JP5009516B2 - 芳香族化合物の製造方法及びその方法で得られた芳香族化合物 - Google Patents
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Description
有機EL素子は自発光素子であり、高効率発光・低コスト・軽量・薄型等の様々な特性を持つため、近年盛んに開発が行われている。有機EL素子の課題としては、駆動に伴い発光輝度が低下する現象が知られており、この輝度劣化を抑制するために様々な改良が試みられている。
例えば有機EL素子に用いられる有機材料中のハロゲン不純物濃度を1,000質量ppm未満に制御することにより、有機EL素子の輝度劣化を抑制できることが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
有機EL素子に用いる芳香族化合物を所望のハロゲン不純物濃度に制御する方法として、上記特許文献には昇華精製や再結晶といった精製技術を適宜組み合わせることが開示されている。しかし近年、さらにハロゲン不純物量を制御する技術が必要になってきており、有機EL素子用材料のハロゲン元素量をさらに低減することが可能な製造技術を開発する必要があった。
通常、有機EL素子用材料は、ウルマン反応、グリニャール反応、鈴木カップリング反応等の、芳香族ハロゲン化物を中間体とした合成方法により製造されている。有機EL素子は、用いられる材料中の不純物が素子性能(輝度劣化や初期効率)に大きな影響を与えることが知られており、通常、昇華精製やカラム精製、再結晶法のように、材料の物性の違いを利用した精製により高純度化がなされている。
有機EL素子用材料の高純度化に焦点を絞った場合、特に有機EL素子用材料中の不純物であるハロゲン化合物の低減、中でも反応性が高い、臭素化物やヨウ素化物を低減することが重要であるが、従来の方法では臭素化物やヨウ素化物を十分に低減することができなかった。
すなわち、本発明は、以下の芳香族化合物の製造方法及びその方法で得られた芳香族化合物を提供するものである。
1. ハロゲン含有中間体を介して製造された、ハロゲン元素含有量が10〜1000質量ppmである芳香族化合物を、さらに脱ハロゲン化剤と反応させることにより、ハロゲン元素含有量を10質量ppm以下とすることを特徴とする芳香族化合物の製造方法。
2. 芳香族化合物が、有機エレクトロルミネッセンス用材料である上記1に記載の芳香族化合物の製造方法。
3. 脱ハロゲン化剤が、グリニャール試薬、有機リチウム化合物及びボロン酸誘導体から選ばれる少なくとも一種である上記1又は2記載の芳香族化合物の製造方法。
4. 芳香族化合物が、核炭素数14〜20の縮合芳香族環を分子内に有する化合物である上記1〜3のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
5. 芳香族化合物が、分子内に窒素原子を1〜12個有する化合物である上記1〜4のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
6. ハロゲン元素が、少なくとも臭素又はヨウ素である上記1〜5のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
7. グリニャール試薬が、フェニルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシウムヨージド、エチルマグネシウムブロミド及びエチルマグネシウムヨージドから選ばれる少なくとも一種である上記3〜6のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
8. 有機リチウム化合物が、n−ブチルリチウム及びフェニルリチウムから選ばれる少なくとも一種である上記3〜6のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
9. ボロン酸誘導体が、フェニルボウ酸である上記3〜6のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
10. 上記1〜9のいずれかに記載の方法によって製造された芳香族化合物。
11. 有機エレクトロルミネッセンス用材料である上記10に記載の芳香族化合物。
芳香族ハロゲン化物を別の化合物に変換させる方法としては、脱ハロゲン化剤を用いる公知の反応を採用することができ、グリニャール反応、有機リチウム化合物を用いる反応、ボロン酸誘導体を用いる反応(鈴木カップリング反応)は反応収率が高いので、特に好適である。
反応溶媒としては一般的な溶媒を用いることができるが、具体的にはジメトキシエタンやテトラヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が特に好適である。またこれらの混合溶媒を用いてもよい。反応溶媒は脱水処理されていることが望ましい。
反応温度は、通常−30〜100℃の範囲で選択され、−10〜80℃が好ましい。反応時間は、通常1〜48時間の範囲で選択され、2〜8時間が好ましい。反応はアルゴン気流下で行うことが好ましい。
反応溶媒としては一般的な溶媒を用いることができるが、シクロヘキサンやデカリンの等の環状炭化水素系溶媒、ジメトキシエタンやテトラヒドロフラン等のエーテル系の溶媒が好適である。またこれらの混合溶媒を用いてもよい。
反応温度は、通常−100〜50℃の範囲で選択され、−80〜10℃が好ましい。反応時間は、通常1〜48時間の範囲で選択され、1〜8時間が好ましい。反応は窒素気流下又はアルゴン気流下で行うことが好ましい。
鈴木カップリング反応を好ましく用いる理由は、ハロゲンとの反応性が高いだけでなく、ニトロ基やメトキシ基等の置換基を有する材料に対して脱ハロゲン化処理を行っても、これらの置換基と反応しないことも挙げられる。
反応溶媒としては一般的な溶媒を用いることができる。具体的には、トルエンやキシレン等の芳香族炭化水素系の溶媒、シクロヘキサンやデカリン等の環状炭化水素系溶媒、ジメトキシエタンやテトラヒドロフラン等のエーテル系の溶媒などが挙げられる。これらの中で、トルエンやキシレン等の芳香族炭化水素系の溶媒、ジメトキシエタンやテトラヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が特に好適である。またこれらの混合溶媒を用いてもよい。
また、この反応においては、触媒として、通常、PdやNi等の遷移金属錯体を用いることができる。具体的にはPd(PPh3)4や酢酸パラジウムが好ましい。またPdやNi等の遷移金属錯体をリン系の配位子と併せて用いてもよい。例えばトリス(o−トリル)ホスフィン、トリ(t−ブチル)ホスフィン等が配位子として好ましく用いられる。
反応温度は、通常50〜200℃の範囲で選択され、70〜150℃が好ましい。反応時間は、通常4〜48時間の範囲で選択され、8〜16時間が好ましい。反応は窒素気流下又はアルゴン気流下で行うことが好ましい。
また、上記粗生成物を通常の方法で精製してハロゲン元素含有量を100質量ppm以下に低減した芳香族化合物に対して、上記化学反応処理を行うことによってさらにハロゲン不純物濃度を低減させることができる。
このような脱ハロゲン化処理により、芳香族化合物のハロゲン元素含有量は、10質量ppm以下に低減されるが、1質量ppm以下に低減されることが好ましい。
上記のような縮合芳香族環を分子内に有する芳香族化合物としては、例えば以下の1〜7の化合物が好適である。
1.下記一般式(1)で表されるアントラセン誘導体。
これらの中でも好ましくは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1−イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等が挙げられる。
Ar’は置換又は無置換の核炭素数6〜50の芳香族基である。この芳香族基としては、上記Ar1において例示したものと同様のものが挙げられ、同様のものが好ましい。
Xにおける置換又は無置換の核炭素数6〜50の芳香族基としては、上記Ar1において例示したものと同様のものが挙げられる。
置換又は無置換のシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が挙げられる。
また、環を形成する2価基の例としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−2,2’−ジイル基、ジフェニルエタン−3,3’−ジイル基、ジフェニルプロパン−4,4’−ジイル基等が挙げられる。
一般式(1)において、a、b及びcは、それぞれ0〜4の整数であり、0〜1であると好ましい。nは1〜3の整数である。またnが2以上の場合は、[ ]内の
2.下記一般式(2)で表される非対称モノアントラセン誘導体。
ただし、m=n=1でかつAr1とAr2のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ar1とAr2は同一ではなく、m又はnが2〜4の整数の場合にはmとnは異なる整数である。なお、本発明において、左右対称型とは、アントラセン環の9位に結合するベンゼン環において、Ar1及びR9が置換する位置(X1位,X2位)に対し、アントラセン環の10位に結合するベンゼン環において、Ar2及びR10がそれぞれX1位,X2位に置換する場合を左右対称型という。
すなわち、一般式(2)のアントラセン誘導体は、アントラセン核に結合する左右の芳香族環基で置換されたベンゼン環が左右非対称となる構造であり、上記アントラセン誘導体は非対称構造を有している。
例えば、アントラセン核の2位と3位の置換基が異なっていても、9位及び10位に結合する置換基が同一のものであれば、ここでいう非対称には含まれない。
上記一般式(2)において、m及び/又はnが1であるものが好ましく、m=1の場合、下記一般式(3)〜(5)で表されるものがさらに好ましい。
一般式(2)において、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換又は無置換の核炭素数6〜50の芳香族環基である。
Ar1とAr2の置換又は無置換の核炭素数6〜50の芳香族環基としては、上記一般式(1)において例示したものと同様のものが挙げられ、特に、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等が好ましい。
R1〜R10の置換又は無置換の芳香族環基、置換又は無置換の芳香族複素環基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアリールチオ基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル基の例としては、上記一般式(1)におけるXで例示したものと同様のものが挙げられる。
上記Ar1、Ar2及びR1〜R10の示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。
3.下記一般式(6)で表される非対称アントラセン誘導体。
ここで、X−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合がないとは、好ましくは一般式(6)において以下のような構造となっていることを言う。
(I)A3とA4が異なる。
(II)A3とA4が同じ場合は、
(II−i)Ar3とAr4が異なる。
(II−ii)R19とR20が異なる。
(II−iii) Ar3とAr4が同じかつR19とR20が同じ場合、
(II−iii−1)A3におけるアントラセン環9位との結合位置と、A4におけるアントラセン環10位との結合位置が異なる。
(II−iii−2)Ar3及びAr4が共に水素原子でない場合、A3におけるAr3の結合位置と、A4におけるAr4の結合位置が異なる。
(II−iii−3)R19及びR20が共に水素原子でない場合、A3におけるR19の結合位置と、A4におけるR20の結合位置が異なる。
A3及びA4の置換又は無置換の縮合芳香族環基としては、例えば、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナンスリル基、2−フェナンスリル基、3−フェナンスリル基、4−フェナンスリル基、9−フェナンスリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基等が挙げられる。
これらの中でも好ましくは、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナンスリル基である。
Ar3とAr4の置換又は無置換の芳香族環基としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナンスリル基、2−フェナンスリル基、3−フェナンスリル基、4−フェナンスリル基、9−フェナンスリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が挙げられる。
これらの中でも好ましくは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナンスリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基である。
R11〜R20の置換又は無置換の芳香族環基、置換又は無置換の芳香族複素環基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアリールチオ基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル基の例としては、上記一般式(1)におけるXで例示したものと同様のものが挙げられる。
上記Ar3、Ar4及びR11〜R20の示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。
Ar3、Ar4及びR11〜R20は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよく、環状構造としては、ベンゼン環等の不飽和6員環の他、飽和又は不飽和の5員環又は7員環構造等が挙げられる。
また、本発明において、上記一般式(6)で表される非対称アントラセン誘導体が、4位に置換基を有するナフタレン−1−イル基及び/又は置換もしくは無置換の核炭素数12〜20の縮合芳香族環基を有すると好ましい。この置換基としては、上記Ar3、Ar4及びR11〜R20の示す基における置換基と同様のものが挙げられる。
4.下記一般式(6')で表される非対称アントラセン誘導体。
5.下記一般式(7)で表される非対称ピレン誘導体。
この芳香族基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1 −イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基等が挙げられる。
これらの中でも好ましくは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1 −イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基等が挙げられる。
また、この置換基としては、上記芳香族基で挙げたものと同様のものが挙げられる。
一般式(7)において、mは0〜2(好ましくは0〜1)の整数、nは1〜4(好ましくは1〜2)の整数、sは0〜2(好ましくは0〜1)の整数、tは0〜4(好ましくは0〜2)の整数である。
また、一般式(7)において、L又はArは、ピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L’又はAr’は、ピレンの6〜10位のいずれかに結合する。
ただし、一般式(7)において、n+tが偶数の時、Ar,Ar’,L,L’は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ar≠Ar’及び/又はL≠L’(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2) Ar=Ar’かつL=L’の時
(2-1) m≠s及び/又はn≠t、又は
(2-2) m=sかつn=tの時、
(2-2-1) L及びL’、又はピレンが、それぞれAr及びAr’上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) L及びL’、又はピレンが、Ar及びAr’上の同じ結合位置で結合している場合、L及びL’又はAr及びAr’のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2位と7位である場合はない。
一般式(7)において、Ar及びAr’は、それぞれ置換又は無置換の核炭素数6〜50の芳香族基である。L及びL’は、それぞれ置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のナフタレニレン基、置換又は無置換のフルオレニレン基、あるいは置換又は無置換のジベンゾシロリレン基である。
mは0〜2の整数、nは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。また、L又はArは、ピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L’又はAr’は、ピレンの6〜10位のいずれかに結合する。
ただし、n+tが偶数の時、Ar,Ar’,L,L’は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ar≠Ar’及び/又はL≠L’(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2) Ar=Ar’かつL=L’の時
(2-1) m≠s及び/又はn≠t、又は
(2-2) m=sかつn=tの時、
(2-2-1) L及びL’、又はピレンが、それぞれAr及びAr’上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) L及びL’、又はピレンが、Ar及びAr’上の同じ結合位置で結合している場合、L及びL’又はAr及びAr’のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2位と7位である場合はない。
6.下記一般式(8)で表される非対称ピレン誘導体。
ただし、一般式(8)において、tが奇数の時、Ar,Ar’,L,L’は下記(1')又は(2')を満たす。
(1')Ar≠Ar’及び/又はL≠L’(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2')Ar=Ar’かつL=L’の時
(2-1')m≠s及び/又はt≠1、又は
(2-2')m=sかつt=1の時、
(2-2-1')L及びL’、又はピレンが、それぞれAr及びAr’上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2')L及びL’、又はピレンが、Ar及びAr’上の同じ結合位置で結合している場合、L’又はAr’のピレンにおける置換位置が6位である場合はない。
7.下記一般式(9)で表される非対称ピレン誘導体。
分子内に窒素原子を1〜12個有する芳香族化合物としては、芳香族ジアミン、芳香族トリアミン、芳香族テトラアミン等のアミン系化合物、ジカルバゾール誘導体、トリカルバゾール誘導体、テトラカルバゾール誘導体等のカルバゾール系化合物、ベンズイミダゾール系化合物、フェナンスロリン系化合物、キノキサリン系化合物、ヘキサアザトリフェニレン系化合物、インドリジン系化合物、ビピリジル系化合物、ピリミジン系化合物、トリアジン系化合物及びフタロシアニン系化合物等が挙げられる。
上述した芳香族化合物のうち、特に対称性が低い化合物は、芳香族ハロゲン化物を何種類も用いたり、ハロゲンの反応性の差を利用して複雑な反応を行ったりするので、特にハロゲン不純物が有機EL素子用材料内に残留しやすい。また分子内に窒素原子を有する化合物は、遊離したハロゲンと分子内錯体を形成しやすく、ハロゲン不純物が残留しやすい。これらの理由により、本発明のような化学反応処理を経由する製造方法は、特に高純度領域において有機EL素子用材料内のハロゲン含有量を低減させるためにはきわめて有効である。
分子内に窒素原子を1〜12個有する芳香族化合物の具体例としては下記一般式(10)〜(14)で表される化合物が挙げられる。
(式中、HArは、置換又は無置換の炭素数3〜40の含窒素複素環を示す。L2は、単結合、置換又は無置換の炭素数6〜60のアリーレン基、置換又は無置換の炭素数3〜60のヘテロアリーレン基、及び置換又は無置換のフルオレニレン基から選ばれる基を示す。Ar31は、置換又は無置換の炭素数6〜60の2価の芳香族炭化水素基を示す。Ar32は、置換又は無置換の炭素数6〜60のアリール基、及び置換又は無置換の炭素数3〜60のヘテロアリール基から選ばれる基を示す。)
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6)陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(7)陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(9)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。また、上記有機EL素子において、本発明の芳香族化合物は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、これらの構成要素の中の発光帯域又は正孔輸送帯域に含有されていることが好ましい。
合成例1(9−(ナフチル−2−イル)−10−(4−(ナフチル−1−イル)フェニル−1−イル)アントラセン(BH1)の合成)
(1)9−(ナフチル−2−イル)アントラセンの合成
窒素気流下、9−ブロモアントラセン30.0kg(東京化成社製)、2−ナフチルボロン酸24.1kg、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム2.157kg、炭酸カリウム48.4kg(日本曹達社製)、トルエン150L、ソルミックス150Lを1000Lの反応釜に入れ、78℃で50時間反応させた。
これを室温まで冷却した後、テトラヒドロフラン188L、水188Lを加え分液し、5質量%水酸化ナトリウム水溶液115L、5質量%炭酸水素ナトリウム水溶液115L、5質量%塩化ナトリウム水溶液115Lの順に用いて洗浄し、有機層を減圧濃縮した。
この有機層を、シリカゲル300kgを充填したカラムを用い、トルエンを展開溶媒として精製し、減圧濃縮後、スラリー状になるまでn−ヘプタン590Lを加え、室温で濾過した。これを乾燥させることにより、9−(ナフチル−2−イル)アントラセン33.2kgが得られた。
窒素気流下、上記(1)で得られた9−(ナフチル−2−イル)アントラセン33.2kg、ジメチルホルムアミド265Lを1000Lの反応釜に入れ、N−ブロモコハク酸イミド21.36kg(みどり化学社製)をジメチルホルムアミド100Lに溶解したものを30〜35℃の範囲内で滴下した。
4時間反応させた後、水454Lを滴下し、反応物を濾過し、得られた結晶を水60Lで洗浄した。これにクロロホルム276Lに溶解し、水80Lで洗浄し、硫酸マグネシウム7kgで乾燥させた後、有機層を減圧濃縮し、スラリー状になるまでn−ヘプタン590Lを加え、室温で濾過した。得られた結晶をトルエン57Lに溶解し、n−ヘプタン230L添加後、−5℃まで冷却し、その後60℃まで昇温し、結晶を濾取した。これを乾燥させたところ、9−ブロモ−10−(ナフチル−2−イル)アントラセン34.6kgが得られた。
窒素気流下、上記(2)で得られた9−ブロモ−10−(ナフチル−2−イル)アントラセン17.3kg、テトラヒドロフラン138Lを200Lの反応釜に入れ、−70℃に冷却し、17質量%n−ブチルリチウム・ヘキサン溶液20.4kg(アジアリチウム社製)を−64〜−70℃で滴下し、同温で2時間反応させた。これにホウ酸トリメチル9.38kg(大八化学社製)を−64〜−70℃で滴下し、同温で2時間反応させた。これに5mol/Lの塩酸103Lを5℃以下で滴下し、室温で分液し、有機層を5質量%炭酸水素ナトリウム60Lで洗浄し、トルエン60Lで抽出した。
上記と同様の工程をもう一度行い、両者併せたものを10質量%塩化ナトリウム水溶液120Lで洗浄し、減圧濃縮を行った。スラリー状になるまでn−ヘプタン200Lを加え、結晶を濾過し、50℃に加温したトルエン30L中で洗浄し、室温まで冷却した後、結晶を濾取した。これを乾燥させたところ、(9−(ナフチル−2−イル)アントラセン−10−イル)ボロン酸20.3kgが得られた。
窒素気流下、1−ナフチルボロン酸14.7kg、4−ブロモヨードベンゼン22.0kg、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム1.797kg、炭酸カリウム24.7kg(日本曹達社製)及びトルエン220Lを内容積500Lの反応釜に入れ、75℃で32時間反応させた。
これに水220Lを加えて分液し、5質量%水酸化ナトリウム水溶液130L、5質量%炭酸水素ナトリウム水溶液130L、5質量%塩化ナトリウム水溶液130Lの順に用いて洗浄した。この洗浄物を減圧濃縮し、シリカゲル220kgを充填したカラムを用い、展開溶媒としてn−ヘプタンを用いて精製し、減圧濃縮後、減圧蒸留を行い、1−(4−ブロモフェニル−1−イル)ナフタレン16.9kgを得た。
窒素気流下、上記(3)で得られた(9−(ナフチル−2−イル)アントラセン−10−イル)ボロン酸5.0kg、上記(4)で得られた1−(4−ブロモフェニル−1−イル)ナフタレン4.07kg、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム332g、炭酸カリウム5.95kg(日本曹達社製)、水50L及びジメトキシエタン50Lを内容積200Lの反応釜に入れ、75℃で18時間反応させた。
室温まで冷却した後、結晶を濾取し、水24L、メタノール24L及びn−ヘプタン24Lで洗浄した。次に50℃のn−ヘプタン44L中で洗浄し、室温まで冷却した後、結晶を濾取した。
これを、シリカゲル25kgを充填したカラムで、展開溶媒としてヘキサン/トルエン=3/1を用いて精製し、減圧濃縮した後、アセトン2.5Lを加え濾過し、アセトン2.5L、ヘキサン2.5Lで洗浄した。これを乾燥させた後、真空度3×10-3Pa、ボート温度270〜280℃で昇華精製を行い、9−(ナフチル−2−イル)−10−(4−(ナフチル−1−イル)フェニル−1−イル)アントラセン(BH1)4.81kgを得た。
このBH1のHPLC(高速液体クロマトグラフィー)純度は、面百値で99.98%であった。このBH1中に存在するBr量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、28質量ppmであった。
アルゴン気流下、BH1 600gを無水THF 9L中に懸濁させ、そこに32質量%フェニルマグネシウムブロマイドのテトラヒドロフラン溶液(東京化成社製)60mlを氷冷下で徐々に滴下し、50〜60℃で30分間攪拌した。希硫酸を加えて未反応物を分解し、トルエンで反応物を抽出し、有機層を5質量%NaOH水溶液、5質量%炭酸水素ナトリウム水溶液及び10質量%食塩水で洗浄した後、減圧濃縮した。濃縮残渣にトルエンを加えて原液とし、シリカゲルとアルミナを使用してカラムによる精製を行った。留出液を減圧濃縮しスラリー状になったところでヘプタン2Lを徐々に投入し、その後冷却した。5℃まで冷却後に結晶を濾過し、黄色結晶490gを得た。
この黄色結晶を真空度3×10-3Pa、ボート温度270〜280℃で昇華精製し、グリニャール反応処理BH1(以下、GBH1という)415gを得た。
このGBH1のHPLC純度は面百値で99.99%以上であり、このGBH1中に存在するBr量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、1質量ppm未満であった。
窒素パージ下、BH1 600g、無水トルエン5Lと無水エーテル5Lに溶解し、そこに15質量% n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(東京化成社製)75mlを−78℃で徐々に加えた。その後0℃で1時間攪拌し、水を加えて反応を停止した。トルエンで反応物を抽出し、有機層を5質量%NaOH水溶液、5質量%炭酸水素ナトリウム水溶液及び10質量%食塩水で洗浄した後に減圧濃縮した。濃縮残渣にトルエンを加え原液とし、シリカゲルとアルミナを使用してカラムによる精製を行った。留出液を減圧濃縮しスラリー状になったところでヘプタン2Lを徐々に投入し、その後冷却した。5℃まで冷却後に結晶を濾過し、黄色結晶495gを得た。
この黄色結晶を真空度3×10-3Pa、ボート温度270〜280℃で昇華精製し、有機リチウム試薬反応処理BH1(以下、LBH1という)421gを得た。
このLBH1のHPLC純度は面百値で99.99%以上であり、このLBH1中に存在するBr量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、1質量ppm未満であった。
窒素パージ下、BH1 600g、トルエン9L、フェニルボロン酸14.4g、炭酸カリウム49.2g及び水3L、Pd(PPh3)426gを仕込み、75℃まで昇温した。同温で一晩熟成後に冷却し、水層を分離した。有機層を5質量%NaOH水溶液、5質量%炭酸水素ナトリウム水溶液、10質量%食塩水で洗浄後に減圧濃縮した。濃縮残渣にトルエンを加え原液とし、シリカゲルとアルミナを使用してカラムによる精製を行った。留出液を減圧濃縮しスラリー状になったところでヘプタン1920mlを徐々に投入し、その後冷却した。5℃まで冷却後に結晶を濾過し、黄色結晶540gを得た。
この黄色結晶を真空度3×10-3Pa、ボート温度270〜280℃で昇華精製し、鈴木カップリング反応処理BH1(以下、SBH1という)475gを得た。
このSBH1のHPLC純度は面百値で99.99%以上であり、このSBH1中に存在するBr量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、1質量ppm未満であった。
内容積1000mlの三つ口フラスコに4−ブロモビフェニル100g(東京化成社品)、ベンズアミド23.1g(東京化成社製)、ヨウ化第一銅3.6g(関東化学社製)、無水炭酸カリウム58g(関東化学社製)を入れた。さらに攪拌子を入れ、フラスコの両側にラバーキャップをセットし、中央の口に還流用蛇管、その上に三方コックとアルゴンガスを封入した風船をセットし、系内を真空ポンプを用いて3回、風船内のアルゴンガスで置換した。
次にジエチルベンゼン500mlをシリンジでラバーセプタムを通して加え、フラスコをオイルバスにセットし、溶液を攪拌しながら徐々に200℃まで昇温した。6時間後、オイルバスからフラスコを外して反応を終了させ、アルゴン雰囲気下、12時間放置した。
反応溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタン1000mlを加えて沈殿物を溶解させ、飽和食塩水600mlで洗浄後、有機層を無水炭酸カリウムで乾燥させた。炭酸カリウムを濾別して得られた有機層の溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン2000mlとエタノール400mlを加え、乾燥管を装着して80℃に加熱し、残渣を完全に溶解した。その後12時間放置し、室温まで除冷することにより再結晶化させた。
析出した結晶を濾別し、60℃で真空乾燥させることによりN,N−ジ−(4−ビフェニリル)ベンズアミド74gを得た。
内容積3Lの三口フラスコに、N,N−ジ−(4−ビフェニリル)ベンズアミド70g、4,4’−ジヨードビフェニル31.5g(和光純薬社製)、ヨウ化第一銅1.5g、水酸化カリウム36gをそれぞれ入れ、ひとつの側口にラバーキャップを装着し、中央に還流用蛇管、その上に三方コックとアルゴンガスを封入した風船をセットし、系内を真空ポンプを用いて、3回風船内のアルゴンガスで置換した。
次にキシレン1000mlをシリンジでラバーセプタムを通して加え、フラスコをオイルバスにセットし、溶液を攪拌しながら140℃まで徐々に昇温した。6時間、140℃で攪拌後、オイルバスからフラスコを外し、12時間室温で放置した。
析出した沈殿物をジクロロメタン3Lで完全に溶解して分液ロートに移した後、飽和食塩水3Lで洗浄した後、分別した有機層を無水炭酸カリウムで乾燥させた。濾過後、溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン10L、エタノール3Lを加え、乾燥管に装着して80℃まで加熱し、沈殿物を溶解させた後、室温まで除冷した。次に沈殿物を濾別し、少量のトルエン及びエタノールで洗浄した後、真空乾燥機を用いて60℃で3時間乾燥させ、真空度3×10-3Pa、ボート温度360〜370℃で昇華精製を行い、N,N,N’,N’−テトラ(4−ビフェニリル)ベンジジン(HT1)70gを得た。
このHT1のHPLC純度は、面百値で99.98%であった。またこのHT1中に存在するBr量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、20質量ppmであった。
窒素パージ下、HT1 50g、トルエン5L、フェニルボロン酸0.8g、炭酸カリウム2.7g、200ml、Pd(PPh3)41.4gを仕込み75℃まで昇温した。同温で一晩熟成後に冷却し、水層を分離した。沈殿を濾過し、水、メタノール、アセトンで洗浄後、トルエンを用いて再結晶を行って精製し、黄色結晶47gを得た。
この黄色結晶を真空度3×10-3Pa、ボート温度350〜360℃で昇華精製し、化学反応処理HT1(以下、SHT1という)41gを得た。
このSHT1のHPLC純度は面百値で99.99%以上であり、このSHT1中に存在するBr量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、1質量ppm未満であった。
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、上記透明電極を覆うようにして膜厚80nmのHT1を成膜した。このHT1膜は、正孔輸送層として機能する。
さらに膜厚40nmのGBH1を蒸着し成膜した。同時にドーパントとして、下記式で表されるアミン化合物D1を、GBH1とD1の質量比が40:2になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。
この膜上に膜厚20nmのAlq(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム、下記式)膜を成膜した。このAlq膜は、電子輸送層として機能する。この後、LiFを1nmの厚さに蒸着し、電子注入層を形成した。このLiF膜上に金属Alを蒸着させて金属陰極を形成し、有機EL素子を作製した。この有機EL素子の発光色は青色であった。
初期輝度5000nit、室温、DC定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表1に示す。
GBH1の代わりにLBH1を用いた以外は実施例5と全く同様に有機EL素子を作製した。この有機EL素子の発光色は青色であった。初期輝度5000nit、室温、DC定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表1に示す。
GBH1の代わりにSBH1を用いた以外は実施例5と全く同様に有機EL素子を作製した。この有機EL素子の発光色は青色であった。初期輝度5000nit、室温、DC定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表1に示す。
HT1の代わりにSHT1を用い、SBH1の代わりにBH1を用いた以外は実施例5と全く同様に有機EL素子を作製した。この有機EL素子の発光色は青色であった。初期輝度5000nit、室温、DC定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表1に示す。
HT1の代わりにSHT1を用いた以外は実施例5と全く同様に有機EL素子を作製した。この有機EL素子の発光色は青色であった。初期輝度5000nit、室温、DC定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表1に示す。
SBH1の代わりにBH1を用いた以外は実施例3と全く同様に有機EL素子を作製した。この有機EL素子の発光色は青色であった。初期輝度5000nit、室温、DC定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表1に示す。
下記の合成経路により下記式(A)で表されるBH2を合成した。
アルゴン雰囲気下、2−クロロアントラキノン3.4g(14mmol)、2−ビフェニリルボロン酸5g(17mmol,1.2eq)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)0.32g(0.35mmol,5質量%Pd)及び炭酸セシウム14g43mmol、2.5eq)を、無水ジオキサン40mlに懸濁させ、トリシクロヘキシルホスフィンのトルエン溶液1.1ml(25質量%,0.98mmol,1.4eq to Pd)を加えて80℃で10時間攪拌した。
得られた反応混合物を、水100mとトルエン300mlで希釈し、ゼオライトで不溶物を濾別した。有機層を濾液から分取し、飽和食塩水50mlで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を留去して濃赤色オイルを得た。このオイルを、カラムクロマトグラフィ(シリカゲル充填)で精製した。精製は、ヘキサンと33質量%ジクロロメタンの混合溶媒で溶出させた後、ヘキサンと50質量%ジクロロメタンの混合溶媒で溶出させることにより行なった。この精製により、淡黄色固体7.1g(収率94%)を得た。得られた淡黄色固体は、 1H−NMR及びFDMS(フィールドディソープションマス分析)により、上記化合物(A−1)であることを確認した。 1H−NMR及びFDMSの測定結果を以下に示す。
1H−NMR (CDCl3,TMS) δ 7.18(5H, s),7.49(5H,s),7.76(2H,dd,J=6Hz,3Hz),8.08 (1H,d,J=8Hz),8.2-8.3 (3H,m)
FDMS,calcd for C26H16O2 =360,found m/z=360(M+ ,100)
アルゴン雰囲気下、3−(1−ナフチル)−1−ブロモベンゼン4.2g(15mmol,2.7eq)を無水トルエン25mlと無水THF25mlの混合溶媒に溶解し、ドライアイス/メタノール浴で−20℃に冷却した。これにn−ブチリリチウムのヘキサン溶液10ml(1.59mol/L,15.9mmol,1.06eq)を加え、−20℃で1時間攪拌した。これに2−(2−ビフェニリル)−9,10−アントラキノン[化合物(A−1)]2.0g(5.6mmol)を加え、室温で2時間攪拌して一晩放置した。
得られた反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液50mlで失活させ、有機層を分取し、飽和食塩水50mlで洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒留去して黄色オイルを得た。これをカラムクロマトグラフィ(シリカゲル充填)で精製した。精製は、ヘキサンと50質量%ジクロロメタンの混合溶媒で溶出させ、続いてジクロロメタンで溶出させた後、ジクロロメタンと3質量%メタノールの混合溶媒で溶出させることにより行なった。この精製により、淡黄色アモルファス固体の化合物3.1g(収率74%)を得た。得られた化合物は、 1H−NMRにより、上記化合物(A−2)であることを確認した。 1H−NMRの測定結果を以下に示す。
1H−NMR (CDCl3,TMS) δ 2.36 (1H,s),2.89 (1H,s),6.7-7.9 (38H,m)
2−(2−ビフェニリル)−9,10−ビス(3−(1−ナフチル)フェニル)−9,10−ジヒドロキシ−9,10−ジヒドロアントラセン[化合物(A−2)]1.1g(1.4mmol)と塩化第二スズ2水和物6.5g(29mmol,20eq)をTHF25mlに懸濁させ、濃塩酸15mlを加えて10時間還流した。
得られた反応混合物を濾別し、水及びメタノールで順次洗浄した後、乾燥させて淡黄色固体を得た。これをカラムクロマトグラフィ(シリカゲル充填)で精製した。精製は、ヘキサンと20質量%ジクロロメタンの混合溶媒で溶出させることにより行なった。この精製により、淡黄色固体1.0g(収率97%)を得た。得られた化合物は、 1H−NMR及びFDMSなどにより、上記BH2であることを確認した。 1H−NMR及びFDMSなどの測定結果を以下に示す。また、BH2のハロゲン元素含有量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、I量が5質量ppm、Br量が21質量ppm、Cl量が41質量ppmであった。
FDMS,calcd for C58H38=734,found m/z=734(M+ ,100)
λmax,407,385,366nm(PhMe)
Fmax,426,446nm(PhMe,λex=405nm)
Ip=5.69eV(500nW,82Y/eV)
Eg=2.92eV
Tg=130℃
アルゴン雰囲気下、BH2 2.0gを無水THF10mlとトルエン10mlの混合溶媒に溶解し、−30℃に冷却した。n−ブチルリチウムの1.6mol/Lヘキサン溶液1.0mlを徐々に加え、−30℃で5時間攪拌した。得られた反応液に水1.0mlを徐々に加えた後、エバポレーターで減圧濃縮した。得られた固体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥させた。残渣をカラムクロマトグラフィ(シリカゲル充填)で精製した。精製は、ヘキサンとトルエンの混合溶媒(ヘキサン/トルエン=3/1(質量比))で溶出させることにより行なった。得られた固体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、黄色の固体1.6g(回収率80%)を得た。これをLBH2と称する。
この固体中に存在するハロゲン元素量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、I量、Br量及びCl量のいずれも5質量ppm未満であった。
アルゴン雰囲気下、BH2 2.0g、フェニルボロン酸40mg(BH2の0.1当量、テトラキス(トリフェニルホスフィノ)パラジウム(0)10mg(フェニルボロン酸の0.03当量)を無水トルエン10mlに溶解し、−30℃に冷却した。2mol/Lの炭酸ナトリウム水溶液1.3mlを加え、80℃で6時間攪拌した。得られた反応液に水1.0mlを徐々に加えた後、エバポレーターで減圧濃縮した。得られた固体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥させた。残渣をカラムクロマトグラフィ(シリカゲル充填)で精製した。精製は、トルエンで溶出させ、続いて塩化メチレンで溶出させることにより行なった。得られた固体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、黄色の固体2.0g(回収率100%)を得た。これをSBH2と称する。
この固体中に存在するハロゲン元素量を、ICP−MS(燃焼)法により測定したところ、I量、Br量及びCl量のいずれも5質量ppm未満であった。
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、上記透明電極を覆うようにして膜厚40nmのN,N'−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)−N,N'−ジフェニル−4,4'−ジアミノビフェニル膜(TPD232膜)を成膜した。このTPD232膜は、正孔注入層として機能する。
このTPD232膜上に、膜厚40nmのN,N,N',N'−テトラキス(4−ビフェニル)−4,4'−ベンジン(BPTPD)を蒸着し成膜した。このBPTPD膜は、正孔輸送層として機能する。
次に、LBH2と1,6−ビス(ジフェニルアミノ)ピレンを質量比20:1で、ジオキサンとイソプロピルアルコールとの混合溶媒(容量比1:8)に溶解し、3質量%の塗布溶液を調製した。この塗布液を用いて、上記BPTPD膜上に、スピンコート法により膜厚40nmの発光層を成膜した。得られた積層基板を、10-6Pa程度の真空下で、赤外加熱源(ハロゲンランプ)にて基板温度が120℃となるように加熱した。
四重極質量分析装置により測定結果から、30分間の加熱で膜中の残留溶媒が除去されていることが確認された。続いてこの積層基板を大気に接触させることなく、基板搬送装置により真空蒸着装置内に移送し、膜厚30nmのAlq(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム、上記式)膜を、真空蒸着法により成膜した。このAlq膜は、電子輸送層として機能する。
さらに、膜厚1μmのフッ化リチウムを真空蒸着法により成膜し、電子注入層とした。この電子注入層上に金属Alを真空蒸着させて金属陰極を形成し、有機EL素子を作製した。この素子に5.0Vの電圧を印加したところ、2.3mA/cm2の電流が流れ、色度(0.15,0.26)で94cd/m2の青色発光が得られた。発光効率は、4.1cd/A及び2.61m/Wであった。また、この素子を100cd/m2から室温で低電流測定したところ、輝度半減寿命は13,000時間であった。
LBH2の代わりにSBH2を用いた以外は実施例12と全く同様に有機EL素子を作製した。この素子に5.0Vの電圧を印加したところ、2.3mA/cm2の電流が流れ、色度(0.15,0.26)で92cd/m2の青色発光が得られた。発光効率は、4.0cd/A及び2.51m/Wであった。また、この素子を100cd/m2から室温で低電流測定したところ、輝度半減寿命は12,000時間であった。
LBH2の代わりにBH2を用いた以外は実施例12と全く同様に有機EL素子を作製した。この素子に5.0Vの電圧を印加したところ、2.5mA/cm2の電流が流れ、色度(0.15,0.26)で93cd/m2の青色発光が得られた。発光効率は、3.7cd/A及び2.31m/Wであった。また、この素子を100cd/m2から室温で低電流測定したところ、輝度半減寿命は9,800時間であった。
Claims (7)
- ハロゲン含有中間体を介して製造された、ハロゲン元素含有量が10〜1000質量ppmであり、核炭素数14〜20の縮合芳香族環を分子内に有する有機エレクトロルミネッセンス用芳香族化合物(但し、ピレン環を分子内に有する芳香族化合物を除く。)を、さらにグリニャール試薬、有機リチウム化合物及びボロン酸誘導体から選ばれる少なくとも一種の脱ハロゲン化剤と反応させることにより、ハロゲン元素含有量を10質量ppm以下とすることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス用芳香族化合物の製造方法。
- ハロゲン含有中間体を介して製造された、核炭素数14〜20の縮合芳香族環を分子内に有するハロゲン置換基を持たない有機エレクトロルミネッセンス用芳香族化合物(但し、ピレン環を分子内に有する芳香族化合物を除く。)であって、不純物としてのハロゲン元素含有量が10〜1000質量ppmである前記芳香族化合物を、さらにグリニャール試薬、有機リチウム化合物及びボロン酸誘導体から選ばれる少なくとも一種の脱ハロゲン化剤と反応させることにより、ハロゲン元素含有量を10質量ppm以下とすることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス用芳香族化合物の製造方法。
- 芳香族化合物が、分子内に窒素原子を1〜12個有する化合物である請求項1又は2に記載の芳香族化合物の製造方法。
- ハロゲン元素が、少なくとも臭素又はヨウ素である請求項1〜3のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
- グリニャール試薬が、フェニルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシウムヨージド、エチルマグネシウムブロミド及びエチルマグネシウムヨージドから選ばれる少なくとも一種である請求項1〜4のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
- 有機リチウム化合物が、n−ブチルリチウム及びフェニルリチウムから選ばれる少なくとも一種である請求項1〜4のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
- ボロン酸誘導体が、フェニルボロン酸である請求項1〜4のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
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