JP2018156096A - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018156096A JP2018156096A JP2018098462A JP2018098462A JP2018156096A JP 2018156096 A JP2018156096 A JP 2018156096A JP 2018098462 A JP2018098462 A JP 2018098462A JP 2018098462 A JP2018098462 A JP 2018098462A JP 2018156096 A JP2018156096 A JP 2018156096A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- liquid
- exposure
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
Abstract
Description
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
基板P上に液浸領域AR2を形成する際、液体供給機構10は所望温度に制御した液体LQを基板P上に供給する。なお、液体供給部11のタンク、加圧ポンプは、必ずしも露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場などの設備を代用することもできる。
本実施形態において、流路形成部材70は2つの液体回収口22A、22Bを有している。液体回収口22A、22Bは流路形成部材70の下面70Aに設けられている。
温度センサ82の計測結果は、例えば基準部材300上に液浸領域AR2が形成されるときの液体温調装置61による液体LQの温度制御に用いられる。この場合、制御装置CONTは、例えば温度センサ82の測定値と基準部材300上に供給される液体LQの温度との差が小さくなるように液体温調装置61を制御することができる。
図3において、平面視矩形状の基板ステージPSTの互いに垂直な2つの縁部に移動鏡42が配置されている。
上板501の上面501Aには、光を通過可能なスリット部570が設けられている。上面501Aのうち、スリット部570以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。
また同様にして、空間像計測センサ500及び不図示の照度センサにも、それぞれの光学部材の温度を計測する温度センサが配置されており、その計測結果は制御装置CONTに出力される。その温度センサの計測結果は、例えば液体温調装置61による液体の温度制御に用いられる。
例えば第2基板ステージPST2上の基板Pに対して露光ステーションST2において液浸露光処理が行われている最中、第1基板ステージPST1上の基板Pに対して計測ステーションST1において基板アライメント系350、フォーカス検出系30、及び基準部材300を用いて計測処理が行われる。そして、計測処理が完了すると、第1基板ステージPST1と第2基板ステージPST2との交換作業が行われ、図15に示すように、第1基板ステージPST1の基準部材300と投影光学系PLとが対向するように、第1基板ステージPST1の位置決めがされる。この状態で、制御装置CONTは液体LQの供給を開始し、投影光学系PLと基準部材300との間を液体LQで満たし、液体LQを介したマスクアライメント系360による基準部材300の基準マークMFMの計測処理及び露光処理を行う。なお、計測ステーションST1で一旦求められた各ショット領域S1〜S24のアライメント情報は基準部材300の基準マークPFMを基準として定められており(記憶されており)、露光ステーションST2において液浸露光が実行される際には、基準部材300の基準マークPFMに対して所定の位置関係で形成されている基準マークMFMとマスクMとの位置関係に基づいて各ショット領域S1〜S24の位置決めがされるように第1基板ステージPST1の移動が制御される。すなわち、計測ステーションST1で求められた各ショット領域S1〜S24のアライメント情報(配列情報)は、基準マークPFM、MFMを用いて露光ステーションST2に有効に受け渡される。
温調システム60は、基板Pの計測処理中においても、基板ホルダPHを介して基板Pの温度調整を継続する。
回収機構、30…フォーカス検出系(面位置検出装置)、50…プレート部材、51…上
面(平坦部)、60…温調システム、80、81、82、83、84…温度センサ、90
…温調用ホルダ、300…基準部材(計測部材)、301A…上面(平坦面)、350…
基板アライメント系(マーク検出系)、360…マスクアライメント系(マーク検出系)
、400…照度ムラセンサ、401…上板(計測部材)、401A…上面(平坦面)、5
00…空間像計測センサ、501…上板(計測部材)、501A…上面(平坦面)、EL
…露光光、EX…露光装置、LQ…液体、P…基板、PL…投影光学系、PH…基板ホル
ダ(基板保持部材)、PST…基板ステージ、ST1…計測ステーション、ST2…露光
ステーション
Claims (63)
- 液体を介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板保持部材を有し、該基板保持部材に前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板保持部材の温度調整を行う温調システムとを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記温調システムは、前記基板と該基板上の液体との間の熱伝達が低減されるように、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体と前記基板との接触によって前記液体の温度変化が起きないように、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体中に温度分布が生じないように、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項3記載の露光装置。
- 前記液体を介して前記基板上に検出光を投射するとともに前記基板からの反射光を前記液体を介して受光することによって前記基板表面の面位置情報を検出する面位置検出装置を備え、
前記温調システムは、前記液体の温度変化に起因する前記面位置検出装置の計測誤差を抑制するために、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項3又は4記載の露光装置。 - 前記温調システムは、前記液体と前記基板との接触によって前記基板の温度変化が起きないように、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基板上のアライメントマークを液体を介さずに検出するマーク検出系を備え、
前記温調システムは、前記マーク検出系によるマーク検出後に、前記液体と前記基板との接触に起因して前記基板の温度が変化しないように、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項6記載の露光装置。 - 前記温調システムは、前記基板上に供給される液体と同一の液体を使って前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記基板上に供給される液体の温度に応じて、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基板保持部材の温度を計測する温度センサを備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体と接触した状態で前記露光光が通過する光学部材の温度調整も行うことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体の温度調整も行うことを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体と前記光学部材と前記基板とがほぼ同一温度となるように、前記液体と前記光学部材と前記基板保持部材との温度調整を行うことを特徴とする請求項12記載の露光装置。
- 前記露光光は、投影光学系と液体とを介して基板上に照射される請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記投影光学系の像面側に供給された液体の温度を計測する温度センサを備えた請求項14記載の露光装置。
- 液体を介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記液体と接触した状態で前記露光光が通過する光学部材の温度調整を行う温調システムを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記温調システムは、前記液体と前記光学部材との間での熱伝達が低減されるように、前記光学部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項16記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体と前記光学部材との接触によって前記液体の温度変化が起きないように、前記光学部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項16又は17記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体中に温度分布が生じないように、前記光学部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項18記載の露光装置。
- 前記光学部材の温度を計測する温度センサを備えたことを特徴とする16〜19のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記液体を介して前記基板上に検出光を投射するとともに前記基板からの反射光を前記液体を介して受光することによって前記基板表面の面位置情報を検出する面位置検出装置を備え、
前記温調システムは、前記液体の温度変化に起因する前記面位置検出装置の計測誤差を抑制するために、前記光学部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項16〜20のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記温調システムは、前記液体と前記光学部材との接触によって前記光学部材の温度変化が起きないように、前記光学部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項16〜21のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記基板上に供給される液体と同一の液体を使って前記光学部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項16〜22のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記基板上に供給される液体の温度に応じて、前記光学部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項16〜23のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記液体の温度調整も行うことを特徴とする請求項16〜24のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光光は、投影光学系と液体とを介して基板上に照射される請求項14〜25のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記投影光学系の像面側に供給された液体の温度を計測する温度センサを備えた請求項26記載の露光装置。
- 液体を介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持して移動可能であって、前記基板の周囲に平坦部を形成する部材を有する基板ステージと、
前記平坦部を形成する部材の温度調整を行う温調システムとを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記平坦部は、前記基板ステージに保持された基板の表面とほぼ面一であることを特徴とする請求項28記載の露光装置。
- 前記平坦部を形成する部材は、前記基板の周囲に配置された計測部材を含むことを特徴とする請求項28又は29記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記平坦部を形成する部材の温度変化が起きないように、温度調整を行うことを特徴とする請求項28〜30のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記平坦部上の液体の温度変化を抑制するために、前記平坦部を形成する部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項28〜31のいずれか一項記載の露光装置。
- 液体を介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
基板を保持する基板保持部材を有し、該基板保持部材に基板を保持して移動可能な第1基板ステージと、
基板を保持する基板保持部材を有し、該基板保持部材に基板を保持して移動可能な第2基板ステージと、
一方のステージに保持された基板の計測を行う計測ステーションと、
他方のステージに保持された基板の露光を行う露光ステーションと、
前記第1基板ステージと前記第2基板ステージとのそれぞれに設けられ、前記計測ステーションで前記基板保持部材の温度調整を行う温調システムとを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記計測ステーションにおける基板の計測は、基板表面の面位置情報の計測を含むことを特徴とする請求項33記載の露光装置。
- 前記計測ステーションにおける基板の計測は、基板上のアライメントマークの検出を含むことを特徴とする請求項33又は34記載の露光装置。
- 前記温調システムは、前記基板の計測を行う前に、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項33〜35のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光ステーションは、前記基板上に液体を供給するための液体供給機構を備え、
前記温調システムは、前記液体供給機構から供給される液体の温度に応じて、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項33〜36のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記計測ステーションにおける基板の計測後に、前記露光ステーションで前記基板上に供給された液体との接触に起因する前記基板の温度変化を抑制するために、前記温調システムは、前記基板保持部材の温度調整を行うことを特徴とする請求項33〜37のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光光は、投影光学系と液体とを介して基板上に照射される請求項28〜38のいずれか一項記載の露光装置。
- 液体を介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給する液体供給機構と、
前記液体供給機構から供給された液体と接触する物体の温度を計測する温度センサとを備え、
前記液体供給機構は、前記温度センサの計測結果に基づいて、供給される液体の温度を調整することを特徴とする露光装置。 - 前記物体は、前記基板を含む請求項40記載の露光装置。
- 前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、
前記物体は、前記基板ステージの上面の少なくとも一部を形成する部材を含む請求項40または41記載の露光装置。 - 前記基板ステージの上面の少なくとも一部を形成する部材は、前記基板ステージに搭載された計測用の部材を含む請求項42記載の露光装置。
- 前記物体の温度とほぼ同一になるように、前記温調装置は供給される液体の温度調整を行う請求項40〜43のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基板は、投影光学系と液体とを介して露光光が照射される請求項40〜44のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記物体は、前記投影光学系の一部の光学部材を含む請求項45記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項46のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 液体を介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光方法において、
前記基板の露光を開始する前に、前記基板の温度を前記液体の温度に基づいて調整することを特徴とする露光方法。 - 前記基板の露光中に前記基板を保持して移動可能な基板ステージに、前記基板をロードする前に、前記基板の温度調整を行うことを特徴とする請求項48記載の露光方法。
- 前記基板の露光中に前記基板を保持して移動可能な基板ステージに、前記基板をロードした後に、前記基板の温度調整を行うことを特徴とする請求項48又は49記載の露光方法。
- 前記基板の露光に使用される液体を、前記基板ステージにロードされた基板上に供給して、前記基板の温度調整を行うことを特徴とする請求項50記載の露光方法。
- 前記基板ステージ上にロードした基板上のアライメントマークの検出を行う前に、前記基板の温度調整を行うことを特徴とする請求項51記載の露光方法。
- 前記基板の露光に使われる液体を使って、前記基板の温度調整を行うことを特徴とする請求項48〜52のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記基板と前記液体とが接触したときの前記液体の温度変化が小さくなるように、前記基板ステージに前記基板をロードする前に、前記基板の温度を調整する請求項49に記載の露光方法。
- 前記基板ステージに前記基板をロードしたときの前記基板の温度変化が小さくなるように、前記基板ステージに前記基板をロードする前に、前記基板の温度を調整する請求項54に記載の露光方法。
- 液体を介して基板を露光する方法であって:
前記基板を含む、液体が接触する物体の温度を予定温度に基づいて調整することと:
前記予定温度の液体を介して基板を露光することとを含む露光方法。 - さらに、前記物体の温度を測定することを含む請求項56に記載の露光方法。
- 前記測定された物体の温度と予定温度に基づいて前記物体の温度を調整する請求項57に記載の露光方法。
- 前記予定温度に基づいて液体が接触する物体の温度を調整しながら、前記予定温度の液体を介して基板を露光する請求項56〜58のいずれか一項記載の露光方法。
- 液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって:
前記液体を供給することと;
前記供給された液体と接触する物体の温度に基づいて、前記供給される液体の温度を調整することとを含む露光方法。 - 前記露光光は、投影光学系を介して前記基板上に照射され;
前記物体は、前記基板または前記投影光学系の光学部材の一部である請求項60に記載の露光方法。 - さらに、前記基板を基板ステージ上に保持することを含み、前記物体が基板ステージの上面に設けられた部材である請求項60又は61記載の露光方法。
- 請求項48〜請求項62のいずれか一項記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004028092 | 2004-02-04 | ||
JP2004028092 | 2004-02-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017048605A Division JP2017129875A (ja) | 2004-02-04 | 2017-03-14 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018156096A true JP2018156096A (ja) | 2018-10-04 |
JP2018156096A5 JP2018156096A5 (ja) | 2019-01-24 |
Family
ID=34835916
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255402A Expired - Fee Related JP5158178B2 (ja) | 2004-02-04 | 2010-11-15 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2012083150A Expired - Fee Related JP5578191B2 (ja) | 2004-02-04 | 2012-03-30 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2013264071A Expired - Fee Related JP5835312B2 (ja) | 2004-02-04 | 2013-12-20 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014243048A Expired - Fee Related JP5979206B2 (ja) | 2004-02-04 | 2014-12-01 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2016021643A Active JP6187615B2 (ja) | 2004-02-04 | 2016-02-08 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2017048605A Ceased JP2017129875A (ja) | 2004-02-04 | 2017-03-14 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2018098462A Pending JP2018156096A (ja) | 2004-02-04 | 2018-05-23 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255402A Expired - Fee Related JP5158178B2 (ja) | 2004-02-04 | 2010-11-15 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2012083150A Expired - Fee Related JP5578191B2 (ja) | 2004-02-04 | 2012-03-30 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2013264071A Expired - Fee Related JP5835312B2 (ja) | 2004-02-04 | 2013-12-20 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014243048A Expired - Fee Related JP5979206B2 (ja) | 2004-02-04 | 2014-12-01 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2016021643A Active JP6187615B2 (ja) | 2004-02-04 | 2016-02-08 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2017048605A Ceased JP2017129875A (ja) | 2004-02-04 | 2017-03-14 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8208119B2 (ja) |
EP (6) | EP3267469B1 (ja) |
JP (7) | JP5158178B2 (ja) |
KR (8) | KR101945638B1 (ja) |
HK (1) | HK1091596A1 (ja) |
TW (4) | TWI430330B (ja) |
WO (1) | WO2005076324A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
WO2005076324A1 (ja) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005093792A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101866113B (zh) * | 2004-10-26 | 2013-04-24 | 株式会社尼康 | 衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法 |
US8089608B2 (en) * | 2005-04-18 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1965414A4 (en) | 2005-12-06 | 2010-08-25 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
US7746447B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and method of calibrating a lithographic apparatus |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
US8068208B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for improving immersion scanner overlay performance |
US7791709B2 (en) | 2006-12-08 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support and lithographic process |
US20080137055A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008173744A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 搬送システムの搬送位置合わせ方法 |
JP2009033111A (ja) | 2007-05-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
JP5369443B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
EP2136250A1 (en) | 2008-06-18 | 2009-12-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP2010118527A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Canon Inc | 露光装置、およびデバイス製造方法 |
US8896806B2 (en) | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL2004808A (en) | 2009-06-30 | 2011-01-12 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP2011192991A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
NL2006913A (en) | 2010-07-16 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
JP6006406B2 (ja) | 2012-05-29 | 2016-10-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オブジェクトホルダ及びリソグラフィ装置 |
TWI582837B (zh) * | 2012-06-11 | 2017-05-11 | 應用材料股份有限公司 | 在脈衝式雷射退火中使用紅外線干涉技術之熔化深度測定 |
JP5989525B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の基板保持状態の把握方法および記憶媒体 |
US10324384B2 (en) | 2014-07-01 | 2019-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of manufacturing a lithographic apparatus |
JP6702753B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
WO2018141713A1 (en) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus |
CN111247418A (zh) * | 2017-10-26 | 2020-06-05 | 粒子监测系统有限公司 | 粒子测量系统和方法 |
KR102511272B1 (ko) | 2018-02-23 | 2023-03-16 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
CN112272966B (zh) * | 2018-06-20 | 2024-02-02 | 信越化学工业株式会社 | 转移装置、使用方法和调整方法 |
CN110856489A (zh) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 燕化永乐(乐亭)生物科技有限公司 | 一种复配除草剂 |
DE102019215340A1 (de) * | 2019-10-07 | 2021-04-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Abschirmen von thermisch zu isolierenden Komponenten in mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen |
JP2022048443A (ja) * | 2020-09-15 | 2022-03-28 | キオクシア株式会社 | 位置計測装置及び計測方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH11168056A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nikon Corp | ウェハ保持装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US561071A (en) * | 1896-05-26 | armstrong | ||
DD127137B1 (de) | 1976-08-17 | 1979-11-28 | Elektromat Veb | Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS57169244A (en) | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
GB2111745B (en) | 1981-12-07 | 1985-06-19 | Philips Electronic Associated | Insulated-gate field-effect transistors |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60158626A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH01152639A (ja) | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Canon Inc | 吸着保持装置 |
DE68921687T2 (de) * | 1988-09-02 | 1995-08-03 | Canon Kk | Belichtungseinrichtung. |
JPH0276212A (ja) | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 多重露光方法 |
DE68922061T2 (de) | 1988-10-03 | 1995-08-31 | Canon Kk | Vorrichtung zum Regeln der Temperatur. |
JPH033316A (ja) | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影型露光装置 |
JP2737010B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3149472B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JPH0542804A (ja) | 1991-08-09 | 1993-02-23 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | タイヤ滑り止め装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3286994B2 (ja) | 1991-11-06 | 2002-05-27 | 株式会社ニコン | 露光方法、および露光装置 |
JP3291832B2 (ja) | 1992-05-19 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 基板保持部材、および、露光装置 |
JPH065603A (ja) | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5738165A (en) | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP3484684B2 (ja) | 1994-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び走査型露光装置 |
US6721034B1 (en) | 1994-06-16 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3658846B2 (ja) | 1996-03-27 | 2005-06-08 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP3661291B2 (ja) * | 1996-08-01 | 2005-06-15 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3695000B2 (ja) | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
DE69738910D1 (de) | 1996-11-28 | 2008-09-25 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2000505958A (ja) | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
JPH10208994A (ja) | 1997-01-16 | 1998-08-07 | Nec Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH11135407A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 露光方法および装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
EP1041357A4 (en) | 1997-12-18 | 2005-06-15 | Nikon Corp | PLATINUM AND EXPOSURE APPARATUS |
JP4264676B2 (ja) | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11307430A (ja) | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法ならびに駆動装置 |
AU3729999A (en) | 1998-05-15 | 1999-12-06 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
KR100604120B1 (ko) | 1998-05-19 | 2006-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 수차측정장치와 측정방법 및 이 장치를 구비한투영노광장치와 이 방법을 이용한 디바이스 제조방법,노광방법 |
US6819414B1 (en) | 1998-05-19 | 2004-11-16 | Nikon Corporation | Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TW490596B (en) | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US7116401B2 (en) * | 1999-03-08 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method |
TW513617B (en) | 1999-04-21 | 2002-12-11 | Asml Corp | Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
KR20010026371A (ko) * | 1999-09-06 | 2001-04-06 | 윤종용 | 웨이퍼 냉각 수단을 구비하는 노광장치 및 이를 이용한 노광방법 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
EP1124161A3 (en) | 2000-02-10 | 2004-01-07 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus having a temperature controlled heat shield |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002198303A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2002005586A (ja) | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Canon Inc | 物体温度調節用熱交換装置、該熱交換装置を使用して製造した投影レンズ及び該熱交換装置を使用した光学系を具備する装置 |
JP4692862B2 (ja) | 2000-08-28 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002231622A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
EP1231514A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
JP4714403B2 (ja) | 2001-02-27 | 2011-06-29 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
TWI300953B (en) * | 2002-03-15 | 2008-09-11 | Nikon Corp | Exposure system and device manufacturing process |
US20050088634A1 (en) | 2002-03-15 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | Exposure system and device production process |
TWI242691B (en) | 2002-08-23 | 2005-11-01 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN101713932B (zh) * | 2002-11-12 | 2012-09-26 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2004055803A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
ATE335272T1 (de) | 2002-12-19 | 2006-08-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
CN100437358C (zh) | 2003-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
EP1498781B1 (en) * | 2003-07-16 | 2019-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7738074B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
KR101712297B1 (ko) | 2003-10-22 | 2017-03-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 디바이스의 제조 방법 |
KR20170107102A (ko) * | 2003-12-03 | 2017-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4843503B2 (ja) | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
WO2005076324A1 (ja) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
CN101819386B (zh) | 2004-06-09 | 2013-10-09 | 尼康股份有限公司 | 曝光装置及元件制造方法 |
JP5130609B2 (ja) | 2004-06-10 | 2013-01-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4515335B2 (ja) | 2004-06-10 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法 |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101171808B1 (ko) | 2004-12-02 | 2012-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006062065A1 (ja) | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US20070132976A1 (en) | 2005-03-31 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
-
2005
- 2005-02-03 WO PCT/JP2005/001990 patent/WO2005076324A1/ja active Application Filing
- 2005-02-03 KR KR1020177001215A patent/KR101945638B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-03 EP EP17176350.1A patent/EP3267469B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-03 EP EP05710042.2A patent/EP1713115B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-03 US US10/588,297 patent/US8208119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-03 EP EP16160871.6A patent/EP3093873B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-03 EP EP17160291.5A patent/EP3208658B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-03 EP EP14151323.4A patent/EP2765595B1/en active Active
- 2005-02-03 KR KR1020147028465A patent/KR101942136B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-03 KR KR1020067015579A patent/KR101309428B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-03 KR KR1020197002589A patent/KR20190011830A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-02-03 KR KR1020127008670A patent/KR101554772B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-03 KR KR1020157012753A patent/KR101741343B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-03 KR KR1020137031820A patent/KR101579361B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-03 EP EP17176366.7A patent/EP3252533B1/en active Active
- 2005-02-03 KR KR1020117031204A patent/KR20120003511A/ko active Search and Examination
- 2005-02-04 TW TW094103513A patent/TWI430330B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-04 TW TW102145265A patent/TW201415538A/zh unknown
- 2005-02-04 TW TW106118849A patent/TW201735113A/zh unknown
- 2005-02-04 TW TW105108810A patent/TWI607491B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-17 HK HK06112678.8A patent/HK1091596A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010255402A patent/JP5158178B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012083150A patent/JP5578191B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-16 US US13/473,438 patent/US8605252B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-01 US US14/070,021 patent/US9316921B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-20 JP JP2013264071A patent/JP5835312B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-12-01 JP JP2014243048A patent/JP5979206B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-02-08 JP JP2016021643A patent/JP6187615B2/ja active Active
- 2016-04-08 US US15/094,678 patent/US10048602B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-14 JP JP2017048605A patent/JP2017129875A/ja not_active Ceased
-
2018
- 2018-05-23 JP JP2018098462A patent/JP2018156096A/ja active Pending
- 2018-08-02 US US16/053,411 patent/US20180348653A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH11168056A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nikon Corp | ウェハ保持装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6187615B2 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP5167572B2 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190326 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191001 |