JP3109896B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関し、詳しくは、高輝
度で発光効率が高く、青色〜緑色領域での発光が可能で
あるとともに、すぐれた薄膜維持能を有するポリカーボ
ネートを用いた有機ＥＬ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】最
近、Ｆｒｉｅｎｄ Ｒ．Ｈ．らにより、ポリフェニレン
ビニレン（ＰＰＶ）を発光材料とする発光層を有した有
機ＥＬ素子が開示された（国際公開ＷＯ９０／１３１４
８）。この有機ＥＬ素子は、全共役系ポリマー（ｃｏｎ
ｊｕｇａｔｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ）に、適当な注入電極
から電荷が注入されることによりエレクトロルミネッセ
ンス効果を奏するものである。彼らは、この有機ＥＬ素
子の特徴として、酸素，水分に対して安定であり高温
下でも劣化しない、発光層が下部電極等に付着性を持
つことにより、熱的にまたは機械的に生じるクラックに
対して耐性がある、再結晶化を防ぐ、高結晶性また
は高融点により、イオンや原子の移行を防ぐことを挙げ
ている。しかし、この有機ＥＬ素子は、ＰＰＶの伸長し
た共役性により青色発光が困難であり発光効率が小さい
という欠点を有している。この欠点は、ＰＰＶの蛍光性
が小さいためであり、Ｆｒｉｅｎｄ Ｒ．Ｈ．により
Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ２０，１３６７（１９８７）および
Ｊ．Ｍｏｌ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ；５，１９，（１
９８９）において明らかにされている。上記ＰＰＶの蛍
光収率は１％以下である。このように蛍光収率が低けれ
ば、エレクトロルミネッセンス効率（ＥＬ効率）は蛍光
収率より小さくなるので、高輝度を得ることは不可能で
ある。さらに、ポリフェニレンビニレン薄膜の作製は、
可溶前駆体をスピンコート後、熱処理することによって
簡易に得られるが、この熱処理条件は、容易に判明する
ものではなく、主鎖共役の中に欠陥が容易に入り、ＥＬ
効率を減少させることとなる。したがって、ポリフェニ
レンビニレン等の全共役系ポリマーの薄膜を発光層とし
て用いることは、実用上不可能ないし困難である。

【０００３】また、Ｄ．ＢｒａｕｎらによりＰＰＶに長
鎖アルコキシキ置換基を導入した可溶性誘導体をスピン
コート法にて製膜し発光層とした素子が開示された（Ａ
ＰＰｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５８，１９８２（１９９
１））。しかし、このＰＰＶの蛍光収率（量子収率）が
小さいため、ＥＬ量子収率は、Ｉｎ陰極を用いた場合は
５×１０^-4、Ｃａ陰極を用いた場合は１０^-2と小さいも
のであり、発光色も橙色に限定されていた。また、細川
らによりアリーレンビニレン構造を有する低分子を発光
層とする有機ＥＬ素子が開示されている（ＥＰ第０３７
３５８２号，ＥＰ第０３８８７６８号等）。この有機Ｅ
Ｌ素子は、僅か５Ｖを印加するだけで、緑味青色発光を
３００ｃｄ／ｍ² の高輝度で実現することができる。こ
のときの発光効率は2.９ルーメン／Ｗであった。さら
に、彼らは類似構造の化合物を発光層として１０００ｃ
ｄ／ｍ² 以上の高輝度青色発光も実現しており、青紫〜
緑色領域にわたる様々な発光色を高輝度かつ高効率で出
すことを可能とした。しかし、発光層を形成するには蒸
着法を用いる必要があり、この方法はスピンコート法よ
り時間がかかり、生産性に劣る。また、有機低分子の蒸
着膜は、経時による変化または動作時の発熱により再結
晶が生じ易く発光層または正孔注入層として機能しなく
なる、すなわち薄膜維持能力がないという問題がある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、上
記従来技術の欠点を解消し、発光層がスピンコート方法
により簡易に薄膜化が可能であり、この発光層を用い、
低電圧にもかかわらず高輝度であって、しかも青色〜緑
色領域の発光をする有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究
を重ねた。その結果、スチリルアミン骨格を繰り返し単
位として有することにより、有機低分子に比較して卓越
した薄膜維持能を有したポリカーボネートからなる重合
体を用いることにより、従来技術であるＰＰＶ等の全共
役ポリマーを用いた素子に比べ、発光効率を著しく向上
させることができ、上記目的が充分に達成できることを
見出した。また本発明のポリカーボネートは、薄膜維持
能をもつ正孔注入層にも成り得ることも同時に見出し
た。本発明はかかる知見に基いて完成したものである。

【０００５】すなわち本発明は、エレクトロルミネッセ
ンス機能を保有するスチリルアミン骨格を繰り返し単位
として含有するポリカーボネートを、発光材料および／
または正孔注入材料として用いることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子を提供するものである。
特に、ポリカーボネートが、一般式（Ｉ）

【０００６】

【化７】

【０００７】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、それぞれ独立
に置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基
を示す。Ａｒ⁵およびＡｒ⁶ は、それぞれ独立に置換あ
るいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基を示す。ま
た、Ｒ¹ およびＲ² は、それぞれ独立に水素原子，炭素
数１〜６のアルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６
〜２０のアリール基を示す。ここで、置換基は、炭素数
１〜１０のアルキル基あるいはアルコキシ基である。ま
た、Ｐは０または１の整数を示す。）で表される繰り返
し単位を有する上記有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供し、さらに、本発明は、ポリカーボネートが、一
般式（II）

【０００８】

【化８】

【０００９】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁶ ，Ｒ¹ ，Ｒ² およ
びＰは、前記と同様である。Ｒ⁷ は、それぞれ独立に置
換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基を示
す。）で表される繰り返し単位（α）および一般式（II
I)

【００１０】

【化９】

【００１１】（式中、Ｒ³ およびＲ⁴ は、それぞれ独立
に水素原子あるいは炭素数１〜６のアルキル基を示し、
Ｙは単結合，

【００１２】

【化１０】

【００１３】（ここで、ｘは２〜１０の整数を示し、Ｒ
⁵ およびＲ⁶ は、それぞれ独立に水素原子，炭素数１〜
６のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基であ
る。）を示す。）で表される繰り返し単位（β）を有す
る上記有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するも
のである。また、本発明は、ポリカーボネートが、一般
式（IV）

【００１４】

【化１１】

【００１５】（式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，ＰおよびＡｒ¹ 〜Ａ
ｒ⁶ は、前記と同じである。Ａｒ⁷ は、それぞれ独立に
置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基を
示す。ここで、置換基は、炭素数１〜１０のアルキル基
あるいはアルコキシ基である。点線は、単結合により連
結されていても良いことを示す。）で表される繰り返し
単位を有する上記有機エレクトロルミネッセンス素子お
よび、ポリカーボネートが、一般式（Ｖ）

【００１６】

【化１２】

【００１７】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁷ ，Ｒ¹ ，Ｒ² およ
びＰは、前記と同様である。点線は、単結合により連結
されていても良いことを示す。）で表される繰り返し単
位（γ）および一般式（III)で表される繰り返し単位
（β）を有する上記有機エレクトロルミネッセンス素子
をも提供するものである。

【００１８】本発明では、エレクトロルミネッセンス機
能を有するスチリルアミン骨格を含有するポリカーボネ
ートを、発光材料および／または正孔注入材料として用
いる。ここで、エレクトロルミネッセンス機能とは、電
荷注入輸送機能および発光機能のことをいう。すなわ
ち、エレクトロルミネッセンス機能を有するとは、例え
ば化合物を蒸着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ
法などの公知の方法により薄膜化し、これを発光層とし
て用いた場合に、電界印加時に陽極または正孔注入輸
送層より正孔を注入することができ、かつ陰極または電
子注入輸送層より電子を注入することができる注入機
能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動さ
せる輸送機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、こ
れを発光につなげる発光機能等を有していることであ
る。

【００１９】本発明において、エレクトロルミネッセン
ス機能を有する箇所は、一般式（Ｉ）に含有されるスチ
リルアミン骨格である。本発明で用いられるスチリルア
ミン骨格を有するポリカーボネートは、特定のスチリル
アミン骨格が共役系を切る

【００２０】

【化１３】

【００２１】を含有する２価の基で結合しており、スチ
リルアミン骨格の共役が伸長するのを抑え、緑色〜青色
の発光を与えるようにしている。さらに、本発明で用い
られる特定のスチリルアミン骨格を保有する分子は、優
れたＥＬ性能を有すると共に薄膜性に優れている。この
スチリルアミン骨格は、様々なものがあるが、１つの好
ましい形態としては、１つの芳香族３級アミンを含み、
この芳香族３級アミンの少なくとも１つの芳香環に炭素
数８〜２２のアリールビニレン基が少なくとも１つ置換
されている化合物より水素原子を取り除き形成された１
価あるいは２価の基である。ここで、芳香族３級アミン
は３価の窒素原子を含む化合物であり、この窒素原子に
置換されている３つの炭素原子の少なくとも１つの原子
が炭素数４〜２０の芳香環を形成する化合物である。ま
た、アリールビニレン基は、式

【００２２】

【化１４】

【００２３】（式中、Ｒ¹ およびＲ² は、前記と同じで
ある。）で表される炭素−炭素二重結合を含む基（ビニ
レン基）と炭素数６〜２０のアリール基が結合した１価
の基である。別の１つの好ましい形態は、２つまたは３
つの上記の芳香族３級アミンを含み、この２つまたは３
つの芳香族３級アミンを上記ビニレン基またはビニレン
アリーレンビニレン基で結合し形成した化合物より水素
原子を除いて形成された２価の基である。上記スチリル
アミン骨格の好ましいものとしては、芳香族３級アミン
からなる２価の基とアリーレンビニレン基を順次結合さ
せたものまたは芳香族３級アミンよるなる２価の基とビ
ニレン基と芳香族３級アミンよるなる２価の基を順次結
合させたものが挙げられる。特に好ましいスチリルアミ
ン骨格としては、上記一般式（Ｉ）および（IV）で表さ
れるものが挙げられる。

【００２４】本発明におけるポリカーボネートは、様々
な構造のものを挙げることができるが、好ましいものと
しては、一般式（II）で表される繰り返し単位（α）お
よび一般式（III)で表される繰り返し単位（β）を有す
るもの（ポリカーボネートＡ）、および一般式（Ｖ）で
表される繰り返し単位（γ）および一般式（III)で表さ
れる繰り返し単位（β）を有するもの（ポリカーボネー
トＢ）が挙げられる。特に好ましくは、重量平均分子量
４０００以上のポリカーボネートＡ，Ｂである。上述の
一般式（Ｉ），（II），（IV) および（Ｖ）におけるＡ
ｒ¹ 〜Ａｒ⁴ およびＡｒ⁷ は、それぞれ独立に置換ある
いは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基（例えば、
フェニレン基，ビフェニレン基，ナフチレン基，ターフ
ェニレン基，アントラニレン基など）である。該置換基
としては、例えば、メチル基，エチル基，イソプロピル
基，ｔ−ブチル基などのアルキル基，メトキシ基，エト
キシ基，プロポキシ基，ブトキシ基などのアルコキシ基
が挙げられる。Ａｒ⁵ とＡｒ⁶ は、それぞれ独立に置換
あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基（例え
ば、フェニル基，ビフェニル基，ナフチル基，ターフェ
ニル基など）である。該置換基としては、例えば、メチ
ル基，エチル基，イソプロピル基，ｔ−ブチル基などの
アルキル基，メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，
ブトキシ基などのアルコキシ基が挙げられる。

【００２５】また、Ｒ¹ およびＲ² は、それぞれ独立に
水素原子，炭素数１〜６のアルキル基，置換あるいは無
置換の炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル
基，ビフェニル基，ナフチル基など）である。該置換基
としては、例えば、メチル基，エチル基，イソプロピル
基，ｔ−ブチル基などのアルキル基，メトキシ基，エト
キシ基，プロポキシ基，ブトキシ基などのアルコキシ基
などが挙げられる。なお、本発明で用いられるポリカー
ボネートには、繰り返し単位（β）の他に側鎖にスチリ
ルアミン骨格を有するものも用いることができる。

【００２６】このポリカーボネートの製造方法として
は、特に制限はなく公知の方法に準じて各種の方法によ
って製造することができる。好ましい方法としては、一
般式（VI）

【００２７】

【化１５】

【００２８】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁶ ，Ｒ¹ ，Ｒ² およ
びＰは、前記と同様である。）で表されるスチリルアミ
ン骨格を有するビスフェノール体またはこのビスフェノ
ール体と一般式（VII)

【００２９】

【化１６】

【００３０】（式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ およびＹは、前記と同
様である。）で表されるジヒドロキシ化合物を炭酸エス
テル形成性化合物とを反応させることにより行われる。
このスチリルアミン骨格を有するビスフェノール体の具
体例としては、

【００３１】

【化１７】

【００３２】

【化１８】

【００３３】

【化１９】

【００３４】

【化２０】

【００３５】等が挙げられる。また、ジヒドロキシ化合
物としては、

【００３６】

【化２１】

【００３７】

【化２２】

【００３８】

【化２３】

【００３９】等が挙げられる。同様にして、一般式（VI
II)

【００４０】

【化２４】

【００４１】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁶ ，Ｒ¹ ，Ｒ² およ
びＰは、前記と同様である。）で表されるスチリルアミ
ン骨格を有するビスフェノール体またはこのビスフェノ
ール体と一般式（VII)で表されるジヒドロキシ化合物を
炭酸エステル形成性化合物とを反応させることにより行
われる。このスチリルアミン骨格を有するビスフェノー
ル体の具体例としては、

【００４２】

【化２５】

【００４３】

【化２６】

【００４４】

【化２７】

【００４５】等が挙げられる。ここで、炭酸エステル形
成性化合物としては、通常のポリカーボネートの製造分
野において使用される種々のものを用いることができ
る。例えば、ホスゲン等のジハロゲン化カルボニル、ク
ロロホルメート化合物等のハロホルメート類、炭酸エス
テル化合物等を挙げることができる。これらの中で、特
に好ましいものはホスゲンである。

【００４６】本発明においては、前記ビスフェノール体
の１種または２種以上と前記炭酸エステル形成性化合物
の少なくとも１種と反応させ、あるいは、前記ジヒドロ
キシ化合物の１種または２種以上と前記ビスフェノール
体の１種または２種以上と前記炭酸エステル形成性化合
物の少なくとも１種と反応させることによって、本発明
で用いるポリカーボネートを製造することができる。こ
こで、用いるビスフェノール体とジヒドロキシ化合物の
割合を適宜選定することにより、繰り返し単位（α）と
（β）または（γ）と（β）の割合（モル比）を調節す
ることができる。本発明で用いるポリカーボネートには
スチリルアミン骨格を有する繰り返し単位（α）または
（γ）は必須であり、繰り返し単位（β）は任意であ
り、０であっても構わない。反応条件は、特に制限はな
く、例えば炭酸エステル形成性化合物としてホスゲン等
のジハロゲン化カルボニルまたはクロロホルメート等の
ハロメート類を用いる場合、反応は適当な溶媒中、酸受
容体（例えば、アルカリ金属水酸化物やアルカリ金属炭
酸塩等の水溶性アルカリ金属化合物あるいは有機塩基
等）の存在下で行うことができる。アルカリ金属水酸化
物やアルカリ金属炭酸塩においては、種々のものを用い
ることができるが、経済的な面から、通常、水酸化ナト
リウム水溶液，水酸化カリウム水溶液，炭酸ナトリウム
水溶液，炭酸カリウム水溶液等が好適に用いられる。ま
た、前記炭酸エステル形成性化合物の使用割合は、反応
の化学量論比を考慮して適宜調整すればよい。ホスゲン
等のガス状炭酸エステル形成性化合物を使用する場合、
これを反応系に吹き込む方法が好適である。同様に前記
酸受容体の使用割合も、反応の化学量論比を考慮して適
宜調整すればよい。具体的には、ビスフェノール体とジ
ヒドロキシ化合物の合計モル数に対して２当量若しくは
これより若干過剰量の酸受容体を用いるのが好ましい。

【００４７】前記溶媒としては、公知のポリカーボネー
トの製造の際に用いられる各種の溶媒を１種単独である
いは混合溶媒として用いればよい。代表的な例として
は、塩化メチレン等のハロゲン化合物炭化水素，テトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒が好ましい。さらに、
この反応を行うに際して、所望に応じて分子量調節剤
（モノフェノール類等の架橋剤等）や反応促進剤（アル
キルアミン等）を添加し分子量および反応速度の調節を
行ってもよい。この反応における反応温度は、通常０〜
１５０℃、好ましくは０〜４０℃である。反応圧力は、
減圧，常圧，加圧のいずれでも可能であるが、通常は常
圧若しくは反応系の自圧程度がよい。反応時間は、通常
0.５分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間程度であ
る。反応方式は、連続法，半連続法，回分法のいずれで
もよい。

【００４８】このようにして得られたポリカーボネート
は、スチリルアミン骨格が共役系を切る二価基で結合し
ており、その結果、ＥＬ発光の長波長化を防ぎ、高輝度
の青色〜緑色領域での発光を可能にしている。この青色
発光が可能であれば、赤，オレンジ，緑，黄，白等の種
々の発光が、公知の従来技術、例えば蛍光色素のドープ
方法や蛍光フィルムによる蛍光変換方法などにより可能
となる。また、合成あるいは精製が容易にできる長所を
備えている。また、溶液により、例えばスピンコート
法，浸漬塗工法，キャスト法，ＬＢ法などの公知の方法
で膜厚１０〜２００ｎｍの超薄膜を形成することができ
る。この超薄膜は、ピンホールのないものであり電気的
短絡の心配がない。また、ポリカーボネートは前記溶媒
に極めて可溶であり、製膜に好ましい0.０１〜１０重量
％溶液を調整できる。

【００４９】特に好ましい製膜方法は、公知のスピンコ
ート法である。これは、薄膜が均一にピンホールレスで
製膜でき、極めて容易な製膜方法であるからである。こ
のとき、溶液に用いる溶媒は、ベンゼン，トルエン，ジ
クロロメタン，クロロホルム等の低沸点溶媒が好まし
く、濃度は0.５〜３重量％が好ましい。また、スピンコ
ーターの回転数は２０００〜１００００ｒｐｍが好まし
く、膜厚を２００ｎｍ以下に製膜する場合は５０００〜
７０００ｒｐｍが好ましい。さらに、溶液中のゴミは製
膜後のピンホールに繋がるため、予めフィルターにより
除去するのが好ましい。以上のようにして薄膜化された
ポリカーボネートは、ＥＬ機能を有するスチリルアミン
骨格とジヒドロキシ化合物を結合させ重合体化したこと
により、優れたＥＬ機能を有するとともに薄膜性および
熱安定性の改良が達成されている。すなわち、結晶化な
どにより薄膜が破壊されることなく、経時変化が極めて
少ない。

【００５０】このような薄膜維持能を有したポリカーボ
ネートは、有機ＥＬ素子において発光層および／または
正孔注入層として用いることができる。ここで、ポリカ
ーボネートを正孔注入層として用いた場合は、ポリカー
ボネート層よりＥＬ発光は起こらない。一方、発光層と
して用いる場合は、ポリカーボネート層よりＥＬ発光を
する。これは次のような事情による。電子注入層とし
て、陽極側より輸送される正孔を通さない正孔障壁性を
有する化合物をポリカーボネート層と陰極の間に挿入し
て用いた場合、上記ポリカーボネートよりなる発光層内
に正孔が蓄積され、電子注入層より供給される電子と結
合することによりＥＬ発光が生じることになる。一方、
蛍光性を有し、正孔障壁性を持たず、電子輸送性の化合
物を該ポリカーボネートに積層した場合、該ポリカーボ
ネートは正孔注入層となり積層した化合物が発光層とな
る。従って本発明のポリカーボネートは、適宜、発光層
にも正孔注入層にも用いることができる。すなわち、エ
レクトロルミネッセンス機能を有する発光材料にも、正
孔注入材料（正孔伝達化合物）にも用いることができ
る。

【００５１】上記正孔障壁性を有する電子注入層とし
て、好ましく用いられる化合物は、一般式（IX）または
（Ｘ）

【００５２】

【化２８】

【００５３】（式中、Ａｒ⁸ 〜Ａｒ¹⁰およびＡｒ¹²はそ
れぞれ独立に置換または無置換のアリール基を示し、Ａ
ｒ¹¹は置換または無置換のアリーレン基を示す。）で表
される電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール
基としてはフェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，ア
ントラニル基，ペリレニル基，ピレニル基等が挙げら
れ、アリーレン基としてはフェニレン基，ナフチレン
基，ビフェニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレ
ン基，ピレニレン基等が挙げられる。また、置換基とし
ては炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のア
ルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この一般式
（IX）または（Ｘ）で表される化合物は、薄膜形成性の
ものが好ましい。

【００５４】一般式（IX）または（Ｘ）で表される化合
物の具体例としては、

【００５５】

【化２９】

【００５６】

【化３０】

【００５７】

【化３１】

【００５８】等が挙げられる。

【００５９】本発明のＥＬ素子の構成は各種の態様があ
るが、基本的には、一対の電極（陽極と陰極）間に、発
光層を挟持した構成とし、これに必要に応じて、正孔注
入輸送層（正孔注入層）や電子注入輸送層（電子注入
層）を介在させればよい。具体的には（１）陽極／発光
層／陰極，（２）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰
極，（３）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸
送層／陰極，（４）陽極／発光層／電子注入輸送層／陰
極などの構成を挙げることができる。該正孔注入輸送層
や電子注入輸送層は必ずしも必要ではないが、これらの
層があると、発光性能が一段と向上する。また、前記構
成の素子においては、いずれも基板に支持されているこ
とが好ましく、該基板については特に制限はなく、従来
有機ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガラス，透
明プラスチック，石英などから成るものを用いることが
できる。

【００６０】本発明の有機ＥＬ素子における陽極として
は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気
伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例
としては、Ａｕなどの金属，Ｃｕ，Ｉ，ＩＴＯ，ＳｎＯ
₂ ，ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。該陽極
は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方
法により、膜厚を形成させることにより作製することが
できる。この電極より発光を取り出す場合には、透過率
を１０％より大きくすることが望ましく、また、電極と
してのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに
膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ，特に５
０〜１５０ｎｍの範囲が好ましい。

【００６１】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物およびこ
れらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この
ような電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリ
ウム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネ
シウム／銅混合物，Ａｌ／ＡｌＯ₂ ，インジウム，希土
類金属などが挙げられる。該陰極はこれらの電極物質を
蒸着やスパッタリングなどの方法により、膜厚を形成さ
せることにより、作製することができる。また、電極と
してのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は
通常１０ｎｍ〜１μｍ，特に５０〜２００ｎｍの範囲が
好ましい。なお、本発明の素子においては、特に規定し
ないが、該陽極または陰極のいずれか一方が透明または
半透明であることが発光を透過し、取り出す効率がよい
ので好ましい。

【００６２】前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達
化合物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば１０⁴ 〜１０⁶Ｖ
／cmの電界印加時に、少なくとも１０^-6cm²／Ｖ・秒の
正孔移動度をもつものが好適である。このような正孔伝
達化合物については、前記の好ましい性質を有するもの
であれば特に制限はなく、本発明で用いられるポリカー
ボネートの他に、従来、光導伝材料において、正孔の電
荷輸送材として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注
入輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを
選択して用いることができる。

【００６３】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体（米国特許第3,112,197 号明細書等参照），オ
キサジアゾール誘導体（米国特許第3,189,447 号明細書
等参照），イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９
６号公報等参照），ポリアリールアルカン誘導体（米国
特許第3,615,402 号明細書，同3,820,989 号明細書，同
3,542,544 号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５
１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公
報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公
報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５
３号公報，同５６−３６６５６号公報等参照），ピラゾ
リン誘導体およびピラゾロン誘導体（米国特許第3,180,
729 号明細書，同4,278,746 号明細書，特開昭５５−８
８０６４号公報，同５５−８８０６５号公報，同４９−
１０５５３７号公報，同５５−５１０８６号公報，同５
６−８００５１号公報，同５６−８８１４１号公報，同
５７−４５５４５号公報，同５４−１１２６３７号公
報，同５５−７４５４６号公報等参照），フェニレンジ
アミン誘導体（米国特許第3,615,404 号明細書，特公昭
５１−１０１０５号公報，同４６−３７１２号公報，同
４７−２５３３６号公報，特開昭５４−５３４３５号公
報，同５４−１１０５３６号公報，同５４−１１９９２
５号公報等参照），アリールアミン誘導体（米国特許第
3,567,450 号明細書，同3,180,703 号明細書，同3,240,
597 号明細書，同3,658,520 号明細書，同4,232,103 号
明細書，同4,175,961 号明細書，同4,012,376 号明細
書，特公昭４９−３５７０２号公報，同３９−２７５７
７号公報，特開昭５５−１４４２５０号公報，同５６−
１１９１３２号公報，同５６−２２４３７号公報，西独
特許第1,110,518 号明細書等参照），アミノ置換カルコ
ン誘導体（米国特許第3,526,501 号明細書等参照），オ
キサゾール誘導体（米国特許第3,257,203 号明細書など
に記載のもの），スチリルアントラセン誘導体（特開昭
５６−４６２３４号公報等参照），フルオレノン誘導体
（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照），ヒドラゾ
ン誘導体（米国特許第3,717,462 号明細書，特開昭５４
−５９１４３号公報，同５５−５２０６３号公報，同５
５−５２０６４号公報，同５５−４６７６０号公報，同
５５−８５４９５号公報，同５７−１１３５０号公報，
同５７−１４８７４９号公報等参照），スチルベン誘導
体（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８
４５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７
２２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−
３６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２
−３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６
０−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，
同６０−１７５０５２号公報等参照）などを挙げること
ができる。

【００６４】本発明においては、これらの化合物を正孔
伝達化合物として使用することができるが、次に示すポ
リフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報
などに記載のもの）および芳香族第三級アミン化合物お
よびスチリルアミン化合物（米国特許第4,127,412 号明
細書，特開昭５３−２７０３３号公報，同５４−５８４
４５号公報，同５４−１４９６３４号公報，同５４−６
４２９９号公報，同５５−７９４５０号公報，同５５−
１４４２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同
６１−２９５５５８号公報，同６１−９８３５３号公
報，同６３−２９５６９５号公報等参照），特に該芳香
族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

【００６５】該ポリフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィン，１，１０，１５，２０−テトラフェニル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II），１，１０，１
５，２０−テトラフェニル２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
亜銅（II），５，１０，１５，２０−テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン，
シリコンフタロシアニンオキシド，アルミニウムフタロ
シアニンクロリド，フタロシアニン（無金属），ジリチ
ウムフタロシアニン，銅テトラメチルフタロシアニン，
銅フタロシアニン，クロムフタロシアニン，亜鉛フタロ
シアニン，鉛フタロシアニン，チタニウムフタロシアニ
ンオキシド，マグネシウムフタロシアニン，銅オクタメ
チルフタロシアニンなどが挙げられる。

【００６６】また該芳香族第三級アミン化合物およびス
チリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル，
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェ
ニル）−４，４’−ジアミノビフェニル，２，２−ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン，１，
１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサン，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−
４，４’−ジアミノビフェニル，１，１−ビス（４−ジ
−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘ
キサン，ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）フェニルメタン，ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）フェニルメタン，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジ
アミノビフェニル，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニ
ル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル，４，４’
−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル，Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリ（Ｐ−トリル）アミン，４−（ジ−ｐ−ト
リルアミノ）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミノ）ス
チリル〕スチルベン，４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−
（２−ジフェニルビニル）ベンゼン，３−メトキシ−
４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン，Ｎ−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。

【００６７】本発明のＥＬ素子における該正孔注入輸送
層は、これらの正孔伝達化合物１種または２種以上から
成る一層で構成されていてもよいし、あるいは、前記層
とは別種の化合物から成る正孔注入輸送層を積層したも
のであってもよい。一方、前記（３）の構成のＥＬ素子
における電子注入輸送層は、電子伝達化合物から成るも
のであって、陰極より注入された電子を発光層に伝達す
る機能を有している。このような電子伝達化合物につい
て特に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のも
のを選択して用いることができる。該電子伝達化合物の
好ましい例としては、

【００６８】

【化３２】

【００６９】などのチオピランジオキシド誘導体、

【００７０】

【化３３】

【００７１】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント（Polymer Preprints ），ジャパン」
第３７巻，第３号，第６８１ページ（１９８８年）など
に記載のもの〕，あるいは

【００７２】

【化３４】

【００７３】などの化合物〔「ジャパニーズ・ジャーナ
ル・オブ・アプライド・フィヂィクス（J.J.Appl.Phy
s.) 」第２７巻，Ｌ２６９（１９８８年）等参照〕や、
アントラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５
９号公報，同５８−５５４５０号公報，同６１−２２５
１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報，同６３−
１０４０６１号公報等参照），フレオレニリデンメタン
誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報，同６１−１４
３７６４号公報，同６１−１４８１５９号公報等参
照），アントロン誘導体（特開昭６１−２２５１５１号
公報，同６１−２３３７５０号公報等参照）

【００７４】

【化３５】

【００７５】「Appl.Phys.Lett. 」第５５巻，第１４８
９ページ（１９８９年）に開示されているオキサジアソ
ール誘導体などを挙げることができる。特に好ましい例
としては、前記正孔障壁性を有する電子注入層用の化合
物である一般式（IX）または一般式（Ｘ）の化合物であ
る。次に、本発明の有機ＥＬ素子を作製する好適な方法
の例を、各構成の素子それぞれについて説明する。前記
の陽極／発光層／陰極から成るＥＬ素子の作製法につい
て説明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物質，
例えば陽極用物質から成る薄膜を、１μｍ以下，好まし
くは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着
やスパッタリングなどの方法により、形成させ、陽極を
作製したのち、この上に発光材料である化合物の薄膜を
形成させ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法
としては、例えばスピンコート法，キャスト法，ＬＢ
法，蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、か
つピンホールが生成しにくいなどの点から、スピンコー
ト法が好ましい。次にこの発光層の形成後、その上に陰
極用物質から成る薄膜を、１μｍ以下、好ましくは５０
〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着や
スパッタリングなどの方法により、形成させ、陰極を設
けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。な
お、このＥＬ素子の作製においては、作製順序を逆にし
て、陰極，発光層，陽極の順に作製することも可能であ
る。

【００７６】次に、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰
極から成るＥＬ素子の作製法について説明すると、ま
ず、陽極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成した
のち、その上に、正孔伝達化合物から成る薄膜をスピン
コート法などにより形成し、正孔注入輸送層を設ける。
この際の条件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じ
ればよい。次に、この正孔注入輸送層の上に、順次発光
層および陰極を、前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にし
て設けることにより、所望のＥＬ素子が得られる。な
お、このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆にし
て、陰極，発光層，正孔注入輸送層，陽極の順に作製す
ることも可能である。さらに、陽極／正孔注入輸送層／
発光層／電子注入輸送層／陰極から成るＥＬ素子の作製
法について説明すると、まず、前記のＥＬ素子の作製の
場合と同様にして、陽極，正孔注入輸送層，発光層を順
次設けたのち、この発光層の上に、電子伝達化合物から
成る薄膜をスピンコート法などにより形成して、電子注
入輸送層を設け、次いでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子
の作製の場合と同様にして設けることにより、所望のＥ
Ｌ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製において
も、作製順序を逆にして、陽極，電子注入輸送層，発光
層，正孔注入輸送層，陽極の順に作製してもよい。

【００７７】このようにして得られた本発明の有機ＥＬ
素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極
を−の極性として電圧１〜３０Ｖ程度を印加すると、発
光が透明または半透明の電極側より観測できる。また、
逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず発光は全く生
じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
＋，陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。

【００７８】

【実施例】本発明を参考例，合成例，実施例および比較
例を用いて、さらに詳しく説明する。

【００７９】合成例１ ３規定の水酸化ナトリウム水溶液６００ミリリットル
に、構造式

【００８０】

【化３６】

【００８１】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物６6.５ｇ（0.１２５モル）と１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン３3.
５ｇ（0.１２５モル）を溶解させた溶液および塩化メチ
レン２５０ミリリットルを１リットルのフラスコに投入
した。外部冷却により液温を１０℃付近に保持しながら
反応液を激しく攪拌し、ホスゲンを３４０ミリリットル
／分の割合で３０分間吹き込んだ。その後、１時間攪拌
を続け重合を完了させた。反応終了後、有機層に塩化メ
チレン５００ミリリットルを加え希釈し、水，希塩酸，
水の順に洗浄した後、メタノール中に投入してポリカー
ボネートを得た。このポリカーボネートは、塩化メチレ
ンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃におけ
る還元粘度〔η_sp／ｃ〕が0.８５ｄｌ／ｇであった。ゲ
ル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）の測定により平均
分子量（Ｍｗ）は、３５０００であった。この重合体の
構造および組成は、プロトン核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ），赤外線吸収（ＩＲ），質量分析（ＭＳ）の各スペ
クトル分析より下記の繰り返し単位および組成からなる
ポリカーボネート共重合体であることがわかった。

【００８２】

【化３７】

【００８３】合成例２ 構造式

【００８４】

【化３８】

【００８５】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７5.８ｇ（0.２モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン１2.８ｇ（0.０５モル）を用いた以外は、
合成例１と同様にしてポリカーボネートを得た。このポ
リカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５
ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.９２
ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、３８０
００であった。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−
ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し
単位および組成からなるポリカーボネート共重合体であ
った。

【００８６】

【化３９】

【００８７】合成例３ 構造式

【００８８】

【化４０】

【００８９】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物２0.４ｇ（0.０５モル）と１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わ
りに１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１
−ジフェニルメタン７0.４ｇ（0.２０モル）を用いた以
外は、合成例１と同様にしてポリカーボネートを得た。
このポリカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃
度0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が
0.７８ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、
３００００であった。この重合体の構造および組成は、
¹Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰
り返し単位および組成からなるポリカーボネート共重合
体であった。

【００９０】

【化４１】

【００９１】合成例４ 構造式

【００９２】

【化４２】

【００９３】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７1.７５ｇ（0.１２５モル）と１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの
代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン２8.５ｇ（0.１２５モル）を用いた以外は、合成例
１と同様にしてポリカーボネートを得た。このポリカー
ボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄ
ｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.７７ｄｌ／
ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、３２０００で
あった。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位
および組成からなるポリカーボネート共重合体であっ
た。

【００９４】

【化４３】

【００９５】合成例５ 構造式

【００９６】

【化４４】

【００９７】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物１３9.６ｇ（0.２０モル）と１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１3.
４ｇ（0.０５モル）を用いた以外は、合成例１と同様に
してポリカーボネートを得た。このポリカーボネート
は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの溶
液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.６１ｄｌ／ｇであ
った。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２５０００であっ
た。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，Ｉ
Ｒ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位および
組成からなるポリカーボネート共重合体であった。

【００９８】

【化４５】

【００９９】合成例６ 構造式

【０１００】

【化４６】

【０１０１】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物２7.３ｇ（0.０５モル）と１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わ
りに１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１
−ジフェニルメタン７0.４ｇ（0.２０モル）を用いた以
外は、合成例１と同様にしてポリカーボネートを得た。
このポリカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃
度0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が
0.５７ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、
２４０００であった。この重合体の構造および組成は、
¹Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰
り返し単位および組成からなるポリカーボネート共重合
体であった。

【０１０２】

【化４７】

【０１０３】合成例７ 構造式

【０１０４】

【化４８】

【０１０５】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物１０9.２ｇ（0.２０モル）と１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代
わりに２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１2.８ｇ（0.０５モル）を用いた以外
は、合成例１と同様にしてポリカーボネートを得た。こ
のポリカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度
0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.
６８ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２
９０００であった。この重合体の構造および組成は、 ¹
Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り
返し単位および組成からなるポリカーボネート共重合体
であった。

【０１０６】

【化４９】

【０１０７】実施例１ ２５mm×７５mm×1.１mmのガラス基板上に、ＩＴＯを蒸
着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹＡ
製）を透明支持基板とした。なお、この基板は、イソプ
ロピルアルコールで超音波洗浄後、窒素を吹きつけて乾
燥し、ＵＶオゾン洗浄（サムコインターナショナルＵＶ
３００）を８分間行ったものである。この透明支持基板
上に、合成例７で得られたポリカーボネート２００ミリ
ｇをジクロロメタン２０ｇに溶解して得た0.９重量％の
溶液をスピンコーティングし、発光層とした。このとき
のスピンコーティングは、７０００ｒＰｍで５０秒間行
い、得られた膜厚は６００±１００Å^*1（表面形状測定
器：Ｓｌｏａｎ社製，ＤＥＫＴＡＫ３０３０）であっ
た。次いで、この透明支持基板を市販の真空蒸着装置
（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置には、３種の抵抗加熱ボートを取り付けて
おり、１つには電子注入材料であるＰＢＤ２００ｍｇ、
１つにはマグネシウム２ｇ、残りの１つには銀２００ミ
リｇを入れて真空槽を２×１０^-3Ｐａまで減圧した。そ
の後ＰＢＤの入った前記ボートを加熱し、ＰＢＤを蒸着
速度0.３〜0.５ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、
膜厚２０ｎｍの電子注入層を製膜させた。この時の基板
温度は室温であった。次に、マグネシウム入りのボート
と銀入りのボートを同時に通電し、蒸着速度の比（マグ
ネシウム：銀）が１：７〜１：１０になるようにしてマ
グネシウム：銀電極を１２０ｎｍ積層蒸着（膜厚は水晶
振動子式膜厚センサーで感知）して対向電極とし、素子
を形成した。次に、直流電圧６Ｖを印加すると、電流が
１３６ｍＡ／ｃｍ² 程度流れ、発光色は色度座標でPurp
lish Blue を得た。ピーク波長は分光測定より、４６０
ｎｍであり、発光輝度は１２０cd／ｍ² であった。 ＊１：この薄膜は、６ケ月後も光学顕微鏡で感知しうる
結晶化はなく薄膜を維持していた。 図１中、縦軸における０Åまではポリカーボネート層が
無いことを示す。また、横軸２２０μｍ付近の立ち上が
りの大きさが、ポリカーボネートの膜厚を示し、６００
Åからのずれが±１００Åであることは超薄膜の平坦性
が優れていることを示している。

【０１０８】参考例１ アルゴン雰囲気下でジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
２０ミリリットルに、構造式

【０１０９】

【化５０】

【０１１０】で表されるホスホン酸エステルを溶解し、
カリウム−ｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）1.０ｇを加
えた。その後、構造式

【０１１１】

【化５１】

【０１１２】で表される化合物を加え５時間攪拌した。
得られた反応物にメタノール１００ミリリットル加えた
結果、淡黄色の粉末が析出した。この粉末に沃素を含む
ベンゼン溶液を加え再結晶させたところ0.８ｇの淡黄色
の粉末を得た。得られた淡黄色の粉末の構造および組成
をプロトン核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭＲ）スペクトルによ
り分析した結果、下記のスチリルアミン化合物であるこ
とが確認された。

【０１１３】

【化５２】

【０１１４】この透明支持基板上に、実施例１と同様に
して、この化合物２００ミリｇをジクロロメタン２０ｇ
に溶解して得た0.９重量％の溶液をスピンコーティング
した。このときのスピンコーティングは、７０００ｒＰ
ｍで５０秒間行った。得られた膜厚を前記ＤＥＫＴＡＫ
３０３０で測定したところ、得られた膜厚は６００±５
００Åの凹凸の激しい薄膜状態であることが確認され
た。

【０１１５】このような凹凸が激しい、有機低分子単独
では通常、スピンコート法によって薄膜を形成すること
はできず、発光層，正孔注入層として用いることは不可
能である。

【０１１６】比較例１ 構造式

【０１１７】

【化５３】

【０１１８】で表されるホスホン酸エステルを用いたこ
と以外は、参考例１と同様にして、

【０１１９】

【化５４】

【０１２０】で表されるスチリルアミン化合物を合成し
た。また、発光層として上記スチリルアミン化合物（膜
厚５０ｎｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にし
て、有機ＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ電極を陽極，マグ
ネシウムと銀の混合金属電極を陰極として、得られた素
子に、直流電圧１０Ｖを印加してもＥＬ素子は短絡して
おり発光は生じなかった。

【０１２１】実施例２ 実施例１と同様にして得られたポリカーボネート２００
ミリｇをジクロロメタン２０ｇに溶解して得た0.９重量
％の溶液をスピンコーティングし、正孔注入層とした。
このときのスピンコーティングは、７０００ｒＰｍで５
０秒間行い、得られた膜厚は６００±１００Å（表面形
状測定器：ＤＥＫＴＡＫ３０３０）であった。次いで、
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置に
は、３種の抵抗加熱ボートを取り付けており、１つには
発光材料である８−ヒドロキシキノリンを３配位したア
ルミニウム錯体（Ａｌｑ）２００ミリｇ、１つにはマグ
ネシウム２ｇ、残りの１つには銀２００ミリｇを入れて
真空槽を１０^-3Ｐａまで減圧した。 その後Ａｌｑの入
った前記ボートを、２５０〜２７０℃まで加熱し、Ａｌ
ｑを蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸
着して、膜厚５０ｎｍの電子伝達性の発光層を製膜させ
た。この時の基板温度は室温であった。次に、マグネシ
ウム入りのボートと銀入りのボートを同時に通電し、蒸
着速度の比（マグネシウム：銀）が１：７〜１：１０に
まるようにしてマグネシウム：銀電極を１２０ｎｍ積層
蒸着（膜厚は水晶振動子式膜厚センサーにて確認）して
対向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極，マ
グネシウムと銀の混合金属電極を陰極として、得られた
素子に、直流電圧１２Ｖを印加すると、電流が１６８ｍ
Ａ／ｃｍ² 程度流れ、発光色は色度座標でGreenを得
た。ピーク波長は分光測定より、５１３ｎｍであり、発
光輝度は８００cd／ｍ² であった。

【０１２２】比較例２ 正孔注入層としたポリカーボネート層を除いた以外は、
実施例２と同様にしてＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ電極
を陽極，マグネシウムと銀の混合金属電極を陰極とし
て、得られた素子に、直流電圧１７Ｖを印加すると、電
流が２０ｍＡ／ｃｍ² 程度流れ、発光色は色度座標でGr
een を得た。ピーク波長は分光測定より、５１３ｎｍで
あり、発光輝度は２０cd／ｍ²であった。著しく印加電
圧が上昇しており、発光輝度も小さい。従って、実施例
２においてポリカーボネート層は十分に正孔注入層とし
て機能した。

【０１２３】実施例３〜８ 第１表に記載したポリカーボネートを発光層として用い
て、実施例１と同様にＥＬ素子を作成した。得られた結
果を第１表に示す。ＥＬ発光層が困難な青色領域で高輝
度かつ高い発光効率が得られている。

【０１２４】

【表１】

【０１２５】

【表２】

【０１２６】参考例２

【０１２７】

【化５５】

【０１２８】

【化５６】

【０１２９】オキシ塩化リン４ｇ（0.０２６モル）へ氷
冷下、ＤＭＦ6.０ｇ（0.０８モル）を滴下することによ
り透明な溶液を得た。次いで、４−メトキシトリフェニ
ルアミン6.６ｇ（0.０２４モル）を加えると黄色懸濁液
となり、４℃で１時間攪拌させた後、８０℃で１時間加
熱攪拌した結果、赤褐色溶液が得られた。放冷後、得ら
れた反応液を水１００ミリリットルに投入し、酢酸ナト
リウム２ｇを加え中性とした。ここで生成した黄色沈澱
物を濾取し、水１００ミリリットルにて３回洗浄した
後、減圧蒸留した。得られた黄色粉末6.１ｇ（収率８３
％）は、プロトン核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭＲ）測定の結
果、目的の化合物であった。

【０１３０】

【化５７】

【０１３１】の合成

【０１３２】

【化５８】

【０１３３】で表されるホスホン酸エステル5.０ｇ（0.
０１１モル）とカリウム−ｔ−ブトキシド２2.５ｇ（0.
０２２モル）と参考例２で合成したアルデヒド6.７ｇ
（0.０２２モル）を無水ジメチルスルホキシド１００ミ
リリットルに懸濁させ、アルゴンガス雰囲気下、室温に
て攪拌した。得られた赤色懸濁液を５時間攪拌した後、
メタノール５０ミリリットル，水５０ミリリットルを加
えると黄色油状物が得られた。これをシリカゲルクロマ
トグラフィーにて精製し、4.０ｇ（収率４８％）の黄色
アモルファス状化合物を得た。得られた化合物は、 ¹Ｈ
−ＮＭＲ測定の結果、目的の化合物であった。

【０１３４】

【化５９】

【０１３５】の合成 参考例２で得られた化合物3.０ｇ（0.００３９モル）
を窒素導入管を有する２００ミリリットルのフラスコへ
入れ、冷却しながら塩化メチレン５０ミリリットルで溶
解した。三臭化ホウ素0.７ミリリットル（0.００７５モ
ル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、反応液を室温で
３時間攪拌した後、再び冷却しながら、水５０ミリリッ
トルを少量ずつ加えた。有機層を水５０ミリリットルで
３回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウ
ムを濾過後、溶媒を留去すると目的化合物2.２ｇ（収率
７７％）が得られた。得られた化合物は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ
測定の結果、目的の化合物であった。

【０１３６】合成例８ ３規定の水酸化ナトリウム水溶液６００ミリリットルに
参考例２において合成されたスチリルアミン骨格を有す
るビスフェノール化合物８8.８ｇ（0.１２５モル）と
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン３3.５ｇ（0.１２５モル）を溶解させた溶液および塩
化メチレン２５０ミリリットルを１リットルのフラスコ
に投入した。外部冷却により液温を１０℃付近に保持し
ながら反応液を激しく攪拌し、ホスゲンを３４０ミリリ
ットル／分の割合で３０分間吹き込んだ。その後、１時
間攪拌を続け重合を完了させた。反応終了後、有機層に
塩化メチレン５００ミリリットルを加え希釈し、水，希
塩酸，水の順に洗浄した後、メタノール中に投入してポ
リカーボネートを得た。このポリカーボネートは、塩化
メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃
における還元粘度〔η_sp／ｃ〕が0.７０ｄｌ／ｇであっ
た。ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）の測定によ
り平均分子量（Ｍｗ）は、２８０００であった。また、
この重合体の ¹Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲスペクトルの結果を次
に示す。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤ₂ Ｃｌ₂ ） δ（ｐｐｍ）＝1.５５（６Ｈ，ｓ），2.３（４Ｈ，
ｓ），6.８〜7.５（１４４Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法） ９８１ｃｍ^-1（δ_C-H トランス） この重合体の構造および組成は、以上のスペクトル分析
より下記の繰り返し単位および組成からなるポリカーボ
ネート共重合体であった。

【０１３７】

【化６０】

【０１３８】合成例９ ホスホン酸エステルとして

【０１３９】

【化６１】

【０１４０】を用いた以外は、参考例２と同様にして下
記のビスフェノール化合物を得た。 構造式

【０１４１】

【化６２】

【０１４２】このスチリルアミン骨格を有するビスフェ
ノール化合物１３6.４ｇ（0.２モル）と１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わりに
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン１2.８ｇ（0.０５モル）を用いた以外は、合成
例８と同様にしてポリカーボネートを得た。このポリカ
ーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／
ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.５３ｄｌ
／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２８０００
であった。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位
および組成からなるポリカーボネート共重合体であっ
た。

【０１４３】

【化６３】

【０１４４】合成例１０ ホスホン酸エステルとして

【０１４５】

【化６４】

【０１４６】を用いた以外は、参考例２と同様にして下
記のビスフェノール化合物を得た。 構造式

【０１４７】

【化６５】

【０１４８】このスチリルアミン骨格を有するビスフェ
ノール化合物２3.３５ｇ（0.０５モル）と１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わりに
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジ
フェニルメタン７0.４ｇ（0.２０モル）を用いた以外
は、合成例８と同様にしてポリカーボネートを得た。こ
のポリカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度
0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.
７４ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、３
００００であった。この重合体の構造および組成は、 ¹
Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り
返し単位および組成からなるポリカーボネート共重合体
であった。

【０１４９】

【化６６】

【０１５０】合成例１１ ホスホン酸エステルとして

【０１５１】

【化６７】

【０１５２】アルデヒド誘導体として

【０１５３】

【化６８】

【０１５４】を用いた以外は、参考例２と同様にして下
記のビスフェノール化合物を得た。 構造式

【０１５５】

【化６９】

【０１５６】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物１１3.５ｇ（0.１２５モル）と１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの
代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン２8.５ｇ（0.１２５モル）を用いた以外は、合成例
８と同様にしてポリカーボネートを得た。このポリカー
ボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄ
ｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.６８ｄｌ／
ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２４０００で
あった。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位
および組成からなるポリカーボネート共重合体であっ
た。

【０１５７】

【化７０】

【０１５８】合成例１２ ホスホン酸エステルとして

【０１５９】

【化７１】

【０１６０】アルデヒド誘導体として

【０１６１】

【化７２】

【０１６２】を用いた以外は、参考例２と同様にして下
記のビスフェノール化合物を得た。 構造式

【０１６３】

【化７３】

【０１６４】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物１５８ｇ（0.２０モル）と１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１3.４
ｇ（0.０５モル）を用いた以外は、合成例８と同様にし
てポリカーボネートを得た。このポリカーボネートは、
塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの溶液，２
０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.５２ｄｌ／ｇであった。
ＧＰＣの測定によりＭｗは、２１０００であった。この
重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳ
スペクトル分析より下記の繰り返し単位および組成から
なるポリカーボネート共重合体であった。

【０１６５】

【化７４】

【０１６６】合成例１３ ホスホン酸エステルとして

【０１６７】

【化７５】

【０１６８】を用いた以外は、参考例２と同様にして下
記のビスフェノール化合物を得た。 構造式

【０１６９】

【化７６】

【０１７０】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物３4.１ｇ（0.０５モル）と１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わ
りに１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１
−ジフェニルメタン７0.４ｇ（0.２０モル）を用いた以
外は、合成例８と同様にしてポリカーボネートを得た。
このポリカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃
度0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が
0.６２ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、
２７０００であった。この重合体の構造および組成は、
¹Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰
り返し単位および組成からなるポリカーボネート共重合
体であった。

【０１７１】

【化７７】

【０１７２】合成例１４ ホスホン酸エステルとして

【０１７３】

【化７８】

【０１７４】アルデヒド誘導体として

【０１７５】

【化７９】

【０１７６】を用いた以外は、参考例２と同様にして下
記のビスフェノール化合物を得た。 構造式

【０１７７】

【化８０】

【０１７８】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物１３2.４ｇ（0.２０モル）と１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代
わりに２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１2.８ｇ（0.０５モル）を用いた以外
は、合成例８と同様にしてポリカーボネートを得た。こ
のポリカーボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度
0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.
６８ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２
９０００であった。この重合体の構造および組成は、 ¹
Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り
返し単位および組成からなるポリカーボネート共重合体
であった。

【０１７９】

【化８１】

【０１８０】合成例１５ 構造式

【０１８１】

【化８２】

【０１８２】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物１４4.８ｇ（0.２モル）と１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わ
りに４，４’−ヒドロキシビフェニルエーテル２0.２ｇ
（0.２モル）を用いた以外は、参考例２，合成例８と同
様にしてポリカーボネートを得た。 このポリカーボネ
ートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの
溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.７１ｄｌ／ｇで
あった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、３００００であっ
た。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，Ｉ
Ｒ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位および
組成からなるポリカーボネート共重合体であった。

【０１８３】

【化８３】

【０１８４】合成例１６ 構造式

【０１８５】

【化８４】

【０１８６】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７2.４ｇ（0.１モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に４，４’−ヒドロキシビフェニルスルホン２1.８ｇ
（0.１モル）を用いた以外は、参考例２，合成例８と同
様にしてポリカーボネートを得た。 このポリカーボネ
ートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの
溶液，２０℃における〔η _sp／ｃ〕が0.５ｄｌ／ｇであ
った。ＧＰＣの測定によりＭｗは、１９０００であっ
た。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，Ｉ
Ｒ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位および
組成からなるポリカーボネート共重合体であった。

【０１８７】

【化８５】

【０１８８】合成例１７ 構造式

【０１８９】

【化８６】

【０１９０】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７2.４ｇ（0.１モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に４，４’−ヒドロキシビフェニルスルフィド２５ｇ
（0.１モル）を用いた以外は、参考例２，合成例８と同
様にしてポリカーボネートを得た。このポリカーボネー
トは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの溶
液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.６２ｄｌ／ｇであ
った。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２４０００であっ
た。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，Ｉ
Ｒ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位および
組成からなるポリカーボネート共重合体であった。

【０１９１】

【化８７】

【０１９２】合成例１８ 構造式

【０１９３】

【化８８】

【０１９４】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７2.４ｇ（0.１モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に１，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン１９
ｇ（0.１モル）を用いた以外は、参考例２，合成例８と
同様にしてポリカーボネートを得た。このポリカーボネ
ートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの
溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.７１ｄｌ／ｇで
あった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、３１０００であっ
た。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，Ｉ
Ｒ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位および
組成からなるポリカーボネート共重合体であった。

【０１９５】

【化８９】

【０１９６】合成例１９ 構造式

【０１９７】

【化９０】

【０１９８】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７2.４ｇ（0.１モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン３4.４ｇ
（0.１モル）を用いた以外は、参考例２，合成例８と同
様にしてポリカーボネートを得た。このポリカーボネー
トは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの溶
液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.６５ｄｌ／ｇであ
った。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２５０００であっ
た。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，Ｉ
Ｒ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位および
組成からなるポリカーボネート共重合体であった。

【０１９９】

【化９１】

【０２００】合成例２０ 構造式

【０２０１】

【化９２】

【０２０２】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７2.４ｇ（0.１モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に４，４’−ビフェニル１8.６ｇ（0.１モル）を用いた
以外は、参考例２，合成例８と同様にしてポリカーボネ
ートを得た。このポリカーボネートは、塩化メチレンを
溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌの溶液，２０℃における
〔η_sp／ｃ〕が0.６８ｄｌ／ｇであった。ＧＰＣの測定
によりＭｗは、２９０００であった。この重合体の構造
および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分
析より下記の繰り返し単位および組成からなるポリカー
ボネート共重合体であった。

【０２０３】

【化９３】

【０２０４】合成例２１ 構造式

【０２０５】

【化９４】

【０２０６】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７5.２ｇ（0.２モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２
1.６ｇ（0.１モル）を用いた以外は、参考例２，合成例
８と同様にしてポリカーボネートを得た。このポリカー
ボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄ
ｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.６８ｄｌ／
ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２５０００で
あった。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位
および組成からなるポリカーボネート共重合体であっ
た。

【０２０７】

【化９５】

【０２０８】合成例２２ 構造式

【０２０９】

【化９６】

【０２１０】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物６1.８ｇ（0.１モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２
1.６ｇ（0.１モル）を用いた以外は、参考例２，合成例
８と同様にしてポリカーボネートを得た。このポリカー
ボネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄ
ｌの溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.８５ｄｌ／
ｇであった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、３４０００で
あった。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ，ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位
および組成からなるポリカーボネート共重合体であっ
た。

【０２１１】

【化９７】

【０２１２】合成例２３ 構造式

【０２１３】

【化９８】

【０２１４】で表されるスチリルアミン骨格を有するビ
スフェノール化合物７8.４ｇ（0.１モル）と１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの代わり
に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン4.
６ｇ（0.１モル）を用いた以外は、参考例２，合成例８
と同様にしてポリカーボネートを得た。このポリカーボ
ネートは、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.５ｇ／ｄｌ
の溶液，２０℃における〔η_sp／ｃ〕が0.５９ｄｌ／ｇ
であった。ＧＰＣの測定によりＭｗは、２００００であ
った。この重合体の構造および組成は、 ¹Ｈ−ＮＭＲ，
ＩＲ，ＭＳスペクトル分析より下記の繰り返し単位およ
び組成からなるポリカーボネート共重合体であった。

【０２１５】

【化９９】

【０２１６】実施例９ ２５mm×７５mm×1.１mmのガラス基板上に、ＩＴＯを蒸
着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹＡ
製）を透明支持基板とした。なお、この基板は、イソプ
ロピルアルコールで超音波洗浄後、窒素を吹きつけて乾
燥し、ＵＶオゾン洗浄（サムコインターナショナルＵＶ
３００）を８分間行ったものである。この透明支持基板
上に、合成例１０で得られたポリカーボネート２００ｍ
ｇを１，２−ジクロロエタン２０ｇに溶解して得た0.９
重量％の溶液をスピンコーティングし、発光層とした。
このときのスピンコーティングは、７０００ｒＰｍで５
０秒間行い、得られた膜厚は６００±５０Å^*1（表面形
状測定器：Ｓｌｏａｎ社製，ＤＥＫＴＡＫ３０３０）で
あった。これは、極めて薄膜性の優れた発光層であり、
充分に有機ＥＬ素子が実現可能であった。次いで、この
透明支持基板を市販の真空蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置に
は、３種の抵抗加熱ボートを取り付けており、１つには
電子注入材料であるＰＢＤ２００ｍｇ、１つにはマグネ
シウム２ｇ、残りの１つには銀２００ミリｇを入れて真
空槽を２×１０^-3Ｐａまで減圧した。その後ＰＢＤの入
った前記ボートを加熱し、ＰＢＤを蒸着速度0.３〜0.５
ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚２０ｎｍの
電子注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であ
った。次に、マグネシウム入りのボートと銀入りのボー
トを同時に通電し、蒸着速度の比（マグネシウム：銀）
が１：７〜１：１０になるようにしてマグネシウム：銀
電極を１２０ｎｍ積層蒸着（膜厚は水晶振動子式膜厚セ
ンサーで感知）して対向電極とし、素子を形成した。次
に、直流電圧６Ｖを印加すると、電流が７０ｍＡ／ｃｍ
² 流れ、発光色は色度座標でBlue greenを得た。ピーク
波長は分光測定より、４８３ｎｍであり、発光輝度は１
２００cd／ｍ² であった。 ＊１：この薄膜は、３ケ月後も光学顕微鏡で感知しうる
薄膜の乱れおよび結晶化はなく薄膜を維持していた。

【０２１７】参考例３ アルゴン雰囲気下でジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
２０ミリリットルに、構造式

【０２１８】

【化１００】

【０２１９】で表されるホスホン酸エステルを溶解し、
カリウム−ｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）1.０ｇを加
えた。その後、構造式

【０２２０】

【化１０１】

【０２２１】で表される化合物を加え５時間攪拌した。
得られた反応物にメタノール１００ミリリットル加えた
結果、淡黄色の粉末が析出した。この粉末に沃素を含む
ベンゼン溶液を加え再結晶させたところ0.９ｇの淡黄色
の粉末を得た。得られた淡黄色の粉末の構造および組成
をプロトン核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭＲ）スペクトルによ
り分析した結果、下記のスチリルアミン化合物であるこ
とが確認された。

【０２２２】

【化１０２】

【０２２３】この透明支持基板上に、実施例９と同様に
して、この化合物２００ミリｇをジクロロメタン２０ｇ
に溶解して得た0.９重量％の溶液をスピンコーティング
した。このときのスピンコーティングは、７０００ｒＰ
ｍで５０秒間行った。得られた膜厚を前記ＤＥＫＴＡＫ
３０３０で測定したところ、得られた膜厚は６００±４
００Åの凹凸の激しい薄膜状態であることが確認され
た。

【０２２４】このような凹凸が激しい有機低分子単独で
は、通常、スピンコート法によって薄膜を形成すること
はできず、発光層，正孔注入層として用いることは不可
能である。

【０２２５】比較例３ 参考例３で得られたスチリルアミン化合物を発光層（膜
厚６０ｎｍ）として用いた以外は、実施例と同様にして
有機ＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ電極を陽極，マグネシ
ウムと銀の混合金属電極を陰極として、得られた素子
に、直流電圧７Ｖを印加してもＥＬ素子は短絡しており
発光は生じなかった。

【０２２６】実施例１０ 実施例９と同様にして得られたポリカーボネート２００
ミリｇをジクロロメタン２０ｇに溶解して得た0.９重量
％の溶液をスピンコーティングし、正孔注入層とした。
このときのスピンコーティングは、７０００ｒＰｍで５
０秒間行い、得られた膜厚は６００±１００Å（表面形
状測定器：ＤＥＫＴＡＫ３０３０）であった。次いで、
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置に
は、３種の抵抗加熱ボートを取り付けており、１つには
発光材料である８−ヒドロキシキノリンを３配位したア
ルミニウム錯体（Ａｌｑ）２００ミリｇ、１つにはマグ
ネシウム２ｇ、残りの１つには銀２００ミリｇを入れて
真空槽を１０^-3Ｐａまで減圧した。 その後Ａｌｑの入
った前記ボートを、２５０〜２７０℃まで加熱し、Ａｌ
ｑを蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸
着して、膜厚５０ｎｍの電子伝達性の発光層を製膜させ
た。この時の基板温度は室温であった。次に、マグネシ
ウム入りのボートと銀入りのボートを同時に通電し、蒸
着速度の比（マグネシウム：銀）が１：７〜１：１０に
まるようにしてマグネシウム：銀電極を１２０ｎｍ積層
蒸着（水晶振動子式膜厚センサー）して対向電極とし、
素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極，マグネシウムと銀
の混合金属電極を陰極として、得られた素子に、直流電
圧７Ｖを印加すると、電流が５０ｍＡ／ｃｍ² 程度流
れ、発光色は色度座標でGreen を得た。ピーク波長は分
光測定より、５１３ｎｍであり、発光輝度は１０００cd
／ｍ² であった。

【０２２７】比較例４ 正孔注入層としたポリカーボネート層を除いた以外は、
実施例１０と同様にしてＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ電
極を陽極，マグネシウムと銀の混合金属電極を陰極とし
て、得られた素子に、直流電圧１７Ｖを印加すると、電
流が２０ｍＡ／ｃｍ² 程度流れ、発光色は色度座標でGr
een を得た。ピーク波長は分光測定より、５１３ｎｍで
あり、発光輝度は２０cd／ｍ² であった。著しく印加電
圧が上昇しており、発光輝度も小さい。従って、実施例
２でポリカーボネート層は十分に正孔注入層として機能
した。

【０２２８】実施例１１〜２５ 第２表に記載したポリカーボネートを発光層として用い
て、実施例９と同様にＥＬ素子を作成した。得られた結
果を第２表に示す。ＥＬ発光層が困難な青色〜緑色領域
で高輝度かつ高い発光効率が得られている。

【０２２９】

【表３】

【０２３０】

【表４】

【０２３１】

【発明の効果】以上の如く、本発明の有機ＥＬ素子は、
スピンコート法で素子の発光層および／または正孔注入
層を容易に製膜でき、発光層および／または正孔注入層
に薄膜維持能をもたらした。さらに、本発明の有機ＥＬ
素子は、本発明のポリカーボネートを発光層とした場
合、青色〜緑色領域の発光を可能とし、低電圧で高輝度
および高い発光効率を得るとともに、長寿命化が実現し
た。したがって、本発明の有機ＥＬ素子は、実用的価値
の高いものとして、様々な分野で有効な利用が期待され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られた薄膜の膜厚を測定した結果
を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09K 11/06 ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エレクトロルミネッセンス機能を保有す
   るスチリルアミン骨格を繰り返し単位として含有するポ
   リカーボネートを、発光材料および／または正孔注入材
   料として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネ
   ッセンス素子。
2. 【請求項２】 ポリカーボネートが、一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、それぞれ独立に置換あるい
   は無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基を示す。Ａｒ
   ⁵ およびＡｒ⁶ は、それぞれ独立に置換あるいは無置換
   の炭素数６〜２０のアリール基を示す。また、Ｒ¹ およ
   びＲ² は、それぞれ独立に水素原子，炭素数１〜６のア
   ルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリ
   ール基を示す。ここで、置換基は、炭素数１〜１０のア
   ルキル基あるいはアルコキシ基である。また、Ｐは０ま
   たは１の整数を示す。）で表される繰り返し単位を有す
   る請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 【請求項３】 ポリカーボネートが、一般式（II） 【化２】 （式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁶ ，Ｒ¹ ，Ｒ² およびＰは、前記
   と同様である。）で表される繰り返し単位（α）および
   一般式（III) 【化３】 （式中、Ｒ³ およびＲ⁴ は、それぞれ独立に水素原子あ
   るいは炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｙは単結合， 【化４】 （ここで、ｘは２〜１０の整数を示し、Ｒ⁵ およびＲ⁶
   は、それぞれ独立に水素原子，炭素数１〜６のアルキル
   基または炭素数６〜１０のアリール基である。）を示
   す。）で表される繰り返し単位（β）を有する請求項１
   記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 【請求項４】 ポリカーボネートが、一般式（IV） 【化５】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，ＰおよびＡｒ¹ 〜Ａｒ⁶ は、前記
   と同じである。Ａｒ⁷ は、それぞれ独立に置換あるいは
   無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基を示す。ここ
   で、置換基は、炭素数１〜１０のアルキル基あるいはア
   ルコキシ基である。点線は、単結合により連結されてい
   ても良いことを示す。）で表される繰り返し単位を有す
   る請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 【請求項５】 ポリカーボネートが、一般式（Ｖ） 【化６】 （式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁷ ，Ｒ¹ ，Ｒ² およびＰは、前記
   と同様である。点線は、単結合により連結されていても
   良いことを示す。）で表される繰り返し単位（γ）およ
   び一般式（III)で表される繰り返し単位（β）を有する
   請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。