰
囲気下に約１０秒間放置したのち、半田めっき層以外の
個所にＳ−４Ｏ３（太陽インキ社製）を印刷して永久レ
ジスト層を形成した。

得られたプリント配線板の半田めっき層の厚みを測定し
たところ、最低膜厚は１０μｍ、最高膜厚は１５μｍで
あった。

ちなみに、第２７図乃至第３７図で説明した従来のＳＣ
Ｌ法で形成した半田層の場合、Ａ８工程と同様に平均膜
厚１４μｍ、最低膜厚９μｍを目標としたにもかかわら
ず、最低膜厚は２μｍ、最高膜厚は１００μｍであった
。

（発明の効果）以上の説明で明らかなように、本発明方法によれば、半
田付は接続部を形成すべき表面には、共通ずる状態で金
属薄膜が形成されているので、仮に上記半田付は接続部
が分散・孤立していても、前記金属薄膜を陰極とする電
解めっき法によりその個所に半田めっき層を形成するこ
とができる。

そして、この半田層は電解めっき法で形成されるため、
その膜厚のばらつきは小さく、しかもめつき条件を変え
ることにより任意の膜厚にすることができる。

したがって、表面実装部品の実装時に、従来のＳＣＬ法
の場合のような半田層の厚みのばらつきに基づくマンハ
ッタン現象やチップの破壊等の不都合は解消される。

また、永久レジスト層と半田めっき層との間に段差が生
じないように半田めっき層を形成できるので、摺動する
部分の接続用のプリント配線板を製造することもできる
。

更には、半田めっき層の高さを突出させ、ＴＡ４゜ＢやＦＰＣのような接続方法に使用される異方性電気伝
導樹脂を用いた実装用のプリント配線板にすることもで
きる。

このように、本発明方法は、表面実装部品との接続の信
転性が要求される表面実装基板、とくに両面実装基板、
高密度実装基板の製造に好適で、その工業価値は極めて
大である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第１３図は本発明の第１の製造方法における
各工程を例示する説明図、第１４図乃至第２６図は本発
明の第２の製造方法の各工程を例示する説明図、第２７
図〜第３７図は従来のＳＣＬ法における各工程を例示す
る説明図である。１１・・・導電基材、１２・・・金属薄膜、１３・・・
レジストマスク、１４・・・導体回路層、１５・・・絶
縁基材、１６・・・スルーホール用穴、１７・・・レジ
ストマスク、１８・・・金属めっき層、１９・・・半田
層、２０・・・永久レジスト層。（ＮＬｎへ− ヘい手続補正書（自発）平成元年

Claims

【特許請求の範囲】

（１）平板状導電基材の表面に金属薄膜を形成する工程
；前記金属薄膜の表面のうち導体回路を形成すべき個所
を除いた個所に、レジストマスクのパターンを形成する
工程；前記導体回路を形成すべき個所に、めっき法によ
り、導体回路層を形成する工程；前記レジストマスクの
パターンを剥離除去する工程；前記導体回路層側の表面
に絶縁基材を圧着または加熱圧着して積層体とする工程
；前記積層体から前記平板状導電基材のみを剥離除去す
る工程；露出した金属薄膜の表面のうち半田付け端子部
を形成すべき個所を除いた個所にレジストマスクのパタ
ーンを形成する工程；前記半田付け端子部を形成すべき
個所に、電解めっき法により、半田層を形成する工程；
半田付け端子部を形成すべき個所を除いた個所に形成さ
れている前記レジストマスクを剥離除去したのち、露出
した金属薄膜を更にエッチング除去する工程；ならびに
、前記半田層が形成されていない個所に永久レジスト層
を形成する工程；を具備することを特徴とするプリント
配線板の製造方法。
（２）平板上導電基材の表面に金属薄膜を形成する工程
；前記金属薄膜の表面のうち導体回路を形成すべき個所
を除いた個所に、レジストマスクのパターンを形成する
工程；前記導体回路を形成すべき個所に、めっき法によ
り、導体回路層を形成する工程；前記レジストマスクの
パターンを剥離除去する工程；前記導体回路層側の表面
に絶縁基材を圧着または加熱圧着して積層体とする工程
；前記積層体から前記平板上導電基材のみを剥離除去す
る工程；露出した金属薄膜の所定個所にスルーホールを
穿設する工程；前記スルーホールに、無電解めっきによ
り導電性を付与する工程；前記露出した金属薄膜の表面
のうち半田付け端子部を形成すべき個所およびスルーホ
ールランドを除いた個所にレジストマスクのパターンを
形成する工程；前記半田付け端子部を形成すべき個所お
よびスルーホールランドに、電解めっき法により、半田
層を形成する工程；半田付け端子部を形成すべき個所お
よびスルーホールランドを除いた個所に形成されている
前記レジストマスクを剥離除去したのち、露出した金属
薄膜を更にエッチング除去する工程；ならびに、前記半
田層が形成されていない個所に永久レジスト層を形成す
る工程；を具備する請求項１記載のプリント配線板の製
造方法。
（３）平板状導電基材の表面のうち導体回路を形成すべ
き個所を除いた個所に、レジストマスクのパターンを形
成する工程；前記導体回路を形成すべき個所に、めっき
法により、導体回路層を形成する工程；前記レジストマ
スクのパターンを剥離除去する工程；前記導体回路層の
表面と露出した平板状導電基材の表面に金属薄膜を形成
する工程；前記金属薄膜側の表面に絶縁基材を圧着また
は加熱圧着して積層体とする工程；前記積層体から前記
平板状導電基材のみを剥離除去する工程；露出した導体
回路層と金属薄膜とから成る表面のうち、半田付け端子
部を形成すべき個所以外の個所にレジストマスクのパタ
ーンを形成する工程；前記半田付け端子部を形成すべき
個所に、電解めっき法により、半田層を形成する工程；
半田付け端子部を形成すべき個所を除いた個所に形成さ
れている前記レジストマスクを剥離除去したのち、露出
した金属薄膜を更にエッチング除去する工程；ならびに
、前記半田層が形成されていない個所に永久レジスト層
を形成する工程；を具備することを特徴とするプリント
配線板の製造方法。
（４）平板状導電基材の表面のうち導体回路を形成すべ
き個所を除いた個所に、レジストマスクのパターンを形
成する工程；前記導体回路を形成すべき個所に、めっき
法により、導体回路層を形成する工程；前記レジストマ
スクのパターンを剥離除去する工程；前記導体回路層の
表面と露出した平板上導電基材の表面に金属薄膜を形成
する工程；前記金属薄膜側の表面に絶縁基材を圧着また
は加熱圧着して積層体とする工程；前記積層体から前記
平板状導電基材のみを剥離除去する工程；前記露出した
導体回路層と金属薄膜とから成る表面の所定個所にスル
ーホールを穿設する工程；前記スルーホールに、無電解
めっきにより導電性を付与する工程；前記露出した導体
回路層と金属薄膜とから成る表面のうち、半田付け端子
部を形成すべき個所およびスルーホールランド以外の個
所にレジストマスクのパターンを形成する工程；前記半
田付け端子部を形成すべき個所およびスルーホールラン
ドに、電解めっき法により、半田層を形成する工程；半
田付け端子部を形成すべき個所およびスルーホールラン
ドを除いた個所に形成されている前記レジストマスクを
剥離除去したのち、露出した金属薄膜を更にエッチング
除去する工程；ならびに、前記半田層が形成されていな
い個所に永久レジスト層を形成する工程；を具備する請
求項３記載のプリント配線板の製造方法。