TWI613319B - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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TWI613319B
TWI613319B TW105128235A TW105128235A TWI613319B TW I613319 B TWI613319 B TW I613319B TW 105128235 A TW105128235 A TW 105128235A TW 105128235 A TW105128235 A TW 105128235A TW I613319 B TWI613319 B TW I613319B
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Description

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係關於基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
作為半導體裝置之製造步驟中所使用的基板處理裝置的一態樣，例如有將具有處理室(反應器)之處理模組，以搬送室為中心而複數(例如四個)配置成放射狀的構成。此種構成之基板處理裝置中，可於各處理模組並行地進行對晶圓等之基板的處理，但必須使每個處理模組之處理條件同等。因此，於各處理模組設置流徑，同時對各個流徑連接調溫部。然後，調溫部於各流徑中流通熱媒體並使其循環，藉此將各處理模組之處理室維持為既定溫度(例如50℃左右)。
於上述構成之基板處理裝置中，在提高生產性時有於各處理模組間進行同樣處理的情形。於此種情況，由於產率之問題，各處理模組所處理之各個基板必須保持一定品質。因此，必須將各處理模組之處理條件維持為可得到既定品質的條件。於此所謂處理條件，例如為溫度條件。
本發明之目的在於即使是具備複數之處理模組的情 況，仍將對各處理模組之基板進行處理之條件維持為可得到既定品質之條件。
根據本發明之一態樣，提供一種技術，其具備：複數之處理模組，係處理基板；熱媒體之流徑，係分別設置於上述複數之處理模組；感應器，係對上述流徑所流通之熱媒體之狀態進行檢測；與複數之調溫部，係分別對應於上述複數之處理模組而個別設置，於設置在該處理模組之上述流徑中流通調整上述處理模組之溫度的熱媒體，同時根據上述感應器所得之檢測結果，將該流徑所流通之熱媒體控制為既定狀態。
根據本發明，可在具備複數之處理模組的情況，將對各處理模組之基板進行處理之條件維持為可得到既定品質之條件。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧本體部
20‧‧‧調溫系統部
51a~51d‧‧‧處理模組
52a~52d‧‧‧配管
53‧‧‧調溫單元
110‧‧‧IO台
111‧‧‧晶圓盒
112‧‧‧蓋
120‧‧‧大氣搬送室
121‧‧‧開盒器
122‧‧‧大氣搬送機器人
126‧‧‧預對準器
127‧‧‧框體
128、129‧‧‧基板搬出入口
130‧‧‧負載鎖定室
131‧‧‧框體
132‧‧‧基板載置台
133‧‧‧閘閥
134‧‧‧基板搬出入口
135‧‧‧閘閥
140‧‧‧真空搬送室
141‧‧‧框體
142‧‧‧基板搬出入口
148‧‧‧基板搬出入口
149‧‧‧閘閥
170‧‧‧真空搬送機器人
180、190‧‧‧臂
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
2021‧‧‧上部容器
2021a‧‧‧孔
2022‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬出入口
207‧‧‧頂銷
209‧‧‧鉸鏈
210‧‧‧基板支撐部(基座)
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮管
230‧‧‧噴淋頭
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧貫通孔
232‧‧‧噴淋頭緩衝室
233‧‧‧塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體引導件
241‧‧‧氣體供給管
241a‧‧‧前端部
241b‧‧‧凸緣
241c‧‧‧分散孔
242‧‧‧共通氣體供給管
243‧‧‧第一氣體供給系統
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧第一氣體供給源
243c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
243d‧‧‧閥
244‧‧‧第二氣體供給系統
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧第二氣體供給源
244c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
244d‧‧‧閥
244e‧‧‧遠端電漿單元
245‧‧‧第三氣體供給系統
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧第三氣體供給源
245c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
245d‧‧‧閥
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b‧‧‧第一惰性氣體供給源
246c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
246d‧‧‧閥
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
247b‧‧‧第二惰性氣體供給源
247c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
247d‧‧‧閥
248b‧‧‧清洗氣體供給源
248c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
248d‧‧‧閥
251‧‧‧整合器
261~264‧‧‧排氣管
265‧‧‧TMP
266、267‧‧‧閥
270、275、277‧‧‧閥
276‧‧‧APC
278‧‧‧DP
280‧‧‧控制器
281‧‧‧演算部
282‧‧‧記憶部
283‧‧‧外部記憶裝置
310a~310d‧‧‧配管
311‧‧‧上游配管部
312‧‧‧下游配管部
313、314‧‧‧閥
315a~315d‧‧‧感應器(上游感應器)
316‧‧‧貫通配管部
316a‧‧‧上段側貫通配管部
316b‧‧‧下段側貫通配管部
317‧‧‧外周配管部
317a‧‧‧上段側外周配管部
317b‧‧‧下段側外周配管部
318‧‧‧上游側連接管部
319‧‧‧下游側連接管部
320a~320d‧‧‧調溫部
321‧‧‧循環槽
322‧‧‧加熱單元
323‧‧‧冷卻單元
324、324a~324d‧‧‧泵
325、325a~325d‧‧‧流量控制部
331a~331d‧‧‧感應器(下游感應器)
PM1a~PM1d‧‧‧處理模組
RC1~RC8、RCL、RCR‧‧‧處理室
圖1為表示本發明第一實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖。
圖2為模式性表示本發明第一實施形態之基板處理裝置之處理室之概略構成之一例的說明圖。
圖3為模式性表示本發明第一實施形態之基板處理裝置中之配管之捲裝態樣之一例的說明圖；(a)為俯視圖，(b)為圖1或圖3(a)中之A-A剖面圖，(c)為圖3(b)中之B箭頭視圖。
圖4為表示本發明第一實施形態之基板處理步驟之概要的流程 圖。
圖5為表示圖4之基板處理步驟中之成膜步驟之詳細的流程圖。
圖6為模式性表示本發明比較例之基板處理裝置之一例的說明圖。
圖7為表示本發明第二實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖。
圖8為表示本發明第三實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖。
以下參照圖式，說明本發明之實施形態。
[本發明之第一實施形態]
首先，說明本發明之第一實施形態。
(1)基板處理裝置之構成
圖1為表示第一實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖。圖例之基板處理裝置1係大致具備基板處理裝置之本體部10、調溫系統部20、與控制器280而構成。
<本體部之構成>
基板處理裝置1之本體部10係於基板搬送腔室之周圍具備複數之處理腔室的所謂叢集形式者。叢集形式之基板處理裝置1之本體部10，係對作為基板之晶圓200進行處理者，主要由IO台110、 大氣搬送室120、負載鎖定室(load lock chamber)130、真空搬送室140、處理模組(製程模組：Process Module)PM1a~PM1d所構成。接著具體說明各構成。圖1之說明中，前後左右係X1方向為右、X2方向為左、Y1方向為前、Y2方向為後。
(大氣搬送室、IO台)
於基板處理裝置1之前側，設置IO台(裝載埠)110。於IO台110上，複數搭載收納複數片晶圓之FOUP(Front Opening Unified Pod：以下稱為「晶圓盒」)111。晶圓盒111係使用作為搬送矽(Si)基板等之晶圓200的載體。於晶圓盒111內，構成為未處理之晶圓200或處理完畢之晶圓200分別依水平姿勢複數存放。
於晶圓盒111設置蓋112，藉由後述開盒器121進行開關。開盒器121係對載置於IO台110的晶圓盒111之蓋112進行開關，藉由對基板出入口進行開放、閉鎖，可進行晶圓200對晶圓盒111之出入。晶圓盒111係藉由未圖示之AMHS(Automated Material Handling Systems：自動晶圓搬送系統)，對IO台110進行供給及排出。
IO台110係與大氣搬送室120相鄰接。大氣搬送室120係在與IO台110不同之面，連接後述負載鎖定室130。
於大氣搬送室120內，設置移載晶圓200的大氣搬送機器人122。大氣搬送機器人122係構成為藉由設置於大氣搬送室120之未圖示之昇降器進行昇降，同時構成為藉由未圖示之線性致動器於左右方向上來回移動。
於大氣搬送室120之左側，設置對形成於晶圓200之 凹槽或定位邊進行齊合的裝置(以下亦稱為預對準器)126。於大氣搬送室120之上部設置有供給清潔空氣之未圖示的清潔單元。
於大氣搬送室120之框體127之前側，設置用於將晶圓200對大氣搬送室120進行搬入搬出的基板搬出入口128、與開盒器121。於挾持基板搬出入口128而與開盒器121相反側、亦即框體127之外側，設置IO台(裝載台)110。
開盒器121係對載置於IO台110之晶圓盒111之蓋112進行開關，藉由開放、閉鎖基板出入口，可進行晶圓200對晶圓盒111的出入。晶圓盒111係藉由未圖示之步驟內搬送裝置，對IO台110供給及排出。
於大氣搬送室120之框體127之後側，設置用於將晶圓200對負載鎖定室130進行搬入搬出的基板搬出入口129。基板搬出入口129係藉由後述閘閥133而開放、閉鎖，藉此可進行晶圓200的出入。
(負載鎖定室)
負載鎖定室130係與大氣搬送室120相鄰接。構成負載鎖定室130之框體131所具有的面中，在與大氣搬送室120相異之面，如後述般，配置真空搬送室140。負載鎖定室130係配合大氣搬送室120之壓力與真空搬送室140之壓力，變更框體131內之壓力，故構成為可耐受負壓的構造。
框體131中，於與真空搬送室140相鄰接之側，設置基板搬出入口134。基板搬出入口134係藉由閘閥135而開放、閉鎖，藉此可進行晶圓200之出入。
再者，於負載鎖定室130內，設置具有至少二個載置晶圓200之載置面的基板載置台132。基板載置面間之距離係配合後述機器人170之臂所具有的端接器間之距離而設定。
(真空搬送室)
基板處理裝置1之本體部10係具備成為於負壓下搬送晶圓200之搬送空間之作為搬送室的真空搬送室(轉移模組)140。構成真空搬送室140之框體141，係於俯視下形成為五角形，於五角形之各邊，連結著負載鎖定室130及對晶圓200進行處理之處理模組PM1a~PM1d。於真空搬送室140之略中央部，設置作為於負壓下移載(搬送)晶圓200之搬送機器人的機器人170。
框體141之側壁中，在與負載鎖定室130相鄰接之側，設有基板搬出入口142。基板搬出入口142係藉由閘閥135而開放、閉鎖，藉此可進行晶圓200的出入。
設置於真空搬送室140內之真空搬送機器人170，係構成為可藉由昇降器在維持真空搬送室140之氣密性之下進行昇降。機器人170所具有之二個臂180、190係構成為可進行昇降。
於框體141之頂板，在框體141內設置用於供給熱傳導氣體之未圖示的熱傳導氣體供給孔。於熱傳導氣體供給孔，設置未圖示之熱傳導氣體供給管。於熱傳導氣體供給管，由上游起依序設置熱傳導氣體源、質量流量控制器、閥(均未圖示)，控制供給至框體141內的熱傳導氣體供給量。熱傳導氣體係不影響形成於晶圓200上之膜，且使用熱傳導率高的氣體。例如使用氦(He)氣或氮氣(N2)、氫(H2)氣。
主要由熱傳導氣體供給管、質量流量控制器、閥構成真空搬送室140中之熱傳導氣體供給部。又，惰性氣體源、氣體供給孔亦可涵括於惰性氣體供給部中。
於框體141之底壁，設置用於對框體141內之環境氣體進行排氣的未圖示之排氣孔。於排氣孔設置未圖示之排氣管。於排氣管，由上游起依序設置屬於壓力控制器之APC(Auto Pressure Controller)、泵(均未圖示)。主要由排氣管、APC構成真空搬送室140中之氣體排氣部。又，泵、排氣孔亦可涵括於氣體排氣部中。
真空搬送室140係藉由氣體供給部、氣體排氣部之共同作用，控制環境氣體。
例如，控制框體141內之壓力。
於框體141之五片側壁中，在未設置負載鎖定室130之側，使複數(例如四個)之處理模組PM1a~PM1d配置成以真空搬送室140為中心而位於放射狀。各處理模組PM1a~PM1d係用於對晶圓進行處理者。作為既定處理，其詳細係如後述，可舉例如於晶圓上形成薄膜之處理，對晶圓表面進行氧化、氮化、碳化等之處理，矽化物、金屬等之膜形成，對晶圓表面進行蝕刻之處理，迴焊處理等之各種基板處理。
於各處理模組PM1a~PM1d，設置作為用於對晶圓進行處理之腔室的處理室(反應器)RC1~RC8。RC1~RC8係分別複數設置於各處理模組PM1a~PM1d(例如各二個)。具體而言，於處理模組PM1a設置處理室RC1、RC2。於處理模組PM1b設置處理室RC3、RC4。於處理模組PM1c設置處理室RC5、RC6。於處理模組PM1d設置處理室RC7、RC8。
設置於各處理模組PM1a~PM1d之各個處理室RC1~RC8，係依使後述處理空間201之環境氣體不混合的方式，於各者之間設置隔壁，構成為各處理室RC1~RC8呈獨立環境氣體。
尚且，關於各處理模組PM1a~PM1d中之處理室RC1~RC8，其構成將於後述。
框體141之五片側壁中，在與各處理室RC1~RC8相對向之壁，設置基板搬出入口148。具體而言，在與處理室RC1相對向之壁設置基板搬出入口148(1)。在與處理室RC2相對向之壁設置基板搬出入口148(2)。在與處理室RC3相對向之壁設置基板搬出入口148(3)。在與處理室RC4相對向之壁設置基板搬出入口148(4)。在與處理室RC5相對向之壁設置基板搬出入口148(5)。在與處理室RC6相對向之壁設置基板搬出入口148(6)。在與處理室RC7相對向之壁設置基板搬出入口148(7)。在與處理室RC8相對向之壁設置基板搬出入口148(8)。
各基板搬出入口148係藉由閘閥149而開放、閉鎖，藉此可進行晶圓200之出入。閘閥149係設置於處理室RC1~RC8之各個。具體而言，與處理室RC1之間設置閘閥149(1)，與處理室RC2之間設置閘閥149(2)。與處理室RC3之間設置閘閥149(3)，與處理室RC4之間設置閘閥149(4)。與處理室RC5之間設置閘閥149(5)，與處理室RC6之間設置閘閥149(6)。與處理室RC7之間設置閘閥149(7)，與處理室RC8之間設置閘閥149(8)。
於處理室RC1~RC8與真空搬送室140之間進行晶圓200之搬出入時，將閘閥149設為開狀態，真空搬送機器人170之臂180、190由此閘閥149進入，藉此進行該晶圓200之搬出入。
<調溫系統部之構成>
調溫系統部20係用於將各處理模組PM1a~PM1d中之處理條件維持於既定範圍內，而進行各處理模組PM1a~PM1d之溫度調整者。具體而言，其通過設置成捲裝於各處理模組PM1a~PM1d之屬於熱媒體流徑的配管310a~310d，使熱媒體於此配管310a~310d之管內流通循環，藉此將各處理模組PM1a~PM1d之處理室維持為既定溫度(例如50℃左右)。
於配管310a~310d之管內所流通之熱媒體，係為了對各處理模組PM1a~PM1d進行加熱或冷卻以控制為目標溫度，而使用於使熱在調溫系統部20與各處理模組PM1a~PM1d之間移動的流體。作為此種熱媒體，可考慮使用例如Galden(註冊商標)般之氟系熱媒體。若為氟系熱媒體，可依不燃性且於低溫至高溫之寬廣之溫度範圍內使用，而且電氣絕緣性優越。然而，並不一定必須為氟系熱媒體，若為可發揮作為熱媒體機能的流體，則可為例如水般之液體狀者，亦可為惰性氣體般之氣體狀者。
然而，對於各處理模組PM1a~PM1d必須進行定期的維修。而且，在進行維修時，係對成為維修對象之處理模組PM1a~PM1d停止熱媒體供給。
此時，例如即使維修對象為處理模組PM1a~PM1d之任一者，若停止對各處理模組PM1a~PM1d全部的熱媒體供給，則各處理模組PM1a~PM1d之運作效率明顯降低。
又，例如即使僅對維修對象停止熱媒體供給，而由調溫系統部20一概管理對各處理模組PM1a~PM1d所供給的熱媒體，則隨著熱 媒體之供給停止或供給再開始，於調溫系統部20內的熱收支發生變化，因此對並非維修對象之處理模組PM1a~PM1d所供給之熱媒體的溫度改變。因此，發生必須等到熱媒體溫度之變動穩定為止的期間始能開始各處理模組PM1a~PM1d之處理，其結果使各處理模組PM1a~PM1d之運作效率降低。
因此，本實施形態中之調溫系統部20係具備分別對應於各處理模組PM1a~PM1d而個別設置的複數調溫部320a~320d。
藉由此種構成，調溫系統部20可實現以各處理模組PM1a~PM1d為單位的維修，抑制各處理模組PM1a~PM1d的運作效率降低。
(調溫部)
構成調溫系統部20之各調溫部320a~320d，係於配管310a~310d流通調整處理模組PM1a~PM1d之溫度的熱媒體，同時控制於此配管310a~310d流通之熱媒體的狀態。因此，各調溫部320a~320d係如以下所述般，分別構成為相同。
各調溫部320a~320d係具有屬於熱媒體貯存容器的循環槽321。
而且，於循環槽321中，設置加熱熱媒體之加熱單元322、與冷卻熱媒體之冷卻單元323。藉由設置加熱單元322及冷卻單元323，則各調溫部320a~320d具有控制熱媒體溫度的機能。又，加熱單元322及冷卻單元323若為利用公知技術所構成者即可，於此省略其詳細說明。
又，於循環槽321，連接著：用於對所對應之處理模 組PM1a~PM1d供給熱媒體，而位於較該處理模組PM1a~PM1d更上游側的作為上游流徑部之上游配管部311；與用於回收經過該處理模組PM1a~PM1d循環之熱媒體，而位於較該處理模組PM1a~PM1d更下游側的作為下游流徑部的下游配管部312。亦即，對應於各處理模組PM1a~PM1d之配管310a~310d，係分別具有上游配管部311(參照圖中實線)與下游配管部312(參照圖中虛線)。而且，於上游配管部311，設置有：賦予用於在管內流通熱媒體之驅動力(運動能量)的泵324；與調整管內流通之熱媒體之流量的流量控制部325。藉由設置泵324及流量控制部325，各調溫部320a~320d具有控制熱媒體之壓力或流量之至少一者的機能。又，泵324及流量控制部325若為利用公知技術所構成者即可，於此省略其詳細說明。
此種構成之各調溫部320a~320d，係分別遠離各處理模組PM1a~PM1d而集中整合設置於一處。亦即，具備各調溫部320a~320d而成之調溫系統部20，係與具備各處理模組PM1a~PM1d而成之基板處理裝置1的本體部10，集中設置於例如工廠內之其他樓層等遠離處。此係由於基板處理裝置1之本體部10與調溫系統部20所需要的設置環境(無塵室內之潔淨度等)相異，且若將調溫系統部20之各調溫部320a~320d整合設置則使熱媒體之管理等容易化所致。
(配管)
連接處理模組PM1a~PM1d及與此對應之調溫部320a~320d的配管310a~310d，係如上述般具有：位於較處理模組PM1a~PM1d 更上游側之上游配管部311；與位於較處理模組PM1a~PM1d更下游側之下游配管部312。而且，上游配管部311與下游配管部312之間的配管部分，係構成為捲裝於處理模組PM1a~PM1d。又，關於對處理模組PM1a~PM1d之捲裝的具體態樣，將於後詳述。
於上游配管部311及下游配管部312，分別設置有用於對形成於管內之熱媒體流徑進行開放或關閉的閥313、314。
又，於上游配管部311，分別對應至各處理模組PM1a~PM1d而設置對管內所流通之熱媒體狀態進行檢測的感應器315a~315d。作為熱媒體之狀態，可舉例如該媒體媒之壓力、流量、溫度之任一者，或適當組合此等之複數者。檢測此種狀態的感應器315a~315d，若為利用公知技術所構成者即可，於此省略其詳細說明。
然而，各處理模組PM1a~PM1d係配置成放射狀地位於真空搬送室140周圍。另一方面，各調溫部320a~320d係遠離各處理模組PM1a~PM1d而整合設置。因此，連接各處理模組PM1a~PM1d與各調溫部320a~320d之間的配管310a~310d，係構成為各自的管長度視所對應之處理模組PM1a~PM1d而異。具體而言，例如連接處理模組PM1a及與其對應之調溫部320a之間的配管310a、連接處理模組PM1b及與其對應之調溫部320b之間的配管310b，係各別的管長相異。
其中，即使是配管310a~310d之管長度因各處理模組PM1a~PM1d而異，由各感應器315a~315d之設置位置至各處理模組PM1a~PM1d之各配管310a~310d的管長，係構成為使在該配管310a~310d所流通之熱媒體狀態之損失量成為既定範圍內的長度。藉此，可抑制藉由各感應器315a~315d進行了狀態檢測之熱媒體於 到達各處理模組PM1a~PM1d之前該熱媒體的狀態變化。具體而言，可使熱媒體之壓力降低、流量降低、溫度降低等之損失量抑制於既定範圍內。
又，自各感應器315a~315d之設置位置至各處理模組PM1a~PM1d為止的各配管310a~310d的管長度，係構成為各配管310a~310d分別成為均等之長度。藉此，即使在藉由各感應器315a~315d進行了狀態檢測之熱媒體於到達各處理模組PM1a~PM1d前發生該熱媒體之狀態變化，仍可於各處理模組PM1a~PM1d抑制其狀態變化之偏差。
<控制器之構成>
控制器280係具有作為控制基板處理裝置1之本體部10及調溫系統部20之處理動作的控制部(控制手段)的機能。因此，控制器280係至少具有由CPU(Central Precessing Unit)或RAM(Random Access Memory)等組合所構成之演算部281、與由快閃記憶體或HDD(Hard Disk Drive)等所構成之記憶部282。此種構成之控制器280中，演算部281係配合上位控制器或使用者之指示，由記憶部282讀取並實行各種程式或處方。然後，演算部281沿著所讀取之程式內容，控制本體部10或調溫系統部20等之處理動作。
又，控制器280可由專用的電腦裝置所構成，但並不限定於此，亦可由通用的電腦裝置所構成。例如，可藉由準備儲存了上述程式等的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、CD或DVD等光碟、MO等光磁碟、USB記憶體或記憶卡等半導體記憶體)283，使用此外部記憶裝置283在通用的電腦裝置安裝該程 式等，而構成本實施形態的控制器280。又，用於對電腦裝置供給程式的手段，亦不限於經由外部記憶裝置283供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專線等通訊手段，不經由外部記憶裝置283而供給程式等。尚且，記憶部282或外部記憶裝置283係構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將此等簡單總稱為「記錄媒體」。又，於本說明書中使用了記錄媒體之用語時，係指僅包含記憶部282單體的情況、僅包含外部記憶裝置283單體的情況、或者包含其兩者的情況。又，於本說明書中使用了程式之用語時，係指僅包含控制程式單體的情況、僅包含應用程式單體的情況、或者包含其兩者的情況。
(2)處理模組之構成
接著，說明各處理模組PM1a~PM1d中之處理室RC1~RC8的構成。
各處理模組PM1a~PM1d係具有作為單片式之基板處理裝置的機能者，如已說明般，分別構成為具備二個處理室(反應器)RC1~RC8。各處理室RC1~RC8係於任一處理模組PM1a~PM1d均構成為相同。
於此，針對各處理模組PM1a~PM1d中之各別的處理室RC1~RC8，說明其具體構成。
圖2為模式性表示第一實施形態之基板處理裝置之處理室之概略構成一例的說明圖。
(處理容器)
如圖例般，各處理室RC1~RC8具備處理容器202。處理容器202係例如構成為橫剖面為圓形且扁平之密閉容器。處理容器202係由例如以石英或陶瓷等非金屬材料所形成之上部容器2021、與例如以鋁(Al)或不銹鋼(SUS)等金屬材料所形成之下部容器2022所構成。於處理容器202內，在上方側(較後述基板載置台212更上方的空間)形成有對作為基板之矽晶圓等之晶圓200進行處理的處理空間(處理室)201，在其下方側且於由下部容器202所包圍之空間形成有搬送空間203。
於下部容器2022之側面，設有與閘閥205相鄰接之基板搬出入口206。晶圓200係經由基板搬出入口206而搬入至搬送空間203。於下部容器2022底部，複數設有頂銷207。進而，下部容器2022係呈接地電位。
(基板載置台)
於處理空間201內設有支撐晶圓200之基板支撐部(基座)210。基板支撐部210主要具有：載置晶圓200之載置面211；於表面具有載置面211之載置台212；與內包於基板載置台212之作為加熱部的加熱器213。於基板載置台212，在與頂銷207對應之位置分別設置有頂銷207貫通的貫通孔214。
基板載置台212係由軸217所支撐。軸217係貫通處理容器202之底部，進而於處理容器202外部連接於升降機構218。藉由使升降機構218作動而使軸217及支撐台212升降，基板載置台212可使載置於載置面211上之晶圓200升降。又，軸217下端部之周圍係由伸縮管219所包覆，藉此使處理空間201內保持為氣 密。
基板載置台212係在晶圓200之搬送時，載置面211下降呈基板搬出入口206的位置(晶圓搬送位置)，在晶圓200之處理時，上升至晶圓200為處理空間201內的處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，在使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，係頂銷207上端部由基板載置面211之上面突出，成為頂銷207由下方支撐晶圓200。又，在使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，頂銷207由載置面211之上面埋沒，成為載置面211由下方支撐晶圓200。又，頂銷207由於與晶圓200直接接觸，故較理想係例如由石英或氧化鋁等材質所形成。尚且，亦可構成為在頂銷207設置升降機構，以移動頂銷207。
(噴淋頭)
於處理空間201上部(氣體供給方向上游側)，設有作為氣體分散機構的噴淋頭230。噴淋頭230係例如插入至設於上部容器2021之孔2021a。而且，噴淋頭230係構成為經由未圖示之鉸鏈固定於上側容器2021，於維修時利用鉸鏈209打開。
噴淋頭之蓋231，係由例如具導電性及熱傳導性之金屬所形成。在蓋231與上部容器2021之間設置塊233，此塊233係使蓋231與上部容器2021之間絕緣且斷熱。
又，於噴淋頭之蓋231設有作為第一分散機構之氣體供給管241所插入的貫通孔231a。插入至貫通孔231a之氣體供給管241係用於使對在噴淋頭230內所形成之空間之噴淋頭緩衝室 232內所供給之氣體分散者，具有插入於噴淋頭230內之前端部241a、與固定於蓋231之凸緣241b。前端部241a構成為例如圓柱狀，於其圓柱側面設有分散孔。而且，由後述之氣體供給部(供給系統)所供給的氣體，係經由前端部241a及分散孔241c供給至噴淋頭緩衝室232內。
進而，噴淋頭230係具備用於使由後述氣體供給部(供給系統)所供給之氣體分散的作為第二分散機構的分散板234。此分散板234之上游側為噴淋頭緩衝室232，下游側為處理空間201。於分散板234設有複數之貫通孔234a。分散板234係依與基板載置面211相對向之方式，配置於該基板載置面211之上方側。從而，噴淋頭緩衝室232係經由設於分散板234之複數貫通孔234a，而與處理空間201連通。
於噴淋頭緩衝室232，設有形成所供給之氣體氣流的氣體引導件235。氣體引導件235係以氣體供給管241所插入之貫通孔231a為頂點而直徑隨著朝分散板234方向逐漸擴展的圓錐形狀。氣體引導件235係形成為其下端位於較在分散板234之最外周側所形成之貫通孔234a更靠外周側。亦即，噴淋頭緩衝室232係內包著將由分散板234上方側所供給之氣體朝處理空間201引導的氣體引導件235。
尚且，於噴淋頭230之蓋231，連接著整合器251及高頻電源251。而且，藉由此等調整阻抗，而構成為於噴淋頭緩衝室232及處理空間201生成電漿。
又，噴淋頭230係亦可內包使噴淋頭緩衝室232內及處理空間201內升溫的作為加熱源之加熱器(未圖示)。加熱器係將 供給至噴淋頭緩衝室232內之氣體加熱至不再液化的溫度。例如控制成加熱為100℃左右。
(氣體供給系統)
於插入至在噴淋頭之蓋231所設之貫通孔231a中的氣體供給管241，係連接著共通氣體供給管242。氣體供給管241與共通氣體供給管242係於管內部呈連通。而且，由共通氣體供給管242所供給之氣體，係通過氣體供給管241、氣體導入孔231a而供給至噴淋頭230內。
於共通氣體供給管242，連接著第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a。其中，第二氣體供給管244a係經由遠端電漿單元244e而連接至共通氣體供給管242。
由含有第一氣體供給管243a之第一氣體供給系統243主要供給含第一元素之氣體，由含有第二氣體供給管244a之第二氣體供給系統244主要供給含第二元素之氣體。由含有第三氣體供給管245a之第三氣體供給系統245，係在處理晶圓200時主要供給惰性氣體，在對噴淋頭230或處理空間201進行清洗時主要供給清洗氣體。
(第一氣體供給系統)
於第一氣體供給管243a，係由上游方向起依序設有第一氣體供給源243b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)243c、及屬於開關閥的閥243d。而且，由第一氣體供給源 243b，將含有第一元素之氣體(以下稱為「含第一元素氣體」)經由MFC243c、閥243d、第一氣體供給管243a、共通氣體供給管242而供給至噴淋頭230內。
含第一元素氣體為處理氣體之一，且作用為原料氣體。於此，第一元素為例如鈦(Ti)。亦即，含第一元素氣體為例如含鈦之氣體。尚且，含第一元素氣體於常溫常壓下可為固體、液體、及氣體之任一種。在含第一元素氣體於常溫常壓下為液體的情況，亦可於第一氣體供給源243b與MFC243c之間設置未圖示的氣化器。於此，將含第一元素氣體設為氣體進行說明。
在第一氣體供給管243a之較閥243d更下游側，連接著第一惰性氣體供給管246a之下游端。於第一惰性氣體供給管246a，由上游方向起依序設有惰性氣體供給源246b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)246c、及屬於開關閥的閥246d。而且，由惰性氣體供給源246b，將惰性氣體經由MFC246c、閥246d、第一惰性氣體供給管246a、第一氣體供給管243a、共通氣體供給管242而供給至噴淋頭230內。
於此，惰性氣體係作用為含第一元素氣體之載體氣體，較佳係使用不與第一元素反應之氣體。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，作為惰性氣體，除了N2氣體以外，可使用例如氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
主要由第一氣體供給管243a、MFC243c、閥243d構成第一氣體供給系統(亦稱為「含鈦氣體供給系統」)243。
又，主要由第一惰性氣體供給管246a、MFC246c及閥246d構成第一惰性氣體供給系統。又，亦可認為第一氣體供給系統243包 括第一氣體供給源243b、第一惰性氣體供給系統。又，亦可認為第一惰性氣體供給系統包含惰性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a。
此種第一氣體供給系統243由於供給屬於處理氣體之一的原料氣體，故歸屬於處理氣體供給系統之一。
(第二氣體供給系統)
於第二氣體供給管244a，係於下游設有遠端電漿單元244e。於上游，係由上游方向起依序設有第二氣體供給源244b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)244c、及屬於開關閥的閥244d。而且，由第二氣體供給源244b，將含有第二元素之氣體(以下稱為「含第二元素氣體」)經由MFC244c、閥244d、第二氣體供給管244a、遠端電漿單元244e、共通氣體供給管242而供給至噴淋頭230內。此時，含第二元素氣體係藉遠端電漿單元244e成為電漿狀態，供給至晶圓200上。
含第二元素氣體為處理氣體之一，且作用為反應氣體或改質氣體。於此，含第二元素氣體係含有與第一元素相異的第二元素。作為第二元素，為例如氧(O)、氮(N)、碳(C)之任一者。本實施形態中，含第二元素氣體係設為例如含氮氣體，具體而言，可使用氨(NH3)氣作為含氮氣體。
在第二氣體供給管244a之較閥244d更下游側，連接著第二惰性氣體供給管247a之下游端。於第二惰性氣體供給管247a，由上游方向起依序設有惰性氣體供給源247b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)247c、及屬於開關閥的閥 247d。而且，由惰性氣體供給源247b，惰性氣體係經由MFC247c、閥247d、第二惰性氣體供給管247a、第二氣體供給管244a、共通氣體供給管242而供給至噴淋頭230內。
於此，惰性氣體係於基板處理步驟中作用為載體氣體或稀釋氣體。具體而言，例如可使用N2氣體，但除了N2氣體以外，亦可使用例如He氣、Ne氣、Ar氣等之稀有氣體。
主要由第二氣體供給管244a、MFC244c、閥244d構成第二氣體供給系統244(亦稱為「含氮氣體供給系統」)。
又，主要由第二惰性氣體供給管247a、MFC247c及閥247d構成第二惰性氣體供給系統。
又，亦可認為第二氣體供給系統244包括第二氣體供給源244b、遠端電漿單元244e、第二惰性氣體供給系統。又，亦可認為第二惰性氣體供給系統包含惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管244a、遠端電漿單元244e。
此種第二氣體供給系統244由於供給屬於處理氣體之一的反應氣體或改質氣體，故歸屬於處理氣體供給系統之一。
(第三氣體供給系統)
於第三氣體供給管245a，係由上游方向起依序設有第三氣體供給源245b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)245c、及屬於開關閥的閥245d。而且，由第三氣體供給源245b，惰性氣體經由MFC245c、閥245d、第三氣體供給管245a、共通氣體供給管242而供給至噴淋頭230內。
由第三氣體供給源245b所供給之惰性氣體，係於基 板處理步驟中，作用為將殘留於處理容器202或噴淋頭230內之氣體沖洗的沖洗氣體。
又，於清洗步驟中，亦可作用為清洗氣體之載體氣體或稀釋氣體。作為此種惰性氣體，例如可使用N2氣體，但除了N2氣體以外，亦可使用例如He氣、Ne氣、Ar氣等之稀有氣體。
在第三氣體供給管245a之較閥245d更下游側，連接著清洗氣體供給管248a之下游端。於清洗氣體供給管248a，由上游方向起依序設有清洗氣體供給源248b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)248c、及屬於開關閥的閥248d。而且，由清洗氣體供給源248b，清洗氣體係經由MFC248c、閥248d、清洗氣體供給管248a、第三氣體供給管245a、共通氣體供給管242而供給至噴淋頭230內。
由清洗氣體供給源248b所供給之清洗氣體，係於清洗步驟中，作用為將附著於噴淋頭230或處理容器202之副產物等去除的清洗氣體。作為此種清洗氣體，例如可使用三氟化氮(NF3)氣。又，作為清洗氣體，除了NF3氣之外，亦可使用例如氟化氫(HF)氣、三氟化氯(ClF3)氣、氟(F2)氣等，或組合此等使用。
主要由第三氣體供給管245a、質量流量控制器245c、閥245d構成第三氣體供給系統245。
又，主要由清洗氣體供給管248a、質量流量控制器248c及閥248d構成清洗氣體供給系統。
又，亦可認為第三氣體供給系統245包括第三氣體供給源245b、清洗氣體供給系統。又，亦可認為清洗氣體供給系統包含清洗氣體供給源248b、第三氣體供給管245a。
(氣體排氣系統)
對處理容器202之環境氣體進行排氣的排氣系統，係具有連接於處理容器202的複數之排氣管。具體而言，具有連接於搬送空間203之排氣管(第一排氣管)261、連接於處理空間201之排氣管(第二排氣管)262、與連接於噴淋頭緩衝室232之排氣管(第三排氣管)263。又，於各排氣管261、262、263之下游側，連接著排氣管(第四排氣管)264。
排氣管261係連接於搬送空間203之側面或底面。於排氣管261設有實現高真空或超高真空之作為真空泵的TMP(Turbo Molecular Pump：以下亦稱為「第一真空泵」)265。於排氣管261，在TMP265之上游側與下游側，係分別設有屬於開關閥的閥266、267。
排氣管262係連接於處理空間201之側方。於排氣管262，設有將處理空間201內控制為既定壓力的屬於壓力控制器的APC(自動壓力控制器，Auto Pressure Controller)276。APC276係具有可調整開度之閥體(未圖示)，配合來自控制器280之指示調整排氣管262的傳導度。又，於排氣管262中，在APC276之上游側與下游側，分別設有屬於開關閥之閥275、277。
排氣管263係連接於噴淋頭緩衝室232之側方或上方。於排氣管263設有屬於開關閥之閥270。
於排氣管264，設有DP(Dry Pump，乾式泵)278。如圖示，於排氣管264，由其上游側起連接排氣管263、排氣管262、排氣管261，進而於此等之下游設置DP278。DP278係分別經由排 氣管262、排氣管263、排氣管261而對噴淋頭緩衝室232、處理空間201及搬送空間203之各環境氣體進行排氣。又，DP278係在TMP265動作時，亦發揮作為其輔助泵的機能。亦即，屬於高真空(或超高真空)泵的TMP265，由於難以單獨進行大氣壓為止的排氣，故可使用DP278作為進行大氣壓為止之排氣的輔助泵。
(3)配管之捲裝態樣
接著，針對在各處理模組PM1a~PM1d所捲裝之配管310a~310d，說明其捲裝之具體態樣。
圖3為模式性表示第一實施形態之基板處理裝置中，基板處理裝置之配管之捲裝態樣之一例的說明圖。
如已說明般，各處理模組PM1a~PM1d係分別具備複數(例如各二個)之處理室(反應器)RC1~RC8而構成。於圖3(a)所示例中，顯示各處理模組PM1a~PM1d具備二個處理室RCL、RCR的情況。處理室RCL係相當於圖1中之處理室RC1、RC3、RC5、RC7，處理室RCR係相當於圖1中之處理室RC2、RC4、RC6、RC8。各處理室RCL、RCR係依內部環境氣體隔離之狀態而相鄰接配置。
各處理室RCL、RCR分別構成為相同(例如參照圖2)，作為構成區劃室內外之側壁的主要之壁構件(亦即，下部容器2022之構成構件)，係使用Al或SUS等金屬材料。而且，於各處理室RCL、RCR之側壁，捲裝有由調溫部320a~320d所供給之熱媒體所流通的配管310a~310d之一部分。於此所謂「捲裝」，係指依包圍處理室RCL、RCR側壁之外周側的方式使配管部分捲繞的狀態，該配管部分被安裝於處理室RCL、RCR。從而，於各處理室 RCL、RCR，係經由以高熱傳導率之金屬材料所構成的側壁，進行與在所捲裝之配管部分中流通之熱媒體間的熱交換。
然而，各處理室RCL、RCR係並列設置為分別相鄰接。因此，捲裝於各處理室RCL、RCR之配管部分係構成為通過將各處理室RCL、RCR隔離之隔壁的壁內之狀態。亦即，各處理室RCL、RCR之側壁係由該處理室RCL、RCR之間的隔壁、與露出至該處理室RCL、RCR外周側之外壁所構成。而且，捲裝於各處理室RCL、RCR之配管部分，係具有：貫通各處理室RCL、RCR間之隔壁內之作為貫通流徑部的貫通配管部316；與通過各處理室RCL、RCR外壁之外周側之作為外周流徑部的外周配管部317。
如圖3(c)所示，貫通配管部316及外周配管部317係由處理室RCL、RCR之上方側起朝下方側，捲裝成描繪螺旋狀。
其中，貫通配管部316由於通過各處理室RCL、RCR之間的隔壁內，故配置成各處理室RCL、RCR分別共用。另一方面，外周配管部317由於通過各處理室RCL、RCR外壁之外周側，故對於各處理室RCL、RCR分別個別地配置。從而，如圖3(a)及(b)所示，貫通配管部316及外周配管部317係以各處理室RCL、RCR間之隔壁為中心而於圖中左右方向上對稱地配置。
藉由如此配置，如圖3(b)及(c)所示般，貫通配管部316具有：位於螺旋狀之上段側的上段側貫通配管部316a；與位於螺旋狀之下段側的下段側貫通配管部316b。又，外周配管部317具有：位於螺旋狀之上段側的上段側外周配管部317a；與位於螺旋狀之下段側的下段側外周配管部317b。尚且，圖例中，表示螺旋狀構成為上段側與上段側之二段的情況，但並不限定於此，若配合處理室RCL、RCR 的大小或配管徑等而適當設定即可。
貫通配管部316中，如圖3(a)所示，在位於螺旋狀之上段側的上段側貫通配管部316a，係經由作為上游側連接流徑部之上游側連接管部318而連接於上游配管部311。上游側連接管部318可考慮與上游配管部311及上段側貫通配管部316a呈不同體地設置，亦可與上游配管部311呈一體地設置。藉由此種構成，於上段側貫通配管部316a係流入由調溫部320a~320d所供給之熱媒體。
於上段側貫通配管部316a之下游側，係分岐為二個，而連接至分別對應於各處理室RCL、RCR的上段側外周配管部317a。各個上段側外周配管部317a經合流而連接至下段側貫通配管部316b。而且，下段側貫通配管部316b之下游側係分岐為二個，而連接至分別對應於各處理室RCL、RCR的下段側外周配管部317b。
於外周配管部317中，位於螺旋狀之下段側的下段側外周配管部317b，係經由作為下游側連接流徑部之下游側連接管部319，而連接於下游配管部312。下游側連接管部319可考慮與下游配管312及下段側外周配管部317b呈不同體地設置，亦可與下游配管部312呈一體地設置。藉由此種構成，於下游配管部312流入由下段側外周配管部317b所排出的熱媒體。
如此，於上段側貫通配管部316a連接上游配管部311，於下段側外周配管部317b連接下游配管部312。從而，上游配管部311與下游配管部312構成為各自的設置高度彼此相異。
具有以上般之上游配管部311、上游側連接管部318、貫通配管部316、外周配管部317、下游側連接管部319、及下游配 管部312的配管310a~310d，係由Al或SUS等高熱傳導率的金屬配管材所構成。
然而，關於配管310a~310d，即使由金屬配管材所構成，若依熱媒體流速較高之狀態持續流通該熱媒體，則有因金屬配管材之表面金屬離子化，而發生腐蝕作用之虞。尤其若是熱媒體容易滯留的構造部分，該構造部分較其他配管部分可能較快發生腐蝕作用。所謂熱媒體容易滯留的構造部分，係指例如曲率半徑較小之彎曲管形狀部分(角部分)、具角度之形狀部分、與熱媒體主流方向呈交叉之T字構造部分等，亦指高壓力之熱媒體之衝突可能性較高的構造部分。從而，關於配管310a~310d，較理想係不存在容易滯留熱媒體的構造部分。
因此，捲裝於各處理室RCL、RCR之配管部分，係構成為如以下所述。具體而言，以貫通配管部316為熱媒體之輸入側，以外周配管部317為熱媒體之輸出側。而且，依熱媒體由輸入側流動至輸出側時之能量損失為於各處理室RCL、RCR之各別側呈均等的方式，作成為左右對稱的流徑形狀。
如此，若為以貫通配管部316為熱媒體之輸入側、以外周配管部317為熱媒體之輸出側的構成，由於可將上游側連接管部318形成為直線狀，故至少於熱媒體之輸入側不需要配置曲率半徑小之角部分或具角度之形狀部分等。相較於屬於輸出側之下游側，熱媒體之流動係在屬於輸入側之上游側的流勢較強。因此，若可將輸入側形成為直線狀，則可避免在熱媒體流動較強之上游側存在該熱媒體容易滯留的構造部分的情形。
又，關於下游側連接管部319，為了與外周配管部317 連接而產生配置角部分(例如圖3(a)中之箭頭C部分)的必要。然而，下游側連接管部319由於位於熱媒體流動較弱之下游側，故即使必須設置角部分，仍可抑制高壓力之熱媒體衝突至此的情形。
亦即，若以貫通配管部316為熱媒體之輸入側、以外周配管部317為熱媒體之輸出側，可構成為上游側連接管部318之曲率半徑大於下游側連接管部319之曲率半徑(亦即，上游側連接管部318之曲率小於下游側連接管部319之曲率)，藉此可抑制存在熱媒體容易滯留之構造部分。
假設在以外周配管部317為熱媒體之輸入側、以貫通配管部316為熱媒體之輸出側的情況，角部分(例如圖3(a)中之箭頭C部分)滯留熱媒體之可能性高，因此有發生腐蝕作用之虞。
為了防止此種腐蝕作用，亦可延長各處理室RCL、RCR與角部分間之距離(管長)、減小該角部分之曲率半徑(曲率增大)。
然而，此情況下，產生充分確保配管設置空間的必要，其結果導致覆蓋區(foot print，基板處理裝置之佔有空間)增大。相對於此，在如上述般捲裝於各處理室RCL、RCR之配管部分係以貫通配管部316為熱媒體之輸入側、以外周配管部317為熱媒體之輸出側的情況，覆蓋區並不增大。從而，在必須考慮到覆蓋區的情況，較理想係配管部分為以貫通配管部316為熱媒體之輸入側、以外周配管部317為熱媒體之輸出側。
(4)基板處理步驟
接著，作為半導體製造步驟之一步驟，針對使用上述構成之處理室RCL、RCR於晶圓200上形成薄膜的步驟進行說明。又，以 下說明中，構成基板處理裝置之各部的動作係由控制器280所控制。
於此，使用將TiCl4氣化而得之TiCl4氣體作為含第一元素氣體(第一處理氣體)，使用NH3氣體作為含第二元素氣體(第二處理氣體)，針對藉由將此等交替供給而於晶圓200上形成氮化鈦(TiN)膜作為金屬薄膜的例子進行說明。
圖4為表示本實施形態之基板處理步驟之概要的流程圖。圖5為表示圖4之成膜步驟之詳細的流程圖。
(基板搬入載置、加熱步驟：S102)
於各處理室RCL、RCR內，首先，使基板載置台212下降至晶圓200之搬送位置(搬送處)，藉此於基板載置台212之貫通孔214使頂銷207貫通。其結果，成為頂銷207較基板載置台212表面突出僅既定高度部分的狀態。接著，打開閘閥205使搬送空間203與真空搬送室140連通。然後，由此真空搬送室140使用真空搬送機器人170將晶圓200搬入至搬送空間203，將晶圓200移載至頂銷207上。藉此，晶圓200係於由基板載置台212表面突出之頂銷207上依水平姿勢被支撐著。
將晶圓200搬入至處理容器202內後，使真空機搬送機器人170退避至處理容器202外，關閉閘閥205而將處理容器202內密閉。其後，藉由使基板載置台212上升，而使晶圓200載置在設置於基板載置台212之基板載置面211上，進而藉由使基板載置台212上升，而使晶圓200上升至上述處理空間201內的處理位置(基板處理處)。
晶圓200被搬入至搬送空間203後，在上升至處理空 間201內之處理位置時，將閥266與閥267設為關閉狀態。藉此，阻斷搬送空間203與TMP265之間、以及TMP265與排氣管264之間，結束由TMP265所進行之搬送空間203的排氣。另一方面，打開閥277與閥275，使處理空間201與APC276之間連通，同時使APC276與DP278之間連通。APC276係藉由調整排氣管262的傳導度，而控制DP278所進行之處理空間201的排氣流量，將處理空間201維持在既定壓力(例如10-5~10-1Pa的高真空)。
尚且，此步驟中，亦可一邊對處理容器202內進行排氣，一邊由惰性氣體供給系統245對處理容器202內供給作為惰性氣體的N2氣體。亦即，亦可藉由於以TMP265或DP278對處理容器202進行排氣之下，至少打開第三氣體供給系統的閥245d，而對處理容器202內供給N2氣體。藉此，可抑制顆粒對晶圓200上之附著。
又，在將晶圓200載置於基板載置台212上時，係對埋入於基板載置台212內部之加熱器213供給電力，且晶圓200表面被控制為既定溫度。此時，加熱器213之溫度係根據由未圖示之溫度感應器所檢測之溫度資訊，藉由控制對加熱器213之通電程度而予以調整。
如此，於基板搬入載置、加熱步驟(S102)中，將處理空間201內控制為既定壓力，同時將晶圓200之表面溫度控制為既定溫度。於此，所謂既定溫度、壓力，係指於後述成膜步驟(S104)中，可藉由交替供給法而形成例如TiN膜的溫度、壓力。亦即，藉由第一處理氣體供給步驟(S202)所供給之含第一元素氣體(原料氣體)為不自我分解之程度的溫度、壓力。具體而言，溫度為例如室 溫以上且500℃以下、較佳為室溫以上且400℃以下，壓力設為例如50~5000Pa。此溫度、壓力係於後述成膜步驟(S104)中亦維持。
(成膜步驟：S104)
於基板搬入載置、加熱步驟(S102)後，接著進行成膜步驟(S104)。以下參照圖5，詳細說明成膜步驟(S104)。又，成膜步驟(S104)係重複進行交替供給相異處理氣體之步驟的循環處理。
(第一處理氣體供給步驟：S202)
於成膜步驟(S104)，首先進行第一處理氣體供給步驟(S202)。於第一處理氣體供給步驟(S202)中，在供給屬於含第一元素氣體之TiCl4氣體作為第一處理氣體時，係打開閥243d，同時依TiCl4氣體流量成為既定流量的方式調整MFC243c。藉此，開始對處理空間201內供給TiCl4氣體。又，TiCl4氣體之供給流量為例如100sccm以上且5000sccm以下。此時，打開第三氣體供給系統之閥245d，由第三氣體供給管245a供給N2氣體。又，亦可由第一惰性氣體供給系統流通N2氣體。又，亦可在此步驟之前，開始由第三氣體供給管245a供給N2氣體。
供給至處理空間201的TiCl4氣體係被供給至晶圓200上。然後，於晶圓200表面，藉由TiCl4氣體接觸至晶圓200上而形成作為「含第一元素層」的含鈦層。
含鈦層係配合例如處理容器202內之壓力、TiCl4氣體之流量、基板支撐部(基座)210之溫度、通過處理空間201所花費時間等，而依既定厚度及既定分佈形成。又，於晶圓200上，亦 可事先形成既定膜。又，於晶圓200或既定膜亦可事先形成既定圖案。
在開始TiCl4氣體之供給經過既定時間後，關閉閥243d，停止供給TiCl4氣體。TiCl4氣體之供給時間為例如2~20秒。
於此種第一處理氣體供給步驟(S202)中，係將閥275及閥277設為開放狀態，控制為藉由APC276使處理空間201之壓力成為既定壓力。於第一處理氣體供給步驟(S202)中，閥275及閥277以外的排氣系統的閥係設為全部關閉狀態。
(沖洗步驟：S204)
在停止TiCl4氣體之供給後，由第三氣體供給管245a供給N2氣體，進行噴淋頭230及處理空間201的沖洗。此時，閥275及閥277設為開放狀態，控制為藉由APC276使處理空間201之壓力成為既定壓力。另一方面，閥275及閥277以外的排氣系統的閥設為全部關閉狀態。藉此，於第一處理氣體供給步驟(S202)中未結合至晶圓200的TiCl4氣體，係藉由DP278而經由排氣管262由處理空間201被去除。
接著，於由第三氣體供給管245a供給N2氣體之狀態下，將閥275及閥277設為關閉狀態，另一方面，將閥270設為開放狀態。其他之排氣系統之閥仍維持關閉狀態。亦即，阻斷處理空間201與APC276之間，並阻斷APC276與排氣管264之間，停止由APC276進行的壓力控制，另一方面，將噴淋頭緩衝室232與DP278之間連通。藉此，殘留於噴淋頭230(噴淋頭緩衝室232)內的TiCl4氣體係經由排氣管263而藉由DP278從噴淋頭230被排氣。
於沖洗步驟(S204)中，為了排除在晶圓200、處理空間201、噴淋頭緩衝室232中的殘留TiCl4氣體，而供給大量之沖洗氣體以提高排氣效率。
在噴淋頭230之沖洗結束時，將閥277及閥275設為開放狀態而使由APC276進行的壓力控制再次開始，同時將閥270設為關閉狀態以阻斷噴淋頭230與排氣管264之間。其他之排氣系統的閥維持關閉狀態。此時，亦繼續由第三氣體供給管245a供給N2氣體，並繼續噴淋頭230及處理空間201的沖洗。又，沖洗步驟(S204)中，雖然在經由了排氣管263之沖洗的前後進行了經由排氣管262的沖洗，但亦可僅進行經由排氣管263的沖洗。或亦可同時進行經由排氣管263之沖洗與經由排氣管262之沖洗。
(第二處理氣體供給步驟：S206)
在噴淋頭緩衝室232及處理空間201之沖洗結束後，接著進行第二處理氣體供給步驟(S206)。於第二處理氣體供給步驟(S206)，係打開閥244d，經由遠端電漿單元244e、噴淋頭230開始對處理空間201內供給屬於含第二元素氣體之NH3氣體作為第二處理氣體。此時，以NH3氣體流量成為既定流量的方式調整MFC244c。NH3氣體之供給流量為例如1000~10000sccm。又，第二處理氣體供給步驟(S206)中，亦可將第三氣體供給系統之閥245d設為開放狀態，由第三氣體供給管245a供給N2氣體。藉此，防止NH3氣體侵入至第三氣體供給系統。
藉由遠端電漿單元244e形成為電漿狀態的NH3氣體，係經由噴淋頭230而供給至處理空間201內。所供給之NH3 氣體係與晶圓200上之含鈦層反應。然後，已形成之含鈦層被NH3氣體之電漿改質。藉此，於晶圓200上形成例如屬於含有鈦元素及氮元素之層的TiN層。
TiN層係配合例如處理容器202內之壓力、NH3氣體之流量、基板支撐部(基座)210之溫度、電漿生成部206之電力供給情況等，而依既定厚度、既定分佈、氮成分等對於含鈦層之既定侵入深度形成。
在NH3氣體開始供給經過既定時間後，關閉閥244d，停止供給NH3氣體。NH3氣體之供給時間為例如2~20秒。
於此種第二處理氣體供給步驟(S206)中，係與第一處理氣體供給步驟(S202)同樣地，閥275及閥277設為開放狀態，控制為藉由APC276使處理空間201之壓力成為既定壓力。又，閥275及閥277以外的排氣系統的閥係設為全部關閉狀態。
(沖洗步驟：S208)
在停止NH3氣體之供給後，實行與上述沖洗步驟(S204)相同的沖洗步驟(S208)。沖洗步驟(S208)之各部動作係與上述沖洗步驟(S204)相同，故於此省略說明。
(判定步驟：S210)
將以上之第一處理氣體供給步驟(S202)、沖洗步驟(S204)、第二處理氣體供給步驟(S206)、沖洗步驟(S208)作為1循環，控制器280係判定是否實施了既定次數(n循環)之此循環(S210)。若實施既定次數之循環，則於晶圓200上形成所需膜厚的TiN層。
(判定步驟：S106)
回到圖4之說明，在由以上各步驟(S202~S210)所構成的成膜步驟(S104)後，實行判定步驟(S106)。判定步驟(S106)係判定是否實施了既定次數之成膜步驟(S104)。於此，所謂既定次數，係指例如重複成膜步驟(S104)至產生維修必要之程度的次數。
上述成膜步驟(S104)中，於第一處理氣體供給步驟(S202)中，有TiCl4氣體洩漏至搬送空間203側，進而侵入至基板搬出入口206的情形。又，於第二處理氣體供給步驟(S206)亦同樣地，有NH3氣體洩漏至搬送空間203，進而侵入至基板搬出入口206的情形。於沖洗步驟(S204、S208)中，難以對搬送空間203之環境氣體進行排氣。因此，若TiCl4氣體及NH3氣體侵入至搬送空間203側，則所侵入之氣體彼此發生反應，而於搬送空間203內或基板搬出入口206等之壁面堆積反應副產物等之膜。如此堆積之膜可能成為顆粒。從而，必須對處理容器202內進行定期的維修。
因此，於判定步驟(S106)中，在判定為成膜步驟(S104)之進行次數尚未到達既定次數的情況，係判斷為尚未產生對處理容器202內之維修的必要，而移行至基板搬出入步驟(S108)。另一方面，在判定為成膜步驟(S104)之進行次數已到達既定次數的情況，則判斷為產生了對處理容器202內之維修的必要，而移行至基板搬出步驟(S110)。
(基板搬出入步驟：S108)
於基板搬出入步驟(S108)，係依與上述基板搬入載置、加熱步 驟(S102)相反的順序，將處理完畢之晶圓200搬出至處理容器202外。而且，依與基板搬入載置、加熱步驟(S102)相同的順序，將其次待機之未處理之晶圓200搬入至處理容器202內。其後，對所搬入之晶圓200實行成膜步驟(S104)。
(基板搬出步驟：S110)
於基板搬出步驟(S110)，係取出處理完畢之晶圓200，使處理容器202內成為不存在晶圓200的狀態。具體而言，係依與上述基板搬入載置、加熱步驟(S102)相反的順序，將處理完畢之晶圓200搬出至處理容器202外。然而，與基板搬出入步驟(S108)的情況相異，於基板搬出步驟(S110)，並未進行將其次待機之新穎之晶圓200對處理容器202內的搬入。
(維修步驟：S112)
在基板搬出步驟(S110)結束時，其後移行至維修步驟(S112)。於維修步驟(S112)，係進行對處理容器202內之清洗處理。具體而言，將清洗氣體供給系統之閥248d設為開放狀態，來自清洗氣體供給源248b之清洗氣體係通過第三氣體供給管245a及共通氣體供給管242，而供給至噴淋頭230內及處理容器202內。所供給之清洗氣體係在流入至噴淋頭230及處理容器202內後，通過第一排氣管261、第二排氣管262或第三排氣管263而被排氣。從而，於維修步驟(S112)，可利用上述清洗氣體之氣流，主要對噴淋頭230內及處理容器202內，進行去除所附著之堆積物(反應副產物等)的清洗處理。維修步驟(S112)係在既定時間進行了以上般之清洗處理後 結束。既定時間可事先適當設定，並無特別限定。
(判定步驟：S114)
維修步驟(S112)結束後，實行判定步驟(S114)。於判定步驟(S114)，係判定上述一連串之各步驟(S102~S112)是否實施了既定次數。於此，所謂既定次數，係指例如相當於事先預定之晶圓200片數(亦即，收納於IO台110上之晶圓盒111的晶圓200片數)的次數。
然後，在判定為各步驟(S102~S112)之重複次數尚未到達既定次數的情況，再次由基板搬入載置、加熱步驟(S102)起實行上述一連串之各步驟(S102~S112)。另一方面，在判定為各步驟(S102~S112)之重複次數已到達既定次數的情況，則判斷為對收納於IO台110上之晶圓盒111之所有晶圓200的基板處理步驟完成，而結束上述一連串的各步驟(S102~S114)。
(5)調溫系統部所進行之溫度調整處理
接著，針對在上述一連串之基板步驟步驟時，調溫系統部20對各處理室RC1~RC8進行的溫度調整處理，參照圖1進行說明。又，以下說明中，構成調溫系統部20之各部的動作係由控制器280所控制。
(熱媒體之供給)
在各處理模組PM1a~PM1d之處理室RC1~RC8分別實行上述一連串之基板處理步驟(S102~S114)的期間，調溫系統部20之各調溫部320a~320d係使泵324等動作，對配管310a~310d之管內供給 熱媒體。藉此，各處理室RC1~RC8係藉由進行與熱媒體之熱交換，而分別維持為既定溫度(例如50℃左右)。
此時，在各配管310a~310d所具有之上游配管部311所設置的各個感應器315a~315d，係檢測管內流通之熱媒體的狀態。由各感應器315a~315d所檢測出之數據，被送至控制器280。控制器280係根據由各感應器315a~315d所接收之數據，控制各調溫部320a~320d。具體而言，根據由感應器315a所檢測出之數據控制調溫部320a，根據由感應器315b所檢測出之數據控制調溫部320b等，各調溫部320a~320d係根據所對應之感應器315a~315d檢測出之數據而被控制器280控制。各調溫部320a~320d係根據各感應器315a~315d所得之檢測結果，依供給至各處理模組PM1a~PM1d之熱媒體狀態於各個間成為同等的方式，獨立控制泵324等。
(感應器檢測)
作為進行熱媒體狀態檢測的感應器315a~315d，例如使用可計測該熱媒體之壓力、流量、溫度之任一者、或此等之組合者。具體而言，例如感應器315a~315d係檢測該熱媒體之溫度作為熱媒體狀態。又，例如感應器315a~315d係檢測該熱媒體之壓力作為熱媒體狀態，同時檢測該熱媒體有無因其壓力變動而洩漏至管外。又，例如感應器315a~315d係檢測該熱媒體之流量作為熱媒體狀態。又，例如感應器315a~315d係檢測該熱媒體之流量與溫度作為熱媒體狀態，藉此可求得該熱媒體之熱容量。尤其是在熱容量的情況，如已知般可藉由熱媒體之比熱、流量、溫度而無岐意地求得。亦即，可 藉由計測流量或溫度而輕易求得熱容量。從而，可容易把握供給至外周配管部317之熱媒體是否維持所需之熱容量。
設於各配管310a~310d之各個感應器315a~315d，係距所對應之各處理模組PM1a~PM1d配置為同等距離。例如，設置於配管310a所具有之上游配管部311的感應器315a及與其對應之處理模組PM1a間的距離(管長)，以及設置於配管310b所具有之上游配管部311的感應器315b及與其對應之處理模組PM1b間的距離(管長)，係構成為分別幾乎相等的長度。如此，可使設置於各配管310a~310d之各個感應器315a~315d中，由各處理模組PM1a~PM1d所見到之檢測條件幾乎相等。
(根據感測器檢測結果之熱媒體的狀態控制)
在感應器315a~315d檢測熱媒體狀態時，各調溫部320a~320d係如以下所述般進行對該熱媒體之狀態控制。
例如，在感應器315a~315d檢測熱媒體溫度時，於對應之調溫部320a~320d，若其感應器315a~315d之檢測結果低於既定之溫度範圍，則依成為既定溫度範圍之方式藉加熱單元322對熱媒體進行加熱。與此相反地，若其感應器315a~315d之檢測結果高於既定之溫度範圍，則藉冷卻單元323對熱媒體進行冷卻。
又，例如在感應器315a~315d檢測熱媒體之壓力時，於對應之調溫部320a~320d，若其感應器315a~315d之檢測結果脫離既定之壓力範圍，則依熱媒體之壓力成為既定壓力範圍的方式控制泵324之動作。
又，例如在感應器315a~315d檢測熱媒體之流量時，於對應之 調溫部320a~320d，若其感應器315a~315d之檢測結果脫離既定之流量範圍，則依熱媒體之流量成為既定流量範圍的方式控制流量控制部325之動作。
又，例如在感應器315a~315d檢測熱媒體之溫度與流量時，於對應之調溫部320a~320d，若其感應器315a~315d之檢測結果脫離既定之溫度範圍，則依熱媒體之溫度成為既定溫度範圍的方式控制加熱單元322或冷卻單元323之動作，同時若其感應器315a~315d之檢測結果脫離既定之流量範圍，則依熱媒體之流量成為既定流量範圍的方式控制流量控制部325之動作。
如以上，各調溫部320a~320d係根據各感應器315a~315d所得的檢測結果，將在各配管310a~310d流通之熱媒體控制為既定狀態。亦即，若熱媒體脫離既定狀態，則依恢復其狀態之方式，由各調溫部320a~320d控制熱媒體之狀態。從而，各調溫部320a~320d係將對各處理模組PM1a~PM1d所供給之熱媒體維持為既定狀態。
而且，各調溫部320a~320d係分別獨立進行對熱媒體狀態的恢復控制。亦即，某調溫部320a之控制內容係根據對應至其調溫部320a所設置之感應器315a的檢測結果而決定，不受其他調溫部320b~320d之控制內容的影響。從而，例如即使在視無塵室內之清淨度等設置環境的情況，各配管310a~310d之管長構成為每個處理模組PM1a~PM1d相異的情況，仍不致受到該管長差異的影響，可使對各處理模組PM1a~PM1d所供給之熱媒體狀態幾乎均勻。
(維修步驟時之處理)
於上述一連串之基板處理步驟(S102~S114)，係包括維修步驟(S112)。維修步驟(S112)可列舉在上述說明中成膜步驟(S104)之次數到達既定次數後而進行的情況為例，但並不一定限定於此。例如，即使在成膜步驟(S104)實施既定次數之前，在熱媒體所流通之配管310a~310d中發生了需要維修之程度的錯誤時，可考慮移行至維修步驟(S112)。又，在晶圓200之處理結果發生問題的情況等，亦可適當移行至維修步驟(S112)。
此種維修步驟(S112)係設為對每個處理模組PM1a~PM1d進行。在進行維修步驟(S112)時，係將成為維修對象之處理模組PM1a~PM1d所連接之配管310a~310d中的閥313、314設為關閉狀態，使熱媒體之循環停止。其中，關於並非維修對象之處理模組PM1a~PM1d，係將閥313、314設為開放狀態，繼續熱媒體供給。亦即，調溫系統部20由於具備分別對應至各處理模組PM1a~PM1d而個別設置的複數之調溫部320a~320d，故可實現依各處理模組PM1a~PM1d單位進行維修步驟(S112)。
若依各處理模組PM1a~PM1d單位進行維修步驟(S112)，即使維修對象為處理模組PM1a~PM1d之任一者，仍不需要停止對所有各處理模組PM1a~PM1d的熱媒體供給。從而，可抑制為了維修步驟(S112)而各處理模組PM1a~PM1d之作動效率顯著降低的情形。
又，即使在各處理模組PM1a~PM1d單位進行維修步驟(S112)的情況，各調溫部320a~320d仍可分別獨立進行熱媒體之狀態控制。因此，關於熱媒體之狀態，成為維修對象之處理模組PM1a~PM1d的影響並不波及並非維修對象之處理模組 PM1a~PM1d。具體而言，由於各調溫部320a~320d獨立管理供給至各處理模組PM1a~PM1d的熱媒體，故即使僅針對維修對象停止熱媒體供給，仍可避免因停止熱媒體供給或供給再開始所伴隨的系統內熱收支發生變化。亦即，不致導致起因於停止熱媒體供給或供給再開始而使供給至非維修對象之處理模組PM1a~PM1d的熱媒體之溫度變動，因此，亦不產生等待熱媒體之溫度變動穩定為止再開始處理的必要，故可抑制各處理模組PM1a~PM1d的作動效率降低的情形。
如此，藉由分別對應至各處理模組PM1a~PM1d而個別設置之各調溫部320a~320d獨立進行熱媒體之狀態控制，即使在進行維修步驟(S112)的情況，仍可達到各處理模組PM1a~PM1d之停止時間的縮短化，可提高裝置整體的運用效率。
(6)本實施形態之效果
根據本實施形態，可發揮以下所示之一種或複數種效果。
(a)本實施形態中，係將複數之調溫部320a~320d分別對應至複數之處理模組PM1a~PM1d而個別設置，各調溫部320a~320d分別獨立進行對熱媒體狀態的恢復控制。從而，根據本實施形態，可實現依各處理模組PM1a~PM1d單位的維修，可抑制該維修所伴隨之各處理模組PM1a~PM1d的作動效率降低。
於此，針對本實施形態之比較例進行考量。
圖6為模示性表示比較例之基板處理裝置一例的說明圖。
圖例之基板處理裝置係與上述本實施形態之情況同樣地，具備複數(例如四個)處理模組51a~51d而構成。於各處理模組51a~51d 捲裝著配管52a~52d，且於各配管52a~52d連接一個調溫單元53。然後，藉由以調溫單元53對各配管52a~52d一概性地供給熱媒體並循環，而將各處理模組51a~51d之處理室(反應器)維持為既定溫度(例如50℃左右)。
於此種構成之基板處理裝置中，在進行維修時，因作業環境的情況，而停止對捲裝於處理模組51a~51d之配管52a~52d的熱媒體供給(例如參照圖中箭頭D)。然而，由於以一個調溫單元53一概性地對各配管52a~52d供給熱媒體，故例如即使在維修對象為僅一個處理模組51a的情況，其影響仍波及非處理對象之其他處理模組51b~51d。亦即，有由於維修之影響波及，而導致各處理模組51a~51d的作動效率降低之虞。
相對於此，本實施形態中，複數之調溫部320a~320d係對應至各處理模組PM1a~PM1d而個別設置，由於各調溫部320a~320d分別獨立進行對熱媒體狀態的恢復控制，故即使必須進行各處理模組PM1a~PM1d之任一者的維修，仍可抑制各處理模組PM1a~PM1d之作動效率降低。
而且，由於各調溫部320a~320d分別獨立進行對熱媒體狀態之恢復控制，故可將各處理模組PM1a~PM1d之處理條件維持為可得到既定品質的條件。亦即，在為了提高生產性而於各處理模組PM1a~PM1d間進行同樣處理的情況，對於使在各處理模組PM1a~PM1d所處理之各晶圓200保持為一定品質方面非常有效。
(b)又，本實施形態中，即使各配管310a~310d之管長構成為每個處理模組PM1a~PM1d相異，各調溫部320a~320d仍分別獨立進行對熱媒體狀態之恢復控制。從而，根據本實施形態，即 使各配管310a~310d之管長相異，仍可使對各處理模組PM1a~PM1d所供給之熱媒體之狀態幾乎均勻，可使各處理模組PM1a~PM1d之調溫狀態實質上相等。
(c)又，本實施形態中，設置於各配管310a~310d之感應器315a~315d若為檢測熱媒體之壓力或流量者，則即使熱媒體之壓力或流量發生變動，仍可由各調溫部320a~320d進行恢復控制。從而，根據本實施形態，可使供給至各處理模組PM1a~PM1d之熱媒體的壓力或流量之狀態成為在成膜狀態無差異的範圍。
(d)又，本實施形態中，設置於各配管310a~310d之感應器315a~315d若為檢測熱媒體之溫度者，則即使熱媒體之溫度發生變動，仍可由各調溫部320a~320d進行恢復控制。從而，根據本實施形態，可使供給至各處理模組PM1a~PM1d之熱媒體的溫度狀態成為在成膜狀態無差異的範圍。
(e)又，本實施形態中，由感應器315a~315d之設置位置至各處理模組PM1a~PM1d為止的各配管310a~310d的管長，係構成為使該各配管310a~310d所流通之熱媒體之狀態之損失量成為既定範圍內的長度。從而，根據本實施形態，可使藉感應器315a~315d所檢測後之熱媒體之壓力降低、流量降低、溫度降低等之損失量抑制於既定範圍內，可抑制由感應器315a~315d進行了狀態檢測之熱媒體在到達各處理模組PM1a~PM1d為止的該熱媒體的狀態變化。
(f)又，本實施形態中，由感應器315a~315d之設置位置至各處理模組PM1a~PM1d為止的各配管310a~310d的管長，係構成為於該各配管310a~310d分別成為均等之長度。從而，根據本 實施形態，可使在各配管310a~310d所設置之各個感應器315a~315d的檢測條件幾乎相等，即使在由感應器315a~315d進行了狀態檢測之熱媒體在到達各處理模組PM1a~PM1d前發生該熱媒體的狀態變化之情況，仍可抑制其狀態變化在各處理模組PM1a~PM1d間發生偏差的情形。
(g)又，本實施形態中，對供給至處理模組PM1a~PM1d之熱媒體狀態進行檢測的感應器315a~315d，係設置於各配管310a~310d之上游配管部311。從而，根據本實施形態，可使對各配管310a~310d中之熱媒體的感應條件適當、且更確實地相等。例如，假設將感應器315a~315d設置於下游配管部312的情況，由於在每個處理模組PM1a~PM1d發生熱媒體狀態(溫度等)之損失量的差異，故有於對熱媒體之感應條件發生偏差之虞。關於此點，若將感應器315a~315d設置於上游配管部311，則由於在熱媒體到達各處理模組PM1a~PM1d前即被感應，故可使感應條件適當、且更確實地相等。
(h)又，本實施形態中，各處理模組PM1a~PM1d具備二個處理室(反應器)RCL、RCR，上游配管部311連接至通過各處理室RCL、RCR間之上段側貫通配管部316a，下游配管部312連接至通過各處理室RCL、RCR之外周側的下段側外周配管部317b。從而，根據本實施形態，至少對於熱媒體之輸入側，不需要配置曲率半徑小之角部分或具角度之形狀部分等，可使配管310a~310d形成為直線狀。亦即，可避免於熱媒體流動較強之上游側存在該熱媒體容易滯留之構造部分，抑制配管表面之金屬因離子化而發生腐蝕作用的情形。
(i)又，本實施形態中，上游側連接管部318或下游側連接管部319成為存在角部分等之構造，因此有較其他配管部更容易發生腐蝕作用之虞。因此，如本實施形態所說明般，若將上游側連接管部318與上游配管部311及上段側貫通配管部316a呈不同體地設置，或將下游側連接管部319與下游配管部312及下段側外周配管部317b呈不同體地設置，則可僅將上游側連接配管部318或下游側連接配管部319作為不同零件而進行交換，可實現依較其他配管部高之頻率進行零件交換。從而，對於可能在上游側連接配管部318或下游側連接配管部319發生之腐蝕作用，可容易且適當地對應。
(j)又，本實施形態中，上游側連接配管部318或下游側連接配管部319亦可與上游配管部311或下游配管部312呈一體地設置。例如，在上游側連接配管部318或下游側連接配管部319為不同零件的情況，在上游配管部311或下游配管部312的連接處，有因其構造上之問題而於管內發生段差等之虞。此種連接處之段差等，可能成為管內流通之熱媒體衝突之部分、亦即該熱媒體容易滯留之構造部分。然而，若使上游配管部311或下游配管部312呈一體地構成，由於不存在連接處之段差等，故熱媒體不滯留，其結果可減少對配管310a~310d之維修頻率。
(k)又，本實施形態中，係構成為上游側連接配管部318之曲率半徑大於下游側連接配管部319之曲率半徑。從而，根據本實施形態，即使在上游側連接配管部318或下游側連接配管部319存在角部分等，仍可抑制於熱媒體之流動較強之上游側存在熱媒體容易滯留之構造部分的情形。亦即，由於熱媒體之流勢在上游 側較下游側強，故可在其上游側作成為緩和熱媒體流動的構造。
(l)又，本實施形態中，係構成為上游配管部311之設置高度與下游配管部312之設置高度彼此相異。從而，根據本實施形態，可將熱媒體分別對各處理室RCL、RCR之流徑形狀，設為使貫通配管部316及外周配管部317描繪呈螺旋狀般的左右對稱。亦即，可實現使捲裝於各處理室RCL、RCR之配管長左右均等，可使各處理室RCL、RCR之溫度調整條件相等。
[本發明之第二實施形態]
接著，說明本發明之第二實施形態。於此，主要說明與上述第一實施形態的相異點，關於與第一實施形態相同處係省略說明。
(裝置構成)
圖7為表示第二實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖。
圖例之基板處理裝置1與上述第一實施形態之構成的相異點在於：不僅是上游配管部311，於下游配管部312亦設置感應器331a~331d。
感應器331a~331d係與設置於上游配管部311之感應器315a~315d同樣地，檢測於下游配管部312之管內所流通的熱媒體狀態。亦即，感應器331a~331d係與感應器315a~315d同樣地，檢測熱媒體之壓力、流量、溫度之任一者或適當組合此等之複數者。
感應器315a~315d係對由各調溫部320a~320d供給至各處理模組PM1a~PM1d之熱媒體的狀態進行檢測。相對於此，感應器 331a~331d係對由各處理模組PM1a~PM1d所輸出之回到各調溫部320a~320d之熱媒體的狀態進行檢測。
此種感應器331a~331d若利用公知技術而構成者即可，於此省略其詳細說明。
設置於各配管310a~310d之各個感應器331a~331d，係與感應器315a~315d的情況同樣地，配置為距對應之各處理模組PM1a~PM1d同等的距離。例如，設置於配管310a所具有之下游配管部312的感應器331a及與其對應之處理模組PM1a間的距離(管長)，以及設置於配管310b所具有之下游配管部312的感應器331b及與其對應之處理模組PM1b間的距離(管長)，係構成為分別幾乎相等的長度。如此，可使設置於各配管310a~310d之各個感應器331a~331d的檢測條件幾乎相等。
(根據感應器檢測結果之控制處理)
在如本實施形態般於下游配管部312亦設置感應器331a~331d的情況，係藉由感應器315a~315d、331a~331d分別檢測熱媒體狀態，求得各個中之檢測結果的差分，藉此可判定於感應器315a~315d、331a~331d之間有無熱媒體之問題。
具體而言，藉由在某配管310a所具有之上游配管部311所設置的感應器315a，與在該配管310a所具有之下游配管部312所設置的感應器331a，檢測各個管內所流通之熱媒體的狀態。然後，求得各個檢測結果的差分，判斷其差分是否超過預先設定之容許損失範圍。其結果，在差分超過容許損失範圍的情況，判斷為於上游配管部311與下游配管部312之間之任一配管部分有發生因 腐蝕作用所造成之熱媒體洩漏或堵塞等的可能性。亦即，根據各個感應器315a~315d、331a~331d之檢測結果，於各配管310a~310d中，識別是否有熱媒體之循環未正常進行的可能性。關於此識別結果，可認為例如作為有進行配管維修之必要的旨意的警報資訊，對維修作業者進行通知輸出。
(本實施形態之效果)
根據本實施形態，除了上述第一實施形態之效果之外，尚發揮以下所示效果。
(m)本實施形態中，除了設置於上游配管部311之感應器(上游感應器)315a~315d之外，亦具有設置於下游配管部312之感應器(下游感應器)331a~331d。從而，根據本實施形態，依據各感應器315a~315d、331a~331d之檢測結果，可針對是否有熱媒體之循環未正常進行之可能性進行管理。
[本發明之第三實施形態]
接著，說明本發明之第三實施形態。於此，亦主要說明與上述第一實施形態的相異點，關於與第一實施形態相同處係省略說明。
(裝置構成)
圖8為表示第三實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖。
圖例之基板處理裝置1係調溫系統部20之構成與上述第一實施形態及第二實施形態之構成相異。具體而言，於第一實施形態及 第二實施形態中各調溫部320a~320d個別地具有循環槽321，但於圖例之基板處理裝置1中，設為各調溫部320a~320d共有循環槽321之構成。
各調溫部320a~320d係各自個別地具有泵324a~324d及流量控制部325a~325d。亦即，於調溫部320a設置泵324a及流量控制部325a；於調溫部320b設置泵324b及流量控制部325b；於調溫部320c設置泵324c及流量控制部325c；於調溫部320d設置泵324d及流量控制部325d。
(根據感應器檢測結果之控制處理)
於以上構成之基板處理裝置1，調溫系統部20係藉由控制器280而依以下的方式進行控制。
例如，在感應器315a~315d對熱媒體之壓力進行檢測時，於對應之調溫部320a~320d，若其感應器315a~315d之檢測結果脫離既定之壓力範圍，則依熱媒體之壓力成為既定壓力範圍之方式個別地控制泵324a~324d的動作。從而，在感應器315a之檢測結果脫離既定壓力範圍的情況，由於對應其之調溫部320a控制泵324a之動作，故其影響不致波及其他調溫部320b~320d。
又，例如在感應器315a~315d對熱媒體之流量進行檢測時，於對應之調溫部320a~320d，若其感應器315a~315d之檢測結果脫離既定之流量範圍，則依熱媒體之流量成為既定流量範圍之方式個別地控制流量控制器325a~325d的動作。從而，在感應器315a之檢測結果脫離既定流量範圍的情況，由於對應其之調溫部320a控制流量控制部325a之動作，故其影響不致波及其他流量控 制部325b~325d。
亦即，本實施形態中，即使各調溫部320a~320d共有循環槽321，各調溫部320a~320d仍可分別獨立進行對熱媒體狀態的恢復控制。
(本實施形態之效果)
根據本實施形態，除了上述第一實施形態之效果之外，尚發揮以下所示效果。
(n)本實施形態中，由於例如一個循環槽321共有化，故可穩定控制熱媒體之溫度，同時可僅藉由開關閥313、314而控制熱容量，故可依單純構成即達成各處理模組PM1a~PM1d之外周溫度的均勻化。
尚且，本實施形態中，與第一實施形態同樣地，設為於上游配管部311設置了感應器315a~315d之構成，但並不限定於此，亦可於下游配管部312設置感應器331a~331d。
[其他實施形態]
以上具體說明了本發明之第一實施形態、第二實施形態及第三實施形態，但本發明並不限定於上述各實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變更。
例如，上述各實施形態中，舉例了流通熱媒體之流徑為藉由金屬配管材所構成之配管310a~310d的情形，但本發明並不限定於此。亦即，流通熱媒體之流徑，若為分別設置於各處理模組PM1a~PM1d者，則並不限定於由配管所形成者，亦可為例如於金 屬塊材之內部形成孔狀或構狀等者。具體而言，例如亦可於金屬塊材中先形成一個或複數流通熱媒體之孔狀或溝狀等之流徑，依使此金屬塊材鄰接至各處理模組PM1a~PM1d壁面的方式安裝，於其中流通熱媒體。
又，例如上述各實施形態中，舉例了各處理模組PM1a~PM1d具備了鄰接配置之二個處理室RCL、RCR的情況，但本發明並不限定於此。亦即，各處理模組PM1a~PM1d可僅具備一個處理室，亦可具備三個以上之處理室。
又，例如上述各實施形態中，舉例了於基板處理裝置所進行之成膜處理中，使用TiCl4氣體作為含第一元素氣體(第一處理氣體)，使用NH3氣體作為含第二元素氣體(第二處理氣體)，藉由將該等交替供給而於晶圓200上形成TiN膜的情形，但本發明並不限定於此。亦即，用於成膜處理之處理氣體，並不限定於TiCl4氣體或NH3氣體等，亦可使用其他種類之氣體形成其他種類之薄膜。再者，即使在使用3種類以上之處理氣體的情況，若交替供給此等而進行成膜處理，則可應用本發明。具體而言，作為第一元素，不僅是Ti，亦可為例如Si、Zr、Hf等各種元素。又，作為第二元素，不僅是N，亦可為例如O等。
又，例如上述各實施形態中，作為基板處理裝置所進行之處理係舉例了成膜處理，但本發明並不限定於此。亦即，本發明係除了各實施形態所舉例之成膜處理之外，亦可應用於各實施形態所例示之薄膜以外的成膜處理。
又，不論基板處理之具體內容，不僅是成膜處理，亦可應用於進行退火處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、微影處理等其他 之基板處理的情況。再者，本發明亦可應用於其他基板處理裝置，例如退火處理裝置、蝕刻裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿之處理裝置等其他的基板處理裝置。又，本發明亦可混合存在此等裝置。又，可將某實施形態之一部分構成置換為其他實施形態之構成，或於某實施形態之構成加入其他實施形態之構成。又，亦可對各實施形態之一部分構成進行其他構成的追加、刪除、置換。
[本發明之較佳態樣]
以下附記本發明之較佳態樣。
[附記1]
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其具備：複數之處理模組，係處理基板；熱媒體之流徑，係分別設置於上述複數之處理模組；感應器，係對上述流徑所流通之熱媒體之狀態進行檢測；與複數之調溫部，係分別對應於上述複數之處理模組而個別設置，於設置在該處理模組之上述流徑中流通調整上述處理模組之溫度的熱媒體，同時根據上述感應器所得之檢測結果，將該流徑所流通之熱媒體控制為既定狀態。
[附記2]
較佳係提供附記1記載之基板處理裝置，其中， 上述複數之調溫部係遠離上述複數之處理模組而整合設置； 上述流徑係構成為將上述複數之處理模組及分別對應之上述複數之調溫部之間個別地連接，同時配合設有該流徑之上述處理模組，構成為至對應於該處理模組之上述調溫部為止的長度相異。
[附記3]
較佳係提供附記1或2記載之基板處理裝置，其中， 上述感應器係具有對上述流徑所流通之熱媒體的壓力或流量進行檢測的機能；上述調溫部係具有對上述流徑所流通之熱媒體的壓力或流量進行控制的機能。
[附記4]
較佳係提供附記1至3中任一者記載之基板處理裝置，其中， 上述感應器係具有對上述流徑所流通之熱媒體的溫度進行檢測的機能；上述調溫部係具有對上述流徑所流通之熱媒體的溫度進行控制的機能。
[附記5]
較佳係提供附記1至4中任一者記載之基板處理裝置，其中， 自上述感應器之設置位置至上述處理模組為止的上述流徑的長度，係構成為使該流徑所流通之熱媒體狀態之損失量成為既定範圍內的長度。
[附記6]
較佳係提供附記1至5中任一者記載之基板處理裝置，其中， 自上述感應器之設置位置至上述處理模組為止的上述流徑的長度，係構成為分別對上述複數之處理模組成為均等的長度。
[附記7]
較佳係提供附記1至6中任一者記載之基板處理裝置，其中，上述流徑係具有：位於較上述處理模組更上游側之上游流徑部；與位於較上述處理模組更下游側之下游流徑部；上述感應器係設置於上述上游流徑部。
[附記8]
較佳係提供附記7記載之基板處理裝置，其中，上述處理模組係具有並列設置之複數之處理室；上述流徑係具有：通過上述處理模組中之上述複數之處理室之間的貫通流徑部；與通過上述處理模組之外周側的外周流徑部；上述貫通流徑部係連接於上述上游流徑部；上述外周流徑部係連接於上述下游流徑部。
[附記9]
較佳係提供附記8記載之基板處理裝置，其中，上述流徑係具有：上游側連接流徑部，係連接上述上游流徑部與上述貫通流徑部，且與上述上游流徑部及上述貫通流徑部呈不同體地設置；下游側連接流徑部，係連接上述外周流徑部與上述下游流徑 部，且與上述外周流徑部及上述下游流徑部呈不同體地設置。
[附記10]
較佳係提供附記8記載之基板處理裝置，其中，上述流徑係具有：上游側連接流徑部，係連接上述上游流徑部與上述貫通流徑部，且與上述上游流徑部呈一體地設置。
[附記11]
較佳係提供附記8或10記載之基板處理裝置，其中，上述流徑係具有：下游側連接流徑部，係連接上述外周流徑部與上述下游流徑部，且與上述下游流徑部呈一體地設置。
[附記12]
較佳係提供附記8、10或11中任一者記載之基板處理裝置，其中，上述流徑係構成為上述上游側連接流徑部之曲率半徑大於上述下游側連接流徑部之曲率半徑。
[附記13]
較佳係提供附記7至12中任一者記載之基板處理裝置，其中，上述流徑係構成為上述上游流徑部之設置高度與上述下游流徑部之設置高度相異。
[附記14]
較佳係提供附記7至12中任一者記載之基板處理裝置，其中，作為上述感應器，除了設置於上述上游流徑部之上游感應器之外，具有設置於上述下游流徑部之下游感應器。
[附記15]
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具備：將基板搬入至複數之處理模組中的步驟；對上述處理模組供給氣體而處理上述基板的步驟；在上述基板之處理時，由分別對應於上述複數之處理模組而個別設置之複數之調溫部，在分別設置於上述複數之處理模組的流徑中流通熱媒體，調整上述處理模組之溫度，同時藉由感應器檢測上述流徑所流通之熱媒體的狀態，根據上述感應器之檢測結果將上述流徑所流通之熱媒體控制為既定狀態的步驟；與將處理後之上述基板由上述處理模組搬出的步驟。
[附記16]
根據本發明之其他態樣，提供一種程式，其係使電腦實行：將基板搬入至複數之處理模組中的手續；對上述處理模組供給氣體而處理上述基板的手續；在上述基板之處理時，由分別對應於上述複數之處理模組而個別設置之複數之調溫部，在分別設置於上述複數之處理模組的流徑中流通熱媒體，調整上述處理模組之溫度，同時藉由感應器檢測上述流徑所流通之熱媒體的狀態，根據上述感應器之檢測結果將上述 流徑所流通之熱媒體控制為既定狀態的手續；與將處理後之上述基板由上述處理模組搬出的手續。
[附記17]
根據本發明之其他態樣，提供一種記錄媒體，其記錄使電腦實行下述手續的程式：將基板搬入至複數之處理模組中的手續；對上述處理模組供給氣體而處理上述基板的手續；在上述基板之處理時，由分別對應於上述複數之處理模組而個別設置之複數之調溫部，在分別設置於上述複數之處理模組的流徑中流通熱媒體，調整上述處理模組之溫度，同時藉由感應器檢測上述流徑所流通之熱媒體的狀態，根據上述感應器之檢測結果將上述流徑所流通之熱媒體控制為既定狀態的手續；與將處理後之上述基板由上述處理模組搬出的手續。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧本體部
20‧‧‧調溫系統部
110‧‧‧IO台
111‧‧‧晶圓盒
112‧‧‧蓋
120‧‧‧大氣搬送室
121‧‧‧開盒器
122‧‧‧大氣搬送機器人
126‧‧‧預對準器
127‧‧‧框體
128、129‧‧‧基板搬出入口
130‧‧‧負載鎖定室
131‧‧‧框體
132‧‧‧基板載置台
133‧‧‧閘閥
134‧‧‧基板搬出入口
135‧‧‧閘閥
140‧‧‧真空搬送室
141‧‧‧框體
142‧‧‧基板搬出入口
148‧‧‧基板搬出入口
149‧‧‧閘閥
170‧‧‧真空搬送機器人
180、190‧‧‧臂
200‧‧‧晶圓(基板)
280‧‧‧控制器
281‧‧‧演算部
282‧‧‧記憶部
283‧‧‧外部記憶裝置
310a~310d‧‧‧配管
311‧‧‧上游配管部
312‧‧‧下游配管部
313、314‧‧‧閥
315a~315d‧‧‧感應器(上游感應器)
320a~320d‧‧‧調溫部
321‧‧‧循環槽
322‧‧‧加熱單元
323‧‧‧冷卻單元
324‧‧‧泵
325‧‧‧流量控制部
PM1a~PM1d‧‧‧處理模組
RC1~RC8‧‧‧處理室

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：處理室，係對基板進行處理；複數之處理模組，係具有並列設置之複數之上述處理室；熱媒體之流徑，係分別設置於上述複數之處理模組；與複數之調溫部，係對應於各個上述複數之處理模組而個別設置，於設置在該處理模組之上述流徑中流過調整該上述處理模組之溫度的熱媒體；上述流徑係構成為具有：位於較上述處理模組更上游側之上游流徑部；位於較上述處理模組更下游側之下游流徑部；連接於上述上游流徑部，並通過上述處理模組中並列設置之複數之上述處理室之間的貫通流徑部；與連接於上述下游流徑部，並通過上述處理模組之外周側的外周流徑部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於各個上述流徑中設置分別對上述流徑內流通之熱媒體之狀態進行檢測的感應器；上述所檢測之熱媒體之狀態係該熱媒體之壓力、流量、溫度之至少一個之狀態；上述調溫部係根據各個上述感應器所得的檢測結果，將各個上述流徑內流通之熱媒體控制為既定狀態。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述複數之調溫部係遠離上述複數之處理模組而整合設置；上述流徑係構成為將上述複數之處理模組及分別對應之上述複 數之調溫部之間個別地連接，並且配合設有該流徑之上述處理模組，構成為至對應於該處理模組之上述調溫部為止的長度相異。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述感應器係具有對上述流徑所流通之熱媒體的壓力或流量進行檢測的機能；上述調溫部係具有對上述流徑所流過之熱媒體的壓力或流量進行控制的機能。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，上述感應器係具有對上述流徑所流通之熱媒體的溫度進行檢測的機能；上述調溫部係具有對上述流徑所流過之熱媒體的溫度進行控制的機能。
  6. 如請求項4之基板處理裝置，其中，自上述感應器之設置位置至上述處理模組為止的上述流徑的長度，係構成為對各個上述複數之處理模組成為均等的長度。
  7. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述感應器係具有對上述流徑所流通之熱媒體的溫度進行檢測的機能；上述調溫部係具有對上述流徑所流過之熱媒體的溫度進行控制的機能。
  8. 如請求項2之基板處理裝置，其中，自上述感應器之設置位置至上述處理模組為止的上述流徑的長度，係構成為對各個上述複數之處理模組成為均等的長度。
  9. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述流徑係具有：上游側連接流徑部，係連接上述上游流徑部與上述貫通流徑部，且與上述上游流徑部及上述貫通流徑部呈不同體地設置；與下游側連接流徑部，係連接上述外周流徑部與上述下游流徑部， 且與上述外周流徑部及上述下游流徑部呈不同體地設置。
  10. 如請求項2之基板處理裝置，其中，作為上述感應器，除了設置於上述上游流徑部之上游感應器之外，亦具有設置於上述下游流徑部之下游感應器。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述複數之調溫部係遠離上述複數之處理模組而整合設置；上述流徑係構成為將上述複數之處理模組及分別對應之上述複數之調溫部之間個別地連接，並且配合設有該流徑之上述處理模組，構成為至對應於該處理模組之上述調溫部為止的長度相異。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中，自上述感應器之設置位置至上述處理模組為止的上述流徑的長度，係構成為對各個上述複數之處理模組成為均等的長度。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述流徑係具有：上游側連接流徑部，係連接上述上游流徑部與上述貫通流徑部，且與上述上游流徑部及上述貫通流徑部呈不同體地設置；與下游側連接流徑部，係連接上述外周流徑部與上述下游流徑部，且與上述外周流徑部及上述下游流徑部呈不同體地設置。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中，上述流徑係構成為上述上游側連接流徑部之曲率半徑大於上述下游側連接流徑部之曲率半徑。
  15. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述流徑係構成為上述上游流徑部之設置高度與上述下游流徑部之設置高度相異。
  16. 一種基板處理裝置，係具有：處理室，係對基板進行處理； 複數之處理模組，係具有並列設置之複數之上述處理室；熱媒體之流徑，係設置於各個上述複數之處理模組；與調溫部，係於設置在該處理模組之上述流徑中流過調整該處理模組之溫度的熱媒體；上述流徑係構成為具有：位於較上述處理模組更上游側之上游流徑部；位於較上述處理模組更下游側之下游流徑部；連接於上述上游流徑部，通過上述處理模組中並列設置之複數之上述處理室之間的貫通流徑部；與連接於上述下游流徑部，通過上述處理模組之外周側的外周流徑部。
  17. 一種半導體裝置之製造方法，其具備：將基板搬入至具有並列設置之複數處理室的複數之處理模組中之上述處理室的步驟；對搬入有上述基板之上述處理模組中之上述處理室供給氣體而處理上述基板的步驟；在上述基板之處理時，由對應於各個上述複數之處理模組而個別設置之複數之調溫部，在設置於各個上述複數之處理模組的流徑中流過熱媒體，調整上述處理模組之溫度的步驟；與將處理後之上述基板由上述處理模組中之上述處理室搬出的步驟；於上述調整處理模組之溫度的步驟中，作為上述流徑，係使用：位於較上述處理模組更上游側之上游流徑部；位於較上述處理模組更下游側之下游流徑部； 連接於上述上游流徑部，通過上述處理模組中並列設置之複數之上述處理室之間的貫通流徑部；與連接於上述下游流徑部，通過上述處理模組之外周側的外周流徑部。
  18. 一種程式，係藉由電腦於請求項1至16中任一項之基板處理裝置中實行下述手續：將基板搬入至具有並列設置之複數處理室的複數之處理模組中之上述處理室的手續；對搬入有上述基板之上述處理模組中之上述處理室供給氣體而處理上述基板的手續；在上述基板之處理時，由對應於各個上述複數之處理模組而個別設置之複數之調溫部，在設置於各個上述複數之處理模組的流徑中流過熱媒體，調整上述處理模組之溫度的手續；與將處理後之上述基板由上述處理模組中之上述處理室搬出的手續；並且，於調整上述處理模組之溫度的手續中，作為上述流徑，係使用：位於較上述處理模組更上游側之上游流徑部；位於較上述處理模組更下游側之下游流徑部；連接於上述上游流徑部，通過上述處理模組中並列設置之複數之上述處理室之間的貫通流徑部；與連接於上述下游流徑部，通過上述處理模組之外周側的外周流徑部；而藉由上述電腦使上述基板處理裝置實行該手續。
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