JPWO2007105448A1 - ナフタセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

ナフタセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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貴康 佐土
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Abstract

新規ナフタセン誘導体を含む有機EL素子用材料、発光材料及び陰極と陽極との間に1層以上の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機層のうち少なくとも1層が、下記一般式(1)又は(2)で表されるナフタセン誘導体を含有する有機EL素子。

Description

本発明は、新規なナフタセン誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子用材料、それを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機EL素子は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
イーストマン・コダック社のC.W.Tangらによる積層型素子による低電圧駆動有機EL素子の報告(非特許文献1)がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機EL素子に関する研究が盛んに行われている。
Tangらは、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)を発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いた積層構造を採用している。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めることができ、陰極に注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めることができ、発光層内で生成した励起子を閉じこめることができる等が挙げられる。この例のように有機EL素子の素子構造としては、正孔輸送(注入)層、電子輸送発光層の2層型、又は正孔輸送(注入)層、発光層、電子輸送(注入)層の3層型構造等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるために、素子構造や形成方法に種々の工夫がなされている。
有機EL素子に用いる発光材料としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン錯体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている(例えば特許文献1〜3等)。しかし、その発光効率や寿命は実用可能なレベルにまで到達せず不十分であった。また、フルカラーディスプレイには色の3原色(青色、緑色、赤色)が求められるが、中でも高効率な赤色素子が求められている。
最近では、例えば、特許文献4には、ナフタセン又はペンタセン誘導体を発光層に添加した赤色発光素子が開示されている。しかし、この発光素子は、赤色純度は優れているものの、印加電圧が11Vと高く、輝度の半減時間は約150時間と不十分であった。特許文献5には、ジシアノメチレン(DCM)系化合物を発光層に添加した素子が開示されているが、赤色の純度が不十分であった。特許文献6には、アミン系芳香族化合物を発光層に添加した赤色発光素子が開示されているが、この発光素子はCIE色度(0.64、0.33)と色純度はよいものの、駆動電圧が高かった。特許文献7、8に、アミン系芳香族化合物とAlqを発光層に用いた素子が開示されている。しかしながら、この素子は、赤色発光するものの、低効率かつ短寿命であった。
また特許文献9には、アミン系芳香族化合物とDPVDPANを発光層に用いた素子が開示されているが、高効率な素子は発光色が橙色であり、赤色発光する素子は低効率であった。
特許文献10には、ジシアノアントラセン誘導体とインデノペリレン誘導体を発光層に、金属錯体を電子輸送層に用いた素子が開示されているが、発光色が赤橙色であった。
特許文献11には、ナフタセン誘導体とインデノペリレン誘導体を発光層に、電子輸送層にナフタセン誘導体を用いた素子が公開されているものの、実用的な効率を伴っていなかった。
特開平8−239655号公報 特開平7−138561号公報 特開平3−200289号公報 特開平8−311442号公報 特開平3−162481号公報 特開2001−81451号公報 WO01/23497パンフレット 特開2003−40845号公報 特開2003−81924号公報 特開2001−307885号公報 特開2003−338377号公報 C.W.Tang、S.A.Vanslyke,Applied Physics Letters,51巻、913頁、1987年
本発明の目的は、前記の課題を解決するためになされたもので、有機EL素子の構成成分として有用な新規なナフタセン誘導体を提供し、このナフタセン誘導体を、有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、実用的な効率と寿命を有する有機EL素子を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意努力を重ねた結果、特定の構造を有する新規なナフタセン誘導体を、有機EL素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、有機EL素子の長寿命化と高効率化を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれば、以下のナフタセン誘導体、それを含む有機EL素子用材料、有機EL素子用発光材料、有機EL素子、及びそれを有する装置が提供される。
1.下記一般式(1)又は(2)で表されるナフタセン誘導体。
Figure 2007105448
(式(1)中、Ar、Arは、互いに同一ではなく、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。)
Figure 2007105448
(式中、Ar1’、Ar2’は、互いに同一であってもよい、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。)
2.一般式(1)又は(2)で表されるナフタセン誘導体が、下記一般式(3)又は下記一般式(4)からなる群から選択されるいずれかである上記1に記載のナフタセン誘導体。
Figure 2007105448
(式(3)中、Ar31、Ar32は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。a及びbは、それぞれ0〜5の整数である。ただし、一般式(3)において、中心のナフタセンの5位及び12位に、該ナフタセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。)
Figure 2007105448
(式(4)中、Ar41、Ar42は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。a及びbは、それぞれ0〜5の整数である。)
3.上記1又は2に記載のナフタセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
4.上記1又は2に記載のナフタセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料。
5.陰極と陽極との間に、上記1又は2に記載のナフタセン誘導体を含有する少なくとも1層の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.上記1又は2に記載のナフタセン誘導体を含有する前記有機層が発光層である、上記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.陰極と陽極との間に、少なくとも、上記1又は2に記載のナフタセン誘導体からなるホスト材料と、インデノペリレン誘導体からなるドーパント材料とを含有する発光層と、電子輸送層とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記電子輸送層が、下記一般式(5)で示される化合物を含有する上記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
A−B (5)
(式(5)中、Aは炭素環3以上の芳香族炭化水素基であり、Bは置換若しくは無置換の複素環基である。)
9.前記一般式(5)で表される化合物が、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフソフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン及びジベンゾフルオランテンから選択される1以上の骨格を分子中に有する化合物である上記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.前記一般式(5)で表される化合物が、含窒素複素環化合物である上記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.前記含窒素複素環化合物が、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、アクリジン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びフェナントロリンから選択される1以上の骨格を分子中に有する含窒素複素環化合物である上記10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12.前記含窒素複素環化合物が、下記一般式(6)又は(7)で表されるベンゾイミダゾール誘導体である上記10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 2007105448
(式(6)及び(7)中、Rは、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
mは0〜4の整数であり、
11は、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
12は、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
Lは、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリーレン基、置換若しくは無置換のピリジニレン基、置換若しくは無置換のキノリニレン基又は置換若しくは無置換のフルオレニレン基であり、
Ar11は、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジニル基又は置換若しくは無置換のキノリニル基である。)
13.前記発光層のドーパント材料であるインデノペリレン誘導体が、下記一般式(12)及び(13)で表されるインデノペリレン誘導体からなる群から選択される1以上の化合物である上記7〜12のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 2007105448
(一般式(12)及び(13)において、Ar51、Ar52及びAr53は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。X〜X18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアルケニルアリール基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−COOR51、−COR52、又は−OCOR53(ここで、R51、R52及びR53は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。)から選ばれる基を表す。また、隣接する基は互いに結合していてもよく、さらにはX〜X18が結合している炭素原子と共に環を形成していてもよい。X〜X18の少なくとも1つは水素ではない。)
14.前記発光層のドーパント材料であるインデノペリレン誘導体が、ジベンゾテトラフェニルペリフランテン誘導体である上記7〜13のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
15.前記発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.1〜10重量%である上記7〜14のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16.前記発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.5〜2重量%である上記15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
17.発光色が橙色〜赤色である上記7〜15のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
18.上記7〜17のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する装置。
本発明によれば、高効率で長寿命、かつ色純度に優れた有機EL素子が提供できる。
また、本発明によれば、電子輸送層用及び発光層用の材料として好適な化合物を選択することにより、さらに高効率な有機EL素子を得ることができる。即ち、本発明の構成により、電子輸送層での励起子生成が抑えられ、電子輸送層からの微少な発光をさらに低レベルにまで抑制した高色純度な有機EL素子が得られる。また、同様の理由により、素子の長寿命化が図られる。
本発明の有機EL素子に係る一実施形態を示す図である。
I−1.ナフタセン誘導体
本発明のナフタセン誘導体は、下記一般式(1)又は(2)で表される。
Figure 2007105448
Figure 2007105448
上記式(1)及び(2)において、Ar、Arは、互いに同一ではなく、またAr1’、Ar2’は、互いに同一であってもよく、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基である。
Ar、Ar、Ar1’及びAr2’として好ましい無置換の核炭素数6〜50の芳香族基としては、フェニル基、(o−,m−,p−)トリル基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基、(1−、および2−)ナフチル基、アントリル基、(o−,m−,p−)ビフェニリル基、ターフェニル基、フェナントリル基等が挙げられ、フェニル基、(1−、および2−)ナフチル基、(o−,m−,p−)ビフェニリル基、ターフェニル基等がより好ましい。
互いに同一ではないAr、Arの好ましい組み合わせとしては、Arがフェニル基であり、Arがフェニル基ではない組み合せ等が挙げられる。
Ar1’、Ar2’が同一である場合の好ましい基としては、フェニル基、(o−,m−,p−)トリル基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基、(1−、および2−)ナフチル基、アントリル基、(o−,m−,p−)ビフェニリル基、ターフェニル基、フェナントリル基等が挙げられ、フェニル基、(1−、および2−)ナフチル基、(o−,m−,p−)ビフェニリル基、ターフェニル基、等がより好ましい。
Ar1’、Ar2’が同一ではない場合の好ましい基としては、上記の互いに同一ではないAr、Arの好ましい組み合わせと同様である。
〜R10は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。
〜R10として好ましい無置換の核炭素数6〜50の芳香族基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基等が挙げられ、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等がより好ましい。
〜R10が置換された核炭素数6〜50の芳香族基である場合の置換基としては、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のカルボキシル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基の例としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換のアルコキシ基は、−OYで表される基であり、Yの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換のアラルキル基の例としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換のアリールオキシ基は、−OY’と表され、Y’の例としてはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換のアリールチオ基は、−SY”と表され、Y”の例としてはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。
置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基は−COOZと表され、Zの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
また、環を形成する2価基の例としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−2,2’−ジイル基、ジフェニルエタン−3,3’−ジイル基、ジフェニルプロパン−4,4’−ジイル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
〜R10として好ましい無置換の炭素数1〜50のアルキル基としては、メチル基、エチル基、(n,i)−プロピル基、(n,i,sec,tert)−ブチル基、(n,i,neo,tert)−ペンチル基等が挙げられ、メチル基等がより好ましい。
〜R10が置換された炭素数1〜50のアルキル基である場合の置換基としては、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のカルボキシル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
上記一般式(1)及び(2)で表されるナフタセン誘導体の好ましい例としては、下記一般式(3)及び下記一般式(4)の化合物が挙げられる。
Figure 2007105448
Figure 2007105448
式(3)中、Ar31、Ar32は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。a及びbは、それぞれ0〜5の整数である。ただし、一般式(3)において、中心のナフタセンの5位及び12位に、該ナフタセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。
式(4)中、Ar41、Ar42は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。a及びbは、それぞれ0〜5の整数である。
式(3)及び(4)における置換基の具体例としては、前記式(1)及び(2)における置換基の具体例と同様である。
一般式(1)又は(2)で表される本発明のナフタセン誘導体を得るには、5,12−ナフタセンキノン又は5,11−ナフタセンキノンを出発原料として合成することができる。5,11−ナフタセンキノンの合成法は、ナフタセンをジブロモ化し、硫酸で酸化する方法(Bull. Chim. Soc. Fr., (1948) p.418-428)、ジベンジリデンコハク酸を硫酸で環化する方法(Compt Rendus Seances Acad Sci., 206, (1938) p.756-759)等を用いることができる。
以下に代表的な合成スキームを示す。
<一般式(1)のナフタセン誘導体>
Figure 2007105448
<一般式(2)のナフタセン誘導体>
Figure 2007105448
I−2.ナフタセン誘導体を含む有機EL素子用材料
本発明の有機EL素子用材料は、上記本発明のナフタセン誘導体を含むことを特徴とする。
本発明のナフタセン誘導体を、有機EL素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、有機EL素子の実用的な効率と寿命を実現することができる。
I−3.ナフタセン誘導体を含む有機EL素子用発光材料
本発明の有機EL素子用発光材料は、上記本発明のナフタセン誘導体を含むことを特徴とする。
本発明のナフタセン誘導体を、有機EL素子の有機発光層に用いることにより、有機EL素子の実用的な効率と寿命を実現することができる。
II.有機EL素子
本発明の有機EL素子は、陰極と陽極との間に1層以上の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機層のうち少なくとも1層が、前記本発明のナフタセン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の有機EL素子は、前記本発明のナフタセン誘導体を含有する有機層が発光層であることが好ましい。本発明のナフタセン誘導体が発光層に含有されていることにより、有機EL素子の実用的な効率と寿命を実現することができる。
本発明の有機EL素子は、陰極と陽極との間に少なくとも発光層と電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が、前記本発明のナフタセン誘導体からなるホスト材料と、インデノペリレン誘導体からなるドーパント材料とを含有することを特徴とする。
発光層のドーパント材料であるインデノペリレン誘導体は、下記一般式(11)〜(15)で表されるインデノペリレン誘導体からなる群から選択される1以上の化合物であることが好ましい。
Figure 2007105448
一般式(11)において、X〜X、X〜X16、X19、X20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香族複素環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−COOR51(R51は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。)、−COR52(R52は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基、芳香環基又はアミノ基である)、又は−OCOR53(R53はアルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である)である。
〜X、X〜X16、X19、X20の隣接する基は、互いに結合して、又は置換している炭素原子と共に環を形成していてもよい。X〜X、X〜X16、X19、X20の少なくとも1つは水素ではない。
Figure 2007105448
一般式(12)及び(13)において、Ar51、Ar52及びAr53は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。
〜X18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアルケニルアリール基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−COOR51、−COR52、又は−OCOR53(ここで、R51、R52及びR53は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。)から選ばれる基を表す。
〜X18の隣接する基は、互いに結合して、又は置換している炭素原子と共に環を形成していてもよい。X〜X18の少なくとも1つは水素ではない。
Figure 2007105448
一般式(14)及び(15)において、Ar61、Ar62及びAr63は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。
21〜X38は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアルケニルアリール基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−COOR54、−COR55、又は−OCOR56(ここで、R54、R55及びR56は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。)から選ばれる基を表す。
また、隣接する基は互いに結合していてもよく、さらにはX21〜X38が結合している炭素原子と共に環を形成していてもよい。ただし、Ar61、Ar62及びAr63の置換基、X21〜X38及びX21〜X38の置換基の中の少なくとも1つはハロゲン原子である。
ドーパント材料として用いるインデノペリレン誘導体としては、ジベンゾテトラフェニルペリフランテン誘導体等が挙げられ、ジベンゾテトラフェニルペリフランテン誘導体等が好ましい。
ドーパント材料であるインデノペリレン誘導体のドープ濃度は、0.1〜10重量%であることが好ましく、0.5〜2重量%であることがより好ましい。ドープ濃度が0.1重量%未満であると、ホスト材料発光のおそれがあり、10重量%を超えると、濃度消光のおそれがある。
本発明の有機EL素子は、電子輸送層が、下記一般式(5)で示される化合物を含有することが好ましい。
A−B (5)
式(5)中、Aは炭素環3以上の芳香族炭化水素基であり、Bは置換されてもよい複素環基である。
基Aである炭素環3以上の芳香族炭化水素基としては、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフソフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン及びジベンゾフルオランテン等が挙げられる。
基Bである置換若しくは無置換の複素環基の複素環基としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、アクリジン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びフェナントロリン等が挙げられる。
一般式(5)で表される化合物は、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフソフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン及びジベンゾフルオランテンから選択される1以上の骨格を分子中に有する化合物であることが好ましい。
また、一般式(5)で表される化合物は、含窒素複素環化合物であることが好ましい。
含窒素複素環化合物としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、アクリジン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びフェナントロリンから選択される1以上の骨格を分子中に有する含窒素複素環化合物であることが好ましい。
また、含窒素複素環化合物が、下記一般式(6)又は(7)で表されるベンゾイミダゾール誘導体であることがさらに好ましい。
Figure 2007105448
式(6)及び(7)において、Rは、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基である。
炭素数6〜60のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基等が好ましく、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、フルオレニル基等がより好ましい。
炭素数1〜50のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が好ましく、等がより好ましい。
炭素数1〜50のアルコキシ基は−OYで表される基であり、Yの例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
上記アリール基、ピリジル基、キノリル基、アルキル基又はアルコキシ基の置換基としては、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のカルボキシル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
mは0〜4の整数であり、0〜3であることが好ましく、0〜2であることがより好ましい。
11は、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数1〜20のアルコキシ基であり、各基及び置換基の例としては、上記Rと同様である。
12は、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基であり、各基及び置換基の例としては、上記Rと同様である。
Lは、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリーレン基、置換若しくは無置換のピリジニレン基、置換若しくは無置換のキノリニレン基又は置換若しくは無置換のフルオレニレン基である。
炭素数6〜60のアリーレン基としては、炭素数6〜60のアリール基で説明した置換基から、さらに1つの水素原子を除くことによりできる2価の置換基等が好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、フルオランテニレン基、フルオレニレン基がより好ましい。
上記アリーレン基、ピリジニレン基、キノリニレン基又はフルオレニレン基の置換基の例としては、上記Rと同様である。
Ar11は、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジニル基又は置換若しくは無置換のキノリニル基である。
炭素数6〜60のアリール基、及びアリール基、ピリジニル基及びキノリニル基の置換基としては、上記Rと同様である。
一般式(6)で表されるベンゾイミダゾール誘導体は、好ましくは、mが0、R11がアリール基、Lが炭素数6〜30(より好ましくは炭素数6〜20)のアリーレン基及びAr11が炭素数6〜30のアリール基である。
一般式(7)で表されるベンゾイミダゾール誘導体は、好ましくは、mが0、R12がアリール基、Lが炭素数6〜30(より好ましくは炭素数6〜20)のアリーレン基及びAr11が炭素数6〜30のアリール基である。
以下、本発明の有機EL素子の構造を、図1を参照しながら説明する。
図1は、本発明の有機EL素子の一例を示す断面図である。
図1において、有機EL素子1は、基板10上に、陽極20、正孔注入層30、正孔輸送層40、発光層50、電子輸送層60、電子注入層70及び陰極80を、この順に積層した構成を有する。この他、有機EL素子は様々な構成をとることができる。
[有機EL素子の構成]
以下に本発明に用いられる有機EL素子の代表的な構成例を示す。もちろん、本発明はこれに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(5)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(8)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(9)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(10)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(11)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/絶縁層/陰極
等の構造を挙げることができる。
これらの中で通常(2)(3)(4)(5)(8)(9)(11)の構成が好ましく用いられる。
以下、有機EL素子における各層の機能等について説明する。
[透光性基板]
発光光が基板側から出射される下面発光型又はボトムエミッション型の有機EL素子とする場合、本発明の有機EL素子は透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。また、駆動用のTFTが形成されているTFT基板であってもよい。
また、発光光が素子の上部から出射される上面発光型又はトップエミッション型の有機EL素子とする場合、上述の基板上にアルミニウム等の適当な金属の反射光を設ける必要がある。
[陽極]
本発明の有機EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、酸化インジウム亜鉛合金(IZO)、金、銀、白金、銅等が適用できる。
これら材料は単独で用いることもできるが、これら材料同士の合金や、その他の元素を添加した材料も適宜選択して用いることができる。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
下面発光型又はボトムエミッション型の有機EL素子の場合、陽極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
[発光層]
有機EL素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。即ち、
(i)注入機能:電界印加時に陽極又は正孔注入・輸送層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入・輸送層より電子を注入することができる機能
(ii)輸送機能:注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(iii)発光機能:電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
がある。
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
[正孔輸送層及び正孔注入層]
正孔輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば10〜10V/cmの電界印加時に、少なくとも10−4cm/V・秒であれば好ましい。
正孔輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、EL素子の正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
具体例として例えば、トリアゾール誘導体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、同55−156953号公報、同56−36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公報、同54−119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,180,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132号公報、同56−22437号公報、西独特許第1,110,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−52064号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同57−11350号公報、同57−148749号公報、特開平2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同第61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−72255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93455号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−211399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることができる。
好ましくは以下の式(8)で示す材料が用いられる。
−G−Q (8)
(式中、Q及びQは少なくとも1個の三級アミンを有する部位であり、Gは連結基である。)
さらに好ましくは以下の式(9)で示すアミン誘導体である。
Figure 2007105448
式(9)において、Ar21〜Ar24は置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族環、又は置換若しくは無置換の核原子数5〜50の複素芳香族環である。
21、R22は置換基であり、s、tはそれぞれ0〜4の整数である。
Ar21及びAr22、Ar23及びAr24はそれぞれ互いに連結して環状構造を形成してもよい。
21及びR22もそれぞれ互いに連結して環状構造を形成してもよい。
Ar21〜Ar24の置換基、及びR21、R22は、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族環、置換若しくは無置換の核原子数5〜50の複素芳香族環、炭素数1〜50のアルキル基、炭素数1〜50のアルコキシ基、炭素数1〜50のアルキルアリール基、炭素数1〜50のアラルキル基、スチリル基、核炭素数6〜50の芳香族環若しくは核原子数5〜50の複素芳香族環で置換されたアミノ基、核炭素数6〜50の芳香族環若しくは核原子数5〜50の複素芳香族環で置換されたアミノ基で置換された核炭素数6〜50の芳香族環若しくは核原子数5〜50の複素芳香族環である。
さらに正孔の注入を助けるために、正孔輸送層の他に別途、正孔注入層を設けることもできる。正孔注入層の材料としては正孔輸送層と同様の材料を使用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭63−2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同56−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号公報、同63−295695号公報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、米国特許第5,061,569号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(以下NPDと略記する)、また特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下MTDATAと略記する)等を挙げることができる。
また、芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に制限はないが、通常は5nm〜5μmである。この正孔注入層、正孔輸送層は正孔輸送帯域に上記化合物を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は前記正孔注入層、正孔輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入層、正孔輸送層を積層したものであってもよい。
また、有機半導体層も正孔輸送層の一種であるが、これは発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、10−10S/cm以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平8−193191号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
[電子注入層]
電子注入層は発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着がよい材料からなる層である。
本発明の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)及びCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0〜2.5eV)、及びBa(仕事関数:2.52eV)からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、K、Rb及びCsからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Rb又はCsであり、最も好ましいのは、Csである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性ドーパントとして、これら2種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRb又はCsとNaとKとの組み合わせであることが好ましい。Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、LiO、LiO、NaS、NaSe及びNaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、及びCaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及びNaCl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF、BaF、SrF、MgF及びBeFといったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子注入層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZnの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
[陰極]
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで上面発光型又はトップエミッション型の有機EL素子の場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmである。
[絶縁層]
有機EL素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、弗化セシウム、炭酸セシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
[有機EL素子の作製例]
以上例示した材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極が順次設けられた構成の有機EL素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次にこの陽極上に正孔輸送層を設ける。正孔輸送層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔輸送層の材料)、目的とする正孔輸送層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10−7〜10−3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
次に、正孔輸送層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔輸送層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子輸送層を設ける。正孔輸送層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔輸送層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
最後に陰極を積層して有機EL素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
これまで記載してきた有機EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
本発明の有機EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、分子線蒸着法、スピンコーティング法、ディッピング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等による形成方法を用いることができる。
本発明の有機EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。なお有機EL素子に電圧を印加する場合、陽極を+、陰極を−の極性にして、3〜40Vの電圧を印可すると発光が観測される。また、逆の極性で電圧を印可しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印可した場合には陽極が+、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
[実施例]
次に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
合成例1
化合物A−1及びA−2の合成
Figure 2007105448
(1)中間体(A−1a)の合成
2,4,6−トリフェニルヨードベンゼン5.5gをトルエン40mLに溶解し、ジエチルエーテル13mLを加えたのち−55℃に冷却し、1.6M−nブチルリチウム/nヘキサン溶液8mLを加えて1時間攪拌した。その中に5,12−ナフタセンキノン2.6gを粉末のまま添加し、0℃まで徐々に温度を上げながら3時間反応させた。メタノール20mLを添加して反応を停止し、生成した固体を濾過して取り、メタノールで洗浄した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする中間体(A−1a)の淡黄色粉末5.7g(収率99%)を得た。
(2)中間体(A−1b)の合成
中間体(A−1a)2.8gをテトラヒドロフラン30mLに溶解し、室温下、1M−フェニルマグネシウムブロミド/テトラヒドロフラン溶液15mLを10分間かけて滴下した。その後1時間加熱還流して反応を完結させた。室温まで冷却後、塩化アンモニウム水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルで抽出し、溶媒を減圧留去した。残渣にメタノールを加えて粉末を析出させ、濾過して取り、メタノールで洗浄した。さらにトルエンにて加熱還流下に洗浄した後、真空乾燥し、目的とする中間体(A−1b)の白色粉末2.2g(収率68%)を得た。
(3)化合物A−1の合成
遮光下、中間体(A−1b)2.2gにテトラヒドロフラン80mLを加え、約40℃に加熱して溶解させた。その中に塩化スズ2水和物7.7gの濃塩酸水28mL溶液を30分かけて滴下し、その後2時間加熱還流して反応を完結させた。室温まで冷却後、蒸留水200mLを加え、生成した粉末を濾過して取り、メタノールで洗浄し、減圧乾燥し、目的とする化合物A−1の黄橙色粉末2.0g(収率98%)を得た。これを減圧下、2回昇華精製を行い、素子作製に用いた。
(4)中間体(A−2b)の合成
中間体(A−1a)2.8gをテトラヒドロフラン30mLに溶解し、室温下、1M−パラビフェニルマグネシウムブロミド/テトラヒドロフラン溶液15mLを10分間かけて滴下した。その後1時間加熱還流して反応を完結させた。室温まで冷却後、塩化アンモニウム水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルで抽出し、溶媒を減圧留去した。残渣にメタノールを加えて粉末を析出させ、濾過して取り、メタノールで洗浄した。さらにトルエンにて加熱還流下に洗浄した後、真空乾燥し、目的とする中間体(A−2b)の白色粉末2.5g(収率70%)を得た。
(5)化合物A−2の合成
遮光下、中間体(A−2b)2.4gにテトラヒドロフラン80mLを加え、約40℃に加熱して溶解させた。その中に塩化スズ2水和物7.7gの濃塩酸水28mL溶液を30分かけて滴下し、その後2時間加熱還流して反応を完結させた。室温まで冷却後、蒸留水200mLを加え、生成した粉末を濾過して取り、メタノールで洗浄し、減圧乾燥した。目的とする化合物A−1の黄橙色粉末2.2g(収率96%)を得た。これを減圧下、2回昇華精製を行い、素子作製に用いた。
合成例2
化合物A−3の合成
Figure 2007105448
(1)中間体(A−3b)の合成
2,4−ジフェニルヨードベンゼン7.4gをトルエン45mLに溶解し、ジエチルエーテル15mLを加えたのち−55℃に冷却し、1.6M−nブチルリチウム/nヘキサン溶液13mLを加えて1時間攪拌した。その中に5,11−ナフタセンキノン1.9gを粉末のまま添加し、0℃まで徐々に温度を上げながら3時間反応させた。メタノール20mLを添加して反応を停止し、生成した固体を濾過して取り、メタノールで洗浄した。さらにトルエンにて加熱還流下に洗浄した後、真空乾燥し、目的とする中間体(A−3b)の淡黄色粉末3.3g(収率60%)を得た。
(2)化合物A−3の合成
遮光下、中間体(A−3b)3.3gにテトラヒドロフラン80mLを加え、約40℃に加熱して溶解させた。その中に塩化スズ2水和物7.7gの濃塩酸水28mL溶液を30分かけて滴下し、その後2時間加熱還流して反応を完結させた。室温まで冷却後、蒸留水200mLを加え、生成した粉末を濾過して取り、メタノールで洗浄し、減圧乾燥した。目的とする化合物A−3の黄橙色粉末3.0g(収率95%)を得た。これを減圧下、2回昇華精製を行い、素子作製に用いた。
合成例3
化合物A−4の合成
Figure 2007105448
(1)中間体(A−4a)の合成
2,4,6−トリフェニルヨードベンゼン5.5gをトルエン40mLに溶解し、ジエチルエーテル13mLを加えたのち−55℃に冷却し、1.6M−nブチルリチウム/nヘキサン溶液8mLを加えて1時間攪拌した。その中に5,11−ナフタセンキノン2.6gを粉末のまま添加し、0℃まで徐々に温度を上げながら3時間反応させた。メタノール20mLを添加して反応を停止し、生成した固体を濾過して取り、メタノールで洗浄した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする中間体(A−4a)の淡黄色粉末5.7g(収率99%)を得た。
(2)中間体(A−4b)の合成
中間体(A−4a)2.8gをテトラヒドロフラン30mLに溶解し、室温下、1M−フェニルマグネシウムブロミド/テトラヒドロフラン溶液15mLを10分間かけて滴下した。その後1時間加熱還流して反応を完結させた。室温まで冷却後、塩化アンモニウム水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルで抽出し、溶媒を減圧留去した。残渣にメタノールを加えて粉末を析出させ、濾過して取り、メタノールで洗浄した。さらにトトルエンにて加熱還流下に洗浄した後、真空乾燥し、目的とする中間体(A−4b)の白色粉末2.3g(収率72%)を得た。
(3)化合物A−4の合成
遮光下、中間体(A−4b)2.3gにテトラヒドロフラン80mLを加え、約40℃に加熱して溶解させた。その中に塩化スズ2水和物7.7gの濃塩酸水28mL溶液を30分かけて滴下し、その後2時間加熱還流して反応を完結させた。室温まで冷却後、蒸留水200mLを加え、生成した粉末を濾過して取り、メタノールで洗浄し、減圧乾燥した。目的とする化合物A−4の黄橙色粉末2.0g(収率95%)を得た。これを減圧下、2回昇華精製を行い、素子作製に用いた。
実施例1
25mm×75mm×0.7mmサイズのガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行ない、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
その基板に、まず、正孔注入層として、N’、N’’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’、N’’−ジフェニルビフェニル−4、4’−ジアミンを60nmの厚さに蒸着した後、その上に正孔輸送層として、N、N’−ビス[4’−{N−(ナフチル−1−イル)−N−フェニル}アミノビフェニル−4−イル]−N−フェニルアミンを10nmの厚さに蒸着した。次いで、発光層として、ナフタセン誘導体である下記化合物(A−1)とインデノペリレン誘導体である下記化合物(B)を重量比40:0.4で同時蒸着し、40nmの厚さに蒸着した。
Figure 2007105448
次に、電子輸送層として、化合物(C)を30nmの厚さに蒸着した。
Figure 2007105448
次に弗化リチウムを0.3nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを150nmの厚さに蒸着した。このアルミニウム/弗化リチウムは陰極として働く。このようにして有機EL素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行なったところ、電流密度10mA/cmにて、駆動電圧3.9V、発光輝度1184cd/mの赤色発光が得られ、色度座標は(0.67、0.33)、効率は11.84cd/Aであった。また、初期輝度5000cd/mでの直流の連続通電試験を行なったところ、初期輝度の80%に達したときの駆動時間は2900時間であった。
実施例2
発光層を形成する際に、化合物(A−1)の代わりにナフタセン誘導体である下記化合物(A−2)を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure 2007105448
得られた素子に通電試験を行なったところ、電流密度10mA/cmにて、駆動電圧4.0V、発光輝度1128cd/mの赤色発光が得られ、色度座標は(0.67、0.33)、効率は11.28cd/Aであった。また、初期輝度5000cd/mでの直流の連続通電試験を行なったところ、半減寿命は3400時間であった。
実施例3
発光層を形成する際に、化合物(A−1)の代わりにナフタセン誘導体である下記化合物(A−3)を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure 2007105448
得られた素子に通電試験を行なったところ、電流密度10mA/cmにて、駆動電圧3.8V、発光輝度1212cd/mの赤色発光が得られ、色度座標は(0.67、0.33)、効率は12.12cd/Aであった。また、初期輝度5000cd/mでの直流の連続通電試験を行なったところ、半減寿命は3500時間であった。
実施例4
発光層を形成する際に、化合物(A−1)の代わりにナフタセン誘導体である下記化合物(A−4)を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure 2007105448
得られた素子に通電試験を行なったところ、電流密度10mA/cmにて、駆動電圧4.0V、発光輝度1030cd/mの赤色発光が得られ、色度座標は(0.67、0.33)、効率は11.06cd/Aであった。また、初期輝度5000cd/mでの直流の連続通電試験を行なったところ、初期輝度の80%に達したときの駆動時間は3000時間であった。
比較例1
発光層を形成する際に、化合物(A−1)の代わりに下記化合物(A−5)を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure 2007105448
得られた素子に通電試験を行なったところ、電流密度10mA/cmにて、駆動電圧4.1V、発光輝度1135cd/mの赤色発光が得られ、色度座標は(0.67、0.33)、効率は11.35cd/Aであった。また、初期輝度5000cd/mでの直流の連続通電試験を行なったところ、初期輝度の80%に達したときの駆動時間は2100時間であった。
本発明の有機EL素子は、各種表示装置、ディスプレイ、バックライト、照明光源、標識、看板、インテリア等の分野に適用でき、特にカラーディスプレイの表示素子として適している。

Claims (18)

  1. 下記一般式(1)又は(2)で表されるナフタセン誘導体。
    Figure 2007105448
    (式(1)中、Ar、Arは、互いに同一ではなく、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。)
    Figure 2007105448
    (式中、Ar1’、Ar2’は、互いに同一であってもよい、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。)
  2. 一般式(1)又は(2)で表されるナフタセン誘導体が、下記一般式(3)又は下記一般式(4)からなる群から選択されるいずれかである請求項1に記載のナフタセン誘導体。
    Figure 2007105448
    (式(3)中、Ar31、Ar32は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。a及びbは、それぞれ0〜5の整数である。ただし、一般式(3)において、中心のナフタセンの5位及び12位に、該ナフタセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。)
    Figure 2007105448
    (式(4)中、Ar41、Ar42は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基であり、R〜R10はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基である。a及びbは、それぞれ0〜5の整数である。)
  3. 請求項1又は2に記載のナフタセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  4. 請求項1又は2に記載のナフタセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料。
  5. 陰極と陽極との間に、請求項1又は2に記載のナフタセン誘導体を含有する少なくとも1層の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 請求項1又は2に記載のナフタセン誘導体を含有する前記有機層が発光層である、請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 陰極と陽極との間に、少なくとも、請求項1又は2に記載のナフタセン誘導体からなるホスト材料と、インデノペリレン誘導体からなるドーパント材料とを含有する発光層と、電子輸送層とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 前記電子輸送層が、下記一般式(5)で示される化合物を含有する請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    A−B (5)
    (式(5)中、Aは炭素環3以上の芳香族炭化水素基であり、Bは置換若しくは無置換の複素環基である。)
  9. 前記一般式(5)で表される化合物が、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフソフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン及びジベンゾフルオランテンから選択される1以上の骨格を分子中に有する化合物である請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 前記一般式(5)で表される化合物が、含窒素複素環化合物である請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 前記含窒素複素環化合物が、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、アクリジン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びフェナントロリンから選択される1以上の骨格を分子中に有する含窒素複素環化合物である請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 前記含窒素複素環化合物が、下記一般式(6)又は(7)で表されるベンゾイミダゾール誘導体である請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2007105448
    (式(6)及び(7)中、Rは、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
    mは0〜4の整数であり、
    11は、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
    12は、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
    Lは、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリーレン基、置換若しくは無置換のピリジニレン基、置換若しくは無置換のキノリニレン基又は置換若しくは無置換のフルオレニレン基であり、
    Ar11は、置換若しくは無置換の炭素数6〜60のアリール基、置換若しくは無置換のピリジニル基又は置換若しくは無置換のキノリニル基である。)
  13. 前記発光層のドーパント材料であるインデノペリレン誘導体が、下記一般式(12)及び(13)で表されるインデノペリレン誘導体からなる群から選択される1以上の化合物である請求項7〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2007105448
    (一般式(12)及び(13)において、Ar51、Ar52及びAr53は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。X〜X18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルケニルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルオキシ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルキルチオ基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアリールアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50のアルケニルアリール基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−COOR51、−COR52、又は−OCOR53(ここで、R51、R52及びR53は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数2〜50のアルケニル基、置換若しくは無置換の核炭素数7〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6〜50の芳香族複素環基を表す。)から選ばれる基を表す。また、隣接する基は互いに結合していてもよく、さらにはX〜X18が結合している炭素原子と共に環を形成していてもよい。X〜X18の少なくとも1つは水素ではない。)
  14. 前記発光層のドーパント材料であるインデノペリレン誘導体が、ジベンゾテトラフェニルペリフランテン誘導体である請求項7〜13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 前記発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.1〜10重量%である請求項7〜14のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  16. 前記発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.5〜2重量%である請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  17. 発光色が橙色〜赤色である請求項7〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  18. 請求項7〜17のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する装置。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8278819B2 (en) * 2007-03-09 2012-10-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and display
US8541111B2 (en) * 2007-05-21 2013-09-24 Sony Corporation Organic electroluminescent device and display apparatus
DE102007047735A1 (de) 2007-10-05 2009-04-09 Merck Patent Gmbh Thiazolderivate
EP2221896A4 (en) * 2007-11-22 2012-04-18 Idemitsu Kosan Co ORGANIC EL ELEMENT
EP2212399A4 (en) * 2007-11-22 2011-04-20 Gracel Display Inc HIGH PERFORMANCE AROMATIC ELECTROLUMINESCENT COMPOUNDS AND LIGHT EMITTING DEVICE USING THESE COMPOUNDS
JP5498674B2 (ja) * 2008-09-19 2014-05-21 出光興産株式会社 有機薄膜太陽電池用材料及びそれを用いた有機薄膜太陽電池
JP5574410B2 (ja) * 2010-03-11 2014-08-20 国立大学法人 東京大学 電荷輸送材料、それを用いた薄膜及び有機電子デバイス、並びにパイ電子系化合物
EP2452946B1 (en) 2010-11-16 2014-05-07 Novaled AG Pyridylphosphinoxides for organic electronic device and organic electronic device
EP2463927B1 (en) 2010-12-08 2013-08-21 Novaled AG Material for organic electronic device and organic electronic device
WO2013079678A1 (en) 2011-11-30 2013-06-06 Novaled Ag Organic electronic device
JP6204371B2 (ja) 2011-11-30 2017-09-27 ノヴァレッド ゲーエムベーハー 有機電子装置
CN105849929B (zh) * 2013-12-26 2018-03-02 国立研究开发法人科学技术振兴机构 金属氧化物的薄膜、具备该薄膜的有机电致发光元件、太阳能电池和有机太阳能电池
KR102285383B1 (ko) 2014-09-12 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
EP3002801B1 (en) 2014-09-30 2018-07-18 Novaled GmbH Organic electronic device
JP6923837B2 (ja) * 2015-06-29 2021-08-25 国立研究開発法人理化学研究所 可溶性ペンタセンを用いた動的核偏極による核スピン高偏極化方法
JP7325731B2 (ja) 2018-08-23 2023-08-15 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289786A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999057220A1 (fr) * 1998-05-01 1999-11-11 Tdk Corporation Composes pour dispositifs el et dispositifs organiques el
JP2002008867A (ja) * 2000-04-21 2002-01-11 Tdk Corp 有機el素子
JP2002097465A (ja) * 2000-09-25 2002-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004303483A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tdk Corp 有機el素子及び有機elディスプレイ
WO2005033246A1 (en) * 2003-09-15 2005-04-14 Eastman Kodak Company Green organic light-emitting diodes
WO2005047421A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-26 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
WO2005093008A1 (en) * 2004-03-16 2005-10-06 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved performance
JP2006114844A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Tdk Corp 有機el素子材料の選択方法、有機el素子の製造方法及び有機el素子
JP2007088016A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99369C (ja) 1956-06-04
NL218434A (ja) 1956-06-27
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
NL126440C (ja) 1958-08-20
NL250330A (ja) 1959-04-09
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
JPS45555B1 (ja) 1966-03-24 1970-01-09
JPS463712B1 (ja) 1966-04-14 1971-01-29
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
CA917980A (en) 1969-06-20 1973-01-02 J. Fox Charles Alkylaminoaromatic organic photoconductors
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
JPS4725336B1 (ja) 1969-11-26 1972-07-11
JPS5110983B2 (ja) 1971-09-10 1976-04-08
GB1413352A (en) 1972-02-09 1975-11-12 Scott Paper Co Electrophotographic material
US3837851A (en) 1973-01-15 1974-09-24 Ibm Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer
GB1505409A (en) 1974-12-20 1978-03-30 Eastman Kodak Co Photoconductive compositions
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
CA1104866A (en) 1976-08-23 1981-07-14 Milan Stolka Imaging member containing a substituted n,n,n',n',- tetraphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine in the chargge transport layer
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
US4123269A (en) 1977-09-29 1978-10-31 Xerox Corporation Electrostatographic photosensitive device comprising hole injecting and hole transport layers
JPS5453435A (en) 1977-10-01 1979-04-26 Yoshikatsu Kume Portable bicycle equipped with foldable type triangle frame
US4150987A (en) 1977-10-17 1979-04-24 International Business Machines Corporation Hydrazone containing charge transport element and photoconductive process of using same
JPS5464299A (en) 1977-10-29 1979-05-23 Toshiba Corp Beam deflector for charged particles
JPS54112637A (en) 1978-02-06 1979-09-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110536A (en) 1978-02-20 1979-08-30 Ichikoh Ind Ltd Device for time-lag putting out room lamp for motorcar
JPS54119925A (en) 1978-03-10 1979-09-18 Ricoh Co Ltd Photosensitive material for electrophotography
US4251612A (en) 1978-05-12 1981-02-17 Xerox Corporation Dielectric overcoated photoresponsive imaging member
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS6060052B2 (ja) 1978-07-21 1985-12-27 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS5551086A (en) 1978-09-04 1980-04-14 Copyer Co Ltd Novel pyrazoline compound, its preparation, and electrophotographic photosensitive substance comprising it
JPS5546760A (en) 1978-09-29 1980-04-02 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5552064A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5574546A (en) 1978-11-30 1980-06-05 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
US4306008A (en) 1978-12-04 1981-12-15 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
JPS5588064A (en) 1978-12-05 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5588065A (en) 1978-12-12 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5585495A (en) 1978-12-18 1980-06-27 Pacific Metals Co Ltd Method of composting organic waste
JPS55108667A (en) 1979-02-13 1980-08-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4233384A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corporation Imaging system using novel charge transport layer
JPS6035058B2 (ja) 1979-05-17 1985-08-12 三菱製紙株式会社 有機光半導体電子写真材料
JPS564148A (en) 1979-06-21 1981-01-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5622437A (en) 1979-08-01 1981-03-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS5636656A (en) 1979-09-03 1981-04-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic material
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4273846A (en) 1979-11-23 1981-06-16 Xerox Corporation Imaging member having a charge transport layer of a terphenyl diamine and a polycarbonate resin
JPS5680051A (en) 1979-12-04 1981-07-01 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5688141A (en) 1979-12-20 1981-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6034099B2 (ja) 1980-06-24 1985-08-07 富士写真フイルム株式会社 電子写真感光体
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JPS6059590B2 (ja) 1980-09-03 1985-12-25 三菱製紙株式会社 電子写真感光体
JPS57148749A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6094462A (ja) 1983-10-28 1985-05-27 Ricoh Co Ltd スチルベン誘導体及びその製造法
JPS6093455A (ja) 1983-10-28 1985-05-25 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用現像剤
JPS60175052A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS60174749A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd スチリル化合物及びその製造法
JPS6114642A (ja) 1984-06-29 1986-01-22 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6172255A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
US4665000A (en) 1984-10-19 1987-05-12 Xerox Corporation Photoresponsive devices containing aromatic ether hole transport layers
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61228451A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Canon Inc 電子写真感光体
US4588666A (en) 1985-06-24 1986-05-13 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with alkoxy amine charge transport molecules
JPS6210652A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPS6230255A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Minolta Camera Co Ltd 電子写真感光体
JPS6236674A (ja) 1985-08-05 1987-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPS6247646A (ja) 1985-08-27 1987-03-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JP2727620B2 (ja) 1989-02-01 1998-03-11 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
US5653713A (en) 1989-04-24 1997-08-05 Michelson; Gary Karlin Surgical rongeur
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
JP2897138B2 (ja) 1989-06-30 1999-05-31 株式会社リコー 電界発光素子
JPH03162481A (ja) 1989-11-20 1991-07-12 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH07138561A (ja) 1993-11-17 1995-05-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3306735B2 (ja) 1995-01-19 2002-07-24 出光興産株式会社 有機電界発光素子及び有機薄膜
JP3724833B2 (ja) 1995-03-06 2005-12-07 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3712760B2 (ja) * 1995-05-17 2005-11-02 Tdk株式会社 有機el素子
JP3111923B2 (ja) * 1997-04-10 2000-11-27 松下電器産業株式会社 光ディスクへの情報記録方法および装置
JP3716096B2 (ja) 1998-04-02 2005-11-16 三菱重工業株式会社 微粉炭セパレータ装置
JP3539628B2 (ja) * 1999-09-17 2004-07-07 富士写真フイルム株式会社 発光素子材料、それを使用した発光素子およびアミン化合物
JP4601234B2 (ja) * 1999-09-30 2010-12-22 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3688207B2 (ja) 2000-02-18 2005-08-24 三星エスディアイ株式会社 有機el素子及び有機elディスプレイ
KR20010082752A (ko) * 2000-02-18 2001-08-30 가네꼬 히사시 유기el소자 및 유기el디스플레이
JP4885381B2 (ja) 2001-07-23 2012-02-29 一般財団法人石油エネルギー技術センター 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4860849B2 (ja) 2001-09-14 2012-01-25 一般財団法人石油エネルギー技術センター アミノ基を有する新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100691543B1 (ko) * 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP4299028B2 (ja) 2002-03-11 2009-07-22 Tdk株式会社 有機el素子

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289786A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999057220A1 (fr) * 1998-05-01 1999-11-11 Tdk Corporation Composes pour dispositifs el et dispositifs organiques el
JP2002008867A (ja) * 2000-04-21 2002-01-11 Tdk Corp 有機el素子
JP2002097465A (ja) * 2000-09-25 2002-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004303483A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tdk Corp 有機el素子及び有機elディスプレイ
WO2005033246A1 (en) * 2003-09-15 2005-04-14 Eastman Kodak Company Green organic light-emitting diodes
WO2005047421A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-26 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
WO2005093008A1 (en) * 2004-03-16 2005-10-06 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved performance
JP2006114844A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Tdk Corp 有機el素子材料の選択方法、有機el素子の製造方法及び有機el素子
JP2007088016A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子

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