TW202335962A - 氧化物微粒、含微粒的樹脂組成物、密封材、有機基板及氧化物微粒的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種氧化物微粒，可在降低製造成本的同時，使用固相反應以簡便的步驟獲得，可實現作為工業製品的良好的生產性及成品率。氧化物微粒包含具有Zr
2O(PO
4)
2的結晶結構的磷酸鋯，所述氧化物微粒中，更包含鉬（Mo）及鋅（Zn），且含有：鋯（Zr）：61.0質量%以上且91.0質量%以下、磷（P）：5.0質量%以上且18.0質量%以下、鉬（Mo）：0.05質量%以上且19.0質量%以下、及鋅（Zn）：0.02質量%以上且12.0質量%以下。
Description
本發明是有關於一種氧化物微粒及氧化物微粒的製造方法。
作為磷酸鋯系化合物等的氧化物微粒，例如磷酸鋯（Zr
2O(PO
4)
2）迄今為止發現了多種性質，是有效利用以低膨脹為首的特性而期待固體電解質或觸媒等各種應用的化合物。
以往，揭示了如下方法：例如將氧化鋯、磷酸二氫銨以化學計量比混合後，在1000℃下加熱12小時，在1400℃下加熱12小時，藉此獲得磷酸鋯的固體電解質，進而將所獲得的粉末試樣加壓成型後，在1400℃下加熱12小時，藉此獲得四價離子導電率測定用試樣（專利文獻1）。
另外，揭示了使用ZrO
2/P
2O
5莫耳比為1.8以上且小於2.0，鹼/鹼土氧化物為0.5重量%以下，平均粒徑為0.5 μm～20 μm的磷酸氧鋯原料粉末成形後進行燒結的方法。藉由該方法，設為可獲得包含ZrO
2/P
2O
5莫耳比為1.8以上且小於2.0、且作為主要結晶相的β-(ZrO)
2P
2O
7，自室溫至1400℃的熱膨脹係數及熱膨脹滯後分別為20×10
-7/℃以下及0.05%～0.30%的磷酸氧鋯燒結體（專利文獻2）。
進而揭示了如下方法：以ZrO
2、MoO
3及NH
4H
2PO
4為起始材料，將該起始材料、氧化鋁介質及乙醇混合，經過利用球磨機的粉碎步驟、乾燥步驟而獲得粉末，對所獲得的粉末進行煆燒，從而獲得Zr
2MoP
2O
12粉末（非專利文獻1）。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-306427號公報
[專利文獻2]日本專利特開昭63-307147號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]磯部俊裕（Toshihiro Isobe），穗月直人（Naoto Houtsuki），早川裕子（Yuko Hayakawa），吉田克己（Katsumi Yoshida），松下幸子（Sachiko Matsushita），中島明（Akira Nakajima），（材料與設計（Materials and Design）） 112（2016）11-16，「負熱膨脹Zr
2MoP
2O
12陶瓷的製備及性能（Preparation and properties of Zr
2MoP
2O
12ceramics with negative thermal expansion）」
[發明所欲解決之課題]
但是，本發明者確認到使用高溫固相反應以微粒形式獲取磷酸鋯存在多個課題。第一個課題是為了以微粒形式獲取而必須經過多個步驟。第二個課題是若以化學計量比的原料組成進行反應，則不生成微粒而形成塊狀的燒結體。若要利用所述般的以往的方法解決這兩個課題，則不得不依賴於在原料的混合步驟中使用乙醇等溶媒利用球磨機加入粉碎步驟、或者將生成物長時間粉碎而獲取微粒等製造成本非常高的方法。在所述現有技術中，並未具體揭示如何獲得磷酸鋯的微粒、以及作為最終生成物的磷酸鋯是怎樣的形態，不清楚是否具備作為工業製品的磷酸鋯的生產性。另外，雖然揭示了磷酸鋯的結晶結構為Zr
2O(PO
4)
2，但並未揭示磷酸鋯中所含的Zr、P以外的其他元素的含量。
本發明的目的在於提供一種可在降低製造成本的同時，使用固相反應以簡便的步驟獲得，可實現作為工業製品的良好的生產性及成品率的氧化物微粒及氧化物微粒的製造方法。
[解決課題之手段]
為了達成所述目的，本發明者反覆進行了深入研究，結果發現，除了適量添加成為Zr
2P
2O
9的化學計量比的原料以外，還適量添加氧化鉬及氧化鋅，藉此煆燒物的粉碎性非常良好或者不需要煆燒物的粉碎，能夠以簡便的步驟獲得具有Zr
2O(PO
4)
2的結晶結構且含有Mo、Zn的氧化物微粒，另外，煆燒物不易以塊的形式附著於煆燒爐的壁面等，而可容易地回收，因此實現作為工業製品的良好的生產性及成品率。
同樣發現，除了適量添加成為Zr
2MoP
2O
12的化學計量比的原料以外，還適量添加氧化鉬及氧化鋅，藉此能夠以簡便的步驟獲得具有Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2的結晶結構且含有Mo、Zn的氧化物微粒，從而實現作為工業製品的良好的生產性及成品率。
即，本發明提供以下的方式。
[1]一種氧化物微粒，包含具有Zr
2O(PO
4)
2的結晶結構的磷酸鋯，所述氧化物微粒中，
更包含鉬（Mo）及鋅（Zn），且
含有：鋯（Zr）：61.0質量%以上且91.0質量%以下、磷（P）：5.0質量%以上且18.0質量%以下、鉬（Mo）：0.05質量%以上且19.0質量%以下、及鋅（Zn）：0.02質量%以上且12.0質量%以下。
[2]如所述[1]所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鉬（Mo）的含有率為1.0質量%以上且19.0質量%以下。
[3]如所述[1]或[2]所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鋅（Zn）的含有率為0.1質量%以上且12.0質量%以下。
[4]一種氧化物微粒，包含具有Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2的結晶結構的磷酸鉬酸鋯，所述氧化物微粒中，
更包含鉬（Mo）及鋅（Zn），且
含有：鋯（Zr）：50.0質量%以上且74.0質量%以下、磷（P）：4.0質量%以上且10.0質量%以下、鉬（Mo）：15.0質量%以上且35.0質量%以下、及鋅（Zn）：0.02質量%以上且8.0質量%以下。
[5]如所述[4]所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鉬（Mo）的含有率為20.0質量%以上且31.0質量%以下。
[6]如所述[4]或[5]所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鋅（Zn）的含有率為2.0質量%以上且6.0質量%以下。
[7]如所述[1]至[6]中任一項所述的氧化物微粒，其中中值粒徑D
50為0.05 μm以上且75 μm以下。
[8]一種含微粒的樹脂組成物，含有：如所述[1]至[7]中任一項所述的氧化物微粒、以及樹脂。
[9]如所述[8]所述的含微粒的樹脂組成物，其中將所述含微粒的樹脂組成物整體的質量設為100質量%時的所述氧化物微粒的含有率為95.0質量%以下。
[10]一種密封材或有機基板，包含如所述[8]或[9]所述的含微粒的樹脂組成物。
[11]一種氧化物微粒的製造方法，對在基於Zr
2O(PO
4)
2的化學計量比混合的Zr源物質及P源物質的混合物中進一步加入了Mo源物質及Zn源物質而得的原料進行煆燒。
[12]如所述[11]所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Mo的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為6.0%以上且16.0%以下。
[13]如所述[11]或[12]所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Zn的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為4.0%以上且11.0%以下。
[14]一種氧化物微粒的製造方法，對在基於Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2的化學計量比混合的Zr源物質、P源物質及Mo源物質的混合物中進一步加入了Mo源物質及Zn源物質而得的原料進行煆燒。
[15]如所述[14]所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Mo的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為18.0%以上且20.0%以下。
[16]如所述[14]或[15]所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Zn的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為2.0%以上且6.0%以下。
[17]如所述[11]至[16]所述的氧化物微粒的製造方法，其中使所述原料以一段進行高溫固相反應。
[18]如所述[17]所述的氧化物微粒的製造方法，其中使所述原料在950℃以上進行高溫固相反應。
[發明的效果]
藉由本發明，可提供一種可在降低製造成本的同時，使用固相反應以簡便的步驟獲得，可實現作為工業製品的良好的生產性及成品率的氧化物微粒及氧化物微粒的製造方法。
＜氧化物微粒＞
一實施方式的氧化物微粒包含具有Zr
2O(PO
4)
2的結晶結構的磷酸鋯，所述氧化物微粒中，更包含鉬（Mo）及鋅（Zn），且含有：鋯（Zr）：61.0質量%以上且91.0質量%以下、磷（P）：5.0質量%以上且18.0質量%以下、鉬（Mo）：0.05質量%以上且19.0質量%以下、及鋅（Zn）：0.02質量%以上且12.0質量%以下。即，在一實施方式的氧化物微粒中，除了含有構成磷酸鋯的結晶結構的鋯（Zr）及磷（P）以外，還含有鉬（Mo）及鋅（Zn）。
另外，另一實施方式的氧化物微粒包含具有Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2的結晶結構的磷酸鉬酸鋯，所述氧化物微粒中，更包含鉬（Mo）及鋅（Zn），且含有：鋯（Zr）：50.0質量%以上且74.0質量%以下、磷（P）：4.0質量%以上且10.0質量%以下、鉬（Mo）：15.0質量%以上且35.0質量%以下、及鋅（Zn）：0.02質量%以上且8.0質量%以下。即，在一實施方式的氧化物微粒中，除了含有構成磷酸鉬酸鋯的結晶結構的鋯（Zr）、鉬（Mo）及磷（P）以外，更含有鉬（Mo）及鋅（Zn）。
所述氧化物微粒的元素組成可藉由螢光X射線分析來測定。
（包含磷酸鋯的氧化物微粒）
包含磷酸鋯的氧化物微粒具有Zr
2O(PO
4)
2的結晶結構作為主相。Zr
2O(PO
4)
2的結晶結構可藉由X射線繞射來鑑定。
相對於包含磷酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鋯（Zr）的含有率為61.0質量%以上且91.0質量%以下，較佳為66.0質量%以上且86.0質量%以下，更佳為70.0質量%以上且86.0質量%以下，進而佳為80.0質量%以上且86.0質量%以下。
另外，相對於包含磷酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的磷（P）的含有率為5.0質量%以上且18.0質量%以下，較佳為6.5質量%以上且13.0質量%以下，更佳為7.0質量%以上且13.0質量%以下，進而佳為7.2質量%以上且13.0質量%以下。
另外，如上所述，包含磷酸鋯的氧化物微粒更包含鉬（Mo）及鋅（Zn）。相對於包含磷酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鉬（Mo）的含有率為0.05質量%以上且19.0質量%以下，較佳為1.0質量%以上且19.0質量%以下，更佳為1.0質量%以上且14.0質量%以下，進而佳為1.0質量%以上且3.0質量%以下。
相對於包含磷酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鋅（Zn）的含有率為0.02質量%以上且12.0質量%以下，較佳為0.1質量%以上且12.0質量%以下，更佳為0.1質量%以上且9.3質量%以下，進而佳為0.1質量%以上且2.4質量%以下。
另外，包含磷酸鋯的氧化物微粒亦可包含成為原料的各化合物中所含的雜質、或者製造時不可避免地加入的雜質。作為成為原料的各化合物中所含的雜質，例如可列舉鉿（Hf）。相對於包含磷酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鉿（Hf）的含有率較佳為2.5質量%以下，更佳為2.0質量%以下，進而佳為1.5質量%以下。另外，作為製造時不可避免地加入的雜質，例如可列舉鐵（Fe）。
（包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒）
包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒具有Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2的結晶結構作為主相。
在此種情況下，相對於包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鋯（Zr）的含有率為50.0質量%以上且74.0質量%以下，較佳為55.0質量%以上且69.5質量%以下，更佳為58.0質量%以上且69.5質量%以下，進而佳為61.0質量%以上且69.5質量%以下。
另外，相對於包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的磷（P）的含有率為4.0質量%以上且10.0質量%以下，較佳為5.0質量%以上且9.0質量%以下，更佳為7.0質量%以上且9.0質量%以下。
另外，如上所述，包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒更包含鉬（Mo）及鋅（Zn）。相對於包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鉬（Mo）的含有率為15.0質量%以上且35.0質量%以下，較佳為20.0質量%以上且31.0質量%以下，進而佳為21.0質量%以上且31.0質量%以下。
另外，相對於包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鋅（Zn）的含有率為0.02質量%以上且8.0質量%以下，較佳為2.0質量%以上且6.0質量%以下，更佳為3.9質量%以上且6.0質量%以下。
另外，包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒亦可包含成為原料的各化合物中所含的雜質、或者在製造時等不可避免地加入的雜質。作為成為原料的各化合物中所含的雜質，例如可列舉鉿（Hf）。相對於包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒整體的質量而言的鉿（Hf）的含有率較佳為2.5質量%以下，更佳為2.0質量%以下，進而佳為1.5質量%以下。另外，作為製造時不可避免地加入的雜質，例如可列舉鐵（Fe）。
氧化物微粒的中值粒徑D
50可為0.05 μm以上且75 μm以下，亦可為0.1 μm以上且50 μm以下，亦可為15 μm以上且45 μm以下。氧化物微粒由一次粒子構成，或者由一次粒子及二次粒子構成。在氧化物微粒由一次粒子構成的情況下，中值粒徑D
50是指構成氧化物微粒的一次粒子的中值粒徑D
50，在氧化物微粒由一次粒子及二次粒子構成的情況下，中值粒徑D
50是指構成氧化物微粒的一次粒子及二次粒子的中值粒徑D
50。
氧化物微粒的藉由雷射繞射-散射法算出的中值粒徑D
50可作為如下的粒徑，即在使用雷射繞射式粒度分佈計並藉由乾式或濕式等公知的方法測定而得的粒徑分佈中體積累積%的比例為50%的粒徑而求出。
所述實施方式的氧化物微粒可包含後述的製造方法中使用的來源於鉬化合物的鉬及來源於鋅化合物的鋅。藉此，所述實施方式的氧化物微粒可具有不易生成塊狀的燒結體、能夠容易地粉碎、容易獲取一次粒子的優異特性。
＜氧化物微粒的製造方法＞
一實施方式的氧化物微粒的製造方法中，對在基於Zr
2O(PO
4)
2的化學計量比混合的Zr源物質及P源物質的混合物中進一步加入了Mo源物質及Zn源物質而得的原料進行煆燒（煆燒步驟）。
藉由在基於磷酸鋯的化學計量比混合的混合物中添加鉬（Mo）及鋅（Zn），鉬化合物作為助熔劑發揮功能，同時在反應中蒸發並且揮發，抑制在該過程中煆燒物成為塊狀，其結果能夠容易地粉碎，可容易地獲取氧化物微粒。另外，氧化鋅的作用尚不明確，但認為若在所述混合物中僅含有鉬（Mo），則煆燒物成為塊狀，因此藉由氧化鋅，可促進由氧化鉬引起的塊生成的抑制效果。
另外，另一實施方式的氧化物微粒的製造方法中，對在基於Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2的化學計量比混合的Zr源物質、P源物質及Mo源物質的混合物中進一步加入了Mo源物質及Zn源物質而得的原料進行煆燒（煆燒步驟）。
在此種情況下，藉由在基於磷酸鉬酸鋯的化學計量比混合的混合物中進一步添加鉬（Mo）及鋅（Zn），過剩的鉬化合物作為助熔劑發揮功能，同時在反應中蒸發並且揮發，抑制在該過程中煆燒物成為塊狀，其結果能夠容易地粉碎，可容易地獲取氧化物微粒。另外，氧化鋅的作用尚不明確，但認為若在所述混合物中僅含有鉬（Mo），則煆燒物成為塊狀，因此藉由氧化鋅，可促進由氧化鉬引起的塊生成的抑制效果。
在生成所述混合物時，只要能夠將原料混合，則可使用任何裝置，例如使用容器旋轉型、攪拌型等的混合機。作為容器旋轉型混合機，可列舉滾筒混合器、V型混合機等。作為攪拌型混合機，可列舉亨舍爾混合器等。
所述煆燒步驟可使用例如間歇式煆燒爐、氣氛爐、連續式煆燒爐（輥道窯、旋轉窯）進行。
作為所述煆燒步驟中使用的反應容器，能夠使用填料合成中使用的公知的容器。反應容器的形狀並無特別限制，例如可為坩堝等圓形，亦可為匣缽等方形。作為反應容器的材質，可列舉：氧化鋁、氧化鋯、莫來石、氧化鎂、氧化鎂尖晶石等。再者，亦可在所述反應容器上設置包含與容器相同的材質的蓋。藉由在所述反應容器上加蓋，可避免異物混入投入至反應容器中的原料混合物中，或者可將反應容器內的源自原料揮發物的氣氛濃度保持恆定。
作為原料的Zr源物質，可使用公知的物質，例如可列舉：氧化鋯、氫氧化鋯、氯化鋯、硫酸鋯等，該些中較佳為氧化鋯。
作為原料的P源物質，可使用公知的物質，例如可列舉：磷酸、氧化磷、焦磷酸、磷酸氫二鉀、磷酸二氫鉀、磷酸氫二鈉、磷酸二氫鈉、三聚磷酸鈉、磷酸二氫銨、磷酸氫二銨、六偏磷酸鈉等，該些中較佳為磷酸二氫銨、磷酸氫二銨。
作為原料的Mo源物質，例如可列舉：氧化鉬、鉬酸鈉、鉬酸鉀、鉬酸鋰、H
3PMo
12O
40、H
3SiMo
12O
40、NH
4Mo
7O
12、二硫化鉬等，該些中較佳為氧化鉬。
作為原料的Zn源物質，可使用公知的物質，例如可列舉各種金屬鋅、氯化鋅、氧化鋅、硫化鋅，該些中較佳為氧化鋅。
在製作包含磷酸鋯的氧化物微粒的情況下，所述原料中的Mo的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比（百分率）較佳為6.0%以上且16.0%以下，更佳為6.0%以上且7.0%以下。
另外，所述原料中的Zn的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比較佳為4.0%以上且11.0%以下，更佳為4.0%以上且10.5%以下。
在製作包含磷酸鉬酸鋯的氧化物微粒的情況下，所述原料中的Mo的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比較佳為18.0%以上且20.0%以下。
另外，所述原料中的Zn的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比較佳為2.0%以上且6.0%以下。
藉由在原料中分別以所述範圍含有Mo源物質及Zn源物質，不會對構成所述實施方式的氧化物微粒的Zr
2O(PO
4)
2或Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2的結晶結構造成影響，而可獲得結晶性高的氧化物微粒。
在所述煆燒步驟中，較佳為使所述原料以一段進行高溫固相反應。即，將煆燒時的保持溫度設為一個規定溫度。藉此，能夠以簡便的溫度控制容易地獲得煆燒物。另外，亦可使所述原料以兩段進行高溫固相反應。藉此，能夠以簡便的溫度控制容易地獲得煆燒物，並且藉由階段性地列舉煆燒時的保持溫度，氧化物微粒的粒徑容易一致，另外，能夠實現小粒徑化。另外，亦可使所述原料以多段進行高溫固相反應。
在所述情況下，使所述原料進行高溫固相反應的溫度並無特別限制，在使用三氧化鉬作為原料的鉬化合物的情況下，為了在三氧化鉬揮發的同時容易形成設計的結晶結構，較佳為950℃以上。另外，就提高煆燒爐或反應容器的耐久性的觀點而言，使所述原料進行高溫固相反應的溫度較佳為1500℃以下。進而，就形成所述結晶結構的容易性及提高耐久性的觀點而言，使所述原料進行高溫固相反應的溫度更佳為950℃以上且1100℃以下。
另外，使所述原料進行高溫固相反應時的反應時間（保持時間）並無特別限制，但就即使大量合成亦充分完成反應的觀點而言，較佳為3小時以上且10小時以下，更佳為5小時以上且7小時以下。
另外，使所述原料進行高溫固相反應時的升溫溫度並無特別限制，較佳為5℃/分鐘～15℃/分鐘。
另外，使所述原料進行高溫固相反應時的降溫溫度並無特別限制，較佳為5℃/分鐘～15℃/分鐘。
再者，在所述煆燒步驟之後，可將所獲得的煆燒物進行粉碎（粉碎步驟）。作為粉碎步驟，例如可列舉粗粉碎或微粉碎。粗粉碎是指將厘米單位的塊狀煆燒物小粒徑化至1毫米左右，微粉碎是指將煆燒物粉碎至亞微米至數μm左右。藉此，可使氧化物微粒的粒徑更加一致。
所述粉碎步驟可使用公知的粗粉碎設備或微粉碎設備進行。作為粗粉碎設備，例如可列舉：顎碎機（jaw crusher）、輥碎機（roll crusher）、鎚碎機（hammer crusher）等。作為微粉碎設備，例如可列舉：鋼針研磨機（pin mill）、霧化器、行星式研磨機、噴射磨機、球磨機等。
另外，亦可在所述粗粉碎步驟之後，對所獲得的氧化物微粒進行清洗（清洗步驟）。清洗步驟是水清洗、酸清洗或鹼清洗。作為酸清洗，可使用硫酸、硝酸、鹽酸等的酸溶液，作為鹼清洗，可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等的鹼溶液。在清洗步驟中，除去存在於粉碎後的氧化物微粒的表面或內部的溶解性元素。能夠選擇溶液的液性、種類或濃度，調整以何種程度除去哪個元素。清洗步驟可進行多次，亦可利用不同種類的清洗液進行多次。另外，亦可將清洗後的氧化物微粒乾燥（乾燥步驟）。
另外，為了調整所獲得的氧化物微粒的粒子尺寸的範圍，可適當地進行分級處理（分級步驟）。「分級處理」是指根據粒子的大小對粒子進行分組的操作。分級步驟可使用例如振動式篩、慣性力場分級機、離心力場分級機等分級機進行，另外，可以濕式或乾式進行。分級步驟可在粉碎步驟之後進行，亦可在清洗步驟之後進行。
另外，在所獲得的氧化物微粒為不定形等與球形不同的情況下，亦可根據需要對氧化物微粒進行球形化處理（球形化步驟）。球形化步驟可使用燃燒火焰處理、多相電弧電漿處理、射頻（radio frequency，RF）電漿處理等公知的方法進行。球形化步驟可在煆燒步驟之後進行，亦可在粉碎步驟之後、清洗步驟之後或分級步驟之後進行。
此外，為了控制表面極性等，可進行在氧化物微粒的表面上形成有機化學層的步驟（有機化學層形成步驟）。作為在氧化物微粒的表面形成有機化合物層的方法，並無特別限制，可適宜採用公知的方法。例如，可列舉使包含有機化合物的溶液或分散液與本發明的微粒接觸並進行乾燥的方法等。有機化學層形成步驟可在煆燒步驟之後進行，亦可在粉碎步驟之後、清洗步驟之後、分級步驟之後或球形化步驟之後進行。
作為在有機化學層形成步驟中使用的有機化合物，例如可列舉有機矽烷化合物。
作為所述有機矽烷化合物，例如可列舉：甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷等烷基的碳數為1～22的烷基三甲氧基矽烷或烷基三氯矽烷類；3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、(十三氟-1,1,2,2-四氫辛基)三氯矽烷類；苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、對氯甲基苯基三甲氧基矽烷、對氯甲基苯基三乙氧基矽烷類等；γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等環氧基矽烷；γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷等胺基矽烷；3-巰基丙基三甲氧基矽烷等巰基矽烷；p-苯乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等乙烯基矽烷；以及環氧基系、胺基系、乙烯基系的高分子類型的矽烷。再者，所述有機矽烷化合物可單獨含有，亦可含有兩種以上。
＜含微粒的樹脂組成物＞
一實施方式的含微粒的樹脂組成物含有所述氧化物微粒、以及樹脂組成物。作為含微粒的樹脂組成物，並無特別限制，例如可列舉：基板用樹脂組成物、密封用樹脂組成物、接著用樹脂組成物等。基板用樹脂組成物例如是敷銅層板（Copper Clad Laminae，CCL）用樹脂組成物，密封用樹脂組成物例如是半導體密封樹脂組成物，接著用樹脂組成物例如是導電性接著用樹脂組成物。
在含微粒的樹脂組成物為基板用樹脂組成物的情況下，作為所述樹脂組成物，能夠使用例如酚樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯胺醯亞胺樹脂等，亦可組合使用它們中的多種。作為基板用樹脂組成物的成形品，例如可列舉構成積體電路（integrated circuit，IC）封裝基板等的有機基板。
在含微粒的樹脂組成物為密封用樹脂組成物的情況下，作為所述樹脂組成物，能夠使用例如丙烯酸酯（丙烯酸樹脂）、乙基纖維素、聚乙二醇衍生物、硝基纖維素、聚甲基苯乙烯、聚碳酸伸乙酯、甲基丙烯酸酯、環氧樹脂、苯並噁嗪樹脂、氰酸酯樹脂等，亦可組合使用它們中的多種。
在含微粒的樹脂組成物為接著用樹脂組成物的情況下，作為所述樹脂組成物，能夠使用例如環氧樹脂、苯並噁嗪樹脂、氰酸酯樹脂等，亦可組合使用它們中的多種。
在本說明書中，基板並不限於板狀的基板，亦作為包括膜或片等的總稱來表現。基板的厚度根據其用途而不同，可為任意的厚度。另外，基材可由單層構成，亦可由多層構成。
此處，以往已知有例如在CCL的銅層上經由焊料積層IC晶片而成的IC封裝基板。在該結構中，由於CCL的基材及銅層、焊料、IC晶片各自的熱膨脹率不同，因此由於溫度變化，會對介於IC晶片與銅層之間的焊料施加應力。另外，在所述IC封裝基板中，在IC晶片的外緣部配置焊料，進而焊料的外緣部被密封材密封。密封材因溫度變化而反覆膨脹、收縮，其結果，會對介於IC晶片與密封材之間的焊料施加應力。由於所述般的應力，焊料容易產生裂紋。
因此，藉由將本實施方式的含微粒的樹脂組成物用作IC封裝基板等基板用樹脂組成物或密封用樹脂組成物，可減小施加於焊料的應力而抑制裂紋的產生，提高元件的可靠性。
將所述含微粒的樹脂組成物整體的質量設為100質量%時的所述氧化物微粒的含有率較佳為95.0質量%以下，更佳為90.0質量%以下。所述氧化物微粒的含有率為95.0質量%以下時，可維持樹脂自身本來具有的特性，同時可抑制焊料中的裂紋的產生。
含微粒的樹脂組成物在不脫離其功能主旨的範圍內，除了包含作為必需成分的氧化物微粒及樹脂組成物以外，還可包含其他成分作為任意成分。作為其他成分，具體而言可列舉：矽烷偶合劑、流動調節劑、防沈降劑、填料等。作為所述填料，可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、玻璃纖維等，作為CCL用，較佳為玻璃纖維。
＜含微粒的樹脂組成物的製造方法＞
本實施方式的含微粒的樹脂組成物的製造方法中，藉由準備由所述氧化物微粒的製造方法獲得的氧化物微粒，將該氧化物微粒與樹脂組成物混合而獲得（混合步驟）。
在所述實施方式的氧化物微粒的製造方法中，可獲得粒徑一致的氧化物微粒，另外，塊狀的煆燒物極少，因此氧化物微粒在樹脂組成物中的分散性提高，而獲得氧化物微粒在樹脂組成物中均勻分散的含微粒的樹脂組成物。其結果，可實現作為工業製品的良好的生產性及成品率。
在生成所述混合物時，只要是公知慣用的混合器即可，例如可使用行星式混合器或珠磨機等混合機。
在含微粒的樹脂組成物為基板用樹脂組成物的情況下，對於作為原料的樹脂組成物，能夠使用例如酚樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯胺醯亞胺樹脂等，亦可組合使用它們中的多種。
在含微粒的樹脂組成物為密封用樹脂組成物的情況下，對於作為原料的樹脂組成物，能夠使用例如丙烯酸酯（丙烯酸樹脂）、乙基纖維素、聚乙二醇衍生物、硝基纖維素、聚甲基苯乙烯、聚碳酸伸乙酯、甲基丙烯酸酯、環氧樹脂、苯並噁嗪樹脂、氰酸酯樹脂等，亦可組合使用它們中的多種。
在含微粒的樹脂組成物為接著用樹脂組成物的情況下，對於作為原料的樹脂組成物，能夠使用例如環氧樹脂、苯並噁嗪樹脂、氰酸酯樹脂等，亦可組合使用它們中的多種。
在所述混合步驟中，氧化物微粒較佳為以將含微粒的樹脂組成物整體的質量設為100質量%時的氧化物微粒的含有率成為95.0質量%以下的方式調配，更佳為以成為90.0質量%以下的方式調配。
在所述混合步驟中，除了混合氧化物微粒及樹脂組成物以外，亦可混合其他成分作為任意成分。
作為其他成分，可列舉：矽烷偶合劑、流動調節劑、防沈降劑、填料等。作為所述填料，可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、玻璃纖維等，作為CCL用，較佳為玻璃纖維。
可列舉等。
[實施例]
以下，對本發明的實施例進行說明。本發明並不限定於以下所示的實施例。
（實施例1）
計量氧化鋯（關東化學公司製造）12.5 g、磷酸二氫銨（關東化學公司製造）11.6 g、氧化鋅（關東化學公司製造）0.8 g、三氧化鉬（日本無機化學工業公司製造）5.1 g，使用絕對式研磨機（大阪化學公司製造，ABS-W），將轉速刻度調整為3.5，將原料混合15分鐘。將混合的原料取出，放入煆燒容器（匣缽）中，使用電馬弗爐（愛多邦得科東洋（Advantec Toyo）公司製造，FUW252PB），使反應溫度到達時間為3小時20分鐘，反應溫度為1050℃，保持時間為10小時，進行原料的煆燒。將煆燒後的氧化物微粒自匣缽中取出，將回收的生成物利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎，獲取目標最終生成物。
（實施例2）
計量氧化鋯36.5 g、磷酸二氫銨34.1 g、氧化鋅2.4 g、三氧化鉬17.0 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用球磨機進行微粉碎。
將進行了微粉碎的生成物50 g浸漬於1M硫酸水溶液1000 g中，施加10分鐘超音波振動進行酸清洗。合計進行3次所述酸清洗，然後一邊利用離子交換水通水一邊除去溶出離子與硫酸成分，將所獲得的濕濾餅在150℃下利用熱風乾燥器進行2小時的水分除去，藉此獲取目標最終生成物。
（實施例3）
計量氧化鋯919.6 g、磷酸二氫銨858.5 g、氧化鋅60.7 g、三氧化鉬161.1 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用球磨機進行粉碎。
然後，浸漬於5倍重量的1M氫氧化鈉水溶液中，施加10分鐘超音波振動進行鹼清洗。合計進行2次所述鹼清洗，然後一邊利用離子交換水通水一邊除去離子成分，將所獲得的濕濾餅在150℃下利用熱風乾燥器進行2小時的水分除去，藉此獲取目標最終生成物。
（實施例4）
計量氧化鋯13.6 g、磷酸二氫銨12.7 g、氧化鋅1.3 g、三氧化鉬2.4 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎，獲取目標最終生成物。
（實施例5）
計量氧化鋯13.6 g、磷酸二氫銨12.7 g、氧化鋅1.3 g、三氧化鉬2.4 g，除此以外，與實施例1同樣地製作不同組成的原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎。
然後，浸漬於5倍重量的1 Mol%氫氧化鈉水溶液中，施加10分鐘超音波振動進行鹼清洗。合計進行2次所述鹼清洗，然後一邊利用離子交換水通水一邊除去離子成分，將所獲得的濕濾餅在150℃下利用熱風乾燥器進行2小時的水分除去，藉此獲取目標最終生成物。
（實施例6）
計量氧化鋯13.4 g、磷酸二氫銨12.5 g、氧化鋅1.8 g、三氧化鉬2.3 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎，獲取目標最終生成物。
（實施例7）
計量氧化鋯13.4 g、磷酸二氫銨12.5 g、氧化鋅1.8 g、三氧化鉬2.3 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎。
然後，浸漬於5倍重量的1M氫氧化鈉水溶液中，施加10分鐘超音波振動進行鹼清洗。合計進行2次所述鹼清洗，然後一邊利用離子交換水通水一邊除去離子成分，將所獲得的濕濾餅在150℃下利用熱風乾燥器進行2小時的水分除去，藉此獲取目標最終生成物。
（實施例8）
計量氧化鋯13.2 g、磷酸二氫銨12.3 g、氧化鋅2.2 g、三氧化鉬2.3 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎，獲取目標最終生成物。
（實施例9）
計量氧化鋯13.2 g、磷酸二氫銨12.3 g、氧化鋅2.2 g、三氧化鉬2.3 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎。
然後，浸漬於5倍重量的1M氫氧化鈉水溶液中，施加10分鐘超音波振動進行鹼清洗。合計進行2次所述鹼清洗，然後一邊利用離子交換水通水一邊除去離子成分，將所獲得的濕濾餅在150℃下利用熱風乾燥器進行2小時的水分除去，藉此獲取目標最終生成物。
（實施例10）
計量氧化鋯80.3 g、磷酸二氫銨74.9 g、氧化鋅2.7 g、三氧化鉬42.2 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎，獲取目標最終生成物。
（實施例11）
計量氧化鋯11.6 g、磷酸二氫銨10.8 g、氧化鋅0.8 g、三氧化鉬6.8 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎，獲取目標最終生成物。
（實施例12）
計量氧化鋯11.6 g、磷酸二氫銨10.8 g、氧化鋅0.8 g、三氧化鉬6.8 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎。
然後，浸漬於5倍重量的1M氫氧化鈉水溶液中，施加10分鐘超音波振動進行鹼清洗。合計進行2次所述鹼清洗，然後一邊利用離子交換水通水一邊除去離子成分，將所獲得的濕濾餅在150℃下利用熱風乾燥器進行2小時的水分除去，藉此獲取目標最終生成物。
（實施例13）
計量氧化鋯11.5 g、磷酸二氫銨10.7 g、氧化鋅1.1 g、三氧化鉬6.7 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎，獲取目標最終生成物。
（實施例14）
計量氧化鋯11.5 g、磷酸二氫銨10.7 g、氧化鋅1.1 g、三氧化鉬6.7 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。由於生成物的回收能夠與實施例1同樣地進行，因此利用瑪瑙製乳缽進行微粉碎。
然後，浸漬於5倍重量的1M氫氧化鈉水溶液中，施加10分鐘超音波振動進行鹼清洗。合計進行2次所述鹼清洗，然後一邊利用離子交換水通水一邊除去離子成分，將所獲得的濕濾餅在150℃下利用熱風乾燥器進行2小時的水分除去，藉此獲取目標最終生成物。
（比較例1）
計量氧化鋯15.3 g、磷酸二氫銨14.2 g、氧化鋅0.5 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。本比較例的生成物雖然附著於匣缽，回收性不良，但利用鑿子將生成物粉碎後取出。獲得的生成物與實施例2同樣地利用球磨機進行粉碎。
（比較例2）
計量氧化鋯14.2 g、磷酸二氫銨13.3 g、三氧化鉬2.5 g，除此以外，與實施例1同樣地製作原料混合物，進行煆燒。本比較例的生成物雖然附著於匣缽，回收性不良，但利用鑿子將生成物粉碎後取出。獲得的生成物與實施例2同樣地利用球磨機進行粉碎。
對於所述的實施例1～實施例14及比較例1～比較例2，藉由以下的方法進行測定、評價。
[生成物的回收性]
判斷所製作的生成物自匣缽中的回收性。將生成物不附著於匣缽而可全部回收的情況、或者生成物稍微附著於匣缽但幾乎可全部回收的情況設為「良好」。將雖然生成物的一部分附著於匣缽但可容易地取出的情況設為「大致良好」。另一方面，將生成物幾乎全部成為塊狀而附著於匣缽，無法自匣缽中回收生成物的情況設為「不良」。
[氧化物微粒的中值粒徑D
50]
將生成物0.05 g混合至0.2%六偏磷酸水溶液50 g中，使用超音波均化器分散5分鐘，使用雷射散射繞射法粒度測定機（麥奇克拜耳（Microtrac BEL）公司製造，MT3300EXII）進行粒度分佈的測定，算出50%體積平均直徑D
50。
[氧化物微粒的結晶結構]
將所製作的試樣載置於0.5 mm深度的測定試樣用固定器，以一定負荷填充至平坦，將其設置於廣角X射線繞射裝置（理學（Rigaku）股份有限公司製造，Rint-Ultma），在Cu/Kα射線、40 kV/30 mA、掃描速度2度/分鐘、掃描範圍10度～70度的條件下，進行主相結晶結構的鑑定。
[氧化物微粒的組成]
使用波長分散型螢光X射線分析裝置（理學（Rigaku）公司製造，超迷你（Supermini）200），將所製作的試樣約2 g放入容器中，藉由使用基本參數（fundamental parameters，FP）法的SQX（Scan Quant X）分析，進行元素分析。再者，Hf及其他成分是在原料中或製造時等不可避免地包含的雜質。
將測定、評價的結果示於表1～表2。
[表1]
| 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 實施例4 | 實施例5 | 實施例6 | 實施例7 | 實施例8 | 實施例9 | ||
| 原料組成 （質量份） | 氧化鋯 | 12.5 | 36.5 | 919.6 | 13.6 | 13.6 | 13.4 | 13.4 | 13.2 | 13.2 |
| 磷酸二氫銨 | 11.6 | 34.1 | 858.5 | 12.7 | 12.7 | 12.5 | 12.5 | 12.3 | 12.3 | |
| 氧化鋅 | 0.8 | 2.4 | 60.7 | 1.3 | 1.3 | 1.8 | 1.8 | 2.2 | 2.2 | |
| 三氧化鉬 | 5.1 | 17.0 | 161.1 | 2.4 | 2.4 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | |
| 原料組成 （莫耳數） | Zr | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
| P | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | |
| Zn | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.3 | 0.3 | 0.4 | 0.4 | 0.5 | 0.5 | |
| Mo | 0.7 | 0.8 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| 生成物的回收性 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 | |
| 中值粒徑 （D 50） | 35.1 | 15.8 | 27.8 | 33.3 | 33.8 | 42.5 | 42.3 | 43.2 | 44.1 | |
| 基於X射線繞射的主相結晶結構 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | Zr 2O(PO 4) 2 | |
| 元素分析 （質量%） | Zn | 3.8 | 0.2 | 0.8 | 7.2 | 2.4 | 9.8 | 6.3 | 11.7 | 9.3 |
| P | 7.3 | 12.3 | 10.1 | 7.5 | 9.7 | 6.9 | 8.3 | 7.1 | 7.2 | |
| Zr | 68.1 | 84.1 | 85.6 | 70.5 | 84.5 | 69.4 | 82.5 | 66.4 | 80.4 | |
| Mo | 18.9 | 1.0 | 1.2 | 13.1 | 1.2 | 12.0 | 1.1 | 13.1 | 1.2 | |
| Hf | 1.4 | 1.9 | 2.0 | 1.5 | 1.8 | 1.5 | 1.8 | 1.3 | 1.6 | |
| 其他成分 | 0.5 | 0.5 | 0.2 | 0.2 | 0.3 | 0.3 | 0.1 | 0.4 | 0.3 | |
| 合計 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 |
[表2]
| 實施例10 | 實施例11 | 實施例12 | 實施例13 | 實施例14 | 比較例1 | 比較例2 | ||
| 原料組成 （質量份） | 氧化鋯 | 80.3 | 11.6 | 11.6 | 11.5 | 11.5 | 15.3 | 14.2 |
| 磷酸二氫銨 | 74.9 | 10.8 | 10.8 | 10.7 | 10.7 | 14.2 | 13.3 | |
| 氧化鋅 | 2.7 | 0.8 | 0.8 | 1.1 | 1.1 | 0.5 | 0 | |
| 三氧化鉬 | 42.2 | 6.8 | 6.8 | 6.7 | 6.7 | 0 | 2.5 | |
| 原料組成 （莫耳數） | Zr | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
| P | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | |
| Zn | 0.1 | 0.2 | 0.2 | 0.3 | 0.3 | 0.1 | ||
| Mo | 0.9 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 0.3 | ||
| 生成物的回收性 | 良好 | 大致良好 | 大致良好 | 大致良好 | 大致良好 | 不良 | 不良 | |
| 中值粒徑 （D 50） | 17.4 | 36.5 | 37.9 | 35.4 | 35.9 | 81.1 | 87.2 | |
| 基於X射線繞射的主相結晶結構 | Zr 2(MoO 4) (PO 4) 2 | Zr 2(MoO 4) (PO 4) 2 | Zr 2(MoO 4) (PO 4) 2 | Zr 2(MoO 4) (PO 4) 2 | Zr 2(MoO 4) (PO 4) 2 | Zr 2(PO 4) 2 | Zr 2(MoO 4) (PO 4) 2 | |
| 元素分析 （質量%） | Zn | 2.3 | 3.9 | 2.3 | 5.6 | 4.0 | 3.1 | - |
| P | 8.7 | 7.1 | 5.5 | 7.0 | 5.2 | 15.6 | 13.0 | |
| Zr | 61.2 | 58.1 | 68.6 | 55.5 | 69.0 | 79.4 | 73.8 | |
| Mo | 26.3 | 29.6 | 21.8 | 30.5 | 20.1 | - | 11.5 | |
| Hf | 1.3 | 1.1 | 1.4 | 1.1 | 1.5 | 1.7 | 1.6 | |
| 其他成分 | 0.3 | 0.2 | 0.3 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | |
| 合計 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 | 100.0 |
如表1～表2所示，在實施例1～實施例10中，在將煆燒後的生成物自匣缽中取出時，雖然發現少量的對匣缽的附著，但可回收生成物的大部分，回收性良好。另外，在實施例11～實施例14中，在將煆燒後的生成物自匣缽中取出時，雖然生成物的一部分成為塊狀，但可容易地回收生成物的大部分，回收性大致良好。
另一方面，在比較例1中，煆燒後的生成物的大部分都成為塊狀，因此難以自匣缽中回收。在比較例2中，與比較例1同樣，煆燒後的生成物的大部分都成為塊狀，因此亦難以自匣缽中回收。
另外，可知在實施例1～實施例14中，氧化物微粒的中值粒徑D
50為15.8 μm～44.1 μm，不需要粉碎或進行粗粉碎，藉此可容易地獲得粒徑小的氧化物微粒。
另一方面，在比較例1、比較例2中，氧化物微粒的中值粒徑D
50分別為81.1 μm、87.2 μm，是較實施例1～實施例14的任一個都大的值。
另外，對於實施例1～實施例9中獲得的氧化物微粒，藉由X射線繞射分析確認了結晶結構，結果確認鑑定為磷酸鋯（Zr
2O(PO
4)
2）。作為一例，將實施例3中獲得的氧化物微粒的光譜示於圖1。另外，藉由X射線繞射分析對實施例10～實施例14中獲得的氧化物微粒確認了結晶結構，結果確認鑑定為磷酸鉬酸鋯（Zr
2(MoO
4)(PO
4)
2）。作為一例，將實施例11中獲得的氧化物微粒的光譜示於圖2。
另外，對於實施例1～實施例14中獲得的氧化物微粒，藉由螢光X射線分析進行組成分析，結果可知實施例1～實施例9中獲得的氧化物微粒是含有1.0質量%以上且19質量%以下的Mo、0.1質量%以上且12.0質量%以下的Zn的磷酸鋯。另外可知，實施例10～實施例14中獲得的氧化物微粒是含有20.0質量%以上且31.0質量%以下的Mo、2.0質量%以上且6.0質量%以下的Zn的磷酸鉬酸鋯。
[產業上的可利用性]
本實施方式的氧化物微粒由於包含磷酸鋯或磷酸鉬酸鋯，因此適合作為例如IC封裝基板等半導體的密封中所使用的密封材、構成IC封裝基板等的有機基板、IC封裝基板等的接著等中所使用的接著劑等所含有的添加劑。
無
圖1是表示實施例3中獲得的氧化物微粒的光譜的圖。
圖2是表示實施例11中獲得的氧化物微粒的光譜的圖。
Claims (18)
- 一種氧化物微粒，包含具有Zr 2O(PO 4) 2的結晶結構的磷酸鋯，所述氧化物微粒中， 更包含鉬（Mo）及鋅（Zn），且 含有：鋯（Zr）：61.0質量%以上且91.0質量%以下、磷（P）：5.0質量%以上且18.0質量%以下、鉬（Mo）：0.05質量%以上且19.0質量%以下、及鋅（Zn）：0.02質量%以上且12.0質量%以下。
- 如請求項1所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鉬（Mo）的含有率為1.0質量%以上且19.0質量%以下。
- 如請求項1或2所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鋅（Zn）的含有率為0.1質量%以上且12.0質量%以下。
- 一種氧化物微粒，包含具有Zr 2(MoO 4)(PO 4) 2的結晶結構的磷酸鉬酸鋯，所述氧化物微粒中， 更包含鉬（Mo）及鋅（Zn），且 含有：鋯（Zr）：50.0質量%以上且74.0質量%以下、磷（P）：4.0質量%以上且10.0質量%以下、鉬（Mo）：15.0質量%以上且35.0質量%以下、及鋅（Zn）：0.02質量%以上且8.0質量%以下。
- 如請求項4所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鉬（Mo）的含有率為20.0質量%以上且31.0質量%以下。
- 如請求項4或5所述的氧化物微粒，其中將所述氧化物微粒整體的質量設為100質量%時的鋅（Zn）的含有率為2.0質量%以上且6.0質量%以下。
- 如請求項1至6中任一項所述的氧化物微粒，其中中值粒徑D 50為0.05 μm以上且75 μm以下。
- 一種含微粒的樹脂組成物，含有：如請求項1至7中任一項所述的氧化物微粒、以及樹脂。
- 如請求項8所述的含微粒的樹脂組成物，其中將所述含微粒的樹脂組成物整體的質量設為100質量%時的所述氧化物微粒的含有率為95質量%以下。
- 一種密封材或有機基板，包含如請求項8或9所述的含微粒的樹脂組成物。
- 一種氧化物微粒的製造方法，對在基於Zr 2O(PO 4) 2的化學計量比混合的Zr源物質及P源物質的混合物中進一步加入了Mo源物質及Zn源物質而得的原料進行煆燒。
- 如請求項11所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Mo的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為6.0%以上且16.0%以下。
- 如請求項11或12所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Zn的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為4.0%以上且11.0%以下。
- 一種氧化物微粒的製造方法，對在基於Zr 2(MoO 4)(PO 4) 2的化學計量比混合的Zr源物質、P源物質及Mo源物質的混合物中進一步加入了Mo源物質及Zn源物質而得的原料進行煆燒。
- 如請求項14所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Mo的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為18.0%以上且20.0%以下。
- 如請求項14或15所述的氧化物微粒的製造方法，其中所述原料中的Zn的莫耳數相對於Zr、P、Mo及Zn的合計莫耳數之比為2.0%以上且6.0%以下。
- 如請求項11至16中任一項所述的氧化物微粒的製造方法，其中使所述原料以一段進行高溫固相反應。
- 如請求項17所述的氧化物微粒的製造方法，其中使所述原料在950℃以上進行高溫固相反應。
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