JPWO2007000809A1 - 半導体装置およびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 不揮発性メモリセルアレイ内に設けられたコアセルに接続された第1の電流電圧変換回路と、
レファレンスセルにレファレンスセルデータラインで接続された第2の電流電圧変換回路と、
前記第1の電流電圧変換回路の出力と、前記第2の電流電圧変換回路の出力とをセンシングするセンスアンプと、
前記レファレンスセルデータラインの電圧値と所定電圧値と比較する比較回路と、
前記レファレンスセルデータラインのプリチャージの際、前記レファレンスセルデータラインの電圧値が前記所定電圧値より低ければ、前記レファレンスセルデータラインをチャージするチャージ回路と、
を具備する半導体装置。 - 前記チャージ回路は、前記比較回路の出力に接続されたゲートと、電源および前記レファレンスセルデータラインとがソースおよびドレインとに接続したFETを含む請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2の電流電圧変換回路は、前記レファレンスセルデータラインの電圧値と前記所定電圧値が入力される差動回路を有し、
前記比較回路は、前記差動回路の出力が接続されたゲートと、電源および出力ノードとが接続されたソースおよびドレインとを有するFETと、前記差動回路の電流源FETのゲート入力が接続しされたゲートと、前記出力ノードおよびグランドとが接続されたソースおよびドレインとを有するFETとを有し、
前記比較回路の出力端子は、前記出力ノードに接続された請求項1または2記載の半導体装置。 - 前記所定電圧値は、前記レファレンスセルデータラインをプリチャージする際の目標電圧値より低い請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第2の電流電圧変換回路は、複数のレファレンスセルの出力を平均する平均回路を有し、前記第2の電流電圧変換回路は前記平均回路の出力を出力する請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第2の電流電圧変換回路は、前記第1の電流電圧変換回路および前記センスアンプに出力し、
前記第1の電流電圧変換回路は、前記コアセルの出力と前記第2の電流電圧変換回路の出力とを差動増幅し、前記センプアンプに出力する請求項1から5のいずれか一項記載の半導体装置。 - 前記平均回路は、前記第1の電流電圧変換回路に出力するための第1の平均回路と、前記センスアンプに出力するための第2の平均回路を有する請求項5記載の半導体装置。
- 前記レファレンスセルデータラインのプリチャージが終了した後、前記センスアンプのセンシングを開始させるセンスコントロール回路を具備する請求項1から7のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記センスコントロール回路は、前記第1の電流電圧変換回路の出力をオンすることにより前記センスアンプのセンシングを開始させる請求項8記載の半導体装置。
- 前記センスコントロール回路は、前記第1の電流電圧変換回路の出力と電源との間に接続されたFETを含む請求項9記載の半導体装置。
- 前記不揮発性メモリセルアレイはSONOS型セルを有する請求項1から10のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記コアセルは複数のビットを記憶できるセルである請求項1から11のいずれか一項記載の半導体装置。
- 不揮発性メモリセルアレイ内に設けられたコアセルに接続された第1の電流電圧変換回路と、レファレンスセルにレファレンスセルデータラインで接続された第2の電流電圧変換回路と、前記第1の電流電圧変換回路の出力と、前記第2の電流電圧変換回路の出力とをセンシングするセンスアンプと、を具備する半導体装置の制御方法において、
前記レファレンスセルデータラインの電圧値と所定電圧値とを比較するステップと、
前記レファレンスセルデータラインのプリチャージの際、前記レファレンスセルデータラインの電圧値が前記所定電圧値より低ければ、前記レファレンスセルデータラインをチャージするステップと、を有する半導体装置の制御方法。 - 複数のレファレンスセルの出力を平均するステップを有し、前記第2の電流電圧変換回路の出力は、前記平均された出力である請求項13記載の半導体装置の制御方法。
- 前記レファレンスセルデータラインの電圧値が安定した後、センシングを開始するステップを有する請求項13記載の半導体装置の制御方法。
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