JP4065161B2 - アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4065161B2 JP4065161B2 JP2002235538A JP2002235538A JP4065161B2 JP 4065161 B2 JP4065161 B2 JP 4065161B2 JP 2002235538 A JP2002235538 A JP 2002235538A JP 2002235538 A JP2002235538 A JP 2002235538A JP 4065161 B2 JP4065161 B2 JP 4065161B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- unsubstituted
- light emitting
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、さらに詳しくは、発光輝度及び発光効率が高く、色純度が高い青色発光が可能なアントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、または正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
【０００３】
また、発光材料としてはトリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている（例えば、特開平８−２３９６５５号公報、特開平７−１３８５６１号公報、特開平３−２００２８９号公報等）。
しかし、青色発光素子に関しては、信頼性が高く安定な素子を提供する青色発光材料は少ない。一般に、青色発光材料は結晶性が高い。例えば、ジフェニルアントラセンは高い蛍光量子収率を持つにも関わらず、結晶性が高く、この化合物を発光材料に用いて、素子を作製しても高輝度・高効率で信頼性の高い素子を提供できなかった〔C.Adachi,et al., Appli.Phys.Lett,.56,799(1990)〕。
これらの問題を解決するため、特開２００１−１１０５７２号公報には、特定構造を有するアントラセン誘導体が開示されている。しかしながら、このアントラセン誘導体は２つのアントラセン骨格が近くに配置されているため、相互作用が生じて、純度の高い青色発光が得られないという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、発光輝度及び発光効率が高く、純度の高い青色発光が可能なアントラセン誘導体及びそれを利用した有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（２）又は（３）で表される特定構造のアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子の発光材料や正孔輸送材料として用いることにより、発光輝度及び発光効率が高く、純度の高い青色発光が可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明は、下記一般式（２）又は（３）で表されるアントラセン誘導体を提供するものである。
【０００７】
【化３】
（式中、Ｒ1 〜Ｒ6 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリールオキシ基、アミノ基を表わし、これらは同一であっても異なっていてもよい。
ｒ1 〜ｒ6 は、それぞれ０〜５の整数を表わす。ｒ1 〜ｒ6 が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ1 〜Ｒ6 同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ1 〜Ｒ6 同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ1 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基である。
Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基である。ただし、Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれＬ1 の中の異なる原子を介して連結している。
ｎ及びｍは、それぞれ０〜２の整数である。）
【０００８】
【化４】
（式中、Ｒ7 〜Ｒ10は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリールオキシ基、アミノ基を表わし、これらは同一であっても異なっていてもよい。
ｒ7 〜ｒ10は、それぞれ０〜５の整数を表わす。ｒ7 〜ｒ10が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ7 〜Ｒ10同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ7 〜Ｒ10同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ2 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基である。
Ａｒ3 及びＡｒ4 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基である。ただし、ふたつのアントラセン部位は、それぞれＡｒ3 及びＡｒ4 の中の異なる原子を介して連結している。
ｐ及びｑは、それぞれ０〜２の整数である。）
【０００９】
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（２）又は（３）で表されるものである。
【００１２】
【化５】
【００１３】
Ｒ1 〜Ｒ6 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリールオキシ基、アミノ基を表わし、これらは同一であっても異なっていてもよい。
【００１４】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００１５】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアルコキシ基は、−ＯＡで表される基であり、Ａの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００１６】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアラルキル基の例としては、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基、トリチル基等が挙げられる。
【００１７】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００１８】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアリールオキシ基は、−ＯＺと表され、Ｚの例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００１９】
ｒ1 〜ｒ6 は、それぞれ０〜５の整数を表わし、０〜１であると好ましい。ｒ1 〜ｒ6 が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ1 〜Ｒ6 同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ1 〜Ｒ6 同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ1 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基であり、具体例としては、例えば、アダマンチレン基、ビシクロ[3.2.1] オクチレン基、ビシクロ[5.2.0] ノニレン基、トリシクロ[5.3.1.1* ] ドデシレン基等が挙げられる。
【００２０】
Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基であり、例えば、フェニレン、ナフチレン、アントラニレン、フェナンスリレン、ピレニレン、コロニレン、ビフェニレン、ターフェニレン、ピローリレン、フラニレン、チオフェニレン、ベンゾチオフェニレン、オキサジアゾリレン、ジフェニルアントラニレン、インドリレン、カルバゾリレン、ピリジレン、ベンゾキノリレン、フルオランテニレン、アセナフトフルオランテニレン等が挙げられる。
ただし、Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれＬ1 の中の異なる原子を介して連結している。
また、一般式（２）におけるｎ及びｍは、それぞれ０〜２の整数である。
【００２１】
【化６】
【００２２】
Ｒ7 〜Ｒ10は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリールオキシ基、アミノ基を表わし、これらは同一であっても異なっていてもよい。
これら各基の具体例としては、一般式（２）におけるＲ1 〜Ｒ6 と同様のものが挙げられる。
【００２３】
ｒ7 〜ｒ10は、それぞれ０〜５の整数を表わし、０〜１であると好ましい。ｒ7 〜ｒ10が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ7 〜Ｒ10同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ7 〜Ｒ10同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
【００２４】
Ｌ2 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基であり、具体例としては、例えば、アダマンチレン基、ビシクロ[3.2.1] オクチレン基、ビシクロ[5.2.0] ノニレン基、トリシクロ[5.3.1.1* ] ドデシレン基等が挙げられる。
Ａｒ3 及びＡｒ4 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基であり、具体例としては、一般式（２）におけるＡｒ3 及びＡｒ4 と同様のものが挙げられる。
ただし、ふたつのアントラセン部位は、それぞれＡｒ3 及びＡｒ4 の中の異なる原子を介して連結している。
また、一般式（３）におけるｐ及びｑは、それぞれ０〜２の整数である。
【００２５】
前記Ｒ 1 〜Ｒ10、Ａｒ1 〜Ａｒ4 が示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。
【００２６】
本発明の一般式（２）〜（３）で表されるアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
【化７】
【００２７】
【化８】
【００２８】
【化９】
【００２９】
本発明のアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子用発光材料及び正孔輸送材料として用いると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記一般式（２）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。
前記発光層が、一般式（２）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を含有すると好ましく、特に発光層が、主成分として含有すると好ましい。
【００３０】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記発光層が、さらにアリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物を含有すると好ましい。
スチリルアミン化合物としては、下記一般式（Ａ）で表されるものが好ましい。
【化１０】
【００３１】
（式中、Ａｒ5 は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、ジスチリルアリール基から選ばれる基であり、Ａｒ6 及びＡｒ7 は、それぞれ水素原子又は炭素数が６〜２０の芳香族基であり、Ａｒ5 、Ａｒ6 及びＡｒ7 は置換されいてもよい。ａは１〜４の整数である。さらに好ましくはＡｒ6 又はＡｒ7 の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００３２】
アリールアミン化合物としては、下記一般式（Ｂ）で表されるものが好ましい。
【化１１】
（式中、Ａｒ8 〜Ａｒ10は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｂは１〜４の整数である。）
【００３３】
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基等が挙げられる。なお、このアリール基の好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核原子数５〜４０のアリール基、核原子数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核原子数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００３４】
前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、一般式（２）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有してもよく、特に主成分として含有すると好ましい。
【００３５】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
この有機ＥＬ素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
【００３６】
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂 板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板か挙げられる。
次に、上記の陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ（インジウムチンオキシド），ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏなどの導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下のものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【００３７】
次に、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム，リチウム，マグネシウム・銀合金，アルミニウム／酸化アルミニウム，Ａｌ／Ｌｉ2 Ｏ，Ａｌ／ＬｉＯ2 ，Ａｌ／ＬｉＦ，アルミニウム・リチウム合金，インジウム，希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナイド層，ハロゲン化金属層又は金属酸化物層（以下、これらを表面層ということがある。）を配置するのが好ましい。具体的には、発光層側の陽極表面にケイ素やアルミニウムなどの金属のカルコゲナイド（酸化物を含む）層を、また、発光層側の陰極表面にハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置するのがよい。これにより、駆動の安定化を図ることができる。
【００３９】
上記カルコゲナイドとしては、例えばＳｉＯｘ（１≦Ｘ≦２），ＡｌＯｘ（１≦Ｘ≦1.５），ＳｉＯＮ，ＳｉＡｌＯＮなどが好ましく挙げられ、ハロゲン化金属としては、例えばＬｉＦ，ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，フッ化希土類金属などが好ましく挙げられ、金属酸化物としては、例えばＣｓ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏ，ＭｇＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＣａＯなどが好ましく挙げられる。
【００４０】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に電子伝達化合物と還元性ドーパントの混合領域又は正孔伝達化合物と酸化性ドーパントの混合領域を配置するのも好ましい。このようにすると、電子伝達化合物が還元され、アニオンとなり混合領域がより発光層に電子を注入、伝達しやすくなる。また、正孔伝達化合物は酸化され、カチオンとなり混合領域がより発光層に正孔を注入、伝達しやすくなる。好ましい酸化性ドーパントとしては、各種ルイス酸やアクセプター化合物がある。好ましい還元性ドーパントとしては、アルカリ金属，アルカリ金属化合物，アルカリ土類金属，希土類金属及びこれらの化合物がある。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、
▲１▼注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
▲２▼輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
▲３▼発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
を有する。
【００４１】
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
【００４２】
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、発光層に、本発明のアントラセン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明のアントラセン誘導体からなる発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。
次に、正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒であるものが好ましい。このような正孔輸送材料としては、本発明のアントラセン誘導体が有用であり、こり他、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
そして、この正孔注入・輸送層を形成するには、正孔注入・輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化すればよい。この場合、正孔注入・輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
【００４３】
次に、電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
【００４４】
また、一般的に有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入しても良い。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【００４５】
次に、本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【００４６】
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
【００４７】
次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は１０〜４０ｎｍの範囲が好ましい。
【００４８】
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
【００４９】
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、３〜４０Ｖの電圧を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加した場合には、陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。この場合、印加する交流の波形は任意でよい。
【００５０】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例１（化合物（ＡＮ１）の合成）
（１）9-(4- ブロモフェニル)-10- フェニルアントラセンの合成
9-フェニルアントラセン10g （東京化成社製）を精製水 500ミリリットルに懸濁し、塩化第二鉄・六水和物を0.2gを添加した。次いで臭素３ミリリットル／精製水 300ミリリットルの水溶液を４時間かけて室温で滴下した。その後一晩放置した。
析出物を濾取し、水洗、エタノール洗浄後、クロロホルムに溶解し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒留去し、12ｇの淡褐色結晶を得た。
Ar雰囲気下、この淡褐色結晶12ｇ、4-ブロモフェニルボロン酸7g及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）0.36g （広島和光社製）をトルエン 100ミリリットル中に溶かし、これに炭酸ナトリウム5gを24ミリリットルの水に溶かしたものを加え、10時間還流した後、一晩放置した。
反応混合物を濾過し、水、メタノール、アセトンで洗浄して8.4gの淡黄色固体を得た。FD-MS （フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、C26H17Br＝408.9 に対し、m/z ＝410 、408 が得られたことから、この化合物を9-(4- ブロモフェニル)-10- フェニルアントラセンと同定した（収率52％）。
【００５１】
（２）化合物（ＡＮ１）の合成
Ar雰囲気下、マグネシウム1.3gに（１）で得られた9-(4- ブロモフェニル)-10- フェニルアントラセン5gを無水THF 50ミリリットルに溶解させたものを少量滴下し、ヨウ素を0.1g添加した後、加熱した。反応が開始したら55〜60℃にて残りの溶液を全て滴下し、50〜55℃にて２時間攪拌した。
Ar雰囲気下、1,3-ジブロモアダマンタン1.8g（アルドリッチ社製）をTHF 50ミリリットルに溶解し、塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）0.2g（アルドリッチ社製）、 1M-水素化ジイソブチルアルミニウム／トルエン溶液0.6 ミリリットル（アルドリッチ社製）を加え、攪拌後、上記にて調整したグリニャール試薬を10分で滴下し、65℃にて一晩反応した。
反応後、THF を留去し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、2.9gの淡黄色粉末を得た。FD-MS を測定したところ、C62H48＝792 に対し、m/z ＝793 が得られたことから、この化合物をＡＮ１と同定した（収率60％）。
【００５２】
実施例２（化合物（ＡＮ２）の合成）
（１）9-フェニル -10- ブロモアントラセンの合成
Ar雰囲気下、9-ブロモアントラセン20g （東京化成社製）、ベンゼンボロン酸14g （東京化成社製）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）0.36g （広島和光社製）をトルエン 200ミリリットル中に溶かし、これに炭酸ナトリウム10g を48ミリリットルの水に溶かしたものを加え、10時間還流した後、一晩放置した。
反応混合物を濾過し、水、メタノール、アセトンで洗浄して18g の淡黄色固体を得た。
これをAr雰囲気下、100 ミリリットルのDMF(ジメチルホルムアミド）に溶解し、N-ブロモコハク酸イミド11g （広島和光社製）を加え、2 時間攪拌した。
その後冷水を加え、トルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製を行ったところ、13g の淡黄色粉末を得た。
この化合物のFD-MS を測定したところ、C20H13Br＝333 に対し、m/z ＝334 、332 が得られたことから、この化合物を9-フェニル -10- ブロモアントラセンと同定した（収率50％）。
【００５３】
（２）化合物（ＡＮ２）の合成
Ar雰囲気下、マグネシウム1.3gに、（１）で得られた9-フェニル-10-ブロモアントラセン5gを無水THF50 ミリリットルに溶解させたものを少量滴下し、ヨウ素を0.1g添加した後、加熱した。反応が開始したら55〜60℃にて残りの溶液を全て滴下し、50〜55℃にて２時間攪拌した。
Ar雰囲気下、1,3-ジブロモアダマンタン1.8g（アルドリッチ社製）をTHF 50ミリリットルに溶解し、塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）0.2g（アルドリッチ社製）、 1M-水素化ジイソブチルアルミニウム／トルエン溶液0.6 ミリリットル（アルドリッチ社製）を加え、攪拌後、上記にて調整したグリニャール試薬を10分で滴下し、65℃にて一晩反応した。
反応後、THF を留去し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、2.2gの淡黄色粉末を得た。FD-MS を測定したところ、C50H40＝640 に対し、m/z ＝640 が得られたことから、この化合物をＡＮ２と同定した（収率23％）。
【００５４】
実施例３（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍの下記Ｎ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル膜（以下、ＴＰＤ２３２膜）を成膜した。このＴＰＤ２３２膜は、正孔注入層として機能する。続いて、このＴＰＤ２３２膜上に膜厚２０ｎｍの下記Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）−ジアミノビフェニレン膜（以下、ＴＢＤＢ膜）を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらにＴＢＤＢ膜上に、発光材料として膜厚４０ｎｍのＡＮ１を蒸着し成膜した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚1 ０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
得られた有機ＥＬ素子について、電流密度１０mA/cm2を流した時の発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５５】
【化１２】
【００５６】
実施例４（有機ＥＬ素子の製造）
実施例３において、発光材料として、ＡＮ１の代わりにＡＮ２を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５７】
比較例１（有機ＥＬ素子の製造）
実施例３において、発光材料として、ＡＮ１の代わりにフェニルアントリルフェニル基が同一原子に結合したａｎ１を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表１に示す。
【化１３】
【００５８】
【表１】
表１に示したように、実施例３〜４の有機ＥＬ素子は、比較例１に対して、発光輝度及び発光効率が高く、青色の色純度も優れていた。
【００５９】
実施例５（有機ＥＬ素子の製造）
実施例３において、ＴＢＤＢ膜上に、発光材料として膜厚４０ｎｍのＡＮ１を蒸着する際に、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１をＡＮ１に対し、重量比でＡＮ１：Ｄ１＝４０：２で蒸着し、発光層を形成したこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表２に示す。
【化１４】
【００６０】
実施例６（有機ＥＬ素子の製造）
実施例５において、アミン化合物Ｄ１の代わりに、下記芳香族アミンＤ２を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表２に示す。
【化１５】
【００６１】
【表２】
表２の実施例５〜６に示したように、本発明のアントラセン誘導体は、ドーパントと共に用いたときでも高性能の有機ＥＬ素子となるものであった。
【００６２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明のアントラセン誘導体を利用した有機ＥＬ素子は、発光輝度及び発光効率が高く、色純度が高い青色発光が得られる。このためフルカラー用の有機ＥＬ素子として有用である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、さらに詳しくは、発光輝度及び発光効率が高く、色純度が高い青色発光が可能なアントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、または正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
【０００３】
また、発光材料としてはトリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている（例えば、特開平８−２３９６５５号公報、特開平７−１３８５６１号公報、特開平３−２００２８９号公報等）。
しかし、青色発光素子に関しては、信頼性が高く安定な素子を提供する青色発光材料は少ない。一般に、青色発光材料は結晶性が高い。例えば、ジフェニルアントラセンは高い蛍光量子収率を持つにも関わらず、結晶性が高く、この化合物を発光材料に用いて、素子を作製しても高輝度・高効率で信頼性の高い素子を提供できなかった〔C.Adachi,et al., Appli.Phys.Lett,.56,799(1990)〕。
これらの問題を解決するため、特開２００１−１１０５７２号公報には、特定構造を有するアントラセン誘導体が開示されている。しかしながら、このアントラセン誘導体は２つのアントラセン骨格が近くに配置されているため、相互作用が生じて、純度の高い青色発光が得られないという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、発光輝度及び発光効率が高く、純度の高い青色発光が可能なアントラセン誘導体及びそれを利用した有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（２）又は（３）で表される特定構造のアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子の発光材料や正孔輸送材料として用いることにより、発光輝度及び発光効率が高く、純度の高い青色発光が可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明は、下記一般式（２）又は（３）で表されるアントラセン誘導体を提供するものである。
【０００７】
【化３】
ｒ1 〜ｒ6 は、それぞれ０〜５の整数を表わす。ｒ1 〜ｒ6 が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ1 〜Ｒ6 同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ1 〜Ｒ6 同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ1 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基である。
Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基である。ただし、Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれＬ1 の中の異なる原子を介して連結している。
ｎ及びｍは、それぞれ０〜２の整数である。）
【０００８】
【化４】
ｒ7 〜ｒ10は、それぞれ０〜５の整数を表わす。ｒ7 〜ｒ10が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ7 〜Ｒ10同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ7 〜Ｒ10同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ2 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基である。
Ａｒ3 及びＡｒ4 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基である。ただし、ふたつのアントラセン部位は、それぞれＡｒ3 及びＡｒ4 の中の異なる原子を介して連結している。
ｐ及びｑは、それぞれ０〜２の整数である。）
【０００９】
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（２）又は（３）で表されるものである。
【００１２】
【化５】
Ｒ1 〜Ｒ6 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリールオキシ基、アミノ基を表わし、これらは同一であっても異なっていてもよい。
【００１４】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００１５】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアルコキシ基は、−ＯＡで表される基であり、Ａの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００１６】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアラルキル基の例としては、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基、トリチル基等が挙げられる。
【００１７】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００１８】
Ｒ1 〜Ｒ6 における置換もしくは無置換のアリールオキシ基は、−ＯＺと表され、Ｚの例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００１９】
ｒ1 〜ｒ6 は、それぞれ０〜５の整数を表わし、０〜１であると好ましい。ｒ1 〜ｒ6 が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ1 〜Ｒ6 同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ1 〜Ｒ6 同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ1 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基であり、具体例としては、例えば、アダマンチレン基、ビシクロ[3.2.1] オクチレン基、ビシクロ[5.2.0] ノニレン基、トリシクロ[5.3.1.1* ] ドデシレン基等が挙げられる。
【００２０】
Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基であり、例えば、フェニレン、ナフチレン、アントラニレン、フェナンスリレン、ピレニレン、コロニレン、ビフェニレン、ターフェニレン、ピローリレン、フラニレン、チオフェニレン、ベンゾチオフェニレン、オキサジアゾリレン、ジフェニルアントラニレン、インドリレン、カルバゾリレン、ピリジレン、ベンゾキノリレン、フルオランテニレン、アセナフトフルオランテニレン等が挙げられる。
ただし、Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれＬ1 の中の異なる原子を介して連結している。
また、一般式（２）におけるｎ及びｍは、それぞれ０〜２の整数である。
【００２１】
【化６】
Ｒ7 〜Ｒ10は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリールオキシ基、アミノ基を表わし、これらは同一であっても異なっていてもよい。
これら各基の具体例としては、一般式（２）におけるＲ1 〜Ｒ6 と同様のものが挙げられる。
【００２３】
ｒ7 〜ｒ10は、それぞれ０〜５の整数を表わし、０〜１であると好ましい。ｒ7 〜ｒ10が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ7 〜Ｒ10同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ7 〜Ｒ10同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
【００２４】
Ｌ2 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基であり、具体例としては、例えば、アダマンチレン基、ビシクロ[3.2.1] オクチレン基、ビシクロ[5.2.0] ノニレン基、トリシクロ[5.3.1.1* ] ドデシレン基等が挙げられる。
Ａｒ3 及びＡｒ4 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基であり、具体例としては、一般式（２）におけるＡｒ3 及びＡｒ4 と同様のものが挙げられる。
ただし、ふたつのアントラセン部位は、それぞれＡｒ3 及びＡｒ4 の中の異なる原子を介して連結している。
また、一般式（３）におけるｐ及びｑは、それぞれ０〜２の整数である。
【００２５】
前記Ｒ 1 〜Ｒ10、Ａｒ1 〜Ａｒ4 が示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。
【００２６】
本発明の一般式（２）〜（３）で表されるアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
【化７】
【化８】
【化９】
本発明のアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子用発光材料及び正孔輸送材料として用いると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記一般式（２）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。
前記発光層が、一般式（２）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を含有すると好ましく、特に発光層が、主成分として含有すると好ましい。
【００３０】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記発光層が、さらにアリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物を含有すると好ましい。
スチリルアミン化合物としては、下記一般式（Ａ）で表されるものが好ましい。
【化１０】
（式中、Ａｒ5 は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、ジスチリルアリール基から選ばれる基であり、Ａｒ6 及びＡｒ7 は、それぞれ水素原子又は炭素数が６〜２０の芳香族基であり、Ａｒ5 、Ａｒ6 及びＡｒ7 は置換されいてもよい。ａは１〜４の整数である。さらに好ましくはＡｒ6 又はＡｒ7 の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００３２】
アリールアミン化合物としては、下記一般式（Ｂ）で表されるものが好ましい。
【化１１】
【００３３】
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基等が挙げられる。なお、このアリール基の好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核原子数５〜４０のアリール基、核原子数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核原子数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００３４】
前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、一般式（２）〜（３）のいずれかで表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有してもよく、特に主成分として含有すると好ましい。
【００３５】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
この有機ＥＬ素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
【００３６】
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂 板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板か挙げられる。
次に、上記の陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ（インジウムチンオキシド），ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏなどの導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下のものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【００３７】
次に、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム，リチウム，マグネシウム・銀合金，アルミニウム／酸化アルミニウム，Ａｌ／Ｌｉ2 Ｏ，Ａｌ／ＬｉＯ2 ，Ａｌ／ＬｉＦ，アルミニウム・リチウム合金，インジウム，希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナイド層，ハロゲン化金属層又は金属酸化物層（以下、これらを表面層ということがある。）を配置するのが好ましい。具体的には、発光層側の陽極表面にケイ素やアルミニウムなどの金属のカルコゲナイド（酸化物を含む）層を、また、発光層側の陰極表面にハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置するのがよい。これにより、駆動の安定化を図ることができる。
【００３９】
上記カルコゲナイドとしては、例えばＳｉＯｘ（１≦Ｘ≦２），ＡｌＯｘ（１≦Ｘ≦1.５），ＳｉＯＮ，ＳｉＡｌＯＮなどが好ましく挙げられ、ハロゲン化金属としては、例えばＬｉＦ，ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，フッ化希土類金属などが好ましく挙げられ、金属酸化物としては、例えばＣｓ2 Ｏ，Ｌｉ2 Ｏ，ＭｇＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＣａＯなどが好ましく挙げられる。
【００４０】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に電子伝達化合物と還元性ドーパントの混合領域又は正孔伝達化合物と酸化性ドーパントの混合領域を配置するのも好ましい。このようにすると、電子伝達化合物が還元され、アニオンとなり混合領域がより発光層に電子を注入、伝達しやすくなる。また、正孔伝達化合物は酸化され、カチオンとなり混合領域がより発光層に正孔を注入、伝達しやすくなる。好ましい酸化性ドーパントとしては、各種ルイス酸やアクセプター化合物がある。好ましい還元性ドーパントとしては、アルカリ金属，アルカリ金属化合物，アルカリ土類金属，希土類金属及びこれらの化合物がある。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、
▲１▼注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
▲２▼輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
▲３▼発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
を有する。
【００４１】
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
【００４２】
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、発光層に、本発明のアントラセン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明のアントラセン誘導体からなる発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。
次に、正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒であるものが好ましい。このような正孔輸送材料としては、本発明のアントラセン誘導体が有用であり、こり他、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
そして、この正孔注入・輸送層を形成するには、正孔注入・輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化すればよい。この場合、正孔注入・輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
【００４３】
次に、電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
【００４４】
また、一般的に有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入しても良い。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【００４５】
次に、本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【００４６】
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
【００４７】
次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は１０〜４０ｎｍの範囲が好ましい。
【００４８】
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
【００４９】
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、３〜４０Ｖの電圧を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加した場合には、陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。この場合、印加する交流の波形は任意でよい。
【００５０】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例１（化合物（ＡＮ１）の合成）
（１）9-(4- ブロモフェニル)-10- フェニルアントラセンの合成
9-フェニルアントラセン10g （東京化成社製）を精製水 500ミリリットルに懸濁し、塩化第二鉄・六水和物を0.2gを添加した。次いで臭素３ミリリットル／精製水 300ミリリットルの水溶液を４時間かけて室温で滴下した。その後一晩放置した。
析出物を濾取し、水洗、エタノール洗浄後、クロロホルムに溶解し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒留去し、12ｇの淡褐色結晶を得た。
Ar雰囲気下、この淡褐色結晶12ｇ、4-ブロモフェニルボロン酸7g及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）0.36g （広島和光社製）をトルエン 100ミリリットル中に溶かし、これに炭酸ナトリウム5gを24ミリリットルの水に溶かしたものを加え、10時間還流した後、一晩放置した。
反応混合物を濾過し、水、メタノール、アセトンで洗浄して8.4gの淡黄色固体を得た。FD-MS （フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、C26H17Br＝408.9 に対し、m/z ＝410 、408 が得られたことから、この化合物を9-(4- ブロモフェニル)-10- フェニルアントラセンと同定した（収率52％）。
【００５１】
（２）化合物（ＡＮ１）の合成
Ar雰囲気下、マグネシウム1.3gに（１）で得られた9-(4- ブロモフェニル)-10- フェニルアントラセン5gを無水THF 50ミリリットルに溶解させたものを少量滴下し、ヨウ素を0.1g添加した後、加熱した。反応が開始したら55〜60℃にて残りの溶液を全て滴下し、50〜55℃にて２時間攪拌した。
Ar雰囲気下、1,3-ジブロモアダマンタン1.8g（アルドリッチ社製）をTHF 50ミリリットルに溶解し、塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）0.2g（アルドリッチ社製）、 1M-水素化ジイソブチルアルミニウム／トルエン溶液0.6 ミリリットル（アルドリッチ社製）を加え、攪拌後、上記にて調整したグリニャール試薬を10分で滴下し、65℃にて一晩反応した。
反応後、THF を留去し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、2.9gの淡黄色粉末を得た。FD-MS を測定したところ、C62H48＝792 に対し、m/z ＝793 が得られたことから、この化合物をＡＮ１と同定した（収率60％）。
【００５２】
実施例２（化合物（ＡＮ２）の合成）
（１）9-フェニル -10- ブロモアントラセンの合成
Ar雰囲気下、9-ブロモアントラセン20g （東京化成社製）、ベンゼンボロン酸14g （東京化成社製）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）0.36g （広島和光社製）をトルエン 200ミリリットル中に溶かし、これに炭酸ナトリウム10g を48ミリリットルの水に溶かしたものを加え、10時間還流した後、一晩放置した。
反応混合物を濾過し、水、メタノール、アセトンで洗浄して18g の淡黄色固体を得た。
これをAr雰囲気下、100 ミリリットルのDMF(ジメチルホルムアミド）に溶解し、N-ブロモコハク酸イミド11g （広島和光社製）を加え、2 時間攪拌した。
その後冷水を加え、トルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製を行ったところ、13g の淡黄色粉末を得た。
この化合物のFD-MS を測定したところ、C20H13Br＝333 に対し、m/z ＝334 、332 が得られたことから、この化合物を9-フェニル -10- ブロモアントラセンと同定した（収率50％）。
【００５３】
（２）化合物（ＡＮ２）の合成
Ar雰囲気下、マグネシウム1.3gに、（１）で得られた9-フェニル-10-ブロモアントラセン5gを無水THF50 ミリリットルに溶解させたものを少量滴下し、ヨウ素を0.1g添加した後、加熱した。反応が開始したら55〜60℃にて残りの溶液を全て滴下し、50〜55℃にて２時間攪拌した。
Ar雰囲気下、1,3-ジブロモアダマンタン1.8g（アルドリッチ社製）をTHF 50ミリリットルに溶解し、塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）0.2g（アルドリッチ社製）、 1M-水素化ジイソブチルアルミニウム／トルエン溶液0.6 ミリリットル（アルドリッチ社製）を加え、攪拌後、上記にて調整したグリニャール試薬を10分で滴下し、65℃にて一晩反応した。
反応後、THF を留去し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、2.2gの淡黄色粉末を得た。FD-MS を測定したところ、C50H40＝640 に対し、m/z ＝640 が得られたことから、この化合物をＡＮ２と同定した（収率23％）。
【００５４】
実施例３（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍの下記Ｎ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル膜（以下、ＴＰＤ２３２膜）を成膜した。このＴＰＤ２３２膜は、正孔注入層として機能する。続いて、このＴＰＤ２３２膜上に膜厚２０ｎｍの下記Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）−ジアミノビフェニレン膜（以下、ＴＢＤＢ膜）を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらにＴＢＤＢ膜上に、発光材料として膜厚４０ｎｍのＡＮ１を蒸着し成膜した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚1 ０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
得られた有機ＥＬ素子について、電流密度１０mA/cm2を流した時の発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５５】
【化１２】
実施例４（有機ＥＬ素子の製造）
実施例３において、発光材料として、ＡＮ１の代わりにＡＮ２を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５７】
比較例１（有機ＥＬ素子の製造）
実施例３において、発光材料として、ＡＮ１の代わりにフェニルアントリルフェニル基が同一原子に結合したａｎ１を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表１に示す。
【化１３】
【表１】
【００５９】
実施例５（有機ＥＬ素子の製造）
実施例３において、ＴＢＤＢ膜上に、発光材料として膜厚４０ｎｍのＡＮ１を蒸着する際に、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１をＡＮ１に対し、重量比でＡＮ１：Ｄ１＝４０：２で蒸着し、発光層を形成したこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表２に示す。
【化１４】
実施例６（有機ＥＬ素子の製造）
実施例５において、アミン化合物Ｄ１の代わりに、下記芳香族アミンＤ２を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を製造し、同様に発光輝度、発光効率及びC.I.E 色度座標を測定した。これらの結果を表２に示す。
【化１５】
【表２】
【００６２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明のアントラセン誘導体を利用した有機ＥＬ素子は、発光輝度及び発光効率が高く、色純度が高い青色発光が得られる。このためフルカラー用の有機ＥＬ素子として有用である。
Claims (11)
- 下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体。
ｒ1 〜ｒ6 は、それぞれ０〜５の整数を表わす。ｒ1 〜ｒ6 が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ1 〜Ｒ6 同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ1 〜Ｒ6 同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ1 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基である。
Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基である。ただし、Ａｒ1 及びＡｒ2 は、それぞれＬ1 の中の異なる原子を介して連結している。
ｎ及びｍは、それぞれ０〜２の整数である。） - 下記一般式（３）で表されるアントラセン誘導体。
ｒ7 〜ｒ10は、それぞれ０〜５の整数を表わす。ｒ7 〜ｒ10が、それぞれ２以上の整数である時、Ｒ7 〜Ｒ10同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、またＲ7 〜Ｒ10同士が結合して飽和もしくは不飽和環を形成していてもよい。
Ｌ2 は、置換もしくは無置換の炭素数８以上の多環系脂環族炭化水素基である。
Ａｒ3 及びＡｒ4 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数５〜３０のアリーレン基である。ただし、ふたつのアントラセン部位は、それぞれＡｒ3 及びＡｒ4 の中の異なる原子を介して連結している。
ｐ及びｑは、それぞれ０〜２の整数である。） - 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料である請求項１又は２に記載のアントラセン誘導体。
- 有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である請求項１又は２に記載のアントラセン誘導体。
- 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１又は２のいずれかに記載のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、請求項１又は２に記載のアントラセン誘導体を含有する請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、請求項１又は２に記載のアントラセン誘導体を主成分として含有する請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、さらにアリールアミン化合物を含有する請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、さらにスチリルアミン化合物を含有する請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、請求項１又は２に記載のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記正孔輸送層が、請求項１又は２に記載のアントラセン誘導体を主成分として含有する請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002235538A JP4065161B2 (ja) | 2002-08-13 | 2002-08-13 | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002235538A JP4065161B2 (ja) | 2002-08-13 | 2002-08-13 | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004075580A JP2004075580A (ja) | 2004-03-11 |
| JP4065161B2 true JP4065161B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=32020002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002235538A Expired - Fee Related JP4065161B2 (ja) | 2002-08-13 | 2002-08-13 | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4065161B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080218063A1 (en) * | 2005-06-03 | 2008-09-11 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Organic Electroluminescent Light Source |
| JP5072271B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及びそれを用いた電子機器 |
| US8017252B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
| CN102163697B (zh) * | 2005-07-25 | 2015-09-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件,发光器件,和电子设备 |
| WO2007039952A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101529239B1 (ko) | 2005-10-05 | 2015-06-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스틸벤 유도체, 발광 소자 및 발광 장치 |
| US7758972B2 (en) | 2006-09-26 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light emitting element, light emitting device, and electronic appliance |
| US8911882B2 (en) | 2006-09-28 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| US7732619B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device |
| US7935854B2 (en) | 2006-10-03 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance |
| KR100864308B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-10-20 | 주식회사 두산 | 신규 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR101121703B1 (ko) | 2007-12-28 | 2012-03-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
| KR101180531B1 (ko) | 2009-04-24 | 2012-09-06 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| EP2441750A4 (en) | 2009-12-16 | 2012-12-12 | Idemitsu Kosan Co | AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT THEREWITH |
| TWI537261B (zh) | 2011-01-14 | 2016-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 二苯乙烯類化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置 |
| JP6012889B2 (ja) | 2014-09-19 | 2016-10-25 | 出光興産株式会社 | 新規な化合物 |
| JP7325731B2 (ja) | 2018-08-23 | 2023-08-15 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2002
- 2002-08-13 JP JP2002235538A patent/JP4065161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004075580A (ja) | 2004-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10217943B2 (en) | Organic electroluminescence device and anthracene derivative | |
| JP4025137B2 (ja) | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4025136B2 (ja) | アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4839351B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料、それを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 | |
| JP4170655B2 (ja) | 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4142404B2 (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP5015459B2 (ja) | 非対称モノアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4481930B2 (ja) | 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4381645B2 (ja) | 新規アントラセン化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| EP1903020B1 (en) | Biphenyl derivatives, organic electroluminescent materials, and organic electroluminescent devices made by using the same | |
| EP2000463A9 (en) | Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent device using same | |
| JP2004221045A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| EP1894923A1 (en) | Benzothiophene derivative and organic electroluminescence device making use of the same | |
| EP2000464A1 (en) | Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent device using same | |
| JPWO2007105448A1 (ja) | ナフタセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPWO2003037836A1 (ja) | 新規可溶性化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4065161B2 (ja) | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004262761A (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004339136A (ja) | スピロ結合含有化合物、発光性塗膜形成用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2002124385A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004231547A (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH11152253A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071016 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071120 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |