JPS58127382A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58127382A JPS58127382A JP1036682A JP1036682A JPS58127382A JP S58127382 A JPS58127382 A JP S58127382A JP 1036682 A JP1036682 A JP 1036682A JP 1036682 A JP1036682 A JP 1036682A JP S58127382 A JPS58127382 A JP S58127382A
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- amorphous
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- semiconductor film
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Links
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜トランジスタ(’1’FTS丁himνi
1m Tr&m#i*tor)装置構造に関する。
1m Tr&m#i*tor)装置構造に関する。
従来、?7丁は、アモルファス半導体膜または多結晶半
導体膜のいずれかの単層膜を加工して半導体装置となし
ているのが通例である。
導体膜のいずれかの単層膜を加工して半導体装置となし
ているのが通例である。
しかし、上記従来技術では、アモルファス半導体膜ある
いは多結晶半導体膜の単層膜の性質のみしか活用されず
、半導体装置特性の向上に限界があるという欠点があっ
た。
いは多結晶半導体膜の単層膜の性質のみしか活用されず
、半導体装置特性の向上に限界があるという欠点があっ
た。
本発明は上記従来技術の欠点を’tx<シ、アモルファ
ス半導体膜と多結晶半導体膜の各★のもつ特性を活用し
て、より改良された半導体装置特性を得ることを目的と
する。
ス半導体膜と多結晶半導体膜の各★のもつ特性を活用し
て、より改良された半導体装置特性を得ることを目的と
する。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、ア
モルファス半導体膜には多結晶半導体膜が少なくとも膜
断面に於て接して成る事を特徴とする。
モルファス半導体膜には多結晶半導体膜が少なくとも膜
断面に於て接して成る事を特徴とする。
以下、実施例を用いて本発明を詳述する。
第1図は本発明による薄膜MO8ff1!であり、1は
ガラス基板、2はPalア(ル7アスB1膜、5,4は
アモルファス81mKをリン、イオン打込み後テンプψ
アニール等によりゲートムを電極6をマスクとして自己
整合形で形成したxm多結晶s1膜であり、それぞれソ
ースおよびドレイン領域を7°モル7アス81膜2に接
した形で形成したものである。5はゲート酸化膜である
。
ガラス基板、2はPalア(ル7アスB1膜、5,4は
アモルファス81mKをリン、イオン打込み後テンプψ
アニール等によりゲートムを電極6をマスクとして自己
整合形で形成したxm多結晶s1膜であり、それぞれソ
ースおよびドレイン領域を7°モル7アス81膜2に接
した形で形成したものである。5はゲート酸化膜である
。
この様にして形成された薄j1MOIi FITは多
結晶si膜のもつ高移動度の性質からくる高速スイッチ
ング性とアモルファスB1−Hのもつ低移動度の性質か
らくるオフ抵抗の高い特性の両特性を兼ねたTNTを得
ることができる効果がある。
結晶si膜のもつ高移動度の性質からくる高速スイッチ
ング性とアモルファスB1−Hのもつ低移動度の性質か
らくるオフ抵抗の高い特性の両特性を兼ねたTNTを得
ることができる効果がある。
上記の例の場合、多結晶81膜とアモルファスB1膜と
を入れ替えた構造のTNTでも良い。
を入れ替えた構造のTNTでも良い。
第1v!Jは本発明の一例を示すTPTの断面構造を示
す。 1・・・・・・基 板 2・・・・・・アモルファス半導体膜 S・・・・・・多結晶s1膜ソース領域4・・・・・・
多結晶S1膜ドレイン領域5・・・・・・ゲート酸化膜 4・・・・・・ゲート電極 以 上 出願人 株式会社睡訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第1図
す。 1・・・・・・基 板 2・・・・・・アモルファス半導体膜 S・・・・・・多結晶s1膜ソース領域4・・・・・・
多結晶S1膜ドレイン領域5・・・・・・ゲート酸化膜 4・・・・・・ゲート電極 以 上 出願人 株式会社睡訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第1図
Claims (1)
- アモルファス半導体膜には多結晶半導体膜が少なくとも
膜断面に於て接して成る事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1036682A JPS58127382A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1036682A JPS58127382A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58127382A true JPS58127382A (ja) | 1983-07-29 |
Family
ID=11748159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1036682A Pending JPS58127382A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58127382A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02280380A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH05243578A (ja) * | 1992-11-20 | 1993-09-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
JPH05259184A (ja) * | 1992-11-20 | 1993-10-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法 |
JPH06125088A (ja) * | 1984-05-18 | 1994-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
JPH0799208A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582073A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
-
1982
- 1982-01-26 JP JP1036682A patent/JPS58127382A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582073A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
Cited By (5)
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JPH05259184A (ja) * | 1992-11-20 | 1993-10-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法 |
JPH0799208A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法 |
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