KR100483310B1 - 건조처리방법및그장치 - Google Patents

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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판등의 피처리체에 건조가스를 접촉해서 건조하는 건조처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적인 건조처리 방법과 장치에 있어서는, 다단식의 증발접시를 가지는 증기 발생기로 건조가스를 생성하는 구조라서, 증기 발생기가 가지는 열용량이 한정되기 때문에, IPA 증발량이 한정되어 버려, 증발능력이 저하하는 문제가 있다. 즉,IPA 가스의 발생에서 정지까지의 시간이 과도하게 걸리는 문제가 있다.
본 발명에서는, 피처리체를 건조하는 건조방법에 있어서, 캐리어가스를 가열하는 공정과, 가열된 캐리어가스에 의해 건조가스용 액체를 안개 상태로 함과 동시에, 가열해서 건조가스를 생성하는 공정과, 건조가스의 유량을 제어해서 소정량을 피처리체를 수용하는 처리실 내로 건조가스를 공급하여 상기와 같은 문제점을 해결하는 건조처리 방법과 장치가 제시되어 있다.

Description

건조처리 방법 및 그 장치
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판 등의 피처리체에 건조가스를 접촉해서 건조하는 건조처리 방법 및 장치((Drying treatment method and apparatus using same)에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조장치의 제조공정에서는, 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판등의 피처리체(이하, 웨이퍼 등이라 한다)를 약액이나 린스액(세정액)등의 처리액이 저장된 처리조에 순차 침적해서 세정을 행하는 세정처리 방법이 광범위하게 채용되고 있다. 또한, 이와 같은 세정처리 장치에서는, 세정후, 웨이퍼 등의 표면에 예를 들어 IPA(이소프로필 알코올)등의 휘발성을 가지는 용제의 증기에서 나오는 건조가스를 접촉시켜, 건조가스의 증기를 응축 또는 흡착시켜서, 웨이퍼 등의 수분 제거 및 건조를 행하는 건조처리 장치가 제조되어 있다(특개평8-45893호 공보참조).
종래의 이러한 종류의 건조처리 장치는, 특개평8-45893호 공보에 도시한 바와 같이, 캐리어가스, 예를 들어 질소(N2) 가스의 공급부와, 건조가스, 예를 들어 IPA(이소프로필 알코올)을 받는 다단의 증발접시와 히터를 구비하는 증기 발생기와, 이 증기 발생기에서 생성된 증기 즉, 건조가스를 건조처리실에 공급하기 위해 개폐밸브을 개설하는 주공급로와, 주공급로를 가열하는 히터를 구비하고 있다.
상기와 같이 구성된 종래의 건조처리 장치에 의하면 N2 가스 공급원에서 공급된 N2 가스가 증기 발생기로 공급되고, 증기 발생기에서 증발된 IPA 가스와 혼합되어 주공급로를 매개로 해서 처리실 내로 공급되어, 처리실 내에 수용된 웨이퍼와 IPA 가스가 접촉해서 웨이퍼 등의 수분 제거 및 건조를 행할 수 있다.
종래의 이러한 종류의 건조처리 장치에 있어서는, 다단식의 증발접시를 가지는 증기 발생기로 건조가스를 생성하는 구조라서, 증기 발생기가 가지는 열용량이 한정되기 때문에, IPA 증발량이 한정되어 버려, 증발능력이 저하하는 문제가 있다. 따라서, 증기발생기에 IPA 가스를 공급한후 정지할 때까지의 시간, 즉, IPA 가스의 발생에서 정지까지의 시간이 과도하게 걸리는 문제가 있다.
또한, 증기 발생기가 다단식의 증발 접시를 가지기 때문에, 장치 전체가 대형으로 이루어지는 문제도 있었다.
또한, 건조장치에 처리실 내를 대기압이하로 하는 공정이 포함되는 경우, 처리실 내가 대기압이하의 상태에서 대기압 상태로 되돌릴 때에 처리실 내의 분위기를 갑작스럽게 변화시키지 않도록 할 필요가 있다. 그 이유는 처리실 내 분위기의 갑작스런 변화에 기인하는 파티클의 기류 상승 등을 방지하기 위함이다. 따라서, 극히 소량의 N2 가스를 처리실 내로 공급해야 하고, 이를 때문에 많은 시간이 걸리고, 처리능력을 저하를 초래하는 문제가 있지만, 그 구체적 해결 수단이 없는 것이 현 상태이다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 캐리어가스의 가열수단의 열전도 효율의 향상, 건조가스의 생성량의 증대 및 증기 생성시간의 단축을 도모하고, 더불어 건조처리 종료후, 처리실 내의 분위기의 흐트러짐을 방지하도록 한 건조처리 방법 및 그 장치를 공급하는 것을 목적으로 한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 제 1 발명은, 피처리체를 수용하는 처리 실내에 건조가스를 공급해서 상기 피처리체를 건조하는 건조방법에 있어서, 캐리어가스를 가열하는 공정과, 가열된 상기 캐리어가스에 의해 건조가스용 액체를 안개 상태로 함과 동시에, 가열해서 상기 건조가스를 생성하는 공정과, 상기 건조가스의 유량을 제어해서 상기 처리실 내로 공급하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
제 2 발명은, 피처리체를 수용하는 처리 실내에 건조가스를 공급해서 상기 피처리체를 건조하는 건조장치에 있어서, 캐리어가스를 가열하는 캐리어가스 가열수단과, 가열된 상기 가열수단에 의해 가열된 상기 캐리어가스에 의해 건조가스용 액체를 안개 상태로 함과 동시에, 가열해서 상기 건조가스를 생성하는 증기 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 3발명은, 제 2 발명에 있어서, 상기 건조용 가스의 소정량을 상기 처리실 내로 공급하는 유량 제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 4발명은, 제 2 발명에 있어서, 상기 캐리어가스 가열수단은, 캐리어가스 공급로에 연통하는 도입관과, 이 도입관 내로 삽입되고, 도입관의 내벽 면과의 사이에 나선형 유통로를 형성하는 유통로 형성관과, 적어도 상기 유통로 형성관 내측에 삽입된 가열수단을 구비하는 것을 특징으로 한다
제 5발명은, 제 2 발명에 있어서, 상기 캐리어가스 가열수단은, 캐리어가스 공급로에 연통하는 도입관과, 이 도입관내로 삽입되어, 도입관의 내벽 면과의 사이에 나선형 유통로를 형성하는 코일형 부재와, 적어도 상기 유통로 형성관 내측에 삽입된 가열수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 증기 발생수단은, 가열수단에 의해 가열된 상기 캐리어가스에 의해 건조가스용 액체를 안개 상태로 함과 동시에, 가열해서 건조가스를 생성하는 것이면, 이 구조는 임의적이고, 예를 들어 증기 발생수단을, 캐리어가스 공급로에 연통하는 도입관 내에 형성된 충격파 형성부와 상기 충격파 형성부의 근방에 건조가스용 액체를 공급하는 공급구와, 상기 충격파 형성부 및 공급구 근방, 또는 그 하류 측의 관 내측 또는 외측에 배설된 가열수단으로 주요부를 구성할 수 있다.
또한, 상기 유량 제어수단은, 공급로에 개설된 열림 조정밸브와, 처리실 내에 압력을 검출하는 검출수단에서의 신호와 소정의 기억된 정보를 비교 연산하는 제어부와, 이 제어부에서의 신호에 기초해서 열림 조정밸브의 작동압을 제어하는 제어밸브과, 수단을 구비하는 편이 바람직하다.
또한, 상기 건조가스 공급로에 건조가스 온도 검출수단을 배설하는 편이 바람직하다. 이 경우, 상기 온도 검출수단을 열전대로 형성하고, 이 열전대를, 공급로를 형성해서 관에 고정된 암너트와 이 암너트에 나사결합된 고정너트와의 사에 개재된 금속제 실(seal) 부재에 용접에 의해 고정하는 편이 바람직하다.
이하에서는, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 실시예의 구성과 작용에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하고자 한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정처리 시스템에 적용한 경우에 대해서 설명한다.
제 1 도는 본 발명에 관계하는 건조처리 장치를 적용한 세정처리 시스템의 하나의 실시예를 도시한 개략 평면도이고 제 2 도는 개략 측면도이다.
상기 세정처리 시스템은, 피처리체인 반도체 웨이퍼 (W) (이하 웨이퍼로 한다)를 수평상태로 수납하는 용기, 예를 들어 캐리어 (1)을 반입, 반출하기 위한 반송부 (2)와 웨이퍼 (W)를 약액, 세정액 등의 액처리를 함과 동시에 건조처리하는 처리부 (3), 반송부 (2), 처리부 (3)과의 사이에 위치해서 웨이퍼 (W)를 주고받고, 위치조정 및 자세 변환 등을 행하는 인터페이스부 (4)로 주로 구성되어 있다.
상기 반송부 (2)는 세정처리 시스템의 한 측단부에 병설해 설치된 반입부 (5)와 반출부(6)으로 구성되어 있다. 또한, 반입부 (5) 및 반출부 (6)의 캐리어 (1)의 반입부 (5a) 및 반출부 (6b)에는, 캐리어 (1)을 반입부 (5), 반출부 (6)에 출입이 자유로운 슬라이드식 적치 테이블 (7)이 설치되어 있다. 또한, 반입부 (5) 및 반출부 (6)에는 각각 캐리어 리프터 (8) (용기 반송수단)이 배설되고, 이 캐리어 리프터 (8)에 의해 반입부 사이 또는 반출부 사이에서의 캐리어 (1)의 반송을 행할 수 있음과 동시에, 빈 캐리어 (1)을 반송부 (2) 상방에 설치된 캐리어 대기부 (9)에로의 주고받음 및 캐리어 대기부에서의 수취를 행할 수 있도록 구성되어 있다(제 2도 참조).
상기 인터페이스부 (4)는, 구획벽 (4c)에 의해 반입부 (5)에 인접하는 제 1 실 (4a)와 반출부 (6)에 인접하는 제 2 실 (4b)로 구획되어 있다. 그리고, 제 1 실 (4a) 내에는 반입부 (5)의 캐리어 (1)에서 복수 매의 웨이퍼를 도출해 반송하는 수평 방향 (X, Y 방향), 수직방향 (Z 방향) 및 회전 (θ 방향) 가능한 웨이퍼 도출 아암 (10) (기판 도출 수단)과, 웨이퍼 (W)에 설치된 노치를 검출하는 노치 얼라이너 (11) (위치 검출수단)과, 웨이퍼 도출 아암 (10)에 의해 도출된 복수 매의 웨이퍼 (W)의 간격을 조정하는 간격 조정수단 (12)를 구비함과 동시에, 수평상태의 웨이퍼 (W)를 수직 상태로 변환하는 제 1의 자세 변환 장치 (13) (자세 변환수단) 이 배설되어 있다.
또한 제 2 실 (4b)내에는 처리 완료된 복수 매의 웨이퍼 (W)를 처리부 (3)에서 수직상태로 도출해 반송하는 웨이퍼 주고받음 아암 (14) (기판 반송 수단)과, 웨이퍼 주고받음 아암 (14)에서 도출한 웨이퍼 (W)를 수직 상태에서 수평상태로 변환하는 제 2 자세 변환 수단 (13A) (자세 변환수단)과, 이 제 2 자세 변환장치 (13A)에 의해 수평상태로 변환된 복수 매의 웨이퍼 (W)를 도출해 반출부 (6)에 반송된 빈 캐리어 (1)내에 수납하는 수평방향 (X, Y 방향), 수직방향 (Z 방향) 및 회전 (θ 방향) 가능한 웨이퍼 수납 아암 (15) (기판 수납 수단)이 배설되어 있다. 또, 제 2 실 (4b)는 외부로부터 밀폐되어 지고, 도시 안한 불활성 가스 예를 들어 질소 (N2) 가스의 공급원으로부터 공급된 N2 가스에 의해 실내가 치환되도록 구성되어 있다.
한편, 상기 처리부 (3)에는, 웨이퍼 (W)에 부착하는 파티클이나 유기물 오염을 제거하는 제 1 처리 유니트 (16)과, 웨이퍼 (W)에 부착하는 금속 오염을 제거하는 제 2 처리 유니트 (17)과, 웨이퍼 (W)에 부착하는 산화 막을 제거함과 동시에 건조처리하는 세정, 건조처리 유니트인 본 발명에 관계하는 건조처리 장치 (18) 및 척 세정 유니트 (19)가 직선형으로 배설되어 지고, 이들 각 유니트 (16) ∼ (19)와 대향하는 위치에 설치된 반송로 (20)에, X, Y 방향 (수평방향), Z 방향 (수직방향), 및 회전 (θ 방향) 가능한 웨이퍼 수납 반송아암 (21) (반송수단)이 배설되어 있다.
상기 건조처리 장치 (18)은 제 3 도에 도시한 바와 같이, 캐리어가스, 예를 들어 질소 (N2) 가스의 공급원 (30)에 공급로 (31a)를 매개로 해서 접속하는 N2 가스가열수단으로서 N2 가스 가열기 (32) (이하 단순히 가열기라 한다)와, 이 가열기 (32)에 공급로 (31b)를 매개로 해서 접속하는 한편, 건조가스용 액체, 예를 들어, IPA 공급원 (33)에 공급로 (31d)를 매개로해서 접속하는 증기 발생수단으로서의 증기 발생기 (34)와, 이 증기 발생기(34)와 건조처리실(35) (이하 단순히 처리실이라 한다)를 접속하는 공급로 (31d)에 배설된 유량 제어수단 (36)을 구비하여 이루어진다.
이 경우, N2 가스 공급원 (30)과 가열기 (32)를 접속하는 공급로 (31a)에는 개폐밸브 (37a)가 개설되어 있다. 또한, IPA 공급원 (33)과 가열기 (32)를 접속하는 공급로 (31c)에는 개폐밸브 (37b)가 개설되고, 이 개폐밸브 (37b)의 IPA 공급원 측에는 분기로 (38) 및 개폐밸브 (37c)를 매개로 해서 IPA 회수부 (39)가 접속되어 있다. 또한, 제 3 도에 2점쇄선으로 도시한 바와 같이, 증기 발생기 (34)에는, 필요에 따라 IPA 드레인관 (40)이 접속되고, 이 드레인관 (40)에 드레인 밸브(41)이 개설됨과 동시에, 첵밸브 (42)를 개설하는 분기로 (40a)가 접속되어 있다. 이와 같이 드레인관 (40), 드레인 밸브 (41)등을 접속함에 따라, 증기 발생기 (34)내를 세정할 때의 세정액 등의 배출에 편리하다.
상기 가열기 (32)는 제 4a 도에 도시한 바와 같이, N2가스의 공급로 (31a)에 연통하는 도입관 (43)과, 이 도입관 (43)내에 삽입되고, 도입관 (43)의 내벽 면과의 사이에 나선형 유통로(44)를 형성하는 유통로 형성관 (45)와, 이 유통로 형성관(45) 내측에 삽입된 가열수단, 예를 들어, 카트리지 히터(46)으로 주요부가 구성되어 있다.
이 경우에, 도입관 (43)은 일단의 공급로 (31a)와 접속하는 유입구 (43a)를 가지고, 타단부의 측면에, 공급로 (31b)에 접속하는 유출구 (43b)가 설치되어 있다. 또한, 유통로 형성관 (45)는 제 4b 도에 도시한 바와 같이, 이 외측 둘레면에 예를 들어 사다리꼴형 나사와 같은 나선형의 요철 (47)이 형성되어, 나선형의 요철 (47)과 도입관 (43)의 내벽면 (43c)에서 나선형 유통로 (44)가 형성되어 있다. 또, 나선형 유통로 (44)는 반드시 이와 같은 구조일 필요는 없고, 예를 들어, 도입관 (43)내벽 면에 나선형 요철을 형성하고, 유통로 형성관 (45)의 외측 둘레면을 평탄면으로 해도 좋고 또는 도입관 (143)의 내벽 면 및 유통로 형성관 (145)의 외측 둘레면 쌍방에 나선형 요철을 형성해서 나선형 유통로 (45)를 형성하도록 해도 좋다. 또, 가열수단으로서, 상기 카트리지 히터 (46)에 더해 도입관 (43)의 외부를 가열하는 히터를 설치해도 좋다.
상기 설명에서는, 도입관 (43)과, 이 도입관 (43)내에 삽입된 유통로 형성관 (45)에서 나선형 유통로 (44)를 형성하는 경우에 대해서 설명하지만, 제 5 도에 도시한 바와 같이 도입관 (43)과, 이 도입관 (43)내에 삽입된 코일형 부재, 예를 들어 코일 스프링 (45A)로 나선형 유통로 (44)를 형성하도록 해도 좋다. 즉, 도입관 (43)내에 코일 스프링 (45A)를 삽입함과 동시에, 코일 스프링 (45A) 내에 카트리지 히터 (46)을 삽입해서 도입관 (45A)와 카트리지 히터 (43)과의 사이에 개재된 코일 스프링 (45A)에 의해 나선형 유통로 (44)를 형성할 수 있다.
상기와 같이, N2 가스의 공급원 (30)측의 공급로 (31a)에 접속하는 도입관 (43)과, 이 도입관 (43)내에 삽입된 유통로 형성관(45) 또는 코일 스프링 (45A)와의 사이에 나선형 유통로(44)를 형성하고, 유통로 형성관 (45) 내에 카트리지 히터 (46)을 삽입하는 것에 의해, N2 가스 유통로와 카트리지 히터 (46)과 접촉하는 유통로 길이를 길게 함과 동시에, 나선형의 흐름을 형성해서, 그것이 없는 경우에 비해 유속을 앞당길 수 있고, 그 결과 레이놀즈수(Re수) 및 누셀트수(Nu수)를 증대해서, 경계층을 난류 영역으로 하고, 가열기 (32)의 열전도 효율의 향상을 도모할 수 있다. 따라서, 한 개의 카트리지 히터 (46)으로 효율 좋게 N2 가스를 소정온도, 예를 들어 200℃로 가열할 수 있기 때문에, 가열기 (32)를 소형화할 수 있다. 또, 가열온도를 더 높일 필요가 없을 경우는, 도입관 (43)의 외측에 외측 통히터를 배설하면 좋다.
상기 증기 발생기 (34)는, 제 6 도에 도시한 바와 같이, 캐리어가스의 공급로 (31b)에 접속하는, 예를 들어 스테인레스 강재 파이프형 본체 (50)으로 형성되있고, 이 파이프형 본체 (50)의 내측 둘레면에 캐리어가스 흐름방향을 따라 점차 협소해지는 협소 테이퍼(51a)와, 이 협소 테이퍼 (51a)의 협소부 (51b)에서 흐름방향을 따라 서서히 확장하는 확장 테이퍼면 (51c)로 되는 충격파 형성부 (51)이 형성되어 있다. 이 충격파 형성부 (51)은, 충격파 형성부(51)의 유입측 압력 (1차 압력)과 유출측 압력(2차 압력)과의 압력차에 의해 충격파가 형성된다.
예를 들어, 1차 압력(㎏f/㎠G)와 N2 가스의 통과 유량(N1/min)을 적절한 선택에 의해 충격파를 형성할 수 있다. 예를 들어 제 7 도에 도시한 바와 같이, 협소부 (51b)의 내경을 1.4(㎜), 1.7(㎜), 2.0(㎜)로 한 경우, 2차 압력과의 관계에서 1차 압력이 예를 들어 2 (㎏f/㎠G)인 것이 요청되어 지면, N2 가스 통과유량이 40(N1/min), 60(N1/min), 80(N1/min)일 때 충격파가 발생한다. 이 경우, 충격파 형성부 (51)의 1차측과 2차측을 접속하는 분기로 (52)에 압력 조정밸브(53)을 개설 해서, 이 압력 조정밸브(53)의 조절에 의해 충격파의 발생조건을 적절히 설정할 수 있다.
또, 1차측에서 N2 가스의 압력 또는 유량을 소정의 높은 압력범위로 조정하는 것이 가능하면, 압력 조정밸브 (53)을 사용하지 않더라도 충격파 형성이 가능하다. 즉, 제 12 도에 도시한 바와 같이, N2 가스 공급원 (30)에 N2 가스 압력 또는 유량을 조절하는 N2가스 압력 조정 수단 (30a)가 접속되어 있고, 또한, 분기로 (52) 및 압력 조정밸브 (53)은 제거되어 있다. 이 경우, 소정의 높은 압력범위의 N2 가스를 공급할 수 있도록 N2 가스의 공급원 (30)은 통상보다도 높은 압력의 N2 가스를 공급할 필요가 있다. N2 가스압력 조정수단 (30a)에 의해 N2가스 공급원 (30)으로부터 공급된 N2 가스의 압력 정도를 조정하는 것에 의해, 충격파 형성부 (51)의 유입측 압력 (1차 압력)과 유출측 압력 (2차 압력)과의 압력차를 조절해 충격파의 발생조건을 적절히 설정할 수 있다.
이와 같이 형성된 충격파 형성부 (51)의 확장 테이퍼면 (51c)의 도중에는 IPA 공급구 (54)가 개설되어 있다. 이 공급부 (54)에 IPA 공급관 즉, 공급로 (31c)를 매개로 해서 IPA 공급원 (33)이 접속되어 있다. 또한, 확장 테이퍼면 (51c)의 유출측 파이프형 본체 (50)내로 내측 통히터 (55)가 삽입되고, 그 외측에는 외측통히터 (56)이 배설되어 있다. 또 이 경우, 충격파 형성부 (51) 및 IPA공급구 (54)부근에 히터를 설치해도 좋다.
또, 제 12 도에 도시한 바와 같이 유량 조절수단 공급로 (31c)에 펌프 등의 유량 조절수단(37d)를 설치해도 좋다. 이 경우, 유량 조절수단 (37d)에 의해 IPA 공급원 (33)으로부터 충격파 형성부 (51)로 공급된 IPA 유량을 필요에 의해 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 제 13a 도, 제 13b 도에 도시한 바와 같이, 내측 통히터 (55) 및 외측 통히터(56)에 대신해, 가열기 (32)의 구성과 유사 구성을 가지는 가열 히터 (140)을 사용하는 것도 가능하다.
가열히터 (140)은, 제 13a 도에 도시한 바와 같이, 충격파 형성부 (51)에 연통하는 도입관 (143)과, 이 도입관 (143)내에 삽입되고 도입관 (143)의 내벽 면과의 사이에 나선형 유통로(144)를 형성하는 유통로 형성관 (145)와, 이 유통로 형성관(145) 내측에 삽입된 가열수단, 예를 들어, 카트리지 히터(46)으로 주요부가 구성되어 있다.
이 경우에, 도입관 (143)은 일단의 충격파 형성부(51)과 접속하는 유입구 (143a)를 가지고, 타단부의 측면에, 공급로 (31b)에 접속하는 유출구 (143b)가 설치되어 있다. 또한, 유통로 형성관 (145)는 제 13b 도에 도시한 바와 같이, 이 외측 둘레면에, 예를 들어, 사다리꼴형 나사와 같은 나선형의 요철 (147)이 형성되어, 나선형의 요철 (147)와 도입관 (143)의 내벽면 (143c)에서 나선형유통로 (144)가 형성되어 있다. 또, 나선형 유통로 (144)는 반드시 이와 같은 구조일 필요는 없고, 예를 들어, 도입관 (143)내벽 면에 나선형 요철을 형성하고, 유통로 형성관 (145)의 외측 둘레면을 평탄면으로 해도 좋고 또는 도입관 (143)의 내벽 면 및 유통로 형성관 (145)의 외측 둘레면 쌍방에 나선형 요철을 형성해서 나선형 유통로를 형성하도록 해도 좋다. 또, 가열수단으로서, 상기 카트리지 히터 (146)에 더해 도입관 (143)의 외부를 가열하는 히터를 설치해도 좋다.
상기 설명에서는, 도입관 (143)과, 이 도입관 (143)내에 삽입된 유통로 형성관 (145)에서 나선형 유통로 (144)를 형성하는 경우에 대해서 설명하지만, 가열기 (32)에 대해서 제 5 도에 도시한 바와 같이, 도입관 (143)과, 이 도입관 (143)내에 삽입된 코일형 부재, 예를 들어 코일 스프링 (45A)에서 나선형 유통로 (144)를 형성하도록 해도 좋다. 즉, 도입관 (143)내에 코일 스프링 (45A)를 삽입함과 동시에, 코일 스프링 (45A) 내에 카트리지 히터 (146)을 삽입해서 도입관 (45A)와 카트리지 히터 (143)과의 사이에 개재된 코일 스프링 (45A)에 의해 나선형 유통로 (144)를 형성할 수 있다.
상기와 같이, 충격파 형성부 (51)에 접속하는 도입관 (143)과, 이 도입관 (143)내에 삽입된 유통로 형성관(145) 또는 코일 스프링 (45A)와의 사이에 나선형 유통로(144)를 형성하고, 유통로 형성관 (145) 내에 카트리지 히터 (146)을 삽입하는 것에 의해, IPA 가스 유통로와 카트리지 히터 (146)과 접촉하는 유통로 길이를 길게 함과 동시에, 나선형의 흐름을 형성해서, 그것이 없는 경우에 비해 유속을 앞당길 수 있고, 그 결과 레이놀즈수(Re수) 및 누셀트수(Nu수)를 증대해서, 경계층을 난류 영역으로 하고, 가열히터 (140)의 열전도 효율의 향상을 도모할 수 있다. 따라서, 한 개의 카트리지 히터 (146)으로 효율 좋게 IPA 가스를 소정온도, 예를 들어 200℃로 가열할 수 있기 때문에, 가열히터 (140)을 소형화할 수 있다. 또, 가열온도를 더 높일 필요가 없을 경우는, 도입관 (143)의 외측에 외측 통히터를 배설하면 좋다.
상기와 같이 구성함에 의해 IPA 공급원 (33)으로부터 공급된 IPA를 충격파 형성부 (51)의 공급구 (54)로부터 공급하면, 충격파 형성부 (51)에서 형성된 충격파에 의해 IPA가 안개 상태로 된후, 히터 (55), (56) 가열에 의해 IPA 증기가 생성된다. 이때, IPA 농도는, 예를 들어, N2 가스 유량 100 (N1/min)의 경우, IPA 공급량이 1 (㏄/sec), 2 (㏄/sec), 3 (㏄/sec)를에서는 각각 IPA 농도는 약 20 (%), 약 30 (%), 약 40 (%)로 된다.
또한, 상기 설명에서는, 공급구 (54)를 충격파 형성부 (51)의 2차측 즉, 충격파 발생 후측에 설치된 경우에 대해서 설명했지만, 반드시 이와 같은 구성을 할 필요는 없고, 공급구 (54)를 충격파 형성부 (51)의 1차측 즉, 충격파 발생 전의 위치에 설치해서, N2 가스와 IPA를 혼합한 후에 충격파에 의해 안개 상태로 해도 좋다.
상기 유량 제어수단 (36)은, 제 3 도 및 제 8 도에 도시한 바와 같이, 공급로 (31d)에 개설된 열림 조정밸브, 예를 들어 다이아프램 밸브 (60)과, 상기 처리실 (35)내에 압력을 검출하는 검출수단인 압력 센서 (61)에서의 신호와 소정의 기억된 정보를 비교 연산하는 제어부, 예를 들어 CPU (62) (중앙연산 처리장치)와, CPU (62)에서의 신호에 기초해서 다이아프램 밸브 (60)의 작동압을 제어하는 제어밸브 예를 들어, 마이크로밸브 (63)을 구비하고 있다.
이 경우, 마이크로밸브 (63)은, 예를 들어 제 9 도에 도시한 바와 같이, 상기 다이아프램 밸브(60)의 작동유체, 예를 들어 공기 유입로 (64)에 배출로 (65)를 연통해, 이 배출로 (65)와 대향하는 면에 가요성 부재 (66)을 매개로 해서 제어 액체, 예를 들어 열신축성 오일 (67)을 수용하는 방 (68)을 형성함과 동시에, 방 (68)에서의 가요성 부재(66)과 대향하는 면에 배설된 복수의 저항 히터 (69)를 배설해 이루어진다. 또 이 경우, 가요성 부재 (66)은, 상부재 (63a)와 하부재(63c)와의 사이에 개재하는 중부재 (63b)를 가짐과 동시에 하부재 (63c)과 접합하는 사다리꼴 받침 (63d)를 가지고 있고, 가요성 부재 (66)의 변형에 의해 중부재 (63b)가 배출로 (65)를 개폐할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 이 마이크로 밸브 (63)은 전체가 실리콘으로 형성되어 있다.
이와 같은 구성에 의해, 상기 CPU (62)으로부터의 신호를 디지털/아날로그 변환시켜서 저항 히터 (69)에 전달되면, 저항 히터 (69)가 가열됨과 동시에 제어 액체, 즉 오일 (67)이 팽창수축하고, 이것에 의해 가요성 부재 (66)이 유입측에 출몰이동해서 배출로 (65)의 상부가 열림 상태로 되고, 제어 유체, 즉, 가스압력을 조절 할 수 있다. 따라서, 마이크로 밸브 (63)에 의해 지연 제어된 유체, 즉, 공기에 의해 다이아프램 밸브(60)을 작동해서 소정의 기억된 정보와 처리실 (35)내의 압력을 비교해서, 다이아프램 밸브(60)의 작동을 제어해서 N2 가스를 처리실 (35)내로 공급할 수 있고, 처리실 (35) 내의 압력회복의 시간제어를 행할 수 있다.
한편, 상기 처리실 (35)는 제 10 도에 도시한 바와 같이, 예를 들어 불화수소산 등의 약액이나 순수 등의 세정액을 저장 (수용)해서, 저장한 세정액에 웨이퍼 (W)를 침적한 세정조 (70)의 상부에 형성되어 있고, 그 상방에 설치된 웨이퍼 (W)의 반입, 반출용 개구부 (70a)에 덮개 (71)이 개폐 가능하게 장착되어 있다. 또한, 처리실 (35)와 세정조 (70)과의 사이에는, 복수, 예를 들어, 50매의 웨이퍼 (W)를 보지해서 이 웨이퍼 (W)를 세정조 (70) 내 및 처리실 (35) 내에 이동하는 보지수단 예를 들어 웨이퍼보트 (72)가 설치되어 있다. 또한, 처리실 (35) 내에는 처리실 (35) 내에 공급된 IPA 가스를 냉각하는 냉각관 (73)을 배설해도 좋다.
또한, 세정조 (70)은, 바닥 부에 배출구 (74)를 가지는 내조 (75)와, 이 내조 (75)으로부터 오버 플로우한 세정액을 받아내는 외조 (76)으로 구성되어 있다. 또, 이 경우, 내조 (75)의 하부에 배설된 약액 또는 순수에 웨이퍼 (W)가 침적되어 세정되도록 이루어져 있다.
또한, 외조 (76)의 바닥 부에 설치되진 배출구 (76a)에 배출관 (76b)가 접속되어 있다. 이와 같이 구성함에 의해, 세정처리된 웨이퍼 (W)는 웨이퍼보트 (72)에 의해 처리실 (35)로 이동되고, 처리실 (35) 내에 공급된 IPA 가스와 접촉해, IPA 가스의 증기를 응축 또는 흡착시켜서, 웨이퍼 (W)의 수분의 제거 및 건조가 행해진다.
또한, 공급로 (31d)에는 다이아프램 밸브(60)의 하류측 (2차측)에 필터 (80)이 개설되어 있고, 파티클이 적은 건조가스를 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 공급로 (31d)의 외측에는 보온용 히터 (81)이 배설되어 IPA 가스의 온도를 일정하게 유지할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 공급로 (31d)의 처리실 (35)측에는 IPA 가스의 온도센서 (90) (온도검출수단)이 배설되고, 공급로 (31d) 속을 흐르는 IPA 가스의 온도가 측정되도록 되어 있다. 이 온도센서 (90)은 열전대 (95)로 형성되어 있고, 더불어 열전대 (95)는, 제 11 도에 도시한 바와 같이, 공급로 (31d)를 구성하는, 예를 들어, 스테인레스 강재의 관 (31A)에 고정됨과 동시에, 관 (31A)에 설치된 삽입공 (31e)에 연통하는 관통공 (91)을 가지는, 예를 들어, 스테인레스 강재의 암너트(92)와 이 암너트에 나사결합된, 예를 들어 스테인레스 강재의 고정너트(93)와의 사이에 개재된 금속제 실(seal) 부재, 예를 들어 메탈 가스킷 (94)에 용접에 의해 고정되어 있다.
이 경우, 암너트(92) 및 고정너트 (93)에는 각각 열전대 (95)를 관통해 삽입하는 프랜지부착의 스리브 (96), (97)이 끼워져 있고, 고정너트 (93)의 스리브 (97)에는 열전대 (95)를 고정 보지하는 보지 파이프 (98)이 고정되어 있다. 이와 같이 구성된 온도센서 (90)을 공급로 (31d)에 부착되는, 메탈가스킷 (94)를 열전대 (95)에 용접 (예를 들어 팅 용접)에 의해 고정하고, 열전대 (95)의 선단측을 암너트 (92) 내의 관통공 (91) 및 삽입공 (31e)내를 끼워서 공급로 (31d)내에 배설하고, 다음으로, 암너트 (92)에 고정너트 (97)을 나사결합에 의한 것에 의해, 암너트 (92)의 스리브 (96)과 고정너트 (93)의 스리브 (93)의 프랜지 (96a), (97a) 사이에 메탈가스킷 (94)를 협지고정한 상태로 부착할 수 있다. 따라서, 부착부의 사공간을 적게 할 수 있기 때문에, 또한, 열전대 (95)에 의해 정확하게 공급로 (31d) 중을 흐르는 IPA 가스의 온도를 측정할 수 있고, 또한 외부 리크를 방지할 수 있음과 동시에, 온도사이클에 대해서 온도센서 (90)의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다. 또, 여기에서, 온도센서 (90)에 대해서 설명했지만, 이와 같은 구조는 그 외의 샘플링, 예를 들어, 농도를 검출할 때에도 사용할 수 잇다.
다음으로, 본 발명에 관계하는 건조처리 장치의 동작 상태에 대해서 설명한다.
먼저, 상기와 같이 세정조 (70)에 반입된 웨이퍼 (W)를 세정처리 한후, 웨이퍼보트 (72)를 상승시켜서 웨이퍼 (W)를 처리실 (35) 내로 이동한다. 이때, 처리실 (35)는 덮개 (71)로 폐쇄된다. 이 상태에서, 상기 가열기 (32)에 의해 가열된 N2 가스에 의해 증기 발생기 (34)에서 생성된 건조가스, 즉 IPA 가스를 처리실 (35)로 공급하는 것에 의해, IPA 가스와 웨이퍼가 접촉하고, IPA 가스의 증기가 응축 또는 흡착되어, 웨이퍼 (W)의 수분 제거 및 건조를 행해진다.
건조처리가 종료 또는 종료직전이 되면, IPA 공급이 정지한다. 건조 중에는 배출관 (76b)에서 배기 또는 필요에 의해 감압을 행할 경우가 있고, 처리실 (35) 내가 대기압보다 낮게 되는 경우가 있다. 그 때문에, 처리실 (35)내의 압력을 검출하는 압력 센서 (61)에서의 신호와 소정의 기억된 정보를 CPU (62)로 비교 연산해서 그 출력 신호를 마이크로밸브 (63)으로 보내고, 마이크로 밸브 (63)으로지연 제어된 제어유체, 예를 들어, 공기에 의해 다이아프램 밸브(60)을 작동해서 처리실 의 (35)내의 압력에 따라 소량의 N2 가스가 처리실 (35)내로 공급되고, 처리실 (35) 내의 분위기가 서서히 대기압아래 상태에서 대기압 상태로 치환된다. 따라서,건조처리후, 처리실 (35) 내의 분위기가 대기압아래 상태에서 단숨에 대기압 상태로 되는 것이 아니고, 기류상승에 의한 웨이퍼 (W)에로의 파티클 부착등을 방지할 수 있다.
이와 같이 해서, 처리실 (35)내의 압력을 대기압으로 치환 한후, 덮개(71)을 개방해서, 처리실 (35) 상방으로 이동시킨 반송아암 (도시안함)과 상승하는 웨이퍼보트 (72)와의 사이에서 웨이퍼 (W)의 주고받음을 행한다. 웨이퍼 (W)를 수취한 반송은 처리실 (35) 상방에서 후퇴하여 상기 인터페이스부 (4)로 웨이퍼 (W)를 반송한다.
또, 상기 실시 형태에서는, 본 발명에 관계하는 건조처리 장치를 반도체 웨이퍼의 세정처리 시스템에 적용한 경우에 대해서 설명했지만, 세정처리이외의 처리 시스템에도 적용할 수 있고, 또한, 반도체 웨이퍼이외의 LCD용 유리기판 등에도 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 건조방법에 대해서, 물과 IPA의 치환에 의한 방법에 대해서 설명했지만, 그 외에 마랑고니 힘을 이용한 건조장치 등 건조가스를 처리실 내로 공급하는 것에 의해 피처리체를 건조하는 방법이나 장치에 적용할 수 있다.
이상의 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 캐리어가스 공급원에서 공급된 캐리어가스를 가열해서 증기 발생수단에 공급하고, 증기 발생수단에서, 캐리어가스에 의해 증기 발생수단에 공급된 건조가스용 액체를 안개 상태로 하고, 더불어 가열수단에 의해 가열함에 따라 건조가스를 생성할 수 있다. 그리고 생성된 건조가스를 처리실 내로 공급하는 것으로, 처리실 내에 수용된 피처리체에 건조가스를 접촉시켜서 피처리체를 건조할 수 있다.
또한, 유량 제어수단에 의해 건조가스의 소정량(소량)을 제어하면서 처리실 내로 공급하는 것으로, 건조공정에 처리실 내를 대기압이하로 하는 공정이 있을지라도 건조처리 종료직전의 처리실 내의 감압 분위기에서 대기압분위기로 변환할 때의 급격한 변화를 억제할 수 있고, 파티클 등의 비산에 의한 피처리체에로의 부착을 방지할 수 있다.
또한, 캐리어가스 가열수단에, 캐리어가스 공급로에 연통하는 도입관과, 이 도입관 내로 삽입되어, 도입관의 내벽면과의 사이에 나선형 유통로를 형성하는 유통로 형성관과, 유통로 형성관 내측에 삽입된 가열수단을 구비시키거나 또는 유통로 형성관에 대신해 코일형 부재를 사용해서 나선형 유통로를 형성하는 것으로 캐리어가스와 가열수단과의 접촉면적과 접촉 체류시간을 증대시킬 수 있고, 캐리어가스 가열수단의 열전도율 향상을 도모할 수 있음과 동시에, 소정 온도의 캐리어가스를 증기 발생수단으로 공급할 수있다. 따라서 캐리어가스 가열수단을 소형으로 할 수 있음과 동시에, 건조가스의 생성 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 증기 발생수단을, 캐리어가스 공급로에 연통하는 관 내에 형성된 충격파 형성부와, 이 충격파 형성부의 근방에 건조가스용 액체를 공급하는 공급구와, 상기 충격파 형성부 및 공급구 근방, 또는 그 하류측의 관 내측 또는 외측에 배설된 가열수단으로 주요부를 구성하는 것에 의해, 건조가스용 액체를 효율 좋고 신속하게 건조가스로 형성할 수 있다. 따라서, 건조처리의 효율향상을 도모할 수 있음과 동시에, 증기 발생수단을 소형으로 할 수 있다.
또한, 상기 유량 제어수단에, 공급로에 개설된 열림 조정밸브과, 처리실 내에 압력을 검출하는 검출수단에서의 신호와 소정의 기억된 정보를 비교 연산하는 제어부와, 이 제어부에서의 신호에 기초해서 열림 조정밸브의 작동압을 제어하는 제어밸브을 구비하는 것으로 처리실 내의 압력 변화에 따라서 열림 조정밸브을 제어할 수 있고, 건조공정에 처리실 내를 대기압이하로 하는 공정이 있을 지라도, 건조 종료후, 처리실 내의 감압 분위기에서 대기압 분위기로의 변환을 매끄럽게 행할 수 있다. 따라서, 처리실 내의 감압 분위기에서 대기압 분위기로의 변환시, 파티클의 비산을 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체로의 파티클 부착을 방지할 수 있다.
또한, 상기 건조가스 공급로에, 건조가스 온도 검출수단을 배설하는 것에 의해, 건조가스 온도를 최적상태로 유지할 수 있다. 이 경우, 상기 온도 검출수단을 열전대로 형성하고, 이 열전대를, 공급로를 형성해서 관에 고정된 암너트와 이 암너트에 나사결합된 고정너트와의 사이에 개재된 금속제 실(seal)부재에 용접에 의해 고정하는 것에 의해, 정확하게 건조가스 온도를 측정할 수 있음과 동시에, 외부 리크를 방지하고, 온도사이클에 대해 온도 검출수단의 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다.
제 1 도는 본 발명에 관계하는 건조처리 장치를 적용한 세정처리 시스템의 개략 평면도이다.
제 2 도는 상기 세정처리 시스템의 개략 측면도이다.
제 3 도는 본 발명에 관계하는 건조처리 장치의 개략 구성도이다.
제 4a 도는 본 발명에서의 캐리어가스 가열기의 단면도이고, 제 4b 도는 그 주요부의 일부 단면도이다.
제 5 도는 본 발명에서의 캐리어가스 가열기의 별도 실시형태의 일부를 확대해서 도시한 단면도이다.
제 6 도는 본 발명에서의 증기 발생기의 실시예를 도시한 단면도이다.
제 7 도는 본 발명에서의 1 차 압력과 건조용 가스유량과의 관계를 도시한 그래프이다.
제 8 도는 증기 발생기에서의 유량 제어수단의 개략 구성도이다.
제 9 도는 상기 유량 제어수단의 제어밸브의 실시예를 도시한 단면도이다.
제 10 도는 본 발명에서의 처리실을 도시한 개략 단면도이다.
제 11 도는 본 발명에서의 온도 검출수단의 설치상태를 도시한 단면도이다.
제 12 도는 본 발명에 관계하는 건조처리 장치의 다른 실시예를 도시한 개략 구성도이다.
제 13a 도는 본 발명에서의 증기 발생기와 히터의 다른 실시예를 도시한 단면도이고, 제 13b 도는 그 주요부의 일부 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
30 : N2 가스 공급원 31a ∼ 31d : 공급로
32 : 가열기 34 : 증기 발생기
35 : 처리실 36 : 유량 제어수단
43 : 도입관 44 : 나선형 유통로
45 : 유통로 형성관 46 : 카트리지 히터
51 : 충격파 형성부 54 : IPA 공급구
55 : 내측 통히터 56 : 외측 통히터
60 : 다이아프램 밸브 62 : CPU
63 : 제어밸브 64: 공기 유입로
65 : 배출로 66 : 가요성부재
70 : 세정조 71 : 덮개
72 : 웨이퍼보트 73 : 냉각관
74 : 배출구 94 : 메탈가스킷
95 : 열전대

Claims (9)

  1. 피처리체를 수용하는 처리실 내에 건조가스를 공급해서 상기 피처리체를 건조하는 건조방법에 있어서,
    캐리어가스를 가열하는 공정과,
    가열된 상기 캐리어가스에 의해 건조가스용 액체를 분무상태로 만드는 공정과,
    상기 분무상태로 된 건조가스용 액체와 캐리어가스를 함께 가열하여 건조가스를 생성하는 공정과,
    상기 건조가스의 유량을 제어해서 상기 처리실 내로 공급하는 공정을 포함하는 건조처리방법.
  2. 피처리체를 수용하는 처리실 내에 건조가스를 공급해서 상기 피처리체를 건조하는 건조장치에 있어서,
    캐리어가스를 가열하는 캐리어가스 가열수단과,
    증기생성수단을 포함하고,
    상기 증기생성수단은 상기 가열수단에 의해 가열된 상기 캐리어가스에 의해 상기 건조가스용 액체를 분무상태로 만들기 위한 포트와,
    상기 분무상태로 된 건조가스용 액체와 캐리어가스를 함께 가열하여 건조가스를 생성하는 포트를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 건조처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 건조가스의 소정량을 상기 처리실 내로 공급하는 유량 제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 건조처리장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 캐리어가스 가열수단은,
    캐리어가스 공급로에 연통하는 도입관과,
    이 도입관내로 삽입되어, 도입관의 내벽 면과의 사이에 나선형 유통로를 형성하는 유통로 형성관과, 적어도 상기 유통로 형성관 내측으로 삽입된 가열수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 건조처리장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 캐리어가스 가열수단은,
    캐리어가스 공급로에 연통하는 도입관과,
    이 도입관내로 삽입되어, 도입관의 내벽 면과의 사이로 나선형 유통로를 형성하는 코일형 부재와,
    적어도 상기 유통로 형성관 내측으로 삽입된 가열수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 건조처리장치
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 증기 발생수단은, 캐리어가스 공급로에 연통하는 도입관 내에 형성된 충격파 형성부와,
    상기 충격파 형성부의 근방에 건조가스용 액체를 공급하는 공급구와,
    상기 충격파 형성부 및 공급구 근방, 또는 그 하류 측의 관 내측 및 또는 외측에 배설된 가열수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 건조처리장치.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 유량 제어수단은,
    공급로에 개설된 열림 조정밸브과,
    상기 처리실 내에 압력을 검출하는 검출수단에서의 신호와 소정의 기억된 정보를 비교 연산하는 제어부와,
    이 제어부에서의 신호에 기초해서 상기 열림 조정밸브의 작동압을 제어하는 제어밸브를 구비하는 특징으로 하는 건조처리장치.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 건조가스 공급로에 건조가스 온도 검출수단을 배설하는 것을 특징으로 하는 건조처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 온도 검출수단을 열전대로 형성하고, 이 열전대를 공급로를 형성하는 관에 고정된 암너트와 이 암너트에 나사결합된 고정너트와의 사이에 개재된 금속제 실(seal)부재에 용접에 의해 고정하는 것을 특징으로 하는 건조처리장치.
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EP (1) EP0878832B1 (ko)
JP (1) JP3230051B2 (ko)
KR (1) KR100483310B1 (ko)
CN (1) CN1138117C (ko)
DE (1) DE69838120T2 (ko)
SG (1) SG74629A1 (ko)
TW (1) TW373259B (ko)

Families Citing this family (377)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT407680B (de) 1999-06-04 2001-05-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen gegenständen
US6401353B2 (en) * 2000-03-08 2002-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate dryer
US6502591B1 (en) * 2000-06-08 2003-01-07 Semitool, Inc. Surface tension effect dryer with porous vessel walls
US6401361B1 (en) * 2000-11-15 2002-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for drying wafers by a solvent
KR20020087310A (ko) * 2001-05-15 2002-11-22 삼성전자 주식회사 웨이퍼 건조 장치
US6519869B2 (en) * 2001-05-15 2003-02-18 United Microelectronics, Corp. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US6918192B2 (en) * 2002-11-07 2005-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate drying system
US6928748B2 (en) * 2003-10-16 2005-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method to improve post wafer etch cleaning process
JP2006156648A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US7637029B2 (en) * 2005-07-08 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
WO2007047163A2 (en) * 2005-10-04 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for drying a substrate
KR100786700B1 (ko) * 2006-07-14 2007-12-21 삼성전자주식회사 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP4762835B2 (ja) 2006-09-07 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
CN101210769B (zh) * 2006-12-25 2010-04-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片干燥方法及装置
JP4805862B2 (ja) * 2007-02-21 2011-11-02 富士通セミコンダクター株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法
KR101229694B1 (ko) * 2008-06-02 2013-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유체 가열기 및 그 제조 방법과, 유체 가열기를 구비한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN102467141A (zh) * 2010-10-28 2012-05-23 汉唐科技股份有限公司 烘烤与烘烤后的低温干燥环境控制整合装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
TWI522589B (zh) * 2011-07-08 2016-02-21 友達光電股份有限公司 乾燥設備及乾燥方法
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN102602684A (zh) * 2012-03-14 2012-07-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板基材的运输控制方法及系统
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
ITMI20131867A1 (it) * 2013-11-11 2015-05-12 Iwt Srl Apparato di abbattimento vapori per macchine di lavaggio e macchina di lavaggio comprendente apparato
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
CN103920630B (zh) * 2013-12-03 2016-09-21 华南理工大学 一种有机涂层充氮控氧密闭循环干燥设备及工艺
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9349620B2 (en) * 2014-07-09 2016-05-24 Asm Ip Holdings B.V. Apparatus and method for pre-baking substrate upstream of process chamber
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
JP6543481B2 (ja) * 2015-02-23 2019-07-10 株式会社Screenホールディングス 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法
US9829249B2 (en) * 2015-03-10 2017-11-28 Mei, Llc Wafer dryer apparatus and method
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101860631B1 (ko) * 2015-04-30 2018-05-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220009518A (ko) * 2020-07-15 2022-01-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5249371A (en) * 1990-10-19 1993-10-05 Kabushiki-Kaisha Hitachi Seisakusho Vapor drier
JPH0677203A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Tokyo Electron Ltd 乾燥処理装置
US5351419A (en) * 1992-07-27 1994-10-04 Motorola, Inc. Method for vapor drying
JPH07278886A (ja) * 1994-04-15 1995-10-24 Nippon Steel Corp 竪型電解処理装置
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
KR100260586B1 (ko) * 1992-12-25 2000-07-01 다카시마 히로시 기판 건조장치 및 기판 건조방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736758A (en) * 1985-04-15 1988-04-12 Wacom Co., Ltd. Vapor drying apparatus
US4878931A (en) * 1988-08-29 1989-11-07 Quadrex Hps Inc. Two stage vapor recovery system
US4967486A (en) * 1989-06-19 1990-11-06 Glatt Gmbh Microwave assisted fluidized bed processor
US5222307A (en) * 1989-11-21 1993-06-29 Interface Technical Laboratories Co., Ltd. Drying method and apparatus therefor
US4982512A (en) * 1989-12-11 1991-01-08 Jvc Magnetics America Co. Vapor recovery system
US5054210A (en) * 1990-02-23 1991-10-08 S&K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
US5371950A (en) * 1990-02-23 1994-12-13 S & K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
NL9000484A (nl) * 1990-03-01 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het in een centrifuge verwijderen van een vloeistof van een oppervlak van een substraat.
US5052126A (en) * 1990-06-21 1991-10-01 Rolf Moe Vapor drier for semiconductor wafers and the like
US5226242A (en) * 1992-02-18 1993-07-13 Santa Clara Plastics, Division Of Preco, Inc. Vapor jet dryer apparatus and method
JPH06177200A (ja) * 1992-12-09 1994-06-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の形成方法
JP2894535B2 (ja) * 1994-01-18 1999-05-24 信越半導体株式会社 ウェーハホルダー
US5539995A (en) * 1994-03-16 1996-07-30 Verteq, Inc. Continuous flow vapor dryer system
US5535525A (en) * 1994-03-17 1996-07-16 Vlsi Technology, Inc. Vapor/liquid phase separator for an open tank IPA-dryer
JP3066249B2 (ja) 1994-07-28 2000-07-17 大日本スクリーン製造株式会社 蒸気発生装置
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
TW301761B (ko) * 1994-11-29 1997-04-01 Sharp Kk
US5752532A (en) * 1995-08-17 1998-05-19 Schwenkler; Robert S. Method for the precision cleaning and drying surfaces
US5715612A (en) * 1995-08-17 1998-02-10 Schwenkler; Robert S. Method for precision drying surfaces
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US5815942A (en) * 1996-12-13 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor drying system and method
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US5884640A (en) * 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5249371A (en) * 1990-10-19 1993-10-05 Kabushiki-Kaisha Hitachi Seisakusho Vapor drier
US5351419A (en) * 1992-07-27 1994-10-04 Motorola, Inc. Method for vapor drying
JPH0677203A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Tokyo Electron Ltd 乾燥処理装置
KR100260586B1 (ko) * 1992-12-25 2000-07-01 다카시마 히로시 기판 건조장치 및 기판 건조방법
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
JPH07278886A (ja) * 1994-04-15 1995-10-24 Nippon Steel Corp 竪型電解処理装置

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