JPH08250594A - 炭化ケイ素の金属拡散障壁層 - Google Patents

炭化ケイ素の金属拡散障壁層

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JPH08250594A JP8012429A JP1242996A JPH08250594A JP H08250594 A JPH08250594 A JP H08250594A JP 8012429 A JP8012429 A JP 8012429A JP 1242996 A JP1242996 A JP 1242996A JP H08250594 A JPH08250594 A JP H08250594A
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Abstract

(57)【要約】 誘電材料によって分離された隣接導体間の金属原子の拡
散を防止する障壁層として炭化ケイ素を提供することで
ある。 【構成】 この優れた構成によって、集積回路および配
線板に低抵抗率金属および低誘導率誘電体層を使用する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルフアス炭化
ケイ素（α‐ＳｉＣ）膜を多重レベル金属集積回路およ
び配線板設計における拡散障壁として使用することに関
する。α‐ＳｉＣの機能は、電気回路におけるデバイス
の相互接続体である隣接導体間の金属原子の移動を止め
ることである。α‐ＳｉＣの拡散障壁によって回路に加
わる信頼性は、導体間の絶縁媒質としての低抵抗導体お
よび低誘電率材料の使用を可能にする。低抵抗導体、α
‐ＳｉＣ拡散障壁および低誘電率絶縁体の組合せは、回
路のインピーダンスも最小にする。これは、回路を低周
波から高周波に効率的に動作させる。
【０００２】
【従来の技術】チヤングら〔Ｃｈｉａｎｇ ｅｔ ａ
ｌ．ｉｎ “ＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＢａｒｒｉｅｒ Ｓ
ｔｕｄｙ ｆｏｒ Ｃｏｐｐｅｒ Ｍｅｔａｌｌｉｚａ
ｔｉｏｎ”（ＶＭＩＣ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｊｕｎ
ｅ ７−８，１９４４）〕は、窒化ケイ素、オキシ窒化
ケイ素および酸化イ素誘電体への銅の拡散を研究してい
る。の文献は、窒化ケイ素およびオキシ窒化ケイ素が酸
化ケイ素よりも金属移動に対する著しく良好な障壁であ
ることを教示している。しかしながら、この文献は炭化
ケイ素を障壁として使用することを検討していない。
【０００３】同様に、米国特許第５，１０３，２８５号
は、シリコン基板と金属配線層間の障壁層としての炭化
ケイ素の使用を教示しているが、該特許は金属配線と隣
接誘電層間の拡散障壁層としての炭化ケイ素の使用を教
示していない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】我々は、炭化ケイ素が
優れた障壁層を形成して誘電体層への低抵抗金属導体の
拡散を妨げることを発見した。
【０００５】本発明の重要な点は、高動作速度と信頼性
を有する優れた集積回路を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による集積回路
は、半導体材料製の基板内に形成された複数の固体デバ
イスの副アセンブリからなる。その副アセンブリ内のデ
バイスは、高導電率、低抵抗金属製の金属配線によって
接続される。少なくとも金属配線の上にアモルフアス、
炭化ケイ素の拡散障壁層が形成される。次に、その炭化
ケイ素層の上に誘電層が形成される。
【０００７】本発明は、アモルフアス炭化ケイ素が電気
回路における隣接デバイス相互接続体間の金属原子の移
動を止めるという我々の予期しなかった発見に基いてい
る。この発見によって、ＩＣメーカーは（１）相互接続
材料として高導電率、低抵抗金属（例えば、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、合金、超伝導体）を使用することができる；
（２）金属配線間の絶縁層として極低誘電率材料を使用
することができる。α‐ＳｉＣが存在しないと、高導電
率金属と低誘電率絶縁層の組合せは、金属の移動および
腐食のような問題に苦しむ。
【０００８】本発明のプロセスに使用される集積回路副
アセンブリは決定的なものではなく殆んど全てが有用で
ある。該集積回路の製造に用いる方法も既知であって、
本発明に決定的なものではない。該回路の例は、成長さ
せたエピタキシヤル層を有する半導体基板（例えば、シ
リコン、ヒ化ガリウム、等）からなるものである。この
エピタキシヤル層は、適当にドーピングされて回路の固
体能動デバイス領域を構成するＰＮ−接合領域を形成す
る。これらの固体能動デバイス領域はダイオードおよび
トランジスタであって、それらは金属配線層によって適
当に相互接続されたときに集積回路を形成する。
【０００９】
【実施例】図１は本発明のデバイスの横断面である。図
１はデバイス領域（２）とデバイスを相互に接続する薄
膜金属配線（３）を有する回路副アセンブリ（１）を示
す。 従来の集積回路副アセンブリ上の金属配線層は、
一般にアルミニウムの薄膜である。本発明を使用するこ
とによって、これらの薄膜はアルミニウムの代りに高導
電率金属製にすることができる。ここで使用する高導電
率金属は、２０℃で２．５μα‐ｃｍ以下の抵抗率を有
するものであって、銅、銀、金、合金および起電導体を
含む。
【００１０】かかる高導電率金属層を蒸着する方法は技
術的に既知であって特定の方法を利用することは重要で
ない。かかる方法の例は、スパッタリングおよび電子ビ
ーム蒸着のような種々の物理蒸着（ＰＶＤ）法を含む。
【００１１】本発明により、炭化ケイ素層が金属配線層
の上に付着される。一般に、これは金属配線を含む回路
副アセンブリの最上面全体をコーティングすることによ
って達成される。これは図１に被膜（４）として示す。
しかしながら、これとは別に、例えば、マスキングによ
って炭化ケイ素を配線のみの上に選択的に付着させた
り、その表面全体をコーティングした後に炭化ケイ素を
必要としない領域を腐食することもできる。
【００１２】炭化ケイ素層を付加する方法は本発明に決
定的なものではなくて、多くの方法が技術的に知られて
いる。該付加方法の例は、従来のＣＶＤ、光化学蒸着、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ）、ジェット蒸着のような種々の化学
蒸着法およびスパッタリングおよび電子ビーム蒸着のよ
うな種々の物理蒸着法を含む。これらの方法は被蒸着物
質へのエネルギー（熱、プラズマ、等）を添加して必要
な反応をさせたり、材料の固体試料にエネルギーを集中
させてその固体試料を蒸着させることを含む。
【００１３】従来の化学蒸着における被膜は、必要な前
駆物質ガス流を加熱基板上に通すことによって蒸着され
る。その前駆物質ガスは加熱表面と接触したときに、反
応して被膜を蒸着する。必要な被膜の前駆物質および厚
さに依存して、これらの被膜を数分〜数時間で形成させ
るには、基板の温度は、１００〜１０００℃の範囲内で
十分である。必要ならば、かかるプロセスに反応性金属
を使用して蒸着を促進することができる。
【００１４】プラズマ強化化学蒸着法の場合、必要な前
駆物質ガスはプラズマの場に通すことによって反応す
る。それによって生成された反応性物質は、次に、それ
らが容易に付着する基板に集束される。一般に、この方
法がＣＶＤ法より優れる利点は、低い基板温度を使用で
きることである。例えば、５０℃〜６００℃の基板温度
が機能的である。
【００１５】かかる方法に用いられるプラズマは、放
電、無線周波数またはマイクロ波領域における電磁場の
ような種々の源から誘導されるエネルギーからなる。一
般に、大部分のプラズマ蒸着法においては、適度の電力
密度（０．１〜５ワット／ｃｍ2 ）で無線周波数（１０
ｋＨｚ〜２０2 ＭＨｚ）またはマイクロ波（０．１〜１
０ＧＨｚ）の使用が望ましい。しかしながら、使用する
前駆物質ガスおよび装置に対して特定の周波数、電力お
よび圧力を調整する。
【００１６】これらの方法に使用するのに適当な前駆物
質ガスの例は、（１）メタン、エタンまたはプロパンの
ような炭素原子数が１〜６のアルカンの存在下でシラン
またはトリクロロシランのようなハロシランの混合体；
（２）メチルシラン、ジメチルシランおよびトリメチル
シランのようなアルキルシラン；または（３）米国特許
第５，０１１，７０６号に記載されているようなシルア
シクロブタンまたはジシルアシクロブタンを含む。本発
明に特に望ましいのは、トリメチルシランのプラズマ強
化化学蒸着である。
【００１７】炭化ケイ素の蒸着後、炭化ケイ素層の上に
誘電層を蒸着する。これは図１に中間レベルの誘電体層
（５）として示す。特定の誘導体層およびその蒸着法は
本発意の決定的なものではないが、我々の方法を使用す
ることによって、低誘電率（ＤＫ）層を利用することが
できる。ここで使用される低誘電率（ＤＫ）層は３．５
以下のＤＫを有するものである。
【００１８】適当な誘電材料の例は酸化ケイ素、窒化ケ
イ素、オキシ窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ
素、カルボ窒化ケイ素、シリコーン、ポリイミド、エポ
キシまたはパリレン（ＰＡＲＹＬＥＮ，商品名）のよう
な有機物質を含む。１層以上のこれら誘電体が使用でき
ることは明らかである。
【００１９】これらの被膜を付着させる方法も技術的に
既知である。それらはスピン・オン法、従来のＣＶＤ、
光化学蒸着、ＰＥＣＶＤ、ＥＲＣ、ジェット蒸着、およ
びスパッタリングおよび電子ビーム蒸着のような種々の
物理蒸着法を含む。
【００２０】本発明における望ましい方法は、構造式
（ＯＨ）ｘ（ＯＲ）ｙＯｚ／２〔式中の各Ｒはそれぞれ
酸素原子を介してＳｉに結合したときに加水分解性置換
基を生成する有機基であり、ｘ＝０〜２、ｙ＝０〜２、
ｚ＝１〜３そしてｘ＋ｙ＋ｚ＝３〕の単位を有するヒド
リドシロキサンを蒸着することからなる。これらの樹脂
は完全に縮合（ｘ＝０、ｙ＝０、ｚ＝３）するが、また
は部分的加水分解するのみ（ｙは重合体の全ての単位に
ついて０にならない）および／または部分縮合（ｘは重
合体の全ての単位について０にならない）する。この構
造式によって示されないが、これら樹脂の種々の単位
は、それらの生成および処理に含まれる種々の要因のた
めに０または１以上のＳｉ−Ｈ結合を有しうる。
【００２１】これらの樹脂の例は、米国特許第３，６１
５，２７２号；仝５，０１０，１５９号；仝４，９９
９，３９７号および仝５，０６３，２６７号の方法によ
って生成されるものである。これらの樹脂はスピン・オ
ン法、続いて加熱してセラミックに転化させることによ
って付着される。
【００２２】多層デバイスが必要な場合には、その誘電
層の上に別の金属配線層を形成させ、次に誘電層および
炭化ケイ素層を腐食することによってそれらの層を相互
に接続することができる。図１は、相互接続体（６）に
よって第１の配線層の選択領域で相互に接続されている
第２の金属配線層（７）を示す。しかしながら、配線を
高導電率材料にする必要がある場合には、誘電体と金属
の勘に炭化ケイ素層（８）を蒸着して誘電体中への金属
の拡散を防止しなければならない。前記のように、この
炭化ケイ素を形成することができる。このように、炭化
ケイ素層の間の金属配線をサンドイッチにする。このプ
ロセスを回路内の種々の金属化層に対して何回も反復す
ることができる。例えば、図１は、第２の誘電体層
（９）、第２の炭化ケイ素層（１１）によって保護され
た第３の配線層（１０）を示す。
【００２３】誘電体層（すなわち、図１の層５および
９）を低誘電率（例えば、ＤＫ＜５）の炭化ケイ素に代
えることもできる。この実施例では、前記の金属配線層
の上に炭化ケイ素層を形成し、次にその炭化ケイ素の上
に別の金属層を形成するだけである。
【００２４】この技術は配線板に応用してその上に上記
回路を装着することに応用できる。これらの配線板上の
金属配線および誘電層の構造は前記の構造と同一であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のデバイスの横断面図である。
【符号の説明】
１ 回路の副アセンブリ ２ デバイス領域 ３ 金属配線層 ４ 被膜 ５ 誘電体層 ６ 相互接続体 ７ 第２の金属配線層 ８ 炭化ケイ素層 ９ 第２の誘電体層 １０ 第３の配線層 １１ 第２の炭化ケイ素層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（Ａ）固体デバイス領域を有する半導体基
    板、および半導体基板の表面に蒸着され固体デバイス領
    域を相互に接続する金属配線からなる回路サブアセンブ
    リ； （Ｂ）少なくとも前記金属配線を被覆するアモルフアス
    炭化ケイ素層；および （Ｃ）少なくとも前記炭化ケイ素層を被覆する誘電体層
    からなることを特徴とする集積回路。
  2. 【請求項２】アモルフアス炭化ケイ素層が、金属配線お
    よびデバイス領域を含む回路サブアセンブリの表面を被
    覆する請求項１記載の集積回路。
  3. 【請求項３】さらに、誘電体層を被覆する第２のアモル
    フアス炭化ケイ素層からなる請求項１記載の集積回路。
  4. 【請求項４】さらに、第２の炭化ケイ素上に形成された
    第２の金属配線層からなり、該第２の金属配線層が第１
    の金属配線層に接続される請求項１記載の集積回路。
  5. 【請求項５】（Ａ）上に２．５μΩ‐ｃｍ以下の抵抗率
    を有する金属配線を含む配線板サブアセンブリ； （Ｂ）金属配線を被覆するアモルフアス炭化ケイ素層；
    および （Ｃ）炭化ケイ素層を被覆する誘電体層、からなること
    を特徴とする配線板。
JP01242996A 1995-02-02 1996-01-29 炭化ケイ素の金属拡散障壁層 Expired - Lifetime JP3731932B2 (ja)

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TW (1) TW284920B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203201A (ja) * 1999-11-01 2001-07-27 Applied Materials Inc Ｈｄｐ−ｃｖｄを適用したバリヤ層の堆積
JP2002176100A (ja) * 2000-07-14 2002-06-21 Applied Materials Inc 低ｋ誘電層を処理して拡散を減少させる方法および装置
JP2002526649A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 炭化珪素の堆積方法とバリヤ層およびパッシベーション層としての使用
JP2002526804A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低誘電率反射防止被膜に用いるシリコンカーバイドの堆積
JP2002543610A (ja) * 1999-05-03 2002-12-17 アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ＳｉＣの除去法
JP2006294671A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Mitsui Chemicals Inc 低誘電率炭化珪素膜の製造方法
KR100772736B1 (ko) * 2000-03-13 2007-11-01 엔엑스피 비 브이 반도체 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100207444B1 (ko) * 1995-03-14 1999-07-15 윤종용 반도체 장치의 고유전막/전극 및 그 제조방법
US6350704B1 (en) 1997-10-14 2002-02-26 Micron Technology Inc. Porous silicon oxycarbide integrated circuit insulator
JP2001511318A (ja) 1997-12-10 2001-08-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体デバイス及びその製造方法
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6635583B2 (en) 1998-10-01 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposition for use as a low-dielectric constant anti-reflective coating
US6255217B1 (en) 1999-01-04 2001-07-03 International Business Machines Corporation Plasma treatment to enhance inorganic dielectric adhesion to copper
US20050099078A1 (en) * 1999-05-03 2005-05-12 Serge Vanhaelemeersch Method for removal of SiC
FR2794286B1 (fr) * 1999-05-26 2003-06-06 Commissariat Energie Atomique Niveau d'interconnexion de type damascene pour dispositif micro-electronique
US6916399B1 (en) 1999-06-03 2005-07-12 Applied Materials Inc Temperature controlled window with a fluid supply system
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6423384B1 (en) 1999-06-25 2002-07-23 Applied Materials, Inc. HDP-CVD deposition of low dielectric constant amorphous carbon film
US6593653B2 (en) 1999-09-30 2003-07-15 Novellus Systems, Inc. Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications
EP1094506A3 (en) * 1999-10-18 2004-03-03 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
US6875687B1 (en) 1999-10-18 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
DE19951595A1 (de) * 1999-10-27 2001-05-17 Bosch Gmbh Robert Massenflusssensor mit verbesserter Membranstabilität und einstellbarer Wärmeleitfähigkeit der Membran
JP3430091B2 (ja) * 1999-12-01 2003-07-28 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置
US6541369B2 (en) * 1999-12-07 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing fixed charges in a semiconductor device
US7033920B1 (en) * 2000-01-10 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a silicon carbide interconnect for semiconductor components
US6563215B1 (en) * 2000-01-10 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication
US6975030B1 (en) 2000-01-10 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Silicon carbide contact for semiconductor components
US6492267B1 (en) * 2000-02-11 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Low temperature nitride used as Cu barrier layer
US6417092B1 (en) * 2000-04-05 2002-07-09 Novellus Systems, Inc. Low dielectric constant etch stop films
US6429129B1 (en) * 2000-06-16 2002-08-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials
US6764958B1 (en) * 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6774489B2 (en) * 2000-08-29 2004-08-10 Texas Instruments Incorporated Dielectric layer liner for an integrated circuit structure
US6936533B2 (en) * 2000-12-08 2005-08-30 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor devices having low dielectric interlayer insulation layer
JP3954312B2 (ja) * 2001-01-15 2007-08-08 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
EP1233449A3 (en) * 2001-02-15 2006-03-01 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum A method of fabricating a semiconductor device
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US6472333B2 (en) 2001-03-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers
US20020177303A1 (en) * 2001-05-23 2002-11-28 Qing-Tang Jiang Method for sealing via sidewalls in porous low-k dielectric layers
US6469385B1 (en) * 2001-06-04 2002-10-22 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit with dielectric diffusion barrier layer formed between interconnects and interlayer dielectric layers
KR100668819B1 (ko) * 2001-06-26 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
KR100847926B1 (ko) * 2001-07-02 2008-07-22 다우 코닝 코포레이션 다공성 물질상의 ＳｉＣ:Ｈ 침착에 의해 개선된 금속 장벽거동
US6926926B2 (en) 2001-09-10 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias
US6759327B2 (en) 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
US6528423B1 (en) * 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
DE10297447T5 (de) * 2001-12-11 2004-11-11 Trikon Technologies Limited, Newport Diffusionsbarriere
US6699784B2 (en) 2001-12-14 2004-03-02 Applied Materials Inc. Method for depositing a low k dielectric film (K>3.5) for hard mask application
US6890850B2 (en) 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US6838393B2 (en) 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US7091137B2 (en) 2001-12-14 2006-08-15 Applied Materials Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US6849562B2 (en) * 2002-03-04 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric barrier film for copper damascene application
US6777349B2 (en) * 2002-03-13 2004-08-17 Novellus Systems, Inc. Hermetic silicon carbide
US20030194496A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for depositing dielectric material
US7008484B2 (en) * 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
AU2003282533A1 (en) * 2002-08-08 2004-02-25 Trikon Technologies Limited Improvements to showerheads
US7749563B2 (en) 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
US7270713B2 (en) * 2003-01-07 2007-09-18 Applied Materials, Inc. Tunable gas distribution plate assembly
US6790788B2 (en) * 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
US6913992B2 (en) 2003-03-07 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of modifying interlayer adhesion
US6942753B2 (en) 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US6972253B2 (en) * 2003-09-09 2005-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming dielectric barrier layer in damascene structure
EP1608013B1 (en) * 2003-09-30 2013-04-24 Imec Method of formation of airgaps around interconnecting line
US6871537B1 (en) * 2003-11-15 2005-03-29 Honeywell International Inc. Liquid flow sensor thermal interface methods and systems
US7030041B2 (en) 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics
US7229911B2 (en) 2004-04-19 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US7288205B2 (en) 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US20060021703A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US20070210421A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Texas Instruments Inc. Semiconductor device fabricated using a carbon-containing film as a contact etch stop layer
US7601651B2 (en) * 2006-03-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US7780865B2 (en) * 2006-03-31 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US20070287301A1 (en) 2006-03-31 2007-12-13 Huiwen Xu Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics
US7604871B2 (en) * 2006-06-07 2009-10-20 Honeywell International Inc. Electrical components including abrasive powder coatings for inhibiting tin whisker growth
US8247322B2 (en) 2007-03-01 2012-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Via/contact and damascene structures and manufacturing methods thereof
US20090075470A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 International Business Machines Corporation Method for Manufacturing Interconnect Structures Incorporating Air-Gap Spacers
US20090072409A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 International Business Machines Corporation Interconnect Structures Incorporating Air-Gap Spacers
JP2009088267A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置、記憶媒体及び半導体装置
JP2010103445A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US20100320548A1 (en) * 2009-06-18 2010-12-23 Analog Devices, Inc. Silicon-Rich Nitride Etch Stop Layer for Vapor HF Etching in MEMS Device Fabrication
US9340880B2 (en) 2009-10-27 2016-05-17 Silcotek Corp. Semiconductor fabrication process
CN106319477A (zh) 2009-10-27 2017-01-11 西尔科特克公司 化学气相沉积涂层、制品和方法
US10604660B2 (en) 2010-10-05 2020-03-31 Silcotek Corp. Wear resistant coating, article, and method
FR2981793A1 (fr) * 2011-10-25 2013-04-26 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication de transistors a grille isolee
US9975143B2 (en) 2013-05-14 2018-05-22 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition functionalization
US11292924B2 (en) 2014-04-08 2022-04-05 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coated article and process
US9915001B2 (en) 2014-09-03 2018-03-13 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition process and coated article
US10316408B2 (en) 2014-12-12 2019-06-11 Silcotek Corp. Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing
US10876206B2 (en) 2015-09-01 2020-12-29 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coating
US9653398B1 (en) * 2015-12-08 2017-05-16 Northrop Grumman Systems Corporation Non-oxide based dielectrics for superconductor devices
US10323321B1 (en) 2016-01-08 2019-06-18 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition process and coated article
US10608159B2 (en) 2016-11-15 2020-03-31 Northrop Grumman Systems Corporation Method of making a superconductor device
US10487403B2 (en) 2016-12-13 2019-11-26 Silcotek Corp Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article
US10276504B2 (en) 2017-05-17 2019-04-30 Northrop Grumman Systems Corporation Preclean and deposition methodology for superconductor interconnects
US10763419B2 (en) 2017-06-02 2020-09-01 Northrop Grumman Systems Corporation Deposition methodology for superconductor interconnects
US11195748B2 (en) 2017-09-27 2021-12-07 Invensas Corporation Interconnect structures and methods for forming same
GB201814231D0 (en) * 2018-08-31 2018-10-17 Univ Surrey Apparatus for forming a poly(p-xylylene) film on a component
US10985059B2 (en) 2018-11-01 2021-04-20 Northrop Grumman Systems Corporation Preclean and dielectric deposition methodology for superconductor interconnect fabrication
WO2020252306A1 (en) 2019-06-14 2020-12-17 Silcotek Corp. Nano-wire growth
KR20210018650A (ko) * 2019-08-07 2021-02-18 삼성전자주식회사 반도체 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2658304C2 (de) * 1975-12-24 1984-12-20 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Halbleitervorrichtung
JPS58204572A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPS59119733A (ja) * 1982-12-24 1984-07-11 Toshiba Corp 半導体装置
JPS59128281A (ja) * 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
JPS63150963A (ja) * 1986-12-12 1988-06-23 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4960751A (en) * 1987-04-01 1990-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric circuit having superconducting multilayered structure and manufacturing method for same
US5274268A (en) * 1987-04-01 1993-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric circuit having superconducting layered structure
JP2546696B2 (ja) * 1987-12-17 1996-10-23 富士通株式会社 シリコン炭化層構造
KR930001428A (ko) * 1991-06-12 1993-01-16 김광호 반도체장치의 제조방법
JP2721603B2 (ja) * 1991-09-25 1998-03-04 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置の駆動方法と固体撮像装置
TW347149U (en) * 1993-02-26 1998-12-01 Dow Corning Integrated circuits protected from the environment by ceramic and barrier metal layers

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002526649A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 炭化珪素の堆積方法とバリヤ層およびパッシベーション層としての使用
JP2002526804A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低誘電率反射防止被膜に用いるシリコンカーバイドの堆積
JP2002526916A (ja) * 1998-10-01 2002-08-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ダマシン用途の低κシリコンカーバイドバリア層、エッチストップ及び反射防止被膜のインシチュウ堆積
JP4763131B2 (ja) * 1998-10-01 2011-08-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低誘電率反射防止被膜に用いるシリコンカーバイドの堆積
JP2002543610A (ja) * 1999-05-03 2002-12-17 アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ＳｉＣの除去法
JP2001203201A (ja) * 1999-11-01 2001-07-27 Applied Materials Inc Ｈｄｐ−ｃｖｄを適用したバリヤ層の堆積
JP4659202B2 (ja) * 1999-11-01 2011-03-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド バリヤ層を堆積する方法
KR100772736B1 (ko) * 2000-03-13 2007-11-01 엔엑스피 비 브이 반도체 디바이스 제조 방법
JP2002176100A (ja) * 2000-07-14 2002-06-21 Applied Materials Inc 低ｋ誘電層を処理して拡散を減少させる方法および装置
JP2006294671A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Mitsui Chemicals Inc 低誘電率炭化珪素膜の製造方法

Also Published As

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