JP6782088B2 - 被膜形成用の塗布液、及び該塗布液を用いた被膜付基材 - Google Patents
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Description
(a)平均粒子径が10〜500nm
(b)粒子径変動係数が20%以下
(c)SiO2純度が99.5%以上
(d)真球度が0.90以上
(e)400℃を基準とした1000℃における重量減が0.5%以下
本発明の塗布液は、下記(a)〜(e)の要件を満たすシリカ粒子と、無機バインダーと、分散媒とを含んでいる。
(b)粒子径変動係数(CV値)が20%以下
(c)SiO2純度が99.5%以上
(d)真球度が0.90以上
(e)400℃を基準した1000℃における重量減が0.5%以下
上記(a)〜(e)の要件を満たすシリカ粒子(以下、高密度シリカ粒子ということがある)は、粒子内部の緻密化が進んでおり、残存するシラノール基が極めて少ない。したがって、この高密度シリカ粒子を含む塗布液を用いて形成された被膜は、吸湿が抑えられ、結果として、成膜直後の低い誘電率を長期にわたって保持できる。例えば、本発明の被膜の形成から1ヶ月経過後の比誘電率の上昇は、0.5以下であり、好ましくは0.3以下であり、より好ましくは0.2以下である。また、フィラーとしての高密度シリカ粒子は安定であり、マトリックス成分と相互に影響し合うことがないことから、経時安定性の高い塗布液や被膜を得ることができる。これにより、幅広いバインダーを選択することが可能となり、例えば、水蒸気雰囲気での加熱や、紫外線、電子線による硬化プロセスが用いられるバインダーも選択できる。なお、高密度シリカ粒子を含む塗布液を用いて形成された被膜の成膜直後の比誘電率としては、3以下であることが好ましく、2.5以下であることがより好ましい。
高密度シリカ粒子は、平均粒子径が10〜500nmである。高密度シリカ粒子の平均粒子径が10nm未満の場合には、焼成後、解砕工程において合着、融着により、一次粒子サイズに解砕することが困難となる。解砕できたとしても分散性が不充分となることがある。一方、500nmを超えると、粒子が塗布液中で沈降しやすくなり、均一な膜が得られない場合がある。一次粒子サイズへの解砕や膜の均一性の観点から、高密度シリカの平均粒子径は、10〜300nmであることが好ましく、15〜150nmであることがより好ましい。なお、高密度シリカ粒子の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製:S−5500型)により撮影し、この画像の250個の粒子について画像解析装置(旭化成(株)製:IP−1000)を用いて算出した値である。
高密度シリカ粒子は、粒子径変動係数(CV値)が20%以下であり、15%以下であること好ましく、10%以下であることがより好ましい。高密度シリカ粒子の粒子径変動係数(CV値)が20%を超えると、誘電率の面内均一性を担保できない虞がある。
高密度シリカ粒子は、SiO2純度が99.5%以上であり、99.7%以上であることが好ましく、99.9%以上であることがより好ましい。高密度シリカ粒子のSiO2の純度が99.5%未満の場合には、不純分を多く含有することから、シリカ粒子同士の融着が促進され、一次粒子へと再分散(解砕)されにくい二次粒子となり、上記粒子径変動係数に関する要件(b)を満たすことが困難となる。仮に要件(b)を満たしたとしても、粒子表面にシラノール基が多く残存し、吸湿の原因となる。さらに、含有する不純分によっては、初期及び/又はその後の誘電率が高くなることがある。なお、高純度のシリカ粒子を得るにはシリカ源となる原料としてアルコキシドを用いることが好ましく、これにより、半導体などの電子デバイス分野へ適用が可能となる。
高密度シリカ粒子は、真球度が0.90以上であり、0.93以上であることが好ましく、0.95以上であることがより好ましい。高密度シリカ粒子の真球度が0.90未満の場合には、誘電率の面内均一性を担保できない虞がある。なお、かかる高密度シリカの真球度は、走査型電子顕微鏡により写真撮影し、任意の50個の粒子についての、それぞれその最大径(DL)とこれと直交する短径(DS)との比(DS/DL)の平均値を意味する。
高密度シリカ粒子は、400℃を基準した1000℃における重量減が0.5%以下であり、0.3%以下であることが好ましく、0.2%以下であることがより好ましい。すなわち、粒子表面及び内部の未架橋のシラノール基が少ない方が好ましい。したがって、高密度シリカ粒子は、600〜1200℃、好ましくは800〜1000℃で焼成された焼成粒子であることが好ましい。重量減が0.5%を超える粒子は、シラノール基が多く存在し、吸湿の原因となる。なお、本発明において、400℃を基準とした1000℃における重量減を規定するのは、吸着水がすべて除去されると考えられる400℃を基準とし、実質的な未架橋のシラノール基量を指標とするためである。
高密度シリカ粒子は、平均粒子径の4倍以上の粒子径を持つ粗大粒子の割合が5重量%以下であることが好ましく、3重量%以下であることがより好ましく、1重量%以下であることがさらに好ましく、実質的に含まないことが特に好ましい。粗大粒子を含まないことにより、誘電率の面内均一性がより担保される。なお、高密度シリカの製造過程で粗大粒子が発生する場合は、適宜分級等を行って除去することが好ましい。
無機バインダーとしては、例えば、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリカルボシラン、ポリシラザン、ポリカルボシラザン、ポリメタロキサン、ポリボロシロキサンを挙げることができ、ポリシロキサンが特に好ましい。
RnSi(OR’)4−n・・・(1)
RnSiX’4−n ・・・(2)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基、ビニル基を表し、R’は水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基、ビニル基を表し、X’はフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を表す。また、nは0〜3の整数である。)
塗布液に含まれる分散媒としては、一般的に使用される有機系分散媒を用いることができ、アルコール類、グリコール酸、エーテル類、ケトン類等が例示できる。この分散媒に含まれる水分量は、1重量%以下が好ましく、0.5重量%以下がより好ましい。これにより、再水和によるシリカ粒子表面のSiOH化を防止することができる。
塗布液中の高密度シリカ粒子と無機バインダーの合計の濃度(固形分の濃度)は、0.5〜60重量%程度が好ましく、10〜50重量%がより好ましい。
本発明の塗布液は、高密度シリカ粒子、無機バインダー及び分散媒の他に、他の成分を含んでいてもよい。例えば、必要に応じて、レベリング剤等の添加剤を加えることができる。
本発明の塗布液は、例えば、超音波分散機等の各種分散機を用いて、高密度シリカ粒子と無機バインダーを分散媒に分散し、適宜フィルター等で濾過することにより製造することができる。
本発明の被膜付基材は、シリカ粒子と無機バインダーを含む被膜が基材上に直接的又は間接的に形成されている。シリカ粒子は、上記説明した(a)〜(e)の要件を満たす高密度シリカ粒子であり、無機バインダーは上記説明したポリシロキサン等である。被膜の膜厚は、例えば、1〜20μm程度である。本発明によれば、被膜に含まれる高密度シリカ粒子の緻密化が進んでいるので、吸湿が抑えられ、結果として、低誘電率を長期にわたって保持できる。なお、本発明の被膜は、予め高温焼成にて緻密化を図った高密度シリカ粒子を含んでいるので、例えば造膜時の焼成温度が400℃以下であっても、シリカ粒子は安定しており、被膜の耐湿性を担保できることから、400℃程度までしか加熱できない金属配線を備えた基盤等にも有効である。
本発明の被膜付基材の製造方法は、例えば、上記説明した被膜形成用の塗布液を基材上に直接的又は間接的に塗布する塗布工程と、塗布液を塗布した基材を乾燥して分散媒を除去する膜乾燥工程と、膜焼成工程とを備える。なお、各工程の前後に各種工程をさらに備えていてもよく、例えば、塗布工程前に、下地層形成工程等を備えることができる。
以下、本発明の高密度シリカ粒子の好適な製造方法を示す。
(調合工程)
下記一般式(3)で表されるアルコキシシラン(加水分解可能な含珪素化合物)を塩基性触媒成分の存在下で加水分解・縮重合させてシリカ微粒子の水−アルコール系分散液を得る。シリカ微粒子の平均粒子径は、10〜500nmの範囲にあることが好ましい。
RnSi(OR’)4−n・・・(3)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基、ビニル基を表し、R’は水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基、ビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)
(精製方法1)
得られたシリカ微粒子の水−アルコール系分散液を限外濾過装置にかけて、その容量が約2分の1から約5分の1になるまで濃縮して、該分散液中に含まれる反応が不十分な含珪素化合物の除去と、塩基性触媒成分の含有量の調整とを行ったシリカ微粒子の水−アルコール系分散液を調製することが好ましい。
また、イオン成分の交換と共に吸着等の分離除去作用を期待できるイオン交換樹脂を用いた処理により、反応が不十分な含珪素化合物やナトリウムイオンなどを分散液中から除去することもできる。アルコキシシランの未反応物は、陰イオン交換樹脂を用いて分離することができるが、更に陽イオン交換樹脂を用いることにより、ナトリウムイオン等を除去することができることから、双方のイオン交換樹脂を用いて分離除去することが好ましい。
陽イオン交換樹脂としてH型陽イオン交換樹脂が好ましく、ビーズ状、繊維状等、その形態は問わない。また、上記同様、処理方法としては、分散液中にイオン交換樹脂を投入してバッチ方式で処理する方法や、カラムにイオン交換樹脂を充填して通液する方法等、従来公知の方法を用いることができる。
陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂の処理を交互に複数回行うことにより、含珪素化合物及びナトリウムイオン等のアルカリ成分をより効果的に分離除去することができ、シリカ粒子同士の融着をより抑制することが可能となる。
さらに、上記精製方法1及び/又は2の処理の後に、又は上記精製方法1及び/又は2を行うことなく、水熱処理を行い、その後にイオン交換樹脂を用いた精製処理を行うことが好ましい。水熱処理により、シリカ粒子内部に存在する反応が不十分な含珪素化合物を粒子外部(分散液中)に排出することができ、続くイオン交換樹脂を用いた精製処理により、この分散液中に排出された含珪素化合物を分離除去することができることから、焼成時のシリカ粒子同士の融着を抑制できることができる。すなわち、シリカ粒子内部に反応が不十分な含珪素化合物が残存していると、乾燥の際、含珪素化合物が粒子表面に出現し、かかる含珪素化合物が、シリカ粒子同士の融着、すなわちネック部の生成及び成長を促進させると考えられるが、これを抑制することができる。
精製工程で得られた分散液から分散媒を揮散、留去するために乾燥を行う。加熱乾燥や噴霧乾燥等の一般的な乾燥方法を採用することができるが、粒子表面の相互作用を抑制して、後工程でシリカ粒子の合着、融着、焼結等の誘発をより抑制することが好ましいことから、例えば、分散媒の揮散と粒子の凝集をコントロールするためにペクレ数を下げる方向の処理が好ましい。具体的には、50〜200℃程度の低温で時間をかけて乾燥させる方法や、何段階かに分けて乾燥(ステップ乾燥)させる方法が好ましい。また、室温から20〜400℃(例えば、350℃)まで徐々に昇温してもよい。乾燥工程では、分散媒の揮散と共に、加水分解や脱水縮合等の化学反応も同時に起こるので注意が必要である。
焼成工程では、上記乾燥されたシリカ粒子を600〜1200℃で焼成する。これにより、加水分解・脱水縮合、及びシラノール(SiOH)がSiO2化し、緻密化が起こる。急激な加熱による粒子内部の不均一化を防ぐために、室温から20〜400℃(例えば、350℃)まで昇温する乾燥工程に次いで、600〜1200℃、好ましくは800〜1000℃まで昇温する工程(焼成工程)を備えることが好ましい。焼成の際、シリカ粒子(一次粒子)はネック部で融着(焼結)し、更にこれらが凝集して集合粒子となる。ここで、焼成温度が600℃未満の場合は、得られる粒子(焼成シリカ粒子)の緻密化が十分に進んでおらず、膜にした際にクラックが発生し易くなる。一方、焼成温度が1200℃を超える場合、シリカ粒子の集合体粒子が焼結し易い。そのため、後述する解砕工程で元の粒子径になるまで解砕すること(すなわち、一次粒子に戻すこと)が困難である。このように、焼成により、一次粒子同士の焼結が生じる。焼成を行っても、一次粒子サイズの粒子を得るためには、焼結させないか、焼結したとしても、その後に一次粒子にまで再分散(解砕)させる必要がある。なお、上記精製工程を適用したものに対しては、800〜1200℃、好ましくは800〜1000℃の温度で焼成し、SiO2化を進めることができる。焼成は空気雰囲気で行えるが、焼成後に冷却する際には、結露による吸湿を防ぐために、露点が0℃以下のガス雰囲気にすることが好ましい。露点−10℃以下のガス雰囲気が更に好ましい。
解砕工程は、焼成により焼結した一次粒子同士を一次粒子にまで再分散(解砕)させる工程であり、湿式による方法であっても、乾式による方法であってもよいが、解砕用容器内にガスを導入して旋回流を発生させ、この旋回流中に焼成工程で得られた焼成シリカ粒子を供給する方法が好ましい。これにより、焼成シリカ粒子の集合体粒子が焼成前のシリカ粒子の粒子径になるまで、粒子が破壊されることなく解砕される。これにより、高密度シリカ粒子が得られる。
このように、均一な旋回流を用いた解砕によって得られる高密度シリカ粒子13は、粒子同士の衝突等ではなく旋回流中の剪断により解砕されるので、破壊面が発生し難い。また、粒子が融着した部分(ネック部)で開裂した際に生じる分離面14は、解砕される力で活性面となっても、破壊面に比べて面積が小さい。そのため、旋回流中の解砕によれば、粒子表面に新たに発生するSiOHは少なく、分散性に優れた高密度シリカ粒子13が得られ易い。
高圧ガスにより発生する旋回流を用いて解砕を行う解砕装置としては、例えば、アイシンナノテクノロジーズ社製のナノジェットマイザーシリーズや、サンレックス工業株式会社製のナノグラインディングミルシリーズ等が挙げられる。
更に、解砕用容器に導入するガスの露点は0℃以下が好ましい。ガスの露点が0℃を超えていると、解砕により高密度シリカ粒子に現れた活性表面に、水分に依るシラノール基が生成しやすくなるからである。このような理由から、導入ガスの露点は−10℃以下が好ましく、−20℃以下がより好ましい。露点が0℃以下の導入ガスは、圧縮ガス、エアドライヤー、あるいは吸着剤による吸着除去法等の、公知の方法で得ることができる。解砕時の温度は、結露しない範囲であれば、制限はない。
また、導入ガスの線速は、亜音速以上が好ましく、遷音速〜超音速がより好ましい。導入ガスの線速が亜音速未満であると、旋回速度が足りず解砕が不充分となる場合がある。また、超音速を超えると、集合体粒子の解砕にとどまらず、粒子同士の衝突が増えて粒子が破壊する虞がある。なお、導入ガスの線速は、導入ガスの圧力から算出することができる。
[高密度シリカ粒子の調製]
(調合工程)
99.9重量%濃度のメタノール(関東化学(株)製)508gと純水760gからなる敷き水1268gを調製した。99.9重量%濃度のメタノール16048gとエチルシリケート(多摩化学工業(株)製)を8452g加えて撹拌したエチルシリケート溶液24500gを調製した。次に、敷き水1268gを65℃の温度に加熱して保持し、これにエチルシリケート溶液24500gと1.9重量%濃度のアンモニア水9490gを同時に5時間かけて撹拌下で添加した。添加終了後、更に65℃に保って3時間、熟成操作を行い、6.7重量%のシリカ微粒子を含む水−メタノール分散液(以下、「水−メタノール分散液」という。)35258gを得た。
(精製工程)
次いで、得られた水−メタノール分散液を室温まで冷却し、この水−メタノール分散液のうち31860gに、純水20340gを加えて撹拌した後、25℃の温度条件下で限外濾過フィルター(旭化成(株)製、ACP−2013)を用いて、その重量が18711gになるまで濃縮した。これにより、該水−メタノール分散液中に含まれるエチルシリケートの未反応物や中間反応物などを除去した水−メタノール分散液(以下、「水−メタノール精製液」という。)18711gを得た。得られたシリカ微粒子の粒子径は概ね20nmであった。
(乾燥工程)
水−メタノール精製液をSUS製バットに移し、乾燥機にて100℃で乾燥させた。
次に、シリカ粉体をSiC製のるつぼ(焼成用容器)に入れ、電気炉を用いて800℃で10時間焼成した。これを冷却して焼成シリカ粒子が得られた。
(解砕工程)
続いて、この焼成シリカ粒子を、高圧ガスによる旋回流が発生している解砕装置(アイシンナノテクノロジーズ社製:ナノジェットマイザーNJ−100)に投入して、焼成シリカ粒子を解砕し、高密度シリカ粒子(B1)を得た。このとき、高圧ガスとして、エアドライヤーにより圧力が1.0MPaの場合に露点マイナス10℃(以下、「−10℃」という)に制御された乾燥空気を用いた。また、焼成シリカ粒子の導入口を密閉するように囲いを設けた。そこへ露点−10℃の乾燥空気を導入した。露点が−10℃の環境から焼成シリカ粒子を供給し、焼成シリカ粒子とともに導入される乾燥空気も露点−10℃の空気とした。
(a)シリカ微粒子の平均粒子径
高密度シリカ粒子の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製:S−5500型)により写真を撮影し、この画像の250個の粒子について画像解析装置(旭化成(株)製:IP−1000)を使用して算出した。
粒子径変動係数(CV値)は、上記「(a)シリカ微粒子の平均粒子径」における測定に基づき、下記式によって算出した。
高密度シリカ粒子を1000℃で1時間焼成後、硫酸を数滴と弗化水素酸を加えて、砂浴上で乾固させ、1000℃で1時間焼成し、前後の重量の差からSiO2純度を算出した。
走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製:S−5500型)により写真撮影し、任意の50個の高密度シリカ粒子について、それぞれその最大径(DL)と、これと直交する短径(DS)との比(DS/DL)の平均値を求め、これを真球度とした。
株式会社リガク製の示差熱天秤TG8120を用い、室温から1000℃まで、1℃/分で昇温させながら、重量減少量を測定し、400℃の重量を基準とする1000℃における重量減少率を求めた。
平均粒子径を測定する際に、粒子径の大きな粒子の分布が観察された場合、平均粒子径の4倍以上の粒子の割合(重量割合)を求め粗大粒子の含有量とした。
(a)平均粒子径:20nm
(b)粒子径変動係数:10%
(c)SiO2純度:99.9%
(d)真球度:0.95
(e)400℃を基準とした1000℃における重量減:0.2%
(f)粗大粒子量:1重量%以下
であった。
メチルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−13)454.5g、エタノール185.5gおよび純水360.0gの混合溶液を濃硝酸でpH1.0に調整した後、50℃、2時間加水分解させた。その後、1%アンモニア水を添加し、pHを7.0に調整した後、さらに50℃で2時間処理した。次いで、ロータリーエバポレーターで、水、アルコールを留去し、プロピレングリコールモノプロピルエーテルと溶媒置換し、SiO2濃度10重量%のメチルトリメトキシシラン加水分解物分散液を調製した。
上記調製した高密度シリカ粒子300gを、プロピレングリコールモノプロピルエーテル2700gに加え、超音波を掛けながら分散させた。かかる分散液を、0.5μmフィルターで濾過し、固形分濃度10重量%の高密度シリカ粒子分散液を得た。この高密度シリカ粒子分散液と、上記調製したメチルトリメトキシシラン加水分解物分散液とを、塗布液中の固形分の内訳が、高密度シリカ粒子80重量%、無機バインダー20重量%となるよう混合し、実施例1に係る塗布液を得た。
実施例1において、高密度シリカ粒子分散液と、上記調製したメチルトリメトキシシラン加水分解物分散液との混合割合を変え、高密度シリカ粒子60重量%、無機バインダー40重量%となるよう混合し、実施例2に係る塗布液を得た。
焼成工程における焼成温度を600℃に変えた以外は実施例1と同様にして、実施例3の塗布液を得た。
(a)平均粒子径:20nm
(b)粒子径変動係数:10%
(c)SiO2純度:99.9%
(d)真球度:0.95
(e)400℃を基準とした1000℃における重量減:0.5%
(f)粗大粒子量:1重量%以下
であった。
特開平09−315812号公報記載の実施例1の処方を参照し、シリカ粒子を調製した。なお、本件実施例に合わせてシリカ粒子の粒子径が20nmとなるよう調製した。具体的には、本件実施例1と同様の調合工程及び精製工程を経て、25nm程度のシリカ粒子を含む水−メタノール精製液を調製後、この水−メタノール精製液を、オートクレーブにより、300℃で3時間熟成し、シリカ微粒子分散液を得た。
(a)平均粒子径:20nm
(b)粒子径変動係数:7%
(c)SiO2純度:99.9%
(d)真球度:0.96
(e)400℃を基準とした1000℃における重量減:2.6%
(f)粗大粒子量:1.0重量%以下
であった。
このシリカ粒子分散液と、上記実施例1で用いたメチルトリメトキシシラン加水分解物分散液とを、高密度シリカ粒子80重量%、無機バインダー20重量%となるよう混合し、比較例1に係る塗布液を得た。
上記調製した各塗布液を、それぞれ低抵抗Siウェハ上にスピンコート法にて塗布し、150℃の温度で3分間乾燥させた後、窒素雰囲気下にて350℃の温度で30分間焼成して、厚さ500nmの塗布膜を形成した。
得られた各シリカ系被膜の比誘電率を水銀プローブ法で測定した。比誘電率は、被膜形成直後、1週間経過後、1ヶ月経過後の比誘電率を測定した。これらの結果を表1に示す。被膜の保管は、気温25℃、湿度50%の雰囲気下で行った。
Claims (10)
- シリカ粒子と無機バインダーと分散媒とを含む被膜形成用の塗布液であって、
前記シリカ粒子が、下記(a)〜(e)の要件を満たし、
(a)平均粒子径が10〜500nm
(b)粒子径変動係数が20%以下
(c)SiO2純度が99.5%以上
(d)真球度が0.90以上
(e)400℃を基準とした1000℃における重量減が0.5%以下
前記無機バインダーが、前記シリカ粒子と前記無機バインダーの合計量に対して10〜50重量%含まれることを特徴とする被膜形成用の塗布液。 - シリカ粒子と無機バインダーと分散媒とを含む被膜形成用の塗布液であって、
前記シリカ粒子が、下記(a)〜(e)の要件を満たし、
(a)平均粒子径が10〜500nm
(b)粒子径変動係数が20%以下
(c)SiO 2 純度が99.5%以上
(d)真球度が0.90以上
(e)400℃を基準とした1000℃における重量減が0.5%以下
前記分散媒に含まれる水分量が1重量%以下であることを特徴とする被膜形成用の塗布液。 - 前記無機バインダーが下記一般式(1)で表されるアルコキシシランと下記一般式(2)で表されるハロゲン化シランの加水分解物の内、少なくとも一種であることを特徴とする請求項1または2に記載の被膜形成用の塗布液。
R n Si(OR') 4-n ・・・(1)
R n SiX' 4-n ・・・(2)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基、ビニル基を表し、R'は水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基、ビニル基を表し、X'はフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を表す。また、nは0〜3の整数である。) - 前記加水分解物の数平均分子量が100〜50000(ポリスチレン換算分子量)であることを特徴とする請求項3に記載の被膜形成用の塗布液。
- 前記シリカ粒子の粗大粒子量が5重量%以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の被膜形成用の塗布液。
- 前記塗布液中の前記シリカ粒子と前記無機バインダーの合計の濃度(固形分濃度)が0.5〜60重量%であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の塗布液。
- 基材と、該基材上に形成された被膜とを備える被膜付基材であって、
前記被膜が、下記(a)〜(e)の要件を満たすシリカ粒子と無機バインダーとを含み、
(a)平均粒子径が10〜500nm
(b)粒子径変動係数が20%以下
(c)SiO2純度が99.5%以上
(d)真球度が0.90以上
(e)400℃を基準とした1000℃における重量減が0.5%以下
前記無機バインダーが、前記シリカ粒子と前記無機バインダーの合計量に対して10〜50重量%含まれることを特徴とする被膜付基材。 - 前記シリカ粒子の粗大粒子量が5重量%以下であることを特徴とする請求項7に記載の被膜付基材。
- 前記無機バインダーが下記一般式(1)で表されるアルコキシシランと下記一般式(2)で表されるハロゲン化シランの加水分解物の内、少なくとも一種であることを特徴とする請求項7または8に記載の被膜付基材。
R n Si(OR') 4-n ・・・(1)
R n SiX' 4-n ・・・(2)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基、ビニル基を表し、R'は水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基、ビニル基を表し、X'はフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を表す。また、nは0〜3の整数である。) - 前記加水分解物の数平均分子量が100〜50000(ポリスチレン換算分子量)であることを特徴とする請求項9に記載の被膜付基材。
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JP2016069922A JP6782088B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 被膜形成用の塗布液、及び該塗布液を用いた被膜付基材 |
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