JPH09311480A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度、高耐久性感光体を提供し、摩耗によ
る感度劣化を防止し、高画質を維持でき、繰り返し使用
してもクリーニング不良のないクリーニング手段を有す
る画像形成装置を提供すること。 【解決手段】 少なくとも、帯電手段、画像露光手段、
現像手段、転写手段、定着手段、クリーニング手段を有
する画像形成装置において、クリーニング手段が少なく
とも粉末トナー除去する際ゴムブレードを用いたクリー
ニング手段であり、かつ、本画像形成装置に用いられる
電子写真感光体の支持体から最も離れた最表層に高分子
電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられる
ことを特徴とする画像形成装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体及
びそれを用いた画像形成装置に関し、より詳しくは長寿
命電子写真感光体及びそれを用いてゴムブレードクリー
ニング手段を有する画像形成装置に関する。本発明の電
子写真感光体及びそれを用いた画像形成装置は、複写
機、ファクシミリ、レーザプリンタ、ダイレクトデジタ
ル製版機等に応用される。

【０００２】

【従来の技術】複写機、プリンタ等の画像形成装置にお
いては、従来より感光体表面に形成されたトナー像を転
写紙に転写した後、感光体表面には未転写トナーが残留
し、残留トナーはブラシ、磁気ブラシ、ブレードなどで
感光体表面から除去される。ブラシクリーニングはポリ
エステル、アクリル系の繊維が使用されループ状、直毛
状など形状、繊維の硬度、太さなどを変化させ最適化を
計り使用している。しかしブラシのみのクリーニングは
微粉トナーの除去できず繊維間をすり抜け十分な除去に
いたらない。磁気ブラシに至っても同様であり、また電
界の印加で静電的除去も試みられているが、トナー飛散
が発生し十分でない。従って現在、残留トナーの除去
性、コスト、小型化などから弾性ブレードを用いたブレ
ードクリーニングが主流である。ブレードクリーニング
の改良に関する報告は多く、特許に公開されている。例
えば特開平５−３５１５６号公報にはウレタンゴムブレ
ードの硬度、弾性率、伸びなどの物性値とクリーニング
特性についての検討結果が開示されており、ブレード材
質に関してはブレードの耐摩耗性、低摩耗化、めくれ防
止について特公平８−２０８２９号公報、特開平６−１
３８６８６号公報、特開平７−２６６４６３号公報、特
開平７−２８７４９４号公報、特開平７−２９０６０１
号公報、特開平７−２９５４５４号公報、特開平７−２
９５４５３号公報、特開平８−１６０５６号公報中に開
示があり、特開平８−５４８１３号公報においてはウレ
タンゴムブレード中にシリコーン樹脂、フッ素樹脂、滑
剤粒子の混入、あるいはブレード表面へ付着の提案がな
され、特開平７−２９５４４７号公報にはウレタンゴム
ブレード中の揮発物が感光体を変質に関することが開示
され、特開平７−３２５５２５号公報にはクリーニング
は残留トナー除去のみならず、転写紙から排出される紙
粉、トナーの流動化のための添加剤としてのシリカ、ア
ルミナ、チタニアの硬い無機化合物微粉の除去、特開平
７−３２５５２２号公報には装置内の高圧部材から発生
するコロナ生成物などの除去についての技術が開示され
ている。

【０００３】現在、使用されている有機感光体の多くは
電荷発生層、電荷移動層の２層で構成され、上記クリー
ニングでは電荷移動層がトナー、ブレードと当接し摺動
する。そのため感光体表面は傷つき、摩耗する。感光層
の摩耗は電気特性に影響し、地汚れ、画像濃度低下、白
スジ、黒スジなど画像特性劣化を生じる。それに対し感
光層中にシリコーン樹脂微粒子、フッ素樹脂微粒子の添
加による摩耗量低減が特開昭６３−６５４４９号公報に
提案されているが、感光層は低分子分散フィルムであり
機械的強度が低くトナー添加剤であるシリカ、アルミ
ナ、チタニアなどの無機化合物粉末が感光体とブレード
間に挟まり摺動することで感光層に深い溝を掘るような
アブレシブ摩耗し、スジ画が像生じる。保護層を設けて
摩耗量を低減させることが特開平５−３５１５６号公報
に提案されているが、保護層膜と下層の感光層膜との整
合性に問題があり長時間の使用で表層のクラック、残留
電位の蓄積で十分でない。特開平５−１４２７９２号公
報では感光層フィルムの強度についての言及があり、フ
ィルムの引っ張り試験で歪み、応力強度が大きい程摩耗
量が減少するとしている。この感光層は分子分散フィル
ムで低分子濃度が約５０％であることから分子鎖の絡み
状態が低下し、歪み率が小さくフィルムの靱性低下して
いる。これらフィルムはクリーニング条件の違いで摩耗
量変動が大きいことが考えられる。

【０００４】以上のように感光体上の残留トナー除去に
関してはクリーニング方法、クリーニングブレード、感
光体から多種アプローチされている。最近の傾向として
複写機、プリンタ、ファクシミリはパーソナル化が進
み、小型、軽量、多機能、カラー化などで感光体ドラム
の小径化、高感度化、高速化、高耐久化が望まれ、従来
の感光体ドラム径近隣に配置される帯電−露光−現像−
転写−クリーニングの周辺部材が感光体の小径化のため
に小スペースで設置できない現状にある。クリーニング
においても小スペースで、かつ高速回転下、残留トナー
除去するには弾性ゴムブレードの使用が好ましい。

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は高感
度、高耐久性感光体の提供にあり、第１の目的は摩耗に
よる感度劣化を防止し、高画質を維持することにあり、
第２の目的は繰り返し使用してもクリーニング不良のな
いクリーニング手段を有する画像形成装置の提供にあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】このような本発明の目的
は、少なくとも、帯電手段、画像露光手段、現像手段、
転写手段、定着手段、クリーニング手段を有する画像形
成装置において、クリーニング手段が少なくとも粉末ト
ナー除去する際ゴムブレードを用いたクリーニング手段
であり、かつ、本画像形成装置に使用される電子写真感
光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
も１層に、高分子電荷輸送物質を含有するものであるこ
とを特徴とする画像形成装置、及び、前記加増形成装置
において使用される電子写真感光体に含有される高分子
電荷輸送物質が、トリアリールアミン構造を主鎖及び／
又は側鎖に含むポリカーボネートであることを特徴とす
る画像形成装置により達成される。

【０００６】ポリカーボネート樹脂は従来の低分子電荷
移動材を分散した分子分散移動層のバインダー樹脂とし
て広く使用されている。種類としては一般的に称される
Ａポリカ、Ｃポリカ、Ｚポリカである。ポリカーボネー
ト樹脂が感光体のバインダー樹脂として使用される理由
としては電子写真特性の電気的特性に害がないこと、機
械的強度が高いことである。特に後者については重要で
あり、感光体の高耐久化に貢献度が高い。高耐久化とし
ては電気的特性（感度劣化、残留電位上昇、帯電低下な
どの低減）、と機械的強度（摩耗、傷、剥離などの減
少）の向上が望まれ、特に感光体の摩耗、傷で寿命が決
まる場合が多い。ポリカーボネートバインダー樹脂はポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレートバインダー樹脂
と較べて機械的強度が高く、その採用により感光体耐久
性が向上した。ポリカーボネートの機械強度が高い理由
としてはポリカーボネート分子内緩和性と分子間の高い
凝集力に由来する。しかし分子分散移動層フィルムでポ
リカーボネート樹脂濃度が約５０％ｗｔであることから
フィルム強度が低下し、従来のポリカーボネート樹脂の
機械的強度の発現はできない。したがって前述した小型
化、軽量、多機能化、カラー化、高速化で感光体ドラム
の小径化、高速回転が余儀なくされ感光層の受けるハザ
ードは従来より厳しい環境となり分子分散フィルムでは
高耐久化に限界がある。

【０００７】また、クリーニング工程においても感光体
の小径化に伴い小スペースとなり、小型のものが望まれ
且つ高速で十分に残留トナー除去をせねばならない。こ
のためにゴムブレードが選択される。小径感光体は１コ
ピー当たりの摺擦回数が多くなり感光体表面はブレー
ド、トナーと摩擦して発熱する。また機内の定着系の熱
の回り込み、及び露光光源からの熱が感光体表面温度を
５０℃以上にし、分子分散感光層は熱で変化して不利に
なるので、使用温度域での感光層の熱変化は極力避けね
ばならない。このように感光層は外部因子によって影響
をうけ感光層には応力がかかり、そのかかり方はブレー
ドの当接方法、圧力、ブレードの材質、その物性、プロ
セス速度、トナー処方などで大きく変化し、摩耗、傷に
影響する。しかし十分なブレードクリーニング性確保の
ためには感光層に対してのハザードがさけられず、分子
分散移動層の場合は摩耗し十分でなく高耐久化には限界
がある。これらの問題は、本発明により解消される。以
下、図面に基づいて本発明をより詳細に説明する。

【０００８】図１〜２には、本発明におけるクリーニン
グ手段の例が開示される。図１の例においてはクリーニ
ングユニット（２）のゴム弾性ブレード（３）が感光体
（１）の回転方向に対してカウンターで対向している。
この場合回収タンク内にはブラシ、搬送スクリュウ、バ
イアス印加部などは図示してないが、本発明におけるク
リーニング手段の場合これらは設置してもしなくてもよ
く別に限定されるものでない。図２の例においてはゴム
弾性ブレード（３）及びクリーニングブラシ（４）を有
するクリーニングユニット（２）のゴムブレード（３）
の先端部が感光体（１）の回転方向に対してトレーリン
グ方向で当接されている。この場合はブラシ、搬送スク
リュウ、バイアス印加部が設置されているが、設置しな
くともよく別に限定するものではない。ブレードの当接
方法はカウンター方向、トレーリング方向のどちらでも
かまわない。ウレタンゴムブレード（ゴム硬度７０、反
発弾性率７０％、バンドー化学社製）を当接角１５°、
当接圧２０ｇ／ｃｍでカウンターとトレーリングで当接
させクリーニング部を観察するとカウンター当接はブレ
ードの微動がなく、トナーの堆積が少なく、トレーリン
グ当接はブレードの上下運動とトナーの堆積が観察され
た。両者共にクリーニング性には問題はなかったが長時
間の走行でカウンター当接の方が感光体の摩耗量が多少
大きく、ブレードの摩耗面積が小さい、トレーリング当
接は感光体の摩耗量が小さく、ブレード摩耗面積が大き
い。このことは当接方式の違いでブレードエッジ部の力
のかかり具合、トナーの堆積具合が違い感光体、及びブ
レードの摩耗量に変化を与えることを示している。カウ
ンター当接で当接圧を５０ｇ／ｃｍに上げると感光体摩
耗量が増加し、またブレード摩耗面積増加とエッジ欠け
が発生した。

【０００９】分子分散膜の感光層の場合は外的因子で摩
耗量変化が大きくクリーニング条件を限定させ、十分な
クリーニングを損なう恐れがある。本発明は上記摩耗に
よる感光体劣化の防止と未転写残留トナー除去、転写紙
からの紙粉除去のために弾性体ゴムブレードによる十分
なクリーニングを提供するものである。

【００１０】次に、図面を用いて本発明で用いられる電
子写真感光体を説明する。図９は、本発明において用い
られる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体
（２１）上に感光層（２３）が形成されたものである。
図１０は、本発明において用いられる電子写真感光体の
別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上
に電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感
光層（２３）が形成されたものである。図１１は、本発
明において用いられる電子写真感光体のさらに別の構成
を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層
（２３）の電荷発生層（３１）との間に下引き層（２
５）が形成されたものである。

【００１１】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について述べる。本発明に用いられる高分子電荷輸
送物質としては、公知の高分子電荷輸送材料を用いるこ
とができる。

【００１２】例えば、 （ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重
合体 例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開
昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメ
チルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公
報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特
開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリル
アミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミ
ドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４
−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有す
る特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシ
アリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］
アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール
化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させること
により得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合
物等が例示される。 （ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重
合体 例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロル
メチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベ
ンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成さ
れるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−
５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレ
ン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合によ
り生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチ
レン化合物等が例示される。 （ｃ）ポリシリレン重合体 例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ
（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチ
ルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ
（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９
７号公報記載の−(Ｓｉ(R₁)(R₂)）−、又は

【００１３】

【化１３】 の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R₁、R₂、
R₃、R₄はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基
等）の化合物等が例示される。 （ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する
重合体 例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−ア
ミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び
特開平１−１９０４９号公報記載の一般式

【００１４】

【化１４】 を有するアリールアミン樹脂化合物 （ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−
４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピ
レンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不
飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ₂−、−(ＣＨ₂)
₂−、−(ＣＨ₂)₃−及び−(ＣＨ₂)₄−、Ｒ”は−ＣＯ−
又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｙ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−ＣＯ−（Ｙ
は−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）、ｍ
は０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１
−１７２８号公報記載のR-[O-A-O-CH₂-CH(OR)-CH₂-O-Ｂ
-O-CH₂-CH(OR)-CH₂]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１
０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−
Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フ
ルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，
４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、
Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ
−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍ
ｅ)₂−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポ
リヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公
報記載の

【００１５】

【化１５】 （ｎ₁は１〜１０、ｎ₂は０〜４、ｎ₃は０〜５、ｍは０
〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの
（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、
構造単位

【００１６】

【化１６】 （Ｒ₁、Ｒ₂はアルキル、アリール、アラルキル、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は２価の芳香族残基、ｌは０以上の
整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜
６の整数）を有する化合物等が例示される。 （ｅ）その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインド
ロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭
５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４
−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデ
ヒド縮合樹脂化合物等が例示される。

【００１７】本発明に使用される電子供与性基を有する
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマ
ーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示
されているような、

【００１８】

【化１７】 電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能
である。

【００１９】また本発明における高分子電荷輸送物質と
して、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を
有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下
記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を用
いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なも
のとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送
物質を以下に例示し、具体例を示す。

【００２０】

【化１８】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００２１】

【化１９】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００２２】

【化２０】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００２３】一般式１の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【００２４】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【００２５】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００２６】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００２７】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００２８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【００２９】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００３０】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００３１】

【化２１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，
１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパン
ジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオー
ル、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、
１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。

【００３２】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００３３】

【化２２】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００３４】一般式２の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００３５】

【化２３】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００３６】

【化２４】

【００３７】

【化２５】

【００３８】

【化２６】

【００３９】

【化２７】 を表わす。

【００４０】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【００４１】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００４２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００４３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【００４４】

【化２８】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００４５】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００４６】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００４７】

【化２９】 一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じ
ものが挙げられる。

【００４８】

【化３０】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００４９】一般式３の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００５０】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００５１】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００５２】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００５３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００５４】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【００５５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００５６】

【化３１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００５７】

【化３２】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
１の場合と同じである。

【００５８】一般式４の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００５９】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００６０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【００６１】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００６２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００６３】

【化３３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００６４】

【化３４】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００６５】一般式５の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６６】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【００６７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００６８】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００６９】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００７０】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００７１】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【００７２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７３】

【化３５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７４】

【化３６】

【００７５】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、一般式１の場合と同じである。

【００７６】一般式６の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００７７】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００７８】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【００７９】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００８０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００８１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００８２】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【００８３】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【００８４】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【００８５】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【００８６】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８７】

【化３７】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００８８】

【化３８】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
じである。

【００８９】一般式７の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【００９０】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００９１】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈
及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀
で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。

【００９２】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００９３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００９４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００９５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００９６】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【００９７】

【化３９】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００９８】

【化４０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
同じである。

【００９９】一般式８の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１００】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１０１】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１０２】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１０３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１０４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１０５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１０６】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１０７】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１０８】

【化４１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１０９】

【化４２】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１１０】一般式９の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１１１】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１１２】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１１３】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１１４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１１５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１１６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１１７】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１１８】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１１９】

【化４３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１２０】

【化４４】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
ある。

【０１２１】一般式１０の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１２２】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１２３】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０１２４】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２５】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ_{11 9}が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１２６】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１２７】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１２８】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１２９】

【化４５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１３０】導電性支持体（２１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。

【０１３１】本発明における感光層（２３）は、単層型
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層（３１）に
ついて説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質
を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用
いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と
有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結
晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セ
レン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモ
ルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シ
リコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハ
ロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リ
ン原子等をドープしたものが良好に用いられる。

【０１３２】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１３３】電荷発生層（３１）に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は２種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いること
ができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添
加してもよい。

【０１３４】電荷発生層（３１）に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。

【０１３５】電子輸送物質としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１３６】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。

【０１３７】電荷発生層（３１）を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。

【０１３８】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．０５〜２μｍである。

【０１３９】次に、電荷輸送層（３３）について説明す
る。電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０⁵Ｖ／ｃｍの
電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。

【０１４０】電荷輸送層（３３）に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ
タイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上
の混合物として用いることができる。

【０１４１】電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電
荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層
（３３）の膜厚は、２０μｍ以下が適当であり、好まし
くは１５μｍ以下である。この理由としては、先述のよ
うに静電潜像の解像性（原稿の再現性）の改良があげら
れ、２０μｍ以上の膜厚では解像性が低下することによ
る。解像度に関しては、膜厚が薄い方が良好な結果が得
られるが、感光層の摩耗は静電疲労特性にも影響を及ぼ
すため、あらかじめ実験的に設定できる膜厚の下限値を
調べることにより、上記範囲のうちで任意に設定でき
る。また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑
剤やレベリング剤を添加してもよい。

【０１４２】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部
程度が適当である。

【０１４３】次に、感光層（２３）が単層構成の場合に
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用
いることができる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用い
ることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送
層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合
して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μ
ｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度
が適当である。

【０１４４】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの
場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２
５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。

【０１４５】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルー
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機
物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０１４６】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。

【０１４７】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。

【０１４８】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）など。

【０１４９】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。

【０１５０】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

【０１５１】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【０１５２】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【０１５３】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【０１５４】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１０
０重量部、好ましくは２〜３０重量部である。

【０１５５】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単
位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算
出して１００±２０の範囲であった。

【０１５６】実施例１ φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引
き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層
を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。

【０１５７】 ［下引き層用塗工液］ アルキッド樹脂 ６部 （ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） メラミン樹脂 ４部 （スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部

【０１５８】

【化４６】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０１５９】 ［電荷輸送層用塗工液］ 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部 （１：１ｍｏｌランダム共重合体）

【０１６０】

【化４７】 塩化メチレン １００部

【０１６１】実施例２ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の交互共重合体構造のものに変えた以外は実施
例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を
作成した。

【０１６２】

【化４８】

【０１６３】実施例３ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の交互共重合体構造のものに変えた以外は実施
例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を
作成した。

【０１６４】

【化４９】

【０１６５】実施例４ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の１：１モルのランダム共重合体構造のものに
変えた以外は実施例１と全く同様にして本発明における
電子写真感光体を作成した。

【０１６６】

【化５０】

【０１６７】実施例５ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の交互共重合体構造のものに変えた以外は実施
例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を
作成した。

【０１６８】

【化５１】

【０１６９】実施例６ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の１：１モルのランダム共重合体構造のものに
変えた以外は実施例１と全く同様にして本発明における
電子写真感光体を作成した。

【０１７０】

【化５２】

【０１７１】実施例７ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０１７２】

【化５３】

【０１７３】実施例８ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の１：１モルのランダム共重合体構造のものに
変えた以外は実施例１と全く同様にして本発明における
電子写真感光体を作成した。

【０１７４】

【化５４】

【０１７５】実施例９ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の交互共重合体構造のものに変えた以外は実施
例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を
作成した。

【０１７６】

【化５５】

【０１７７】実施例１０ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の１：１モルのランダム共重合体構造のものに
変えた以外は実施例１と全く同様にして本発明における
電子写真感光体を作成した。

【０１７８】

【化５６】

【０１７９】 （トナーの製造例） スチレン−ｎ−ブチルアクリレート共重合体 ９０部 （共重合比８３／１７）Ｍｎ：１２０００ Ｍｗ／Ｍｎ：２４ カーボンブラック １０部 含クロムアゾ染料 ２部 （ボントロンＳ３４ オリエント化学社製） ポリプロピレンワックス ２部 （サンワックス６６０Ｐ 三洋化成社製） 上記材料をミキサーで混合後２本ロールミルで溶融混練
した。混練物を圧延冷却後粉砕分級を行い、体積平均粒
径７μｍのトナーを得た。さらに、疎水シリカ（Ｒ９７
２ 日本アエオジル社製）を０．５％添加し、ミキサー
で混合しトナーを得た。

【０１８０】 （キャリアの製造例） シリコーン樹脂溶液（ＫＲ５０ 信越化学社製） １００部 カーボンブラック（キャボット社製 ＢＰ２０００） ３部 トルエン １００部 上記処方をホモミキサーで３０分間分散して被覆層形成
液を調整した。この被覆層形成液を平均粒径５０μｍの
球状フェライト１０００部の表面に流動床型塗布装置を
用いて被覆層を形成しキャリアを得た。

【０１８１】比較例１ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに変更した以外は、実施例１と全く同様に作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部 （帝人：パンライトＫ１３００） 下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部

【０１８２】

【化５７】 塩化メチレン １００部

【０１８３】以上のように作製した実施例１〜１０及び
比較例１の電子写真感光体を実装用にした後、図３に示
されるように、感光体（１）の周囲に帯電器（７）、露
光手段（６）、現像部（５）が配置された画像形成装置
（リコー製 ＦＴ２７００）のクリーニングユニット
（２）におけるブレード（３）をカウンター式に改造、
ウレタンゴム（バンドー化学社製）硬度７０°、反発弾
性率７０％、当接角度１５°、当接圧２０ｇ／ｃｍに設
定し、転写、分離チャージャーを外し転写紙未通紙状態
に改造し、暗部帯電８００Ｖ、明部帯電８０Ｖになるよ
うに調整し、現像は前記製造例の２成分現像を用いて、
白色原稿で８０時間の連続ランを行った。その結果は表
１に示される。また膜厚はフィッシャー社製渦電流式５
６０Ｃで３０点計測し平均して求めた。図４（実施例
１）、図５（実施例２）、図６（実施例４）、図７（実
施例７）及び図８（比較例１）には東洋精密社製表面粗
さ測定装置surfcomによる、画像形成装置の電子写真感
光体の表面粗さを示した。この結果から、図４、５及び
６の例における摩耗量の小さい表面は凹凸のない表面で
あり、やや摩耗量の多い実施例７のものは凹凸が見ら
れ、比較例１の分子分散膜は凹凸が大きく、細く鋭利な
ブレード端で折れるように摩耗していることがうかがえ
る。

【０１８４】

【表１】

【０１８５】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的に説明したよう
に、本発明により、高分子電荷輸送物質を感光層最表面
に有する感光体をゴム弾性ブレードでクリーニングする
形式の画像形成装置とすることにより、十分なクリーニ
ング特性と耐摩耗性に優れた効果が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における感光体のカウンターブレードに
よるクリーニングの一例を示す模式図である。

【図２】本発明における感光体のトレーリングブレード
によるクリーニングの一例を示す模式図である。

【図３】本発明の電子写真感光体の試験機の模式図であ
る。

【図４】本発明の画像形成装置の電子写真感光体（実施
例１）の表面粗さを示した図である。

【図５】本発明の画像形成装置の電子写真感光体（実施
例２）の表面粗さを示した図である。

【図６】本発明の画像形成装置の電子写真感光体（実施
例４）の表面粗さを示した図である。

【図７】本発明の画像形成装置の電子写真感光体（実施
例７）の表面粗さを示した図である。

【図８】比較対象の画像形成装置の電子写真感光体（比
較例１）の表面粗さを示した図である。

【図９】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の構成を示す断面図である。

【図１０】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真
感光体の別の構成を示す断面図である。

【図１１】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真
感光体の更に別の構成を示す断面図である。

【符号の説明】 １ 感光体 ２ クリーニングユニット ３ ゴム弾性ブレード ４ クリーニングブラシ ５ 現像部 ６ 露光手段 ７ 帯電器 ２１ 導電性支持体 ２３ 感光層 ２５ 下引き層 ３１ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層

フロントページの続き (72)発明者 小島 成人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 青戸 淳 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 新美 達也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 生野 弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、帯電手段、画像露光手段、
   現像手段、転写手段、定着手段、クリーニング手段を有
   する画像形成装置において、クリーニング手段が少なく
   とも粉末トナー除去する際ゴムブレードを用いたクリー
   ニング手段であり、かつ、本画像形成装置に用いられる
   電子写真感光体の支持体から最も離れた最表層に高分子
   電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられる
   ことを特徴とする画像形成装置。
2. 【請求項２】 上記画像形成装置で使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、トリアリー
   ルアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネ
   ートであることを特徴とする請求項１記載の画像形成装
   置。
3. 【請求項３】 上記画像形成装置に使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
   １で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化１】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
   無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
   又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
   若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
   立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
   ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
   ５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
   脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
   表わす。 【化２】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
   のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
   ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
   ２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
   −、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
   す。）または、 【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
   数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
   リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
   Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
   よい。
4. 【請求項４】 上記画像形成装置で使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
   ２で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化４】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
   ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
   す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
5. 【請求項５】 上記画像形成装置で使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
   ３で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
   わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
6. 【請求項６】 上記画像形成装置で使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
   ４で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化６】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
   は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
   １の場合と同じである。
7. 【請求項７】 上記画像形成装置で使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
   ５で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化７】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
   Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
   若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
   ｎは、一般式１の場合と同じである。
8. 【請求項８】 上記画像形成装置で使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
   ６で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化８】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
   アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
   は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若
   しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
   クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
   ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
   一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一
   般式１の場合と同じである。
9. 【請求項９】 上記画像形成装置で使用される電子写真
   感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
   ７で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化９】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
   リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
   い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
   基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
   じである。
10. 【請求項１０】 上記画像形成装置で使用される電子写
    真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般
    式８で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴
    とする請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化１０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
    ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
    ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
    同じである。
11. 【請求項１１】 上記画像形成装置で使用される電子写
    真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般
    式９で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴
    とする請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化１１】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
    は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
    ｎは、一般式１の場合と同じである。
12. 【請求項１２】 上記画像形成装置で使用される電子写
    真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般
    式１０で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
    徴とする請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。 【化１２】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
    表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
    ある。