JP5578191B2 - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
基板P上に液浸領域AR2を形成する際、液体供給機構10は所望温度に制御した液体LQを基板P上に供給する。なお、液体供給部11のタンク、加圧ポンプは、必ずしも露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場などの設備を代用することもできる。
本実施形態において、流路形成部材70は2つの液体回収口22A、22Bを有している。液体回収口22A、22Bは流路形成部材70の下面70Aに設けられている。
温度センサ82の計測結果は、例えば基準部材300上に液浸領域AR2が形成されるときの液体温調装置61による液体LQの温度制御に用いられる。この場合、制御装置CONTは、例えば温度センサ82の測定値と基準部材300上に供給される液体LQの温度との差が小さくなるように液体温調装置61を制御することができる。
図3において、平面視矩形状の基板ステージPSTの互いに垂直な2つの縁部に移動鏡42が配置されている。
上板501の上面501Aには、光を通過可能なスリット部570が設けられている。上面501Aのうち、スリット部570以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。
また同様にして、空間像計測センサ500及び不図示の照度センサにも、それぞれの光学部材の温度を計測する温度センサが配置されており、その計測結果は制御装置CONTに出力される。その温度センサの計測結果は、例えば液体温調装置61による液体の温度制御に用いられる。
例えば第2基板ステージPST2上の基板Pに対して露光ステーションST2において液浸露光処理が行われている最中、第1基板ステージPST1上の基板Pに対して計測ステーションST1において基板アライメント系350、フォーカス検出系30、及び基準部材300を用いて計測処理が行われる。そして、計測処理が完了すると、第1基板ステージPST1と第2基板ステージPST2との交換作業が行われ、図15に示すように、第1基板ステージPST1の基準部材300と投影光学系PLとが対向するように、第1基板ステージPST1の位置決めがされる。この状態で、制御装置CONTは液体LQの供給を開始し、投影光学系PLと基準部材300との間を液体LQで満たし、液体LQを介したマスクアライメント系360による基準部材300の基準マークMFMの計測処理及び露光処理を行う。なお、計測ステーションST1で一旦求められた各ショット領域S1〜S24のアライメント情報は基準部材300の基準マークPFMを基準として定められており(記憶されており)、露光ステーションST2において液浸露光が実行される際には、基準部材300の基準マークPFMに対して所定の位置関係で形成されている基準マークMFMとマスクMとの位置関係に基づいて各ショット領域S1〜S24の位置決めがされるように第1基板ステージPST1の移動が制御される。すなわち、計測ステーションST1で求められた各ショット領域S1〜S24のアライメント情報(配列情報)は、基準マークPFM、MFMを用いて露光ステーションST2に有効に受け渡される。
温調システム60は、基板Pの計測処理中においても、基板ホルダPHを介して基板Pの温度調整を継続する。
Claims (29)
- 基板表面の一部に形成された液浸領域の液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
液体供給口と、
前記液体供給口から供給される液体の温度を調整する第1温度調整装置と、
投影光学系と、
前記露光光が通過する前記投影光学系の光学部材の温度を調整する第2温度調整装置と、
前記基板を保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材の温度を調整する第3温度調整装置と、を備え、
前記第1温度調整装置は、前記第2温度調整装置により温度調整された前記光学部材と同一温度となるように、前記液体供給口から供給される液体を調整し、
前記第3温度調整装置は、前記基板保持部材に保持された前記基板が、前記液体供給口から前記基板上に供給される液体と同一温度となるように、前記基板保持部材の温度調整を行う露光装置。 - 前記第1温度調整装置は、前記液体供給口から供給される液体と前記光学部材との間での熱伝達が低減されるように、前記液体供給口からの供給される液体の温度調整を行う
請求項1に記載の露光装置。 - 前記第1温度調整装置は、前記液体供給口から供給される液体の、前記光学部材との接触による温度変化が起きないように、前記液体供給口からの供給される液体の温度調整を行う
請求項1又は2に記載の露光装置。 - 前記第1温度調整装置は、前記液体供給口から供給される液体の、前記光学部材との接触による温度分布が生じないように、液体供給口から供給される液体の温度調整を行う
請求項3に記載の露光装置。 - 前記第2温度調整装置は、前記液体と前記光学部材との接触によって前記光学部材の温度変化が起きないように、前記光学部材の温度調整を行う
請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記第1温度調整装置によって温度調整された液体の温度を計測する第1の温度センサを備える
請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記第1の温度センサは、前記液体供給口を有する流路形成部材に設けられている
請求項6記載の露光装置。 - 前記第1温度調整装置は、前記第1の温度センサの結果に基づいて動作する
請求項6又は7記載の露光装置。 - 前記第2温度調整装置は、前記光学部材の温度調整するための液体が流れる流路を有し、
前記第1温度調整装置は、前記流路を流れる液体と同一温度となるように、前記液体供給口からの供給される液体の温度を調整する
請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記流路を流れる液体は、純水である
請求項9に記載の露光装置。 - 前記光学部材の温度を計測する第2の温度センサを備える
請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記基板保持部材に配置された第3の温度センサを備える
請求項1〜11のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記第3の温度センサの計測結果に基づいて、前記第3温度調整装置は、前記基板保持部材の温度調整を行う
請求項12記載の露光装置。 - 前記第3温度調整装置は、前記基板保持部材の内部に形成され、前記基板保持部材の温度を調整するための液体が流れる流路を有する
請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記光学部材を囲むように形成された流路形成部材を有し、
前記流路形成部材に前記液体供給口が設けられている
請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記液体供給口は、前記流路形成部材の下面に、前記基板保持部材に保持された前記基板の表面が対向するように配置されている
請求項15記載の露光装置。 - 前記液体供給口から前記基板上に供給される液体は、純水である
請求項1〜16のいずれか一項に記載の露光装置。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光装置を用いて半導体ウエハを露光することと、
前記露光されたウエハを処理することと、
を含むデバイス製造方法。 - 基板表面の一部に形成された液浸領域の液体を介して基板に投影光学系からの露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって、
液体供給口から供給される液体の温度を調整することと、
前記露光光が通過する前記投影光学系の光学部材の温度を調整することと、
前記基板を保持する基板保持部材の温度を調整することと、を含み、
前記液体供給口から供給される液体は、前記温度を調整された前記光学部材と同一温度となるように温度が調整され、
前記基板保持部材は、前記基板保持部材に保持された前記基板が、前記液体供給口から前記基板上に供給される液体と同一温度となるように、温度調整される露光方法。 - 前記光学部材の温度を計測することを含む
請求項19に記載の露光方法。 - 前記温度が調整された液体の温度を計測することを含む
請求項20に記載の露光方法。 - 前記温度が調整された液体の温度の計測は、前記液体供給口を有する流路形成部材に設けられた温度センサを用いて行われる
請求項21記載の露光方法。 - 前記温度が調整された液体の温度を計測した結果に基づいて、前記液体供給口から供給される液体の温度調整が行われる
請求項21又は22記載の露光方法。 - 前記液体供給口から供給される液体の温度は、前記光学部材を温度調整するための流路を流れる液体と同一温度となるように調整される
請求項19〜23のいずれか一項記載の露光方法。 - 前記流路を流れる液体は、純水である
請求項24に記載の露光方法。 - 前記基板保持部材の温度を計測することを含む
請求項19〜25のいずれか一項記載の記載の露光方法。 - 前記基板保持部材の温度を計測した結果に基づいて、前記基板保持部材の温度調整を行う
請求項26記載の露光方法。 - 前記液体供給口から前記基板上に供給される液体は、純水である
請求項19〜27のいずれか一項に記載の露光方法。 - 請求項19〜28のいずれか一項に記載の露光方法を用いて半導体ウエハを露光することと、
前記露光されたウエハを処理することと、
を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012083150A JP5578191B2 (ja) | 2004-02-04 | 2012-03-30 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004028092 | 2004-02-04 | ||
JP2004028092 | 2004-02-04 | ||
JP2012083150A JP5578191B2 (ja) | 2004-02-04 | 2012-03-30 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255402A Division JP5158178B2 (ja) | 2004-02-04 | 2010-11-15 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013264071A Division JP5835312B2 (ja) | 2004-02-04 | 2013-12-20 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012142608A JP2012142608A (ja) | 2012-07-26 |
JP5578191B2 true JP5578191B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=34835916
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255402A Expired - Fee Related JP5158178B2 (ja) | 2004-02-04 | 2010-11-15 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2012083150A Expired - Fee Related JP5578191B2 (ja) | 2004-02-04 | 2012-03-30 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2013264071A Expired - Fee Related JP5835312B2 (ja) | 2004-02-04 | 2013-12-20 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014243048A Expired - Fee Related JP5979206B2 (ja) | 2004-02-04 | 2014-12-01 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2016021643A Active JP6187615B2 (ja) | 2004-02-04 | 2016-02-08 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2017048605A Ceased JP2017129875A (ja) | 2004-02-04 | 2017-03-14 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2018098462A Pending JP2018156096A (ja) | 2004-02-04 | 2018-05-23 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255402A Expired - Fee Related JP5158178B2 (ja) | 2004-02-04 | 2010-11-15 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013264071A Expired - Fee Related JP5835312B2 (ja) | 2004-02-04 | 2013-12-20 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014243048A Expired - Fee Related JP5979206B2 (ja) | 2004-02-04 | 2014-12-01 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2016021643A Active JP6187615B2 (ja) | 2004-02-04 | 2016-02-08 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2017048605A Ceased JP2017129875A (ja) | 2004-02-04 | 2017-03-14 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2018098462A Pending JP2018156096A (ja) | 2004-02-04 | 2018-05-23 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8208119B2 (ja) |
EP (6) | EP3267469B1 (ja) |
JP (7) | JP5158178B2 (ja) |
KR (8) | KR20120003511A (ja) |
HK (1) | HK1091596A1 (ja) |
TW (4) | TWI430330B (ja) |
WO (1) | WO2005076324A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005071491A2 (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US8208119B2 (en) | 2004-02-04 | 2012-06-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
EP1737024A4 (en) * | 2004-03-25 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICES, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI436403B (zh) | 2004-10-26 | 2014-05-01 | 尼康股份有限公司 | A cleaning method, a substrate processing method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
JP4872916B2 (ja) | 2005-04-18 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
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US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
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JP5989525B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の基板保持状態の把握方法および記憶媒体 |
JP2017520792A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-07-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を製造する方法 |
JP6702753B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
CN110268334A (zh) * | 2017-02-03 | 2019-09-20 | Asml荷兰有限公司 | 曝光设备 |
EP3701245A4 (en) * | 2017-10-26 | 2021-08-11 | Particle Measuring Systems, Inc. | SYSTEM AND METHOD FOR PARTICLE MEASUREMENT |
KR102511272B1 (ko) | 2018-02-23 | 2023-03-16 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
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- 2005-02-03 EP EP16160871.6A patent/EP3093873B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-03 KR KR1020197002589A patent/KR20190011830A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-02-03 EP EP17160291.5A patent/EP3208658B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-03 KR KR1020137031820A patent/KR101579361B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-03 EP EP14151323.4A patent/EP2765595B1/en active Active
- 2005-02-03 EP EP05710042.2A patent/EP1713115B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-04 TW TW094103513A patent/TWI430330B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-04 TW TW106118849A patent/TW201735113A/zh unknown
- 2005-02-04 TW TW102145265A patent/TW201415538A/zh unknown
- 2005-02-04 TW TW105108810A patent/TWI607491B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-17 HK HK06112678.8A patent/HK1091596A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010255402A patent/JP5158178B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012083150A patent/JP5578191B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-16 US US13/473,438 patent/US8605252B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-01 US US14/070,021 patent/US9316921B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-20 JP JP2013264071A patent/JP5835312B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-12-01 JP JP2014243048A patent/JP5979206B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-02-08 JP JP2016021643A patent/JP6187615B2/ja active Active
- 2016-04-08 US US15/094,678 patent/US10048602B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-14 JP JP2017048605A patent/JP2017129875A/ja not_active Ceased
-
2018
- 2018-05-23 JP JP2018098462A patent/JP2018156096A/ja active Pending
- 2018-08-02 US US16/053,411 patent/US20180348653A1/en not_active Abandoned
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140610 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5578191 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |