JP2996902B2

JP2996902B2 - 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置およびその作製方法

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Publication number: JP2996902B2
Application number: JP24700595A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 1995-09-01
Filing date: 1995-09-01
Publication date: 2000-01-11
Anticipated expiration: 2015-01-11
Also published as: JPH0851221A

Description

【発明の詳細な説明】【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶表示パネル等に用いられる液晶表示パネル用絶縁ゲ
ート型電界効果半導体装置およびその作製方法に関する
ものである。【０００２】【従来の技術】特開昭５８−２０７３号公報に記載され
た電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイ
ン領域を選択的にアニールすることにより多結晶領域と
し、チャネル形成領域を非晶質領域としている。すなわ
ち、同公報に示されている電界効果型トランジスタは、
非晶質領域の一部を選択的にアニール処理を行なうこと
によって多結晶領域としている。【０００３】【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法は、不純物
を選択的に添加することによってソース領域およびドレ
イン領域が形成されていた。また、上記ソース領域およ
びドレイン領域は、結晶化を助長するために、選択的に
光を照射してアニール処理を行なっていた。すなわち、
前記従来例においては、基板上に形成された絶縁ゲート
型電界効果半導体装置の一つ一つに対し選択的に不純物
を添加したり、あるいは結晶化を助長していた。【０００４】また、従来の絶縁ゲート型電界効果半導体
装置は、ソース領域およびドレイン領域を選択的にアニ
ールしているため、非単結晶半導体層に結晶化されてい
ない部分が必ず残る。上記のように絶縁ゲート型電界効
果半導体装置に結晶化されていない領域が残っている場
合、絶縁ゲート型電界効果半導体装置として動作する際
に、この非晶質部分にも電流が一部流れる。非晶質部分
は、結晶化された部分と比較して高い抵抗を示すため、
電流が流れ難く、一旦流入すると蓄えられて流れ出るの
が遅い。すなわち、従来例における絶縁ゲート型電界効
果半導体装置は、電流の流れるライフタイムが長く、ヒ
ステリシス特性がでる。【０００５】以上のような問題を解決するために、本発
明は、多数の絶縁ゲート型電界効果半導体装置における
ソース領域およびドレイン領域の結晶化を助長せしめる
際に簡単で、しかもスイッチング特性が良く、高い周波
数に使用できる液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果
半導体装置およびその作製方法を提供することを目的と
する。【０００６】【課題を解決するための手段】（第１発明）前記目的を達成するために、本発明の液晶表示パネル用
絶縁ゲート型電界効果半導体装置は、絶縁表面を有する
基板（１）上に形成され、酸素、炭素、または窒素が５
×１０^１８ｃｍ^−３以下の非単結晶半導体層（２）と、
当該非単結晶半導体層（２）上に形成されているゲート
絶縁膜（３）と、当該ゲート絶縁膜（３）が形成されて
いる非単結晶半導体層（２）に不純物が添加されて結晶
化が助長されているソース領域（７）およびドレイン領
域（８）と、当該ソース領域（７）とドレイン領域
（８）との間で、水素またはハロゲン元素が添加されて
いる非単結晶半導体層（２）に形成されているチャネル
形成領域と、当該チャネル形成領域に接して前記ゲート
絶縁膜（３）を介して形成されているゲート電極（４）
とを備えており、前記ソース領域（７）およびドレイン
領域（８）は、前記チャネル形成領域を除いた非単結晶
半導体層（２）の全域に不純物を含んで形成されてお
り、且つ前記ソース領域（７）およびドレイン領域
（８）上の前記ゲート絶縁膜（３）中には、前記ソース
領域（７）およびドレイン領域（８）と同一の不純物が
添加されていることを特徴とする。【０００７】（第２発明）本発明の液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体
装置におけるゲート絶縁膜（３）は、前記非単結晶半導
体層（２）と前記ゲート電極（４）との間に形成され、
非単結晶半導体層（２）に接して窒化珪素膜が形成され
ていることを特徴とする。【０００８】（第３発明）本発明における液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果
半導体装置の作製方法は、絶縁表面を有する基板（１）
上に酸素、炭素、または窒素が５×１０^１８ｃｍ^−３以
下であり、水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶薄膜半導体（２）層を形成する工程と、前記非単結晶
薄膜半導体層（２）上にゲート絶縁膜（３）を形成する
工程と、前記ゲート絶縁膜（３）上の所定の位置に選択
的にゲート電極（４）を形成する工程と、前記ゲート電
極（４）をマスクとすると共に、前記ゲート絶縁膜
（３）を通して、前記非単結晶薄膜半導体層（２）にお
けるソース領域（７）およびドレイン領域（８）となる
領域、および前記非単結晶薄膜半導体層（２）の存在し
ない領域に不純物を添加する工程と、前記ゲート絶縁膜
（３）が形成された前記非単結晶薄膜半導体層（２）、
および前記絶縁表面を有する基板（１）に対して、線状
の強紫外光を一端から他端に向けて走査することによっ
て照射し、前記非単結晶薄膜半導体層（２）の温度を４
００゜Ｃ以下の温度にして、不純物が添加された領域の
結晶化を助長してソース領域（７）およびドレイン領域
（８）を形成する工程と、からなり前記ソース領域
（７）およびドレイン領域（８）の間にチャネル形成領
域が形成されていることを特徴とする。（第４発明）本発明における液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果
半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜（３）
は、前記非単結晶薄膜半導体層（２）と前記ゲート電極
（４）との間に形成され、非単結晶薄膜半導体層（２）
に接して窒化珪素膜が形成されていることを特徴とす
る。【０００９】【発明の実施の形態】絶縁基板上には、酸素、炭素、ま
たは窒素が５×１０ ^１８ｃｍ ^−３以下の非単結晶半導体
層が形成されている。上記非単結晶半導体層上には、ゲ
ート絶縁膜が形成された後、所定の位置に選択的にゲー
ト電極が形成されている。次に、前記ゲート電極をマス
クとして、ゲート絶縁膜が形成されている非単結晶半導
体領域、および絶縁表面を有する基板領域の全面に不純
物が添加される。その後、線状の強紫外光は、前記非単
結晶半導体層および非単結晶半導体層が形成されていな
い部分も含めた基板全面に照射されると共に、前記ソー
ス領域およびドレイン領域の結晶化を助長せしめる。【００１０】上記のような液晶表示パネル用絶縁ゲート
型電界効果半導体装置の作製方法は、選択的な不純物の
添加およびアニール処理がなく、多数の絶縁ゲート型電
界効果半導体装置をまとめて処理することができる。ま
た、上記のような液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効
果半導体装置の作製方法において、非単結晶半導体層内
に添加された水素またはハロゲン元素は、線状の強紫外
光によるアニールによっても、非単結晶半導体層を覆う
ように形成されているゲート絶縁膜によって、脱気し難
い。【００１１】また、上記液晶表示パネル用絶縁ゲート型
電界効果半導体装置の作製方法は、チャネル形成領域以
外、ゲート絶縁膜を通して非単結晶半導体層の全てが結
晶化を助長せしめられているため、ソース領域およびド
レイン領域に流れる電流が結晶化を助長せしめられた領
域にのみ流れる。すなわち、電流は、抵抗の低い結晶化
を助長せしめられた領域にのみ流れるため、高い周波数
に追従できると共に、ヒステリシス特性が出ない。さら
に、チャネル形成領域には、水素またはハロゲン元素が
添加されて活性化されているため、液晶表示パネル用絶
縁ゲート型電界効果半導体装置としての特性を向上させ
る。選択的に形成されたゲート電極をマスクとして、上
記ソース領域およびドレイン領域は、線状に集光された
強紫外光の走査により、非単結晶半導体層の温度を４０
０゜Ｃ以下の温度にしているため、非単結晶半導体層内
に添加された水素またはハロゲン元素が脱気し難い。【００１２】このようにして作製さたた液晶表示パネル
用絶縁ゲート型電界効果半導体装置は、不純物領域の周
囲に結晶化されずに残されている抵抗の高い非単結晶半
導体がないため、電流がダラダラ流れない。したがっ
て、上記液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体
装置は、「ＯＮ」、「ＯＦＦ」に対し、オン電流の立ち
上がり時に流れ難かったり、また他方、電流の立ち下が
り時にダラダラ流れてしまったりすることがなくなっ
た。また、不純物の添加および光アニールは、ゲート絶
縁膜を通して行われるため、非単結晶半導体の表面近傍
を結晶化し易く、かつチャネル形成領域の界面が保護さ
れる。【００１３】また、本発明の液晶表示パネル用絶縁ゲー
ト型電界効果半導体装置は、非単結晶半導体層によりオ
フ電流を少なくすると共に、逆バイアスに対し接合の破
壊電圧が大きくなり、チャネル形成領域以外を結晶化す
ることによりオン、オフを高速応答で行なうことができ
る。本発明の液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半
導体装置は、非単結晶半導体上にゲート絶縁膜が形成さ
れているため、水素またはハロゲン元素が経年変化によ
っても脱気し難い。ゲート絶縁膜は、非単結晶半導体層
に接して窒化珪素膜が形成されているため、非単結晶半
導体中の水素またはハロゲン元素が脱気し難いと共に、
水分が非単結晶半導体中に侵入し難い。以下に実施例に
より本発明を説明する。【００１４】【実施例】図１（Ａ）ないし（Ｃ）は本発明の一実
施例である絶縁ゲート型電界効果半導体装置の縦断面図
を示す。図１において、基板(1) は、たとえば石英ガラ
スからなり、図１(A) に示すごとく、その厚さを1.1 ｍ
ｍとし、大きさを10ｃｍ×10ｃｍとした。この基板(1)
の上面には、ジシラン(Si₂H₆)の水銀励起法を用いない
光プラズマCVD(2537Åの波長を含む低圧水銀灯、基板温
度210 °Ｃ) により、水素が１原子％以上の濃度に添加
されたアモルファス構造を含む非単結晶半導体層(2)
が、たとえば0.2 μｍの厚さに形成された。【００１５】さらに、この非単結晶半導体層(2) の上面
には、光CVD 法により、たとえば窒化珪素膜からなるゲ
ート絶縁膜(3) が同一反応炉で半導体表面を大気に触れ
ることなく積層された。すなわち、ゲート絶縁膜(3)
は、ジシラン（Si₂H₆）とアンモニア（ＮＨ₃）、また
はヒドラジン（Ｎ₂Ｈ₄）との反応( 2537Åの波長を含
む低圧水銀灯、基板温度250 ℃) により、Si₃N₄を水銀
増感法を用いることなしに1000Åの厚さに作製された。
この後、絶縁ゲート型電界効果半導体装置を形成する領
域(5) を除いた部分は、プラズマエッチング法により除
去された。ゲート絶縁膜(3) は、この基板(1)全面にわ
たって形成することもできる。プラズマエッチング反応
は、CF₄＋O₂(5％) の反応性気体を導入すると共に、図
示されていない平行平板電極に周波数13.56MHzを印加し
て、室温で行なわれた。【００１６】ゲート絶縁膜(3) 上には、N ⁺の導電型の
微結晶または多結晶半導体が0.3 μｍの厚さに積層され
た。このN ⁺の半導体は、レジスト膜(6) を用いてフォ
トエッチング法で非所望な部分を除去した後、ゲート電
極(4) が形成された。その後、このレジスト膜(6) とN⁺
半導体のゲート電極(4) とからなるゲート部をマスクと
して、ソ−ス、ドレインとなる領域には、イオン注入法
により、１×10²⁰ｃｍ^-3の濃度に図１(B) に示すごとく
一導電型の不純物、たとえばリンが添加され、一対の不
純物領域(7) 、(8) となった。【００１７】さらに、基板(1) は、その全体に対し、ゲ
ート電極(4) のレジスト膜(6) が除去された後、強紫外
光(10)の光アニ−ル処理が行なわれた。すなわち、超高
圧水銀灯（出力5KW 、波長250 ｎｍないし600 ｎｍ、光
径15ｍｍ、長さ180 ｍｍ) に対し裏面側は、放物面の反
射鏡を用い前方に石英のシリンドリカルレンズ（焦点距
離150 ｃｍ、集光部幅2 ｍｍ、長さ180 ｍｍ) により、
線状に照射部を構成した。基板(1) は、この線状の照射
部に対し直交する方向に走査される。そして、基板(1)
の照射面は、5 ｃｍ/ 分ないし50ｃｍ/ 分の速度で走査
( スキャン) され、基板10ｃｍ×10ｃｍの全面に強紫外
光(10)が照射されるようにした。【００１８】かくすると、ゲート電極(4) は、ゲート電
極(4) 側にリンが多量に添加されているため、十分光を
吸収し多結晶化した。また、不純物領域(7) 、(8) は、
一度溶融し再結晶化することにより走査する方向、すな
わち、Ｘ方向に溶融、再結晶をシフト（移動）させた。
その結果、単に全面を均一に加熱または光照射するのみ
に比べ、成長機構が加わるため結晶粒径を大きくするこ
とができた。絶縁ゲート型電界効果半導体装置を作製す
るために、絶縁基板上には、選択的に形成された非単結
晶半導体層が形成されている。そして、各非単結晶半導
体層における前記ゲート部で覆われたチャネル形成領域
を除いた他部の非単結晶半導体層は、線状の強光照射に
よって、ソース領域およびドレイン領域の全ての結晶化
を助長せしめることができる。この強光アニ−ルにより
多結晶化した領域は、不純物領域(7) 、(8) の下側の全
領域にまで及ぶ必要がない。【００１９】図１において、破線(11)、(11') で示した
ごとく、その上層部のみが少なくとも結晶化し、不純物
領域(7) 、(8) を活性にすることが重要である。さら
に、そのソース領域およびドレイン領域の端部(15)、(1
5') は、ゲート電極の端部(16)、(16') に対し、チャネ
ル領域側に入り込むように設けられている。そして、Ｎ
型不純物領域 (7)、(8)、Ｉ型非単結晶半導体領域(2)
、接合界面(17)、(17') からなるチャネル形成領域
は、Ｉ型半導体領域における非単結晶半導体、および不
純物領域から入り込んだ結晶化半導体から構成されるハ
イブリッド構造となっている。このＩ型半導体領域内の
結晶化半導体の程度は、光アニ−ルの走査スピ−ド、強
度（照度）によって決められる。【００２０】図１（Ｂ）の工程の後、ポリイミド樹脂
は、全面に２μｍの厚さにコ−トされる。そして、ポリ
イミド樹脂には、電極穴(13)、(13') が形成された後、
アルミニュ−ムのオ−ムコンタクトおよびそのリ−ド(1
4)、(14') が形成される。この２層目のリード(14)、(1
4') は、形成する際に、ゲート電極(4) と連結してもよ
い。この光アニ−ルの結果は、シ−ト抵抗が光照射前の
４×10^-3( オームｃｍ) ^-1から１×10⁺²( オームｃｍ)
^-1になり、光アニール前と比べ電気伝導度特性が向上し
た。【００２１】図２は本発明の実施例によるドレイン電流
─ゲート電圧の特性を示す図である。チャネル形成領域
の長さが３μｍ、および10μｍの場合、チャネル幅が１
ｍｍの条件下において、それぞれ図２における符号(2
1)、(22)によって示されるごとく、Ｖ_th＝+2V 、V _DD＝
10V にて１×10^-5A 、２×10^-5A の電流を得た。なお、
オフ電流は、(V_GG＝0V) 10^-10ないし10^-11(A) であ
り、単結晶半導体の10^-6(A) に比べ10^-4分の１も小さか
った。【００２２】本実施例は、線状に集光された光を基板全
面にわたって走査するように照射したため、大面積大規
模集積化を行なうことが可能になった。そのため、大面
積例えば30ｃｍ×30ｃｍのパネル内に５００個×５００
個の絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製すらも可能
とすることができ、液晶表示素子の制御用絶縁ゲート型
電界効果半導体装置として応用することができた。光ア
ニ−ルプロセスによる400 ℃以下の低温処理であるた
め、多結晶化または単結晶化した半導体は、その内部に
水素またはハロゲン元素を含んで形成される。また、光
アニ−ルは、基板全面に対して同時に行なうのではな
く、一端より他端に走査させた。【００２３】このため、筒状の超高圧水銀灯から照射さ
れた光は、放物ミラ−および石英レンズにより線状に集
光された。そして、この線状に集光された光は、これと
直交した方向に基板を走査することにより非単結晶半導
体表面を光アニ−ルすることができた。この光アニ−ル
は、紫外線で行なうため、非単結晶半導体の表面より内
部方向への結晶化を助長させた。このため、十分に多結
晶化または単結晶化された表面近傍の不純物領域は、チ
ャネル形成領域におけるゲート絶縁膜のごく近傍に流れ
る電流制御を支障なく行なうことが可能となった。光照
射アニ−ル工程に際し、チャネル形成領域に添加された
水素またはハロゲン元素は、まったく影響を受けず、非
単結晶半導体の状態を保持できるため、オフ電流を単結
晶半導体の1/10³ないし1/10⁵にすることができる。【００２４】ソ−ス領域およびドレイン領域は、ゲート
電極を作った後、光アニ−ルで作製するため、ゲート絶
縁物界面に汚物が付着せずに、特性を安定させる。さら
に、従来より公知の方法に比べ、基板材料として石英ガ
ラスのみならず任意の基板であるソ−ダガラス、耐熱性
有機フィルムをも用いることができる。異種材料界面で
あるチャネル形成領域を構成する非単結晶半導体─ゲー
ト絶縁物─ゲート電極の形成は、同一反応炉内でのプロ
セスにより、大気に触れさせることなく作り得るため、
界面凖位の発生が少ないという特長を有する。【００２５】なお、本実施例において、チャネル形成領
域の非単結晶半導体の酸素、炭素および窒素のいずれも
が５×10¹⁸ｃｍ^-3以下の不純物濃度であることが重要で
ある。すなわち、これらが従来公知の絶縁ゲート型電界
効果半導体装置においては、チャネル層に１ないし3 ×
10²⁰ｃｍ^-3の濃度に混合している。この従来例における
非単結晶半導体を用いるＰチャネル型絶縁ゲート型電界
効果半導体装置は、本実施例における絶縁ゲート型電界
効果半導体装置の有する特性の１／３以下の電流しか流
れない。そして、上記従来例における非単結晶半導体を
用いた絶縁ゲート型電界効果半導体装置のヒステリシス
特性は、Ｉ_DD─Ｖ_GG特性にドレイン電界を２×10⁶V/ ｃ
ｍ以上加える場合に観察されてしまった。また、本実施
例のように、非単結晶半導体中の酸素を５×10¹⁸ｃｍ^-3
以下とすると、３×10⁶V/ ｃｍの電圧においてもヒステ
リシスの存在が観察されなかった。【００２６】【発明の効果】本発明によれば、絶縁基板表面上に酸
素、炭素、または窒素が５×１０ ^１８ｃｍ ^−３以下とい
う極めて少ない非単結晶半導体層を設けているため、ま
た、非単結晶半導体層に、Ｐ型またはＮ型の不純物を添
加した領域のみの結晶化を助長しているため、ゲート電
圧−ドレイン電流特性にヒステリシスがなく、高い周波
数における良好なスイッチング特性を得た。たとえば、
本発明の液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体
装置は、結晶化された半導体によって高速なスイッチン
グ特性に応答させ、非単結晶半導体によって逆バイアス
に対し接合の破壊電圧を大きくする。本発明によれば、
線状に集光された強紫外光による走査速度を制御して、
非単結晶半導体層の温度を４００゜Ｃ以下の温度にする
ことによって、非単結晶半導体層から水素またはハロゲ
ン元素を脱気し難くすることができる。本発明によれ
ば、不純物の添加および光アニールは、ゲート絶縁膜を
通して行われるため、非単結晶半導体層から水素または
ハロゲン元素を脱気し難くすることができると共に、チ
ャネル形成領域の界面が保護される。【００２７】本発明によれば、ゲート電極でマスクされ
ている部分以外で、ゲート絶縁膜が形成されている非単
結晶半導体領域、および絶縁表面を有する基板領域の全
てに不純物が添加され、その後、これらの部分を線状に
集光された強紫外光によって光アニール処理するため、
結晶化されずに抵抗の高い非単結晶半導体領域がなくな
り、液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置
のゲート電圧−ドレイン電流特性にヒステリシスのな
い、高い周波数における良好なスイッチング特性を得
た。本発明によれば、不純物の添加およびアニール処理
が選択的でないため、また、前記線状に集光された強紫
外光を非単結晶半導体層の温度が４００゜Ｃ以下の温度
になるように、制御された所定の走査速度にすることに
より、画素電極と画素電極との狭い領域であっても、複
数の液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置
を作製することができ、生産性を向上させることができ
る。本発明によれば、非単結晶半導体層に接して窒化珪
素膜が形成されているゲート絶縁膜は、非単結晶半導体
中の水素またはハロゲン元素が脱気し難く、且つ水分が
侵入し難い。【００２８】本発明によれば、チャネル形成領域は、水
素またはハロゲン元素の添加により活性化されているた
め、液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置
における高い周波数のスイッチング特性を向上させた。
本発明によれば、不純物の添加、または光アニール処理
を選択的に行なわないため、一つの絶縁基板に多数、た
とえば、５００個×５００個の液晶表示パネル用絶縁ゲ
ート型電界効果半導体装置を設けることができる。

【図面の簡単な説明】【図１】（Ａ）ないし（Ｃ）は本発明の一実施例である
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の縦断面図を示す。【図２】本発明の実施例によるドレイン電流─ゲート電
圧の特性を示す図である。【符号の説明】１・・・基板２・・・非単結晶半導体層３・・・ゲート絶縁膜４・・・ゲート電極５・・・絶縁ゲート型電界効果半導体装置を形成する領
域６・・・レジスト膜７、８・・・不純物領域１０・・・強紫外光１１、１１′・・・破線１３、１３′・・・電極穴１４、１４′・・・リード１５、１５′・・・ソース領域およびドレイン領域の端
部１６、１６′・・・ゲート電極の端部１７、１７′・・・接合界面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭59−75670（ＪＰ，Ａ) 特開昭56−108231（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−50663（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−2073（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−35423（ＪＰ，Ａ) 特開昭56−91276（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−91517（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−28867（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】 (1) 絶縁表面を有する基板上に形成され、酸素、炭素、
または窒素が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下の非単結晶半導体層
と、当該非単結晶半導体層上に形成されているゲート絶縁膜
と、当該ゲート絶縁膜が形成されている非単結晶半導体層に
不純物が添加され、線状の強紫外光の走査によって溶融
再結晶化が助長されているソース領域およびドレイン領
域と、当該ソース領域とドレイン領域との間で、水素またはハ
ロゲン元素が添加されている非単結晶半導体層に形成さ
れているチャネル形成領域と、当該チャネル形成領域に接して前記ゲート絶縁膜を介し
て形成されているゲート電極と、を備えている液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半
導体装置において、前記ソース領域およびドレイン領域は、前記チャネル形
成領域を除いた非単結晶薄膜半導体層の全域に不純物を
含んで形成されていることを特徴とする液晶表示パネル
用絶縁ゲート型電界効果半導体装置。 (2) 前記ゲート絶縁膜は、前記非単結晶半導体層と前記
ゲート電極との間に形成され、非単結晶半導体層に接し
て窒化珪素膜が形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲１記載の液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効
果半導体装置。 (3) 絶縁表面を有する基板上に酸素、炭素、または窒素
が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であり、水素またはハロゲン元
素が添加された非単結晶薄膜半導体層を形成する工程
と、前記非単結晶薄膜半導体層上にゲート絶縁膜を形成する
工程と、前記ゲート絶縁膜上の所定の位置に選択的にゲート電極
を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとすると共に、前記ゲート絶縁
膜を通して、前記非単結晶薄膜半導体層におけるソース
領域およびドレイン領域となる領域、および前記非単結
晶薄膜半導体層の存在しない領域に不純物を添加する工
程と、前記ゲート絶縁膜が形成された前記非単結晶薄膜半導体
層、および前記絶縁表面を有する基板に対して、線状の
強紫外光を一端から他端に向けて走査することによって
照射し、前記非単結晶薄膜半導体層の温度を４００°Ｃ
以下にして、不純物が添加された領域の溶融再結晶化を
助長してソース領域およびドレイン領域を形成する工程
と、からなり前記ソース領域およびドレイン領域の間にチャ
ネル形成領域が形成されていることを特徴とする液晶表
示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方
法。 (4) 前記ゲート絶縁膜は、前記非単結晶薄膜半導体層と
前記ゲート電極との間に形成され、非単結晶薄膜半導体
層に接して窒化珪素膜が形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲３記載の液晶表示パネル用絶縁ゲート
型電界効果半導体装置の作製方法。