JPS6140823A - マグネトプランバイト型フエライトの水熱合成法 - Google Patents

マグネトプランバイト型フエライトの水熱合成法

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JPS6140823A JP16141084A JP16141084A JPS6140823A JP S6140823 A JPS6140823 A JP S6140823A JP 16141084 A JP16141084 A JP 16141084A JP 16141084 A JP16141084 A JP 16141084A JP S6140823 A JPS6140823 A JP S6140823A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高記録密度磁気記録材料等に好適に適用され
るマグネトプランバイト型フェライト粉末を水熱合成に
よって有利に製造する方法に関する。
〔従来の技術〕
磁気記録は、一般に記録媒体の面内長手方向に磁化する
方式が採用されてきたが、この方式による場合には、記
録の高密度化に伴って記録媒体内の減磁界が増大し、媒
体の磁化には強い減磁作用を受けることになるので、更
に高密度化を図ることには限界があった。このような長
手記録方式に対して、記録媒体層の表面に垂直な方向に
磁化する垂直磁気記録方式が提案されるようになり、高
密度記録方式として実用化が進められている。
この垂直磁気記録方式によると、媒体内の隣り合う磁化
では、N−3の異極同志が並ぶので減磁界が減少して強
い残留磁化が保持でき、また記録波長が短くなるほど減
磁界が減少し且つ隣り合う異極の磁化の間で吸引力が作
用するので相互に磁化が強められる。従って、垂直磁気
記録方式は本質的に高密度記録に適した方式であると言
える。
この垂直磁気記録方式に使用される記録媒体は媒体表面
に垂直な方向に磁化容易軸を有することが必要であるが
、このような記録媒体として、スパッター法によるCo
 −Cr膜が開発されている。しかし、このCo −C
rスパッター膜はその製造法が複雑であり、また原料が
高くコスト面でも不利となる。
一方、このようなCo −Crスパッター膜に代わる材
料として、マグネトプランバイト型フェライト粉末をベ
ースフィルム上に塗布する塗布型記録媒体が注目され、
実用化されつつある。この場合には、磁気媒体をベース
フィルム上に塗布すること自体は、他の磁気媒体でも従
来より行われてむ)たので、この蓄積技術を垂直磁気記
録媒体の製造に容易に応用することができ、またこれま
での設備の併用が可能であるから大規模な新規設備投資
の必要もなく、且つ生産性も良いので経済的にも有利と
なる。
このマグネトプランバイト型フェライト粉末。
例えばBa−フェライト粉末は、六角薄板状であり且つ
磁化容易軸を粒子の板状面に対して垂直方向に有するの
で、ベースフィルム上に塗布された場合に、ベースフィ
ルム面に平行方向に各粒子が容易に配向し、これにより
塗膜面に垂直な方向に一軸異方性を与えることができる
。従って、このHa−フェライト粉末は垂直磁気記録用
磁性粉として好適である。このBa−フェライト粉末と
同様に。
マグネトプランバイト型Sr−フェライト粉末、同Pb
−フェライト粉末、同Ca−フェライト粉末、更にはこ
れらの複合フェライト粉末なども、垂直磁気記録用磁性
粉として好適である。
しかし、かようなマグネトプランバイト型フェライト粉
末°を垂直磁気記録用磁性粉末として適用するには、実
際には諸々の特性を同時に満足する必要がある。
まス、飽和磁化については、可能な限り高いこと3例え
ばBa−フェライトの飽和磁化の理論値は72emu/
gであるが、これに出来るだけ近い飽和磁化をもつこと
が必要である。そして、保磁力については、マグネトプ
ランバイト型フェライトは大きな結晶異方性を有するこ
とからその保磁力も一般に高く1通常は約3000 (
Oe)以上となるが。
このような高い保磁力では記録時にヘッドが飽和して高
密度の磁気記録が困難となることから、その保磁力を2
00〜2000 (Oe)の範囲に低減することが必要
となる。また粒子の大きさについては。
0.01〜0,5μmの範囲であることが必要である。
これは、高密度の垂直磁気記録ではその記録波長が1.
0μm以下となるので、この領域で記録再生を有利に行
なえるようにするためである。そして粒子の形状につい
ては、薄板状、特にその板状比(板面の寸法/厚み)が
少なくとも3以上であることが好ましいとされている。
このような緒特性に加えて、良好な記録媒体を製造する
には、塗料中にフェライト粒子が均一に分散することが
重要であり、このためには、焼結や凝集がなく2分散性
の良好な粒子であることが必要とされる。
従来より、つマグネトプランバイト型フェライト粉末を
製造する方法として乾式法と水熱合成法とがよく知られ
ており、一長一短があるが、いずれにしても従来提案さ
れた製造法では、前記の緒特性並びに性質を同時に兼ね
備えたフェライト粉末を得ることには限界があった。
□例えば、特開昭56−125219号公報は乾式法を
また、特開昭56−149328号公報および特開昭5
6−160328号公報は水熱合成法による垂直磁気記
録用マグネトプランバイト型フェライト粉末の製造法を
開示する。
より具体的には、特開昭56−125219号公報は。
マグネトプランバイト型フェライト粉の基本成分と抗磁
力低減成分およびガラス形成物質を所定の比率で混合し
、これを熔解したあと、その溶融物を急速冷却し、得ら
れた非晶質体に熱処理を施してフェライトの微粒子を析
出させ1次いでガラス物質を除去することによって粒度
が0.01〜0.3μm、抗磁力示200〜2000 
(Oe)のフェライト粉末を得る方法を開示するが、こ
の方法は製造方法が複雑であるから工業的方法としては
不利な点をもっているし、ガラス物質の完全除去が困難
であろうから残留ガラス物質が個々の粒子間にバインダ
ーとして存在して粒子の凝集が生じやすく、また分散性
のよいフェライト粉とはなりにくいであろう。
水熱合成法を開示する特開昭56−149328号公報
は、 Feと、 Feに対しモル比で1/12〜3/1
2のBaと、 Feに対しモル比で1.0/12〜1.
8/12相当量の平均イオン価が3価で且つFen B
a以外の金属元素の各金属塩を含む溶液に、この金属塩
の総量に対して1〜5倍当量のアルカリ溶液を加え、高
圧容器(オートクレーブ)中で400℃以上で反応さる
方法を提寂している。しかし、この400℃以上の高温
高圧下での水熱合成によると、 Ba−フェライト粒子
の焼結が生じやすく1分散性の良いフェライト粉末の調
整は難しい。また、一般にオートクレーブ処理では高い
飽和磁化を有するフェライト粉の調整が難しく、この公
報の場合のように。
容器内温度を550℃といった極めて高温に維持して2
時間反応させた例でも、得られたBa−フェライト粉の
飽和磁化は47emu/gであったとされている。この
値は、マグネット等に用いられる通常のBaフェライト
の飽和磁化(通常50 emu/g )に比べても下回
る。すなわち、この公報が教示するような水熱合成法で
は、そのオートクレーブ中での処理温度と圧力を可能な
限り高めても(オートクレーブの容器内温度が550℃
というのは、このような温度では容器内圧力は異常に高
くなり、よほどの装置でないと実現ができないようなも
のである)、理論値とははるかに低い飽和磁化の値をも
つマグネトプランバイト型フェライト粉しか得られない
一方、特開昭56−160328号公報は、前記公報の
ような高温高圧下での水熱合成では問題があることから
、まずオートクレーブでは150〜250℃の低い温度
を採用して粒成長と焼結凝集の防止を図って、飽和磁化
が非常に小さいBa−フェライトの前駆体物を作り、つ
いで、この前駆体物を800℃以上で加熱処理すること
によって飽和磁化その他の諸性質を有するようにする2
段階法を開示するが、この場合には、800℃以上での
加熱処理において1個々のBa−フェライト粒子の焼結
・凝集は避けられず1分散性の良いBa−フェライト粉
末を得ることはやはり困難となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上のように、従秦のマグネトプランバイト型フェライ
トの製造技術においては、乾式法によればフェライト粒
子の焼結・凝集を避けることはできず、従って高密度記
録方式に適した塗布型の垂直磁気記録媒体を製造するさ
いの塗料への均一分散性が問題となり、また塗布型の垂
直磁気記録媒体を製造するための板状比の高い薄板状の
粒子を得ること自身にも問題がある。
この乾式法に代わる水熱合成法においては、板状比の高
い薄板状の粒子を得ることはできても。
従来の水熱合成技術では飽和磁化を高めることに限界が
ある点で問題がある。従来報告された中で水熱合成法に
よって得られたBa−フェライト粉の最高の飽和磁化は
特開昭56−149328号公報に見られる47emu
/gであると思われる。この値はBa −フェライト粉
の理論飽和磁化の70 emu/gに比べてなお低い。
しかも、この47emu/gの飽和磁化が得られたのは
オートクレーブ内温度が550℃という実際は工業的な
操業範囲を越えるような高温高圧下である。このような
高温高圧を実際操業で採用することは無理があるし、こ
の無理を克服したとしてもなお飽和磁化は低く、且つ高
温高圧にすればするほど塗布型垂直磁化記録媒体を製造
す−るさいの分散性に問題を生ずる焼結・凝集が起こる
。そして1通常のオートクレーブの操業可能範囲の温度
例えば400℃以下においては、特開昭56−1603
28号公報に見られるように、飽和磁化が低い半成品し
か得られず、このままではマグネトプランバイト型フェ
ライトの成品粉とはならないので、乾式法を併用しなけ
ればならないという問題がある。乾式法を併用すれば、
前記同様の焼結・凝集の問題が付随する。
本発明の目的は、このような問題を解決することにあり
、特に、塗布型垂直磁化記録媒体の製造に好適な緒特性
をもつマグネトプランバイト型フェライト粉末としての
完成品を1通常のオートクレーブ温度による水熱合成法
だけで得ること、より詳しくは、従来の水熱合成法では
どうしても得られなかった高い飽和磁化を有し、同時に
保磁力を適切に低い値に調整されたマグネトプランバイ
ト型フェライト粉末を得ること、そして塗布型垂直磁化
記録媒体の製造に使用した場合にそのままでも良好な分
散性をもつマグネトプランバイト型フェライト粉末を得
ることである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、一般式が M O・n (Fez−x MA 03 )     
・・(1)(ただし、上式において。
Mは、 Ba、 Sr、 CaおよびPbからなる群か
ら選ばれた一種または二種以上の金属。
nは、3〜6の数値 M’ は、 Sll Ta、 Sb+ Nb+ Zrお
よびTiからなる群から選ばれた少なくとも一つの成分
、または該成分とNi、 Go+ Cu、 Mg+ M
nおよびZnからなる群から・選ばれた少なくとも一つ
の成分との組合せ。
Xは、 0.01〜0.7の数値である)で表されるマ
グネトプランバイト型フェライトを、100℃を越える
。)(20媒体中で且つ酸根に対するアルカリ当量比が
1.0を越える量のアルカリの存在下または反応系のp
Hが11以上となるアルカリの存在下で、生成させるフ
ェライトの水熱合成法でありで。
このフェライトの生成反応を、以下の甲群から選ばれる
有機化合物(甲剤という)の一種または二種以上の存在
下で進行させることを特徴とするものであり、これによ
って前記の問題点を解決したものである。
そして、この甲剤に加えて、にJ、下の乙群から選ばれ
る化合物(色剤という)の一種または二種以上、または
、以下の丙群から選ばれる物質(丙剤という)の一種ま
たは二種以上、のいずれか一方または両方を追添するこ
とによって一層有利に前記の目的を達成したものである
〔9群〕 ・・アルキルベンゼンスルホン酸またはその
塩類もしくはそれらの誘導体;アルキルスルホン酸また
はその塩類もしくはそれらの誘導体;リグニンスルホン
酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;ナフタリン
スルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;ア
ミン、ジアミン1アマイド、第四級アンモニウム塩、ア
ミン酢酸塩またはこれらアミン化合物の誘導体;脂肪酸
またはその塩類もしくはそれらの誘導体;カルボン酸ま
たはその塩類もしくはそれらの誘導体;レシチンまたは
その同族化合物;ポリオキシエチレンアルキルエーテル
またはその誘導体;ソルビタン脂肪酸エステルまたはそ
の誘導体。
〔乙群〕 ・・アルコール類またはそれらの誘導体;糖
類、デキストリン、グリコール類またはそれらの誘導体
;グリコシド類、アスコルビン酸、オキシカルボン酸ま
たはそれらの塩類もしくはそれらの誘導体。
〔丙群〕 ・・リン酸またはその塩もしくはその化合物
;珪酸またはその塩もしくはその化合物;酸化アルミニ
ウムまたはアルミニウム塩もしくはその化合物:酸化チ
タンまたはその化合物。
以下に本発明の内容を詳細に説明する。
まず、(1)式について説明する。
一般式(1)で表されるフェライトは、マグネトプラン
バイト型フェライトの組成を表し9本発明はこのような
組成を持つマグネトプランバイト型フェライト粉を製造
するものである。用穴において(MO)と(F132−
X M’x O3)のモル比nを3〜6とするのは3 
この範囲を外れるモル比では、目的とするマグネトプラ
ンバイト相以外の化合物が生成するからである。また置
換成分であるM”の置換量Xを0.01〜0.7の範囲
とするのは、 0.01より少ないと所定の保磁力が得
られず、また0、7を越えると飽和磁化が本発明の方法
によっても50emu/gを得るのが困難となるからで
ある。
マグネトプランバイト型フェライトは、もともと高保磁
力磁性材料として用いられてきた。しかし、垂直磁気記
録用磁性粉として使用する場合には、先にも述べたよう
に、垂直磁気記録に適した所定の保磁力にまで低減する
必要があり、その保磁力の範囲を適正に調整しなければ
ならない。保磁力を低減する方法として、マグネトプラ
ンバイト型フェライトの基本成分であるFe原子の一部
を他の金属原子で置換する方法が、  J、SMITH
,H,P。
J、すIJN、 FERRITES (1959)に報
告されている。本発明者らはこの原理を水熱合成法に適
用した場合に、フェライト格子中のFe原子との置換成
分M。
とじては、 Si、 Ta、 Sb、 Nb、 Zrお
よびTiからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素
、またはこの元素とNi、 Go、 Cu、 Mg、 
MnおよびZnからなる群から選ばれた少なくとも一つ
の成分との組合せ。
が最も効果的に本発明に従うマグネトプランバイト型フ
ェライトの保磁力を低下させることができるものである
ことがわかった。そして、このM゛の置換量Xを0.0
1〜0.7の範囲とする場合に。
保磁力が200〜2000 (Oe)の任意の範囲に制
御され、且つ50 emu/gを越える飽和磁化が得ら
れるのである。
なお、  (MO)と(Fez−x M’X 03 )
のモル比nを3〜6とするのは、マグネトプランバイト
相以外の化合物が生成するのを排除することにあるが、
このモル比を3〜6の範囲に調整したとしても、これだ
けでは水熱合成法においては高い飽和磁化が得られない
。第1図はこれを示すものであり9本発明で採用する甲
剤、色剤、丙剤などを使用しないで水熱合成法によって
BaO・5Fe203を製造した結果を示している。
第1図の試験は、  BaO・nFe2O3で示される
Baフェライトの組成になるように、すなわち、nが所
定の値となるようなFeCl3とBaCl2を含む水溶
液を調整し、おのおのNaOH溶液を使用してアルカリ
当量比を1.5としたうえで、 (但しアルカリ当量比
は(NaOH)モル数と(C1)のモル数の比、すなわ
ち(NaOH) / (C,I)を表す)、オートクレ
ーブ中で反応温度300 ’Cで60分間保持する水熱
合成法を行ったものであり、そのさいのFeとBaの組
成比、つまり2モル比n = (re) / 2 X 
(Ba)と飽和磁化の関係を示したものが第1図である
。第1図より明らかなように、マグネトプランバイト型
フェライトが得られるモル比3〜6の範囲に調整したと
しても飽和磁化は高々32emu/g程度である。この
結果は、前記特開昭56−149328号公報の結果と
類供しており、水熱合成法によってマグネトプランバイ
ト型フェライトを得る場合には、たとえその組成を厳密
に調整したとしても、それだけでは、その飽和磁化に限
界があった。この限界は、後述するように1本発明に従
う甲剤、色剤。
丙剤などの使用によって克服された。
次ぎに5本発明法において、r100’cを越える、)
120媒体中で且っ酸根に対するアルカリ当量比が1.
0を越える量のアルカリの存在下または反応系のpHが
11以上となるアルカリの存在下で、(1)式のマグネ
トプランバイト型フェライトを生成させる」とは、(1
)式の組成が得られるように調整された水を媒体とする
原料混合物を、規定のアルカリの存在下で、100℃を
越える温度でつまりオートクレーブを使用して(100
℃を越える温度はオートクレーブでなければ実質上得ら
れない)フェライト生成反応を進行させるということを
意味する。また水熱合成法といえば、これはオートクレ
ーブ中での水を媒体としたフェライト合成反応をいう。
この水熱合成を実施するにあたっては、まず。
原料の混合調整とアルカリ調整を行わねばならない。
原料の調整は、(1)式のフェライト組成に基づいて所
定比率の金属成分が均一に混合された混合物を調整する
。これらの金属成分を与える原料物質はハロゲン化物、
硝酸塩またはその他の水溶性金属塩または水酸化物のい
ずれでもよい。そのさいに、全ての原料物質が水溶性金
属塩である場合の原料混合物は所定比率の金属イオンを
含む水溶液であり、一方、原料物質として水酸化物を選
ぶ原料混合物はスラリー状の混合物となる。また、水溶
性金属塩と水酸化物を共存させる場合には、金属イオン
と金属水酸化物を含むスラリーとなる。
なお、 Fe成分を与える原料物質として、オキシ水酸
化鉄も本発明法に適用できる。
次いで、この所定比率に調整された原料混合物とアルカ
リ (アルカリ物質を含むアルカリ溶液)とを接触せし
め、これによって1通常は沈澱が生成してアルカリ性の
スラリー状物質を得る。用いるアルカリ量は、酸根に対
するアルカリ当量比が1.0を越える量である。酸根が
存在しない場合には、上記の原料混合物とアルカリ溶液
を接触させて得られたアルカリ性スラリー状物質のP)
Iが11.0以上となるようなアルカリ量である。いず
れにしても、アルカリ性スラリー状物質は金属水酸化物
を含むスラリー、金属水酸化物とオキシ水酸化鉄を含む
スラリー、またはこれらに金属イオンを含むスラリー状
物質である。アルカリ量をこの、ような範囲に規定する
理由は、この範囲外であると。
マグネトプランバイト型フェライト相の生成量が著しく
少なくなるからである。使用するアルカリ溶液としては
、 NaOH,KOH,LiOH,NH40Hの溶液ま
たはこれらの混合溶液、若しくは、その他の強アルカリ
性を示す物質を含む溶液から選ばれる。
なお、アルカリ量を適切に調節してマグネトプランバイ
ト型フェライト相が得られるようにしても、これだけで
は高い飽和磁化は得られない。第2図はその結果を示す
。第2図は、第1図の試験と同様の水熱合成によってB
a−フェライトを製造した場合のアルカリ当量比と飽和
磁化の関係を示している。より具体的には、  BaO
・5Pe203で示されるBaフェライトの組成になる
ように、所定量のFeCl3とBaCl2を含む水溶液
を調整し、 NaOH溶液を使用してアルカリ当量比(
NaOH) / (C1)を種々変化させ、オートクレ
ーブ中で反応温度300℃で60分間保持する水熱合成
法を行ったものであり、そのさいのアルカリ当量比と飽
和磁化の関係を示したものである。第1図の場合と同様
に、第゛2図の結果から、アルカリ当量比を適切にする
だけでは目標とする高い飽和磁化は得られないのである
。すなわち、水熱合成法において、アルカリ当量比はマ
グネトプランバイト型フェライトを得るためには重要な
要件である力1.これだけでは。
高−い飽和磁化を持つマグネトプランバイト型フェライ
トは得られない。この限界は、後述のように本発明に従
う甲剤、色剤、丙剤などの使用によって克服された。
原料混合物とアルカリ溶液の接触の仕方としては、原料
混合物へアルカリ溶液を添加する方法。
アルカリ溶液へ原料混合物を添加する方法、または両者
を少晋づづ同時に接触させる方法のいずれでもよい。ま
たこのアルカリ調整は400℃以下の任意の温度で実施
してもよい。従って、 400℃以下の温度に保たれた
オートクレーブ内でこのアルカリ調整を行うこともでき
る。もちろんオートクレーブの外で調整してから、水熱
合成を行うべくオートクレーブに装入してもよい。
次に2本発明法で使用する甲剤、色剤および固剤につい
て説明する。
オートクレーブ中でのフェライトの水熱合成法によれば
、飽和磁化の高いマグネトプランバイト型フェライトを
合成することには限界があった。
換言すれば、操業可能な高温高圧のもとでの水熱合成法
では、マグネトプランバイト型フェライトの完全に近い
結晶を得ることは、たとえその組成並びにアルカリ当量
などの反応条件を適正にしたとしても、達成し得ないも
のであった。
本発明者らはこの限界を克服すべく、水熱合成法でのフ
ェライト形成反応を促進する処決を見いだすべく数多く
−の試験研究を重ねた。その結果。
フェライトの形成という完全に無機物質の反応において
、この反応系に有機物質を存在させるならば、フェライ
ト形成反応が有利に促進されるという驚くべき事実を知
見した。そして、有機物質でありさえすれば程度の差こ
そあれ、この効果を示すことがわかった。本発明者らは
、有機物質群のうち高い効果を示すものを選別すべく、
極めて多数の試験を行ってきた。そして、その効果が非
常に優れる有機物質群として9群の物質を知ることがで
きた。ま逅、それ単独では効果は低いが、9群の物質と
併用した場合に9群の物質の効果を一層助成するものと
して、乙群および丙群(丙剤については有機物質に限ら
ない)の物質を知ることができた。
甲群、乙群および丙群の物質は既述のとおりであるが、
これら甲剤、色剤および丙剤の具体例を列挙すると次の
とおりである。
〔甲剤の具体例〕 ・・ドデシルベンゼンスルホン酸、
ヘキサデシルスルホン酸等のアルキルベンゼンスルホン
酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;ドデシルス
ルホン酸、ヘキサデシルスルホン酸等のアルキルスルホ
ン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;ドデシル
硫酸ナトリウム。
ヘキサデシル硫酸ナトリウム等の硫酸塩;リグニンスル
ホン酸等のリグニンスルホン酸またはその塩類もしくは
それらの誘導体;ナフタリンスルホン酸等のナフタリン
スルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;ド
デシルアミン、ジココアミン、ドデシルジメチルアミン
、ヘキサジメチレンアミン、ステ了りルトリメチルアノ
モニウムクロライド、ラウリルアミンアセテート等のア
ミン化合物もしくはそれらの誘導体;酪酸、ラウリル酸
、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸。
リルン酸等の脂肪酸またはその塩類もしくはそ□れらの
誘導体;ベンゼントリカルボン酸、トリカルバリル酸ナ
トリウム、マレイン酸等のカルボン酸またはその塩類も
しくはそれらの誘導体;レシチンまたはその同族化合物
;ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシ
エチレンアルキルエーテルまたはそれらの誘導体;ソル
ビタンモノオレエート等のソルビタン脂肪酸エステルま
たはそれらの誘導体;・・等が挙げられる。
〔色剤の具体例〕 ・・ブチルアルコール、七チルアル
コール、グリセリン、コレステロール、モノ硝酸エステ
ル、クリセリンアルデヒド、安息香酸エステル等のアル
コール類、エステル類およびその誘導体類;モノース、
ジオース、麦芽糖、ショ糖、セルロース、デンプン、グ
リコーゲン、デキストラン、アルギン酸等の糖類;限界
デキストリン、シャルジンガーデキストリン等のデキス
トリン類;エチレングリコール、プルピレングリコール
、ポリエチレングリコール等のグリコール類;βメチル
グルコシド、アルブチン等のグリコシド類;アスコルビ
ン酸、酒石酸、クエン酸ナトリウム等のオキシカルボン
酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;・・等が挙
げられる。
〔丙剤の具体例〕 ・・リン酸、トリメタリン酸ナトリ
ウム、ヘキサメタリン酸ナトリウム等のリン酸類または
リン酸塩類;コルイダルシリカ、ケイ酸ナトリウム、ア
ミノプロピルトリメトキシシラン等のシリコン化合物;
アルミナ、アルミン酸ナトリウム等のアルミニウム化合
物;二酸化チタン。
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート等のチタ
ン化合物;・・等が挙げられる。
甲剤は、水熱合成法によるマグネトプランバイト型フェ
ライト生成反応を促進し、この甲剤を反応系に存在させ
ると、オートクレーブ内の温度が180〜400℃にお
いて、 50 emu/g以上の高い飽和磁化をもつマ
グネトプランバイト型フェライト粉末を得ることができ
る。飽和磁化がこのように向上するということは、それ
だけ理想状態のフェライトに近づくことを意味し、理想
状態のマグネトプランバイト型フェライトが得られるよ
うな反応促進の効果がこの甲剤によって発揮されること
を意味する。反応系に存在させる甲剤の量は9本発明者
らの試験によると甲剤の物質の種類にもよるが、生成フ
ェライトの重量に対して1重量%程度から効果を発揮す
る。その上限については、70重量%の量で存在させて
もその効果を確認した。
しかし、あまり多量に存在させると操作性に問題が生ず
るし、またその効果も飽和するようになるので、生成フ
ェライト量に対して1〜70重量%。
好ましくは1〜50重量%とするのがよい。
フェライトの水熱合成という無機反応においてなぜ甲剤
のような有機物質の存在がその反応を促進するのかにつ
いては、不明な点が多いが9本発明者らは、有機物質の
存在は、フェライト化反応に際して何らかの触媒(キャ
リヤー)的な作用をもたらしているのではないかと考え
ている。
乙剤はこれ単独ではフェライト反応を促進する効果が低
いかまたは殆どないが、これを甲剤と併用すると、一層
有利にフェライト反応を促進することができる。甲剤に
連添する乙剤の使用量については生成フェライト量に対
して0.01重量%以上好ましくは0.5重量%以上か
ら効果が現れる。
しかし、あまり多量に使用しても効果が飽和し。
操作が繁雑になるので10重量%以下、好ましくは5電
蓄%以下の使用量とするのがよい。
丙剤ば無機物質のものもあるが、これら単独ではフェラ
イト反応を促進する効果は見られない。
しかし、この丙剤は、甲剤との併用、或いは甲剤および
乙剤との併用により本発明の目的を効果的に達成させる
ことができる。甲剤を含まない乙剤と丙剤の併用では効
果が低い。丙剤の使用量については、フェライト生成量
に対して、0.01重量%以上、好ましくは0.5重1
%以上であるのがよくその上限は5重量%程度である。
数多くの試験のうちで、有機物質ではあるがそれ単独で
は本発明の目的に沿わないものも見いだされた。そのい
くつかの例は後記比較例にも示したが、ゼラチン、クエ
ン酸ナトリウム(これは乙剤としての効果はある)、ガ
ンマアミノプロピルトリメゾキシシランなどがその例で
ある。
これら甲剤、甲剤十色剤、甲剤+丙剤、または甲剤十色
剤士丙剤を反応系に存在させる場合の添加時期について
は、オートクレーブでの水熱合成反応が進行している状
態でこれらの添加剤が存在する状態にあればいつでもよ
く、既述の原料混合の段階、アルカリ調整の段階、ある
いはフェライト化反応の段階、或いはそのらの段階の中
間のいずれであってもよい。
オートクレーブ内でのフェライト化反応の反応温度につ
いては、 100℃を越える温度、より好ましくは18
0〜400℃が適当である。)120媒体中での反応で
あるからオートクレーブで100℃を越えれば1気圧以
上となる。オートクレーブ内温度が400℃を越えるよ
うな操業は、超高圧となるので好ましくなく、工業的製
法が困難化する。また。
400℃を越えるような高温高圧下では1反応が進行し
すぎてフェライト結晶粒子が粗大化することにもなる。
結晶粒子の大きさを0.5μm以下に抑制する意味から
も本発明法では400℃以下の反応温度とするのがよい
。100℃以上〜400℃の範囲において高温側のほう
が、それだけ有利にフェライト反応が進行する。しかし
、後記実施例で示すように、250〜300℃の温度で
も十分に本発明の目的を達成できる。180℃未満′の
温度では、添加剤の種類によっては、所望の飽和磁化を
有するマグネトプランバイト型フェライト粉末が得られ
ないこともあるので、180〜400℃、好ましくは、
180〜350℃、さらに好ましくは、200〜300
℃が適切である。この温度および圧力の保持時間につい
 。
ては反応温度とも関係するが、10時間以内であればほ
ぼ十分であり、場合によって後記実施例で示すように1
時間程度でも十分に目的が達成される場合があり、これ
より少ない保持時間であってもよい場合もある。
本発明に従ってオートクレーブでの水熱合成反応が終え
ると、マグネトプランバイト型フェライト粒子を含むス
ラリー状物質が得られる。このスラリー状物質は高いア
ルカリを示すので、濾過洗浄を繰返し、十分に不純物を
除去する。次いで乾燥、場合によっては解粒を施して目
的とするマグネトプランバイト型フェライト粉末を得る
この場合、甲剤、色剤、丙剤の添加剤の種類によっては
、得られたフェライト粉の表面にその物質または変性さ
れた物質が付着し、この被膜の存在によって個々の粒子
は分離性がよくなり、このために、そのまま磁気塗料に
用いると1分散性が良好な塗料が作成できるという付加
的な効果も得られる。かような被膜が必要でない場合に
は、得られたフェライト粉末にこれらの被膜を除去する
脱着操作を行って被膜のないフェライト粉末とする。こ
の脱着操作は空気中で加熱処理(例えば。
300℃程度の加熱処理)することによって簡単に行う
ことができる。この脱着を行ったフェライト粉末も分散
性に優れるたものが得られる。
このようにして1本発明は、(1)式のモル比n。
置換成分M”、その置換量Xを適正に定め且つアルカリ
量を適正範囲としたうえで、甲剤、甲剤十色剤、甲剤+
丙剤、または甲剤+色剤士丙剤を存在させることによっ
て、飽和磁化が50eIIlu/g以上という水熱合成
法では画期的な値を有し保磁力が200〜2000 (
Oe)に調整されたマグネトプランバイト型フェライト
結晶粉体を水熱合成法によって製造可能としたものであ
るが2本発明法による場合には、甲剤、色剤、丙剤等の
添加剤が、前記のフェライトの反応を促進する作用を供
するほかに1個々の粒子の焼結・凝集を効果的に抑制す
ることもその大きな原因となっていると考えられるが、
得られる結晶粒子は良好な分散性を示す。そして、得ら
れる結晶粒子は、軸径で0.03〜0.5μm、平均厚
みで0.01〜0.03μmと極めて薄(微細な板状の
結晶である。従って、冒頭に説明した垂直磁気記録媒体
に用いられるマグネトプランバイト型フェライト粉末と
してはまことに良好な結晶粉が本発明法によって得られ
る。
以下に5代表的な実施例を挙げ2本発明を更に具体的に
説明しよう。
実施例1 3.1モルFeCl3水溶液280 tt+1.0.5
モルBaCl2162+aj!、オキシ塩化ジルコニウ
ム11.33gr、および塩化第二銅8.77 grを
十分に混合せしめたあと、常温にて、この混合溶液に9
.0モルN、a OH水溶液495mAを添加し、褐色
沈澱物を含む高アルカリ性スラリー状物質を得た。次い
で、このスラリー状物質に、リグニンスルホン酸ナトリ
ウム(甲剤)を13.9gr含む水溶液114grを添
加し、 10分間強制攪拌を行ったあと、この混合物を
オートクレーブ中で280℃にて60分間反応させた。
こうして得られた反応生成物について十分な洗浄を施し
不純物を除去したあと、乾燥解粒を行って、Ba−フェ
ライト粉末を得た。
得られたBa−フェライト粉末は粒度が0.5μm以下
、板状比が10以上であり9個々の粒子が分離した分散
性の良好な板状微細粒子であった。そして、その飽和磁
化は54.2  emu/g 、また保磁力は760 
(Oe)であった。
実施例2〜実施例14 一般式(1)のMO・n CFe2−x M’X 03
 )のマグネトプランバイト型フェライト組成における
M。
M”およびXを種々変化させ、また甲剤、色剤並びに丙
剤の種類と添加量、更にはオートクレーブにおける反応
時間と保持時間をそれぞれ表1に示−すように変化させ
た以外は、実施例1と同一の操作を行ってBa−フェラ
イト粉末を得た。
得られたマグネトプランバイト型フェライト粉末はいず
れも粒度が0.3μm以下、板状比が10以上であり1
個々の粒子が孤立分離していて分散性のよいものであっ
た。各々の飽和磁化、保磁力および比表面積を表1に併
記した。表1に見られるように、いずれも飽和磁化は5
0 emu/g以上で。
保磁力は200〜2000 (Oe)の範囲にある。
実施例15 Ba0・5.7 (Fe 1.82  Zr O,09
・Cu O,09・03 )の式で表される組成式、す
なわち、(1)式の一般式MO−n (Fez−x M
’X 03 )において、 M=Ba。
M’  =Zr+Cu (ZrとCuは等量) 、  
n=5.7.  x=0.18  の組成式で表される
Ba−フェライトを製造するべく、この組成になるよう
に、オキシ水酸化鉄(Fe00H) 85.22 gr
を含むスラリー688gr。
0.5モルBaCl2水溶液162mj2.オキシ塩化
ジルコニウム11.33gr、および塩化第二銅8.7
7 grを十分混合せしめ、この混合液に9.0モルN
aOH水溶液495n+42を添加した。
次いで、このアルカリ性スラリーにラウリン酸ナトリウ
ム6.95 grを含む水溶液117grを添加して1
0分間強制攪拌を行ったあと、このスラリーをオートク
レーブ中で250℃にて、60分間反応させた。こうし
て得られた反応生成物について、これを水洗、乾燥した
あと2反応生成物を被覆しているラウリル酸を脱着する
ために、電気炉で空気中300℃×30分間の加熱処理
を施した。こうして得12れたマグネトプランバイト型
Ba−フェライト粉末は、保磁力650 (Oe) 、
飽和磁化52.1  eo+u/gの磁気特性を有し、
比表面積32.1 rd/g 、粒度0.3μm以下、
板状比10以上であり、且つ個々の粒子が孤立して分散
性の良好な極めて薄い板状微細粒子であった。
実施例16 3.1モルFeCl3水溶液280 tart、 0.
51モルSrSrC12l88!、オキシ塩化ジルコニ
ウム11.33gr、および塩化マグネシウム8.66
 grを十分に混合せしめた後、常温にて、この混合溶
液に8.9モルNa0)!水溶液495mAを添加し、
褐色沈澱物を含む高アルカリ性スラリー状物質を得た。
次いでこの高アルカリ性スラリー状物質をオートクレー
ブ中240℃にて10分間加熱したあと、フェライト化
反応促進剤としてドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウ
ム13.9を含む水溶液114grを240℃に保持さ
れた該オートクレーブ中に圧入し、更に同温度で60分
間反応せしめた。
こうして得られた反応生成物について十分な洗浄を施し
、不純物を除去したあと、乾燥解粒を行って+ Sr−
フェライト粉末を得た。
得られたSr−フェライト粉末は粒度が0.5μm以下
、板状比が10以上であり1個々の粒子が分離した分散
性の良好な板状微細粒子であった。そして、その飽和磁
化は57.6  emu/g + また保磁力は700
 (Oe)であった。
比較例1 3.1モルFeCl3水溶液280 mll 、 0.
5モルBaCl2162m7!、オキシ塩化ジルコニウ
ム11.33gr+および塩化第二銅8.77 grを
十分に混合した後、常温にて、この混合溶液に9.0モ
ルNaOH水溶液495m1を添加し、褐色沈澱物を含
む高アルカリ性スラリー状物質を得た。次いで、このス
ラリー状物質をオートクレーブ中で280℃にて60分
間反応させた。こうして得られた反応生成物について十
分な洗浄を施し、不純物を除去したあと、乾燥解粒を行
って+ Ba−フェライト粉末を得た。
得られたBa−フェライト粉末は、比表面積31rd/
g、粒度が0.3μm以下、板状比が10以上の板状微
細粒子であったが、その飽和磁化は40.工emu/g
であった。なお保磁力は890 (Oe)であった。
比較例2 3.1モルFeCl3水溶液280 mll 、 0.
5モルBaBaC12l62+を十分に混合した後、常
温にて、この混合溶液に9.0モルNaOH水溶液49
5mj!を添加し。
褐色沈澱物を含む高アルカリ性スラリー状物質を得た。
次いで、このスラリー状物質をオートクレーブ中で30
0℃にて60分間反応させた。こうして得られた反応生
成物について十分な洗浄を施し。
不純物を除去したあと、乾燥解粒を行って、Ba−フェ
ライト粉末を得た。
得られたBa−フェライト粉末は平均粒度が0.8μm
であり1個々の粒子が互も”為に焼結した部分があり、
粗大粒子も観察された。また、飽和磁化は32  em
u/g 、保磁力は1220 (Oe)であった。
比較例3 3.1モルFeCl3水溶液280 mll、 0.5
モルBaBaC12l62.オキシ塩化ジルコニウム1
1.33gr、および塩化第二銅8.77 grを十分
に混合した後、常温にて、この混合溶液に9.0モルN
aOH水溶液495mj!を添加し、褐色沈澱物を含む
高アルカリ性スラリー状物質を得た。次いで、このスラ
リー状物質にゼラチン13.9 grを含む水溶液11
4grを添加し、10分間の強制攪拌を行ったあと、こ
の混合物をオートクレーブ中で280℃にて60分間反
応させた。こうして得られた反応生成物について十分な
洗浄を施し、不純物を除去したあと、乾燥解粒を行って
+ Ba−フェライト粉末を得た。
得られたマグネトプランバイト型Ba−フェライト粉末
は、比表面積5.3rrr/g、粒度1μm以上と粗大
化しており、また、飽和磁化は34.1Nmu/gであ
った。
比較例4 3.1モルFeCl3水溶液280 ll1N、 0.
5モルBaBaCl2l62!’、オキシ塩化ジルコニ
ウム11.33gr+および塩化第二銅8.778rを
十分に混合した後、常温にて、この混合溶液に9.0モ
ルNaOH水溶液495m1を添加し、褐色沈澱物を含
む高アルカリ性スラリー状物質を得た。次いで、このス
ラリー状物質にアミノプルピルトリメトキシシラン13
.9 grを添加し、10分間強制攪拌を行ったあと、
この混合物をオートクレーブ中で280℃にて60分間
反応させた。こうして得られた反応生成物について十分
な洗浄を施し、不純物を除去したあと、乾燥解粒を行っ
て、 Ba−フェライト粉末を得た。
得られた反応生成物は、X線回折による物質同定におい
て、 BaO−Pc403の回折線が検出されずまた飽
和磁化は1.6 etau/gと著しく低い値であった
比較例5 3.1モルFeCl3水溶液280 mll 、 0.
5モルBaBaC12l62!、オキシ塩化ジルコニウ
ム11.33gr、および塩化第二銅8.77 grを
十分に混合した後、常温にて、この混合溶液に9.0モ
ルNaOH水溶液495IIlを添加し、褐色沈澱物を
含む高アルカリ性スラリー状物質を得た。次いで、この
スラリー状物質に、クエン酸ナトリウム13.9 gr
を含む水溶液114 gr添加し、10分間強制攪拌を
行うたあと、この混合物をオートクレーブ中で280℃
にて60分間反応させた。こうして得られた反応生成物
について十分な洗浄を施し、不純物を除去したあと、乾
燥解粒を行って+ Ba−フェライト粉末を得た。
得られた反応生成物は、X線回折による物質同定による
と、大部分がα−Fe203であることが判明した。
【図面の簡単な説明】
第1図は、 BaO−nFe2O3で示されるBa−フ
ェライトを水熱合成(本発明に従うフェライト化反応促
進剤は無添加)するさいにおける2モル比n= (Pe
) / 2 X (Ba)と飽和磁化との関係を示す図
、  。 第2図は、フェライトの水熱合成法(本発明に従うフェ
ライト化反応促進剤は無添加)におけるアルカリ当量比
と飽和磁化との関係を示す図である。 モル比(1:Fe3/2x[Ba]) j1!2図 手続補正書(自発) 昭和60年5月11日

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、一般式が MO・n(Fe_2_−_xM′xO_3)(ただし、
    上式において、 Mは、Ba、Sr、CaおよびPbからなる群から選ば
    れた一種または二種以上の金属、 nは、3〜6の数値 M′は、Si、Ta、Sb、Nb、ZrおよびTiから
    なる群から選ばれた少なくとも一つの成分、または該成
    分とNi、Co、Cu、Mg、MnおよびZnからなる
    群から選ばれた少なくとも一つの成分との組合せ、xは
    、0.01〜0.7の数値である) で表されるマグネトプランバイト型フェライトを、10
    0℃を越えるH_2O媒体中で且つ酸根に対するアルカ
    リ当量比が1.0を越える量のアルカリの存在下または
    反応系のpHが11以上となるアルカリの存在下で、生
    成させるフェライトの水熱合成法であって、 該フェライトの生成反応を、以下の甲群から選ばれる有
    機化合物(甲剤という)の一種または二種以上の存在下
    で進行させることを特徴とするマグネトプランバイト型
    フェライトの水熱合成法、〔甲群〕・・アルキルベンゼ
    ンスルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;
    アルキルスルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘
    導体;リグニンスルホン酸またはその塩類もしくはそれ
    らの誘導体;ナフタリンスルホン酸またはその塩類もし
    くはそれらの誘導体;アミン、ジアミン、アマイド、第
    四級アンモニウム塩、アミン酢酸塩またはこれらアミン
    化合物の誘導体;脂肪酸またはその塩類もしくはそれら
    の誘導体;カルボン酸またはその塩類もしくはそれらの
    誘導体;レシチンまたはその同族化合物;ポリオキシエ
    チレンアルキルエーテルまたはその誘導体;ソルビタン
    脂肪酸エステルまたはその誘導体。
  2. (2)、甲剤の存在量が、生成フェライト量に対して1
    〜70重量%である特許請求の範囲第1項記載のフェラ
    イトの水熱合成法。
  3. (3)、一般式が MO・n(Fe_2_−_xM′_xO_3)(ただし
    、上式において、 Mは、Ba、Sr、CaおよびPbからなる群から選ば
    れた一種または二種以上の金属、 nは、3〜6の数値 M′は、Si、Ta、Sb、Nb、ZrおよびTiから
    なる群から選ばれた少なくとも一つの成分、または該成
    分とNi、Co、Cu、Mg、MnおよびZnからなる
    群から選ばれた少なくとも一つの成分との組合せ、xは
    、0.01〜0.7の数値である) で表されるマグネトプランバイト型フェライトを、10
    0℃を越えるH_2O媒体中で且つ酸根に対するアルカ
    リ当量比が1.0を越える量のアルカリの存在下または
    反応系のpHが11以上となるアルカリの存在下で、生
    成させるフェライトの水熱合成法であって、 該フェライトの生成反応を、以下の甲群から選ばれる甲
    剤の一種または二種以上および以下の乙群から選ばれる
    化合物(乙剤という)の一種または二種以上の存在下で
    進行させることを特徴とするマグネトプランバイト型フ
    ェライトの水熱合成法、 〔甲群〕・・アルキルベンゼンスルホン酸またはその塩
    類もしくはそれらの誘導体;アルキルスルホン酸または
    その塩類もしくはそれらの誘導体;リグニンスルホン酸
    またはその塩類もしくはそれらの誘導体;ナフタリンス
    ルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;アミ
    ン、ジアミン、アマイド、第四級アンモニウム塩、アミ
    ン酢酸塩またはこれらアミン化合物の誘導体;脂肪酸ま
    たはその塩類もしくはそれらの誘導体;カルボン酸また
    はその塩類もしくはそれらの誘導体;レシチンまたはそ
    の同族化合物;ポリオキシエチレンアルキルエーテルま
    たはその誘導体;ソルビタン脂肪酸エステルまたはその
    誘導体: 〔乙群〕・・アルコール類またはそれらの誘導体;糖類
    、デキストリン、グリコール類またはそれらの誘導体;
    グリコシド類、アスコルビン酸、オキシカルボン酸また
    はそれらの塩類もしくはそれらの誘導体。
  4. (4)、甲剤の存在量が、生成フェライト量に対して1
    〜70重量%、そして、乙剤の存在量が生成フェライト
    量に対して0.01〜10重量%である特許請求の範囲
    第3項記載のフェライトの水熱合成法。
  5. (5)、一般式が MO・n(Fe_2_−_xM′_xO_3)(ただし
    、上式において、 Mは、Ba、Sr、CaおよびPbからなる群から選ば
    れた一種または二種以上の金属、 nは、3〜6の数値 M′は、Si、Ta、Sb、Nb、ZrおよびTiから
    なる群から選ばれた少なくとも一つの成分、または該成
    分とNi、Co、Cu、Mg、MnおよびZnからなる
    群から選ばれた少なくとも一つの成分との組合せ、xは
    、0.01〜0.7の数値である) で表されるマグネトプランバイト型フェライトを、10
    0℃を越える、H_2O媒体中で且つ酸根に対するアル
    カリ当量比が1.0を越える量のアルカリの存在下また
    は反応系のpHが11以上となるアルカリの存在下で、
    生成させるフェライトの水熱合成法であって、 該フェライトの生成反応を、以下の甲群から選ばれる甲
    剤の一種または二種以上および以下の丙群から選ばれる
    物質(丙剤という)の一種または二種以上の存在下で進
    行させることを特徴とするマグネトプランバイト型フェ
    ライトの水熱合成法、〔甲群〕・・アルキルベンゼンス
    ルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;アル
    キルスルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体
    ;リグニンスルホン酸またはその塩類もしくはそれらの
    誘導体;ナフタリンスルホン酸またはその塩類もしくは
    それらの誘導体;アミン、ジアミン、アマイド、第四級
    アンモニウム塩、アミン酢酸塩またはこれらアミン化合
    物の誘導体;脂肪酸またはその塩類もしくはそれらの誘
    導体;カルボン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導
    体;レシチンまたはその同族化合物;ポリオキシエチレ
    ンアルキルエーテルまたはその誘導体;ソルビタン脂肪
    酸エステルまたはその誘導体。 〔丙群〕・・リン酸またはその塩もしくはその化合物;
    珪酸またはその塩もしくはその化合物;酸化アルミニウ
    ムまたはアルミニウム塩もしくはその化合物;酸化チタ
    ンまたはその化合物。
  6. (6)、甲剤の存在量が、生成フェライト量に対して1
    〜70重量%、そして、丙剤の存在量が生成フェライト
    量に対して0.01〜5重量%である特許請求の範囲第
    3項記載のフェライトの水熱合成法。
  7. (7)、一般式が MO・n(Fe_2_−_xM′_xO_3)(ただし
    、上式において、 Mは、Ba、Sr、CaおよびPbからなる群から選ば
    れた一種または二種以上の金属。 nは、3〜6の数値 M′は、Si、Ta、Sb、Nb、ZrおよびTiから
    なる群から選ばれた少なくとも一つの成分、または該成
    分とNi、Co、Cu、Mg、MnおよびZnからなる
    群から選ばれた少なくとも一つの成分との組合せ、xは
    、0.01〜0.7の数値である) で表されるマグネトプランバイト型フェライトを、10
    0℃を越えるH_2O媒体中で且つ酸根に対するアルカ
    リ当量比が1.0を越える量のアルカリの存在下または
    反応系のpHが11以上となるアルカリの存在下で、生
    成させるフェライトの水熱合成法であって、 該フェライトの生成反応を、以下の甲群から選ばれる甲
    剤の一種または二種以上、以下の乙群から選ばれる乙剤
    の一種または二種以上および以下の丙群から選ばれる丙
    剤の一種または二種以上の存在下で進行させることを特
    徴とするマグネトプランバイト型フェライトの水熱合成
    法、 〔甲群〕・・アルキルベンゼンスルホン酸またはその塩
    類もしくはそれらの誘導体;アルキルスルホン酸または
    その塩類もしくはそれらの誘導体;リグニンスルホン酸
    またはその塩類もしくはそれらの誘導体;ナフタリンス
    ルホン酸またはその塩類もしくはそれらの誘導体;アミ
    ン、ジアミン、アマイド、第四級アンモニウム塩、アミ
    ン酢酸塩またはこれらアミン化合物の誘導体;脂肪酸ま
    たはその塩類もしくはそれらの誘導体;カルボン酸また
    はその塩類もしくはそれらの誘導体;レシチンまたはそ
    の同族化合物:ポリオキシエチレンアルキルエーテルま
    たはその誘導体;ソルビタン脂肪酸エステルまたはその
    誘導体; 〔乙群〕・・アルコール類またはそれらの誘導体;糖類
    、デキストリン、グリコール類またはそれらの誘導体;
    グリコシド類、アスコルビン酸、オキシカルボン酸また
    はそれらの塩類もしくはそれらの誘導体: 〔丙群〕・・リン酸またはその塩もしくはその化合物;
    珪酸またはその塩もしくはその化合物;酸化アルミニウ
    ムまたはアルミニウム塩もしくはその化合物;酸化チタ
    ンまたはその化合物。
  8. (8)、甲剤の存在量が、生成フェライト量に対して1
    〜70重量%、乙剤の存在量が生成フェライト量に対し
    て0.01〜10重量%そして丙剤の存在量が生成フェ
    ライト量に対して0.01〜5重量%である特許請求の
    範囲第7項記載のフェライトの水熱合成法。
  9. (9)、フェライト生成温度は180〜400℃である
    特許請求の範囲第1項、第3項、第5項または第7項記
    載のフェライトの水熱合成法。
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