JP2011002945A - 半導体装置 - Google Patents
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- G06F9/44—Arrangements for executing specific programs
- G06F9/455—Emulation; Interpretation; Software simulation, e.g. virtualisation or emulation of application or operating system execution engines
Abstract
【解決手段】フラッシュメモリのEEPROM代替領域において、内部ベリファイ電圧と読み出し電圧との間にデータレベルチェック電圧を設定する。データレベルがデータレベルチェック電圧を下回った場合にブロックチェンジを行う。
【選択図】図7
Description
図7は、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成について説明するためのブロック図である。この半導体装置は、CPU71と、ファームウエア部72と、フラッシュメモリ部74とを具備する。ファームウエア部72は、データレベルチェックプログラム部73を具備する。フラッシュメモリ部74は、プログラム領域75と、EEPROMエミュレーション・ライブラリ76と、EEPROM代替領域78とを具備する。EEPROMエミュレーション・ライブラリ76は、データレベルチェックI/F(InterFace:インタフェース)77を具備する。
図13は、本発明の第2の実施形態における半導体装置の動作、すなわちEEPROMエミュレーション方法におけるデータレベルチェックおよびブロックチェンジについて説明するためのフローチャートである。図13(a)は、ユーザ・アプリケーションに基づくユーザ・システムについて説明するためのフローチャートである。図13(b)は、ブロックチェンジを伴うデータ保持期間スペック拡張機能について説明するためのフローチャートである。
11 フラッシュメモリ
12 CPU
13 ROM
20 半導体装置
21 CPU
22 フラッシュメモリ
23 プログラム領域
24 EEPROM代替領域
25 フラッシュコントローラ
26 RAM
27 周辺マクロ
30 フラッシュメモリ
31 データ長格納領域
32 データ格納領域
32a〜32g セクション
33 空き領域
41a、41b コントロールゲート
42a、42b 浮遊ゲート
43a、43b ソース
44a、44b ドレイン
51 コントロールゲート
52 ソース
53 ドレイン
54 電流
55 初期状態のグラフ
56 書き込み状態のグラフ
61、81 書き込み直後電圧
62、82 リード可能な閾値電圧範囲
63、83 リード不可能な閾値電圧範囲
64、84 書き込み電圧
65、85 内部ベリファイ電圧
66、86 読み出し電圧
67、87 ブランクチェック電圧
68、88 消去電圧
69、89 読み出し保証期間
71 CPU
72 ファームウエア
73 データレベルチェックプログラム
74 フラッシュメモリ
75 プログラム領域
76 EEPROMエミュレーション・ライブラリ
77 データレベルチェックI/F
78 EEPROM代替領域
80 データレベルチェック電圧
91a EEPROMエミュレーション・ライブラリ
92a 新規フラッシュアクセスI/F
93a データレベルチェックI/F
94a フラッシュメモリ操作I/F
95a 書き込みI/F
96a 消去I/F
97a 読み出しI/F
91b ファームウエア
92b 新規フラッシュアクセスプログラム
93b データレベルチェックプログラム
94b フラッシュメモリ操作プログラム
95b 書き込みプログラム
96b 消去プログラム
97b 読み出しプログラム
100 ユーザ・アプリケーション
101 EEPROMエミュレーション・ライブラリ
106 データレベルチェックI/F
108 フラッシュメモリ操作I/F
102 ファームウエア
107 データレベルチェックプログラム
109 フラッシュメモリ操作プログラム
103 フラッシュメモリ1(EEPROM代替領域)
104 フラッシュメモリ2(EEPROM代替領域)
105 フラッシュメモリ3(EEPROM代替領域)
120a〜122a、120b〜122b、120c〜122c ブロック
Claims (10)
- EEPROMエミュレーションを行うためのEEPROM代替領域を有するフラッシュメモリと、
CPUと、
前記EEPROM代替領域における任意のブロックに書き込まれたデータに対応する電圧レベルと、所定のデータレベルチェック電圧とを比較するためのデータレベルチェック回路と
を具備し、
前記CPUは、前記データに対応する電圧レベルが、前記データレベルチェック電圧を下回った場合に、前記データを前記任意のブロックから読み出して他のブロックに書き込むブロックチェンジを実行する
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記CPUが、前記フラッシュメモリにおいて、データの書き込みおよび読出しをブロック単位で行うためのフラッシュメモリ操作プログラムと、前記CPUが、前記データレベルチェック回路を制御するためのデータレベルチェックプログラムとを有するファームウエア
をさらに具備し、
前記フラッシュメモリは、
前記CPUが実行するための所定のユーザ・アプリケーションを格納するプログラム領域と、
前記CPUが前記ファームウエアを呼び出してEEPROMエミュレーションを実行するためのEEPROMエミュレーション・ライブラリ
をさらに具備し、
前記ユーザ・アプリケーションは、前記フラッシュメモリ操作プログラムを呼び出して実行可能であり、
前記ユーザ・アプリケーションは、前記フラッシュメモリ操作プログラムとは独立した任意のタイミングで、前記ブロックチェンジを呼び出して実行可能である
半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記フラッシュメモリ操作プログラムは、
前記ブロックチェンジにおいて、前記データを前記任意のブロックから読み出した後、前記任意のブロックを消去するための消去プログラム
をさらに具備する
半導体装置。 - 請求項2または3に記載の半導体装置において、
前記データレベルチェックプログラムにおいて、前記任意のブロックに書き込まれたデータに対応する全てのビットについて、前記比較を行う
半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記フラッシュメモリは、
前記データに対応する電圧レベルが、前記フラッシュメモリに設定されたリード可能な閾値電圧範囲から外れていた場合に、前記データを書き換えるためのデフォルトデータ
をさらに具備する
半導体装置。 - (a)フラッシュメモリのEEPROM代替領域における任意のブロックに書き込まれたデータに対応する電圧レベルと、所定のデータレベルチェック電圧とを比較するステップと、
(b)前記データに対応する電圧レベルが、前記データレベルチェック電圧を下回った場合に、前記データを前記任意のブロックから読み出して他のブロックに書き込むブロックチェンジを実行するステップと
を具備する
EEPROMエミュレーション方法。 - 請求項6に記載のEEPROMエミュレーション方法において、
(c)所定のユーザ・アプリケーションを実行するステップ
をさらに具備し、
前記ステップ(c)は、
(c−1)前記EEPROM代替領域における任意のブロックにデータを書き込むステップと、
(c−2)前記任意のブロックに書き込まれた前記データを前記EEPROM代替領域から読み出すステップと、
(c−3)前記ステップ(c−1)および(c−2)とは独立した任意のタイミングにおいて、前記ステップ(a)を実行するステップ
を具備する
EEPROMエミュレーション方法。 - 請求項6または7に記載のEEPROMエミュレーション方法において、
前記ステップ(b)は、
(b−1)前記データを前記任意のブロックから読み出した後、前記任意のブロックを消去するステップ
を具備する
EEPROMエミュレーション方法。 - 請求項6〜8のいずれかに記載のEEPROMエミュレーション方法において、
前記ステップ(a)は、
(a−1)前記任意のブロックに書き込まれたデータに対応する全てのビットについて、前記比較を行うステップ
を具備する
EEPROMエミュレーション方法。 - 請求項6〜9のいずれかに記載のEEPROMエミュレーション方法において、
前記ステップ(b)は、
(b−2)前記データに対応する電圧レベルが、前記フラッシュメモリに設定されたリード可能な閾値電圧範囲から外れていた場合、前記データを所定のデフォルトデータに書き換えるステップ
を具備する
EEPROMエミュレーション方法。
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