JP4092568B2 - 微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4092568B2 JP4092568B2 JP2003194871A JP2003194871A JP4092568B2 JP 4092568 B2 JP4092568 B2 JP 4092568B2 JP 2003194871 A JP2003194871 A JP 2003194871A JP 2003194871 A JP2003194871 A JP 2003194871A JP 4092568 B2 JP4092568 B2 JP 4092568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- jet mill
- powder
- particle size
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 60
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 title claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 78
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 43
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 29
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 6
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、機能材料の原料粉末として使用されるシャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
機能材料の原料粉末は、ケイ素又はケイ素化合物粉末を原料とするものではこの原料を成形工程、焼結工程を経由させて製造するが、原料として用いられるケイ素又はケイ素化合物粉末の特性は、製造工程及び製品の機能や物性に大きな影響を与える。従って、利用目的に適するように精密に制御された粉体特性を有するシャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造が強く望まれている。
【0003】
ケイ素又はケイ素化合物粉末は、インゴットや塊状の原料を乾式粉砕及び湿式粉砕により粉砕し、粉砕後に、メッシュ篩いなどで篩い分けするか、又はサイクロン等の分級機を用いて粗い粒子を除去等することにより、所定粒径の粉末が製造されていたが、凝集粒の発生や、目的物の広い粒度分布、不純物の混入、粒子径の制御等の点での問題があり、必ずしも満足なものでなかった。
【0004】
また、特に粒子径D50が1μm以下の粒度分布を持つケイ素又はケイ素化合物粉末を製造する場合、ボールミル粉砕が好適に用いられ、φ0.3mm程度の微少な粉砕用ボールを併用して用いることで容易に製造が可能であるが、ボールミル粉砕の性質上、粗粒子が多く含まれ、D90/D10が大きくなる。粗粒子の混入量を極力小さくするためには、ボールミルの粉砕時間を長くとればよいが、粉砕ボールからのコンタミネーションの影響が大きくなり、ケイ素又はケイ素化合物粉末の純度が低下する問題があった。
【0005】
従って、コンタミネーションの少ないシャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物を得るための汎用的にしかも工業的にも有利な製造方法の開発が望まれていた。
なお、本発明に関連する従来技術としては、下記文献が挙げられる。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−254427号公報
【特許文献2】
特開平6−016411号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、コンタミネーションが少なく、凝集粒子が少なく、粒度分布の狭い、シャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物の工業的に優れた製造方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、シャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法につき検討を重ねた結果、粒子の凝集を極力抑えることと、凝集した粒子の解砕を含む工程を加えることによって、上記したコンタミネーションが少なく、凝集粒子が少なく、粒度分布の狭い、シャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又は微粉末ケイ素化合物が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
【0009】
従って、本発明は、下記のシャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法を提供する。
(1)ケイ素粉末を後段に気流式分級機が接続されたジェットミルに供給し、上記ケイ素粉末を露点が−20℃以下の乾燥空気若しくは不活性ガス雰囲気中においてジェットミルにて解砕した後、上記分級機にて分級して、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積粒径を微粒側から累積10%、累積50%、累積90%に相当する粒子径をそれぞれD10、D50、D90としたとき、D50が0.1〜30μmの範囲内であり、かつD90/D10が3以下である粒度分布を持つ微粉末ケイ素を採取することを特徴とする微粉末ケイ素の製造方法。
(2)ジェットミルに供給されるケイ素粉末のD50が0.1〜100μmであり、かつD90/D10が3より大きいものである(1)記載の製造方法。
(3)ジェットミル及びこのジェットミルにケイ素粉末を供給する供給装置を、内部を乾燥不活性ガス雰囲気としたケース内に配置して、ケイ素粉末のジェットミルへの供給を乾燥不活性ガス雰囲気にて行うようにした(1)又は(2)記載の製造方法。
(4)気流式分級機の乾燥空気若しくは不活性ガスをブロワの排気から気流式分級機の気流の取り入れ口を気密に保持するケースに導き、再循環させて行う(1),(2)又は(3)記載の製造方法。
なお、このケースは(3)のケースと同じであっても異なっていてもよい。
(5)ケイ素化合物粉末を後段に気流式分級機が接続されたジェットミルに供給し、この際、ジェットミル及びこのジェットミルにケイ素化合物粉末を供給する供給装置を、内部を乾燥不活性ガス雰囲気としたケース内に配置して、ケイ素化合物粉末のジェットミルへの供給を乾燥不活性ガス雰囲気にて行うようにし、上記ケイ素化合物粉末を露点が−20℃以下の不活性ガス雰囲気中においてジェットミルにて解砕した後、上記分級機にて分級して、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積粒径を微粒側から累積10%、累積50%、累積90%に相当する粒子径をそれぞれD10、D50、D90としたとき、D50が0.1〜30μmの範囲内であり、かつD90/D10が3以下である粒度分布を持つ微粉末ケイ素化合物を採取することを特徴とする微粉末ケイ素化合物の製造方法。
(6)ジェットミルに供給されるケイ素化合物粉末のD50が0.1〜100μmであり、かつD90/D10が3より大きいものである(5)記載の製造方法。
(7)気流式分級機の乾燥空気若しくは不活性ガスをブロワの排気から気流式分級機の気流の取り入れ口を気密に保持するケースに導き、再循環させて行う(5)又は(6)記載の製造方法。
なお、このケースは(5)のケースと同じであっても異なっていてもよい。
【0010】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法は、ケイ素又はケイ素化合物を後段に気流式分級機が接続されたジェットミルに供給し、上記ケイ素又はケイ素化合物粉末を露点が−20℃以下の乾燥空気若しくは不活性ガス雰囲気中において、ジェットミルにて解砕した後、上記分級機にて分級する。
【0011】
即ち、微粉末ケイ素又はケイ素化合物は、湿気を含んだ空気中で凝集作用がある。シャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物を製造するためには、凝集作用を起こさせないことが必要であり、凝集の進んだ粒子は十分に解砕した後、分級することが必要である。凝集をできるだけ少なくし、あるいは弱い力で分散できる程度に解砕するために、ジェットミルを用いて解砕する。凝集により形作られた2次粒子を1次粒子の状態に解砕させた後、すぐに気流式分級機に供給することで、分級精度を向上させ、シャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物を製造することが可能となる。ジェットミルで解砕後に凝集作用を起こさせないためには、ジェットミルと気流式分級機を乾燥空気若しくは不活性ガス雰囲気中で用いることで再凝集が少なくなり、また、ジェットミルと気流式分級機を乾燥空気若しくは不活性ガス雰囲気中で用いることにより、装置への付着の減少及びそのことから高い分級精度が長時間持続されるようになる。
【0012】
本発明においては、このようにジェットミルでの解砕、気流式分級機での分級を露点が−20℃以下の乾燥空気若しくは不活性ガス雰囲気下において行うものであるが、この場合、図1に示したような装置を使用して行うことができる。
【0013】
即ち、図中1はジェットミル、2は気流式分級機であり、ジェットミル1の後段に気流式分級機2が接続されており、振動フィダー等の粉体供給装置3からボールミル等の適宜な粉砕機で所定粒子径まで粉砕されたケイ素又はケイ素化合物粉末がジェットミル1に供給され、このジェットミル1で上記ケイ素又はケイ素化合物粉末が解砕された後、上記気流式分級機2に送られる。この場合、ジェットミル1と粉体供給装置3は、不活性ガス雰囲気用ケース4内に配置されており、このケース4内には不活性ガス雰囲気置換用ガス導入管5から乾燥窒素ガスなどの不活性ガスが導入されて、ケース4内が乾燥不活性ガス雰囲気下にあるようになっていると共に、ジェットミル用ガス導入管6からジェットミル1内に露点−20℃以下の乾燥空気若しくは窒素ガス等の不活性ガスが供給され、上記ケイ素又はケイ素化合物粉末の解砕が該雰囲気で行われ、かつ該−20℃以下の乾燥空気若しくは窒素ガス等の不活性ガスが、解砕されたケイ素又はケイ素化合物粉末と共に上記分級機2に送られることにより、この分級機2での分級が該雰囲気で行われるようになっている。
この分級機2で分級されたケイ素又はケイ素化合物のうち、粗粉末は分級機2の下部より回収され、一方、微粉末は分級機2の上部に接続されたバグフィルター7より回収される。
【0014】
なお、バグフィルター7はブロワ8と接続され、またブロワ8からの排気ガスは、図示していないバルブの操作によって、外部に排気され、あるいは循環パイプ9により、上記ケース4内に導入されるようになっている。
【0015】
ここで、本発明で用いるジェットミルは、縦型、水平型のいずれでもよく、接粉部をセラミックスでライニングでき、解砕効果がよいものであれば特に形式は問わないが、解砕された粒子が、速やかに分級機に到達できる構造となっていることが望ましい。
【0016】
気流式分級機は、粒子径の大きいものと小さいものとに分離できるものであれば特に限定はなく、重力分級、慣性力分級、遠心力分級があるが、ジェットミルと接続可能であり、分級精度の高い遠心力分級機が好適に用いられる。更に、遠心力分級機内部のサイクロン取り付け位置や気流量を可変することで、分級される粒子径を可変できるものが更に好ましい。
【0017】
分級の仕方にも特に制限はなく、ジェットミルと気流式分級機を用いた分級を一回行うことで目的とするシャープな粒度分布が得られる場合や、ジェットミルと気流式分級機を用いた分級を複数回行うことで目的とするシャープな粒度分布が得られる場合、更に、気流式分級機のみを一回若しくはサイクロン取り付け位置や気流量を可変して数回行うことにより目的とするシャープな粒度分布が得られる場合があり、分級を行う前の粒子径や分級機の特性、目的とするシャープな粒度分布に応じて分級の回数や装置の設定を変更することができる。
【0018】
なお、ジェットミルに供給されるケイ素又はケイ素化合物粉末としては、特に制限されるものではないが、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積粒径を微粒側から累積10%、累積50%、累積90%に相当する粒子径をそれぞれD10、D50、D90としたとき、D50が0.1〜100μm、特に0.1〜50μmであり、かつD90/D10が3より大きいものであり、好ましくは3.1〜15、特に3.5〜5であるものが好ましい。
【0019】
この場合、適当な大きさの粒子径までにするためには、よく知られた粉砕機が用いられる。例えば、ボール、ビーズなどの粉砕媒体を運動させ、その運動エネルギーによる衝撃力や摩擦力、圧縮力を利用して被砕物を粉砕するボールミル、媒体撹拌ミル、ローラによる圧縮力を利用して粉砕を行うローラミル、被砕物を高速で内張材に衝突させ、その衝撃による衝撃力によって粉砕を行うジェットミル、ハンマー、ブレード、ピンなどを固設したローターの回転による衝撃力を利用して被砕物を粉砕するハンマーミル、ピンミル、ディスクミル、剪断力を利用するコロイドミルや高圧湿式対向衝突式分散機「アルティマイザー」などが用いられる。粉砕は、湿式、乾式ともに用いられるが、ヘキサン等の有機溶媒を共存させた湿式粉砕が微粉末ケイ素又はケイ素化合物の表面酸化を防止する上でも特に好ましい。
【0020】
本発明によれば、上記レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積粒径を微粒側から累積10%、累積50%、累積90%に相当する粒子径をそれぞれD10、D50、D90としたとき、D50が0.1〜30μm、特に0.1〜20μmで、D90/D10が3以下、通常1〜3、好ましくは1.2〜2.8、特に1.5〜2.0であるシャープな粒度分布を持つ微粉末ケイ素又はケイ素化合物を得ることができる。なお、本発明はケイ素化合物として、膜状機能性材料の製造用原料、セラミック製造用原料や半導体デバイス製造で用いられるスパッタリングターゲット材等に対して好適に用いられる。
【0021】
【実施例】
以下、本発明を実施例及び比較例によって更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例の物性測定は以下の方法により行った。即ち、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による粒度分布測定装置であるLMS−3000((株)セイシン企業製)を用い、0.02質量%のヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液を分散媒とし、超音波を照射しながら粒度分布の測定を行った。得られた粒度分布からD10、D50、D90及びD90/D10を算出した。
【0022】
[実施例1]
平均粒子径D50が4.184μm、D90/D10が4.1のケミカルグレードのケイ素粉末を湿式ボールミルで20時間粉砕し、平均粒子径D50が0.248μm、D90/D10が13.9の微粉末ケイ素を得た(図2参照)。ここで得られた微粉末ケイ素は、粒度分布測定で二山のピークを持つ粒度分布特性を持っており、粗粒子を多く含んでいる。
【0023】
得られた微粉末ケイ素をジェットミルの後段にサイクロン(気流式分級機)とバグフィルターが接続された図1の装置を用いて分級を行った。本装置でジェットミルは解砕用に用い、サイクロンで分級された粗粉末がサイクロン下部より回収され、微粉末はバグフィルターより回収される。粉体の供給部分である振動フィダーとジェットミル部をケースで覆い、バグフィルターの後段に接続されたブロワの排気をホースで粉体供給部のケースに接続し、不活性ガスを循環使用できるようにした。粉体供給部のケースに窒素ガスを30分間供給し、ブロワを間欠運転して分級機内部の大気を窒素ガスに置換し、分級機を露点−36℃の窒素ガス雰囲気とした。ジェットミルに0.3MPaの窒素ガスを供給し、振動フィダーを運転調整し、粉体供給量200g/時間として分級を行った。
【0024】
得られたバグフィルターより回収された微粉末が粗粒子を取り除いた微粉末である。この微粉末の粒度分布測定を行い、平均粒子径D50が0.398μm、D90/D10が2.7の微粉末ケイ素であることを確認した(図3参照)。また、電子顕微鏡写真で確認したところ、1μm以上の粒子の存在が確認できず、粗粒子を含まないシャープな粒度分布の微粉末ケイ素であることが確認された。
【0025】
[比較例1]
実施例1でボールミル粉砕した平均粒子径D50が0.248μm、D90/D10が13.9の微粉末ケイ素を用い、図1の装置を用い、大気雰囲気中(露点13℃)で分級を行った。ジェットミルに0.3MPaの窒素ガスを供給し、振動フィダーを運転調整し、粉体供給量200g/時間として分級を行った。得られたバブフィルターより回収された微粉末の粒度分布測定を行ったところ、平均粒子径D50が0.240μm、D90/D10が4.2の微粉末ケイ素であった(図4参照)。また、電子顕微鏡写真で1μm以上の粒子の存在が確認された。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、コンタミネーションが少なく、凝集粒子が少なく、粒度分布の狭い、シャープな粒度分布を有する微粉末ケイ素又はケイ素化合物を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法で用いられる装置の一例を示す説明図である。
【図2】実施例、比較例で用いた原料ケイ素粉末の粒度分布図である。
【図3】実施例で得られた微粉末ケイ素の粒度分布図である。
【図4】比較例で得られた微粉末ケイ素の粒度分布図である。
【符号の説明】
1 ジェットミル
2 気流式分級機
3 粉体供給装置
4 不活性ガス雰囲気用ケース
5 不活性ガス雰囲気置換用ガス導入管
6 ジェットミル用ガス導入管
7 バグフィルター
8 ブロワ
9 循環パイプ
Claims (7)
- ケイ素粉末を後段に気流式分級機が接続されたジェットミルに供給し、上記ケイ素粉末を露点が−20℃以下の乾燥空気若しくは不活性ガス雰囲気中においてジェットミルにて解砕した後、上記分級機にて分級して、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積粒径を微粒側から累積10%、累積50%、累積90%に相当する粒子径をそれぞれD10、D50、D90としたとき、D50が0.1〜30μmの範囲内であり、かつD90/D10が3以下である粒度分布を持つ微粉末ケイ素を採取することを特徴とする微粉末ケイ素の製造方法。
- ジェットミルに供給されるケイ素粉末のD50が0.1〜100μmであり、かつD90/D10が3より大きいものである請求項1記載の製造方法。
- ジェットミル及びこのジェットミルにケイ素粉末を供給する供給装置を、内部を乾燥不活性ガス雰囲気としたケース内に配置して、ケイ素粉末のジェットミルへの供給を乾燥不活性ガス雰囲気にて行うようにした請求項1又は2記載の製造方法。
- 気流式分級機の乾燥空気若しくは不活性ガスをブロワの排気から気流式分級機の気流の取り入れ口を気密に保持するケースに導き、再循環させて行う請求項1,2又は3記載の製造方法。
- ケイ素化合物粉末を後段に気流式分級機が接続されたジェットミルに供給し、この際、ジェットミル及びこのジェットミルにケイ素化合物粉末を供給する供給装置を、内部を乾燥不活性ガス雰囲気としたケース内に配置して、ケイ素化合物粉末のジェットミルへの供給を乾燥不活性ガス雰囲気にて行うようにし、上記ケイ素化合物粉末を露点が−20℃以下の不活性ガス雰囲気中においてジェットミルにて解砕した後、上記分級機にて分級して、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積粒径を微粒側から累積10%、累積50%、累積90%に相当する粒子径をそれぞれD10、D50、D90としたとき、D50が0.1〜30μmの範囲内であり、かつD90/D10が3以下である粒度分布を持つ微粉末ケイ素化合物を採取することを特徴とする微粉末ケイ素化合物の製造方法。
- ジェットミルに供給されるケイ素化合物粉末のD50が0.1〜100μmであり、かつD90/D10が3より大きいものである請求項5記載の製造方法。
- 気流式分級機の乾燥空気若しくは不活性ガスをブロワの排気から気流式分級機の気流の取り入れ口を気密に保持するケースに導き、再循環させて行う請求項5又は6記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003194871A JP4092568B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003194871A JP4092568B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005029410A JP2005029410A (ja) | 2005-02-03 |
JP4092568B2 true JP4092568B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=34205886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003194871A Expired - Fee Related JP4092568B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4092568B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103831433A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-06-04 | 江苏博迁新材料有限公司 | 一种用高速旋转气流处理超细镍粉的装置及其方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0919830D0 (en) | 2009-11-12 | 2009-12-30 | Isis Innovation | Preparation of silicon for fast generation of hydrogen through reaction with water |
JP5729340B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 非水電解質二次電池又は電気化学キャパシタ負極活物質の製造方法 |
GB201217525D0 (en) | 2012-10-01 | 2012-11-14 | Isis Innovation | Composition for hydrogen generation |
TWI639556B (zh) * | 2013-08-01 | 2018-11-01 | 日商日揮觸媒化成股份有限公司 | 粉碎二氧化矽粒子之製造方法及含有該粒子之樹脂組成物 |
JP6121845B2 (ja) * | 2013-08-13 | 2017-04-26 | デンカ株式会社 | 表面処理シリカ粉末、スラリー組成物及びそれを用いた樹脂組成物 |
CN104973601A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-10-14 | 杭州钦耀纳米科技有限公司 | 一种超纯超细金属硅粉的生产方法 |
NO345463B1 (en) * | 2017-04-06 | 2021-02-15 | Elkem Materials | Silicon powder for use in anodes for lithium-ion batteries and method for production of silicon powder |
JP2022517956A (ja) * | 2019-01-09 | 2022-03-11 | キューウェイブ ソリューションズ,インコーポレイテッド | ジェットミルで粉砕するための方法及びシステム |
CN114031080B (zh) * | 2021-11-19 | 2023-09-22 | 江西科泰新材料有限公司 | 磷化硅晶体密管合成及其靶材生产的方法 |
-
2003
- 2003-07-10 JP JP2003194871A patent/JP4092568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103831433A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-06-04 | 江苏博迁新材料有限公司 | 一种用高速旋转气流处理超细镍粉的装置及其方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005029410A (ja) | 2005-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11590509B2 (en) | Method for manufacturing polycrystalline silicon fragment and polycrystalline silicon block fracture device | |
JP4922183B2 (ja) | 微細粒のポリアリーレンエーテルケトン粉末 | |
JP4092568B2 (ja) | 微粉末ケイ素又はケイ素化合物の製造方法 | |
JP2010517915A5 (ja) | ||
CN102649161B (zh) | 一种大fsss粒径镍粉及其制备方法 | |
CN102909383B (zh) | 超细镍粉或钴粉的制备方法 | |
JP2008088041A (ja) | タルク微粉末及びその製造方法 | |
JP2015086120A (ja) | 球状シリカ微粉末とその製造方法 | |
CN106044758A (zh) | 一种采用圆盘式气流磨制备石墨烯的方法及装置 | |
JP6580793B2 (ja) | シリコン含有固形物の粉砕方法 | |
CN109485046B (zh) | 一种碳化钨粉及其制备方法 | |
WO2004035216A1 (ja) | 乾式粉砕装置および乾式粉砕方法 | |
CN103537357A (zh) | 一种节能型粉碎分级设备 | |
JP4270848B2 (ja) | アルミナ粒子及びその製造方法 | |
JP4310834B2 (ja) | 焼結体用アルミナ粉末の製造方法 | |
JP7474221B2 (ja) | 球状シリカ粉末の製造方法 | |
JP2916611B2 (ja) | 粉末粒子の粉砕方法と粒子修飾方法 | |
CN102114544A (zh) | 一种制备粒径分布均匀且球形度和分散性好的钨粉的方法 | |
JP5348076B2 (ja) | 凝集体及びその製造方法 | |
JP2021023897A (ja) | フライアッシュからの未燃カーボンの分離方法 | |
JPH08103647A (ja) | 複合粉体の製造方法 | |
JPH01180285A (ja) | 分級方法 | |
JPH01317555A (ja) | 気流式粉砕分級装置 | |
JP3008498B2 (ja) | 黒鉛化度を増大させたカーボンブラックの製造方法 | |
JPH0653234B2 (ja) | 微粉の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4092568 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140314 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |