JP6012889B2 - 新規な化合物 - Google Patents

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Description

本発明は新規な化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
従来の有機ＥＬ素子は駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。有機ＥＬ素子の発光効率の向上はディスプレイの消費電力の低下につながる重要な課題であるため、近年の有機ＥＬ素子用材料は徐々に改良されているが（例えば特許文献１、２）、さらなる高効率化が求められている。
特開２０１３−１１８２８８号公報 特開２０１１−１５３２０１号公報
本発明の目的は、発光効率に優れる有機ＥＬ素子を製造することができる化合物を提供することである。
本発明の一態様によれば、以下の化合物等が提供される。
下記式（１）で表される化合物。
Figure 0006012889
 （式（１）中、Ａｒは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基であり、
Ｒｂ１〜Ｒｂ４は、それぞれ、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒｃ１〜Ｒｃ１０は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であり、
＊は、Ｒｃ１〜Ｒｃ１０のいずれかと窒素原子との結合位置を示し、
ｘは、０〜３の整数であり、
ｙは、０〜４の整数であり、
ｚは、それぞれ０〜５の整数であり、
ｘが２以上の整数である場合、複数のＲｂ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｙが２以上の整数である場合、複数のＲｂ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｚが２以上の整数である場合、複数のＲｂ３又はＲｂ４はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。）
本発明によれば、発光効率に優れる有機ＥＬ素子を製造することができる化合物が提供できる。
本発明の一態様に係る化合物は下記式（１）で表される。
Figure 0006012889
 式（１）中、Ａｒは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である。
Ｒａは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基である。
Ｒｂ１〜Ｒｂ４は、それぞれ、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基である。
Ｒｃ１〜Ｒｃ１０は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合である。
＊は、Ｒｃ１〜Ｒｃ１０のいずれかと窒素原子との結合位置を示す。
ｘは、０〜３の整数であり、ｙは、０〜４の整数であり、ｚは、それぞれ０〜５の整数である。ｘが２以上の整数である場合、複数のＲｂ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｙが２以上の整数である場合、複数のＲｂ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｚが２以上の整数である場合、複数のＲｂ３又はＲｂ４はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
本発明の一態様に係る化合物は、上記の特定の構造を有することで有機ＥＬ素子に用いたときに優れた発光効率を発揮することができる。
上記の化合物は、好ましくは下記式（２）で表される。
Figure 0006012889
 式（２）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、Ｒｃ１〜Ｒｃ１０、ｘ、ｚ及び＊は前記式（１）と同じである。
また、Ｒｃ１〜Ｒｃ１０はアリールアミノ基以外の基、即ち、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であると好ましい。
この場合、上記化合物はアリールアミノ基の２置換体となる。
上記化合物は、好ましくは下記式（３）で表され、より好ましくは下記式（４）で表される。
Figure 0006012889
 式（３）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、Ｒｃ２〜Ｒｃ１０、ｘ、ｚ及び＊は前記式（１）と同じである。
Figure 0006012889
 式（４）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、ｘ及びｚは前記式（１）と同じである。
Ｒｃ２〜Ｒｃ５、Ｒｃ７〜Ｒｃ１０は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基である。
上記化合物が式（４）で表される場合、下記式（４−１）で表されるとより好ましい。
Figure 0006012889
 式（４−１）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、Ｒｃ３、Ｒｃ８、ｘ及びｚは前記式（４）と同じである。
Ｒｃ３及びＲｃ８は、好ましくは、それぞれ水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６の環状アルキル基である。
また、上記化合物は好ましくは下記式（５）で表される。
Figure 0006012889
 式（５）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、ｘ及びｚは前記式（１）と同じである。
Ｒｃ２、Ｒｃ４〜Ｒｃ１０は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基である。
上記化合物が式（５）で表される場合、下記式（５−１）で表されるとより好ましい。
Figure 0006012889
 式（５−１）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、Ｒｃ７、ｘ及びｚは前記式（５）と同じである。
Ｒｃ７は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基である。
式（１）において、Ｒｂ１が結合するベンゼン環含有基及びＲｂ２が結合するベンゼン環含有基は、Ｎ原子との結合位置に対するパラ位に置換基を有さない（即ち、水素原子が結合している）ことが好ましい。具体的に、Ｒｂ１が結合するベンゼン環含有基において、Ｒｂ１とＡｒのいずれもがＮ原子との結合位置に対してパラ位に結合せず、Ｒｂ２が結合するベンゼン環含有基において、Ｒｂ２がＮ原子との結合位置に対してパラ位に結合しないことが好ましい。また、式（２）以降においても同様であり、Ｒｂ１が結合するベンゼン環含有基において、Ｒｂ１とＡｒのいずれもがＮ原子との結合位置に対してパラ位に結合せず、Ｒｂ２が結合するベンゼン環含有基において、Ｒｂ２とＡｒのいずれもがＮ原子との結合位置に対してパラ位に結合しないことが好ましい。
本発明の一態様に係る化合物を有機ＥＬ素子の発光層ドーパント材料として使う際に、この位置にアルキル基やアリール基を有することで発光波長が長波長化し、得られる発光の青色色度が低下するおそれがある。有機ＥＬ素子の種々の用途において、深い（短波長の）青色の発光が好適であることから、この位置にはアルキル基やアリール基等を有さないことが好ましい。
なお、上記記載はＲｂ１とＡｒがパラ位に置換することを妨げるものではなく、これらがパラ位に置換していてもよい。
また、式（１）において、ＡｒはＲａに対してパラ位に結合することが好ましい。具体的に、Ｒｂ１が結合するベンゼン環含有基が下記式（１０）で表され、Ｒｂ２が結合するベンゼン環含有基が下記式（１１）で表されると好ましい。この形態とすることで、有機膜内での本発明の一態様に係る化合物の分子配列が好適化すると考えられ、有機ＥＬ素子の発光層ドーパント材料として用いた際に、発光層からのエネルギー移動等が好適化することにより、より高効率な発光が実現できると考えられる。
Figure 0006012889
 式（１０）、（１１）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１、Ｒｂ２及びｘは前記式（１）と同じである。
また、式（１）において、Ｒｂ３及びＲｂ４は、Ｎ原子との結合位置に対してパラ位に結合しないことが好ましい。即ち、Ｎ原子との結合位置に対してメタ位又はオルト位に結合することが好ましく、オルト位に結合することが好ましい。具体的に、Ｒｂ３が結合するベンゼン環含有基が下記式（１２）で表され、及びＲｂ４が結合するベンゼン環含有基が下記式（１３）で表されると好ましい。
Figure 0006012889
 式（１２）、（１３）中、Ｒｂ３及びＲｂ４は前記式（１）と同じである。
Ｒｂ３’及びＲｂ４’は、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基であり、
ｚ１は、それぞれ、０〜４の整数である。
Ｒａは、好ましくはそれぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基である。
Ｒｂ１〜Ｒｂ４は、好ましくは電子吸引性基以外の基であり、具体的に、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基であると好ましい。
また、Ｒｂ１〜Ｒｂ４は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であるとより好ましい。
Ｒｃ１〜Ｒｃ１０は、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４５のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールシリル基が好ましく、置換もしくは無置換の炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１５の環状アルキル基がより好ましい。
本発明の一態様に係る化合物は、具体的には下記式のいずれかで表される化合物であると好ましい。
Figure 0006012889
 式（４−２）、（５−２）中の各基は上記で説明した通りである。
上記の化合物は、実施例に記載の方法により製造することができる。また、この反応に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応や原料を用いることで、本発明の化合物を合成することができる。
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）を包含する。
本発明において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
本発明において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数は６であり、キナゾリン環は環形成原子数が１０であり、フラン環の環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
本発明において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
本発明において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
上記各式で示される各基について、以下に詳細に述べる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が好ましい。
環状アルキル基として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。環形成炭素数は、３〜１０が好ましく、３〜８がより好ましく、５〜８がさらに好ましい。また、３〜６としてもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニルイル基、ｏ−ターフェニル基、ｍ−ターフェニル基、ｐ−ターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
アリール基は、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であり、上述したアリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、が特に好ましい。
アルキルシリル基は、−ＳｉＹ３と表され、Ｙの例としてそれぞれ上記のアルキルの例が挙げられる。アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。
アリールシリル基は、１〜３つのアリール基によって置換されたシリル基であり、アリール基の例としてそれぞれ上記のアリールの例が挙げられる。アリール基の他に上記のアルキル基が置換してもよい。アリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基等が挙げられる。
アルコキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。
アリールオキシ基は、−ＯＺと表され、Ｚの例として上記のアリール基の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
アルキルチオ基は、−ＳＹと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例が挙げられる。
アリールチオ基は、−ＳＺと表され、Ｚの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
アリールアミノ基は、−ＮＺ２と表され、Ｚの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
ヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、トリアジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
上記ヘテロアリール基の環形成原子数は、５〜２０が好ましく、５〜１４がさらに好ましい。
ヘテロアリール基は、好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はカルバゾリル基であり、より好ましくは、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基である。
また、上記の「カルバゾリル基」には以下の構造も含まれる。
Figure 0006012889
また、上記のヘテロアリール基には以下の構造も含まれる。
Figure 0006012889
 （式中、Ｘ，Ｙはそれぞれ酸素原子、硫黄原子、窒素原子又は−ＮＨ−基である。）
ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
また、「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、上記で挙げたものが挙げられる。
これらの置換基には、上記の置換基によって更に置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
本発明の一態様に係る化合物の例を以下に示す。
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
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Figure 0006012889
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Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
上記の化合物は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用材料、好ましくは有機ＥＬ素子用発行材料、より好ましくはドーパント（ドーパント材料）として使用できる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されていて、該有機薄膜層の少なくとも一層が、上記式（１）で表される化合物を単独又は混合物の成分として含有している。
好ましくは、発光層が上記化合物を含有する。発光層は上記化合物のみから構成することも、ホストとして、又はドーパントとして含むこともできる。
また本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、好ましくは有機薄膜層の少なくとも一層に、上記の化合物と、下記式（５）で表されるアントラセン誘導体又は下記式（６）で表されるピレン誘導体を少なくとも１種とを含有する。好ましくは、発光層が、上記化合物をドーパントとして、アントラセン誘導体をホストとして含有する。
式（５）で表されるアントラセン誘導体は、下記化合物である。
Figure 0006012889
式（５）において、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、又は単環基と縮合環基との組合せから構成される基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の単環基、置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０（好ましくは８〜３０、より好ましくは８〜２０、さらに好ましくは８〜１４）の縮合環基、前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１０、さらに好ましくは５〜８）のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数７〜５０（好ましくは７〜２０、より好ましくは７〜１４）のアラルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、及びシアノ基からなる群から選ばれる基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８のすべてが水素原子であるか、又は、Ｒ１０１とＲ１０８の一方、Ｒ１０４とＲ１０６の一方、Ｒ１０１とＲ１０６の双方、若しくはＲ１０８とＲ１０４の双方が、環形成原子数５〜５０の単環基（好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基）、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基（好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基）、及び置換シリル基（好ましくは、トリメチルシリル基）からなる群から選ばれる基であることが好ましく、Ｒ１０１〜Ｒ１０８のすべてが水素原子であることがより好ましい。
式（５）における単環基とは、縮合環構造を持たない環構造のみで構成される基である。
環形成原子数５〜５０の単環基の具体例としては、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クォーターフェニリル基等の芳香族基と、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基等の複素環基が好ましい。
上記単環基としては、中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基が好ましい。
式（５）における、縮合環基とは、２環以上の環構造が縮環した基である。
環形成原子数８〜５０の縮合環基の具体例としては、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基等の縮合芳香族環基や、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基等の縮合複素環基が好ましい。
上記フルオレニル基は、９位に置換基を１つ又は２つ有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基等が挙げられる。このようなフルオレニル基の具体例としては、例えば、９，９−ジメチルフルオレニル基や９，９−ジフェニルフルオレニル基等が挙げられる。以後、フルオレニル基と記載した場合には、特筆しない限り同様の置換基を有していてもよいものとする。
上記縮合環基としては、中でも、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオレニル基（具体的には、９，９−ジメチルフルオレニル基等）、フルオランテニル基、ベンゾアントリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基が好ましい。
式（５）における、アルキル基、シクロアルキル基（環状アルキル基）、アルコキシ基、アラルキル基のアルキル部位とアリール部位、アリールオキシ基、置換シリル基（アルキルシリル基、アリールシリル基）、ハロゲン原子の具体例は、上述の式（１）における各基、及び「置換若しくは無置換の・・・」における置換基の具体例と同様である。
アラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリールの例が挙げられる。アラルキル基は、炭素数７〜５０アラルキル基（アリール部分は炭素数６〜４９（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜４４（好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０、さらに好ましくは１〜１０、特に好ましくは１〜６））であることが好ましく、例えばベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ｒ１〜Ｒ８の「置換もしくは無置換」の好ましい置換基として、単環基、縮合環基、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子（特にフッ素）が好ましく、特に好ましくは、単環基、縮合環基であり、好ましい具体的な置換基は上記の通りである。
尚、Ａｒ１１及びＡｒ１２の置換基は、上述の単環基又は縮合環基が好ましい。
式（５）で表されるアントラセン誘導体は、下記のアントラセン誘導体（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）のいずれかであることが好ましく、適用する有機ＥＬ素子の構成や求める特性により選択される。
アントラセン誘導体（Ａ）
アントラセン誘導体（Ａ）は、式（５）におけるＡｒ１１及びＡｒ１２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基である。当該アントラセン誘導体としては、Ａｒ１１及びＡｒ１２は同一でも異なっていてもよい。
式（５）におけるＡｒ１１及びＡｒ１２が異なる（アントラセン環が結合する位置の違いを含む）置換若しくは無置換の縮合環基であるアントラセン誘導体が特に好ましく、縮合環の好ましい具体例は上述した通りである。中でもナフチル基、フェナントリル基、ベンズアントリル基、フルオレニル基（具体的には、９，９−ジメチルフルオレニル基等）、ジベンゾフラニル基が好ましい。
アントラセン誘導体（Ｂ）
アントラセン誘導体（Ｂ）は、式（５）におけるＡｒ１１及びＡｒ１２の一方が置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基であり、Ａｒ１１及びＡｒ１２の他方が置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基である。
アントラセン誘導体（Ｂ）の好ましい形態としては、Ａｒ１２がナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、フルオレニル基（具体的には、９，９−ジメチルフルオレニル基等）、又はジベンゾフラニル基であり、Ａｒ１１が無置換フェニル基、又は、単環基又は縮合環基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基（具体的には、９，９−ジメチルフルオレニル基等）、ジベンゾフラニル基）で置換されたフェニル基である誘導体が挙げられる。好ましい単環基、縮合環基の具体的な基は上述した通りである。
アントラセン誘導体（Ｂ）の別の好ましい形態としては、Ａｒ１２が置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基であり、Ａｒ１１が無置換のフェニル基である誘導体が挙げられる。この場合、縮合環基としては、フェナントリル基、フルオレニル基（具体的には、９，９−ジメチルフルオレニル基等）、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基が特に好ましい。
アントラセン誘導体（Ｃ）
アントラセン誘導体（Ｃ）は、式（５）におけるＡｒ１１及びＡｒ１２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基である。
アントラセン誘導体（Ｃ）の好ましい形態としては、Ａｒ１１、Ａｒ１２ともに置換若しくは無置換のフェニル基である誘導体が挙げられる。さらに好ましい形態として、Ａｒ１１が無置換のフェニル基であり、Ａｒ１２が単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基である場合と、Ａｒ１１、Ａｒ１２がそれぞれ独立して単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基である場合がある。
前記置換基としての好ましい単環基、縮合環基の具体例は上述した通りである。置換基としてのさらに好ましい単環基は、フェニル基、ビフェニル基であり、置換基としてのさらに好ましい縮合環基は、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基（具体的には、９，９−ジメチルフルオレニル基等）、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基である。
式（５）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、以下に示すものが挙げられる。
Figure 0006012889
Figure 0006012889
Figure 0006012889
式（６）で表されるピレン誘導体は以下の通りである。
Figure 0006012889
 式（６）中、Ａｒ１１１及びＡｒ２２２は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である。
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の２価のアリーレン基又は複素環基を示す。
ｍは０〜１の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜１の整数、ｔは０〜３の整数である。
また、Ｌ１又はＡｒ１１１はピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ２又はＡｒ２２２はピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
式（６）におけるＬ１及びＬ２は、好ましくは置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のビフェニレン基、置換若しくは無置換のナフチレン基、置換若しくは無置換のターフェニレン基、置換若しくは無置換のフルオレニレン基、又はこれら置換基の組合せからなる２価のアリール基である。
また、この置換基としては、上記式（１）における「置換若しくは無置換の・・・」における置換基と同様である。Ｌ１及びＬ２の置換基は、好ましくは、炭素数１〜２０のアルキル基である。
式（６）におけるｍは、好ましくは０〜１の整数である。式（６）におけるｎは、好ましくは１〜２の整数である。式（６）におけるｓは、好ましくは０〜１の整数である。式（６）におけるｔは、好ましくは０〜２の整数である。
Ａｒ１１１及びＡｒ２２２のアリール基は、上記式（１）におけるアリール基と同様である。好ましくは、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、より好ましくは、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜１６のアリール基であり、アリール基の好ましい具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ビフェニル基、アントリル基、ピレニル基である。
式（１）で表される化合物をドーパントとして含むとき、式（１）で表される化合物の含有量は、有機薄膜層中０．１〜２０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。
式（１）で表される化合物とアントラセン誘導体又はピレン誘導体は、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層に用いることもできる。
本発明の一態様において、有機薄膜層が複数層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極）等の構成で積層したものが挙げられる。
有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率が向上する場合がある。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
式（１）で表される化合物と共に発光層に使用できる上記式（５）、（６）以外の材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン等の縮合多環芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、又は高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）等も使用できる。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子においては、発光層中に、式（１）で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、正孔輸送材料及び電子注入材料の少なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。
基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機ＥＬ材料として式（１）で表される化合物と溶媒とを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を用いることができる。
前記有機ＥＬ材料が、ホスト材料とドーパント材料とを含み、前記ドーパント材料が式（１）で表される化合物であり、前記ホスト材料が式（５）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種であると好ましい。
いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
本発明の一態様における有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の一態様における化合物は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
以下、本発明を実施例により説明する。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１＜化合物１の合成＞
下記のスキームに従い、化合物１を合成した。
Figure 0006012889
（１−１）２−メチル−５−フェニルアニリンの合成
アルゴン雰囲気下、５−ブロモ−２−メチルアニリン（１０．０ｇ）、フェニルボロン酸（８．５２ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．８６ｇ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（８０．６ｍＬ）及び１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）（１３５ｍＬ）の混合物を５時間還流した。得られた反応液を室温に冷却し、ジクロロメタンで抽出を行った後、有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた２−メチル−５−フェニルアニリンの粗精製物をそのまま次工程に用いた。
（１−２）２−メチル−Ｎ−（ｏ−トリル）−５−フェニルアニリンの合成
アルゴン雰囲気下、工程（１−１）で得た２−メチル−５−フェニルアニリンの粗精製物、２−ブロモトルエン（７．３５ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．９８ｇ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）（１．６７ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（７．７５ｇ）及びトルエン（２７０ｇ）の混合物を５時間還流した。得られた反応液を室温に冷却し、水を加え、トルエンで抽出を行った後、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２−メチル−Ｎ−（ｏ−トリル）−５−フェニルアニリン（１０．１７ｇ）を得た。２工程で収率６９％であった。
（１−３）化合物１の合成
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモピレン（５．８２ｇ）、工程（１−２）で得た２−メチル−Ｎ−（ｏ−トリル）−５−フェニルアニリン（１０．１７ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．８９ｇ）、テトラフルオロほう酸トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．５６ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（６．２２ｇ）及びトルエン（１６２ｍＬ）の混合物を７時間還流した。得られた反応液を室温に冷却し、水を加え、トルエンで抽出を行った後、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物１（０．２９ｇ）を得た。収率３％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物１であり、分子量７４４．３５に対しｍ／ｅ＝７４４であった。
実施例２＜化合物２の合成＞
下記のスキームに従い、化合物２を合成した。
Figure 0006012889
（２−１）２−ブロモ−４−ヨードトルエンの合成
アルゴン雰囲気下、３−ブロモ−４−メチルアニリン（１８．６ｇ）と６Ｍ塩酸（８０ｍＬ）の混合物を−５℃に冷却し、０℃以下を保ちながら亜硝酸ナトリウム（７．３５ｇ）の水溶液（１５ｍＬ）を滴下した後、−８℃にて４５分間撹拌した。得られた混合物に、０℃以下を保ちながらヨウ化カリウム（３３．２ｇ）を３時間かけて加えた。得られた反応混合物を室温に戻し、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍＬ）を加え、ジエチルエーテルで抽出を行った後、有機層を１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２−ブロモ−４−ヨードトルエン（１４．５ｇ）を得た。収率４９％であった。
（２−２）２−ブロモ−１−メチル−４−フェニルベンゼンの合成
アルゴン雰囲気下、工程（２−１）で得た２−ブロモ−４−ヨードトルエン（１４．５ｇ）、フェニルボロン酸（６．３５ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．６９ｇ）、炭酸カリウム（２０．２ｇ）、１，４−ジオキサン（１１７ｍＬ）及び水（１３ｍＬ）の混合物を３時間還流した。得られた反応混合物を室温に冷却し、ジクロロメタンで抽出を行った後、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２−ブロモ−１−メチル−４−フェニルベンゼン（８．６ｇ）を得た。収率７１％であった。
（２−３）Ｎ，Ｎ−ビス（２−メチル−５−フェニルフェニル）アミンの合成
アルゴン雰囲気下、実施例１の工程（１−１）と同様の操作で、５−ブロモ−２−メチルアニリン６．５９ｇから製造した２−メチル−５−フェニルアニリンの粗精製物、工程（２−２）で得た２−ブロモ−１−メチル−４−フェニルベンゼン（７．０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．６５ｇ）、ＢＩＮＡＰ（１．１ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（５．１ｇ）及びトルエン（１００ｍＬ）の混合物を４．５時間還流した。得られた反応混合物を室温に冷却し、セライト濾過を行った後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メチル−５−フェニルフェニル）アミン（６．０３ｇ）を得た。収率６１％であった。
（２−４）化合物２の合成
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモピレン（５．０９ｇ）、工程（２−３）で得たＮ，Ｎ−ビス（２−メチル−５−フェニルフェニル）アミン（１１．８７ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．７８ｇ）、テトラフルオロほう酸トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．８２ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４．０８ｇ）及びトルエン（１５０ｍＬ）の混合物を６．５時間還流した。反応混合物に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１６ｇ）及びテトラフルオロほう酸トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．１６ｇ）を加え、さらに５時間還流した。得られた反応液を室温に冷却し、水を加え、系内に生成した固体をろ取して水、メタノールで洗浄した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物２（２．１８ｇ）を得た。収率１７％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物２であり、分子量８９６．４１に対しｍ／ｅ＝８９６であった。
実施例３＜化合物３の合成＞
Figure 0006012889
実施例１において、５−ブロモ−２−メチルアニリンの代わりに３−ブロモ−２−メチルアニリンを用いた以外は同様の操作を行い、化合物３を得た。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物３であり、分子量７４４．３５に対しｍ／ｅ＝７４４であった。
実施例４＜化合物４の合成＞
下記スキームに従い、化合物４を合成した。
Figure 0006012889
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロピルピレン（１８．４ｇ）、工程（１−２）で得た２−メチル−Ｎ−（ｏ−トリル）−５−フェニルアニリン（１０．１７ｇ）、酢酸パラジウム（II）（０．３７ｇ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．６７ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（９．６ｇ）及びキシレン（４３０ｍＬ）の混合物を１０５℃にて２１．５時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、メタノールを加え３時間撹拌した。析出した固体をろ取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物４（１３．４ｇ）を得た。収率３７％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物４であり、分子量８２８．４４に対しｍ／ｅ＝８２８であった。
実施例５＜化合物５の合成＞
下記スキームに従い、化合物５を合成した。
Figure 0006012889
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロピルピレン（１４ｇ）、工程（２−３）で得たＮ，Ｎ−ビス（２−メチル−５−フェニルフェニル）アミン（２４．２ｇ）、酢酸パラジウム（II）（０．２８ｇ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．５１ｇ）、ＬｉＨＭＤＳのトルエン溶液（１Ｍ、７５．６ｍＬ）及びキシレン（２８０ｍＬ）の混合物を１１０℃にて１３時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、メタノールを加え０．５時間撹拌した。析出した固体をろ取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物５（１６．６ｇ）を得た。収率５３％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物５であり、分子量９８０．５１に対しｍ／ｅ＝９８０であった。
実施例６＜化合物６の合成＞
下記スキームに従い、化合物６を合成した。
Figure 0006012889
（６−１）３−ヨード−４−メチルビフェニルの合成
２−メチル−Ｎ−（ｏ−トリル）−５−フェニルアニリン（６２．６ｇ）、アセトニトリル（１３０ｍＬ）及び氷水（２００ｇ）に、０℃以下に保ちながら濃塩酸（１６９ｍＬ）を滴下し３０分間撹拌した。得られた反応液に、−５℃にて亜硝酸ナトリウム（２８．４ｇ）の水溶液（２５０ｍＬ）を滴下し、−５℃にて１時間撹拌した。得られた反応液に、−２℃に保ちながらヨウ化カリウム（１４２ｇ）の水溶液（２００ｍＬ）を加え、反応液を室温に戻し終夜撹拌した。得られた反応液にクロロホルム、チオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、撹拌した。反応液を分液し、クロロホルム層を水で洗浄し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３−ヨード−４−メチルビフェニル（７３．４ｇ）を得た。収率７３％であった。
（６−２）２−メチル−５−フェニル−Ｎ−（３−ビフェニル）アニリンの合成
アルゴン雰囲気下、工程（６−１）で合成した３−ヨード−４−メチルビフェニル（３８ｇ）、３−アミノビフェニル（４３．７ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（４．５７ｇ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）（２．４１ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（２７．３ｇ）及びキシレン（８２０ｍＬ）の混合物を１０５℃で９時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２−メチル−５−フェニル−Ｎ−（３−ビフェニル）アニリン（２３ｇ）を得た。収率５３％であった。
（６−３）化合物６の合成
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモピレン（１０ｇ）、工程（６−２）で得られた２−メチル−５−フェニル−Ｎ−（３−ビフェニル）アニリン（２０．５ｇ）、酢酸パラジウム（II）（０．２５ｇ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．４５ｇ）、ＬｉＨＭＤＳのトルエン溶液（１Ｍ、６７ｍＬ）及びキシレン（３００ｍＬ）の混合物を１２０℃にて１８時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物６（１７．９ｇ）を得た。収率７４％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物６であり、分子量８６８．３８に対しｍ／ｅ＝８６８であった。
参考例１＜化合物７の合成＞
下記スキームに従い、化合物７を合成した。
Figure 0006012889
（７−１）３−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）ベンゾニトリルの合成
アルゴン雰囲気下、３−アミノベンゾニトリル（２．４１ｇ）、３−ヨード−４−メチルビフェニル（５．０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．２３ｇ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）（０．３２ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（２．４５ｇ）及びキシレン（５７ｍＬ）の混合物を１１０℃で１時間、次いで１３０℃で２時間撹拌した。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．２３ｇ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）（０．３２ｇ）を加え１４時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）ベンゾニトリル（２．３２ｇ）を得た。収率４８％であった。
（７−２）化合物７の合成
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロピルピレン（１．６５ｇ）、工程（７−１）で得た３−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）ベンゾニトリル（２．３２ｇ）、酢酸パラジウム（II）（０．０３３ｇ）、テトラフルオロほう酸トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．０８６ｇ）、ＬｉＨＭＤＳのトルエン溶液（１Ｍ、８．９ｍＬ）及びキシレン（７４ｍＬ）の混合物を１２０℃にて終夜撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物７（１．９ｇ）を得た。収率６０％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物７であり、分子量８５０．４０に対しｍ／ｅ＝８５０であった。
参考例２＜化合物８の合成＞
下記のスキームに従い、化合物８を合成した。
Figure 0006012889
（８−１）４−メチル−３−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）ベンゾニトリルの合成
アルゴン雰囲気下、３−ブロモ−４−メチルベンゾニトリル（５．８８ｇ）、２−メチル−Ｎ−（ｏ−トリル）−５−フェニルアニリン（５．０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．５０ｇ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）（０．６８ｇ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（３．９３ｇ）及びキシレン（９１ｍＬ）の混合物を１１０℃で３．５時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４−メチル−３−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）ベンゾニトリル（５．２５ｇ）を得た。収率６３％であった。
（８−２）化合物８の合成
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロピルピレン（５．０ｇ）、工程（８−１）と同様の操作で得た４−メチル−３−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）ベンゾニトリル（７．３９ｇ）、酢酸パラジウム（II）（０．１０ｇ）、テトラフルオロほう酸トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．２６ｇ）、ＬｉＨＭＤＳのトルエン溶液（１Ｍ、２７ｍＬ）及びキシレン（２２５ｍＬ）の混合物を１２５℃にて６時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物８（４．２６ｇ）を得た。収率４３％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物８であり、分子量８７８．４３に対しｍ／ｅ＝８７８であった。
参考例３＜化合物９の合成＞
下記のスキームに従い、化合物９を合成した。
Figure 0006012889
（９−１）４−フルオロ−２−フェニルベンゾニトリルの合成
アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−４−フルオロベンゾニトリル（２５．０ｇ）、フェニルボロン酸（１８．３２ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２．８９ｇ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１２５ｍＬ）及び１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）（２５０ｍＬ）の混合物を８０℃で３時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、酢酸エチルで抽出を行った後、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４−フルオロ−２−フェニルベンゾニトリル（２２．１ｇ）を得た。収率９０％であった。
（９−２）４−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）−２−フェニルベンゾニトリルの合成
２−メチル−Ｎ−（ｏ−トリル）−５−フェニルアニリン（９．１６ｇ）のＤＭＳＯ（３２ｍＬ）溶液に水素化ナトリウム（２．２ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した。得られた反応液に（９−１）で合成した４−フルオロ−２−フェニルベンゾニトリル（４．９３ｇ）のＤＭＳＯ（３１ｍＬ）溶液を、水冷下で１時間かけて滴下し、６時間撹拌した。得られた反応液をトルエン（１５０ｍＬ）で希釈し、塩酸−氷の混合物中（１００ｍＬ）に加え、１時間撹拌した。得られた混合物を分液し、トルエン層を塩酸、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）−２−フェニルベンゾニトリル（２．７３ｇ）を得た。収率３０％であった。
（９−３）化合物９の合成
アルゴン雰囲気下、１，６−ジブロモ−３，８−ジイソプロピルピレン（３．５ｇ）、工程（９−２）と同様の操作で得た４−（２−メチル−５−フェニルアニリノ）−２−フェニルベンゾニトリル（５．６８ｇ）、酢酸パラジウム（II）（０．０７ｇ）、テトラフルオロほう酸トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．１８ｇ）、ＬｉＨＭＤＳのトルエン溶液（１Ｍ、１８．９ｍＬ）及びキシレン（１５８ｍＬ）の混合物を１２５℃にて６時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却し、水を加え撹拌し、生成した固体をろ取した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶で精製し、化合物９（４．８ｇ）を得た。収率６０％であった。得られたものは、マススペクトル分析の結果化合物９であり、分子量１００２．４７に対しｍ／ｅ＝１００２であった。
実施例１０
＜有機ＥＬ素子の作製＞
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＩ−１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＩ−１膜を形成した。このＨＩ−１膜は、正孔注入層として機能する。
このＨＩ−１膜の成膜に続けて化合物ＨＴ−１を蒸着し、ＨＩ−１膜上に膜厚８０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜した。このＨＴ−１膜は第１の正孔輸送層として機能する。
ＨＴ−１膜の成膜に続けて化合物ＨＴ−２を蒸着し、ＨＴ−１膜上に膜厚１０ｎｍのＨＴ−２膜を成膜した。このＨＴ−２膜は第２の正孔輸送層として機能する。
ＨＴ−２膜上にＢＨ−１（ホスト材料）及び化合物１（ドーパント材料）を化合物の割合（重量比）が４％となるように共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を成膜した。
この発光層上にＥＴ−１を蒸着し、膜厚２５ｎｍの電子輸送層を形成した。この電子輸送層上に電子注入材料であるＥＴ−２を蒸着して、膜厚１０ｎｍの電子注入層を形成した。この電子注入層上にＬｉＦを蒸着して、膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を形成した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
以上のようにして有機ＥＬ素子を作製した。用いた化合物を以下に示す。
Figure 0006012889
＜有機ＥＬ素子の評価＞
製造した有機ＥＬ素子について以下のように評価を行った。即ち、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、ＥＬ発光スペクトルを分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コニカミノルタ社製）にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、外部量子効率ＥＱＥ（％）及び発光ピーク波長を算出した。結果を表１に示す。
実施例１１〜１５、参考例４〜５、比較例１〜６
化合物１の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は実施例１０と同様に有機ＥＬ素子の作成し、評価した。結果を表１に示す。
Figure 0006012889
Figure 0006012889
実施例１８
＜有機ＥＬ素子の作製＞
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＩ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの化合物ＨＩ−１膜を形成した。このＨＩ−１膜は、正孔注入層として機能する。
このＨＩ−１膜の成膜に続けて化合物ＨＴ−１を蒸着し、ＨＩ−１膜上に膜厚９０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜した。このＨＴ−１膜は第１の正孔輸送層として機能する。
ＨＴ−１膜の成膜に続けて化合物ＨＴ−２を蒸着し、ＨＴ−１膜上に膜厚５ｎｍのＨＴ−２膜を成膜した。このＨＴ−２膜は第２の正孔輸送層として機能する。
ＨＴ−２膜上にＢＨ−２（ホスト材料）及び化合物１（ドーパント材料）を化合物の割合（重量比）が４％となるように共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を成膜した。
この発光層上にＥＴ−３を蒸着し、膜厚５ｎｍの電子輸送層を形成した。この電子輸送層上にＥＴ−２とＥＴ−４を重量比１：１となる様に蒸着して、膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。この電子注入層上にＥＴ−４を蒸着して、膜厚１ｎｍのＥＴ−４膜を形成した。このＥＴ−４膜上に金属Ａｌを蒸着して、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
以上のようにして有機ＥＬ素子を作製した。用いた化合物を以下に示す。
Figure 0006012889
＜有機ＥＬ素子の評価＞
製造した有機ＥＬ素子について以下のように評価を行った。即ち、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、ＥＬ発光スペクトルを分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コニカミノルタ社製）にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、外部量子効率ＥＱＥ（％）及び発光ピーク波長を算出した。結果を表２に示す。
実施例１９〜２７、比較例７、８
化合物１及びＢＨ−２の代わりに、表２に記載の化合物を用いた以外は実施例１８と同様に有機ＥＬ素子の作成し、評価した。用いた化合物を以下に示す。結果を表２に示す。
Figure 0006012889
Figure 0006012889
表１及び表２より、本発明の一態様に係る化合物を有機ＥＬ素子に用いると、効率に優れることが分かる。
本発明の一態様に係る化合物は、ジアミノピレン構造の一方の側鎖置換基（フェニル基）の少なくとも１つに、オルト位のアルキル基と１以上のアリール基を同時に有することにより、高効率化が得られる。フェニル基のオルト位にアルキル基が存在することにより、ホスト材料から得たエネルギーを光に変換する際のエネルギーロスを低減できると考えられ、１以上のアリール基を有することで発光層ホスト材料との相互作用性が適正化し、円滑なエネルギー移動と発光が行われるため、発光効率の向上に寄与すると考えられる。
比較化合物１、４及び６との比較により、当該オルト位のアルキル基が発光効率向上に寄与していることが分かり、比較化合物３及び５との比較により、アリール基の存在が発光効果に寄与していることが分かる。また、比較化合物２のように、中心ピレン以外に縮合環の置換基が直結するものと比較した場合、本発明の一態様に係る化合物は側鎖置換基の振動による失活が低減されると考えられ、より高い効率が得られている。
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。

Claims (23)

  1. 下記式（４）で表される化合物。
    Figure 0006012889
     （式（４）中、Ａｒは、置換もしくは無置換のフェニル基であり、
    Ｒａは、それぞれ、無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
    Ｒｂ１〜Ｒｂ４は、それぞれ、無置換の炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基であり、
    Ｒｃ２〜Ｒｃ５、Ｒｃ７〜Ｒｃ１０は、それぞれ、水素原子、無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
    ｘは、それぞれ０〜３の整数であり、
    ｚは、それぞれ０〜５の整数であり、
    ｘが２以上の整数である場合、複数のＲｂ１又は複数のＲｂ2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｚが２以上の整数である場合、複数のＲｂ３又はＲｂ４はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
    但し、Ｒｂ１〜Ｒｂ４が置換基を有する場合の置換基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、又はｎ−ヘキシル基であり、
    Ａｒが置換基を有する場合の置換基は、メチル基、イソプロピル基、又はｔ−ブチル基である。）
  2. 下記式（４−１）で表される請求項１に記載の化合物。
    Figure 0006012889
     （式（４−１）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、Ｒｃ３、Ｒｃ８、ｘ及びｚは前記式（４）と同じである。）
  3. 下記式（５）で表される化合物。
    Figure 0006012889
     （式（５）中、Ａｒは、置換もしくは無置換のフェニル基であり、
    Ｒａは、それぞれ、無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
    Ｒｂ１〜Ｒｂ４は、それぞれ、無置換の炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基であり、
    Ｒｃ２及びＲｃ４〜Ｒｃ１０は、それぞれ、水素原子、無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
    ｘは、それぞれ０〜３の整数であり、
    ｚは、それぞれ０〜５の整数であり、
    ｘが２以上の整数である場合、複数のＲｂ１又は複数のＲｂ2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｚが２以上の整数である場合、複数のＲｂ３又はＲｂ４はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
    但し、Ｒｂ１〜Ｒｂ４が置換基を有する場合の置換基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、又はｎ−ヘキシル基であり、
    Ａｒが置換基を有する場合の置換基は、メチル基、イソプロピル基、又はｔ−ブチル基である。）
  4. 下記式（５−１）で表される請求項３に記載の化合物。
    Figure 0006012889
     （式（５−１）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１〜Ｒｂ４、Ｒｃ７、ｘ及びｚは前記式（５）と同じである。）
  5. Ｒｂ１が結合するベンゼン環含有基において、Ｒｂ１とＡｒのいずれもがＮ原子との結合位置に対してパラ位に結合せず、かつＲｂ２が結合するベンゼン環含有基において、Ｒｂ２がＮ原子との結合位置に対してパラ位に結合しない請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
  6. Ｒｂ１が結合するベンゼン環含有基が下記式（１０）で表され、Ｒｂ２が結合するベンゼン環含有基が下記式（１１）で表される請求項１〜５のいずれかに記載の化合物。
    Figure 0006012889
     （式（１０）、（１１）中、Ａｒ、Ｒａ、Ｒｂ１、Ｒｂ２及びｘは前記式（１）と同じである。）
  7. Ｒｂ３が結合するベンゼン環含有基が下記式（１２）で表され、かつＲｂ４が結合するベンゼン環含有基が下記式（１３）で表される請求項１〜６のいずれかに記載の化合物。
    Figure 0006012889
     （式（１２）、（１３）中、Ｒｂ３及びＲｂ４は前記式（１）と同じである。
    Ｒｂ３’及びＲｂ４’は、それぞれ、無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
    ｚ１は、それぞれ、０〜４の整数である。）
  8. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜７のいずれかに記載の化合物。
  9. 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料である請求項１〜７のいずれかに記載の化合物。
  10. 有機エレクトロルミネッセンス素子用ドーピング材料である請求項１〜７のいずれかに記載の化合物。
  11. 陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜７のいずれかに記載の化合物を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 前記少なくとも一層が、発光層である請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 前記化合物がドーパント材料である請求項１１又は１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  14. 前記少なくとも一層が請求項１〜７のいずれかに記載の化合物と、下記式（５）で表される化合物とを含有する請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0006012889
     （式（５）において、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、又は前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基であり、
    Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、前記単環基と前記縮合環基の組合せから構成される基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基から選ばれる基である。）
  15. 前記式（５）において、Ａｒ１１、Ａｒ１２がそれぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜５０の縮合環基である請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  16. 前記式（５）において、Ａｒ１１及びＡｒ１２の一方が置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基であり、他方が置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基である請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  17. 前記式（５）において、Ａｒ１２がナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、フルオレニル基又はジベンゾフラニル基であり、Ａｒ１１が無置換又は、単環基又は縮合環基が置換されたフェニル基である請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  18. 前記式（５）において、Ａｒ１２が置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基であり、Ａｒ１１が無置換のフェニル基である請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  19. 前記式（５）において、Ａｒ１１及びＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基である請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20. 前記式（５）において、Ａｒ１１、Ａｒ１２がそれぞれ独立に置換もしくは無置換のフェニル基である請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  21. 前記式（５）において、Ａｒ１１が無置換のフェニル基であり、Ａｒ１２が、単環基又は縮合環基を置換基として有するフェニル基である請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  22. 前記式（５）において、Ａｒ１１、Ａｒ１２がそれぞれ独立に、単環基又は縮合環基を置換基として有するフェニル基である請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  23. 請求項１１〜２２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017036293A (ja) * 2014-09-19 2017-02-16 出光興産株式会社 新規な化合物

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10367147B2 (en) 2015-05-27 2019-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10312449B2 (en) 2015-05-27 2019-06-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11244367B2 (en) 2016-04-01 2022-02-08 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for integrating privacy information management systems with data loss prevention tools or other tools for privacy design
US20220164840A1 (en) 2016-04-01 2022-05-26 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for integrating privacy information management systems with data loss prevention tools or other tools for privacy design
JPWO2017188111A1 (ja) * 2016-04-26 2019-02-28 学校法人関西学院 有機電界発光素子
KR102120517B1 (ko) * 2016-04-28 2020-06-08 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102044057B1 (ko) 2016-04-28 2019-11-12 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US11228620B2 (en) 2016-06-10 2022-01-18 OneTrust, LLC Data processing systems for data-transfer risk identification, cross-border visualization generation, and related methods
US11336697B2 (en) 2016-06-10 2022-05-17 OneTrust, LLC Data processing systems for data-transfer risk identification, cross-border visualization generation, and related methods
US11675929B2 (en) 2016-06-10 2023-06-13 OneTrust, LLC Data processing consent sharing systems and related methods
US11461500B2 (en) 2016-06-10 2022-10-04 OneTrust, LLC Data processing systems for cookie compliance testing with website scanning and related methods
US11586700B2 (en) 2016-06-10 2023-02-21 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for automatically blocking the use of tracking tools
US10318761B2 (en) 2016-06-10 2019-06-11 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for auditing data request compliance
US11416590B2 (en) 2016-06-10 2022-08-16 OneTrust, LLC Data processing and scanning systems for assessing vendor risk
US11475136B2 (en) 2016-06-10 2022-10-18 OneTrust, LLC Data processing systems for data transfer risk identification and related methods
US11222142B2 (en) 2016-06-10 2022-01-11 OneTrust, LLC Data processing systems for validating authorization for personal data collection, storage, and processing
US11200341B2 (en) 2016-06-10 2021-12-14 OneTrust, LLC Consent receipt management systems and related methods
US10284604B2 (en) 2016-06-10 2019-05-07 OneTrust, LLC Data processing and scanning systems for generating and populating a data inventory
US11403377B2 (en) 2016-06-10 2022-08-02 OneTrust, LLC Privacy management systems and methods
US11188862B2 (en) 2016-06-10 2021-11-30 OneTrust, LLC Privacy management systems and methods
US10685140B2 (en) 2016-06-10 2020-06-16 OneTrust, LLC Consent receipt management systems and related methods
US11520928B2 (en) 2016-06-10 2022-12-06 OneTrust, LLC Data processing systems for generating personal data receipts and related methods
US11210420B2 (en) 2016-06-10 2021-12-28 OneTrust, LLC Data subject access request processing systems and related methods
US11301796B2 (en) 2016-06-10 2022-04-12 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for customizing privacy training
US11636171B2 (en) 2016-06-10 2023-04-25 OneTrust, LLC Data processing user interface monitoring systems and related methods
US11222309B2 (en) 2016-06-10 2022-01-11 OneTrust, LLC Data processing systems for generating and populating a data inventory
US10997318B2 (en) 2016-06-10 2021-05-04 OneTrust, LLC Data processing systems for generating and populating a data inventory for processing data access requests
US11418492B2 (en) 2016-06-10 2022-08-16 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for using a data model to select a target data asset in a data migration
US11651106B2 (en) 2016-06-10 2023-05-16 OneTrust, LLC Data processing systems for fulfilling data subject access requests and related methods
US11651104B2 (en) 2016-06-10 2023-05-16 OneTrust, LLC Consent receipt management systems and related methods
US11343284B2 (en) 2016-06-10 2022-05-24 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for performing privacy assessments and monitoring of new versions of computer code for privacy compliance
US11366786B2 (en) 2016-06-10 2022-06-21 OneTrust, LLC Data processing systems for processing data subject access requests
US11341447B2 (en) 2016-06-10 2022-05-24 OneTrust, LLC Privacy management systems and methods
US11277448B2 (en) * 2016-06-10 2022-03-15 OneTrust, LLC Data processing systems for data-transfer risk identification, cross-border visualization generation, and related methods
US11328092B2 (en) 2016-06-10 2022-05-10 OneTrust, LLC Data processing systems for processing and managing data subject access in a distributed environment
US11294939B2 (en) 2016-06-10 2022-04-05 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for automatically detecting and documenting privacy-related aspects of computer software
US10592648B2 (en) 2016-06-10 2020-03-17 OneTrust, LLC Consent receipt management systems and related methods
US10909265B2 (en) 2016-06-10 2021-02-02 OneTrust, LLC Application privacy scanning systems and related methods
US10282559B2 (en) 2016-06-10 2019-05-07 OneTrust, LLC Data processing systems for identifying, assessing, and remediating data processing risks using data modeling techniques
US11410106B2 (en) 2016-06-10 2022-08-09 OneTrust, LLC Privacy management systems and methods
US11134086B2 (en) 2016-06-10 2021-09-28 OneTrust, LLC Consent conversion optimization systems and related methods
US11366909B2 (en) 2016-06-10 2022-06-21 OneTrust, LLC Data processing and scanning systems for assessing vendor risk
US10467432B2 (en) 2016-06-10 2019-11-05 OneTrust, LLC Data processing systems for use in automatically generating, populating, and submitting data subject access requests
US11416589B2 (en) 2016-06-10 2022-08-16 OneTrust, LLC Data processing and scanning systems for assessing vendor risk
US11392720B2 (en) 2016-06-10 2022-07-19 OneTrust, LLC Data processing systems for verification of consent and notice processing and related methods
US11354435B2 (en) 2016-06-10 2022-06-07 OneTrust, LLC Data processing systems for data testing to confirm data deletion and related methods
US11544667B2 (en) 2016-06-10 2023-01-03 OneTrust, LLC Data processing systems for generating and populating a data inventory
US11227247B2 (en) 2016-06-10 2022-01-18 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for bundled privacy policies
US11438386B2 (en) 2016-06-10 2022-09-06 OneTrust, LLC Data processing systems for data-transfer risk identification, cross-border visualization generation, and related methods
US11188615B2 (en) 2016-06-10 2021-11-30 OneTrust, LLC Data processing consent capture systems and related methods
US11354434B2 (en) 2016-06-10 2022-06-07 OneTrust, LLC Data processing systems for verification of consent and notice processing and related methods
US11727141B2 (en) 2016-06-10 2023-08-15 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for synching privacy-related user consent across multiple computing devices
US10678945B2 (en) 2016-06-10 2020-06-09 OneTrust, LLC Consent receipt management systems and related methods
US10846433B2 (en) 2016-06-10 2020-11-24 OneTrust, LLC Data processing consent management systems and related methods
US10510031B2 (en) 2016-06-10 2019-12-17 OneTrust, LLC Data processing systems for identifying, assessing, and remediating data processing risks using data modeling techniques
US11562097B2 (en) 2016-06-10 2023-01-24 OneTrust, LLC Data processing systems for central consent repository and related methods
US10949565B2 (en) 2016-06-10 2021-03-16 OneTrust, LLC Data processing systems for generating and populating a data inventory
US10909488B2 (en) 2016-06-10 2021-02-02 OneTrust, LLC Data processing systems for assessing readiness for responding to privacy-related incidents
US11416109B2 (en) 2016-06-10 2022-08-16 OneTrust, LLC Automated data processing systems and methods for automatically processing data subject access requests using a chatbot
US11238390B2 (en) 2016-06-10 2022-02-01 OneTrust, LLC Privacy management systems and methods
US10878127B2 (en) 2016-06-10 2020-12-29 OneTrust, LLC Data subject access request processing systems and related methods
US10606916B2 (en) 2016-06-10 2020-03-31 OneTrust, LLC Data processing user interface monitoring systems and related methods
US10896394B2 (en) 2016-06-10 2021-01-19 OneTrust, LLC Privacy management systems and methods
US11625502B2 (en) 2016-06-10 2023-04-11 OneTrust, LLC Data processing systems for identifying and modifying processes that are subject to data subject access requests
US11222139B2 (en) 2016-06-10 2022-01-11 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for automatic discovery and assessment of mobile software development kits
US11295316B2 (en) 2016-06-10 2022-04-05 OneTrust, LLC Data processing systems for identity validation for consumer rights requests and related methods
US11416798B2 (en) 2016-06-10 2022-08-16 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for providing training in a vendor procurement process
US10740487B2 (en) 2016-06-10 2020-08-11 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for populating and maintaining a centralized database of personal data
US11481710B2 (en) 2016-06-10 2022-10-25 OneTrust, LLC Privacy management systems and methods
KR101900726B1 (ko) * 2016-07-14 2018-09-20 에스에프씨주식회사 고효율 특성을 갖는 유기 발광 소자
CN108129332B (zh) * 2016-12-01 2021-12-17 北京鼎材科技有限公司 一种芴取代衍生物及其应用
KR20190128179A (ko) 2017-03-24 2019-11-15 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
US10013577B1 (en) 2017-06-16 2018-07-03 OneTrust, LLC Data processing systems for identifying whether cookies contain personally identifying information
JP2019038798A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 学校法人関西学院 多環芳香族化合物
CN109776335B (zh) * 2017-11-15 2022-03-18 武汉尚赛光电科技有限公司 芘的胺类衍生物及其制备方法、应用和器件
CN108373922B (zh) * 2018-01-30 2021-03-30 山西大学 一种含芘的手性发光液晶化合物及其制备方法
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
WO2019235452A1 (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 学校法人関西学院 ターシャリーアルキル置換多環芳香族化合物
US10803202B2 (en) 2018-09-07 2020-10-13 OneTrust, LLC Data processing systems for orphaned data identification and deletion and related methods
US11544409B2 (en) 2018-09-07 2023-01-03 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for automatically protecting sensitive data within privacy management systems
CN113785411B (zh) 2019-03-07 2023-04-11 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
KR20210043776A (ko) * 2019-10-11 2021-04-22 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
US11797528B2 (en) 2020-07-08 2023-10-24 OneTrust, LLC Systems and methods for targeted data discovery
EP4189569A1 (en) 2020-07-28 2023-06-07 OneTrust LLC Systems and methods for automatically blocking the use of tracking tools
US11475165B2 (en) 2020-08-06 2022-10-18 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for automatically redacting unstructured data from a data subject access request
US11436373B2 (en) 2020-09-15 2022-09-06 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for detecting tools for the automatic blocking of consent requests
US20230334158A1 (en) 2020-09-21 2023-10-19 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for automatically detecting target data transfers and target data processing
US11397819B2 (en) 2020-11-06 2022-07-26 OneTrust, LLC Systems and methods for identifying data processing activities based on data discovery results
US11687528B2 (en) 2021-01-25 2023-06-27 OneTrust, LLC Systems and methods for discovery, classification, and indexing of data in a native computing system
US11442906B2 (en) 2021-02-04 2022-09-13 OneTrust, LLC Managing custom attributes for domain objects defined within microservices
US11494515B2 (en) 2021-02-08 2022-11-08 OneTrust, LLC Data processing systems and methods for anonymizing data samples in classification analysis
US11601464B2 (en) 2021-02-10 2023-03-07 OneTrust, LLC Systems and methods for mitigating risks of third-party computing system functionality integration into a first-party computing system
WO2022178089A1 (en) 2021-02-17 2022-08-25 OneTrust, LLC Managing custom workflows for domain objects defined within microservices
US11546661B2 (en) 2021-02-18 2023-01-03 OneTrust, LLC Selective redaction of media content
US11533315B2 (en) 2021-03-08 2022-12-20 OneTrust, LLC Data transfer discovery and analysis systems and related methods
US11562078B2 (en) 2021-04-16 2023-01-24 OneTrust, LLC Assessing and managing computational risk involved with integrating third party computing functionality within a computing system
US11620142B1 (en) 2022-06-03 2023-04-04 OneTrust, LLC Generating and customizing user interfaces for demonstrating functions of interactive user environments

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004083162A1 (ja) * 2003-03-20 2004-09-30 Idemitsu Kosan Co. Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010053131A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sfc Co Ltd ピレン系化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
US20100141124A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Lee Seung-Jae Blue fluorescent compound and organic electroluminescent device using the same
KR20110015213A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 에스에프씨 주식회사 청색 발광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR20110054192A (ko) * 2009-11-17 2011-05-25 엘지디스플레이 주식회사 청색 형광 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자와 그 제조방법
WO2014034893A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014506232A (ja) * 2010-10-15 2014-03-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための化合物
KR20140126108A (ko) * 2013-04-22 2014-10-30 에스에프씨 주식회사 아릴 아민기를 포함하는 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2015173263A (ja) * 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 有機化合物、発光素子、ディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
CN105037173A (zh) * 2014-04-29 2015-11-11 Sfc株式会社 有机电致发光化合物及包含其的有机电致发光元件
CN105085334A (zh) * 2014-05-12 2015-11-25 Sfc株式会社 有机电致发光化合物及包含其的有机电致发光元件

Family Cites Families (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3506281B2 (ja) 1995-01-26 2004-03-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002124385A (ja) 2000-10-19 2002-04-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1404160A4 (en) 2001-06-06 2008-09-24 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
KR100577179B1 (ko) 2001-10-30 2006-05-10 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
EP1541657B2 (en) 2002-07-19 2014-03-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent devices and organic luminescent medium
JP2004075567A (ja) 2002-08-12 2004-03-11 Idemitsu Kosan Co Ltd オリゴアリーレン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4065161B2 (ja) 2002-08-13 2008-03-19 出光興産株式会社 アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US7839074B2 (en) 2002-08-23 2010-11-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and anthracene derivative
EP1437395B2 (en) 2002-12-24 2015-08-26 LG Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7651788B2 (en) 2003-03-05 2010-01-26 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP2004006379A (ja) 2003-06-20 2004-01-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2910619B1 (en) 2003-12-19 2016-07-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd Light-emitting material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device using same, and material for organic electroluminescent device
KR101169812B1 (ko) 2004-02-19 2012-07-30 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 백색계 유기 전기발광 소자
JP2005302667A (ja) 2004-04-15 2005-10-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20080015399A1 (en) 2004-05-12 2008-01-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 1,6-Substituted 3,8-Dihalogenopyrene And Process For Producing The Same
WO2006070712A1 (ja) 2004-12-28 2006-07-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性インク組成物
US20080100206A1 (en) 2004-12-28 2008-05-01 Hirofumi Kondo Organic Electroluminescent Device
WO2006100957A1 (ja) 2005-03-22 2006-09-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 色変換基板並びにその製造方法、及び発光装置
JP4848134B2 (ja) 2005-04-18 2011-12-28 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5009516B2 (ja) 2005-09-14 2012-08-22 出光興産株式会社 芳香族化合物の製造方法及びその方法で得られた芳香族化合物
JP2007137837A (ja) 2005-11-21 2007-06-07 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006128715A (ja) 2006-01-18 2006-05-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100877876B1 (ko) 2006-03-23 2009-01-13 주식회사 엘지화학 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기전자소자
US7928537B2 (en) 2006-03-31 2011-04-19 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
KR100868863B1 (ko) 2006-04-10 2008-11-13 주식회사 엘지화학 신규한 축합고리 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자
JP2008124156A (ja) 2006-11-09 2008-05-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ材料含有溶液、有機ｅｌ材料の薄膜形成方法、有機ｅｌ材料の薄膜、有機ｅｌ素子
KR100874472B1 (ko) 2007-02-28 2008-12-18 에스에프씨 주식회사 청색발광화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
EP2123732A4 (en) 2007-02-28 2010-08-11 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE THIN FILM AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE. METHOD OF GENERATING ELECTROLUMINESCENCE THIN FUSED BY ORGANIC ELECTROLUMINESCENT FUEL
WO2008105472A1 (ja) 2007-02-28 2008-09-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ材料含有溶液、有機ｅｌ薄膜形成方法、有機ｅｌ薄膜を含む有機ｅｌ素子および有機ｅｌディスプレイパネル製造方法
EP2139846B1 (en) 2007-04-26 2016-09-07 LG Chem, Ltd. New diamine derivatives and organic electronic device using the same
JP5374908B2 (ja) 2007-04-27 2013-12-25 住友化学株式会社 ピレン系高分子化合物及びそれを用いてなる発光素子
JPWO2008136522A1 (ja) 2007-05-08 2010-07-29 出光興産株式会社 ジアミノピレン誘導体、および、これを用いた有機ｅｌ素子
WO2008156052A1 (ja) 2007-06-20 2008-12-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 多環系環集合化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TW200920179A (en) 2007-07-07 2009-05-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence device
US8426036B2 (en) 2007-07-07 2013-04-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device and anthracene derivative
US20100171109A1 (en) 2007-07-07 2010-07-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el device
US8558221B2 (en) 2007-11-20 2013-10-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polymeric compound containing dopant and host repeating units and organic electroluminescence element
WO2009066641A1 (ja) 2007-11-21 2009-05-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 縮合芳香族誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101408504B1 (ko) 2007-11-29 2014-06-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 벤조페난트렌 유도체 및 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자
US8268459B2 (en) 2007-11-29 2012-09-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzanthracene compound and organic electroluminescence device using the same
KR20100097182A (ko) 2007-12-28 2010-09-02 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 다이아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
KR101099753B1 (ko) 2008-02-02 2011-12-28 에스에프씨 주식회사 플루오란텐 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JPWO2009102054A1 (ja) 2008-02-15 2011-06-16 出光興産株式会社 有機発光媒体および有機ｅｌ素子
WO2009102026A1 (ja) 2008-02-15 2009-08-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機発光媒体および有機ｅｌ素子
WO2009107596A1 (ja) 2008-02-25 2009-09-03 出光興産株式会社 有機発光媒体及び有機ｅｌ素子
JPWO2009133917A1 (ja) 2008-04-30 2011-09-01 出光興産株式会社 アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009142230A1 (ja) 2008-05-20 2009-11-26 出光興産株式会社 アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101115255B1 (ko) 2008-07-11 2012-02-15 주식회사 엘지화학 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자
WO2010010924A1 (ja) 2008-07-25 2010-01-28 出光興産株式会社 アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2010013675A1 (ja) 2008-07-28 2010-02-04 出光興産株式会社 有機発光媒体及び有機ｅｌ素子
WO2010013676A1 (ja) 2008-07-28 2010-02-04 出光興産株式会社 有機発光媒体及び有機ｅｌ素子
WO2010016405A1 (ja) 2008-08-07 2010-02-11 出光興産株式会社 新規芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101132635B1 (ko) * 2008-08-26 2012-04-03 에스에프씨 주식회사 피렌계 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
JPWO2010032447A1 (ja) 2008-09-19 2012-02-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス材料組成物、薄膜形成方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101096981B1 (ko) 2008-09-22 2011-12-20 주식회사 엘지화학 신규한 축합고리 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자
WO2010059837A2 (en) * 2008-11-19 2010-05-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chrysene compounds for blue or green luminescent applications
JP2010150425A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 新規重合性単量体とその重合体、それを用いた有機デバイス用材料、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2010135403A2 (en) * 2009-05-19 2010-11-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chrysene compounds for luminescent applications
KR101356941B1 (ko) 2009-07-01 2014-01-28 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR101294236B1 (ko) 2009-07-10 2013-08-07 엘지디스플레이 주식회사 청색 형광 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
JP2011023614A (ja) 2009-07-16 2011-02-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光材料用組成物及び発光材料用インク組成物
JP2013502743A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオード照明器具
TWI488941B (zh) 2009-09-02 2015-06-21 葛來西雅帝史派有限公司 新穎有機電場發光化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置
KR20110024695A (ko) 2009-09-03 2011-03-09 에스에프씨 주식회사 유기전계발광소자
KR101216006B1 (ko) 2009-10-16 2012-12-27 에스에프씨 주식회사 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101111120B1 (ko) 2009-10-16 2012-02-13 에스에프씨 주식회사 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101408514B1 (ko) 2009-11-23 2014-06-17 주식회사 엘지화학 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
EP2441750A4 (en) 2009-12-16 2012-12-12 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT THEREWITH
CN102232106A (zh) 2009-12-16 2011-11-02 出光兴产株式会社 有机发光介质
KR20110070180A (ko) 2009-12-18 2011-06-24 엘지디스플레이 주식회사 청색 형광 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자
KR20110072040A (ko) 2009-12-22 2011-06-29 엘지디스플레이 주식회사 청색 형광 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자
KR101352438B1 (ko) 2009-12-29 2014-01-20 에스에프씨 주식회사 호스트 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101419246B1 (ko) 2009-12-29 2014-07-16 엘지디스플레이 주식회사 청색 형광 화합물을 이용한 유기전계 발광소자
KR101681214B1 (ko) 2010-01-08 2016-12-01 에스에프씨 주식회사 호스트 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
JP5152210B2 (ja) 2010-01-27 2013-02-27 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
KR101111118B1 (ko) 2010-03-25 2012-02-13 에스에프씨 주식회사 파이렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JP2011222831A (ja) 2010-04-12 2011-11-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20110120108A (ko) 2010-04-28 2011-11-03 엘지디스플레이 주식회사 청색 형광 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
JP5786578B2 (ja) 2010-10-15 2015-09-30 Jnc株式会社 発光層用材料およびこれを用いた有機電界発光素子
EP2632232A1 (en) 2010-10-20 2013-08-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Tandem organic electroluminescent element
US9324950B2 (en) 2010-11-22 2016-04-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2012195054A (ja) 2011-03-14 2012-10-11 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101650996B1 (ko) 2011-03-25 2016-08-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
KR101996649B1 (ko) 2011-04-15 2019-07-04 에스에프씨 주식회사 피렌 유도체 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
WO2012144176A1 (ja) 2011-04-18 2012-10-26 出光興産株式会社 ピレン誘導体、有機発光媒体、及びこれらを含む有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20130018547A (ko) 2011-08-09 2013-02-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 티아디아졸계 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 인증 장치, 전자 기기
WO2013042775A1 (ja) 2011-09-22 2013-03-28 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5110198B1 (ja) 2011-12-02 2012-12-26 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
KR101535824B1 (ko) 2011-12-16 2015-07-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP5970811B2 (ja) 2011-12-28 2016-08-17 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置および電子機器
KR20130127014A (ko) 2012-01-16 2013-11-22 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기전기발광화합물을 발광재료로서 채용하고 있는 유기전기발광소자
US9181474B2 (en) 2012-02-07 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
US9882143B2 (en) 2012-02-07 2018-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
KR20140123108A (ko) 2012-02-16 2014-10-21 다우 코닝 코포레이션 마이크로반응기에서 할로실란 화합물을 환원시키는 방법
KR101673521B1 (ko) 2012-03-02 2016-11-08 삼성디스플레이 주식회사 파이렌계 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 유기 발광 장치
KR101918953B1 (ko) 2012-03-06 2018-11-16 삼성디스플레이 주식회사 아민계 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 유기 발광 장치
EP2858136B1 (en) 2012-06-01 2021-05-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd Organic electroluminescence element and material for organic electroluminescence element
JP6006010B2 (ja) 2012-06-14 2016-10-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 化合物及び有機電界発光素子並びに該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
JP2014020564A (ja) 2012-07-12 2014-02-03 Shohachi Nomura 減圧乾燥方法
JP5959970B2 (ja) 2012-07-20 2016-08-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014035159A1 (ko) 2012-08-29 2014-03-06 주식회사 동진쎄미켐 백색 발광 양자점
US9312500B2 (en) 2012-08-31 2016-04-12 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP6221560B2 (ja) 2012-09-27 2017-11-01 Jnc株式会社 有機電界発光素子
KR102083256B1 (ko) 2012-09-28 2020-03-03 에스에프씨 주식회사 유기el 재료 함유 용액 및 이를 포함하는 유기 el소자
JP6113993B2 (ja) 2012-10-03 2017-04-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101964677B1 (ko) 2012-10-15 2019-04-03 에스에프씨주식회사 치환기를 가진 피렌 유도체 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20120135501A (ko) 2012-10-29 2012-12-14 에스에프씨 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2014069831A1 (ko) 2012-10-31 2014-05-08 에스에프씨 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조방법
KR102081119B1 (ko) 2012-10-31 2020-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR101550351B1 (ko) 2012-11-06 2015-09-07 에스에프씨 주식회사 유기 전계발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계발광 소자
US9899600B2 (en) 2012-11-26 2018-02-20 Heesung Material Ltd. Multicyclic aromatic compound and organic light emitting device using the same
KR102051910B1 (ko) 2012-11-30 2019-12-09 에스에프씨주식회사 중수소 치환된 유기금속 착물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2014088289A1 (ko) 2012-12-03 2014-06-12 주식회사 동진쎄미켐 발광 양자점
JP6307689B2 (ja) 2012-12-05 2018-04-11 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014088047A1 (ja) 2012-12-05 2014-06-12 三星ディスプレイ株式▲会▼社 アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102121582B1 (ko) 2012-12-12 2020-06-10 에스에프씨 주식회사 피렌계 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101515814B1 (ko) 2012-12-13 2015-04-30 에스에프씨 주식회사 융합된 고리 치환기를 갖는 방향족 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20140077123A (ko) 2012-12-13 2014-06-23 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 발광소자
KR102054847B1 (ko) 2012-12-27 2019-12-12 삼성디스플레이 주식회사 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2014122933A1 (ja) 2013-02-08 2014-08-14 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014165346A (ja) 2013-02-25 2014-09-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
JP2014177441A (ja) 2013-03-15 2014-09-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器
KR102116491B1 (ko) 2013-03-27 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102237895B1 (ko) 2013-04-05 2021-04-09 에스에프씨주식회사 피리디닐기를 포함하는 아민기가 치환된 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102193837B1 (ko) 2013-04-05 2020-12-22 에스에프씨주식회사 피리디닐기를 포함하는 아민기가 치환된 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102167762B1 (ko) 2013-04-05 2020-10-19 에스에프씨주식회사 헤테로아릴 아민기를 포함하는 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102193832B1 (ko) 2013-04-05 2020-12-22 에스에프씨주식회사 헤테로아릴기 및 나프틸기를 포함하는 아민기가 치환된 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102162249B1 (ko) 2013-04-05 2020-10-06 에스에프씨주식회사 헤테로아릴기를 포함하는 아민기가 치환된 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102144261B1 (ko) 2013-04-08 2020-08-13 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 재료
JP6023635B2 (ja) 2013-04-15 2016-11-09 出光興産株式会社 縮合環アミン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102105654B1 (ko) 2013-04-22 2020-04-28 주식회사 삼양사 유기전기 발광소자용 화합물, 및 이를 이용한 유기전자소자
KR102080738B1 (ko) 2013-04-30 2020-02-24 에스에프씨 주식회사 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102138582B1 (ko) 2013-05-15 2020-07-28 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102005387B1 (ko) 2013-06-05 2019-07-30 덕산네오룩스 주식회사 광효율 개선층을 포함하는 유기전기소자 및 이를 포함하는 전자 장치
JP2015007009A (ja) 2013-06-25 2015-01-15 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器
JP2015007010A (ja) 2013-06-25 2015-01-15 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器
KR102108454B1 (ko) 2013-07-08 2020-05-26 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102054159B1 (ko) 2013-07-09 2019-12-10 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102137429B1 (ko) 2013-07-11 2020-07-24 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20150010016A (ko) 2013-07-17 2015-01-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
KR20150014778A (ko) 2013-07-30 2015-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102116495B1 (ko) 2013-08-28 2020-06-03 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150026114A (ko) 2013-08-30 2015-03-11 삼성디스플레이 주식회사 인데노피리딘계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102167042B1 (ko) 2013-09-06 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102167043B1 (ko) 2013-10-01 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US9362517B2 (en) 2013-12-02 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device
WO2015115529A1 (ja) 2014-01-31 2015-08-06 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
KR20160114032A (ko) 2014-01-31 2016-10-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
KR20150096020A (ko) 2014-02-13 2015-08-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20150098181A (ko) 2014-02-17 2015-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 일렉트로루미네센스 소자
KR20150105584A (ko) 2014-03-07 2015-09-17 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
EP3117470B1 (de) 2014-03-13 2020-12-23 Merck Patent GmbH Organische elektrolumineszenzvorrichtung
JP2017123352A (ja) 2014-03-31 2017-07-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
JP2017135127A (ja) 2014-04-21 2017-08-03 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102253440B1 (ko) 2014-06-02 2021-05-20 삼성디스플레이 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP2015229662A (ja) 2014-06-06 2015-12-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． カルバゾール誘導体、および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015229661A (ja) 2014-06-06 2015-12-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． カルバゾール誘導体、および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102332591B1 (ko) 2014-06-09 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102327086B1 (ko) 2014-06-11 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20150144710A (ko) 2014-06-17 2015-12-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 전자 버퍼 재료 및 유기 전계 발광 소자
WO2015194839A1 (en) 2014-06-17 2015-12-23 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Electron buffering material and organic electroluminescent device
JP6387311B2 (ja) 2014-06-26 2018-09-05 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および電子機器
JP6374329B2 (ja) 2014-06-26 2018-08-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および電子機器
JP6331779B2 (ja) 2014-07-02 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、認証装置および電子機器
KR102322761B1 (ko) 2014-07-03 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102350027B1 (ko) 2014-07-10 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
WO2016009823A1 (ja) 2014-07-16 2016-01-21 東レ株式会社 モノアミン誘導体、それを用いた発光素子材料および発光素子
US20160028024A1 (en) 2014-07-24 2016-01-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
US10672995B2 (en) 2014-07-24 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
WO2016017514A1 (ja) 2014-07-31 2016-02-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光性薄膜、表示装置及び照明装置
WO2016021923A2 (ko) 2014-08-04 2016-02-11 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20160017596A (ko) 2014-08-05 2016-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US9947876B2 (en) 2014-08-26 2018-04-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic device
KR20160030435A (ko) 2014-09-09 2016-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102390993B1 (ko) 2014-09-09 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 일렉트로루미네센스 소자
JP6685134B2 (ja) 2014-09-19 2020-04-22 出光興産株式会社 新規な化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2016042781A1 (ja) 2014-09-19 2016-03-24 出光興産株式会社 新規な化合物
KR102288348B1 (ko) 2014-09-24 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102321379B1 (ko) 2014-09-24 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2016076568A (ja) 2014-10-06 2016-05-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子
JP2016076569A (ja) 2014-10-06 2016-05-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子
EP3020782B1 (en) 2014-11-11 2018-08-01 SFC Co., Ltd. An electroluminescent compound and an electroluminescent device comprising the same
CN105655496B (zh) 2014-11-14 2018-11-23 Sfc株式会社 有机发光化合物及包含它的有机电致发光元件
KR102363259B1 (ko) 2014-12-02 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102385227B1 (ko) 2014-12-02 2022-04-12 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102190108B1 (ko) 2014-12-31 2020-12-11 에스에프씨주식회사 고효율과 장수명을 갖는 유기 발광 소자
KR102201104B1 (ko) 2015-01-13 2021-01-11 에스에프씨주식회사 고효율과 장수명을 갖는 유기 발광 소자
KR102291492B1 (ko) 2015-01-16 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102316684B1 (ko) 2015-01-21 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102316683B1 (ko) 2015-01-21 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102316682B1 (ko) 2015-01-21 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20160099157A (ko) 2015-02-11 2016-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US10062861B2 (en) 2015-02-24 2018-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
JP2016181556A (ja) 2015-03-23 2016-10-13 Tdk株式会社 有機電界発光素子用化合物およびこれを用いた有機電界発光素子
TWI688137B (zh) 2015-03-24 2020-03-11 學校法人關西學院 有機電場發光元件、顯示裝置以及照明裝置
US11322705B2 (en) 2015-04-17 2022-05-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
JPWO2016175292A1 (ja) 2015-04-28 2018-02-22 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器
KR102370354B1 (ko) 2015-04-29 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US10147884B2 (en) 2015-05-06 2018-12-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11730053B2 (en) 2015-05-06 2023-08-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10367147B2 (en) 2015-05-27 2019-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
JP6693053B2 (ja) 2015-06-03 2020-05-13 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、認証装置および電子機器
JP6454226B2 (ja) 2015-06-08 2019-01-16 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
KR102556088B1 (ko) 2015-06-23 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
WO2017010438A1 (ja) 2015-07-10 2017-01-19 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
JP2018156721A (ja) 2015-07-14 2018-10-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
KR102354549B1 (ko) 2015-07-31 2022-01-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기
KR102471110B1 (ko) 2015-08-11 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101877619B1 (ko) 2015-08-27 2018-07-11 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102427671B1 (ko) 2015-09-07 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6547831B2 (ja) 2015-09-25 2019-07-24 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
KR102458684B1 (ko) 2015-10-08 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2019016614A (ja) 2015-10-20 2019-01-31 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2017084859A (ja) 2015-10-23 2017-05-18 東レ株式会社 発光素子、それを含む表示装置および照明装置
KR102606275B1 (ko) 2015-10-27 2023-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101842749B1 (ko) 2015-10-28 2018-03-27 난징고광반도체재료유한회사 청색 형광 호스트 물질, 이를 포함하는 유기 박막 및 유기 전계 발광 소자
KR102524531B1 (ko) 2015-11-03 2023-04-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170053205A (ko) 2015-11-05 2017-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
EP3389107A4 (en) 2015-12-08 2019-08-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd ORGANIC EL LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
KR102384293B1 (ko) 2015-12-22 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2017118174A1 (zh) 2016-01-07 2017-07-13 广州华睿光电材料有限公司 用于制备有机电子器件的有机功能化合物及其应用
KR102615636B1 (ko) 2016-01-13 2023-12-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20180111850A (ko) 2016-02-18 2018-10-11 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 전자 기기

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004083162A1 (ja) * 2003-03-20 2004-09-30 Idemitsu Kosan Co. Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010053131A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sfc Co Ltd ピレン系化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
US20100141124A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Lee Seung-Jae Blue fluorescent compound and organic electroluminescent device using the same
KR20110015213A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 에스에프씨 주식회사 청색 발광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR20110054192A (ko) * 2009-11-17 2011-05-25 엘지디스플레이 주식회사 청색 형광 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2014506232A (ja) * 2010-10-15 2014-03-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための化合物
WO2014034893A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20140126108A (ko) * 2013-04-22 2014-10-30 에스에프씨 주식회사 아릴 아민기를 포함하는 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2015173263A (ja) * 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 有機化合物、発光素子、ディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
CN105037173A (zh) * 2014-04-29 2015-11-11 Sfc株式会社 有机电致发光化合物及包含其的有机电致发光元件
CN105085334A (zh) * 2014-05-12 2015-11-25 Sfc株式会社 有机电致发光化合物及包含其的有机电致发光元件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017036293A (ja) * 2014-09-19 2017-02-16 出光興産株式会社 新規な化合物

Also Published As

Publication number Publication date
JP6338630B2 (ja) 2018-06-06
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