JP2002175885A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子

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JP2002175885A
JP2002175885A JP2001304789A JP2001304789A JP2002175885A JP 2002175885 A JP2002175885 A JP 2002175885A JP 2001304789 A JP2001304789 A JP 2001304789A JP 2001304789 A JP2001304789 A JP 2001304789A JP 2002175885 A JP2002175885 A JP 2002175885A
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organic
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aryl
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JP2001304789A
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Hisahiro Azuma
久洋 東
Toshio Sakai
俊男 酒井
Chishio Hosokawa
地潮 細川
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Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 軽量・薄型で低電圧駆動のディスプレイに適
用可能であり、かつ長期間の駆動によっても発光輝度が
減衰することがなく、耐久性に優れている有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 少なくとも一対の電極間に挟持された有
機発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、少なくとも1つの有機化合
物層をハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が10
00ppm未満の有機化合物材料で形成した有機エレク
トロルミネッセンス素子である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子(以下、有機EL素子と称することが
ある)に関する。さらに詳しくは、軽量・薄型で低電圧
駆動のディスプレイに適用可能であって、しかも長期間
駆動しても発光輝度の減衰が小さく、耐久性に優れた有
機EL素子に関する。
【0002】
【従来の技術】電界発光を利用した有機EL素子は、自
己発光であることから視認性が高く、また完全固体素子
であるために耐衝撃性に優れているという特徴を有して
いる。したがって、薄膜ディスプレイ素子や液晶ディス
プレイのバックライト、平面光源などの分野に使用され
ている。現在実用化されているエレクトロルミネッセン
ス素子は、分散型エレクトロルミネッセンス素子であ
る。この分散型エレクトロルミネッセンス素子は、数十
ボルト、10キロヘルツ以上の交流電圧を必要とするた
め、その駆動回路が複雑になっている。このようなこと
から、駆動電圧を10ボルト程度まで低下させることが
でき、高輝度に発光することのできる有機EL素子が、
近年盛んに研究されている。たとえば、C.W.Tan
g and S.A.Van Slyke Appl.
Phys.Lett.,vol.51,pp.913〜
915(1987)や、特開昭63−264629号公
報において、有機薄膜EL素子の構成が、透明電極/正
孔注入層/発光層/背面電極の積層型であるものが提案
されており、ここで用いられている正孔注入層により効
率よく正孔を発光層内に注入することができるようにな
されている。このような有機EL素子において用いられ
る発光層は、単層であってもよいのであるが、上記のよ
うに、電子輸送性と正孔輸送性とのバランスが良くなか
ったことから、多層に積層することにより、性能の向上
が図られていた。ところで、このように積層構造に形成
するためには、その製造工程が煩雑になり所要時間も長
くなるほか、各層に薄膜性が要求されるなどの制限が多
いという問題がある。さらに、近年においては、情報機
器などのコンパクト化や携帯型への移行の要請が高ま
り、これらの駆動電圧のさらなる低電圧化の要望が増大
している。そこで、このような軽量化や駆動電圧の低電
圧化のために、発光材料や正孔輸送材料などの開発が試
みられている。さらに、この有機EL素子における実用
上の課題として、長期間の駆動に伴う有機EL素子の発
光輝度の減衰を抑制し、実用的に耐え得るものとする技
術を確立することである。このような課題については、
「月刊ディスプレイ、9月号、15頁(1995)」
や、「応用物理、第66巻、第2号、114〜115頁
(1997)」において、有機EL素子の構成材料に用
いる各種有機化合物の純度が、発光効率や、発光輝度の
減衰に強く影響を及ぼす旨の記載がある。しかしなが
ら、有機EL素子に用いられる各種有機化合物の構造・
性質等が、有機EL素子の性能に与える影響については
未だ明らかではなく、これらを定量的に解明する方法が
確立するには至っていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況から、軽量・薄型で低電圧駆動のディスプレイに適
用が可能であって、しかも長期間の駆動に伴う発光輝度
の減衰が小さく、耐久性に優れた有機EL素子を提供す
ることを目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために種々検討を重ねた結果、有機EL素子
における少なくとも1つの有機化合物層を、ハロゲン含
有化合物からなる不純物濃度が1000ppm未満、0
ppm以上の有機化合物材料で構成することにより、そ
の目的を達成しうることを見出し、かかる知見に基づい
て本発明を完成するに至った。
【0005】すなわち、本発明の要旨は、下記のとおり
である。 (1) 少なくとも一対の電極間に挟持された有機発光
層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子において、少なくとも1つの有機化合物層を
ハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が1000p
pm未満の有機化合物材料で形成した有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、該有機化合物材料がフェニ
ルアントラセン誘導体である有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 (2) 少なくとも一対の電極間に挟持された有機発光
層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子において、少なくとも1つの有機化合物層を
ハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が1000p
pm未満の有機化合物材料で形成した有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、該有機化合物材料が、
【0006】
【化19】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、アルキル基、
シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
キシ基、アリーロキシ基、アミノ基又は複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r1
及びr2は、それぞれ独立に、0又は1〜5の整数を表
す。r1及びr2が、それぞれ独立に、2以上の整数であ
るとき、R1同士及びR2同士は各々同一でも異なるもの
であってもよく、R1同士及びR2同士は結合して環を形
成してもよい。L1は単結合又はアリーレン基を表し、
アリーレン基は、アルキレン基、−O−、−S−又は−
NR−(ここでRはアルキル基又はアリール基を表す)
が介在するものであってもよい。また、R3及びR4は、
それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリーロキシ
基、アミノ基又は複素環基を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r3及びr4は、それぞれ独立
に、0又は1〜5の整数を表す。r3及びr4が、それぞ
れ独立に、2以上の整数であるとき、R3同士及びR4
士は各々同一でも異なるものであってもよく、R3同士
及びR4同士は結合して環を形成してもよい。L2は単結
合又はアリーレン基を表し、アリーレン基は、アルキレ
ン基、−O−、−S−又は−NR−(ここでRはアルキ
ル基又はアリール基を表す)が介在するものであっても
よい。)、
【0007】
【化20】 (式中、A1 〜A4 は、それぞれ独立に、炭素数6〜1
6のアリール基を表す。これらのアリール基は、水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアミノ
基により置換されていてもよい。また、Aは単結合、ア
リーレン基又はポリアリーレン基であり、置換されてい
てもよい。)、
【0008】
【化21】 (式中、Arは、それぞれ独立に、アリーレン基又はポ
リアリーレン基であり、R5 〜R7 は、それぞれ独立
に、水素原子、アルキル基又はアリール基である。nは
1〜6の整数である。)、
【0009】
【化22】 (式中、Ar1 〜Ar4 は、それぞれ独立に、アリール
基であり、少なくとも一つは、以下に示すスチリル基で
置換されているものである。
【化23】 (R8〜R10は、それぞれ独立に、水素、アルキル基又
はアリール基である。))、及び
【0010】
【化24】 (式中、Ar’,Ar'',X,Yは、それぞれ独立に、
アリール基を示す。)の中から選ばれる少なくとも一種
類である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0011】(3) ハロゲン含有化合物からなる不純
物の濃度が500ppm未満の有機化合物材料で形成し
た上記(1)又は(2)に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 (4) ハロゲン含有化合物が、ハロゲン化合物である
上記(1)〜(3)のいずれかに記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。 (5) 有機化合物層を、正孔注入層と有機発光層およ
び電子注入層で構成した上記(1)〜(4)のいずれか
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (6) 有機化合物層を形成する有機化合物材料中の少
なくとも一つとして、昇華精製法により精製した有機化
合物材料を用いた上記(1)〜(5)のいずれかに記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (7) 有機化合物層を形成する有機化合物材料中の少
なくとも一つとして、再結晶法または再沈精製法、もし
くは再結晶法と再沈精製法の併用により精製した有機化
合物材料を用いた上記(1)〜(5)のいずれかに記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (8) 高速液体クロマトグラフィー法により有機化合
物層を形成する有機化合物材料中のハロゲン含有化合物
からなる不純物の含有量を定量し、その含有量が100
0ppm未満の有機化合物材料を選定して有機化合物層
の形成材料に使用する有機エレクトロルミネッセンス素
子用の有機化合物材料の選定方法であって、該有機化合
物材料がフェニルアントラセン誘導体である有機化合物
材料の選定方法。 (9) 有機化合物層を形成する有機化合物材料中の少
なくとも1つについて、該有機化合物材料中のハロゲン
含有化合物からなる不純物の含有量を定量し、その含有
量が1000ppm未満の有機化合物材料を選定して有
機化合物層の形成材料に使用する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子用の有機化合物材料の選定方法であって、
該有機化合物材料がフェニルアントラセン誘導体である
有機化合物材料の選定方法。 (10) 高速液体クロマトグラフィー法により有機化
合物層を形成する有機化合物材料中のハロゲン含有化合
物からなる不純物の含有量を定量し、その含有量が10
00ppm未満の有機化合物材料を選定して有機化合物
層の形成材料に使用する有機エレクトロルミネッセンス
素子用の有機化合物材料の選定方法であって、該有機化
合物材料が上記(2)に記載の化合物の中から選ばれる
少なくとも一種類である有機化合物材料の選定方法。 (11) 有機化合物層を形成する有機化合物材料中の
少なくとも1つについて、該有機化合物材料中のハロゲ
ン含有化合物からなる不純物の含有量を定量し、その含
有量が1000ppm未満の有機化合物材料を選定して
有機化合物層の形成材料に使用する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子用の有機化合物材料の選定方法であっ
て、該有機化合物材料が上記(2)に記載の化合物の中
から選ばれる少なくとも一種類である有機化合物材料の
選定方法。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につき
説明する。本発明は、少なくとも一対の電極間に挟持さ
れた有機発光層を含む有機化合物層を有する有機EL素
子において、少なくとも1つの有機化合物層を不純物濃
度が1000ppm(重量を示すが、容量を示すことも
ある)未満の有機化合物材料で形成した有機EL素子で
ある。
【0013】本発明の有機EL素子は、少なくとも一対
の電極間に有機発光層を含む有機化合物層を挟持させて
構成され、その代表的な素子構成としては、下記に示す
とおりであるが、これに限定されるものではない。 陽極/発光層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/陰極 陽極/発光層/電子注入層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極 陽極/有機半導体層/発光層/陰極 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/
陰極
【0014】本発明における有機EL素子は、これら各
種の素子構成のいかなる形態であってもよいが、上記の
構成としてあるものが好ましく用いられる。そして、前
記有機化合物層は、上記構成における陽極と陰極の間に
挟持される発光層をはじめとする各層を含み、有機EL
素子の有機化合物層を構成するこれら各層の中のいずれ
か1つの有機化合物層を ハロゲン含有化合物からなる
不純物濃度が1000ppm未満の有機化合物材料で形
成した有機EL素子である。この有機EL素子は、透光
性の基板上に作製する。この透光性基板は有機EL素子
を支持する基板であり、その透光性については、400
〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上でで
あるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好
ましい。
【0015】このような透光性基板としては、たとえ
ば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガ
ラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ス
トロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガ
ラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、
石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂
板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポ
リエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファ
イド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板か挙げられる。
【0016】つぎに、上記の陽極としては、仕事関数の
大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物ま
たはこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用
いられる。このような電極物質の具体例としては、Au
等の金属、CuI、ITO、SnO2 、ZnO等の導電
性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これら
の電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄
膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層
からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対す
る透過率が10%より大きくなるような特性を有してい
ることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω
/□以下としてあるものが好ましい。さらに、陽極の膜
厚は、材料にもよるが通常10nm〜1μm、好ましく
は10〜200nmの範囲で選択される。
【0017】そして、本発明の有機EL素子の発光層と
しては、以下の機能を併せ持つものが好適である。 注入機能;電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔
を注入することができ、陰極または電子注入層より電子
を注入することができる機能 輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移
動させる機能 発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発
光につなげる機能 ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさ
には、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で
表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方
の電荷を移動することが好ましい。有機EL素子の発光
材料は主に有機化合物であり、具体的には所望の色調に
より、次のような化合物が用いられる。
【0018】たとえば、紫外域から紫色の発光を得る場
合には、下記の一般式〔1〕で表される化合物が好適に
用いられる。
【化25】 〔式中、Xは下記一般式〔2〕、
【化26】 (式中、nは2〜5の整数を示す)で表される基を示
し、Yは下記一般式〔3〕で表される基を示す。〕
【化27】
【0019】この一般式〔1〕で表される化合物におけ
るフェニル基、フェニレン基、ナフチル基には、炭素数
1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、水
酸基、スルホニル基、カルボニル基、アミノ基、ジメチ
ルアミノ基またはジフェニルアミノ基等の単数または複
数の置換基を有する化合物を用いてもよい。また、これ
ら置換基が複数ある場合には、それらが互いに結合し、
飽和5員環あるいは6員環を形成していてもよい。さら
に、この化合物の形態については、フェニル基、フェニ
レン基、ナフチル基にパラ位で結合したものが、結合性
が良く、かつ平滑な蒸着膜が形成し易いことから好まし
い。上記一般式〔1〕で表される化合物の具体例を示せ
ば、下記のとおりである。
【0020】
【化28】
【0021】
【化29】
【0022】これら化合物の中では、特にp−クォータ
ーフェニル誘導体、p−クインクフェニル誘導体が好ま
しい。また、青色から緑色の発光を得るためには、例え
ばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾ
オキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシ
ノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いること
ができる。これら化合物の具体例としては、例えば特開
昭59−194393号公報に開示されている化合物を
挙げることができる。さらに他の有用な化合物は、ケミ
ストリー・オブ・シンセティック・ダイズ(1971)
628〜637頁および640頁に列挙されている。前
記キレート化オキシノイド化合物としては、例えば、特
開昭63−295695号公報に開示されている化合物
を用いることができる。その代表例としては、トリス
(8−キノリノール)アルミニウム等の8−ヒドロキシ
キノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等
が好適な化合物として挙げることができる。また、前記
スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許
第0319881号明細書や欧州特許第0373582
号明細書に開示されているものを用いることができる。
そして、特開平2−252793号公報に開示されてい
るジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用
いることができる。このほか、欧州特許第038771
5号明細書に開示されているポリフェニル系化合物も発
光層の材料として用いることができる。
【0023】さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキシノイド化合物およびスチリルベンゼン系化合
物等以外に、例えば12−フタロペリノン(J. App
l.Phys.,第27巻,L713(1988年))、
1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,1,
4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン(以上A
ppl. Phys. Lett.,第56巻,L799(1
990年))、ナフタルイミド誘導体(特開平2−30
5886号公報)、ペリレン誘導体(特開平2−189
890号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平2−
216791号公報、または第38回応用物理学関係連
合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール
誘導体)、アルダジン誘導体(特開平2−220393
号公報)、ピラジリン誘導体(特開平2−220394
号公報)、シクロペンタジエン誘導体(特開平2−28
9675号公報)、ピロロピロール誘導体(特開平2−
296891号公報)、スチリルアミン誘導体(App
l. Phys. Lett.,第56巻,L799(199
0年)、クマリン系化合物(特開平2−191694号
公報)、国際特許公報WO90/13148やApp
l. Phys. Lett.,vol58,18,P198
2(1991)に記載されているような高分子化合物、
9,9',10,10'−テトラフェニル−2,2'−ビアントラセ
ン、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)誘導体、ポ
リフルオレン誘導体やそれら共重合体等、例えば、次の
ような構造をもつものや、
【0024】
【化30】
【0025】9,10−ビス(N−(4−(2−フェニルビ
ニル−1−イル)フェニル)-N-フェニルアミノ)アン
トラセン等も発光層の材料として用いることができる。
さらには、特開平8−12600号公報に開示されてい
るような次式を示されるフェニルアントラセン誘導体も
発光材料として用いることができる。 A1−L−A2 (式中、A1及びA2は、各々モノフェニルアントリル
基又はジフェニルアントリル基を示し、これらは同一で
も異なっていてもよい。Lは、単結合又は二価の連結基
を示す。) 特に、以下の一般式で表されるフェニルアントラセン誘
導体が好適である。
【0026】
【化31】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、アルキル基、
シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
キシ基、アリーロキシ基、アミノ基又は複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r1
及びr2は、それぞれ独立に、0又は1〜5の整数を表
す。r1及びr2が、それぞれ独立に、2以上の整数であ
るとき、R1同士及びR2同士は各々同一でも異なるもの
であってもよく、R1同士及びR2同士は結合して環を形
成してもよい。L1は単結合又はアリーレン基を表し、
アリーレン基は、アルキレン基、−O−、−S−又は−
NR−(ここでRはアルキル基又はアリール基を表す)
が介在するものであってもよい。また、R3及びR4は、
それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリーロキシ
基、アミノ基又は複素環基を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r3及びr4は、それぞれ独立
に、0又は1〜5の整数を表す。r3及びr4が、それぞ
れ独立に、2以上の整数であるとき、R3同士及びR4
士は各々同一でも異なるものであってもよく、R3同士
及びR4同士は結合して環を形成してもよい。L2は単結
合又はアリーレン基を表し、アリーレン基は、アルキレ
ン基、−O−、−S−又は−NR−(ここでRはアルキ
ル基又はアリール基を表す)が介在するものであっても
よい。)、
【0027】アントラセン或いはフェニルアントラセン
として、具体的には以下の化合物を例示することができ
る。
【化32】
【0028】
【化33】
【0029】
【化34】
【0030】
【化35】 (以上において、式中、R11〜R45は、アルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキ
シ基、アリーロキシ基、アミノ基又は複素環基を表し、
これらは同一でも異なるものであってもよい。)
【0031】さらには、以下の化合物も挙げられる。
【化36】
【0032】
【化37】
【0033】また、ナフタセン誘導体として、以下のも
のを挙げることができる。
【化38】
【0034】
【化39】 (式中、Xは、シアノ基、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは
未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリール
オキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換
もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換
のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の複素環基、
置換もしくは未置換のアミノ基又はルブレン誘導体を表
す。iは1〜28の整数を表し、それぞれのXは同一で
も異なるものであってもよい。)
【0035】アミン系化合物としては、次のものが挙げ
られる。
【化40】 (式中、A1〜A4は、それぞれ独立に、炭素数6〜16
のアリール基を表す。R 1〜R8は、それぞれ独立に水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアミ
ノ基を表す。)
【0036】
【化41】
【0037】
【化42】
【0038】
【化43】 (式中、A及びBは、置換基を有してもよい芳香族環を
表す。)
【0039】
【化44】 (式中、A,B,C及びDは、置換もしくは未置換のア
ルキル基、置換もしくは未置換の単環基、置換もしくは
未置換の縮合多環基、AとBもしくは、CとDが一体と
なって窒素原子を結合手とする複素環基を表す。)
【0040】
【化45】
【0041】
【化46】
【0042】その他、アミン化合物として次のものを挙
げることができる。
【化47】 (式中、A1 〜A4 は、それぞれ独立に、炭素数6〜1
6のアリール基を表す。これらのアリール基は、水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアミノ
基により置換されていてもよい。また、Aは単結合、ア
リーレン基又はポリアリーレン基であり、置換されてい
てもよい。)
【0043】発光層の材料として、芳香族ジメチリディ
ン系化合物(欧州特許第0388768号明細書や特開
平3−231970号公報に開示のもの)が挙げられ
る。芳香族ジメチリディン系化合物とは、一般に、以下
の式で表される化合物である。
【化48】 (式中、Arはアリーレン基又はポリアリーレン基であ
り、R5 〜R7 は、水素原子、アルキル基又はアリー
ル基である。nは1〜6の整数である。)アリール基と
しては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、
ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニ
ル基、ワソセニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
アリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニレン
基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン
基、フェナンスリレン基、ピレニレン基、ワソセニレン
基、フルオレニレン基等が挙げられる。特に、アントラ
センを含有するアリーレン基が好適であり、アンスリレ
ン基、ジフェニルアンスリレン基、ビアンスリレン基等
が好ましい。R5 は水素であることが好ましい。具体例
としては、4,4’−ビス(2,2−ジ−t−ブチルフ
ェニルビニル)ビフェニル、4,4’−ビス(2,2−
ジフェニルビニル)ビフェニル、4,4"−ビス(2,
2−ジフェニルビニル)−p−ターフェニル、9,10
−ビス(4’−(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニ
ル)アントラセン、9,10−ビス(4−(2,2−ジ
フェニルビニル)フェニル)アントラセン、9,9’−
(4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル)−1
0,10’−ビアントラセン等、およびそれらの誘導体
を挙げることができる。
【0044】さらには、これら以外にも、スチリル基を
含有する発光材料としては、次のスチリルアミン系化合
物も好ましく挙げることができる。
【化49】 (式中、Ar1 〜Ar4 は、アリール基であり、少なく
とも一つは、以下に示すスチリル基で置換されているも
のである。
【化50】 (R8〜R10は、水素、アルキル基又はアリール基であ
る。))
【0045】Ar1 〜Ar4 及びR8 〜R10のアリール
基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル
基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピ
レニル基、ワソセニル基、フルオレニル基等が挙げられ
る。R8 は水素であることが好ましい。Aは連結基であ
り、単結合、アリーレン基又はポリアリーレン基であ
り、フェニレン基、ビフェニレン基、アンスリレン基、
フェナンスリレン基、ピレニレン基、ワソセニレン基、
ジフェニルアンスリレン基等や、さらに以下に示す構造
を有する基が挙げられる。
【0046】
【化51】 (上式中、Ar5 及びAr6 は、Ar1 〜Ar4 と同様
のアリール基を示す。)
【0047】また、特開平5−258862号公報等に
記載されている一般式(Rs−Q) 2 −Al−O−L
〔式中、Lはフェニル部分を含んでなる炭素原子6〜2
4個の炭化水素であり、O−Lはフェノラート配位子で
あり、Qは置換8−キノリノラート配位子を示し、Rs
はアルミニウム原子に置換8−キノリノラート配位子が
2個を上回り結合するのを立体的に妨害するように選ば
れた8−キノリノラート環置換基を示す〕で表される化
合物も挙げられる。具体的には、ビス(2−メチル−8
−キノリノラート)(パラ−フェニルフェノラート)ア
ルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリ
ノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム(II
I)等が挙げられる。
【0048】このほか、特開平6−9953号公報等に
よるドーピングを用いた高効率の青色と緑色の混合発光
を得る方法が挙げられる。この場合、ホストとしては、
上記の発光材料、ドーパントとしては青色から緑色まで
の強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいは上記のホス
トとして用いられているものと同様な蛍光色素を挙げる
ことができる。具体的には、ホストとしてジスチリルア
リーレン骨格の発光材料、特に好ましくは4,4’−ビ
ス(2,2−ジフエニルビニル)ビフェニル、ドーパン
トとしてはジフェニルアミノビニルアリーレン、特に好
ましくは例えばN,N−ジフェニルアミノビニルベンゼ
ンを挙げることができる。
【0049】白色の発光を得る発光層としては特に制限
はないが、下記のものを用いることができる。有機EL
積層構造体の各層のエネルギー準位を規定し、トンネル
注入を利用して発光させるもの(欧州特許第03905
51号公報)。と同じくトンネル注入を利用する素子で
実施例として白色発光素子が記載されているもの(特開
平3−230584号公報)。二層構造の発光層が記載
されているもの(特開平2−220390号公報および
特開平2−216790号公報)。発光層を複数に分割
してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの
(特開平4−51491号公報)。青色発光体(蛍光ピ
ーク380〜480nm)と緑色発光体(480〜58
0nm)とを積層させ、さらに赤色蛍光体を含有させた
構成のもの(特開平6−207170号公報)。青色発
光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色
素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を含有する
構成のもの(特開平7−142169号公報)。これら
の中では、上記の構成のものが特に好ましい。
【0050】さらに、赤色蛍光体としては、下記に示す
ものが好適に用いられる。
【化52】
【0051】つぎに、上記材料を用いて発光層を形成す
る方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、LB
法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、
特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積
膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された
薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体
化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜
は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝
集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相
違により区分することができる。また特開昭57−51
781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤
と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これを
スピンコート法等により薄膜化することによっても、発
光層を形成することができる。
【0052】このようにして形成される発光層の膜厚に
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常5nm〜5μmの範囲が好ましい。
この発光層は、上述した材料の1種または2種以上から
なる一層で構成されてもよいし、また、前記発光層とは
別種の化合物からなる発光層を積層したものであっても
よい。つぎに、正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注
入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動
度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下
と小さい。このような正孔注入・輸送層としてはより低
い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、
さらに正孔の移動度が、例えば104 〜106V/cm
の電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /V・秒であ
るものが好ましい。本発明の芳香族炭化水素化合物と混
合して正孔注入・輸送層を形成する材料としては、前記
の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、
従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣
用されているものや、有機EL素子の正孔注入層に使用
されている公知のものの中から任意のものを選択して用
いることができる。
【0053】このような正孔注入・輸送層の形成材料と
しては、具体的には、例えばトリアゾール誘導体(米国
特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジア
ゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等
参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096
号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特
許3,615,402号明細書、同第3,820,98
9号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭
45−555号公報、同51−10983号公報、特開
昭51−93224号公報、同55−17105号公
報、同56−4148号公報、同55−108667号
公報、同55−156953号公報、同56−3665
6号公報等参照)、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン
誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第
4,278,746号明細書、特開昭55−88064
号公報、同55−88065号公報、同49−1055
37号公報、同55−51086号公報、同56−80
051号公報、同56−88141号公報、同57−4
5545号公報、同54−112637号公報、同55
−74546号公報等参照)、フェニレンジアミン誘導
体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭5
1−10105号公報、同46−3712号公報、同4
7−25336号公報、特開昭54−53435号公
報、同54−110536号公報、同54−11992
5号公報等参照)、アリールアミン誘導体(米国特許第
3,567,450号明細書、同第3,180,703
号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,
658,520号明細書、同第4,232,103号明
細書、同第4,175,961号明細書、同第4,01
2,376号明細書、特公昭49−35702号公報、
同39−27577号公報、特開昭55−144250
号公報、同56−119132号公報、同56−224
37号公報、西独特許第1,110,518号明細書等
参照)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,5
26,501号明細書等参照)、オキサゾール誘導体
(米国特許第3,257,203号明細書等に開示のも
の)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46
234号公報等参照)、フルオレノン誘導体(特開昭5
4−110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体
(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54
−59143号公報、同55−52063号公報、同5
5−52064号公報、同55−46760号公報、同
55−85495号公報、同57−11350号公報、
同57−148749号公報、特開平2−311591
号公報等参照)、スチルベン誘導体(特開昭61−21
0363号公報、同第61−228451号公報、同6
1−14642号公報、同61−72255号公報、同
62−47646号公報、同62−36674号公報、
同62−10652号公報、同62−30255号公
報、同60−93455号公報、同60−94462号
公報、同60−174749号公報、同60−1750
52号公報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,
950,950号明細書)、ポリシラン系(特開平2−
204996号公報)、アニリン系共重合体(特開平2
−282263号公報)、特開平1−211399号公
報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチオ
フェンオリゴマー)等を挙げることができる。
【0054】正孔注入・輸送層の材料としては上記のも
のを使用することができるが、ポルフィリン化合物(特
開昭63−2956965号公報等に開示のもの)、芳
香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物
(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53
−27033号公報、同54−58445号公報、同5
4−149634号公報、同54−64299号公報、
同55−79450号公報、同55−144250号公
報、同56−119132号公報、同61−29555
8号公報、同61−98353号公報、同63−295
695号公報等参照)、芳香族第三級アミン化合物を用
いることもできる。また米国特許第5,061,569
号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有す
る、例えば4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ)ビフェニル、また特開平4−308
688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニ
ットが3つスターバースト型に連結された4,4’,
4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェ
ニルアミノ)トリフェニルアミン等を挙げることができ
る。さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジ
メチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の
無機化合物も正孔注入・輸送層の材料として使用するこ
とができる。
【0055】そして、この正孔注入・輸送層を形成する
には、上述の化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコー
ト法、キャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜化
すればよい。この場合、正孔注入・輸送層としての膜厚
は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmである。
この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香
族炭化水素化合物を含有していれば、上述した材料の1
種または2種以上からなる一層で構成されてもよいし、
また、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる
正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。ま
た、有機半導体層は、発光層への正孔注入または電子注
入を助ける層であって、10-10 S/cm以上の導電率
を有するものが好適である。このような有機半導体層の
材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平8−1
93191号公報に記載の含アリールアミンオリゴマー
等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー
等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【0056】つぎに、電子注入層は、発光層への電子の
注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付
着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が
良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材
料としては、8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体
の金属錯体が好適である。上記8−ヒドロキシキノリン
またはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシ
ン(一般に8−キノリノールまたは8−ヒドロキシキノ
リン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合
物、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウムを
電子注入材料として用いることができる。
【0057】そして、オキサジアゾール誘導体として
は、下記一般式〔4〕〜〔6〕、
【化53】 〔上記式中、Ar1 ,Ar2 ,Ar3 ,Ar5 ,A
6,Ar9 は、各々独立に置換または無置換のアリー
ル基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なってい
てもよい。また、Ar4 ,Ar7 ,Ar8 は、各々独立
に置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同
一であっても異なっていてもよい。〕で表される電子伝
達化合物が挙げられる。
【0058】これら一般式〔4〕〜〔6〕におけるアリ
ール基としては、フェニル基、ビフェニル基、アントラ
ニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。ま
た、アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン
基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン
基、ピレニレン基などが挙げられる。そして、これらへ
の置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数
1〜10のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられ
る。この電子伝達化合物は、薄膜形成性の良好なものが
好ましく用いられる。
【0059】そして、これら電子伝達性化合物の具体例
としては、下記のものを挙げることができる。
【化54】
【0060】つぎに、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物およびこ
れらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この
ような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリ
ウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネ
シウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、ア
ルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属な
どが挙げられる。この陰極はこれらの電極物質を蒸着や
スパッタリング等の方法により薄膜を形成させることに
より、作製することができる。ここで、発光層からの発
光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率
は10%より大きくすることが好ましい。また、陰極と
してのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、さら
に、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜2
00nmである。つぎに、本発明の有機EL素子を作製
する方法については、上記の材料および方法により陽
極、発光層、必要に応じて正孔注入層、および必要に応
じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよ
い。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL
素子を作製することもできる。
【0061】以下、透光性基板上に、陽極/正孔注入層
/発光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有
機EL素子の作製例について説明する。まず、適当な透
光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を1μm以下、好
ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、
蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極と
する。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注
入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコー
ト法、キャスト法、LB法等の方法により行うことがで
きるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発
生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが
好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場
合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材
料)、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等
により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真
空度10-7〜10-3torr、蒸着速度0.01〜50
nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5
μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
【0062】次に、この正孔注入層上に発光層を設け
る。この発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて
真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャス
ト法等の方法により、有機発光材料を薄膜化することに
より形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピン
ホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成
することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成す
る場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なる
が、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中か
ら選択することができる。次に、この発光層上に電子注
入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同
様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成する
ことが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様
の条件範囲から選択することができる。そして、最後に
陰極を積層して有機EL素子を得ることができる。陰極
は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリング
を用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜
時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
【0063】以上の有機EL素子の作製は、一回の真空
引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ま
しい。この有機EL素子に直流電圧を印加する場合、陽
極を+、陰極を−の極性にして、5〜40Vの電圧を印
加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を
印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加した場合には、陽極が+、陰極が−
の極性になった時のみ均一な発光が観測される。この場
合、印加する交流の波形は任意でよい。このように構成
される有機EL素子における各有機化合物層を形成する
ために用いる有機化合物のうちの少なくとも1つ、好ま
しくは2つ以上の有機化合物につき、これに含有される
ハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度を1000p
pm未満として、その有機化合物層を形成する。より好
ましくは、すべての有機化合物層に含有されるハロゲン
含有化合物からなる不純物の濃度を1000ppm未満
とする。
【0064】このように高純度の有機化合物を得るため
の精製法としては、特に制約はなく、昇華精製法や再結
晶法、再沈殿法、ゾーンメルティング法、カラム精製
法、吸着法など、あるいはこれら方法を組み合わせて行
うことができる。上記有機化合物の精製においては、こ
れら精製法の中でも再結晶法によるのが好ましい。ま
た、上記有機化合物の中でも、昇華性を有する化合物に
おいては、昇華精製法によることが好ましい。昇華精製
においては、目的化合物が昇華する温度より低温で昇華
ボートを維持し、昇華する不純物を予め除去する方法を
採用するのが好ましい。また昇華物を採集する部分に温
度勾配を施し、昇華物が不純物と目的物に分散するよう
にするのが望ましい。以上のような昇華精製は不純物を
分離するような精製であり、本発明に適用しうるもので
ある。
【0065】さらには、有機化合物がπ共役を有する炭
素の主鎖に対して、酸素原子および窒素原子が直接的ま
たは間接的に接続されている構造を有する分子、いわゆ
るキレート錯体化合物においては、昇華精製法により精
製するのが好適である。この昇華精製法には、攪拌法と
振動法がある。このうち、攪拌法は、(A)真空シール
された攪拌機の先端に攪拌羽根を装着し、人力または機
械力によって、有機化合物の凝集により形成された殻を
直接破壊・粉砕し、その後の攪拌の継続によって殻の生
成を減少させるメカニカル攪拌法や、(B)昇華精製す
る有機化合物と共に、マグネティックバーを存在させ
て、このマグネティックバーを外部回転機構を用いて任
意の回転数で回転させることによって、有機化合物の殻
を直接破壊・粉砕し、その後の攪拌の継続によって殻の
生成を減少させるマグネティック攪拌法、さらに、
(C)鉄球などの金属球を有機化合物の殻の上に落下さ
せることにより、殻を直接破壊・粉砕する方法によるこ
とができる。
【0066】また、上記振動法については、(a)昇華
精製する有機化合物を入れた容器の外部に、超音波発生
装置を付設し、外部より超音波を照射して、有機化合物
の殻を破壊・粉砕する超音波振動法や、(b)昇華精製
する有機化合物を入れた容器の外部に振動発生機を付設
しあるいは人力により、該容器に直接振動を与えること
によって、有機化合物の殻を破壊・粉砕する直接振動法
を採用してもよい。このようにして、有機EL素子の各
有機化合物層を形成するためのハロゲン含有化合物から
なる不純物の濃度を1000ppm未満に減少した有機
化合物を、有機化合物層のうちの少なくとも1層の形成
材料として使用する。
【0067】ここで、有機化合物層を形成するための有
機化合物材料に含有される不純物としては、通常、この
有機化合物を製造する際の原料物質に由来する不純物
や、その製造工程の途上で生成する中間体あるいは前駆
体(特に、これら中間体或いは前駆体のなかには、反応
性官能基を保有する化合物もある。)、さらには、ハロ
ゲン化合物を用いる際には中間体の未反応物が残留した
り、反応しきれていないハロゲン部位が残留することに
起因する不純物が存在する。このほか、この有機化合物
を製造する工程において、ハロゲン系の溶媒を用いる際
には、オレフィン部位などに塩素などのハロゲンが付加
したものや、反応条件によっては酸化を受けた有機化合
物が目的化合物に含有されることがある。
【0068】このように、合成した直後の有機化合物材
料に含有される不純物には、様々な化合物が存在する
が、これらの中でも、ハロゲン化合物が有機EL素子の
発光輝度の減衰や発光寿命の低下の大きな要因となって
いることが、本発明者らによって新しく見出された。上
記不純物の反応性官能基としてハロゲン原子を有する化
合物が多く、これらは、各電極から移動してきた正孔や
電子のトラップとして働くからである。したがって、有
機化合物材料に含有される不純物として、ハロゲン化合
物についての許容濃度は、500ppmであり、これを
超えるハロゲン化合物濃度の有機化合物層形成材料を使
用すると、有機EL素子の発光輝度の減衰や発光寿命の
低下を招くおそれが大きくなることが見出された。
【0069】つぎに、このような合成した直後の有機化
合物材料に含有される不純物について、さらに具体的に
は、例えばスチリル系化合物の合成においては、下記
【化55】 〔式中、Ar’,Ar'',X,Yは、いずれもアリール
基を示す。また、Zは、ハロゲンを示す。〕の反応にお
ける不純物として、下記
【化56】 〔式中、Ar’,Ar'',X,Yは、いずれもアリール
基を示す。また、Zは、ハロゲンを示す。〕で表される
ハロゲン化合物が、目的とする有機化合物材料に含まれ
ている。
【0070】また、アミン系化合物の合成においては、
下記
【化57】 〔式中、Ar,Ar’,Ar''は、いずれもアリール基
を示す。また、Zは、ハロゲンを示す。〕の反応におけ
る不純物として、下記
【化58】 〔式中、Ar,Ar' ,Ar''は、いずれもアリール基
を示す。また、Zは、ハロゲンを示す。〕で表されるハ
ロゲン化合物と、アミン酸化物が、目的とする有機化合
物材料に含まれている。これらは中間体或いは前駆体の
一例である。
【0071】さらには、次のような反応によってもアミ
ン系化合物は合成され、後述する不純物が生成する。
【化59】 この時、不純物はつぎのようなものであるが、これらは
中間体或いは前駆体として含まれていることがある。
【化60】 〔式中、Ar,Ar' ,Ar''は、いずれもアリール基
を示す。また、Zは、ハロゲンを示す。〕
【0072】ポリフルオレン化合物の場合には、不純物
として、以下のものが生成する。
【化61】 〔式中、Zは、ハロゲンを示す。〕
【0073】他の反応方法を用い、各種有機化合物を合
成する際にも、原料物質に由来するハロゲン含有化合物
からなる不純物や製造工程の途上で生成する中間体或い
は前駆体、又はこれらの中間体或いは前駆体であって反
応性官能基(例えば、ハロゲンの他、アミノ基、ヒドロ
キシ基、カルボキシル基など)を保有するハロゲン含有
化合物が不純物として1000ppm未満、0ppm以
上含まれるようにする。つぎに、上記の種々の精製法に
より精製した後の有機化合物材料に含有される不純物を
定量する際には、これら有機化合物の定量法は様々な方
法が知られているが、本発明の方法では、高速液体クロ
マトグラフィー法により、所定値未満の不純物濃度の有
機化合物層形成材料を選定する方法を採用する。本発明
の有機EL素子に用いる有機化合物層形成材料において
は、高速液体クロマトグラフィー法による場合、他の方
法に比し、迅速かつ精度よく、有機化合物層の形成に好
適な材料の選定を行うことができるからである。
【0074】この高速液体クロマトグラフィー法におい
ては、移動相の送りに高圧ポンプ(圧力;350〜50
0kg/cm2 )を用いて送液するため、分離時間が短
く、したがって、迅速な定量が可能である。また、ここ
で用いる充填剤は、全多孔性粒子の粒径が5〜10μと
小さく、表面積が大きいことから、分離性能に優れてい
る。そして、検出器は高感度検出器に接続できるため、
精度の高い分析が可能である。さらに、定流量が得られ
るので再現性に優れている。この高速液体クロマトグラ
フィー法における充填剤と分離モードについて、代表的
なものを第1表に示す。
【0075】
【表1】
【0076】高速液体クロマトグラフィー法では、固定
相と移動相との組合わせによって分離モードが異なる
が、任意に選択することができる。本発明の方法におい
て前記有機化合物層形成材料中の不純物の定量を行う際
には、分配クロマトグラフ法の化学結合型シリカゲルに
分類されるODS(オクタデシル基化学結合型シリカ)
を用いた逆相クロマトを用いると、分離性能が良好であ
る。このODS充填剤は、高速液体クロマトグラフィー
法における充填剤のうちでも代表的なものであり、広範
囲な化合物群に適している。そして、この逆相クロマト
の場合の溶媒としては、メタノール,アセトニトリルな
どの極性溶媒や、これらの溶媒と水との混合溶媒を用い
ることができるが、特に好ましい溶媒はアセトニトリル
である。
【0077】また、この高速液体クロマトグラフィー法
において用いる検出器としては、紫外吸光光度計(U
V)や示差屈折計(RI)など任意のものを用いること
ができるが、紫外吸光光度計(UV)を用いた方が、ベ
ースラインの安定性が良く、温度の影響や流速の影響を
受けることなく、高感度の検出が可能である。したがっ
て、この高速液体クロマトグラフィー法による場合の充
填剤と、溶媒、検出器の組合わせは、充填剤としてOD
Sを用い、溶媒としてアセトニトリルを用いた逆相クロ
マトにより分析を行ない、検出器として紫外吸光光度計
(UV)を用いるようにする組合せが最適である。ここ
で、上記有機EL素子の有機化合物層形成材料が、溶媒
のアセトニトリルに溶解する場合は問題ないが、これに
難溶性の場合には、まずこの有機化合物層形成材料を溶
解する溶媒にて溶解させた後、貧溶媒たとえばメタノー
ルあるいはメタノールと水との混合溶媒を加えて再沈を
行ない、不溶物を濾取した後、溶媒をエバポレーターに
て完全に留去し、これにアセトニトリルを加えて溶解さ
せたものを検査試料とすることにより、アセトニトリル
に難溶性の有機化合物層形成材料についての分析が可能
となる。
【0078】
【実施例】つぎに、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。 〔製造例1〕(正孔注入材料の製造) 正孔注入材料として、下記に示す4,4’,4”−トリ
ス−〔N−(m−トリル)−N−フェニルアミノ〕トリ
フェニルアミン(以下、MTDATAと略称する)を製
造した。
【化62】
【0079】内容積300ミリリットルの三つ口フラス
コに、4,4’,4”−トリヨードトリフェニルアミン
1.0g、N−(3−トリル)−N−フェニルアミン
(アルドリッチ社製)1.0g、無水炭酸カリウム3g
及び銅粉1.0gを加えた後、これにジメチルスルホキ
シド200ミリリットルを加えて溶解し、200℃にお
いて、8時間攪拌下に反応させた。反応終了後、反応液
を濾過し、母液を塩化メチレンで抽出した。そして、ロ
ータリーエバポレーターで溶媒を留去し、残渣をシリカ
ゲルを充填したカラムクロマトでトルエンを展開溶媒と
して精製し、淡黄色粉末0.3gを得た。以下、これを
未精製MTDATAという。この未精製MTDATA
を、高速液体クロマトグラフィー法により分析したとこ
ろ、不純物として、N−(3-トリル)−N−フェニルア
ミン,トリヨードトリフェニルアミン誘導体,ジヨード
トリフェニルアミン誘導体,モノヨードトリフェニルア
ミン誘導体などのハロゲンが残留した不純物,アミンの
酸化物が検出された。これら不純物の中には、1000
〜10000ppmの濃度で混入しているものもあるこ
とが判明した。つぎに、この未精製MTDATAを、ボ
ート温度390℃、10−6torrの条件にて、不純
物を分離すべく昇華精製することにより、0.24gの
淡黄色粉末を得た。以下、これを昇華MTDATAとい
う。この昇華MTDATAを、高速液体クロマトグラフ
ィー法により分析したところ、上記の各不純物は、いず
れも1000ppm未満であることが判明した。
【0080】〔製造例2〕(正孔輸送材料の製造) 正孔輸送材料として、下記に示すN,N’−ジ−(ナフ
チル−1−イル)−N,N’−ジフェニル−4、4’−
ベンジジン(以下、NPDと略称する。〕を製造した。
【化63】
【0081】内容積300ミリリットルの三つ口フラス
コに、1−ヨードナフタレン(東京化成社製)2.0
g、N,N‘−ジフェニルベンジジン(アルドリッチ社
製)1.0g、無水炭酸カリウム3g及び銅粉1.0g
を加え、さらに、ジメチルスルホキシド200ミリリッ
トルを加えて、これに溶解させ、200℃において、8
時間攪拌下に反応させた。反応終了後、反応液を濾過
し、母液を塩化メチレンで抽出した。そして、ロータリ
ーエバポレーターで溶媒を留去し、残渣をシリカゲルを
充填したカラムクロマトでトルエンを展開溶媒として精
製し、淡黄色粉末0.37gを得た。以下、これを未精
製NPDという。この未精製NPDを高速液体クロマト
グラフィー法により分析したところ、不純物として、1
−ヨードナフタレンのようなハロゲン原料不純物や、N
−(ナフチル−1−イル)−N,N’−ジフェニル−
4、4’−ベンジジン、およびアミンの酸化物が検出さ
れ、これら不純物の中には、1000〜10000pp
mの濃度で混入しているものがあることが判明した。こ
の未精製NPDをボート温度320℃、10−6tor
rの条件において、不純物を分離すべく昇華精製するこ
とにより、0.31gの淡黄色粉末を得た。以下、これ
を昇華NPDという。この昇華NPDを高速液体クロマ
トグラフィー法により分析したところ、上記の不純物
は、いずれも1000ppm未満であることが判明し
た。
【0082】〔製造例3〕(ドーパントの製造) ドーピング材料として、下記に示す4,4’−ビス〔2
−{4−(N,N−ジフェニルアミノ)フェニル}ビニ
ル〕ビフェニル(以下、DPAVBiと略称する。)を
製造した。
【化64】
【0083】内容積200ミリリットルの三つ口フラス
コに、ビフェニルホスホン酸エステル1.9g、及び
N,N−ジフェニル−4−アミノベンズアルデヒド3.
0gを加え、さらに、ジメチルスルホキシド50ミリリ
ットルを加えて、これに溶解させた。ついで、これをア
ルゴンガス雰囲気下、室温にてマグネチックスターラー
で攪拌しながら、カリウム−t−ブトキシド(関東化学
社製)1.0gを粉末の状態で少量ずつ加えた。反応液
は、直ちに赤黒色を呈し、やがて退色し、緑黄色、後に
黄土色の析出物となった。つぎに、この反応液を、室温
において、3 時間攪拌した。これを室温にて一晩放置し
た後、80重量%メタノール水溶液50ミリリットルを
徐々に加えた後、生成した黄色沈殿物を濾取し、その
後、洗浄を繰り返すことより、黄色粉末2.8gが得ら
れた。ここで得られた黄色粉末を、トルエンを展開溶媒
としてシリカゲルカラム精製し、さらにトルエンでの再
結晶を繰り返し行なうことにより、黄色粉末1.6gを
得た。このようにして得られた化合物につき、高速液体
クロマトグラフィー法により分析を行なったところ、不
純物として、4−(N,Nジフェニル)−4’−(p―
トリル)スチルベンや、アミンの酸化物が検出された
が、その濃度はいずれも1000ppm未満であった。
【0084】〔製造例4〕(発光材料の製造) 発光材料として、下記に示す4、4’’−ビス(2、2
−ジフェニルビニル)−p−ターフェニル(以下、DP
VTPと略称する。)を製造した。
【化65】
【0085】ジフェニルブロモメタン200gと亜りん
酸トリエチル146gを、120〜130℃において、
8時間加熱攪拌した。反応後冷却し、n−ヘキサン50
0ミリリットルによりデカンテーションを行い、溶媒を
留去して、黄色液体284gを得た。次に、得られたホ
スホン酸エステル284gと、p−ブロモベンズアルデ
ヒド182gをジメチルスルホキシド1リットルに溶解
し、カリウム−t−ブトキシド113gを、数回に分け
て室温において加えた。その後、室温で8時間攪拌後、
3.5リットルの水に反応物を投入し、クロロホルム1
リットルにて3回抽出した。これをさらにシリカゲルカ
ラム精製することにより、白色粉末206g(収率62
%)を得た。このブロモ体20gを、無水テトラヒドロ
フラン(和光純薬製)50ミリリットルに溶解させ、こ
れをマグネシウム1.2gを含むテトラヒドロフラン6
5ミリリットル中に、50℃〜60℃において、滴下し
た。滴下終了後、反応物を1時間還流し、グリニヤール
試薬を調製した。次に、内容積300ミリリットルの三
つ口フラスコに、1,4−ジブロモベンゼン4.0gと
ビストリフェニルホスフィンパラジウム0.6gと水素
化ジイソブチルアルミニウムヒドリドを1.8ミリリッ
トル、およびテトラヒドロフラン200ミリリットルを
入れた。ついで、これをアルゴンガス雰囲気下、内温5
0〜60℃に保ちながら、上記グリニヤール試薬を30
分かけて滴下した。滴下終了後、反応物を8時間攪拌し
た。そして、放冷後、反応物を3規定塩酸水溶液へ投入
した。生成した沈殿を、水洗し、乾燥後、シリカゲルカ
ラムを用い、展開溶媒に塩化メチレンを用いて精製し
た。白色粉末3.0gが得られた。これを未精製DPV
TPという。
【0086】この未精製DPVTPを高速液体クロマト
グラフィー法により分析したところ、不純物として、ジ
フェニルビニルブロモベンゼンのような原料のハロゲン
含有不純物や,ジフェニルビニル−p−ブロモビフェニ
ルのような片側のみ反応したハロゲン含有不純物(中間
体)が検出された。これら不純物の中には、1000〜
10000ppmの濃度で混入しているものがあること
が判明した。つぎに、この未精製DPVTPを、ボート
温度330℃、10-6torrの条件で、不純物を分離
すべく昇華精製することにより、2.0gの淡黄白色粉
末を得た。以下、これを昇華DPVTPという。この昇
華DPVTPを、高速液体クロマトグラフィー法により
分析したところ、上記の不純物は、いずれも1000p
pm未満であることが判明した。
【0087】〔製造例5〕(発光材料の製造) 発光材料として、以下に示す合成スキームにて、9,1
0−ビス(4−(2、2−ジフェニルビニル)フェニ
ル)アントラセン(以下、DPVDPANと略称す
る。)を製造した。
【化66】
【0088】ジフェニルブロモメタン200g(0.8
mol)と亜りん酸トリエチル146g(1mol)
を、120〜130℃において、8時間加熱攪拌した。
反応後冷却し、n−ヘキサン500ミリリットルにより
デカンテーションを行い、溶媒を留去して、黄色液体2
84gを得た。次に、ホスホン酸エステル284gと、
p−ブロモベンズアルデヒド182g(0.9mol)
をジメチルスルホキシド1リットルに溶解し、カリウム
−t−ブトキシド113gを、数回に分けて室温におい
て加えた。その後、室温で8時間攪拌後、3.5リット
ルの水に反応物を投入し、クロロホルム1リットルにて
3回抽出した。これをさらにシリカゲルカラム精製する
ことにより、白色粉末206g(収率62%)を得た。
ついで、アルゴン気流下、マグネシウム16.3g(6
69.58mmol,×4.5eq)のテトラヒドロフ
ラン500ミリリットル分散液中、上記[A]149.
7g(446.39mmol,×3.0eq)のテトラ
ヒドロフラン1000ミリリットル溶液を先ず1/5量
加え、50℃〜60℃に加温した。残りを1時間要して
滴下した。滴下終了後、60℃〜65℃にて5時間反応
させた()。
【0089】上記の反応中、別途アルゴン気流下、
9,10−ジブロモアントラセン[B]50.5g(1
48.80mmol)のテトラヒドロフラン1000ミ
リリットル溶液中、PdCl2(PPh32 4.2g
(5.95mmol,×0.04eq)を添加した後、
水素化イソブチルアルミニウム(トルエン中、1.0m
ol/リットル)14.9ミリリットル(14.88m
mol,×0.1eq)を加えた。その後、50℃〜5
5℃にて4時間反応した後、ここへ上記の反応液を20
分間を要して滴下した。滴下終了後、65℃にて18時
間反応させた()。およそ60℃にて、減圧下ろ過を
行ない、テトラヒドロフラン500ミリリットル、アセ
トン100ミリリットルを2回にて順次洗浄した。ろ取
した結晶は、ジメチルスルホキシド14000ミリリッ
トルにて加熱溶解後、再結晶により黄白色結晶を得た。
収量は71.0g,収率は68.7%であった。この未
精製DPVDPANを高速液体クロマトグラフィー法に
より分析したところ、不純物として、中間体である上記
化合物[A]や次式で表されるような片側のみ反応した
ハロゲン含有不純物が検出された。
【0090】
【化67】 これら不純物の中には、10000〜20000ppm
の濃度で混入しているものがあることが判明した。つぎ
に、この未精製DPVDPANを、ボート温度380
℃、10-6torrの条件で不純物を分離すべく昇華精
製することにより、淡黄白色粉末を得た。以下、これを
昇華DPVDPANという。この昇華DPVDPAN
を、高速液体クロマトグラフィー法により分析したとこ
ろ、上記の不純物は、いずれも500ppm未満である
ことが判明した。
【0091】〔実施例1〕透明支持基板として、25m
m×75mm×1.1mmのサイズのガラス基板上に、
ITO(インジウムチンオキサイド)電極を100nm
の厚さに成膜したものを用いた。この基板をイソプロピ
ルアルコールにて5分間超音波洗浄した後、純水で5分
間洗浄し、最後に、再びイソプロピルアルコールで5分
間超音波洗浄した。つぎに、この透明支持基板を、真空
蒸着装置(日本真空技術製)の基板ホルダーに固定し
た。また、この蒸着装置には複数のモリブデン製の抵抗
加熱ボートが配置され、それぞれ独立した抵抗加熱ボー
トに、正孔注入材料として、前記昇華MTDATAを2
00mg,正孔輸送材料として、前記昇華NPDを20
0mg,発光材料として、前記昇華DPVTPを200
mg,ドーピング材料として前記DPAVBiを200
mg,電子輸送材料として、下記のトリス(8−ヒドロ
キシキノリノール)(以下、ALQと略称する。)を2
00mg入れ、これらを蒸着用有機化合物とした。
【化68】
【0092】ついで、真空チャンバー内を1×10-6
orrまで減圧した後、MTDATAの入った前記加熱
ボートに通電して360℃まで加熱し、蒸着速度0.1
〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して60nm
のMTDATAからなる正孔注入層を設けた。つぎに、
NPDの入った前記加熱ボートに通電して、260℃ま
で加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で、正孔注
入層の上に、膜厚20nmのNPDからなる正孔輸送層
をを設けた。ひきつづき、DPVTP入りのボートとD
PAVBi入りのボートを同時に加熱蒸発させて、膜厚
40nmの混合発光層(混合比は、DPVTP:DPA
VBi=40:1重量比)を積層蒸着した。つぎに、こ
れらを真空蒸着装置から取出し、ステンレススチール製
のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。つい
で、アルミニウム及びリチウム(Al−Li)から成る
リチウム濃度5原子%の合金母材を、陰極形成用の蒸着
材料として用い、蒸着時の真空度1×10-6torr,
蒸着速度0.5〜1.0nm/秒の条件で蒸着し、膜厚
150nmの陰極を形成した。このようにして得られた
有機EL素子に、ITO電極をAl−Li合金電極を陰
極にして、6Vの電圧を印加し、発光テストを行なった
ところ、青色の均一発光が得られた。初期性能は、印加
電圧6Vで電流密度1.2mA/cm2 , 輝度100c
d/m2,発光効率4.2ルーメン/Wであった。ま
た、この素子を初期輝度100cd/m2 にて窒素気流
中で定電流駆動させると、輝度が50cd/m2 になる
半減寿命は5000時間以上であった。この有機EL素
子の構成および半減寿命を第2表に示す。
【0093】〔実施例2〜7〕前記製造例において製造
した各種有機化合物を用いて、第2表に示すとおり、実
施例1における素子構成とは一部異なる素子構成とした
他は、実施例1と同様にして、有機EL素子を製造し、
評価をした。これら有機EL素子の構成および半減寿命
を第2表に示す。
【0094】
【表2】
【0095】
【発明の効果】本発明の有機EL素子は、軽量・薄型で
低電圧駆動のディスプレイに適用可能であり、かつ長期
間の駆動によっても発光輝度が減衰することがなく、耐
久性に優れている。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一対の電極間に挟持された有
    機発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロル
    ミネッセンス素子において、少なくとも1つの有機化合
    物層をハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が10
    00ppm未満の有機化合物材料で形成した有機エレク
    トロルミネッセンス素子であって、該有機化合物材料が
    フェニルアントラセン誘導体である有機エレクトロルミ
    ネッセンス素子。
  2. 【請求項2】 少なくとも一対の電極間に挟持された有
    機発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロル
    ミネッセンス素子において、少なくとも1つの有機化合
    物層をハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が10
    00ppm未満の有機化合物材料で形成した有機エレク
    トロルミネッセンス素子であって、該有機化合物材料
    が、 【化1】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、アルキル基、
    シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
    キシ基、アリーロキシ基、アミノ基又は複素環基を表
    し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r1
    及びr2は、それぞれ独立に、0又は1〜5の整数を表
    す。r1及びr2が、それぞれ独立に、2以上の整数であ
    るとき、R1同士及びR2同士は各々同一でも異なるもの
    であってもよく、R1同士及びR2同士は結合して環を形
    成してもよい。L1は単結合又はアリーレン基を表し、
    アリーレン基は、アルキレン基、−O−、−S−又は−
    NR−(ここでRはアルキル基又はアリール基を表す)
    が介在するものであってもよい。また、R3及びR4は、
    それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリ
    ール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリーロキシ
    基、アミノ基又は複素環基を表し、これらは同一でも異
    なるものであってもよい。r3及びr4は、それぞれ独立
    に、0又は1〜5の整数を表す。r3及びr4が、それぞ
    れ独立に、2以上の整数であるとき、R3同士及びR4
    士は各々同一でも異なるものであってもよく、R3同士
    及びR4同士は結合して環を形成してもよい。L2は単結
    合又はアリーレン基を表し、アリーレン基は、アルキレ
    ン基、−O−、−S−又は−NR−(ここでRはアルキ
    ル基又はアリール基を表す)が介在するものであっても
    よい。)、 【化2】 (式中、A1 〜A4 は、それぞれ独立に、炭素数6〜1
    6のアリール基を表す。これらのアリール基は、水素原
    子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアミノ
    基により置換されていてもよい。また、Aは単結合、ア
    リーレン基又はポリアリーレン基であり、置換されてい
    てもよい。)、 【化3】 (式中、Arは、それぞれ独立にアリーレン基又はポリ
    アリーレン基であり、R 5 〜R7 は、それぞれ独立
    に、水素原子、アルキル基又はアリール基である。nは
    1〜6の整数である。)、 【化4】 (式中、Ar1 〜Ar4 は、それぞれ独立に、アリール
    基であり、少なくとも一つは、以下に示すスチリル基で
    置換されているものである。 【化5】 (R8〜R10は、それぞれ独立に、水素、アルキル基又
    はアリール基である。))、及び 【化6】 (式中、Ar’,Ar'',X,Yは、それぞれ独立に、
    アリール基を示す。)の中から選ばれる少なくとも一種
    類である有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】 ハロゲン含有化合物からなる不純物の濃
    度が500ppm未満の有機化合物材料で形成した請求
    項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
    子。
  4. 【請求項4】 ハロゲン含有化合物が、ハロゲン化合物
    である請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロ
    ルミネッセンス素子。
  5. 【請求項5】 有機化合物層を、正孔注入層と有機発光
    層および電子注入層で構成した請求項1〜4のいずれか
    に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 【請求項6】 有機化合物層を形成する有機化合物材料
    中の少なくとも一つとして、昇華精製法により精製した
    有機化合物材料を用いた請求項1〜5のいずれかに記載
    の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 【請求項7】 有機化合物層を形成する有機化合物材料
    中の少なくとも一つとして、再結晶法または再沈精製
    法、もしくは再結晶法と再沈精製法の併用により精製し
    た有機化合物材料を用いた請求項1〜5のいずれかに記
    載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 【請求項8】 高速液体クロマトグラフィー法により有
    機化合物層を形成する有機化合物材料中のハロゲン含有
    化合物からなる不純物の含有量を定量し、その含有量が
    1000ppm未満の有機化合物材料を選定して有機化
    合物層の形成材料に使用する有機エレクトロルミネッセ
    ンス素子用の有機化合物材料の選定方法であって、該有
    機化合物材料がフェニルアントラセン誘導体である有機
    化合物材料の選定方法。
  9. 【請求項9】 有機化合物層を形成する有機化合物材料
    中の少なくとも1つについて、該有機化合物材料中のハ
    ロゲン含有化合物からなる不純物の含有量を定量し、そ
    の含有量が1000ppm未満の有機化合物材料を選定
    して有機化合物層の形成材料に使用する有機エレクトロ
    ルミネッセンス素子用の有機化合物材料の選定方法であ
    って、該有機化合物材料がフェニルアントラセン誘導体
    である有機化合物材料の選定方法。
  10. 【請求項10】 高速液体クロマトグラフィー法により
    有機化合物層を形成する有機化合物材料中のハロゲン含
    有化合物からなる不純物の含有量を定量し、その含有量
    が1000ppm未満の有機化合物材料を選定して有機
    化合物層の形成材料に使用する有機エレクトロルミネッ
    センス素子用の有機化合物材料の選定方法であって、該
    有機化合物材料が、 【化7】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、アルキル基、
    シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
    キシ基、アリーロキシ基、アミノ基又は複素環基を表
    し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r1
    及びr2は、それぞれ独立に、0又は1〜5の整数を表
    す。r1及びr2が、それぞれ独立に、2以上の整数であ
    るとき、R1同士及びR2同士は各々同一でも異なるもの
    であってもよく、R1同士及びR2同士は結合して環を形
    成してもよい。L1は単結合又はアリーレン基を表し、
    アリーレン基は、アルキレン基、−O−、−S−又は−
    NR−(ここでRはアルキル基又はアリール基を表す)
    が介在するものであってもよい。また、R3及びR4は、
    それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリ
    ール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリーロキシ
    基、アミノ基又は複素環基を表し、これらは同一でも異
    なるものであってもよい。r3及びr4は、それぞれ独立
    に、0又は1〜5の整数を表す。r3及びr4が、それぞ
    れ独立に、2以上の整数であるとき、R3同士及びR4
    士は各々同一でも異なるものであってもよく、R3同士
    及びR4同士は結合して環を形成してもよい。L2は単結
    合又はアリーレン基を表し、アリーレン基は、アルキレ
    ン基、−O−、−S−又は−NR−(ここでRはアルキ
    ル基又はアリール基を表す)が介在するものであっても
    よい。)、 【化8】 (式中、A1 〜A4 は、それぞれ独立に、炭素数6〜1
    6のアリール基を表す。これらのアリール基は、水素原
    子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアミノ
    基により置換されていてもよい。また、Aは単結合、ア
    リーレン基又はポリアリーレン基であり、置換されてい
    てもよい。)、 【化9】 (式中、Arは、それぞれ独立に、アリーレン基又はポ
    リアリーレン基であり、R5 〜R7 は、それぞれ独立
    に、水素原子、アルキル基又はアリール基である。nは
    1〜6の整数である。)、 【化10】 (式中、Ar1 〜Ar4 は、それぞれ独立に、アリール
    基であり、少なくとも一つは、以下に示すスチリル基で
    置換されているものである。 【化11】 (R8〜R10は、それぞれ独立に、水素、アルキル基又
    はアリール基である。))、及び 【化12】 (式中、Ar’,Ar'',X,Yは、それぞれ独立に、
    アリール基を示す。)の中から選ばれる少なくとも一種
    類である有機化合物材料の選定方法。
  11. 【請求項11】 有機化合物層を形成する有機化合物材
    料中の少なくとも1つについて、該有機化合物材料中の
    ハロゲン含有化合物からなる不純物の含有量を定量し、
    その含有量が1000ppm未満の有機化合物材料を選
    定して有機化合物層の形成材料に使用する有機エレクト
    ロルミネッセンス素子用の有機化合物材料の選定方法で
    あって、該有機化合物材料が、 【化13】 (式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、アルキル基、
    シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
    キシ基、アリーロキシ基、アミノ基又は複素環基を表
    し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r1
    及びr2は、それぞれ独立に、0又は1〜5の整数を表
    す。r1及びr2が、それぞれ独立に、2以上の整数であ
    るとき、R1同士及びR2同士は各々同一でも異なるもの
    であってもよく、R1同士及びR2同士は結合して環を形
    成してもよい。L1は単結合又はアリーレン基を表し、
    アリーレン基は、アルキレン基、−O−、−S−又は−
    NR−(ここでRはアルキル基又はアリール基を表す)
    が介在するものであってもよい。また、R3及びR4は、
    それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリ
    ール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリーロキシ
    基、アミノ基又は複素環基を表し、これらは同一でも異
    なるものであってもよい。r3及びr4は、それぞれ独立
    に、0又は1〜5の整数を表す。r3及びr4が、それぞ
    れ独立に、2以上の整数であるとき、R3同士及びR4
    士は各々同一でも異なるものであってもよく、R3同士
    及びR4同士は結合して環を形成してもよい。L2は単結
    合又はアリーレン基を表し、アリーレン基は、アルキレ
    ン基、−O−、−S−又は−NR−(ここでRはアルキ
    ル基又はアリール基を表す)が介在するものであっても
    よい。)、 【化14】 (式中、A1 〜A4 は、それぞれ独立に、炭素数6〜1
    6のアリール基を表す。これらのアリール基は、水素原
    子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアミノ
    基により置換されていてもよい。また、Aは単結合、ア
    リーレン基又はポリアリーレン基であり、置換されてい
    てもよい。)、 【化15】 (式中、Arは、それぞれ独立に、アリーレン基又はポ
    リアリーレン基であり、R5 〜R7 は、それぞれ独立
    に、水素原子、アルキル基又はアリール基である。nは
    1〜6の整数である。)、 【化16】 (式中、Ar1 〜Ar4 は、それぞれ独立に、アリール
    基であり、少なくとも一つは、以下に示すスチリル基で
    置換されているものである。 【化17】 (R8〜R10は、それぞれ独立に、水素、アルキル基又
    はアリール基である。))、及び 【化18】 (式中、Ar’,Ar'',X,Yは、それぞれ独立に、
    アリール基を示す。)の中から選ばれる少なくとも一種
    類である有機化合物材料の選定方法。
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