DE69633150T2 - Siliziumcarbid-Metall-Diffusionsbarriere-Schicht - Google Patents

Siliziumcarbid-Metall-Diffusionsbarriere-Schicht Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von amorphen Siliciumcarbid (a-SiC)-Schichten als Diffusionssperren in mehrschichtigen integrierten Schaltungen und Metallverdrahtungsbaugruppengestaltungen. Die Funktion des a-SiC ist es, die Wanderung von Metallatomen zwischen benachbarten Leitern zu unterbinden, die die gegenseitigen Verbindungen der Elemente in dem elektrischen Schaltkreis bilden. Die Zuverlässigkeit, die einem Schaltkreis durch die a-SiC-Diffusionssperre gegeben wird, gestattet die Verwendung von Leitern geringen Widerstandes und beständiger Materialien geringer Dielektrizität als Isoliermedien zwischen den Leitern. Die Kombination der Leiter geringen Widerstandes, der a-SiC-Diffusionssperre und der beständigen Isolierung geringer Dielektrizität minimiert ebenfalls die elektrische Impedanz des Schaltkreises. Dies gestattet es, dass die Schaltung effizient von niedrigen bis zu hohen Frequenzen arbeitet.
  • Chiang und andere diskutieren in "Studie über eine dielektrische Sperre für eine Kupfermetallisierung" (VMIC-Konferenz, 7.–8. Juni, 1994) die Diffusion von Kupfer in Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid und Siliciumoxiddielektrika. Dieses Dokument lehrt, dass Siliciumnitrid und Siliciumoxynitrid sehr viel bessere Sperren gegen die Metallwanderung sind als Siliciumoxide. Das Dokument diskutiert jedoch nicht die Verwendung von Siliciumcarbid als Sperre.
  • US-A-5,103,285 lehrt in ähnlicher Weise die Verwendung von Siliciumcarbid als Sperrschicht zwischen einem Siliciumsubstrat und einer Metallverdrahtungsschicht. Das Patent lehrt jedoch nicht die Verwendung von Siliciumcarbid als Diffusionssperrschicht zwischen einer Metallverdrahtung und benachbarten dielektrischen Schichten.
  • Wir haben nun unerwartet herausgefunden, dass Siliciumcarbid eine ausgezeichnete Sperrschicht bildet, die die Diffusion von Metallleitern mit niedrigem Widerstand in dielektrische Schichten vermeidet.
  • Ein wichtiger Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte integrierte Schaltung mit größerer Arbeitsgeschwindigkeit und Zuverlässigkeit als denen, die man bei zuvor vorgeschlagenen Schaltungen findet, vorzusehen. Die erfindungsgemäße Schaltung enthält eine Baugruppe von Halbleiterbauelementen, die in dem Substrat gebildet sind, zusammengesetzt aus einem Halbleitermaterial. Die Elemente innerhalb der Baugruppe sind durch Metallverdrahtung miteinander verbunden, ausgebildet aus hochleitenden Metallen geringen Widerstandes. Eine Diffusionssperrschicht aus amorphem Siliciumcarbid ist zumindest auf der Metallverdrahtung ausgebildet. Eine dielektrische Schicht wird dann über der Siliciumcarbidschicht ausgebildet.
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf der unerwarteten Entdeckung, dass amorphes Siliciumcarbid die Wanderung von Metallatomen zwischen benachbarten Elementverbindungen in einer elektrischen Schaltung unterbindet. Dieser Fortschritt der Technik gibt IC-Herstellern (1) die Möglichkeit, Metalle hoher Leitfähigkeit und geringen Widerstandes (z. B. Kupfer, Silber, Gold, Legierungen und Supraleiter) als Materialien für eine gegenseitige Verbindung zu verwenden; und (2) die Möglichkeit, Materialien mit sehr geringer Dielektrizitätskonstante als Isolierschichten zwischen der Metallverdrahtung zu verwenden. Ohne die Anwesenheit des a-SiC leidet die Kombination von Metallen hoher Leitfähigkeit und Isolierschichten mit geringer Dielektrizitätskonstante an Problemen mit der Zuverlässigkeit, wie beispielsweise einer Metallwanderung und Korrosion.
  • Eine Vielzahl von integrierten Schaltungsbaugruppen und eine Vielzahl von Verfahren zum Herstellen von diesen, die selbst bekannt sind, können gemäß unserer Erfindung verwendet werden. Schaltungen, die ein Halbleitersubstrat enthalten (z. B. Silicium, Galliumarsenid etc.) mit einer darauf gewachsenen Epitaxieschicht sind für solche Schaltungen beispielhaft. Die Epitaxieschicht ist geeignet dotiert, um die PN-Verbindungsbereiche zu bilden, die die aktiven Halbleiterbauelementbereiche der Schaltung bilden. Diese aktiven Bauelementbereiche sind Dioden und Transistoren, die die integrierte Schaltung bilden, wenn sie geeignet durch Metallverdrahtungsschichten untereinander verbunden sind.
  • Es wird nun auf die beiliegende Zeichnung Bezug genommen, bei der 1 ein Querschnitt eines Bauelements gemäß der vorliegenden Erfindung ist.
  • 1 zeigt eine Schaltungsbaugruppe (1) mit Bauelementbereichen (2) und einer Dünnfilmmetallverdrahtung (3), die die Bauelemente untereinander verbindet.
  • Die Metallverdrahtungsschichten auf herkömmlichen integrierten Schaltungsbaugruppen sind im Allgemeinen Aluminiumdünnfilme. Durch Verwendung der vorliegenden Erfindung können diese Dünnfilme aus Metallen hoher Leitfähigkeit anstelle von Aluminium hergestellt werden. Wie hierin verwendet, sind Metalle hoher Leitfähigkeit solche mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von unter 2,5 Microohmzentimetern bei 20°C. Diese enthalten Kupfer, Silber, Gold, Legierungen und Supraleiter.
  • Verfahren zum Abscheiden solcher Metallschichten hoher Leitfähigkeit sind im Stand der Technik bekannt. Das spezielle verwendete Verfahren ist nicht entscheidend. Beispiele solcher Verfahren enthalten verschiedene physikalische Dampfphasenabscheidungsverfahren (PVD), wie beispielsweise das Sputtern und die Elektronenstrahlverdampfung.
  • Gemäß der Erfindung wird eine Siliciumcarbidschicht über der Metallverdrahtungsschicht aufgetragen. Im Wesentlichen wird dies durch Beschichten der gesamten oberen Ffläche der Schaltungsbaugruppe erreicht, die natürlich die Metallverdrahtung enthält. Dies ist als Beschichtung 4 in 1 gezeigt. Alternativ kann jedoch das Siliciumcarbid wahlweise auf die Verdrahtung alleine durch beispielsweise Maskieren aufgetragen werden oder die gesamte Oberfläche kann beschichtet und dann diejenigen Bereiche, wo das Siliciumcarbid nicht gewünscht wird, weggeätzt werden.
  • Verschiedene Verfahren zum Auftragen von Siliciumcarbidschichten sind im Stand der Technik bekannt. Beispiele anwendbarer Verfahren enthalten eine Auswahl von chemischen Dampfphasenabscheidungsverfahren, wie beispielsweise das herkömmliche CVD, die photochemische Dampfphasenabscheidung, plasmaunterstützte chemische Dampfphasenabscheidung (PECVD), Elektroncyclotronresonanz (ECR), die Dampfstrahlabscheidung und eine Auswahl von physikalischen Dampfphasenabscheidungsverfahren, wie beispielsweise das Sputtern oder Elektronenstrahlverdampfen. Diese Verfahren bringen entweder das Zuführen von Energie (in Form von Wärme, Plasma etc.) zu einer verdampften Materie, um die gewünschte Reaktion auszulösen, oder das Fokussieren von Energie auf ein festes Stoffmuster mit sich, um dessen Abscheiden hervorzurufen.
  • Bei der herkömmlichen chemischen Dampfphasenabscheidung wird die Beschichtung durch Schicken eines Stromes der gewünschten Vorstufengase über ein erwärmtes Substrat abgeschieden. Wenn die Vorstufengase die heiße Oberfläche berühren, reagieren beide und scheiden die Beschichtung ab. Substrattemperaturen im Bereich von 100 bis 1000°C sind ausreichend, um diese Beschichtungen in mehreren Minuten bis mehreren Stunden auszubilden, in Abhängigkeit von den Prekursoren und der gewünschten Beschichtungsdicke. Sofern gewünscht, können reaktive Metalle in einem solchen Verfahren verwendet werden, um die Abscheidung zu erleichtern.
  • Beim PECVD werden die gewünschten Vorstufengase dadurch reagiert, dass sie durch ein Plasmafeld geschickt werden. Die dabei gebildeten reaktiven Medien werden dann auf das Substrat fokussiert, wo sie sofort anhaften. Im Allgemeinen liegt der Vorteil dieses Verfahrens gegenüber CVD darin, dass niedrigere Substrattemperaturen verwendet werden können. Beispielsweise sind Substrattemperaturen von 50°C bis 600°C zweckmäßig.
  • Das in solchen Verfahren verwendete Plasma enthält Energie, die aus einer Vielzahl von Quellen gewonnen wird, wie beispielsweise elektrischen Entladungen, elektromagnetischen Feldern im Hochfrequenz- und Mikrowellenbereich, Lasern oder Partikelstrahlen. Die Verwendung der Hochfrequenz-(10 kHz bis 102 MHz) oder von Mikrowellen-(0,1 bis 10 GHz) Energie bei gemäßigten Leistungsdichten (0,1 bis 5 Watt pro cm2) wird im Wesentlichen in den meisten Plasmaabscheidungsverfahren bevorzugt. Die spezielle Frequenz, Leistung und Druck sind jedoch im Allgemeinen auf die verwendeten Vorstufengase und Ausrüstung individuell abgestimmt.
  • Beispiele von für die Verwendung in diesen Verfahren geeigneten Vorstufengasen enthalten (1) Mischungen von einem oder mehreren Silanen und/oder einem oder mehreren Halosilanen, z. B. Trichlorsilan, mit einem oder mehreren Alkanen mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, z. B. Methan, Ethan oder Propan; (2) ein Alkylsilan, wie beispielsweise Methylsilan, Dimethylsilan oder Trimethylsilan; oder (3) ein Silacyclobutan oder Disilacyclobutan, wie in US-A-5,011,706 beschrieben.
  • Die plasmaunterstützte chemische Dampfphasenabscheidung von Trimethylsilan wird beispielsweise für die Zwecke der vorliegenden Erfindung bevorzugt.
  • Nachdem das Siliciumcarbid abgeschieden wurde, wird eine dielektrische Schicht über der Siliciumcarbidschicht aufgetragen. Dies ist in 1 als dielektrische Zwischenschicht (5) gezeigt. Die spezielle dielektrische Schicht und das Verfahren zu deren Abscheidung sind nicht entscheidend für die Erfindung. Durch Verwendung unseres Verfahrens jedoch kann man Schichten mit geringer Dielektrizitätskonstante (DK) verwenden. Wie hierin verwendet, sind Schichten mit geringer Dielektrizitätskonstante solche mit einer DK von weniger als 3,5.
  • Beispiele von geeigneten dielektrischen Materialien enthalten Siliciumoxide, Siliciumnitride, Siliciumoxynitride, Siliciumcarbide, Siliciumoxycarbide, Siliciumcarbonitride und organische Stoffe, wie beispielsweise Silicone, Polyimide, Epoxyzusammensetzungen oder thermoplastische Polymerfilme basierend auf Paraxylylen (PARYLENETM – siehe auch die Definition von "Parylen" in The Condensed Chemical Dictionary, 8. Auflage, Van Nostrand Reinhold Company, New York, Seite 660). Natürlich können mehr als eine Schicht dieser Dielektrika verwendet werden.
  • Die Verfahren zum Auftragen dieser Beschichtungen sind ebenfalls im Stand der Technik bekannt. Sie enthalten Aufschleuderverfahren, herkömmliches CVD, photochemische Dampfphasenabscheidung, plasmaunterstützte chemische Dampfphasenabscheidung (PECUD), Elektroncyclotronresonanz (ECR), Dampfstrahlabscheidung und eine Vielzahl physikalischer Dampfphasenabscheidungsverfahren, wie beispielsweise das Sputtern und die Elektronenstrahlverdampfung.
  • Das bevorzugte Verfahren der vorliegenden Erfindung enthält das Auftragen eines Hydridosiloxanharzes mit Struktureinheiten HSi(OH)x(OR)yOz/2, worin jedes R unabhängig voneinander eine organische Gruppe ist, die, wenn sie an das Silicium durch das Sauerstoffatom gebunden ist, einen hydrolysierbaren Substituenten bildet, x = 0–2, y = 0–2, z = 0–3 und x + y + z = 3. Diese Harze können entweder vollständig kondensiert (x = 0, y = 0, z = 3) oder nur teilweise hydrolysiert (y ist nicht gleich 0 über alle Polymereinheiten) und/oder teilweise kondensiert (x ist nicht gleich 0 über alle Polymereinheiten hinweg) sein. Obgleich durch diese Struktur nicht wiedergegeben, können verschiedene Einheiten dieser Harze entweder keine oder mehr als eine Si-H-Verbindung in Folge verschiedener Faktoren aufweisen, die bei deren Bildung und Handhabung involviert sind.
  • Beispiele dieser Harze sind solche, die durch die Verfahren nach US-A-3,615,272, US-A-5,010,159, US-A-4,999,397 und US-A-5,063,267 gebildet werden. Diese Harze werden durch ein Aufschleuderverfahren, gefolgt von Erwärmen, um sie in eine Keramik umzuwandeln, aufgebracht.
  • Sofern für ein Mehrschichtbauelement gewünscht, kann man eine andere Metallverdrahtungsschicht auf der dielektrischen Schicht bilden und dann die Schichten durch Ätzen durch die dielektrischen und Siliciumcarbidschichten hindurch untereinander verbinden. 1 zeigt solch eine zweite Metallverdrahtungsschicht (7), die mit ausgewählten Bereichen der ersten Verdrahtungsschicht durch gegenseitige Verbindungen (6) verbunden ist. Noch einmal jedoch sollte eine Siliciumcarbidschicht (8) zwischen dem Dielektrikum und dem Metall abgeschieden werden, sofern die Verdrahtung aus einem Material hoher Leitfähigkeit besteht, um eine Diffusion des Metalls in das Dielektrikum zu vermeiden. Diese Siliciumcarbidschicht kann wie oben beschrieben ausgebildet werden. In einer solchen Art und Weise wird die Metallverdrahtung zwischen Siliciumcarbidschichten schichtweise angeordnet. Dieser Vorgang kann häufig wiederholt werden für die verschiedenen Metallisationsschichten innerhalb einer Schaltung. 1 zeigt beispielsweise eine zweite dielektrische Schicht (9) und eine dritte Verdrahtungsschicht (10), geschützt durch eine dritte Siliciumcarbidschicht (11).
  • Es soll angemerkt werden, dass Siliciumcarbid mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstanten (z. B. DK kleiner 5) ebenfalls die dielektrische Schicht ersetzen kann (i. e. Schichten 5 und 9 in 1). In dieser Ausführungsform würde man eher eine Siliciumcarbidschicht über einer Metallverdrahtungsschicht, wie oben beschrieben, ausbilden und dann eine andere Metallschicht auf der Siliciumcarbidschicht ausbilden.
  • Es soll ebenfalls angemerkt werden, dass dieses Verfahren auf Leiterplatten angewendet werden kann, auf denen die oben beschriebenen Schaltungen befestigt werden. Die Strukturen der Metallverdrahtung und dielektrischen Schichten auf diesen Leiterplatten wären dieselben wie die, die oben beschrieben sind.

Claims (10)

  1. Integrierte Schaltung enthaltend: A) eine Schaltungsbaugruppe enthaltend ein Halbleitersubstrat mit Halbleiterbauelementbereichen und, abgeschieden auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats, eine Metallverdrahtung, die die Halbleiterbauelementbereiche untereinander verbindet, wobei die Metallverdrahtung einen spezifischen Widerstand von weniger als 2,5 Microohmzentimetern aufweist; B) eine amorphe Siliciumcarbidschicht, die zumindest die Metallverdrahtung bedeckt; und C) eine dielektrische Schicht, die zumindest die Siliciumcarbidschicht bedeckt.
  2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, bei der das amorphe Siliciumcarbid die Metallverdrahtung bedeckt und die Oberfläche der Schaltungsbaugruppe die Bauelementbereiche enthält.
  3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der die dielektrische Schicht ausgewählt ist aus Siliciumoxiden, Siliciumnitriden, Siliciumoxynitriden, Siliciumcarbiden, Siliciumoxycarbiden, Siliciumcarbonitriden und organischen Stoffen.
  4. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die dielektrische Schicht eine Dielektrizitätskonstante von weniger als 3,5 aufweist.
  5. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die dielektrische Schicht ein Siliciumoxid ist.
  6. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die Metallverdrahtung eine Dünnfilmmetallverdrahtung ist.
  7. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Metallverdrahtung ausgewählt ist aus Kupfer, Silber, Gold, Legierungen und Supraleitern.
  8. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter enthaltend eine zweite amorphe Siliciumcarbidschicht, die die dielektrische Schicht bedeckt.
  9. Integrierte Schaltung nach Anspruch 8, weiter enthaltend eine zweite Metallverdrahtungsschicht, die auf der zweiten Schicht aus Siliciumcarbid gebildet ist, wobei die zweite Metallverdrahtungsschicht elektrisch mit der ersten Metallverdrahtungsschicht verbunden ist.
  10. Leiterplatte enthaltend: A) eine Leiterplattenbaugruppe, die darauf eine Metallverdrahtung mit einem spezifischen Widerstand unter 2,5 Microohmzentimetern enthält; B) eine amorphe Siliciumcarbidschicht, die die Metallverdrahtung bedeckt; und C) eine dielektrische Schicht, die die Siliciumcarbidschicht bedeckt.
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Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100207444B1 (ko) * 1995-03-14 1999-07-15 윤종용 반도체 장치의 고유전막/전극 및 그 제조방법
US6350704B1 (en) 1997-10-14 2002-02-26 Micron Technology Inc. Porous silicon oxycarbide integrated circuit insulator
WO1999030363A2 (en) * 1997-12-10 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device and method of manufacturing such a device
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
JP4763131B2 (ja) * 1998-10-01 2011-08-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低誘電率反射防止被膜に用いるシリコンカーバイドの堆積
US6635583B2 (en) * 1998-10-01 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposition for use as a low-dielectric constant anti-reflective coating
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
US6255217B1 (en) 1999-01-04 2001-07-03 International Business Machines Corporation Plasma treatment to enhance inorganic dielectric adhesion to copper
AU4277700A (en) * 1999-05-03 2000-11-17 Dow Corning Corporation Method for removal of sic
US20050099078A1 (en) * 1999-05-03 2005-05-12 Serge Vanhaelemeersch Method for removal of SiC
FR2794286B1 (fr) * 1999-05-26 2003-06-06 Commissariat Energie Atomique Niveau d'interconnexion de type damascene pour dispositif micro-electronique
US6916399B1 (en) 1999-06-03 2005-07-12 Applied Materials Inc Temperature controlled window with a fluid supply system
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6423384B1 (en) 1999-06-25 2002-07-23 Applied Materials, Inc. HDP-CVD deposition of low dielectric constant amorphous carbon film
US6593653B2 (en) 1999-09-30 2003-07-15 Novellus Systems, Inc. Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications
US6875687B1 (en) 1999-10-18 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
EP1094506A3 (de) * 1999-10-18 2004-03-03 Applied Materials, Inc. Schutzschicht für Filme mit besonders kleiner Dielektrizitätskonstante
DE19951595A1 (de) * 1999-10-27 2001-05-17 Bosch Gmbh Robert Massenflusssensor mit verbesserter Membranstabilität und einstellbarer Wärmeleitfähigkeit der Membran
US6399489B1 (en) 1999-11-01 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Barrier layer deposition using HDP-CVD
JP3430091B2 (ja) 1999-12-01 2003-07-28 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置
US6541369B2 (en) * 1999-12-07 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing fixed charges in a semiconductor device
US7033920B1 (en) * 2000-01-10 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a silicon carbide interconnect for semiconductor components
US6563215B1 (en) 2000-01-10 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication
US6975030B1 (en) 2000-01-10 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Silicon carbide contact for semiconductor components
US6492267B1 (en) * 2000-02-11 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Low temperature nitride used as Cu barrier layer
EP1183724A1 (de) 2000-03-13 2002-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
US6417092B1 (en) * 2000-04-05 2002-07-09 Novellus Systems, Inc. Low dielectric constant etch stop films
US6429129B1 (en) * 2000-06-16 2002-08-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
US6764958B1 (en) * 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6774489B2 (en) * 2000-08-29 2004-08-10 Texas Instruments Incorporated Dielectric layer liner for an integrated circuit structure
US6936533B2 (en) * 2000-12-08 2005-08-30 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor devices having low dielectric interlayer insulation layer
JP3954312B2 (ja) * 2001-01-15 2007-08-08 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP4625229B2 (ja) * 2001-02-15 2011-02-02 アイメック 半導体デバイスの製造方法
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US6472333B2 (en) 2001-03-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers
US20020177303A1 (en) * 2001-05-23 2002-11-28 Qing-Tang Jiang Method for sealing via sidewalls in porous low-k dielectric layers
US6469385B1 (en) * 2001-06-04 2002-10-22 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit with dielectric diffusion barrier layer formed between interconnects and interlayer dielectric layers
KR100668819B1 (ko) * 2001-06-26 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
JP2004535065A (ja) * 2001-07-02 2004-11-18 ダウ・コーニング・コーポレイション 多孔質材料上のＳｉＣ：Ｈ蒸着によって改良された金属バリア挙動
US6926926B2 (en) 2001-09-10 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias
US6759327B2 (en) * 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
US6528423B1 (en) * 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
WO2003050870A1 (en) * 2001-12-11 2003-06-19 Trikon Technologies Limited Diffusion barrier
US6699784B2 (en) 2001-12-14 2004-03-02 Applied Materials Inc. Method for depositing a low k dielectric film (K>3.5) for hard mask application
US7091137B2 (en) 2001-12-14 2006-08-15 Applied Materials Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US6890850B2 (en) 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US6838393B2 (en) 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US6849562B2 (en) * 2002-03-04 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric barrier film for copper damascene application
US6777349B2 (en) * 2002-03-13 2004-08-17 Novellus Systems, Inc. Hermetic silicon carbide
US20030194496A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for depositing dielectric material
US7008484B2 (en) * 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
DE10392996T5 (de) * 2002-08-08 2005-07-21 Trikon Technologies Limited, Newport Verbesserungen für Duschköpfe
US7749563B2 (en) 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
US7270713B2 (en) * 2003-01-07 2007-09-18 Applied Materials, Inc. Tunable gas distribution plate assembly
US6790788B2 (en) * 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
US6913992B2 (en) 2003-03-07 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of modifying interlayer adhesion
US6942753B2 (en) 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US6972253B2 (en) * 2003-09-09 2005-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming dielectric barrier layer in damascene structure
EP1608013B1 (de) * 2003-09-30 2013-04-24 Imec Herstellung von mit Luft gefüllten Lücken um eine Verbindungsleitung herum
US6871537B1 (en) * 2003-11-15 2005-03-29 Honeywell International Inc. Liquid flow sensor thermal interface methods and systems
US7030041B2 (en) 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics
US7229911B2 (en) 2004-04-19 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US7288205B2 (en) 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US20060021703A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP2006294671A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Mitsui Chemicals Inc 低誘電率炭化珪素膜の製造方法
US20070210421A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Texas Instruments Inc. Semiconductor device fabricated using a carbon-containing film as a contact etch stop layer
US7780865B2 (en) * 2006-03-31 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US7601651B2 (en) * 2006-03-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US20070287301A1 (en) * 2006-03-31 2007-12-13 Huiwen Xu Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics
US7604871B2 (en) * 2006-06-07 2009-10-20 Honeywell International Inc. Electrical components including abrasive powder coatings for inhibiting tin whisker growth
US8247322B2 (en) 2007-03-01 2012-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Via/contact and damascene structures and manufacturing methods thereof
US20090072409A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 International Business Machines Corporation Interconnect Structures Incorporating Air-Gap Spacers
US20090075470A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 International Business Machines Corporation Method for Manufacturing Interconnect Structures Incorporating Air-Gap Spacers
JP2009088267A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置、記憶媒体及び半導体装置
JP2010103445A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2010147839A2 (en) * 2009-06-18 2010-12-23 Analog Devices, Inc. Silicon-rich nitride etch stop layer for vapor hf etching in mems device fabrication
US9777368B2 (en) 2009-10-27 2017-10-03 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition coating, article, and method
US9340880B2 (en) 2009-10-27 2016-05-17 Silcotek Corp. Semiconductor fabrication process
KR101854162B1 (ko) 2010-10-05 2018-06-20 실코텍 코포레이션 내마모성 코팅, 물건 및 방법
FR2981793A1 (fr) * 2011-10-25 2013-04-26 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication de transistors a grille isolee
WO2014186470A1 (en) 2013-05-14 2014-11-20 Silcotek Corp. Vapor phase treatment of amorphous carbon films with (perfluoro 1,1,2,2 tetrahydroalkyl)trialkoxysilane
US11292924B2 (en) 2014-04-08 2022-04-05 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coated article and process
US9915001B2 (en) 2014-09-03 2018-03-13 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition process and coated article
US10316408B2 (en) 2014-12-12 2019-06-11 Silcotek Corp. Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing
WO2017040623A1 (en) 2015-09-01 2017-03-09 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coating
US9653398B1 (en) * 2015-12-08 2017-05-16 Northrop Grumman Systems Corporation Non-oxide based dielectrics for superconductor devices
US10323321B1 (en) 2016-01-08 2019-06-18 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition process and coated article
US10608159B2 (en) 2016-11-15 2020-03-31 Northrop Grumman Systems Corporation Method of making a superconductor device
US10487403B2 (en) 2016-12-13 2019-11-26 Silcotek Corp Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article
US10276504B2 (en) 2017-05-17 2019-04-30 Northrop Grumman Systems Corporation Preclean and deposition methodology for superconductor interconnects
US10763419B2 (en) 2017-06-02 2020-09-01 Northrop Grumman Systems Corporation Deposition methodology for superconductor interconnects
US11195748B2 (en) 2017-09-27 2021-12-07 Invensas Corporation Interconnect structures and methods for forming same
GB201814231D0 (en) * 2018-08-31 2018-10-17 Univ Surrey Apparatus for forming a poly(p-xylylene) film on a component
US10985059B2 (en) 2018-11-01 2021-04-20 Northrop Grumman Systems Corporation Preclean and dielectric deposition methodology for superconductor interconnect fabrication
WO2020252306A1 (en) 2019-06-14 2020-12-17 Silcotek Corp. Nano-wire growth
KR20210018650A (ko) * 2019-08-07 2021-02-18 삼성전자주식회사 반도체 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2658304C2 (de) * 1975-12-24 1984-12-20 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Halbleitervorrichtung
JPS58204572A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPS59119733A (ja) * 1982-12-24 1984-07-11 Toshiba Corp 半導体装置
JPS59128281A (ja) * 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
JPS63150963A (ja) * 1986-12-12 1988-06-23 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4960751A (en) * 1987-04-01 1990-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric circuit having superconducting multilayered structure and manufacturing method for same
US5274268A (en) * 1987-04-01 1993-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric circuit having superconducting layered structure
JP2546696B2 (ja) * 1987-12-17 1996-10-23 富士通株式会社 シリコン炭化層構造
KR930001428A (ko) * 1991-06-12 1993-01-16 김광호 반도체장치의 제조방법
JP2721603B2 (ja) * 1991-09-25 1998-03-04 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置の駆動方法と固体撮像装置
TW347149U (en) * 1993-02-26 1998-12-01 Dow Corning Integrated circuits protected from the environment by ceramic and barrier metal layers

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08250594A (ja) 1996-09-27
TW284920B (de) 1996-09-01
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KR100402187B1 (ko) 2004-02-11
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EP0725440A2 (de) 1996-08-07
EP0725440A3 (de) 1997-01-29
JP3731932B2 (ja) 2006-01-05
US5818071A (en) 1998-10-06

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