JPH0325951B2 - - Google Patents
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- JPH0325951B2 JPH0325951B2 JP56100880A JP10088081A JPH0325951B2 JP H0325951 B2 JPH0325951 B2 JP H0325951B2 JP 56100880 A JP56100880 A JP 56100880A JP 10088081 A JP10088081 A JP 10088081A JP H0325951 B2 JPH0325951 B2 JP H0325951B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
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- Thin Film Transistor (AREA)
Priority Applications (1)
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JP56100880A JPS582073A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電界効果型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP56100880A JPS582073A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電界効果型トランジスタ |
Publications (2)
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JPH0325951B2 true JPH0325951B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1991-04-09 |
Family
ID=14285635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP56100880A Granted JPS582073A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電界効果型トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
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-
1981
- 1981-06-29 JP JP56100880A patent/JPS582073A/ja active Granted
Also Published As
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JPS582073A (ja) | 1983-01-07 |
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