JPWO2005074033A1 - Soiウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2004年1月30日に出願された特願2004−24851号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
また、活性層用ウェーハに注入される酸素イオンの注入加速電圧、ドーズ量は限定されない。これらの条件は、SOI層の目標膜厚により適宜選択される。貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハの研削は機械式の加工で実施される。この研削により酸素イオン注入層の表面側に活性層用ウェーハの一部を残す。残される活性層用ウェーハの一部の膜厚は限定されない。
エッチングでは、アルカリ性エッチング液を使用する。
酸化処理は、例えば酸化性雰囲気で行う。その処理温度は限定されない。例えば、600℃〜1000℃の酸化性雰囲気で処理される。酸化処理される酸化膜の厚さも限定されない。
この後の酸化膜除去は、HF液による洗浄でもよいし、または、水素ガスや、Arガス、またはHFを含むガスを使ったアニールによるエッチングを用いてもよい。
酸化膜を除去した後に、例えば、有機酸とフッ酸との混合液にSOIウェーハを浸漬して、SOIウェーハの表面に付着するパーティクルおよび金属不純物を除去する。
貼り合わせウェーハの酸素イオン注入層では、その面内において均一に酸素イオンが注入されている(注入することができる)。よって、露出した酸素イオン注入層は、面内において均一にかつ略均一の厚さに形成されている。したがって、この後、酸化処理により酸素イオン注入層の露出面に所定厚さの酸化膜を形成する。そして、この酸化膜を除去することにより、酸素イオン注入層も同時に除去される。この結果、SOI層を薄膜化できるとともに、その膜厚を均一化することができる。
この場合、酸素イオン注入領域より浅いウェーハ表層部分はSOI層になる。このため、注入時の注入損傷を抑制するために注入時の基板温度を400〜600℃に加熱する必要がある。しかしながら本発明では、表層部分は研磨またはエッチングされるため、注入損傷を考慮する必要がなく基板温度制御は不要となる。
次に貼り合せ面の結合を強化するために1100℃以上の高温で熱処理を行う。この際の雰囲気は、還元雰囲気、酸化性雰囲気に限定されない。この熱処理により注入酸素層がSiO2層となり、より研磨ストップに適した層となる。
この後、酸素イオン注入層までを研磨してイオン注入層を露出させる。これにより、SOI層を薄膜化するとともに、その厚さを均一化することができる。
研磨剤としては、砥粒(例えばシリカ)濃度が1重量%以下の砥粒を含むアルカリ性溶液を使用する。アルカリ性溶液としては、無機アルカリ溶液(KOH、NaOH等)、有機アルカリ溶液またはこれらの混合溶液などがある。
研磨剤は、砥粒濃度が1重量%以下である。よって、砥粒による機械的な研磨作用がほとんどなく、化学的な研磨作用を有する。
アルカリ性溶液による化学的な研磨作用により、SOIウェーハの表面側の活性層用ウェーハの一部(Si層)が研磨される。アルカリ性溶液は、Si/SiO2 のエッチングレート比が高い。このため、活性層用ウェーハの一部であるSi層を効率よく研磨することができる。
この後、Si層が研磨されて、酸素イオン注入層が露出する。酸素イオン注入層には、アルカリ性溶液による化学的な研磨が作用しない。このため、酸素イオン注入層は、ほとんど研磨されない。この結果、酸素イオン注入層を均一に露出させることができる。
アルカリ性エッチング液は、例えば、KOHが使用される。
また、スマートカット法のSOIウェーハにおいても、酸素イオンを注入することによりSOI層の薄膜化および均一化が可能となる。
11、111 SOIウェーハ
12、112 酸化膜(BOX層)
13、113 酸素イオン注入層
15、115 酸化膜
16、116 SOI層
21,121 活性層用ウェーハ
22、122 支持用ウェーハ
次に還元雰囲気中で熱処理することで、酸素注入ウェーハの表面層近傍の酸素を外方拡散により低減させる。雰囲気としてアルゴンを用い、温度1100℃以上、略2時間とする。この熱処理によって、酸素イオン注入を起因とした最終SOIウェーハでのSOI層中の酸素析出物の発生が抑制され、結晶欠陥の少ないSOIウェーハを製造することが可能となる。
Claims (8)
- 活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持用ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、この後、前記活性層用ウェーハ側を薄膜化することによりSOIウェーハを製造するSOIウェーハの製造方法であって、
前記活性層用ウェーハに酸素イオンを注入して、前記活性層用ウェーハに酸素イオン注入層を形成する工程と、
前記酸素イオン注入層が形成された前記活性層用ウェーハを還元雰囲気中で熱処理することで、前記活性層用ウェーハの表面層近傍の酸素を外方拡散により低減する工程と、
前記活性層用ウェーハを前記絶縁膜を介して前記支持用ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成する工程と、
前記貼り合わせウェーハの前記活性層用ウェーハ部分を研削することにより、酸素イオン注入層の表面側に前記活性層用ウェーハの一部を残す工程と、
残された前記活性層用ウェーハの一部を研磨またはエッチングすることにより前記酸素イオン注入層を露出させる工程と、
前記貼り合わせウェーハを酸化処理して前記酸素イオン注入層の露出面に所定厚さの酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を除去する工程と
を含むSOIウェーハの製造方法。 - 活性層用ウェーハに絶縁膜を介して水素または希ガス元素をイオン注入して、前記活性層用ウェーハにイオン注入層を形成し、次いで、前記活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持用ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、この後、前記貼り合わせウェーハを熱処理して、前記イオン注入層を境界として前記貼り合わせウェーハの一部を剥離してSOIウェーハを製造するSOIウェーハの製造方法であって、
剥離後の前記SOIウェーハの剥離面から酸素イオンを注入し、前記剥離面と前記絶縁膜との間に酸素イオン注入層を形成する工程と、
前記剥離面から前記酸素イオン注入層までの前記活性層用ウェーハの一部を研磨またはエッチングして酸素イオン注入層を露出させる工程と、
前記SOIウェーハを酸化処理して前記酸素イオン注入層の露出面に所定厚さの酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を除去する工程と
を含むSOIウェーハの製造方法。 - 前記酸素イオン注入層を形成する工程は、酸素ドーズ量が5.0E16〜5.0E17atoms/cm2の範囲である請求項1に記載のSOIウェーハ製造方法。
- 前記酸素イオン注入層を形成する工程は、酸素ドーズ量が5.0E16〜5.0E17atoms/cm2の範囲である請求項2に記載のSOIウェーハ製造方法。
- 前記酸素イオン注入層を露出させる工程は、砥粒濃度が1重量%以下の研磨剤を供給しながら前記活性層用ウェーハの一部を研磨する請求項1または請求項3に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記酸素イオン注入層を露出させる工程は、アルカリ性エッチング液を使用して前記上記活性層用ウェーハの一部をエッチングする請求項1または請求項3に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記酸素イオン注入層を露出させる工程は、砥粒濃度が1重量%以下の研磨剤を供給しながら前記活性層用ウェーハの一部を研磨する請求項2または請求項4に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記酸素イオン注入層を露出させる工程は、アルカリ性エッチング液を使用して前記上記活性層用ウェーハの一部をエッチングする請求項2または請求項4に記載のSOIウェーハの製造方法。
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JP2009272471A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP5524453B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2014-06-18 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 |
JP5386856B2 (ja) | 2008-06-03 | 2014-01-15 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP5487565B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2014-05-07 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
JP5597915B2 (ja) * | 2008-08-12 | 2014-10-01 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP5555995B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2014-07-23 | 株式会社Sumco | 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法 |
JP2010135538A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP5470839B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2014-04-16 | 株式会社Sumco | 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法 |
WO2010150671A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate and method for manufacturing soi substrate |
US8318588B2 (en) * | 2009-08-25 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
WO2011043178A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reprocessing method of semiconductor substrate, manufacturing method of reprocessed semiconductor substrate, and manufacturing method of soi substrate |
US9123529B2 (en) | 2011-06-21 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
JP6107709B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2017-04-05 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
JP6036732B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2016-11-30 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
US11232974B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fabrication method of metal-free SOI wafer |
US20230066183A1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of fabricating a semiconductor structure and semiconductor structure obtained therefrom |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6472533A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Manufacture of single crystal semiconductor substrate |
JPH02228061A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Soi基板の製造方法 |
JPH05129258A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH1140512A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体基板の製造方法 |
WO2003046993A1 (fr) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production de plaquettes soi |
JP2003257900A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2535596B2 (ja) | 1988-08-25 | 1996-09-18 | 株式会社東芝 | 積層構造半導体基板および半導体装置 |
JPH04115511A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Fujitsu Ltd | Soi基板の製造方法 |
JPH04206766A (ja) | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE4210859C1 (ja) * | 1992-04-01 | 1993-06-09 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
JPH07226433A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-08-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20030087503A1 (en) * | 1994-03-10 | 2003-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for production of semiconductor substrate |
JP2930194B2 (ja) | 1995-08-17 | 1999-08-03 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハ及びその製造方法 |
JP4144047B2 (ja) | 1997-08-20 | 2008-09-03 | 株式会社デンソー | 半導体基板の製造方法 |
JPH11145074A (ja) | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
US6171982B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same |
JP3385972B2 (ja) * | 1998-07-10 | 2003-03-10 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
WO2004010505A1 (ja) | 2002-07-18 | 2004-01-29 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Soiウェーハおよびその製造方法 |
-
2005
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6472533A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Manufacture of single crystal semiconductor substrate |
JPH02228061A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Soi基板の製造方法 |
JPH05129258A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH1140512A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体基板の製造方法 |
WO2003046993A1 (fr) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production de plaquettes soi |
JP2003257900A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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