JP6480863B2 - 解砕シリカ粒子の製造方法 - Google Patents
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Description
上述の目的を達成するため、焼成工程においてシリカ粒子を600〜1200℃で焼成した焼成シリカ粒子を、解砕用容器内に導入するガスによって発生させた旋回流中に供給して解砕することとした。このような方法によれば、粒子を破砕することなく、比較的容易に一次粒子に解砕、分離することができ、親水性の破砕面が生成され難い。そのため、得られる解砕シリカ粒子は吸湿性が低く、かつ、凝集体もでき難いので、樹脂への分散性が良好である。その結果、樹脂成分との混練により得られる組成物は、濾過性が良好で、挟ギャップへの注入性、埋め込み性に優れている。
本発明に係る樹脂組成物は、前述のいずれかの解砕シリカ粒子の製造方法によって得られた解砕シリカ粒子と樹脂を含んでいる。このような樹脂組成物は、解砕シリカ粒子が均一に分散し、狭いギャップでも注入性、充填性に優れ、硬化後も吸湿性がなく、信頼性に優れた電子デバイス等を実現できる。樹脂には、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコン系樹脂、BTレジン、シアネート系樹脂から選ばれる1種または2種以上であることが好ましい。また、解砕シリカ粒子の含有量が5〜75質量%の範囲にあることが好ましい。
本発明に係る解砕シリカ粒子の製造方法は、シリカ粒子を600〜1200℃で焼成して焼成シリカ粒子を作製する焼成工程と、解砕用容器内に所定速度(線速)で導入するガスによって旋回流を発生させ、該旋回流中に所定量の焼成シリカ粒子を供給して解砕し、解砕シリカ粒子を作製する解砕工程を有している。このような製造方法によれば、焼成シリカ粒子を破砕することなく、一次粒子に解砕することができる。解砕面は破砕面のようにシラノール基が生成されることがないので、解砕シリカ粒子は吸湿性が低く、かつ、凝集体もでき難い。そのため、樹脂への分散性が良好であり、その結果、樹脂成分との混練により得られる組成物の濾過性が良好で、挟ギャップへの注入性、埋め込み性に優れている。
(焼成工程)
焼成工程では、種々の方法で作製されたシリカ粒子を600〜1200℃で焼成する。焼成により、シリカ粒子(一次粒子)はネック部で融着し、さらにこれらが凝集して集合粒子となる。ここで、焼成温度が600℃未満の場合は、得られる粒子(焼成シリカ粒子)の緻密化が十分に進んでおらず、吸湿性が高い。そのため、これ粒子を含んだ樹脂組成物は硬化後も吸湿性が高く、充分な信頼性が得られ難い。一方、焼成温度が1200℃を超える場合、シリカ粒子の集合体粒子が焼結しやすい。そのため、解砕工程で元の粒子径になるまで解砕すること(すなわち、一次粒子に戻すこと)が困難である。通常、焼成は空気雰囲気で行えるが、焼成後に冷却する際には、結露による吸湿を防ぐために、露点が0℃以下のガス雰囲気にすることが好ましい。露点−10℃以下のガス雰囲気がさらに好ましい。
(解砕工程)
解砕工程では、解砕用容器内にガスを導入して旋回流を発生させ、この旋回流中に焼成工程で得られた焼成シリカ粒子を供給する。これにより、焼成シリカ粒子の集合体粒子が焼成前のシリカ粒子の粒子径になるまで、粒子が破壊されることなく解砕される。これにより、解砕シリカ粒子が得られる。
さらに、解砕用容器に導入するガスの露点は0℃以下が好ましい。ガスの露点が0℃を超えていると、解砕により解砕シリカ粒子に現れた活性表面に、水分に依るシラノール基が生成しやすくなるからである。シラノール基を持つ解砕シリカ粒子が配合された樹脂組成物から得られる硬化物は、長時間外気に触れると吸湿し、充分な信頼性が得られない。このような理由から、導入ガスの露点は−10℃以下が好ましく、−20℃以下がより好ましい。露点が0℃以下の導入ガスは、圧縮ガス、エアドライヤー、あるいは吸着剤による吸着除去法等の、公知の方法で調製することができる。解砕時の温度は、結露しない範囲であれば、制限はない。ここで、孤立のシラノール基の比率を増やす目的で、ドライスチームを用いることができる。
また、導入ガスの線速は、亜音速以上が好ましく、遷音速〜超音速がより好ましい。導入ガスの線速が亜音速未満であると、旋回速度が足りず解砕が不充分となる場合がある。また、超音速を超えると、集合体粒子の解砕にとどまらず、粒子同士の衝突が増えて粒子が破壊する虞がある。なお、導入ガスの線速は、導入ガスの圧力から算出することができる。
なお、固気比は、単位時間あたりの、焼成シリカ粒子(固体)供給量と、導入ガス(気体)の風量の比(固体(g/Hr)/気体(m3/Hr))で算出することができる。なお、旋回流の流れが維持されて、粉砕チャンバー容積/固気比が維持されれば、粉砕チャンバーの大きさに制限されるものではない。
(表面改質工程)
上述した解砕工程により得られた解砕シリカ粒子は、そのまま樹脂組成物に用いることができるが、表面を改質することが好ましい。具体的には、解砕工程に次いで、500〜1100℃で加熱処理する。解砕工程により粒子の融着部が開裂して活性表面が現れて、活性表面にシラノール基が生成しても、500℃以上で加熱処理すると、活性表面がシロキサン化されるので、表面の吸湿を防ぐことができる。加熱処理温度が500℃未満だと、活性表面を一時的にシロキサンできても、再水和によってシラノール基が生成され易い。そのため、吸湿性の低い、樹脂への分散性に優れた解砕シリカ粒子が得られない。活性表面が露出した粒子を配合した樹脂組成物も同様で、加熱処理温度が500℃未満だと、活性表面をシロキサン化することが困難である。そのため、使用中に表面にシラノール基が生成することとなる。一方、加熱処理温度が1100℃を超えると、解砕された粒子が再び凝集、融着する虞がある。
(分級工程)
解砕工程の後、あるいは、表面改質工程の後に分級工程を設けてもよい。解砕工程にて得られた解砕シリカ粒子(あるいは、表面改質工程にて得られた表面改質された解砕シリカ粒子)を分級装置により分級し、平均粒子径の4倍以上の粒径を持つ粗大粒子を除去し、この粗大粒子の割合を5質量%以下とすることが好ましい。2質量%以下とすることがさらに好ましい。また、分級装置により、平均粒子径が所定範囲内の解砕シリカ粒子を多く得ることができる(すなわち、CV値を低くすることができる)。ここで、分級装置としては、ドナルドソン社製のドレセレック、セイシン企業社製のスピンエアシーブ、日清エンジニアリング社製のエアロファインクラシファイア、パウダーシステムズ社製のハイプレック分級機、ホソカワミクロン社製のツインターボプレックス等が使用できる。
(代替の焼成工程)
また、前述の焼成工程を以下のように設定してもよい。すなわち、シリカ粒子を、50g/m3以上の水蒸気の存在下で800〜1000℃で焼成する。これにより、焼成シリカ粒子が作製される。このような焼成工程により、焼成シリカ粒子の表面の水酸基を低減することができるので、低温での焼成にも関わらず焼成シリカ粒子の吸湿性が低減する。特に、炉内の水蒸気量を100g/m3〜2000g/m3に維持した状態で焼成することが好ましい。炉内の水蒸気量が100g/m3未満の場合は、水蒸気量が少ないため、低温では粒子が持つシラノール基の縮合重合が進みにくく、粒子中のシラノール基が多く残る傾向がある。一方、炉内の水蒸気量を2000g/m3より多くしても、シラノール基の縮合重合はこれ以上加速的に進むことはなく、経済的観点から好ましくない。
[シリカ粒子の作製について]
次に、前述の焼成工程で使用するシリカ粒子について詳細に説明する。後述する平均粒子径範囲にあり、樹脂への分散性に優れた球状の焼成シリカ粒子が得られれば、シリカ粒子の製造方法は問わない。例えば、特開平11−228698号公報、特開平11−228699号公報等に開示した、有機珪素化合物を加水分解して得られるシリカ粒子、あるいは、これに準じた方法で得られるシリカ粒子でもよい。また、特開昭63−45114号公報、特開2004−203729号公報、特開2013−126925公報等に開示した、種粒子に、水硝子をイオン交換樹脂で脱アルカリして得られる活性珪酸液を添加することにより粒子成長したシリカ粒子、あるいは、これに準じた方法で得られるシリカ粒子でもよい。
ここでは、下記式(1)で表される加水分解可能な有機珪素化合物を加水分解し、次いで粒子成長(ビルドアップ)させてシリカ粒子の分散液を作製し、これを噴霧乾燥してシリカ粒子を得る調製法を説明する。
(但し、式中、Rは炭素数1〜10の置換または非置換の炭化水素基であって、互いに同一であっても異なっていてもよい。Xは炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基、ハロゲンまたは水素。nは0〜3の整数)
(1)種粒子調製工程
まず、水とアルコールの混合溶媒に加水分解用触媒を加えて混合溶媒とする。この混合溶媒に式(1)で示した有機珪素化合物を添加すると、シリカ微粒子(種粒子ということもある)の分散液(A液)が得られる。すなわち、シリカ種粒子は有機珪素化合物の加水分解物である。
(2)粒子成長工程
次いで、粒子成長工程を行う。すなわち、シリカ微粒子の分散液(B液)に加水分解可能な有機珪素化合物と加水分解用触媒を連続的にあるいは断続的に添加する。ここでは、有機珪素化合物と加水分解用触媒を同時かつ連続的に添加する。同時に添加することにより、粒子成長工程で分散液のpHの変動を小さくすることが可能となり、粒子成長用の有機珪素化合物の加水分解およびシリカ微粒子(種粒子)表面への析出速度が一定となり、均一な粒子径のシリカ粒子が得られる。
(3)噴霧乾燥工程
次に、シリカ分散液(C液)を噴霧乾燥して、造粒を行う。噴霧乾燥シリカ粒子(噴霧乾燥により得られる造粒粒子であり、シリカ粒子の均一な集合体粒子)の平均粒子径は1〜100μmが適している。特に、1〜70μmの範囲が好ましい。噴霧乾燥シリカ粒子の平均粒子径が1μm未満の場合は、流動性が低く、焼成工程で均一に焼成できないことがある。その場合、解砕工程の処理条件を固定にしたままでは、元の粒子径になるように解砕できないおそれがある。噴霧乾燥シリカ粒子の平均粒子径が100μmを超えると、粒子が大きすぎて解砕工程で元の粒子径になるまで解砕できないおそれがある。できたとしても長時間の解砕を要する。また、吸湿性の低い、樹脂への分散性に優れた解砕シリカ粒子を得ることが困難となる。
さらに、噴霧乾燥工程の前、上述の粒子成長工程の後に、必要に応じて熟成工程と濾過工程を以下のように設けてもよい。
(熟成工程)
粒子成長工程を経たシリカ粒子の分散液(C液)を、35〜120℃に加温し、所定時間撹拌する。するとシリカ粒子の分散液が熟成し、シリカ粒子の分散液(D液)が得られる。40〜80℃の範囲で熟成させることがより好ましい。この温度範囲内であれば分散液(C液)の温度は変動してもかまわない。
(濾過工程)
さらに、必要に応じて濾過工程を設けてもよい。濾過工程の前に前述の熟成工程を行っているか否かは問わない。濾過によって、所定の平均粒子径よりも大きい、シリカ粒子の凝集体を分離できる。この時点で所定の平均粒子径よりも大きい凝集体が残存していると、焼成工程での焼成により、解砕が困難な焼成シリカ粒子が生成する。これは、融着度合が大きい焼成シリカ粒子ができるからで、仮にその後に粉砕したとしても、粒子内部での破壊が起こるためシロキサン結合が切断され、破断面にシラノール基が生成しやすい。そのためシリカ粒子の吸湿性を低くすることができない。このように、この時点で凝集状態にあるシリカ粒子をそのまま焼成すると、吸湿性が低く、樹脂への分散性、充填性に優れた解砕シリカ粒子を得ることができない。
濾過方法としては、所定の平均粒子径以上のシリカ粒子の凝集体を分離できれば特に制限はなく、従来公知の各種フィルターを用いて分離することができる。濾過工程を経たシリカ分散液を用いて前述の噴霧乾燥を行い、得られたシリカ粒子を焼成する。
[解砕シリカ粒子を含む樹脂組成物]
ここでは、本発明に係る樹脂組成物について説明する。樹脂組成物は、上述した解砕工程を経て得られた解砕シリカ粒子と樹脂を含んでいる。
以下、解砕シリカ粒子の製造方法の実施例を説明する。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
焼成シリカ粒子の調製
(種粒子調製工程)
まず、水、アルコールと加水分解用触媒を加えて混合溶媒を調製する。本実施例では、水221.2g、エチルアルコール(関東化学社製)185.1g、及び濃度28質量%アンモニア水(関東化学社製)38.1gを容量2L(リットル)のガラス製反応器に入れ撹拌する。この溶液の液温を35±0.5℃に調節して、反応器にテトラエトキシシラン(多摩化学社製)7.88gを一気に加える。その後、1時間撹拌する。1時間撹拌することにより、テトラエトキシシランは加水分解・縮合し、シリカ微粒子の分散液(A液)が得られる。このとき、シリカ微粒子の平均粒子径は0.083μm、平均粒子径の標準偏差は0.072μmとなった。
(粒子成長工程)
第一滴下装置に粒子成長用の有機珪素化合物としてテトラエトキシシラン497.0gを入れる。第二滴下装置には、濃度28質量%アンモニア水126.0gを水315.0gで希釈した濃度8質量%アンモニア水(加水分解用触媒)を入れる。35±0.5℃に管理された分散液(B液)に、第一滴下装置と第二滴下装置を用いてテトラエトキシシランとアンモニア水を12時間かけて滴下する。滴下期間中にpHが11.5を下回らないようにする。また、滴下終了後の分散液(C液)の電導度は96.1μs/cmで、同様に、滴下期間中90μs/cmを下回ることはなかった。
(熟成工程)
滴下終了後、分散液(C液)の液温を60±0.5℃に調節し、1時間撹拌して熟成させ、シリカ粒子(A1)の分散液(D液)を調製する。このとき、シリカ粒子(A1)の平均粒子径は0.27μmであり、平均粒子径の標準偏差は0.07μmであった。また、この時の分散液のpHは11.7であった。
(濾過工程および噴霧乾燥用分散液調製工程)
このようにして得られたシリカ粒子(A1)の分散液(D液)を0.5μmのナイロンフィルターで濾過して、シリカ粒子の凝集粒子を除去する。さらに、蒸留装置を用いて水溶媒に置換する。その後、シリカ濃度が20質量%になるまで濃縮して、シリカ粒子(A1)の分散液(E液)を得る。
(噴霧乾燥工程)
シリカ粒子(A1)の分散液(E液)を、噴霧乾燥装置(大川原化工機株式会社製:FOC−25型)を用いて噴霧乾燥してシリカ粉体(噴霧乾燥シリカ粒子)を造粒する。このとき、噴霧乾燥装置の入口温度を250℃、出口温度を150℃とする。シリカ粉体の水分含有量は7質量%である。シリカ粉体を構成するシリカ粒子(A1)の平均粒子径を測定し、結果を表1に示す。
(焼成工程)
次に、シリカ粉体をSiC製のるつぼ(焼成用容器)に入れ、電気炉を用いて900℃で10時間焼成する。これを冷却して焼成シリカ粒子が得られる。
(解砕工程)
続いて、この焼成シリカ粒子を、高圧ガスによる旋回流が発生している解砕装置(アイシンナノテクノロジーズ社製:ナノジェットマイザーNJ−100)に投入して、焼成シリカ粒子を解砕し、解砕シリカ粒子(B1)を得る。このとき、高圧ガスとして、エアドライヤーにより圧力が1.0MPaの場合に露点マイナス10℃に制御された乾燥空気を用いる。また、焼成シリカ粒子の導入口を密閉するように囲いを設けた。そこへ露点マイナス10℃の乾燥空気が導入される。露点がマイナス10℃の環境から焼成シリカ粒子を供給し、焼成シリカ粒子とともに導入される乾燥空気も露点マイナス10℃の空気とする。
粗大粒子の測定
平均粒子径を測定する際に、粒子径の大きな粒子の分布が観察された場合、平均粒子径の4倍以上の粒子の割合(重量割合)を求め粗大粒子の含有量とした。
吸湿性
解砕シリカ粒子(B1)を、温度25℃、湿度90%の環境下に暴露し、48時間経過後の質量(WH)を測定し、解砕シリカ粒子の質量(WD)からの増加量((WH)−(WD))を(WD)で除して吸着水分量Q(質量%)を求めた。Q=((WH)−(WD))/(WD)×100(%)
Q≦0.15 : ◎(非常に好ましい。)
0.2≧Q>0.15 : ○(好ましい。)
1.0≧Q>0.2 : △
2.0≧Q>1.0 : ×
不純物含有量
解砕シリカ粒子(B1)を硫酸・硝酸・弗化水素酸で前処理した後、硝酸に溶解させ、ICP質量分析装置(Agilent製:型式Agilent 7500S)を用いて不純物含有量を測定した。
分散性の評価
次のように、樹脂組成物を作製し、分散性を評価する。エポキシアクリレート樹脂(共栄社化学(株)製:3000A)とエポキシアクリレート樹脂(共栄社化学(株)製:M600A)を重量比85:15で混合した樹脂25.5gに、解砕シリカ粒子(B1)4.5gを混合し、自転・公転ミキサー(シンキー社製:あわとり練太郎AR−100)を用いて、2000rpmで10分間混練した。次いで、三本ロールミル(EXAKT社製:EXAKT50)に1回通過させて樹脂組成物(ペースト1)を作製する。樹脂組成物について、以下の基準で分散性を評価し、結果を表2に示す。
微細な粒子凝集体が殆ど認められない。 : ○
微細な粒子凝集体が僅かに認められる。 : △
比較的大きな粒子凝集体が認められる。 : ×
注入性の評価
次のように、樹脂組成物を作製し、注入性を評価する。ビスフェノールF型エポキシ樹脂(新日鐵住金化学(株)社製:YDF8170)と液状フェノール樹脂(明和化成(株)社製:MEH8000)とイミダゾール(四国化成工業(株)社製:2E4MZ)と解砕シリカ粒子(B1)を重量比31.0:19.0:0.26:50.0で混合し、自転・公転ミキサー(シンキー社製:あわとり練太郎AR−100)を用いて、2000rpmで10分間混練した。次いで、三本ロールミル(EXAKT社製:EXAKT50)に5回通過させて樹脂組成物(ペースト1)15gを作製する。得られた樹脂組成物について、110℃で注入性の評価を行った。注入性の評価は、ガラスの上に、ギャップ約20μmの松浪硝子工業(株)社製のギャップカバーグラス(CG00024)を貼り付けたものを用い、開口部(ギャップカバーグラスの短辺)に、シリンジを用いて満遍なく各実施例及び比較例の樹脂組成物を載置した。載置した樹脂組成物は、110℃に加熱されることで粘度が下がり、毛管現象により、ギャップカバーガラス内を対辺(開口部)まで進んでいく。その際、以下の基準で注入性を評価し、結果を表2に示す。
注入口付近に微細な粒子凝集体が殆ど認められない。 : ○
注入口付近に微細な粒子凝集体が僅かに認められる。 : △
注入口付近に比較的大きな粒子凝集体が認められる。 : ×
濾過性の評価
次のように、樹脂組成物を作製し、分散性を評価する。エポキシアクリレート樹脂(共栄社化学(株)製:3000A)とエポキシアクリレート樹脂(共栄社化学(株)製:M600A)を重量比85:15で混合した樹脂51.0gに、焼成シリカ微粒子(B1)9.0gを混合し、自転・公転ミキサー(シンキー社製:あわとり練太郎AR−100)を用いて、2000rpmで10分間混練した。次いで、三本ロールミル(EXAKT社製:EXAKT50)に1回通過させて樹脂組成物(ペースト1)を作製する。得られた樹脂組成物を、SUS製のカラムに充填し、40度に加温した状態で、0.4MPaの窒素で加圧し、3μmの金属製フィルター(日本金網商工(株)社製:NKSスーパーポアA3)で濾過を行った。樹脂組成物について、以下の基準で濾過性を評価し、結果を表2に示す。
濾過速度の低下が殆ど認められない。 : ○
濾過速度の低下が僅かに認められる。 : △
濾過速度の低下が認められる。 : ×
[実施例2]
本実施例は、実施例1の解砕工程の後で、表面改質工程を設けている。すなわち、実施例1と同様にして解砕工程で得られた解砕シリカ微粒子(B1)を、再びるつぼに入れ、電気炉を用いて700℃で10時間焼成し、次いで冷却して焼成シリカ微粒子(B2)を調製する。得られた焼成シリカ微粒子(B2)を実施例1と同様に評価した。結果を表2に示す。
[実施例3]
本実施例は、得られるシリカ粒子の大きさが実施例2とは異なっている。まず、実施例1と同様に、シリカ微粒子の分散液(A3液)を作製する。その後、シリカ濃度20%まで濃縮する。次いで、容量2Lのガラス製反応器に、シリカ微粒子の分散液(A3液)26.9g、水125.5g、エチルアルコール136.0g及び濃度28質量%アンモニア水92.5gを入れる。これを撹拌しながら液温を35±0.5℃に調節し、分散液(B3液)を得る。
[実施例4]
本実施例は焼成条件が実施例2とは異なっている。すなわち、本実施例では、焼成工程において、800℃で10時間焼成する。これ以外は実施例2と同様とする。このようにして、解砕シリカ粒子(B4)を作製する。解砕シリカ粒子(B4)の製造条件の概要を表1に示す。この解砕シリカ粒子(B4)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[実施例5]
本実施例では、焼成工程において、1100℃で10時間焼成する。これ以外は実施例2と同様とする。このようにして、解砕シリカ粒子(B5)を作製する。解砕シリカ粒子(B5)の製造条件の概要を表1に示す。この解砕シリカ粒子(B5)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[実施例6]
本実施例は解砕工程において使用する高圧ガスが実施例2と異なっている。本実施例では、旋回流を発生する高圧ガスとして、圧力が1.0MPaの場合に露点が−20℃の乾燥空気を用いることとした。これ以外は実施例2と同様にして解砕シリカ粒子(B6)を作製する。解砕シリカ粒子(B6)の製造条件の概要を表1に示す。この解砕シリカ粒子(B6)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[実施例7]
本実施例は表面改質工程における焼成条件が実施例2と異なっている。本実施例では、600℃で10時間焼成する。これ以外は実施例2と同様に解砕シリカ粒子(B7)を作製する。解砕シリカ粒子(B7)の製造条件の概要を表1に示す。この解砕シリカ粒子(B7)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[実施例8]
本実施例は表面改質工程における焼成条件が実施例2と異なっている。本実施例では、表面改質工程において1000℃で10時間焼成する。これ以外は実施例2と同様に解砕シリカ粒子(B8)を作製する。解砕シリカ粒子(B8)の製造条件の概要を表1に示す。この解砕シリカ粒子(B8)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[実施例9]
本実施例は、解砕工程における解砕条件が実施例1と異なっている。本実施例では、解砕工程において、解砕圧力を0.85MPa、焼成シリカ粒子の導入部における圧力を1.0MPa、原料の導入速度を1.8kg/Hr、旋回流の速度(線速)を391m/s、固気比を8.1g/m3と設定した。解砕シリカ粒子(B9)の製造条件の概要を表1に示す。この解砕シリカ粒子(B9)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[実施例10]
本実施例は、実施例9の解砕工程の後で、表面改質工程を設けている。すなわち、実施例9と同様にして解砕工程で得られた解砕シリカ粒子(B9)を、再び焼成用容器に入れ、電気炉を用いて700℃で10時間焼成し、次いで冷却して解砕シリカ粒子(B10)を調製する。得られた解砕シリカ粒子(B10)を実施例1と同様に評価した。結果を表2に示す。
[比較例1]
本比較例では解砕工程を行っていない。実施例1で、焼成工程により得た焼成シリカ粒子(R1)を実施例1と同様に評価した。結果を表2に示す。ただし、焼成シリカ粒子(R1)が大き過ぎるので、樹脂組成物の調製、分散性の評価は実施していない。
[比較例2]
本比較例では、実施例1の焼成工程における焼成条件を550℃で10時間とする。焼成工程以外は実施例1と同様の条件で解砕シリカ粒子(R2)を作製する。この解砕シリカ粒子(R2)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[比較例3]
本比較例は、実施例2の焼成工程における焼成条件を1250℃で10時間とする例である。焼成工程以外は実施例2と同じ条件で解砕シリカ粒子(R3)を作製する。この解砕シリカ粒子(R3)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[比較例4]
本比較例では、実施例1の焼成工程と解砕工程の順序を入れ替えている。すなわち、種粒子調整工程から噴霧乾燥工程を実施例1と同様に行って、シリカ粉体を造粒する。次いで、シリカ粉体を、実施例1の解砕工程と同様にナノジェットマイザー(アイシンナノテクノロジーズ社製:NJ−100)を用いて解砕する。すなわち、低湿度の高圧ガスにより生じた旋回流にシリカ粉体を投入して、解砕する。次いで、解砕したシリカ粉体を焼成用容器に入れ、電気炉を用いて900℃で10時間焼成する。次いで冷却し、解砕シリカ粒子(R4)を作製する。この解砕シリカ粒子(R4)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[比較例5]
本比較例では、比較例4で示した製造工程の後に、表面改質工程を設けている。すなわち、比較例4と同様に作製した解砕シリカ粒子(R4)を、焼成用容器に入れ、電気炉を用いて700℃で10時間焼成し、ついで冷却して解砕シリカ粒子(R5)を得る。この解砕シリカ粒子(R5)について、実施例1と同様に特性を評価する。結果を表2に示す。
[比較例6]
本比較例は、実施例1の解砕工程を、粉砕機(ホソカワミクロン(株)製:ミクロンジェットMJT)を用いて行う例である。すなわち、焼成工程までは実施例1と同様に行い焼成シリカ粒子を作製する。この焼成シリカ粒子を粉砕機(ホソカワミクロン(株)製:ミクロンジェットMJT)で粉砕し、解砕シリカ粒子(R6)を取り出す。この粉砕機は旋回流式の解砕装置ではなく、ジルコニア製のターゲットに粒子を衝突させる方式の粉砕装置である。
本実施例は、実施例1とは焼成工程以降が異なっている。まず、種粒子調製工程から噴霧乾燥工程までは実施例1と同様に行う。これにより、シリカ粉体が得られる。
(焼成工程)
次に、このシリカ粉体を焼成用容器に入れ、電気炉(村尾電気製)で3時間かけて室温から350℃まで昇温する。本実施例では、一つの焼成用容器に0.9Kgのシリカ粉を収め、容積が0.8m3の電気炉に115個の焼成用容器を収めた。350℃で2時間保持した後、電気炉内の水蒸気量が100g/m3になるように水を供給する。その状態から11時間かけて900℃まで昇温し、900℃で10時間焼成を行った。焼成終了後(10時間経過後)、ヒーターの電源を切り、水の供給を止め、炉内に窒素ガスを90L/minで導入する。そのまま19時間かけて500℃まで冷却し、電気炉の扉を開け6時間かけて50℃まで冷却する。その後、窒素ガスの導入を止め、電気炉内から焼成用容器を取り出し、焼成シリカ粒子(シリカ粒子の焼成体)を得た。
(解砕工程)
続いてシリカ粒子の焼成体を解砕装置に投入して、シリカ粒子の焼成体を解砕し、解砕シリカ粒子が得られる。得られた解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定した。結果を表3に示す。
求めた吸着水分量Qに基づいて評価する。
Q≦0.15 : ○(好ましい)
0.2≧Q>0.15 : △(やや好ましい)
Q>0.2 : ×(好ましくない)
樹脂組成物(ペースト)の調製
エポキシアクリレート樹脂(共栄社化学(株)製:3000A)とエポキシアクリレート樹脂(共栄社化学(株)製:M600A)を重量比85:15で混合した樹脂25.5gに、この解砕シリカ粒子4.5gを混ぜ、自転・公転ミキサー(シンキー社製:あわとり練太郎AR−100)を用いて、2000rpmで10分間混練する。次いで、三本ロールミル(EXAKT社製:EXAKT50)に1回通過させて樹脂組成物を調製する。
分散性の評価
実施例1と同様に、この樹脂組成物中の解砕シリカ粒子の分散性を評価した。結果を表1に示す。
[実施例12]
本実施例では、実施例11の焼成工程で、水蒸気量700g/m3、900℃10時間と設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[実施例13]
本実施例では、実施例11の焼成工程を、水蒸気量2000g/m3、900℃10時間と設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[実施例14]
本実施例では、実施例11の焼成工程で、水蒸気量2000g/m3、800℃10時間に設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[実施例15]
本実施例では、実施例11の焼成工程で、水蒸気量100g/m3、800℃10時間に設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[実施例16]
本実施例では、実施例11の焼成工程で、水蒸気量100g/m3、1000℃10時間に設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[実施例17]
本実施例では、実施例11の焼成工程を、水蒸気量2000g/m3、1000℃10時間に設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[実施例18]
本実施例では、実施例11の焼成工程で、焼成装置に5Lの回転焼成炉を用い、水蒸気量2000g/m3 、900℃1時間に設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[比較例7]
実施例11の焼成工程で、水蒸気量を10g/m3に設定した以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。湿度45%、温度24度の大気を炉内に導入する場合、水蒸気量は約10g/m3となる。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[比較例8]
比較例7の焼成工程で、焼成温度を800℃に設定した以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[比較例9]
比較例7の焼成工程で、焼成温度を1000℃に設定した以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
[比較例10]
比較例7の焼成工程で、焼成装置に5Lの回転焼成炉を用い、900℃1時間に設定した。これ以外は、同様の条件で解砕シリカ粒子を作製した。この解砕シリカ粒子について、平均粒子径、粒子径変動係数(CV値)を測定し、実施例11と同様に吸湿性と分散性を評価した。結果を表3に示す。
Claims (10)
- シリカ粒子を600〜1200℃の範囲で焼成して焼成シリカ粒子を作製する焼成工程と、
解砕用容器内に導入するガスによって旋回流を発生させ、該旋回流中に前記焼成シリカ粒子を供給し、前記焼成シリカ粒子を解砕して解砕シリカ粒子を作製する解砕工程と、
前記解砕工程の後に設けられた、500〜1100℃の温度範囲で加熱処理する表面改質工程と、
を含むことを特徴とする解砕シリカ粒子の製造方法。 - 前記解砕工程において、前記旋回流中に供給される焼成シリカ粒子の供給量W1(g/Hr)と、導入するガスの供給量W2(m3/Hr)の比である固気比W1/W2が4.4〜36.3g/m3の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。
- 前記表面改質工程が、露点0℃以下のガス雰囲気下で行なわれることを特徴とする請求項1に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。
- シリカ粒子を絶対湿度50g/m3以上の環境下で800〜1000℃の範囲で焼成する焼成工程と、
解砕用容器内に導入するガスによって旋回流を発生させ、該旋回流中に前記焼成シリカ粒子を供給し、前記焼成シリカ粒子を解砕して解砕シリカ粒子を作製する解砕工程と、
を含むことを特徴とする解砕シリカ粒子の製造方法。 - 前記焼成工程において、100g/m3〜2000g/m3の水蒸気を含む気体が充填された炉内で前記シリカ粒子を焼成することを特徴とする請求項4に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。
- 前記焼成工程の後で、前記炉内に露点0℃以下の不活性ガスを注入して、前記水蒸気を含む気体を排出することを特徴とする請求項5に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。
- 前記焼成工程の後に、前記シリカ粒子を前記炉内で50℃まで冷却する冷却工程が設けられ、該冷却工程において、前記炉内にある前記水蒸気を含む気体を露点0℃以下の不活性ガスに置き換えることを特徴とする請求項5に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。
- 前記シリカ粒子が、平均粒子径10nm〜1μmの範囲にあるシリカ粒子の分散液を噴霧乾燥して得られる噴霧乾燥シリカ粒子であり、前記噴霧乾燥シリカ粒子の平均粒子径が1〜100μmの範囲にあり、水分含有量が0.01〜10質量%の範囲にあり、
前記解砕工程により得られた焼成シリカ微粒子の平均粒子径が5nm〜0.95μmの範囲にあることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。 - 前記焼成工程に用いるシリカ粒子が、下記式(1)で表される加水分解性有機珪素化合物を加水分解し、ついで粒子成長させて得たシリカ粒子であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。
Rn−SiX4-n (1)
(但し、式中、Rは炭素数1〜10の置換または非置換の炭化水素基であって、互いに同一であっても異なっていてもよい。Xは炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン、または水素。nは0〜3の整数) - 前記加水分解の際に、分散液のpHが8〜13の範囲にあり、前記粒子成長の際に、分散液のpHが8〜13の範囲にあり、粒子成長の際の分散液のpHの変動幅が±1.0の範囲にあることを特徴とする請求項9に記載の解砕シリカ粒子の製造方法。
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Family Cites Families (29)
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JPH01259172A (ja) * | 1988-04-09 | 1989-10-16 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 粉砕機 |
JPH02311310A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Kawatetsu Mining Co Ltd | 高純度シリカ微粉末の製造方法 |
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JPH06115925A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-26 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 単分散シリカ微粒子の製造方法 |
US5503932A (en) | 1993-11-17 | 1996-04-02 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Organic-inorganic composite particles and production process therefor |
JP2698541B2 (ja) | 1993-11-17 | 1998-01-19 | 株式会社日本触媒 | 液晶表示板用スペーサーおよびこれを用いた液晶表示板 |
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US5670257A (en) | 1994-11-15 | 1997-09-23 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Organic-inorganic composite particles and production process therefor |
CN1065212C (zh) * | 1996-12-30 | 2001-05-02 | 徐梦雷 | 高纯二氧化硅超微粉的生产方法 |
JP3782866B2 (ja) * | 1997-05-22 | 2006-06-07 | 水澤化学工業株式会社 | 破砕法によるシリカゲル粒子、その製法及びその用途 |
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