JPS58127382A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS58127382A
JPS58127382A JP1036682A JP1036682A JPS58127382A JP S58127382 A JPS58127382 A JP S58127382A JP 1036682 A JP1036682 A JP 1036682A JP 1036682 A JP1036682 A JP 1036682A JP S58127382 A JPS58127382 A JP S58127382A
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JP
Japan
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film
amorphous
polycrystalline
semiconductor film
property
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Pending
Application number
JP1036682A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Publication of JPS58127382A publication Critical patent/JPS58127382A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜トランジスタ（’１’ＦＴＳ丁ｈｉｍνｉ
１ｍ　　Ｔｒ＆ｍ＃ｉ＊ｔｏｒ）装置構造に関する。
従来、？７丁は、アモルファス半導体膜または多結晶半
導体膜のいずれかの単層膜を加工して半導体装置となし
ているのが通例である。
しかし、上記従来技術では、アモルファス半導体膜ある
いは多結晶半導体膜の単層膜の性質のみしか活用されず
、半導体装置特性の向上に限界があるという欠点があっ
た。
本発明は上記従来技術の欠点を’ｔｘ＜シ、アモルファ
ス半導体膜と多結晶半導体膜の各★のもつ特性を活用し
て、より改良された半導体装置特性を得ることを目的と
する。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、ア
モルファス半導体膜には多結晶半導体膜が少なくとも膜
断面に於て接して成る事を特徴とする。
以下、実施例を用いて本発明を詳述する。
第１図は本発明による薄膜ＭＯ８ｆｆ１！であり、１は
ガラス基板、２はＰａｌア（ル７アスＢ１膜、５，４は
アモルファス８１ｍＫをリン、イオン打込み後テンプψ
アニール等によりゲートムを電極６をマスクとして自己
整合形で形成したｘｍ多結晶ｓ１膜であり、それぞれソ
ースおよびドレイン領域を７°モル７アス８１膜２に接
した形で形成したものである。５はゲート酸化膜である
。
この様にして形成された薄ｊ１ＭＯＩｉ　　ＦＩＴは多
結晶ｓｉ膜のもつ高移動度の性質からくる高速スイッチ
ング性とアモルファスＢ１−Ｈのもつ低移動度の性質か
らくるオフ抵抗の高い特性の両特性を兼ねたＴＮＴを得
ることができる効果がある。
上記の例の場合、多結晶８１膜とアモルファスＢ１膜と
を入れ替えた構造のＴＮＴでも良い。
【図面の簡単な説明】
第１ｖ！Ｊは本発明の一例を示すＴＰＴの断面構造を示
す。 １・・・・・・基　板 ２・・・・・・アモルファス半導体膜 Ｓ・・・・・・多結晶ｓ１膜ソース領域４・・・・・・
多結晶Ｓ１膜ドレイン領域５・・・・・・ゲート酸化膜 ４・・・・・・ゲート電極 以　　上 出願人　株式会社睡訪精工舎 代理人　弁理士　最上　　務 第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アモルファス半導体膜には多結晶半導体膜が少なくとも
    膜断面に於て接して成る事を特徴とする半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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