JPH09326452A - 半導体パッケージ - Google Patents

半導体パッケージ

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JPH09326452A
JPH09326452A JP34529096A JP34529096A JPH09326452A JP H09326452 A JPH09326452 A JP H09326452A JP 34529096 A JP34529096 A JP 34529096A JP 34529096 A JP34529096 A JP 34529096A JP H09326452 A JPH09326452 A JP H09326452A
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semiconductor
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ジュン ソン チ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップのメモリ容量を拡大しつつ、製品
のコンパクト化を図る。 【解決手段】上方向きに屈曲形成された複数のリードフ
レーム22を用い、屈曲延長されたリードフレーム22の下
面と半導体チップ21下面とを金属ワイヤ24により電気的
に接続し、モールド樹脂26により成形し、上下側面の３
方側にリードフレーム22の一部を露出させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが樹
脂モールドされた形態の半導体パッケージに係わるもの
で、詳しくは、上下側面にリードが露出した半導体パッ
ケージの構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体パッケージにおいては、米
国特許第5,428,248 号に記載されたものが知られてい
る。このものは、図７に示すように、基板に接続された
接続部12ａと該接続部12ａから屈曲延長されたチップ接
続部12ｂとを有するリードフレーム12と、該リードフレ
ーム12の接続部12ａ上に接着剤13により接着された半導
体チップ11と、該半導体チップ11上面と前記リードフレ
ーム12の接着部12ｂとに接続された金属ワイヤ14と、を
備え、これらのリードフレーム12、半導体チップ11及び
金属ワイヤ14がモールド樹脂15により密封成形された
後、前記リードフレーム12の接続部12ａ下面及び接続部
12ｂ側面が夫々外部に露出するように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】然るに、従来の半導体
パッケージにおいては、リードフレーム12は成形体の下
面又は側面のみ露出し、上面には露出していないため、
複数の半導体装置を半導体パッケージに実装したまま積
層して接続することはできず、メモリ容量の拡大を図る
ようなことはできなかった。
【０００４】また、かかるリードフレーム12では、露出
部位が少なく、半導体チップからの発生熱を、この露出
部位のみから放熱したのでは、該熱を充分に放熱し得
ず、半導体装置の作動効率を向上し得ないという不都合
な点があった。さらに、金属ワイヤ14の接続部位が半導
体チップ11及びリードフレーム12の接続12ｂの上面に位
置しているため、モールド樹脂により成形された成形体
のサイズが大きくなって半導体パッケージのコンパクト
化を図り得ないという下都合な点があった。
【０００５】本発明はこのような従来の課題に鑑みてな
されたもので、半導体チップメモリの容量を拡大しなが
らコンパクト化を図り、かつ、半導体チップの発生熱を
外部に効率的に放熱し得る半導体パッケージを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１の発
明にかかる装置は、ボンドパッド面を下面に有する半導
体チップを実装する半導体パッケージであって、基端部
及び基端部から上向きに半導体チップ上面よりも高く、
段をなすように延長形成された先端部を有する複数のリ
ードフレームと、各リードフレームの基端部を前記半導
体チップ下面に接着する接着剤と、前記半導体チップ下
面のボンドパッドと各リードフレームとを接続する複数
の接続手段と、前記リードフレームの基端部下面及び先
端部上面が露出するように、これらの半導体チップ、リ
ードフレーム及び接続手段を密封成形した絶縁性のモー
ルド樹脂と、を備えている。
【０００７】かかる構成によれば、リードフレームの基
端部下面及び先端部上面の２面がモールド樹脂から露出
し、半導体チップのボントパッドが基端部に接続手段を
介して接続されているので、半導体パッケージを上下に
重ねることにより、複数の半導体チップの接続が可能と
なる。また、半導体チップからの発生熱を放熱する露出
部位が基端部の下面、先端部の上面となり、放熱面積が
広くなる。
【０００８】請求項２の発明にかかる装置では、前記リ
ードフレームの先端部側面もモールド樹脂から露出する
ように構成されている。かかる構成によれば、リードフ
レームの先端部もモールド樹脂から露出しているので、
横方向についても半導体チップの接続が可能となる。請
求項３の発明にかかる装置では、前記接続手段が、半導
体チップ下面のボンドパッドと各リードフレームの先端
部下面とを接続する金属ワイヤである。
【０００９】かかる構成によれば、接続手段が金属ワイ
ヤであるときは、半導体チップ下面のボンドパッドと各
リードフレームの先端部下面とが金属ワイヤによって接
続される。金属ワイヤがリードフレームの先端部下面に
接続されているので、半導体パッケージの厚さが薄くな
り、コンパクトとなる。請求項４の発明にかかる装置で
は、前記接続手段は、前記半導体チップ下面のボンドパ
ッドと各リードフレームの先端部下面とを接続するソル
ダーバンプである。
【００１０】かかる構成によれば、接続手段がソルダー
バンプであるときは、半導体チップ下面のボンドパッド
と各リードフレームの先端部下面とがソルダーバンプに
よって接続される。請求項５の発明にかかる装置では、
前記接着剤は、絶縁性両面テープである。かかる構成に
よれば、絶縁性両面テープによってリードフレームの基
端部が半導体チップ下面に接着される。
【００１１】請求項６の発明にかかる装置では、前記接
着剤は、絶縁性ペースト接着剤である。かかる構成によ
れば、絶縁性ペースト接着剤によってリードフレームの
基端部が半導体チップ下面に接着される。請求項７の発
明にかかる装置では、前記接着剤は、エポキシ系の接着
テープである。
【００１２】かかる構成によれば、エポキシ系の接着テ
ープによってリードフレームの基端部が半導体チップ下
面に接着される。請求項８の発明にかかる装置では、前
記接着剤は、ポリイミド系の接着テープである。かかる
構成によれば、ポリイミド系の接着テープによってリー
ドフレームの基端部が半導体チップ下面に接着される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。まず、本発明に係る半導体パッケ
ージの第１の実施の形態について説明する。第１の実施
の形態においては、図１に示すように、半導体チップ21
に接続された基端部としての第１基板接続部22ａと該第
１基板接続部22ａから所定高さｈの段をなすように上方
向き延長形成された先端部としての第２基板接続部22ｂ
と、を有した複数のリードフレーム22と、これらのリー
ドフレーム22の第１基板接続部22ａ上に接着剤23により
接着された半導体チップ21と、該半導体チップ21下面と
各リードフレーム22の第２基板接続部22ｂ下面とに夫々
接続された複数の金属ワイヤ24と、を備え、これらの半
導体チップ21、リードフレーム22及び金属ワイヤ24が、
モールド樹脂26により密封成形され、各リードフレーム
22の第１基板接続部22ａ下面と第２基板接続部22ｂ上面
及び側面とが夫々外部に露出するように構成されてい
る。
【００１４】図２、図３は、夫々、モールド樹脂26で密
封成形する前、密封成形した後の半導体パッケージの底
面を示す。図２で示すように、前記各リードフレーム22
の第２基板接続部22ｂの下面は、半導体チップ21下面に
夫々形成されたボンドパッドと前記各金属ワイヤ24によ
り夫々ジグザグ(zig-zag) 状に電気的に接続され、これ
らのリードフレーム22の第１基板接続部22ａ下面は夫々
露出して、実装の際、印刷回路基板上の金属パターンに
電気的に接続される。
【００１５】又、前記接着剤23には、ポリイミド系又は
エボキシ系の絶縁性両面テープ若しくは絶縁性のペース
ト接着剤が用いられる。尚、前記所定高さｈは、図１に
示すように、リード22の板厚に接着剤23の厚さ、半導体
チップ21の厚さを加えた厚さよりも高くなるように設定
される。このように構成することにより、半導体チップ
からの発生熱を放熱する露出部位が基端部の下面、先端
部の上面の２面となり、放熱面積が広くなる。従って、
半導体チップ内の発生熱を外部に効率的に放熱し、半導
体パッケージの作動能率を向上し得るという効果があ
る。
【００１６】また、図４に示すように、半導体チップを
半導体パッケージに実装したまま、複数個積層して用い
ることもできる。このように複数個積層した半導体装置
を用いることにより、単位面積当たりの半導体チップメ
モリの処理容量が増大するため、小型化を図りながらメ
モリ容量を増大させることができる。かかる構造を有す
る半導体パッケージを製造するには、ウェーハ(wafer)
から各半導体チップをカッター等で分離する切断(sawin
g)工程と、各リードフレーム22を夫々所定間隔に配列
し、これらのリードフレーム22の第１基板接続部22ａ上
に接着剤23により前記半導体チップ21を接着する接着工
程と、該半導体チップ21下面の各ボンドパットと各リー
ドフレーム22の第２基板接続部22ｂとを、夫々、金属ワ
イヤ24により接続する接続工程と、これらの半導体チッ
プ21、リードフレーム22及び金属ワイヤ24をモールド樹
脂26により成形し、リードフレーム22の第１基板接続部
22ａ下面と第２基板連続部22ｂ上面及び側面とを夫々露
出させるモールド工程と、を順次行う。
【００１７】次いで、半導体パッケージに実装された半
導体装置は、トレイ(tray)又はチューブ(tube)を用いて
電気的特性試験が行われた後、印刷回路基板上に実装さ
れる。次に、本発明に係る半導体パッケージの第２の実
施の形態について説明する。このものは、金属ワイヤの
代わりにソルダーバンプを用いるようにしたものであ
る。
【００１８】第２の実施の形態においては、図５に示す
ように、基板に接続された第１基板接続部22ａと該第１
基板接続部22ａから所定高さｈの段をなすように上方向
き延長形成された第２基板接続部22ｂとを有した複数の
リードフレーム22と、これらのリードフレーム22の第ｌ
基板接続部22ａ上に接着剤で接着された半導体チップ21
と、該半導体チップ21の下面と各リードフレーム22の第
１基板接続部22ａ上面と夫々接続された複数のソルダー
バンプ25と、を備え、これらの半導体チップ21，リード
フレーム22及びソルダーバンプ25がモールド樹脂26によ
り密封成形された後、各リードフレーム22の第１基板接
続部22ａ下面と第２基板接続部22ｂ上面及び側面とが夫
々外部に露出して構成されている。
【００１９】且つ、前記各リードフレーム22の第１基板
接続部22ａが露出した下面は、夫々、実装の際、印刷回
路基板上の金属パターンに、第１の実施の形態と同様に
電気的に接続される。又、前記接着剤は、第１の実施の
形態と同様に、ポリイミド系又はエポキシ系の絶縁性両
面テープ若しくは絶縁性ペースト接着剤が用いられる。
【００２０】かかる構成によれば、ソルダーバンプ25を
用いて半導体チップ21の下面と第１基板接続部22ａとを
接続することができる。尚、図４と同様に、半導体チッ
プ21を半導体パッケージに実装したまま、図６に示すよ
うに複数個積層して用いることもでき、複数個積層した
半導体装置を用いることにより、半導体パッケージの小
型化を図りながらメモリの処理能力を増大させることが
できる。
【００２１】かかる構造を有する半導体パッケージを製
造するには、第１の実施の形態と同様に、切断工程と、
接着工程と、を行い、接続工程では、前記リードフレー
ム22の第ｌ基板接続部22ａ上面と前記半導体チップ21下
面とを夫々ソルダーバンプ25により接続する。そして、
モールド工程において、これらの半導体チップ21、リー
ドフレーム22及びソルダーパンプ25をモールド樹脂26に
より成形し、リードフレーム22の第１基板接続部22ａ下
面と第２基板連続部22ｂ上面及び側面とを夫々露出させ
る。
【００２２】次いで、第１の実施の形態と同様に、半導
体パッケージに実装された半導体装置は、トレイ又はチ
ューブを用いて電気的特性試験が行われた後、印刷回路
基板上に実装される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係る半導体パッケージによれば、複数のものを積層する
ことができるため、成形体の高さが低くなり、パッケー
ジのコンパクト化を図りながらメモリ容量を増大し得る
という効果がある。且つ、成形体の上下の２面に各リー
ドフレームの基端部及び先端部が露出するため、放熱面
積が広くなり、半導体チップ内の発生熱を外部に効率的
に放熱し、半導体パッケージの作動能率を向上し得ると
いう効果がある。
【００２４】請求項２の発明に係る半導体パッケージに
よれば、半導体パッケージの側面方向に半導体チップを
接続してメモリ容量を増やすことができる。請求項３の
発明に係る半導体パッケージによれば、金属ワイヤによ
って半導体チップのボンドパッドとリードフレームとを
接続することができる。請求項４の発明に係る半導体パ
ッケージによれば、ソルダーバンプによって半導体チッ
プのボンドパッドとリードフレームとを接続することが
できる。
【００２５】請求項５の発明に係る半導体パッケージに
よれば、絶縁性両面テープによってリードフレームの基
端部を半導体チップ下面に接着することができる。請求
項６の発明に係る半導体パッケージによれば、絶縁ペー
ストによってリードフレームの基端部を半導体チップ下
面に接着することができる。請求項７の発明に係る半導
体パッケージによれば、エポキシ系の接着テープによっ
てリードフレームの基端部を半導体チップ下面に接着す
ることができる。
【００２６】請求項８の発明に係る半導体パッケージに
よれば、ポリイミド系の接着テープリードフレームの基
端部を半導体チップ下面に接着することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体パッケージの第１の実施の
形態の構造を示す断面図。
【図２】図１の半導体パッケージの密封成形前の底面
図。
【図３】図１の半導体パッケージの密封成形後の底面
図。
【図４】本発明に係る半導体パッケージの第２の実施の
形態の構造を示す縦断面図。
【図５】本発明に係る第ｌの実施の形態の半導体パッケ
ージを積層した構造を示す縦断面図。
【図６】本発明に係る第２の実施の形態の半導体パッケ
ージを積層した構造を示す縦断面図。
【図７】従来の半導体パッケージの構造を示す縦断面
図。
【符号の説明】
21 半導体チップ 22 リードフレーム 22ａ 第１基板接続部 22ｂ 第２基板接続部 23 接着剤 24 金属ワイヤ 25 ソルダーバンプ 26 モールド樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/18

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ボンドパッド面を下面に有する半導体チッ
    プ（21) を実装する半導体パッケージであって、 基端部（22ａ）及び基端部（22ａ）から上向きに半導体
    チップ上面よりも高く、段をなすように延長形成された
    先端部（22ｂ）を有する複数のリードフレーム（22）
    と、 各リードフレーム（22）の基端部（22ａ）を前記半導体
    チップ（21）下面に接着する接着剤（23）と、 前記半導体チップ（21）下面のボンドパッドと各リード
    フレーム（22）とを接続する複数の接続手段と、 前記リードフレーム（22）の基端部（22ａ）下面及び先
    端部（22ｂ）上が露出するように、半導体チップ（2
    1）、リードフレーム（22）及び接続手段を密封成形し
    た絶縁性のモールド樹脂（26）と、を備えたことを特徴
    とする半導体パッケージ。
  2. 【請求項２】前記リードフレームの先端部（22ｂ）側面
    もモールド樹脂（26）から露出するように構成されたこ
    とを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
  3. 【請求項３】前記接続手段は、半導体チップ（21）下面
    のボンドパッドと各リードフレーム（22）の先端部（22
    ｂ）下面とを接続する金属ワイヤ（24）であることを特
    徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体パッケー
    ジ。
  4. 【請求項４】前記接続手段は、前記半導体チップ（21）
    下面のボンドパッドと各リードフレーム（22）の先端部
    （22ａ）下面とを接続するソルダーバンプ(25)であるこ
    とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体パッ
    ケージ。
  5. 【請求項５】前記接着剤（23）は、絶縁性両面テープで
    あることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１
    つに記載の半導体パッケージ。
  6. 【請求項６】前記接着剤（23）は、絶縁性ペースト接着
    剤であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれ
    か１つに記載の半導体パッケージ。
  7. 【請求項７】前記接着剤（23）は、エポキシ系の接着テ
    ープであることを特徴とする請求項１〜請求項４のいず
    れか１つに記載の半導体パッケージ。
  8. 【請求項８】前記接着剤（23）は、ポリイミド系の接着
    テープであることを特徴とする請求項１〜請求項４のい
    ずれか１つに記載の半導休パッケージ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003023133A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置ならびにその製造方法
CN105304581A (zh) * 2014-07-04 2016-02-03 阿尔卑斯电气株式会社 压力检测装置

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260538A (ja) 1996-03-27 1997-10-03 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置及び製造方法とその実装構造
US5731244A (en) 1996-05-28 1998-03-24 Micron Technology, Inc. Laser wire bonding for wire embedded dielectrics to integrated circuits
KR100214544B1 (ko) * 1996-12-28 1999-08-02 구본준 볼 그리드 어레이 반도체 패키지
KR100237051B1 (ko) * 1996-12-28 2000-01-15 김영환 버텀리드 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR100242994B1 (ko) * 1996-12-28 2000-02-01 김영환 버텀리드프레임 및 그를 이용한 버텀리드 반도체 패키지
KR100214561B1 (ko) * 1997-03-14 1999-08-02 구본준 버틈 리드 패키지
JP2954110B2 (ja) * 1997-09-26 1999-09-27 九州日本電気株式会社 Ｃｓｐ型半導体装置及びその製造方法
US6168975B1 (en) * 1998-06-24 2001-01-02 St Assembly Test Services Pte Ltd Method of forming extended lead package
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
KR100293815B1 (ko) * 1998-06-30 2001-07-12 박종섭 스택형 패키지
DE19844966A1 (de) * 1998-09-30 2000-01-13 Siemens Ag Halbleiterbauteil sowie dieses umfassender Chipkartenmodul
KR100319616B1 (ko) * 1999-04-17 2002-01-05 김영환 리드프레임 및 이를 이용한 버텀리드 반도체패키지
US6265761B1 (en) * 1999-05-07 2001-07-24 Maxim Integrated Products, Inc. Semiconductor devices with improved lead frame structures
US6420779B1 (en) 1999-09-14 2002-07-16 St Assembly Test Services Ltd. Leadframe based chip scale package and method of producing the same
KR100344927B1 (ko) * 1999-09-27 2002-07-19 삼성전자 주식회사 적층 패키지 및 그의 제조 방법
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
JP3602997B2 (ja) * 1999-12-15 2004-12-15 松下電器産業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
KR100370851B1 (ko) * 1999-12-30 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
JP4637380B2 (ja) * 2001-02-08 2011-02-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
US6603196B2 (en) * 2001-03-28 2003-08-05 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Leadframe-based semiconductor package for multi-media card
DE10147376B4 (de) * 2001-09-26 2009-01-15 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE10147375B4 (de) * 2001-09-26 2006-06-08 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US8129222B2 (en) * 2002-11-27 2012-03-06 United Test And Assembly Test Center Ltd. High density chip scale leadframe package and method of manufacturing the package
US20040124508A1 (en) * 2002-11-27 2004-07-01 United Test And Assembly Test Center Ltd. High performance chip scale leadframe package and method of manufacturing the package
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US20060201709A1 (en) * 2003-04-07 2006-09-14 Mciver Chandler H Low profile small outline leadless semiconductor device package
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
US6921967B2 (en) 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7568059B2 (en) * 2004-07-08 2009-07-28 Asocs Ltd. Low-power reconfigurable architecture for simultaneous implementation of distinct communication standards
JP2006190972A (ja) * 2004-12-08 2006-07-20 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
US20090327546A1 (en) * 2005-03-03 2009-12-31 Gaby Guri System for and method of hand-off between different communication standards
KR100630741B1 (ko) * 2005-03-04 2006-10-02 삼성전자주식회사 다중 몰딩에 의한 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
US7968377B2 (en) * 2005-09-22 2011-06-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit protruding pad package system
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7385299B2 (en) * 2006-02-25 2008-06-10 Stats Chippac Ltd. Stackable integrated circuit package system with multiple interconnect interface
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US7683461B2 (en) * 2006-07-21 2010-03-23 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit leadless package system
US7687892B2 (en) * 2006-08-08 2010-03-30 Stats Chippac, Ltd. Quad flat package
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7868471B2 (en) * 2007-09-13 2011-01-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package-in-package system with leads
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
JP2009094118A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Panasonic Corp リードフレーム、それを備える電子部品及びその製造方法
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7977782B2 (en) * 2007-11-07 2011-07-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with dual connectivity
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8063474B2 (en) * 2008-02-06 2011-11-22 Fairchild Semiconductor Corporation Embedded die package on package (POP) with pre-molded leadframe
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
CN101764127B (zh) * 2008-12-23 2012-01-04 日月光封装测试(上海)有限公司 无外引脚的半导体封装体及其堆迭构造
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8383457B2 (en) 2010-09-03 2013-02-26 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming interposer frame over semiconductor die to provide vertical interconnect
US8169058B2 (en) 2009-08-21 2012-05-01 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of stacking die on leadframe electrically connected by conductive pillars
USRE48111E1 (en) 2009-08-21 2020-07-21 JCET Semiconductor (Shaoxing) Co. Ltd. Semiconductor device and method of forming interposer frame over semiconductor die to provide vertical interconnect
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US9391005B2 (en) * 2009-10-27 2016-07-12 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Method for packaging a power device with bottom source electrode
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
JP2012069764A (ja) 2010-09-24 2012-04-05 On Semiconductor Trading Ltd 回路装置およびその製造方法
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
BRPI1103019A2 (pt) * 2011-06-21 2013-07-16 Whirlpool Sa conector para compressores hermÉticos
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
CN103187381B (zh) * 2011-12-30 2015-09-16 联咏科技股份有限公司 导线架封装结构
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
CN104600045B (zh) * 2015-01-30 2017-06-06 无锡中感微电子股份有限公司 电路系统、芯片封装及其封装方法
US9917041B1 (en) * 2016-10-28 2018-03-13 Intel Corporation 3D chip assemblies using stacked leadframes
FR3104317A1 (fr) * 2019-12-04 2021-06-11 Stmicroelectronics (Tours) Sas Procédé de fabrication de puces électroniques

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182845A (ja) * 1987-01-23 1988-07-28 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH01232753A (ja) * 1988-03-14 1989-09-18 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH03250657A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Hitachi Ltd 表裏両面実装可能な樹脂封止型半導体装置
JPH0629429A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Hitachi Ltd 半導体装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6089945A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Matsushita Electric Works Ltd 封止半導体装置
JPH071793B2 (ja) * 1985-07-23 1995-01-11 松下電器産業株式会社 ハイブリツド光ｉｃ装置
US4857989A (en) * 1986-09-04 1989-08-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2530056B2 (ja) * 1989-09-14 1996-09-04 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US5157480A (en) * 1991-02-06 1992-10-20 Motorola, Inc. Semiconductor device having dual electrical contact sites
FR2673042A1 (fr) * 1991-02-18 1992-08-21 Em Microelectronic Marin Sa Module electronique resistant aux deformations mecaniques pour carte a microcircuits.
JPH04284661A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Toshiba Corp 半導体装置
US5214307A (en) * 1991-07-08 1993-05-25 Micron Technology, Inc. Lead frame for semiconductor devices having improved adhesive bond line control
KR930014916A (ko) * 1991-12-24 1993-07-23 김광호 반도체 패키지
KR0128251Y1 (ko) * 1992-08-21 1998-10-15 문정환 리드 노출형 반도체 조립장치
KR960005042B1 (ko) * 1992-11-07 1996-04-18 금성일렉트론주식회사 반도체 펙케지
US5406124A (en) * 1992-12-04 1995-04-11 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Insulating adhesive tape, and lead frame and semiconductor device employing the tape
KR0152901B1 (ko) * 1993-06-23 1998-10-01 문정환 플라스틱 반도체 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182845A (ja) * 1987-01-23 1988-07-28 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH01232753A (ja) * 1988-03-14 1989-09-18 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH03250657A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Hitachi Ltd 表裏両面実装可能な樹脂封止型半導体装置
JPH0629429A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Hitachi Ltd 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003023133A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置ならびにその製造方法
JP4598316B2 (ja) * 2001-07-06 2010-12-15 パナソニック株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
CN105304581A (zh) * 2014-07-04 2016-02-03 阿尔卑斯电气株式会社 压力检测装置

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