JPH0325951B2 - - Google Patents

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JPH0325951B2
JPH0325951B2 JP56100880A JP10088081A JPH0325951B2 JP H0325951 B2 JPH0325951 B2 JP H0325951B2 JP 56100880 A JP56100880 A JP 56100880A JP 10088081 A JP10088081 A JP 10088081A JP H0325951 B2 JPH0325951 B2 JP H0325951B2
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58127382A (ja) * 1982-01-26 1983-07-29 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP2648784B2 (ja) * 1984-05-18 1997-09-03 株式会社 半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置
JPS60245172A (ja) * 1984-05-18 1985-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁ゲイト型半導体装置
JP2996887B2 (ja) * 1984-05-18 2000-01-11 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲート型電界効果半導体装置
JPS60245173A (ja) * 1984-05-18 1985-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁ゲイト型半導体装置
US4727044A (en) 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
JPS60245174A (ja) * 1984-05-18 1985-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法
DE3587100T2 (de) * 1984-10-09 1993-09-09 Fujitsu Ltd Verfahren zur herstellung einer auf der halbleiter-auf-isolator-technologie basierenden integrierten schaltung.
JPS61158185A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Hosiden Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPS62214669A (ja) * 1986-03-14 1987-09-21 Nec Corp 自己整合型非晶質シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPS62254470A (ja) * 1986-04-28 1987-11-06 Seiko Instr & Electronics Ltd 接合型薄膜トランジスタの製造方法
EP0459763B1 (en) 1990-05-29 1997-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistors
JP2794678B2 (ja) 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JP3255942B2 (ja) 1991-06-19 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
JP2845303B2 (ja) * 1991-08-23 1999-01-13 株式会社 半導体エネルギー研究所 半導体装置とその作製方法
US5485019A (en) * 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JP3173854B2 (ja) 1992-03-25 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及び作成された半導体装置
JP2648785B2 (ja) * 1992-11-20 1997-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法
JP2648783B2 (ja) * 1992-11-20 1997-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置
US6331717B1 (en) 1993-08-12 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Insulated gate semiconductor device and process for fabricating the same
JP3173926B2 (ja) 1993-08-12 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置
JP2996854B2 (ja) * 1994-01-27 2000-01-11 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲート型電界効果半導体装置作製方法
JP2648788B2 (ja) * 1994-06-10 1997-09-03 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲート型電界効果半導体装置
JP2789168B2 (ja) * 1994-06-10 1998-08-20 株式会社 半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法
JP2500484B2 (ja) * 1994-07-11 1996-05-29 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製法
JP2789171B2 (ja) * 1994-11-25 1998-08-20 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法
JP2789170B2 (ja) * 1994-11-25 1998-08-20 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法
JP2996888B2 (ja) * 1994-11-25 2000-01-11 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲート型電界効果半導体装置
JP2996902B2 (ja) * 1995-09-01 2000-01-11 株式会社 半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置およびその作製方法
JP4888414B2 (ja) * 2008-02-15 2012-02-29 ローム株式会社 半導体装置の製造方法

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