JPH02311310A - 高純度シリカ微粉末の製造方法 - Google Patents
高純度シリカ微粉末の製造方法Info
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- JPH02311310A JPH02311310A JP13147689A JP13147689A JPH02311310A JP H02311310 A JPH02311310 A JP H02311310A JP 13147689 A JP13147689 A JP 13147689A JP 13147689 A JP13147689 A JP 13147689A JP H02311310 A JPH02311310 A JP H02311310A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 191
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 55
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 41
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 37
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229960004029 silicic acid Drugs 0.000 claims description 44
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 7
- LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;hydrate Chemical compound O.O=[Si]=O LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 abstract 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 12
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKCVNYJQLIWBHK-UHFFFAOYSA-N carbonodiperoxoic acid Chemical compound OOC(=O)OO NKCVNYJQLIWBHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 7028-40-2 Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical group OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000000941 radioactive substance Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
- C01B33/152—Preparation of hydrogels
- C01B33/154—Preparation of hydrogels by acidic treatment of aqueous silicate solutions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、アルカリ珪酸水溶液から、比表面積及び粒子
径を制御しながらAQ、 Fe、 Ti等の金属成分や
Na、に等のアルカリ金属、又U、 Th等の放射性を
有する不純物を極めて効率的に除去した高純度のシリカ
を製造する方法に関するものである。
径を制御しながらAQ、 Fe、 Ti等の金属成分や
Na、に等のアルカリ金属、又U、 Th等の放射性を
有する不純物を極めて効率的に除去した高純度のシリカ
を製造する方法に関するものである。
更に詳しくは、例えば不純物含有量が2000ppm以
、上台まれる工業用水ガラスから、比表面積及び粒子
径を制御しながら、AQ、 Fe、 Ti等の金属成分
やNa、に等のアルカリ金属などの不純物を5ppm以
下、U、 Th等の放射性を有する不純物を0.1pp
b以□ 下の純度の高いシリカを製造する方法に関する
ものである。
、上台まれる工業用水ガラスから、比表面積及び粒子
径を制御しながら、AQ、 Fe、 Ti等の金属成分
やNa、に等のアルカリ金属などの不純物を5ppm以
下、U、 Th等の放射性を有する不純物を0.1pp
b以□ 下の純度の高いシリカを製造する方法に関する
ものである。
(従来の技術)
近年シリカは、触媒、触媒担体等の機能材料、光学材料
、太陽電池用シリコンの製造原料、或いは、LILSI
用フィラー等の電子材料として広く使用されるようにな
ってきた。
、太陽電池用シリコンの製造原料、或いは、LILSI
用フィラー等の電子材料として広く使用されるようにな
ってきた。
しかし、これらの原料として、天然の鉱物では、純度、
物性等に限界が生じてきている。また、化学的に合成さ
れるシリカの製法においても、コスト面や、比表面積を
コントロールしながら高純度のシリカ微粉末を製造する
方法では、製造技術上でも限界が生じてきている。
物性等に限界が生じてきている。また、化学的に合成さ
れるシリカの製法においても、コスト面や、比表面積を
コントロールしながら高純度のシリカ微粉末を製造する
方法では、製造技術上でも限界が生じてきている。
例えば、触媒の分野において、5ナイン以上の極めて高
純度で、高い比表面積を有するシリカの製造方法が要望
されているものの、まだ解決されておらず、又、ULS
Iの封止用樹脂充填材としては、平均粒子径(d 5
o )を約10μmまで粉砕した低放射性の極めて高純
度のシリカが要求されているが、未だ、満足すべき製造
方法が示されていない。
純度で、高い比表面積を有するシリカの製造方法が要望
されているものの、まだ解決されておらず、又、ULS
Iの封止用樹脂充填材としては、平均粒子径(d 5
o )を約10μmまで粉砕した低放射性の極めて高純
度のシリカが要求されているが、未だ、満足すべき製造
方法が示されていない。
現在、これらの用途に供されている高純度のシリカの製
造法としては、次に示す合成方法がある。
造法としては、次に示す合成方法がある。
■特別に精製した四塩化珪素を、酸水素炎下で反応させ
る方法や、テトラエチルシリケート等のアルコキシドを
加水分解して焼成する方法。
る方法や、テトラエチルシリケート等のアルコキシドを
加水分解して焼成する方法。
■アルカリ珪酸水溶液を、イオン交換樹脂で処理して不
純物を除去した後、シリカを回収する方法(例えば、特
開昭60−42217号、特開昭60−42218号参
照)。
純物を除去した後、シリカを回収する方法(例えば、特
開昭60−42217号、特開昭60−42218号参
照)。
■市販のアルカリ珪酸水溶液そのままを、キレート剤及
び過酸化水素を含む鉱酸と反応させ、得られたシリカを
キレート剤及び過酸化水素を含む鉱酸にて洗浄処理しシ
リカを得る方法(例えば、特開昭61−178414号
、特開昭62−12608号参照)。
び過酸化水素を含む鉱酸と反応させ、得られたシリカを
キレート剤及び過酸化水素を含む鉱酸にて洗浄処理しシ
リカを得る方法(例えば、特開昭61−178414号
、特開昭62−12608号参照)。
■Sin、含有量が21〜72wt%の含水珪酸塩原料
と鉱酸との反応によってシリカを得る方法(例えば、特
開昭60−204612号参照)。
と鉱酸との反応によってシリカを得る方法(例えば、特
開昭60−204612号参照)。
又、合成されたシリカや天然の高純度シリカ原料を不純
物が混入されることのないように粉砕する技術としては
、次のような方法がある。
物が混入されることのないように粉砕する技術としては
、次のような方法がある。
■珪石、水晶、溶融石英ガラス、樹脂、セラミックス等
で内張すされたボールミルと高純度セラミックスポール
、溶融石英ガラスポールを使用するボールミル粉砕方法
(例えば、特開昭59−164371号、特開昭59−
174517号、特開昭61−72615号、特開昭6
1−72616号参照) (発明が解決しようとする課題) これらの方法は、何れも純度の高いシリカを製造するこ
とを目的としているものであるが、これらの合成技術に
関しては、次のような欠点がある。
で内張すされたボールミルと高純度セラミックスポール
、溶融石英ガラスポールを使用するボールミル粉砕方法
(例えば、特開昭59−164371号、特開昭59−
174517号、特開昭61−72615号、特開昭6
1−72616号参照) (発明が解決しようとする課題) これらの方法は、何れも純度の高いシリカを製造するこ
とを目的としているものであるが、これらの合成技術に
関しては、次のような欠点がある。
■の方法の場合、精製された原料を用いるため、−3=
純度の高いものが得られるが、原料自体が、かなり高価
なものであるため、特殊な用途には使えるが、汎用品と
しては使えないというのが実情である。
なものであるため、特殊な用途には使えるが、汎用品と
しては使えないというのが実情である。
■の方法の場合、アルカリ珪酸水溶液の81へ濃度を約
10重量%以下に希釈して精製処理を行うため、装置の
効率が極めて低い。又シリカの沈殿析出操作が複雑な上
、イオン交換樹脂の再生にも問題があり、生産性の点で
問題である。
10重量%以下に希釈して精製処理を行うため、装置の
効率が極めて低い。又シリカの沈殿析出操作が複雑な上
、イオン交換樹脂の再生にも問題があり、生産性の点で
問題である。
■の方法の場合、アルカリ珪酸水溶液として、JIS3
号規格品のSin、濃度の高いものを用いているものの
、鉱酸中で、シリカの沈殿を精製するためには、鉱酸中
へのアルカリ珪酸水溶液の添加速度を遅く、更に、シリ
カの沈殿熟成に高温(80℃)、且つ、長時間(2時間
)の撹拌を必要とするのであって、これは、鉱酸中に溶
解している珪酸を、十分に沈殿せしめるために、不可欠
な条件である。
号規格品のSin、濃度の高いものを用いているものの
、鉱酸中で、シリカの沈殿を精製するためには、鉱酸中
へのアルカリ珪酸水溶液の添加速度を遅く、更に、シリ
カの沈殿熟成に高温(80℃)、且つ、長時間(2時間
)の撹拌を必要とするのであって、これは、鉱酸中に溶
解している珪酸を、十分に沈殿せしめるために、不可欠
な条件である。
又、この方法では、シリカを洗浄濾過した後、残留して
いる不純物を除去するための酸洗においても、高温(9
0℃)、且つ長時間(3時間)を要し、回収率や生産効
率の面で問題である。
いる不純物を除去するための酸洗においても、高温(9
0℃)、且つ長時間(3時間)を要し、回収率や生産効
率の面で問題である。
■の方法の場合、工業用3号水ガラスのSin、含有量
、29〜30wt%以下では、■と同じような問題があ
り、5102含有量が30%以上では、不純物の取り込
みが多くなりやはり問題がある。
、29〜30wt%以下では、■と同じような問題があ
り、5102含有量が30%以上では、不純物の取り込
みが多くなりやはり問題がある。
また、■のボールミルによる粉砕の場合、平均粒子径(
d6’O)で10μmが純度を維持しての粉砕限界で、
特にU%Thについては、石英ガラスを内張りとし、石
英ガラスよりなるポールに使用しても、不純物として混
入することは避けられない等、生産性と品質面で問題が
多い。
d6’O)で10μmが純度を維持しての粉砕限界で、
特にU%Thについては、石英ガラスを内張りとし、石
英ガラスよりなるポールに使用しても、不純物として混
入することは避けられない等、生産性と品質面で問題が
多い。
以上述べたように、何れも、高純度シリカの微粉末を製
造する方法としては、合成技術及び粉砕技術の各操作に
おいて問題がある上に、例えばU、Thが共にO,Ip
pb以下のULSI用の高純度の微粉末シリカを製造す
る一貫した、或いは完成された技術になっていない。
造する方法としては、合成技術及び粉砕技術の各操作に
おいて問題がある上に、例えばU、Thが共にO,Ip
pb以下のULSI用の高純度の微粉末シリカを製造す
る一貫した、或いは完成された技術になっていない。
又、高純度シリカの比表面積の制御については、技術開
発がなされていないのが現状である。
発がなされていないのが現状である。
本発明者等は、このような現状に鑑み、出発原料として
、一般に市販されている工業用の安価なアルカリ珪酸水
溶液を用い、極めて簡単な操作によって、高純度、且つ
、任意の比表面積を有するシリカ微粉末を製造する方法
について鋭意研究の結果、本発明を完成した。
、一般に市販されている工業用の安価なアルカリ珪酸水
溶液を用い、極めて簡単な操作によって、高純度、且つ
、任意の比表面積を有するシリカ微粉末を製造する方法
について鋭意研究の結果、本発明を完成した。
(課題を解決するための手段)
本発明の要旨は、アルカリ珪酸水溶液にキレート剤を添
加し、100℃以上の温度に加熱しながら粘度をIO〜
1oooポイスに調整し、しかる後、過酸化水素を含有
する鉱酸液中に、前記アルカリ珪酸水溶液全体を、直ち
に添加注入して撹拌し、アルカリ珪酸水溶液からシリカ
をゲル化せしめると共に、アルカリ金属、金属元素不純
物、及び放射性不純物を鉱酸中に浸出せしめ、次いで、
得られたゲル状シリカを温水洗浄後、キレート剤と過酸
化水素を含有する酸溶液中で撹拌して酸洗し、得られる
含水シリカを脱水した後、更に、乾燥・焼成、及び、粉
砕・分級することを特徴とする高純度シリカ微粉末の製
造方法である。
加し、100℃以上の温度に加熱しながら粘度をIO〜
1oooポイスに調整し、しかる後、過酸化水素を含有
する鉱酸液中に、前記アルカリ珪酸水溶液全体を、直ち
に添加注入して撹拌し、アルカリ珪酸水溶液からシリカ
をゲル化せしめると共に、アルカリ金属、金属元素不純
物、及び放射性不純物を鉱酸中に浸出せしめ、次いで、
得られたゲル状シリカを温水洗浄後、キレート剤と過酸
化水素を含有する酸溶液中で撹拌して酸洗し、得られる
含水シリカを脱水した後、更に、乾燥・焼成、及び、粉
砕・分級することを特徴とする高純度シリカ微粉末の製
造方法である。
すなわち、本発明の特徴点を列挙すると、次の通りであ
る。
る。
先ず、第一の特徴点は、鉱酸に添加するアルカリ珪酸水
溶液に、予めキレート剤を添加しておき、更に100℃
以上に加熱処理を行なって、粘度を10〜1000ボイ
ズになるよう調整する点である。
溶液に、予めキレート剤を添加しておき、更に100℃
以上に加熱処理を行なって、粘度を10〜1000ボイ
ズになるよう調整する点である。
本発明で使用するアルカリ珪酸水溶液としては、SiO
,/R20(Rはアルカリ金属)のモル比が、1〜4の
市販のアルカリ珪酸水溶液(水ガラス)でよく、又、鉱
酸としては、塩酸、硝酸、硫酸等があげられ、単独又は
混合しても使用できる。
,/R20(Rはアルカリ金属)のモル比が、1〜4の
市販のアルカリ珪酸水溶液(水ガラス)でよく、又、鉱
酸としては、塩酸、硝酸、硫酸等があげられ、単独又は
混合しても使用できる。
これら鉱酸中に、市販のアルカリ珪酸水溶液を直接注入
して、不純物の浸出による除去と、シリカの沈殿生成を
同時に行わせることは知られている。
して、不純物の浸出による除去と、シリカの沈殿生成を
同時に行わせることは知られている。
しかし、本発明の方法では、前記の原料を用いて高純度
シリカの微粉末を製造するに当り、鉱酸に添加するアル
カリ珪酸水溶液に、予めキレート剤を添加しておき、更
に100℃以上に加熱処理を行なって、粘度をlO〜1
000ボイズになるよう調整するのである。
シリカの微粉末を製造するに当り、鉱酸に添加するアル
カリ珪酸水溶液に、予めキレート剤を添加しておき、更
に100℃以上に加熱処理を行なって、粘度をlO〜1
000ボイズになるよう調整するのである。
このような粘度調整をした後、鉱酸中に添加することに
よって、鉱酸中へ珪酸の拡散・溶解によるシリカの回収
率の低下を防止することができ、更に、同時に、水ガラ
スに含まれる不純物元素が、短時間に鉱酸中へ浸出され
る反応が生ずるのである。
よって、鉱酸中へ珪酸の拡散・溶解によるシリカの回収
率の低下を防止することができ、更に、同時に、水ガラ
スに含まれる不純物元素が、短時間に鉱酸中へ浸出され
る反応が生ずるのである。
もし、使用するアルカリ珪酸の粘度が、原料の状態で1
0〜1000ボイズの範囲内にある場合でも、100℃
以上の加熱処理を行なうことは、反応速度の面で好まし
い。
0〜1000ボイズの範囲内にある場合でも、100℃
以上の加熱処理を行なうことは、反応速度の面で好まし
い。
即ち、JIS 1号(Sin、37%、Na、017%
)、JTS 2号(SjO,35%、Na、014%)
の水ガラスは、それぞれ原液の状態でも500ポイズと
50ボイズの粘度を有しているが、5intに対するN
aヨ0の比が、JIS 3号の水ガラスよりも高いので
、Naをシリカから鉱酸へ浸出させることがより困難と
なるので、この場合も100℃以上に加熱しながらも、
粘度が10−+000ボイズの範囲からはずれないよう
にする必要がある。
)、JTS 2号(SjO,35%、Na、014%)
の水ガラスは、それぞれ原液の状態でも500ポイズと
50ボイズの粘度を有しているが、5intに対するN
aヨ0の比が、JIS 3号の水ガラスよりも高いので
、Naをシリカから鉱酸へ浸出させることがより困難と
なるので、この場合も100℃以上に加熱しながらも、
粘度が10−+000ボイズの範囲からはずれないよう
にする必要がある。
第二の特徴点は、シリカの比表面積を1ooorrT/
gr以下の範囲内で目的の値にするため、焼成温度を制
御する点である。
gr以下の範囲内で目的の値にするため、焼成温度を制
御する点である。
更に、第三の特徴点は、以上によって得られたシリカを
、不純物が混入することなしに、平均粒子径で1000
μm以下の範囲内の目的値に、粉砕・分級する点にある
。
、不純物が混入することなしに、平均粒子径で1000
μm以下の範囲内の目的値に、粉砕・分級する点にある
。
以下、本発明について更に詳述する。
本発明に係る製造方法は、大別して、次の4工程からな
るものである。
るものである。
(1)ルカリ珪 パの1几理ニ
一般に、アルカリ珪酸水溶液と鉱酸との中和反応が生ず
ると、シリカが沈殿する。しかし、強酸性においては、
珪酸は液中に多量に溶解し、沈殿生成は殆ど起らない。
ると、シリカが沈殿する。しかし、強酸性においては、
珪酸は液中に多量に溶解し、沈殿生成は殆ど起らない。
特に、鉱酸に添加するアルカリ珪酸水溶液中の5inR
濃度が、約10重量%以下の場合には顕著である。
濃度が、約10重量%以下の場合には顕著である。
ところが、アルカリ珪酸水溶液中の8102濃度が高く
なり、粘度が増加すると、アルカリ珪酸水溶液に含まれ
る珪酸の鉱酸中への拡散溶解速度が次第に遅くなること
を見出した。
なり、粘度が増加すると、アルカリ珪酸水溶液に含まれ
る珪酸の鉱酸中への拡散溶解速度が次第に遅くなること
を見出した。
市販のアルカリ珪酸水溶液には、約30重量%の810
2が含まれているが、例えば、JISa号水ガラス(S
i0.30%、Na、09%)の粘度は、約5ポイズで
あるため、通常の状態では、鉱酸との反応で大半の珪酸
が鉱酸中に溶解するか、寒天状のゲルが混在してしまう
。
2が含まれているが、例えば、JISa号水ガラス(S
i0.30%、Na、09%)の粘度は、約5ポイズで
あるため、通常の状態では、鉱酸との反応で大半の珪酸
が鉱酸中に溶解するか、寒天状のゲルが混在してしまう
。
粘度が10ポイズ以上になると、強酸との反応において
、アルカリ珪酸から、はぼ瞬間的(数秒〜数分)にアル
カリ金属や不純物だけが鉱酸溶液中に吐き出され、珪酸
分だけが沈殿として残る現象を発見した。
、アルカリ珪酸から、はぼ瞬間的(数秒〜数分)にアル
カリ金属や不純物だけが鉱酸溶液中に吐き出され、珪酸
分だけが沈殿として残る現象を発見した。
しかしながら、粘度が1000ポイズ以上になると、ア
ルカリ金属は鉱酸中に吐き出されるが、その他の金属成
分はシリカの沈殿の中に取り残されてしまう。
ルカリ金属は鉱酸中に吐き出されるが、その他の金属成
分はシリカの沈殿の中に取り残されてしまう。
以上より、次工程の鉱酸との反応において、適切な粘度
範囲であるlO〜1000ボイズに調整するために、ア
ルカリ珪酸水溶液を重合させるか、有機高分子を添加し
増粘させて用いる必要がある。
範囲であるlO〜1000ボイズに調整するために、ア
ルカリ珪酸水溶液を重合させるか、有機高分子を添加し
増粘させて用いる必要がある。
この重合には、すでに良く知られている酸性物質による
部分中和法、脱水濃縮法、多価金属塩の添加法等がある
。
部分中和法、脱水濃縮法、多価金属塩の添加法等がある
。
高純度化の観点から、できるだけ不純物の要因になるよ
うな有機物及びf1!(機物を新たに添加するのは得策
ではない。
うな有機物及びf1!(機物を新たに添加するのは得策
ではない。
更に、できるだけ方法が簡単なものが有利であるので、
脱水濃縮法が好適である。
脱水濃縮法が好適である。
アルカリ珪酸水溶液は、数χの脱水で、粘度が顕著に増
大する特徴を有している。
大する特徴を有している。
脱水濃縮にあたっては、加熱蒸発、減圧蒸発、電磁波加
熱等、いかなる方法でも良いが、不純物の浸出と、シリ
カの沈殿生成の反応速度を高めるために、100℃以上
の加熱蒸発が最も好ましい。
熱等、いかなる方法でも良いが、不純物の浸出と、シリ
カの沈殿生成の反応速度を高めるために、100℃以上
の加熱蒸発が最も好ましい。
以上のように、原料珪酸アルカリ水溶液の加熱と粘度調
整を行うと、次工程での、不純物の浸出速度とシリカの
回収率は極めて高くなるが、若干量の不純物が残存する
ことがあるので、予め、珪酸アルカリ水溶液にキレート
剤を混合しておくことによって、この弊害を避けること
ができる。
整を行うと、次工程での、不純物の浸出速度とシリカの
回収率は極めて高くなるが、若干量の不純物が残存する
ことがあるので、予め、珪酸アルカリ水溶液にキレート
剤を混合しておくことによって、この弊害を避けること
ができる。
キレート剤としては、通常用いられているEDTA、ト
リ・ニトリツク・酢酸、及びその塩のアミノカーボネー
ト系、クエン酸、グリコール酸、グルコン酸、及びその
塩のヒドロキシ・カーボネート系、ヒドロオキシ・エチ
レン・ジアミン・4酢酸、及びその塩のヒドロキシ・ア
ミノカーボネート系などが使用できる。
リ・ニトリツク・酢酸、及びその塩のアミノカーボネー
ト系、クエン酸、グリコール酸、グルコン酸、及びその
塩のヒドロキシ・カーボネート系、ヒドロオキシ・エチ
レン・ジアミン・4酢酸、及びその塩のヒドロキシ・ア
ミノカーボネート系などが使用できる。
(2)Iffffウシリカ 工
前記工程で適切な粘度に調整され、且つ100℃以上に
加熱された原液を、酸濃度2規定以上の酸性領域中に撹
拌しながら一時に添加注入し、アルカリ珪酸水溶液中か
らアルカリ金属及び金属元素の不純物を鉱酸中へ浸出さ
せると共に、ゲル化反応によってシリカを沈殿として生
成させる。
加熱された原液を、酸濃度2規定以上の酸性領域中に撹
拌しながら一時に添加注入し、アルカリ珪酸水溶液中か
らアルカリ金属及び金属元素の不純物を鉱酸中へ浸出さ
せると共に、ゲル化反応によってシリカを沈殿として生
成させる。
加熱粘度調整された原液の鉱酸への添加注入速度は、全
く制限はなく、数秒〜数分の短時間で添加することがで
きる。
く制限はなく、数秒〜数分の短時間で添加することがで
きる。
又、本発明においては、ノズル等を使用して細流状態で
注入する必要はない。
注入する必要はない。
この場合、加熱・粘度調整を施さない市販のアルカリ珪
酸水溶液を用いると、大半の珪酸分が鉱酸中へ溶解する
のでシリカの収率が極端に低くなる。そこで、この珪酸
を沈殿させるために、加熱し長時間熟成させる必要が生
じる。更に、この方法で得られるシリカの沈殿には、含
水率の非常に高い寒天状のゲルが含まれるので、水溶液
と共に取り込まれる不純物の量も多くなる。特に、アル
カリ比の高い1号、2号の場合、Naの不純物量は多く
なる。従って、この不純物を除去するためには、次工程
の酸洗工程を強化せざるを得なくなる。
酸水溶液を用いると、大半の珪酸分が鉱酸中へ溶解する
のでシリカの収率が極端に低くなる。そこで、この珪酸
を沈殿させるために、加熱し長時間熟成させる必要が生
じる。更に、この方法で得られるシリカの沈殿には、含
水率の非常に高い寒天状のゲルが含まれるので、水溶液
と共に取り込まれる不純物の量も多くなる。特に、アル
カリ比の高い1号、2号の場合、Naの不純物量は多く
なる。従って、この不純物を除去するためには、次工程
の酸洗工程を強化せざるを得なくなる。
以上のように、この工程では、使用するアルカリ珪酸水
溶液を、加熱・粘度調整することが、如何に重要な操作
であるかがわかる。
溶液を、加熱・粘度調整することが、如何に重要な操作
であるかがわかる。
この工程で使用する鉱酸としては、塩酸、硝酸、硫酸等
が挙げられ、単独又は混合して使用できる。
が挙げられ、単独又は混合して使用できる。
更に、次工程の酸洗後の濾過廃液を使用することもでき
る。
る。
実用上は、反応容器の材質、コストの点で、硫酸、硝酸
等を用いるのが好ましい。
等を用いるのが好ましい。
鉱酸濃度としては、2規定以上のものが好ましく、2規
定以下の弱い酸では、不純物の浸出速度が遅いことと、
珪酸の一部が溶解して、シリカの回収率が小さくなるの
で好ましくない。
定以下の弱い酸では、不純物の浸出速度が遅いことと、
珪酸の一部が溶解して、シリカの回収率が小さくなるの
で好ましくない。
反応温度としては、原料の水ガラスを100℃以上に加
熱したまま直ちに注入するほかに、鉱酸そのものも、4
0℃以上に加熱しておく方が不純物浸出の反応速度を高
める上で好ましい。
熱したまま直ちに注入するほかに、鉱酸そのものも、4
0℃以上に加熱しておく方が不純物浸出の反応速度を高
める上で好ましい。
更に、本発明者等は、強酸領域において、過酸化水素存
在下で、TiのほかにUとThが溶解し、シリカから液
中へ分離されることを見出した。しかも、この反応は、
珪酸の存在下で助長されることもわかった。
在下で、TiのほかにUとThが溶解し、シリカから液
中へ分離されることを見出した。しかも、この反応は、
珪酸の存在下で助長されることもわかった。
従って、特に放射性物質のU、 Thを除去するために
は過酸化水素を鉱酸に、予め添加しておくと効果的であ
る。
は過酸化水素を鉱酸に、予め添加しておくと効果的であ
る。
以上の反応で得られたゲル状物のシリカは、脱水濾過し
た後、40℃以上の温水で洗浄し、次の酸洗工程へ移す
。
た後、40℃以上の温水で洗浄し、次の酸洗工程へ移す
。
酸洗工程では、前の工程で得られたシリカの沈殿を、キ
レート剤と過酸化水素を含む40℃以上の酸溶剤中へ移
し、撹拌する。ここで云う酸とは、塩酸、硝酸、硫酸等
の無機酸を単独或いは混合したものであって、場合によ
って蟻酸等の有機酸を用いても問題はないが、実用上は
、反応容器の利質や、コスト面で硫酸、硝酸を用いるの
が好ましい。
レート剤と過酸化水素を含む40℃以上の酸溶剤中へ移
し、撹拌する。ここで云う酸とは、塩酸、硝酸、硫酸等
の無機酸を単独或いは混合したものであって、場合によ
って蟻酸等の有機酸を用いても問題はないが、実用上は
、反応容器の利質や、コスト面で硫酸、硝酸を用いるの
が好ましい。
酸溶液に、キレート剤と過酸化水素とを添加する理由は
、前工程における理由と同様である。
、前工程における理由と同様である。
使用する酸の温度は、40℃以上にすることが好ましい
。
。
酸濃度は、0.5規定以上が望ましく、撹拌時間はさほ
ど問題ではなく、特に30分以上の長時間の撹拌は必要
ない。
ど問題ではなく、特に30分以上の長時間の撹拌は必要
ない。
酸による撹拌洗浄の後、脱水濾過と40℃以上の温水の
洗浄を2回以上繰返し、高純度のゲル状物の含水シリカ
を得る。
洗浄を2回以上繰返し、高純度のゲル状物の含水シリカ
を得る。
(3)A水シリカの6 ・″′J工呈
前工程で得られた高純度の含水シリカを100℃〜40
0℃の温度で乾燥すると、平均粒子径が約1000〜2
000μmで、BET比表面積か800〜1o00nf
/grの非常に大きな比表面積を有する多孔質のシリカ
粒子となる。
0℃の温度で乾燥すると、平均粒子径が約1000〜2
000μmで、BET比表面積か800〜1o00nf
/grの非常に大きな比表面積を有する多孔質のシリカ
粒子となる。
この乾燥シリカを焼成する。すなわち、石英ガラス製の
流動焼成炉、ロータリーキルンや、石英ガラス製の匣鉢
を、用いるトンネル炉、或いはローラーハウスキルン等
の焼成炉によって、500〜1300℃の範囲で焼成す
ると、tooorrf/gr以下の任意の比表面積を有
する高純度のシリカ粒子を得ることができる。
流動焼成炉、ロータリーキルンや、石英ガラス製の匣鉢
を、用いるトンネル炉、或いはローラーハウスキルン等
の焼成炉によって、500〜1300℃の範囲で焼成す
ると、tooorrf/gr以下の任意の比表面積を有
する高純度のシリカ粒子を得ることができる。
焼成温度を高めていくことによって、シリカ粒子内の焼
粘が進行し、比表面積が小さくなっていくことを利用し
ているが、前工程によって製造されるシリカは、焼成温
度と比表面積の高い相関性及び再現性が極めて良好であ
るので、焼成温度をコントロールすることによって、容
易に比表面積を制御することができる。
粘が進行し、比表面積が小さくなっていくことを利用し
ているが、前工程によって製造されるシリカは、焼成温
度と比表面積の高い相関性及び再現性が極めて良好であ
るので、焼成温度をコントロールすることによって、容
易に比表面積を制御することができる。
(4)シリカ粒子のr−f・工。
前工程で得られた任意の比表面積をもつシリカ粒子は、
極めて高純度で1.その粒子の大きさは平均粒子径(d
50 )で約1000〜2000μmの範囲である。
極めて高純度で1.その粒子の大きさは平均粒子径(d
50 )で約1000〜2000μmの範囲である。
このシリカ粒子を粉砕する。粉砕手段としては、内面が
樹脂製、或いは石英ガラス製の容器の中へ詰め、その容
器の周囲から、洗浄した圧縮気体を約5kg/cnt以
上の圧力で2ケ所以」二、粉体層めがけて導入し、粒子
同志の衝突を引き起こして粉砕を行うことが好ましい。
樹脂製、或いは石英ガラス製の容器の中へ詰め、その容
器の周囲から、洗浄した圧縮気体を約5kg/cnt以
上の圧力で2ケ所以」二、粉体層めがけて導入し、粒子
同志の衝突を引き起こして粉砕を行うことが好ましい。
これによって不純物が全く混入することなしに粉砕を行
うことができる。
うことができる。
この粉砕方法は、原理的には、市販されている流体エネ
ルギー型粉砕機に近い粉砕手段なので、粉砕そのものに
は問題はないが、不純物が全く混入しないように、粉砕
機の材質と設計、及び、圧縮気体の清浄方法を工夫する
ことが望ましい。
ルギー型粉砕機に近い粉砕手段なので、粉砕そのものに
は問題はないが、不純物が全く混入しないように、粉砕
機の材質と設計、及び、圧縮気体の清浄方法を工夫する
ことが望ましい。
粉砕された微粉末状シリカは、上記粉砕容器の上部よ、
す、圧縮気体によって樹脂製の配管内を経て、目的の粒
子径を得るために分級装置へ送られる。分級装置として
は、市販の節分装置の他に、分級羽根を有する気流分級
機と同一機構のものを使用することができる。ただ、こ
の場合も、粉体と接する部分の材質は、すべて、樹脂或
いは石英ガラス、高純度耐摩耗セラミックスを使用しな
ければならない。この分級工程においてセラミックスを
使用しても良い場合は、粉体と接している時間が極めて
短い場合に限る。
す、圧縮気体によって樹脂製の配管内を経て、目的の粒
子径を得るために分級装置へ送られる。分級装置として
は、市販の節分装置の他に、分級羽根を有する気流分級
機と同一機構のものを使用することができる。ただ、こ
の場合も、粉体と接する部分の材質は、すべて、樹脂或
いは石英ガラス、高純度耐摩耗セラミックスを使用しな
ければならない。この分級工程においてセラミックスを
使用しても良い場合は、粉体と接している時間が極めて
短い場合に限る。
以上の4工程によって、任意の比表面積を有する極めて
高純度のシリカ微粉末を効率的に製造することができる
。
高純度のシリカ微粉末を効率的に製造することができる
。
本発明によって得られる高純度シリカ微粉末は、U及び
Thが共に0.1ppb以下、それ以外の不純物は5p
pm以下であり、且つ、そのシリカのBET表面積は1
000 n(/gr以下で平均粒子径(dso)が10
00 p m以下である。 次に、実施例をもって、具
体的に、本発明を説明する。
Thが共に0.1ppb以下、それ以外の不純物は5p
pm以下であり、且つ、そのシリカのBET表面積は1
000 n(/gr以下で平均粒子径(dso)が10
00 p m以下である。 次に、実施例をもって、具
体的に、本発明を説明する。
実施例1
市販の3号水ガラス(Sin、含有率29.5重量%、
Na、O含有率9.8%重量%)3330grにキレー
ト1.5grを添加した後、150℃で約3時間加熱し
、水分を蒸発させ、重量を3100grとした。この時
の810.含有率は32重量%で、粘度は約80ボイズ
であった。
Na、O含有率9.8%重量%)3330grにキレー
ト1.5grを添加した後、150℃で約3時間加熱し
、水分を蒸発させ、重量を3100grとした。この時
の810.含有率は32重量%で、粘度は約80ボイズ
であった。
この原液全体を、約1分間で、35重量%過酸化水素5
0gを含む硝酸水溶液(3,9規定)10Qに添加注入
した後、50℃で20分間撹拌し、シリカの沈殿を得た
。
0gを含む硝酸水溶液(3,9規定)10Qに添加注入
した後、50℃で20分間撹拌し、シリカの沈殿を得た
。
このシリカの沈殿を濾過した後、約10f!、の60℃
の温水で2回洗浄濾過した後、EDTAI 5grと3
5重量%過酸化水素30grを含む硝酸水溶液(6,2
規定)5Qに移し、70℃で1時間撹拌して酸洗し、し
かる後、濾過した。
の温水で2回洗浄濾過した後、EDTAI 5grと3
5重量%過酸化水素30grを含む硝酸水溶液(6,2
規定)5Qに移し、70℃で1時間撹拌して酸洗し、し
かる後、濾過した。
得られた含水シリカを約5αの60℃の純水で2回洗浄
濾過した後、200℃で乾燥し、1200℃2時間焼成
して高純度シリカ950grを得た。このシリカの平均
粒子径(d 5o )は、1500μmであった。
濾過した後、200℃で乾燥し、1200℃2時間焼成
して高純度シリカ950grを得た。このシリカの平均
粒子径(d 5o )は、1500μmであった。
次に、このシリカを直径15cm、高さ30cmのウレ
タン製の容器に入れ、直径2mmφのノズル2ケ所を対
向して容器の周囲に取付け、ここより、0.1μm以下
の粉塵を除去するフィルターを経て送られた6kg/c
nTの圧縮された窒素ガスを粉体層中に導入し、約15
分間粉砕を行ない上部孔より排出した。これを、ナイロ
ン製の振動節(74μm網目)で分級し、高純度のシリ
カ微粉末を得た。
タン製の容器に入れ、直径2mmφのノズル2ケ所を対
向して容器の周囲に取付け、ここより、0.1μm以下
の粉塵を除去するフィルターを経て送られた6kg/c
nTの圧縮された窒素ガスを粉体層中に導入し、約15
分間粉砕を行ない上部孔より排出した。これを、ナイロ
ン製の振動節(74μm網目)で分級し、高純度のシリ
カ微粉末を得た。
得られたシリカ中の不純物及び比表面積、平均粒子径(
d 5o )は第1表に示すとおりである。
d 5o )は第1表に示すとおりである。
−19=
又、使用した3号水ガラス中のSi帆に対する不純物量
も併せて示す。
も併せて示す。
実施例2
実施例1と同じように粘度調整した水ガラス原液を、3
5重量%過酸化水素50grを含む硫酸水溶液(3,7
規定)7αに、約1分間以内で、添加注入し、50℃で
20分間撹拌し、シリカの沈殿を得た。
5重量%過酸化水素50grを含む硫酸水溶液(3,7
規定)7αに、約1分間以内で、添加注入し、50℃で
20分間撹拌し、シリカの沈殿を得た。
このシリカの沈殿を濾過した後、約1iの60℃の純水
で2回洗浄濾過した後、EDTAl、5grと35重量
%過酸化水素30grを含む硫酸水溶液(5,8規定)
3Qに移しとり、70℃で1時間撹拌してから濾過した
。
で2回洗浄濾過した後、EDTAl、5grと35重量
%過酸化水素30grを含む硫酸水溶液(5,8規定)
3Qに移しとり、70℃で1時間撹拌してから濾過した
。
得られた含水シリカを約5Qの60℃の純水で2回洗浄
濾過した後、400℃で乾燥し、900℃2時間焼成し
て、高純度シリカ960grを得た。
濾過した後、400℃で乾燥し、900℃2時間焼成し
て、高純度シリカ960grを得た。
このシリカの平均粒子径(daO)は、1000μmで
あった。このシリカを7kg/crdの圧縮された空気
により、実施例1と同様の装置・条件によって粉砕を行
なった。これを直径8cmの高純度アルミナ製の分級ロ
ーターを有する気流分級機によって、分級機の回転数を
IoooOrpmにして分級を行ない、高純度のシリカ
微粉末を得た。得られたシリカ品質は第1表に示したと
おりである。
あった。このシリカを7kg/crdの圧縮された空気
により、実施例1と同様の装置・条件によって粉砕を行
なった。これを直径8cmの高純度アルミナ製の分級ロ
ーターを有する気流分級機によって、分級機の回転数を
IoooOrpmにして分級を行ない、高純度のシリカ
微粉末を得た。得られたシリカ品質は第1表に示したと
おりである。
比較例1
市販の3号水ガラスを粘度調整を実施しないで、実施例
1の後工程と同様の操作を行なった。その結果、得られ
たシリカの重量は、700grであった。
1の後工程と同様の操作を行なった。その結果、得られ
たシリカの重量は、700grであった。
得られたシリカ中の不純物、比表面積、平均粒子径は第
1表に示すとおりで、U、 Thをはじめとして他の不
純物も増加している。
1表に示すとおりで、U、 Thをはじめとして他の不
純物も増加している。
比較例2
市販の3号水ガラスを50℃で減圧脱水を行ない、Si
n、濃度を31%とし、粘度を+50ポイズに調整した
。
n、濃度を31%とし、粘度を+50ポイズに調整した
。
これを3mm径の孔のあるスクリーンを通じて、30℃
の硫酸水溶液(2,2規定)10Qに注入し、約1時間
撹拌し、シリカの沈殿を得た。
の硫酸水溶液(2,2規定)10Qに注入し、約1時間
撹拌し、シリカの沈殿を得た。
これを実施例2の酸洗、乾燥、焼成、粉砕分級演法と同
様の条件で実施し、800grのシリカを得た。得られ
たシリカの品質は第1表に示すとおりで、AQ、Ti等
の不純物が多い。
様の条件で実施し、800grのシリカを得た。得られ
たシリカの品質は第1表に示すとおりで、AQ、Ti等
の不純物が多い。
比較例3
実施例2の焼成されたシリカをウレタンライナーのボー
ルミル(内容積5ρ)で高純度のアルミナボール15m
mφ3kgを使用し、3時間かけて粉砕した。
ルミル(内容積5ρ)で高純度のアルミナボール15m
mφ3kgを使用し、3時間かけて粉砕した。
分級は実施例2と同じ方法をとった。得られたシリカの
品質は第1表に示すとおりで、Aαが非常に多く不純物
として混入し、U等もそれにともなって増加している。
品質は第1表に示すとおりで、Aαが非常に多く不純物
として混入し、U等もそれにともなって増加している。
比較例4
実施例2において、粉砕装置の材質を5US304とし
て他の条件を全く同じにしてシリカを製造した。
て他の条件を全く同じにしてシリカを製造した。
得られたシリカの品質は第1表に示すとおりで、ステン
レスから入る不純物Feが増加している。
レスから入る不純物Feが増加している。
(以下余白)
N
@腓 V V V V V
v −= 量 実施例3 実施例2の合成方法によって得られたシリカを400℃
で2時間乾燥し、その後で、溶融石英の匣鉢に入れ、5
00℃から1000℃の範囲で2時間焼成した場合のB
ET比較面積は、第2表の通りである。
@腓 V V V V V
v −= 量 実施例3 実施例2の合成方法によって得られたシリカを400℃
で2時間乾燥し、その後で、溶融石英の匣鉢に入れ、5
00℃から1000℃の範囲で2時間焼成した場合のB
ET比較面積は、第2表の通りである。
第 2 表
焼成温度(’C) BET比表面積(n(/
gr)1000 ’ 520110
0 3]0 1300 0.20(発明の効果) 以上のように、本発明の方法によれば、市販の安価なア
ルカリ珪酸水溶液から、極めて単純な工程で、しかも短
時間に、U、 Thが共にO,]ppb以下、それ以外
の不純物が5ppm以下であり、且つBFT比表面積が
1000r+(/gr以下、平均粒子径が1000μm
以下の範囲内で、任意の値に制御しながら高純度シリカ
を経済的に製造することが可能となる。
gr)1000 ’ 520110
0 3]0 1300 0.20(発明の効果) 以上のように、本発明の方法によれば、市販の安価なア
ルカリ珪酸水溶液から、極めて単純な工程で、しかも短
時間に、U、 Thが共にO,]ppb以下、それ以外
の不純物が5ppm以下であり、且つBFT比表面積が
1000r+(/gr以下、平均粒子径が1000μm
以下の範囲内で、任意の値に制御しながら高純度シリカ
を経済的に製造することが可能となる。
本発明によって得られたシリカは、極めて高純度で、物
理化学的特性を必要とする各種の用途、例えば光学材料
、電子材料、高機能触媒等への用途を拡大するとともに
、安価で純度の高い石英ガラス用原料としての利用も可
能であり、枯渇しつつある高品質の天然資源の安定多量
供給が可能となり、その効果は極めて大きい。
理化学的特性を必要とする各種の用途、例えば光学材料
、電子材料、高機能触媒等への用途を拡大するとともに
、安価で純度の高い石英ガラス用原料としての利用も可
能であり、枯渇しつつある高品質の天然資源の安定多量
供給が可能となり、その効果は極めて大きい。
Claims (1)
- 1)アルカリ珪酸水溶液にキレート剤を添加し、100
℃以上の温度に加熱しながら粘度を10〜1000ポイ
スに調整し、しかる後、過酸化水素を含有する鉱酸液中
に、前記アルカリ珪酸水溶液全体を、直ちに添加注入し
て撹拌し、アルカリ珪酸水溶液からシリカをゲル化せし
めると共に、アルカリ金属、金属元素不純物、及び放射
性不純物を鉱酸中に浸出せしめ、次いで、得られたゲル
状シリカを温水洗浄後、キレート剤と過酸化水素を含有
する酸溶液中で撹拌して酸洗し、得られる含水シリカを
脱水した後、更に、乾燥・焼成、及び、粉砕・分級する
ことを特徴とする高純度シリカ微粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13147689A JPH02311310A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 高純度シリカ微粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13147689A JPH02311310A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 高純度シリカ微粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02311310A true JPH02311310A (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=15058868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13147689A Pending JPH02311310A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 高純度シリカ微粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02311310A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005162504A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Tokuyama Corp | 二元細孔シリカ粒子 |
WO2010037694A2 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von solar-silicium aus siliciumdioxid |
US7922989B2 (en) | 2006-03-15 | 2011-04-12 | Amendola Steven C | Method for making silicon for solar cells and other applications |
DE102012218823A1 (de) | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliziumnitrid |
WO2015016359A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | 日揮触媒化成株式会社 | 解砕シリカ粒子の製造方法および該微粒子を含む樹脂組成物 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13147689A patent/JPH02311310A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005162504A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Tokuyama Corp | 二元細孔シリカ粒子 |
US7922989B2 (en) | 2006-03-15 | 2011-04-12 | Amendola Steven C | Method for making silicon for solar cells and other applications |
US8568683B2 (en) | 2006-03-15 | 2013-10-29 | Steven C. Amendola | Method for making silicon for solar cells and other applications |
WO2010037694A2 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von solar-silicium aus siliciumdioxid |
DE102012218823A1 (de) | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliziumnitrid |
WO2014060250A1 (de) | 2012-10-16 | 2014-04-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung von hochreinem siliziumnitrid |
WO2015016359A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | 日揮触媒化成株式会社 | 解砕シリカ粒子の製造方法および該微粒子を含む樹脂組成物 |
US10358353B2 (en) | 2013-08-01 | 2019-07-23 | Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. | Method for producing disintegrated silica particles |
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